JP2000021012A - Optical pickup device - Google Patents

Optical pickup device

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JP2000021012A
JP2000021012A JP10183511A JP18351198A JP2000021012A JP 2000021012 A JP2000021012 A JP 2000021012A JP 10183511 A JP10183511 A JP 10183511A JP 18351198 A JP18351198 A JP 18351198A JP 2000021012 A JP2000021012 A JP 2000021012A
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laser
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semiconductor laser
package
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Tadashi Takeda
正 武田
Yoshio Hayashi
善雄 林
Taminori Masuzawa
民範 増沢
Yuichi Takei
勇一 武居
Hisahiro Ishihara
久寛 石原
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Nidec Sankyo Corp
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Nidec Sankyo Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical pickup device having a light source unit, capable of preventing entry of any stray light to a signal reproducing light receiving element. SOLUTION: The light source unit 10 of an optical pickup device incorporates a semiconductor laser 2 and a signal reproducing light receiving element 3 in its package 20. A package lid plate 22 as a constituting element of the package 20 includes a light shielding projection 60 formed between the semiconductor laser 2 and the signal reproducing light receiving element 3. By this light shielding projection 60, among forward and backward laser light emitted from the semiconductor laser 2, a light (stray light) not used as effective luminous flux is cut off. Thus, entry of the stray light to the signal reproducing light receiving element 3 is prevented.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザおよ
び受光素子が共通のパッケージ内に組み込まれた構成の
光源ユニットを備えた光ピックアップ装置に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical pickup device provided with a light source unit having a configuration in which a semiconductor laser and a light receiving element are incorporated in a common package.

【0002】[0002]

【従来の技術】CD、DVD、MOなどの光ディスクの
記録・再生に用いられる光ピックアップ装置としては、
半導体レーザ、受光素子およびホログラム素子などの光
学素子がパッケージ内に組み込まれた構成の光源ユニッ
トを備えたものが知られている。このような光ピックア
ップ装置は、例えば、特開平3−278330号公報に
開示されている。
2. Description of the Related Art An optical pickup device used for recording / reproducing an optical disk such as a CD, DVD, MO, etc.
2. Description of the Related Art There is known a light source unit having a light source unit in which optical elements such as a semiconductor laser, a light receiving element, and a hologram element are incorporated in a package. Such an optical pickup device is disclosed, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-278330.

【0003】特開平3−278330号公報に開示され
た光ピックアップ装置では、半導体レーザから光ディス
クに向けて、ホログラム素子および対物レンズがこの順
序で配列されている。また、光ディスクから受光素子
(信号再生用)に向けて、対物レンズ、ホログラム素子
および反射ミラーがこの順序で配列されている。
In an optical pickup device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-278330, a hologram element and an objective lens are arranged in this order from a semiconductor laser toward an optical disk. Further, an objective lens, a hologram element, and a reflection mirror are arranged in this order from the optical disk toward the light receiving element (for signal reproduction).

【0004】この光ピックアップ装置では、半導体レー
ザはヒートシンクに固定された半導体基板上に設置さ
れ、これらが光源ユニットとして一体化されている。こ
の光源ユニットでは、半導体基板の上にサブヒートシン
クが載置され、この上面に半導体レーザが載置され、半
導体基板の基板面に平行な方向にレーザ光を出射する。
半導体基板の基板面における半導体レーザの後方には受
光素子(信号再生用)が形成され、この受光素子の上方
に反射ミラーが配置されている。また、半導体レーザの
後方には、信号再生用の受光素子に加えて、当該半導体
レーザのレーザ光出力をフィードバック制御するための
モニター用受光素子も形成されている。
In this optical pickup device, a semiconductor laser is mounted on a semiconductor substrate fixed to a heat sink, and these are integrated as a light source unit. In this light source unit, a sub heat sink is mounted on a semiconductor substrate, a semiconductor laser is mounted on the upper surface, and a laser beam is emitted in a direction parallel to the substrate surface of the semiconductor substrate.
A light receiving element (for signal reproduction) is formed behind the semiconductor laser on the substrate surface of the semiconductor substrate, and a reflection mirror is arranged above the light receiving element. In addition to the light receiving element for signal reproduction, a monitoring light receiving element for feedback-controlling the laser light output of the semiconductor laser is formed behind the semiconductor laser.

【0005】この光ピックアップ装置において、半導体
レーザの前方出射端面から出射されたレーザ光(前方レ
ーザ光)は、ホログラム素子を透過した後、対物レンズ
を介して光ディスクに集光する。光ディスクからの戻り
光は、ホログラム素子で回折された後、反射ミラーによ
って立ち下げられて信号再生用の受光素子に導かれる。
この受光素子の検出結果に応じて信号再生、トラッキン
グ誤差検出および焦点誤差検出が行われる。
[0005] In this optical pickup device, laser light (forward laser light) emitted from the front emission end face of the semiconductor laser is transmitted through the hologram element and then focused on the optical disk via the objective lens. The return light from the optical disc is diffracted by the hologram element, then falls by the reflection mirror, and is guided to the light receiving element for signal reproduction.
Signal reproduction, tracking error detection and focus error detection are performed according to the detection result of the light receiving element.

【0006】また、このタイプの光ピックアップ装置で
は、半導体レーザの後方出射端面から出射されたレーザ
光(後方レーザ光)の一部は半導体基板表面に形成され
たモニター用の受光素子を直に照射する。このモニター
用の受光素子の検出結果に基づいて、半導体レーザのレ
ーザ光出力が一定となるようにフィードバック制御が行
われる。
In this type of optical pickup device, a part of the laser light (rearward laser light) emitted from the rear emission end face of the semiconductor laser directly irradiates a monitor light receiving element formed on the surface of the semiconductor substrate. I do. Feedback control is performed based on the detection result of the monitoring light receiving element so that the laser light output of the semiconductor laser becomes constant.

【0007】ここで、半導体レーザの前方および後方出
射端面から出射される前方および後方レーザ光は有効広
がり角より外側にも広がり持っている。特に、活性層に
垂直な方向の広がりが大きい。従来の光ピックアップ装
置では、後方レーザ光のうち、有効広がり角を持った光
強度の大きな光成分(有効光束)をモニター用光として
利用している。
Here, the front and rear laser beams emitted from the front and rear emission end faces of the semiconductor laser are spread outside the effective spread angle. In particular, the spread in the direction perpendicular to the active layer is large. In the conventional optical pickup device, of the rear laser light, a light component (effective light flux) having an effective spread angle and a large light intensity is used as monitor light.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】モニター用光としては
利用されていない有効光束の外側に広がる光成分は、モ
ニター用受光素子の受光面から外れた方向に放射される
ので、その一部が半導体レーザの後方に配置されている
信号再生用受光素子に直に入射する恐れがある。
A light component which is not used as monitor light and spreads outside the effective light beam is emitted in a direction deviating from the light receiving surface of the monitor light receiving element. There is a possibility that the light may directly enter the signal reproducing light-receiving element disposed behind the laser.

【0009】信号再生用受光素子に光ディスクからの戻
り光以外の不要な光(迷光)が入射すると、信号再生用
受光素子の出力信号に含まれるノイズ成分の割合が増加
する。この結果、S/N比が大幅に低下し、また、対物
レンズのトラッキングおよびフォーカス制御の動作が不
安定になるなどの弊害が生じる。
When unnecessary light (stray light) other than the return light from the optical disk enters the signal reproducing light receiving element, the ratio of the noise component included in the output signal of the signal reproducing light receiving element increases. As a result, adverse effects such as a significant decrease in the S / N ratio and an unstable operation of tracking and focus control of the objective lens occur.

【0010】モニター用光として利用されない後方レー
ザ光の成分が信号再生用受光素子に直に入射しないよう
に、信号再生用受光素子を半導体レーザの側方に配置す
ることが考えられる。しかし、この場合でも、その光は
パッケージの内壁で反射して間接的に信号再生用受光素
子に入射する恐れがある。同様に、前方レーザ光におい
ても有効光束の外側に広がる光成分の一部が信号再生用
受光素子に入射する恐れがある。
It is conceivable to arrange the signal reproducing light receiving element beside the semiconductor laser so that the component of the rear laser light that is not used as the monitoring light does not directly enter the signal reproducing light receiving element. However, even in this case, the light may be reflected on the inner wall of the package and indirectly incident on the light-receiving element for signal reproduction. Similarly, in the forward laser light, a part of the light component spreading outside the effective light beam may enter the light-receiving element for signal reproduction.

【0011】本発明の課題は、上記の点に鑑みて、光デ
ィスクからの戻り光以外の光が信号再生用受光素子に入
射してしまうことを防止可能な光源ユニットを備えた光
ピックアップ装置を提供することにある。
In view of the above, an object of the present invention is to provide an optical pickup device having a light source unit capable of preventing light other than return light from an optical disk from being incident on a light receiving element for signal reproduction. Is to do.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明は、前方および後方出射端面から前方および
後方レーザ光を出射する半導体レーザと、この半導体レ
ーザの前記前方出射端面から出射された前記前方レーザ
光を光記録媒体に集光させるための集光手段と、光記録
媒体からの戻り光を検出するための信号再生用受光素子
と、前記戻り光を前記信号再生用受光素子に導くための
導光系とを有し、前記半導体レーザおよび前記信号再生
用受光素子が共通のパッケージに内蔵された構成の光源
ユニットを備えた光ピックアップ装置において、前記光
源ユニットの前記パッケージの内部に、前記半導体レー
ザから出射した光が前記信号再生用受光素子に入射する
のを防止する遮光手段を有していることを特徴としてい
る。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above problems, the present invention provides a semiconductor laser that emits front and rear laser beams from front and rear emission end faces, and a semiconductor laser that emits light from the front emission end face of the semiconductor laser. Focusing means for condensing the forward laser light on the optical recording medium, a signal reproducing light-receiving element for detecting return light from the optical recording medium, and the return light to the signal reproducing light-receiving element. An optical pickup device having a light guide system for guiding, and a light source unit having a configuration in which the semiconductor laser and the light-receiving element for signal reproduction are built in a common package. A light shielding means for preventing light emitted from the semiconductor laser from being incident on the signal reproducing light receiving element.

【0013】本発明の光ピックアップ装置の光源ユニッ
トでは、半導体レーザから出射した光(前方レーザ光お
よび後方レーザ光)のうち、有効光束として利用されな
い微弱な光(迷光)は遮光手段によって遮られる。この
ため、それらの光が信号再生用受光素子に入射してしま
うことを防止できる。従って、信号再生用受光素子の出
力信号から迷光に起因したノイズ成分を除去できるの
で、S/N比を高めることができ、また、集光手段のト
ラッキングおよびフォーカス制御動作の安定化を図るこ
とできる。
In the light source unit of the optical pickup device of the present invention, of the light (forward laser light and rear laser light) emitted from the semiconductor laser, weak light (stray light) that is not used as an effective light beam is blocked by the light shielding means. Therefore, it is possible to prevent such light from being incident on the signal reproducing light receiving element. Therefore, since the noise component caused by the stray light can be removed from the output signal of the signal reproducing light receiving element, the S / N ratio can be increased, and the tracking and focus control operations of the light collecting means can be stabilized. .

【0014】前記遮光手段としては、前記半導体レーザ
と前記信号再生用受光素子との間に配置された遮光壁を
採用することができる。
As the light shielding means, a light shielding wall arranged between the semiconductor laser and the signal reproducing light receiving element can be adopted.

【0015】ここで、前記導光系が前記戻り光を前記信
号再生用受光素子に導くための反射ミラーを備えてお
り、前記信号再生用受光素子が、前記半導体レーザの前
記前方出射端面に対して前記前方レーザ光の出射方向側
において、前記前方レーザ光の光軸を避けた位置に配置
されている場合は、前記信号再生用受光素子の受光面と
対向する前記パッケージの内面部分に、前記反射ミラー
の取付け部を形成し、この取付け部を前記受光面に向け
て突出した状態で、前記後方レーザ光の出射方向に沿っ
て前記後方出射端面を越える位置まで延ばすことが望ま
しい。
Here, the light guide system includes a reflection mirror for guiding the return light to the signal reproducing light receiving element, and the signal reproducing light receiving element is arranged with respect to the front emission end face of the semiconductor laser. In the emission direction side of the forward laser light, if it is arranged at a position avoiding the optical axis of the forward laser light, the inner surface portion of the package facing the light receiving surface of the signal reproducing light receiving element, It is desirable to form a mounting portion for the reflection mirror, and extend the mounting portion in a state of protruding toward the light receiving surface to a position beyond the rear emission end face along the emission direction of the rear laser light.

【0016】このような構成を採用すれば、半導体レー
ザの後方出射端面から出射された後方レーザ光の一部
(有効光束として利用されない光)がパッケージの内壁
やパッケージ内に収納された光学部品などで反射して信
号再生用受光素子に向かったとしても、前記取付け部に
よってその光を遮光できる。従って、信号再生用受光素
子に不要な光(迷光)が到達してしまうことをいっそう
効果的に抑制できる。このような構成の場合、前記遮光
壁と前記取付け部が一体となった構成を採用できる。
With this configuration, a part (light not used as an effective light beam) of the rear laser light emitted from the rear emission end face of the semiconductor laser can be used as an inner part of the package or an optical component housed in the package. Even if the light is reflected toward the light receiving element for signal reproduction, the light can be shielded by the mounting portion. Therefore, it is possible to further effectively prevent unnecessary light (stray light) from reaching the light-receiving element for signal reproduction. In the case of such a configuration, a configuration in which the light shielding wall and the mounting portion are integrated can be adopted.

【0017】本発明において、前記半導体レーザの前記
後方出射端面と対向する前記パッケージの内面を前記後
方レーザ光の光軸に直交する方向に対して傾斜させてお
くことが望ましい。このようにしておけば、後方出射端
面から出射された後方レーザ光の一部がパッケージ内面
で信号再生用受光素子に向けて反射され難くなる。
In the present invention, it is preferable that an inner surface of the package facing the rear emission end face of the semiconductor laser is inclined with respect to a direction orthogonal to an optical axis of the rear laser light. This makes it difficult for a part of the rear laser light emitted from the rear emission end face to be reflected toward the signal reproducing light receiving element on the inner surface of the package.

【0018】ここで、本発明の光ピックアップ装置にお
いては、前記半導体レーザから出射された前記前方レー
ザ光を前記信号再生用レーザ光とトラッキング誤差検出
用レーザ光に分離する分離手段を光源ユニットに設ける
と共に、前記トラッキング誤差検出用レーザ光を用いて
前記集光手段の焦点誤差検出を行うように構成すること
が望ましい。このような構成によれば、光記録媒体から
の戻り光を回折分離する回折手段として、単純な光路分
離機能のみを備えたものを採用できる。このような回折
手段では、回折パターンを非常に単純化できる。例え
ば、直線状の回折パターンとすることができる。このよ
うな回折パターンを備えた回折手段は、波長変動、各光
学素子の取付け位置にずれなどの回折特性を劣化する要
因に対して比較的安定である。このため、所望の光学的
特性が安定して得られる光ピックアップ装置を実現でき
る。また、単純化した回折パターンを作製すれば良いの
で、回折パターンの作製誤差許容度を大きくでき、回折
手段の作製コストを低減できる。
Here, in the optical pickup device of the present invention, the light source unit is provided with separating means for separating the forward laser light emitted from the semiconductor laser into the signal reproducing laser light and the tracking error detecting laser light. In addition, it is preferable that the focusing error detection of the focusing unit is performed using the tracking error detection laser light. According to such a configuration, a diffraction unit having only a simple optical path separation function can be adopted as a diffraction unit for diffracting and separating return light from the optical recording medium. With such a diffraction means, the diffraction pattern can be greatly simplified. For example, a linear diffraction pattern can be used. Diffraction means having such a diffraction pattern is relatively stable against factors that degrade diffraction characteristics, such as wavelength fluctuation and displacement of the mounting position of each optical element. Therefore, it is possible to realize an optical pickup device in which desired optical characteristics can be stably obtained. In addition, since a simplified diffraction pattern may be manufactured, the manufacturing error tolerance of the diffraction pattern can be increased, and the manufacturing cost of the diffraction means can be reduced.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して本発明の
実施の形態を説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0020】(光ピックアップ装置の全体構成)図1に
光ピックアップ装置の光学系の概略構成を示してある。
光ピックアップ装置1は、半導体レーザ2と、ここから
出射されたレーザ光Lfを立ち上げる立ち上げミラー1
1と、立ち上げられたレーザ光Lfを光ディスク4に集
光させるための対物レンズ(集光手段)12と、光ディ
スク4からの戻り光Lrを検出するための信号再生用受
光素子3と、光ディスク4からの戻り光Lrを信号再生
用受光素子3に導くための導光系70とを有している。
また、半導体レーザ2から立ち上げミラー11に到る光
路の途中位置に配置された第1の回折素子(分離手段)
13を有している。この第1の回折素子13は、半導体
レーザ2から出射されたレーザ光を信号再生用レーザ光
およびトラッキング誤差検出用レーザ光に分割するため
の素子である。
(Overall Configuration of Optical Pickup Device) FIG. 1 shows a schematic configuration of an optical system of the optical pickup device.
The optical pickup device 1 includes a semiconductor laser 2 and a rising mirror 1 that raises a laser beam Lf emitted from the semiconductor laser 2.
1, an objective lens (condensing means) 12 for converging the launched laser beam Lf on the optical disc 4, a signal reproducing light receiving element 3 for detecting the return light Lr from the optical disc 4, and an optical disc And a light guide system 70 for guiding the return light Lr from the light receiving element 4 to the light receiving element 3 for signal reproduction.
Further, a first diffraction element (separation means) arranged at an intermediate position in an optical path from the semiconductor laser 2 to the rising mirror 11
13. The first diffraction element 13 is an element for splitting a laser beam emitted from the semiconductor laser 2 into a laser beam for signal reproduction and a laser beam for tracking error detection.

【0021】導光系70は光ディスク4からの戻り光L
rを回折する第2の回折素子14と、この第2の回折素
子14で回折された光を信号再生用受光素子3に導くた
めの反射ミラー15とを備えている。
The light guide system 70 receives the return light L from the optical disc 4.
A second diffraction element 14 for diffracting r and a reflecting mirror 15 for guiding the light diffracted by the second diffraction element 14 to the light receiving element 3 for signal reproduction are provided.

【0022】本例の光ピックアップ装置1では、半導体
レーザ2、信号再生用受光素子3、導光系70および第
1の回折素子13は共通のパッケージ20に内蔵され、
光源ユニット10として一体化されている。
In the optical pickup device 1 of the present embodiment, the semiconductor laser 2, the signal reproducing light receiving element 3, the light guide system 70 and the first diffraction element 13 are built in a common package 20,
The light source unit 10 is integrated.

【0023】(光源ユニットの構成)図2および図3は
光源ユニットを示してある。図2(A)は光源ユニット
の平面図、図2(B)および(C)は、それぞれ、図2
(A)のA−A’線における断面図およびB−B’線に
おける断面図である。図3は、光源ユニットを前方(図
2(A)における矢印Cの方向)から見たときの正面図
である。なお、図2(A)では光源ユニットの内部構成
を分かり易くするために、パッケージの一部を省略して
示してある。また、以下の説明では、パッケージの幅方
向をX方向、パッケージの上下方向をY方向、パッケー
ジの前後方向をZ方向として説明する。
(Configuration of Light Source Unit) FIGS. 2 and 3 show a light source unit. FIG. 2A is a plan view of the light source unit, and FIGS. 2B and 2C are FIGS.
It is sectional drawing in the AA 'line of (A), and sectional drawing in the BB' line. FIG. 3 is a front view of the light source unit as viewed from the front (the direction of arrow C in FIG. 2A). In FIG. 2A, a part of the package is omitted for easy understanding of the internal configuration of the light source unit. In the following description, the width direction of the package is described as an X direction, the vertical direction of the package is defined as a Y direction, and the front-rear direction of the package is defined as a Z direction.

【0024】これらの図に示すように、光源ユニット1
0のパッケージ20は偏平な直方体形状をしており、こ
のパッケージ20の内部には、半導体基板11と、この
半導体基板11の基板面111に載置したサブマウント
24と、このサブマウント24の上面に設置された半導
体レーザ2と、半導体基板11の基板面111に形成さ
れた信号再生用受光素子3とが備わっている。また、パ
ッケージ20には、反射ミラー15、第1および第2の
回折素子13および14が取り付けられている。
As shown in these figures, the light source unit 1
The package 20 has a flat rectangular parallelepiped shape. Inside the package 20, a semiconductor substrate 11, a submount 24 mounted on a substrate surface 111 of the semiconductor substrate 11, and an upper surface of the submount 24 are provided. And a light-receiving element 3 for signal reproduction formed on the substrate surface 111 of the semiconductor substrate 11. Further, the package 20 is provided with the reflection mirror 15 and the first and second diffraction elements 13 and 14.

【0025】パッケージ20の前面204には前方に向
けて垂直に突出した筒状突起201が形成されている。
この筒状突起201により、光通過孔203が形成され
ており、ここに、第1、第2の回折素子13、14が取
り付けられている。これらの素子13、14を介して半
導体レーザ2から出射された前方レーザ光Lfが外部に
出射されると共に、光ディスク4からの戻り光Lrがパ
ッケージ20の内部に導かれる。
A cylindrical projection 201 is formed on the front surface 204 of the package 20 so as to project vertically forward.
A light passage hole 203 is formed by the cylindrical projection 201, and the first and second diffraction elements 13 and 14 are attached thereto. The forward laser light Lf emitted from the semiconductor laser 2 is emitted to the outside via these elements 13 and 14, and the return light Lr from the optical disc 4 is guided to the inside of the package 20.

【0026】パッケージ20は、上方が開放状態になっ
たほぼ升型のパッケージ本体21と、この上側開口を塞
いでいるパッケージ蓋板22とから構成されている。パ
ッケージ本体21とパッケージ蓋板22によって、半導
体基板11やサブマウント24などが装着される室20
2が区画形成されると共に、筒状突起201が構成され
る。
The package 20 comprises a substantially square package main body 21 whose upper part is open, and a package lid plate 22 closing this upper opening. A chamber 20 in which the semiconductor substrate 11 and the submount 24 are mounted by the package body 21 and the package cover plate 22.
2 are formed and the cylindrical projection 201 is formed.

【0027】図4(A)はパッケージ本体の平面図、図
4(B)および(C)は、それぞれ、図4(A)のD−
D’線における断面図およびE−E’線における断面図
である。これらの図に示すように、パッケージ本体21
は、ほぼ矩形状の底壁211と、この底壁211の四方
の辺から立ち上がっている前壁212、後壁213およ
び左右の側壁214、215とを備えている。前壁21
2の一部は凹状に切りかかれており、その両側から左右
一対の突出側壁216、217が前壁212に垂直に延
びている。これらの突出側壁216、217の下端部は
底壁211から前方に延びる突出底壁218によって繋
がっている。これら突出側壁216、217、突出底壁
218によって、前方に突き出た延設部219が形成さ
れている。
FIG. 4A is a plan view of the package body, and FIGS. 4B and 4C are D- FIGS.
It is sectional drawing in the D 'line, and sectional drawing in the EE' line. As shown in these figures, the package body 21
Has a substantially rectangular bottom wall 211, a front wall 212, a rear wall 213, and left and right side walls 214 and 215 rising from four sides of the bottom wall 211. Front wall 21
2 is cut in a concave shape, and a pair of left and right protruding side walls 216 and 217 extend perpendicularly to the front wall 212 from both sides thereof. The lower ends of these protruding side walls 216, 217 are connected by a protruding bottom wall 218 extending forward from the bottom wall 211. The protruding side walls 216 and 217 and the protruding bottom wall 218 form an extension 219 protruding forward.

【0028】延設部219の幅はパッケージ本体21の
幅よりも狭く、また、延設部219はパッケージ本体2
1の幅方向の中心から片寄った位置に形成されている。
The width of the extension 219 is smaller than the width of the package body 21, and the extension 219 is
1 is formed at a position offset from the center in the width direction.

【0029】パッケージ本体21の底壁211の表面は
平坦とされており、半導体レーザ2、サブマウント24
および半導体基板11の位置を規定するための基準面3
0とされている。この基準面30には、リードフレーム
23における矩形板状のステージ231が固定されてい
る。リードフレーム23のリード(本例では、12本の
リード)232は、そのパッド部分が基準面30に位置
しており、その外部接続用端子となる部分がパッケージ
本体21の後壁213を貫通して外部まで延びている。
これらの外部接続端子部分はパッケージの幅方向に一定
の間隔をもって配列されている。
The surface of the bottom wall 211 of the package body 21 is flat, and the semiconductor laser 2 and the submount 24
And reference plane 3 for defining the position of semiconductor substrate 11
It is set to 0. A rectangular plate-shaped stage 231 of the lead frame 23 is fixed to the reference surface 30. The leads (12 leads in this example) 232 of the lead frame 23 have pad portions located on the reference surface 30, and portions serving as external connection terminals pass through the rear wall 213 of the package body 21. Extending to the outside.
These external connection terminal portions are arranged at regular intervals in the width direction of the package.

【0030】(半導体基板およびその周辺部分の構成)
図5は半導体基板およびその周辺部分を拡大して示す斜
視図であり、図6は半導体基板の基板面を示す平面図で
ある。図2、図5および図6に示すように、リードフレ
ーム23のステージ231には半導体基板11が銀ペー
ストによってボンディングされている。半導体基板11
の基板面111において、その幅方向の一方の側には、
前後方向に長いほぼ矩形状の電極部111aが形成さ
れ、他方の側には信号処理回路26が形成されている。
電極部111aの上にはサブマウント24が銀ペースト
によって固定されている。このサブマウント24は一定
の厚さの半導体基板からなり、その上面には半導体レー
ザ2が銀ペーストによって固定されている。
(Structure of Semiconductor Substrate and Its Peripheral Part)
FIG. 5 is an enlarged perspective view showing a semiconductor substrate and its peripheral portion, and FIG. 6 is a plan view showing a substrate surface of the semiconductor substrate. As shown in FIGS. 2, 5, and 6, the semiconductor substrate 11 is bonded to the stage 231 of the lead frame 23 with a silver paste. Semiconductor substrate 11
On one side of the substrate surface 111 in the width direction,
A substantially rectangular electrode portion 111a long in the front-rear direction is formed, and a signal processing circuit 26 is formed on the other side.
The submount 24 is fixed on the electrode portion 111a with a silver paste. The submount 24 is formed of a semiconductor substrate having a certain thickness, and the semiconductor laser 2 is fixed on the upper surface thereof with a silver paste.

【0031】半導体レーザ2は、前方レーザ光Lfが出
射される前方出射端面2fと、後方レーザ光Lbが出射
される後方出射端面2bとを備えている。これらの出射
端面2f、2bからは、半導体基板11の基板面111
に平行な方向に各レーザ光Lf、Lbがそれぞれ前方お
よび後方に向けて出射される。半導体レーザ2の前方レ
ーザ光Lfの発光点は、前方出射端面2fにおけるパッ
ケージ20の上下方向のほぼ中央に位置しており、ここ
から出射された前方レーザ光Lfは光通過孔203に取
り付けられている第1および第2の回折素子13、14
を通って、外部に出射される。
The semiconductor laser 2 has a front emission end face 2f from which the front laser light Lf is emitted, and a rear emission end face 2b from which the rear laser light Lb is emitted. From these emission end surfaces 2f and 2b, the substrate surface 111 of the semiconductor substrate 11 is formed.
The laser beams Lf and Lb are emitted forward and backward, respectively, in a direction parallel to. The emission point of the forward laser light Lf of the semiconductor laser 2 is located at substantially the center in the vertical direction of the package 20 on the front emission end face 2f. The forward laser light Lf emitted from this point is attached to the light passage hole 203. First and second diffraction elements 13 and 14
And is emitted to the outside.

【0032】半導体基板11の基板面111において、
電極部111aの側方に形成されている信号処理回路2
6は、信号再生用受光素子3の出力信号のレベルを高め
て、外部の制御装置でピット信号(RF信号)、トラッ
キング誤差信号(TE信号)、焦点誤差信号(FE信
号)の生成処理を行いやすくするための回路である。こ
の信号処理回路26の前方には信号再生用受光素子3が
形成されている。従って、この信号再生用受光素子3
は、半導体レーザ2の前方出射端面2fの前方位置であ
って、前方レーザ光Lfの光軸Luから側方に外れた位
置に形成されている。
On the substrate surface 111 of the semiconductor substrate 11,
Signal processing circuit 2 formed on the side of electrode section 111a
Reference numeral 6 increases the level of the output signal of the light-receiving element 3 for signal reproduction, and generates a pit signal (RF signal), a tracking error signal (TE signal), and a focus error signal (FE signal) by an external control device. This is a circuit to make it easier. The signal reproducing light receiving element 3 is formed in front of the signal processing circuit 26. Therefore, the signal reproducing light receiving element 3
Is formed at a position in front of the front emission end face 2f of the semiconductor laser 2 and at a position laterally deviated from the optical axis Lu of the front laser beam Lf.

【0033】サブマウント24の上面における半導体レ
ーザ2の後方位置には、半導体レーザ2のレーザ光出力
をフィードバック制御するためのモニター用受光素子2
5が形成されている。半導体レーザ2の後方出射端面2
bから出射された後方レーザ光Lbの一部は、このモニ
ター用受光素子25に直接に入射する。
A monitor light receiving element 2 for feedback-controlling the laser light output of the semiconductor laser 2 is provided behind the semiconductor laser 2 on the upper surface of the submount 24.
5 are formed. Back emission end face 2 of semiconductor laser 2
A part of the rear laser beam Lb emitted from b is directly incident on the monitoring light receiving element 25.

【0034】(信号再生用受光素子の構成)図7には信
号再生用受光素子3を拡大して示してある。この図に示
すように、信号再生用受光素子3は幅方向(X方向)に
細長い形状の7つの受光面A、B1、B2、C、D1、
D2、Eを備えている。受光面Aはピット信号(RF信
号)検出用のものであり、残りの受光面はトラッキング
誤差信号(TE信号)および焦点誤差信号(FE信号)
検出用のものである。信号再生用受光素子3では、受光
面Aを中心にして、残りの受光面が前後方向に3つづつ
配列されている。受光面Aの前方には受光面B1、受光
面Cおよび受光面B2がこの順序で配列され、受光面A
の後方には受光面D1、受光面Eおよび受光面D2がこ
の順序で配列されている。これらの受光面における受光
量が電気信号に変換されて信号処理回路26に供給され
る。なお、トラッキング誤差信号(TE信号)および焦
点誤差信号(FE信号)の生成方法については後述す
る。
(Configuration of Signal Reproducing Light-Receiving Element) FIG. 7 shows the signal reproducing light-receiving element 3 in an enlarged manner. As shown in this figure, the light-receiving element 3 for signal reproduction has seven light-receiving surfaces A, B1, B2, C, D1, and elongated in the width direction (X direction).
D2 and E are provided. The light receiving surface A is for detecting a pit signal (RF signal), and the remaining light receiving surfaces are a tracking error signal (TE signal) and a focus error signal (FE signal).
It is for detection. In the light-receiving element 3 for signal reproduction, the remaining light-receiving surfaces are arranged three by three in the front-rear direction with the light-receiving surface A as a center. In front of the light receiving surface A, a light receiving surface B1, a light receiving surface C, and a light receiving surface B2 are arranged in this order.
, A light receiving surface D1, a light receiving surface E and a light receiving surface D2 are arranged in this order. The amounts of light received on these light receiving surfaces are converted into electric signals and supplied to the signal processing circuit 26. The method of generating the tracking error signal (TE signal) and the focus error signal (FE signal) will be described later.

【0035】信号処理回路26は、各受光面から供給さ
れた電気信号を増幅しつつ受光光量に応じた電圧に変換
するI/Vアンプ部やI/Vアンプ部で得られる信号を
適時演算する演算回路部などから構成されている。この
信号処理回路26の出力は半導体基板11の基板面11
1に形成された各電極111bから外部に取り出され
る。
The signal processing circuit 26 amplifies the electric signal supplied from each light-receiving surface and converts the signal into a voltage corresponding to the amount of received light, and appropriately calculates a signal obtained by the I / V amplifier. It is composed of an arithmetic circuit section and the like. The output of the signal processing circuit 26 is applied to the substrate surface 11 of the semiconductor substrate 11.
Each of the electrodes 111b is taken out from each electrode 111b.

【0036】ここで、信号再生用受光素子3と信号処理
回路26のI/Vアンプ部までの接続パターンの長さは
信号処理を高速化する上で重要な要素である。すなわ
ち、この接続パターンが長くなると、接続パターン自体
の容量が大きくなるので、周波数特性が劣化して信号処
理の高速化が妨げられる。これに対して、本例の光源ユ
ニット10では、半導体基板11の基板面111に形成
された信号処理回路26と信号再生用受光素子3は前後
方向において隣り合っている。このため、信号再生用受
光素子3と信号処理回路26のI/Vアンプ部までの接
続パターンが短いので、信号処理の高速化を図れる。
Here, the length of the connection pattern between the signal reproducing light receiving element 3 and the I / V amplifier of the signal processing circuit 26 is an important factor for speeding up signal processing. That is, if the connection pattern becomes longer, the capacity of the connection pattern itself becomes larger, so that the frequency characteristics are deteriorated and the speeding up of the signal processing is hindered. On the other hand, in the light source unit 10 of the present example, the signal processing circuit 26 formed on the substrate surface 111 of the semiconductor substrate 11 and the signal reproducing light receiving element 3 are adjacent to each other in the front-back direction. For this reason, since the connection pattern between the signal reproducing light receiving element 3 and the I / V amplifier of the signal processing circuit 26 is short, the speed of signal processing can be increased.

【0037】各電極111bは、リードフレーム23の
所定のリードのパッド部とワイヤーボンディングによっ
て電気的に接続されている(図2参照)。また、半導体
レーザ2およびサブマウント24に形成された電極(図
示せず)も所定のリード232のパッド部とワイヤーボ
ンディングによって電気的に接続されている。各電極1
11bからの出力信号がリードフレーム23を介して光
源ユニット10の外部に配置されている制御装置(図示
せず)に導かれ、RF信号、TE信号、FE信号が生成
され、また、半導体レーザ2のレーザ光出力のフィード
バック制御が行われる。
Each electrode 111b is electrically connected to a predetermined lead pad of the lead frame 23 by wire bonding (see FIG. 2). Further, electrodes (not shown) formed on the semiconductor laser 2 and the submount 24 are also electrically connected to pad portions of predetermined leads 232 by wire bonding. Each electrode 1
An output signal from the semiconductor laser 2b is guided to a control device (not shown) disposed outside the light source unit 10 via the lead frame 23 to generate an RF signal, a TE signal, and an FE signal. The feedback control of the laser light output is performed.

【0038】ここで、半導体レーザ2およびサブマウン
ト24が半導体基板11の基板面111の中央に位置し
ている場合、これらに形成された電極と所定のリード2
32との間を直にワイヤーボンディングすると、配線ワ
イヤー長が長くなるので、その配線ワイヤーがたわんで
他の配線ワイヤーに接触する等の恐れがある。このた
め、半導体レーザ2などが基板面111の中央に配置さ
れる場合は、配線ワイヤーの途中位置を半導体基板11
にボンディングすることにより、ボンディング間の配線
ワイヤー長を短くする必要がある。
Here, when the semiconductor laser 2 and the submount 24 are located at the center of the substrate surface 111 of the semiconductor substrate 11, the electrodes formed thereon and the predetermined leads 2
If wire bonding is performed directly between the wiring wires 32 and 32, the length of the wiring wire becomes long, and the wiring wire may be bent and come into contact with another wiring wire. Therefore, when the semiconductor laser 2 and the like are arranged at the center of the substrate surface 111, the middle position of the wiring wire is
, It is necessary to reduce the length of the wiring wire between the bondings.

【0039】これに対して、本例の光源ユニット10で
は、半導体レーザ2およびサブマウント24は半導体基
板11の基板面111の中央から幅方向に偏った位置に
設置されている。接続対象のリード232を、半導体レ
ーザ2の側に配置しておけば、これらの間隔を狭くで
き、従って、それらの間に接続される配線ワイヤーも短
くて済み、それらがたわむことはない。
On the other hand, in the light source unit 10 of the present embodiment, the semiconductor laser 2 and the submount 24 are installed at positions deviated in the width direction from the center of the substrate surface 111 of the semiconductor substrate 11. If the leads 232 to be connected are arranged on the side of the semiconductor laser 2, the distance between them can be reduced, and therefore, the wiring wires connected between them can be shortened, and they do not bend.

【0040】(反射ミラーの取付け構造)図2および図
3に示すように、光源ユニット10においては、パッケ
ージ20の予め定められた位置に反射ミラー15が取り
付けられている。反射ミラー15は矩形形状をしてお
り、パッケージ20の半導体基板11の基板面111に
対向するパッケージ20の内面部分を規定しているパッ
ケージ蓋板22に取り付けられている。
(Reflection Mirror Mounting Structure) As shown in FIGS. 2 and 3, in the light source unit 10, the reflection mirror 15 is mounted at a predetermined position of the package 20. The reflection mirror 15 has a rectangular shape, and is attached to a package lid plate 22 that defines an inner surface portion of the package 20 facing the substrate surface 111 of the semiconductor substrate 11 of the package 20.

【0041】図8(A)はパッケージ蓋板22の平面
図、同図(B)および(C)は、それぞれ、左側側面図
および正面図である。また、図8(D)は図8(A)の
F−F’線における断面図である。パッケージ蓋板22
は、パッケージ本体21の上側開口を封鎖しており、パ
ッケージ20の上壁を規定している上壁部分221と、
この上壁部分221の前端側から前方に延びた延設部分
222とから基本的に構成されている。上壁部分221
のパッケージ内側面には反射ミラー15のミラー取付け
部50が一体形成されている。
FIG. 8A is a plan view of the package cover plate 22, and FIGS. 8B and 8C are a left side view and a front view, respectively. FIG. 8D is a cross-sectional view taken along line FF ′ of FIG. 8A. Package lid plate 22
An upper wall portion 221 which closes an upper opening of the package body 21 and defines an upper wall of the package 20;
The upper wall portion 221 is basically composed of an extended portion 222 extending forward from the front end side. Upper wall part 221
A mirror mounting portion 50 of the reflection mirror 15 is integrally formed on the inner surface of the package.

【0042】このミラー取付け部50は、信号再生用受
光素子3のほぼ真上から後方に向けて形成された台形状
断面の突起である。この台形状のミラー取り付け部50
の前面は前方に向けて45度傾斜したミラー取付面51
であり、ここに反射ミラー15が接着剤などによって固
定されている。
The mirror mounting section 50 is a projection having a trapezoidal cross section formed from almost directly above the light receiving element 3 for signal reproduction toward the rear. This trapezoidal mirror mounting part 50
Front surface is a mirror mounting surface 51 inclined 45 degrees toward the front.
Here, the reflection mirror 15 is fixed with an adhesive or the like.

【0043】第1および第2の回折素子13、14を介
してパッケージ内に入射する光ディスク4からの戻り光
Lrは反射ミラー15に当たり、このミラー15によっ
て直角に立ち下げられて信号再生用受光素子3を照射す
る。
The return light Lr from the optical disk 4 which enters the package via the first and second diffraction elements 13 and 14 strikes the reflection mirror 15 and falls down at a right angle by this mirror 15 to receive the signal for reproducing light. Irradiate 3.

【0044】ミラー取付け部50の後面52は垂直な面
であり、サブマウント24に載置された半導体レーザ2
の後方出射端面2bよりも後方に位置している。
The rear surface 52 of the mirror mounting portion 50 is a vertical surface, and the semiconductor laser 2 mounted on the submount 24 is
Are located behind the rear emission end face 2b.

【0045】パッケージ蓋板22の上壁部分221にお
いて、ミラー取付け部50の側方には、半導体レーザ2
から信号再生用受光素子3に向かう光成分(半導体レー
ザ2の前方出射端面2fから出射された前方レーザ光L
fの一部など)を遮る遮光用突起(遮光壁)60が形成
されている。この遮光用突起60は、ミラー取付け部5
0と一体成形されており、上壁部分221から先窄まり
の状態で下方に延びる角錐台部分61と、この下面から
更に下方に向かって垂直に延びる角柱部分62を備えて
いる。遮光用突起60の下端面63はミラー取付け部5
0の下端面53とほぼ同じ高さにあり、半導体レーザ2
の前方出射端面2fと信号再生用受光素子3とを結ぶ線
上に位置している。
In the upper wall portion 221 of the package cover plate 22, the semiconductor laser 2
(A front laser beam L emitted from the front emission end face 2f of the semiconductor laser 2)
A light-blocking projection (light-blocking wall) 60 that blocks a part of f, etc.) is formed. The light-shielding projection 60 is provided on the mirror mounting portion 5.
0, and has a truncated pyramid portion 61 extending downward from the upper wall portion 221 in a tapered state, and a prism portion 62 extending vertically downward from the lower surface. The lower end surface 63 of the light-shielding projection 60 is the mirror mounting portion 5.
0 is substantially at the same height as the lower end face 53 of the semiconductor laser 2.
Is located on a line connecting the front emission end face 2f of the light-receiving element 3 and the light-receiving element 3 for signal reproduction.

【0046】図9には半導体レーザ2から出射された前
方および後方レーザ光Lf、Lbの出射状態を模式的に
示してある。半導体レーザ2の各出射端面2f、2bか
ら出射された前方および後方レーザ光Lf、Lbはその
有効広がり角の外側にも広がりを持っている。このた
め、半導体レーザ2の前方出射端面2fから出射された
前方レーザ光Lfの一部の光成分(迷光)Lf1が、そ
の前方出射端面2fより前方に位置する信号再生用受光
素子3に直接に入射する恐れがある。
FIG. 9 schematically shows the emission state of the front and rear laser beams Lf and Lb emitted from the semiconductor laser 2. The front and rear laser beams Lf, Lb emitted from the respective emission end faces 2f, 2b of the semiconductor laser 2 also spread outside the effective spread angle. For this reason, a part of the light component (stray light) Lf1 of the front laser light Lf emitted from the front emission end face 2f of the semiconductor laser 2 is directly transmitted to the signal reproducing light receiving element 3 located forward of the front emission end face 2f. There is a risk of incidence.

【0047】本例の光源ユニット10では、前方出射端
面2fと信号再生用受光素子3との間には遮光用突起6
0が配置されており、この遮光用突起60によって前方
出射端面2fと信号再生用受光素子3とが実質的に仕切
られた状態にある。従って、上記の光成分Lf1は遮光
用突起60によって遮られるので、当該光成分Lf1が
信号再生用受光素子3に到達してしまうことを防止でき
る。
In the light source unit 10 of this embodiment, the light-shielding projections 6 are provided between the front emission end face 2f and the signal reproducing light-receiving element 3.
0, and the light-shielding projection 60 substantially separates the front emission end face 2f from the light-receiving element 3 for signal reproduction. Accordingly, since the light component Lf1 is blocked by the light-blocking projection 60, the light component Lf1 can be prevented from reaching the signal reproducing light-receiving element 3.

【0048】なお、本例では、遮光用突起60は、半導
体レーザ2の前方出射端面2fから出射された前方レー
ザ光Lfが信号再生用受光素子3に到達することを確実
に防止できる機能を有するものであり、その突出量や形
状はその機能を充分に発揮できるように決定されるべき
ものである。
In this embodiment, the light-shielding projections 60 have a function of reliably preventing the forward laser light Lf emitted from the front emission end face 2f of the semiconductor laser 2 from reaching the signal reproducing light-receiving element 3. The amount and shape of the protrusion should be determined so that the function can be sufficiently exhibited.

【0049】一方、半導体レーザ2の後方出射端面2b
から出射された後方レーザ光Lbの一部(有効光束)は
モニター用受光素子25に直接に入射し、半導体レーザ
2のレーザ光出力をフィードバック制御するためのモニ
ター光として用いられる。後方レーザ光Lbのうち、モ
ニター用受光素子25に結合しない光成分(迷光)Lb
1はパッケージ20の内壁などで多重反射して信号再生
用受光素子3に向かう恐れがある。
On the other hand, the rear emission end face 2b of the semiconductor laser 2
Of the rear laser light Lb (effective light flux) emitted from the semiconductor laser 2 directly enters the monitoring light receiving element 25 and is used as monitor light for feedback-controlling the laser light output of the semiconductor laser 2. Light component (stray light) Lb of the rear laser light Lb that is not coupled to the monitoring light receiving element 25
1 may be reflected multiple times on the inner wall of the package 20 or the like and travel toward the signal reproducing light receiving element 3.

【0050】本例の光源ユニット10のミラー取付け部
50は、パッケージ蓋板22の側から半導体基板11の
基板面111に向けて突出していると共に、後方に向け
て延びている。このため、半導体レーザ2と信号再生用
受光素子3との間はミラー取付け部50によって実質的
に仕切られている。よって、上記の光成分Lb1はミラ
ー取付け部50によって遮られるので、後方レーザ光L
bの一部Lb1が信号再生用受光素子3に入射すること
を防止できる。
The mirror mounting portion 50 of the light source unit 10 of this embodiment protrudes from the package lid plate 22 toward the substrate surface 111 of the semiconductor substrate 11 and extends rearward. For this reason, the semiconductor laser 2 and the signal reproducing light-receiving element 3 are substantially partitioned by the mirror mounting portion 50. Therefore, the above-mentioned light component Lb1 is blocked by the mirror mounting part 50, so that the rear laser light Lb
Part Lb1 of b can be prevented from being incident on the signal reproducing light-receiving element 3.

【0051】また、ミラー取付け部50の後端面52は
半導体レーザ2の後方出射端面2bよりも後方に位置し
ている。このようにすると、この後端面52が当該後方
出射端面2bよりも前方に位置している場合に比して、
パッケージ内の迷光が信号再生用受光素子3に入射して
しまうことをより確実に防止できる。なお、ミラー取付
け部50の突出量は、上記の光成分Lb1を確実に遮光
できるように決定されるべき性質のものである。
The rear end face 52 of the mirror mounting portion 50 is located behind the rear emission end face 2b of the semiconductor laser 2. In this case, compared to the case where the rear end face 52 is located forward of the rear emission end face 2b,
The stray light in the package can be more reliably prevented from being incident on the light-receiving element 3 for signal reproduction. The amount of protrusion of the mirror mounting portion 50 has a property to be determined so that the light component Lb1 can be reliably shielded.

【0052】このように、本例の光源ユニット10で
は、光ディスク4からの戻り光Lr以外の光(迷光)が
信号再生用受光素子3に入射してしまうことを防止でき
る。従って、信号再生用受光素子3の出力信号から迷光
に起因したノイズ成分を除去できるので、S/N比を高
めることができ、また、対物レンズ12のトラッキング
およびフォーカス制御動作の安定化を図ることができ
る。
As described above, in the light source unit 10 of this embodiment, it is possible to prevent light (stray light) other than the return light Lr from the optical disk 4 from being incident on the signal reproducing light receiving element 3. Therefore, since the noise component caused by the stray light can be removed from the output signal of the signal reproducing light receiving element 3, the S / N ratio can be increased, and the tracking and focus control operation of the objective lens 12 can be stabilized. Can be.

【0053】ここで、図2および図3に示すように、半
導体レーザ2の後方出射端面2bと対向するパッケージ
20の内壁、すなわち、パッケージ本体21の後壁21
3の内側面65は、下方に向かうにつれてせり出す傾斜
面とされている。このように後壁213の内側面65を
傾斜面とすると、換言すると、内側面65を後方レーザ
光Lbの光軸に対して直角ではない角度となるように傾
斜させると、この内側面65で反射した後に信号再生用
受光素子3に向かう後方レーザ光Lbの光量を低下させ
ることができる。なお、この内側面65を、下方に向か
うにつれで後退する方向に傾斜させても良い。また、こ
の内側面65をパッケージ20の幅方向に傾斜した傾斜
面としても良い。
Here, as shown in FIGS. 2 and 3, the inner wall of the package 20 facing the rear emission end face 2b of the semiconductor laser 2, that is, the rear wall 21 of the package body 21
The inner surface 65 of 3 is an inclined surface that protrudes downward. When the inner side surface 65 of the rear wall 213 is inclined as described above, in other words, when the inner side surface 65 is inclined so as to have an angle other than a right angle with respect to the optical axis of the rear laser beam Lb, the inner side surface 65 has It is possible to reduce the light amount of the backward laser light Lb that travels toward the signal reproducing light receiving element 3 after being reflected. Note that the inner side surface 65 may be inclined in a direction of retreating downward. Further, the inner side surface 65 may be an inclined surface inclined in the width direction of the package 20.

【0054】(第1および第2の回折素子の取付け構
造)第1の回折素子13および第2の回折素子14は共
に矩形形状をしており、パッケージ本体21に取り付け
られている。
(Attaching Structure of First and Second Diffractive Elements) Both the first and second diffractive elements 13 and 14 have a rectangular shape, and are attached to the package body 21.

【0055】図10には第1の回折素子13の取付け構
造を模式的に示してあり、図11には第2の回折素子1
4の取付け構造を模式的に示してある。図4および図1
0に示すように、パッケージ本体21の基準面30にお
いて、延設部219との境界には、基準面30より一段
低くなった水平な段面31が形成されている。この段面
31はパッケージ20の幅方向に沿って形成されてお
り、その前後方向の長さ寸法は一定である。この段面3
1と基準面30との境界には段面31に直交する段差面
32が形成され、段面31と延設部219との境界には
段面31に直交する段差面(取付面)33が形成されて
いる。
FIG. 10 schematically shows the mounting structure of the first diffraction element 13, and FIG.
4 is schematically shown. 4 and 1
As shown in FIG. 0, on the reference surface 30 of the package main body 21, a horizontal step surface 31 which is one step lower than the reference surface 30 is formed at the boundary with the extension 219. The step surface 31 is formed along the width direction of the package 20 and has a constant length in the front-rear direction. This step surface 3
A step surface 32 orthogonal to the step surface 31 is formed at the boundary between the reference surface 1 and the reference surface 30, and a step surface (mounting surface) 33 orthogonal to the step surface 31 is formed at the boundary between the step surface 31 and the extending portion 219. Is formed.

【0056】従って、第1の回折素子13を段差面33
に接するように配置すると、その前後方向の配置位置が
自動的に規定される。また、第1の回折素子13の光軸
が光通過孔203から出射される半導体レーザ2からの
前方レーザ光Lfの光軸Luとほぼ平行となるように、
当該第1の回折素子13の姿勢が自動的に規定される。
なお、第1の回折素子13は、この状態でパッケージ2
0の幅方向における配置位置が微調整された後、接着剤
などによって固定される。
Therefore, the first diffraction element 13 is connected to the step surface 33.
When it is arranged so as to be in contact with, the arrangement position in the front-back direction is automatically defined. Further, the optical axis of the first diffraction element 13 is substantially parallel to the optical axis Lu of the forward laser light Lf from the semiconductor laser 2 emitted from the light passage hole 203.
The attitude of the first diffraction element 13 is automatically defined.
In this state, the first diffraction element 13 holds the package 2 in this state.
After the arrangement position in the width direction of 0 is finely adjusted, it is fixed with an adhesive or the like.

【0057】図3、図4および図11に示すように、延
設部219の前面35は垂直面である。また、第2の回
折素子14は光通過孔203の開口より若干大きな寸法
となっている。従って、第2の回折素子14を、この前
面35におけるパッケージ20の光通過孔203の開口
の一部を規定している縁部分(取付面)36に接するよ
うに配置すると、その前後方向の配置位置が自動的に規
定される。また、第2の回折素子14の光軸が光通過孔
203から出射される半導体レーザ2からの前方レーザ
光Lfの光軸Luとほぼ平行となるように、当該第2の
回折素子14の姿勢が自動的に規定される。なお、第2
の回折素子14は、この状態でパッケージ20の幅方向
における配置位置が微調整された後、接着剤などによっ
て固定される。
As shown in FIGS. 3, 4 and 11, the front surface 35 of the extension 219 is a vertical surface. The size of the second diffraction element 14 is slightly larger than the opening of the light passage hole 203. Therefore, when the second diffraction element 14 is disposed so as to be in contact with an edge portion (mounting surface) 36 which defines a part of the opening of the light passage hole 203 of the package 20 on the front surface 35, the arrangement in the front-rear direction is provided. The position is defined automatically. Further, the posture of the second diffraction element 14 is set such that the optical axis of the second diffraction element 14 is substantially parallel to the optical axis Lu of the forward laser light Lf from the semiconductor laser 2 emitted from the light passage hole 203. Is automatically defined. The second
In this state, the arrangement position of the package 20 in the width direction is finely adjusted in this state, and then fixed by an adhesive or the like.

【0058】(パッケージの外形形状)図3に示すよう
に、パッケージ本体21において、延設部219の突出
側壁216、217の外側面には、光通過孔203から
出射される前方レーザ光Lfの光軸Luを中心とする4
つの円弧面40a、40b、40c、40dが形成され
ている。これらの円弧面40a〜40dは、それぞれ突
出側壁216、217の角部分に形成され、同一の中心
角を持っている。また、これらの円弧面40a〜40d
のうち、2つの円弧面40a、40cは光軸Luに線対
称であり、残りの2つの円弧面40b、40dも光軸L
uに線対称である。パッケージ本体21の前壁212の
前面41a、41bは、光軸Luに直交する平坦な基準
面である。
(Outer Shape of Package) As shown in FIG. 3, on the outer surface of the projecting side walls 216 and 217 of the extension portion 219 in the package body 21, the forward laser light Lf emitted from the light passage hole 203 is provided. 4 centered on the optical axis Lu
Arc surfaces 40a, 40b, 40c, and 40d are formed. These arc surfaces 40a to 40d are formed at the corners of the protruding side walls 216 and 217, respectively, and have the same central angle. In addition, these arc surfaces 40a to 40d
Of these, the two arc surfaces 40a and 40c are line-symmetric with respect to the optical axis Lu, and the remaining two arc surfaces 40b and 40d also have the optical axis L
u is line symmetric. The front surfaces 41a and 41b of the front wall 212 of the package body 21 are flat reference surfaces orthogonal to the optical axis Lu.

【0059】従って、光源ユニット10を光ピックアッ
プ装置1に搭載するときに、基準面41a、41bを利
用すれば、対物レンズ12などの光軸と前方レーザ光L
fの光軸Luとが一致するように光源ユニット10の姿
勢を設定できる。また、基準面41a、41bを利用す
れば、光源ユニット10の光ピックアップ装置1への取
付けが容易となる。一方、円弧面40a〜40dを利用
して、光源ユニット10の回転角度調整を行うことによ
り、3ビーム方式によるトラッキングを行うためのサブ
ビーム(トラッキング誤差検出用レーザ光)と光ディス
ク4のトラックとの回転角度調整を容易に行うことがで
きる。すなわち、第1の回折素子13における回折方向
を適切に設定できる。このように、光源ユニット10の
光通過孔203から出射される前方レーザ光Lfの光軸
Luと第1および第2の回折素子13、14の光軸との
相互関係、および第1の回折素子13の回折特性(回折
方向)を適切に設定できるので、光学的特性に優れた光
ピックアップ装置を実現できる。また、当該光軸Luを
中心とする円弧面40a〜40dを作製すれば良いの
で、その光軸Luに対称な円弧面を作製し易く、その円
弧面の面精度を高め易いという効果も奏する。さらに、
光軸Luを中心とした円弧面40a〜40dであるの
で、回転角度調整時は光源ユニットが光軸Luを中心に
回転する。このため、回転角度調整に伴って、当該光軸
Luの位置が変化しない。
Therefore, when the light source unit 10 is mounted on the optical pickup device 1, if the reference surfaces 41a and 41b are used, the optical axis of the objective lens 12 and the like and the forward laser beam L
The orientation of the light source unit 10 can be set so that the optical axis Lu of f coincides with the optical axis Lu. Further, if the reference surfaces 41a and 41b are used, the light source unit 10 can be easily attached to the optical pickup device 1. On the other hand, by adjusting the rotation angle of the light source unit 10 using the arc surfaces 40a to 40d, the rotation of the sub-beam (tracking error detection laser beam) for performing tracking by the three-beam method and the track of the optical disk 4 is performed. Angle adjustment can be easily performed. That is, the diffraction direction in the first diffraction element 13 can be set appropriately. Thus, the correlation between the optical axis Lu of the forward laser beam Lf emitted from the light passage hole 203 of the light source unit 10 and the optical axes of the first and second diffraction elements 13 and 14, and the first diffraction element Since the diffraction characteristics (diffraction direction) of No. 13 can be appropriately set, an optical pickup device having excellent optical characteristics can be realized. In addition, since the arc surfaces 40a to 40d centering on the optical axis Lu need only be produced, it is easy to produce an arc surface symmetrical to the optical axis Lu, and it is also possible to improve the surface accuracy of the arc surface. further,
The light source unit rotates around the optical axis Lu when the rotation angle is adjusted because the arc surfaces 40a to 40d center on the optical axis Lu. Therefore, the position of the optical axis Lu does not change with the rotation angle adjustment.

【0060】(光ピックアップ装置の基本動作)次に、
図1を参照して、光ピックアップ装置の基本動作を説明
する。光源ユニット10において、半導体レーザ2から
出射された前方レーザ光Lfは、第1の回折素子13に
対してほぼ垂直に入射する。第1の回折素子13には回
折格子面(図示せず)が形成されている。この回折格子
面は、ほぼ垂直に入射した前方レーザ光Lfをメインビ
ームと2つのサブビームに分割する機能を有している。
また、2つのサブビームが光ディスク4において光軸方
向の前後に焦点を結ぶように、当該2つのサブビームの
波面を変換する機能を有している。この回折格子面は、
光ディスク4からの戻り光が再び第1の回折素子13に
入射した時に再び回折格子面を通過しない位置に形成さ
れている。
(Basic operation of optical pickup device)
The basic operation of the optical pickup device will be described with reference to FIG. In the light source unit 10, the forward laser light Lf emitted from the semiconductor laser 2 enters the first diffraction element 13 almost perpendicularly. The first diffraction element 13 has a diffraction grating surface (not shown). This diffraction grating surface has a function of dividing the forward laser light Lf that has entered substantially perpendicularly into a main beam and two sub beams.
In addition, the optical disc 4 has a function of converting the wavefronts of the two sub beams so that the two sub beams focus on the optical disc 4 before and after the optical axis. This diffraction grating surface
When the return light from the optical disk 4 is incident on the first diffraction element 13 again, it is formed at a position where it does not pass through the diffraction grating surface again.

【0061】このため、前方レーザ光Lfは、この回折
素子13でメインビームおよび2つのサブビームに分離
される。これらのビームのうち、メインビームは信号再
生用のレーザ光(信号再生用レーザ光)として使用さ
れ、2つのサブビームはトラッキング誤差検出用のレー
ザ光(トラッキング誤差検出用レーザ光)として使用さ
れる。
For this reason, the forward laser beam Lf is split by the diffraction element 13 into a main beam and two sub beams. Of these beams, the main beam is used as laser light for signal reproduction (laser light for signal reproduction), and the two sub-beams are used as laser light for tracking error detection (laser light for tracking error detection).

【0062】信号再生用レーザ光および2つのトラッキ
ング誤差検出用レーザ光は、第2の回折素子14に到
る。第2の回折素子14は、この3つのレーザ光が光デ
ィスク4に到る光路での0次回折効率と、光ディスク4
から信号再生用受光素子3に到る光路での1次回折効率
との積が最大となるように設定されている。この第2の
回折素子14に形成されている回折格子面は第1の回折
素子13の回折格子面とほぼ平行である。
The laser beam for signal reproduction and the two laser beams for tracking error detection reach the second diffraction element 14. The second diffraction element 14 determines the zero-order diffraction efficiency in the optical path where the three laser beams reach the optical disc 4,
Is set so that the product of the first order diffraction efficiency and the first-order diffraction efficiency in the optical path from the light-receiving element 3 to the signal reproducing light-receiving element 3 is maximized. The diffraction grating surface formed on the second diffraction element 14 is substantially parallel to the diffraction grating surface of the first diffraction element 13.

【0063】3つのレーザ光のうち、第2の回折素子1
4を透過した光成分(0次回折光)は光源ユニット10
から出射されて、立ち上げミラー11で直角に折り曲げ
られた後、対物レンズ12を介して光ディスク4の記録
面に集光する。このとき、信号再生用レーザ光がその記
録面に焦点を結び、2つのトラッキング誤差検出用レー
ザ光は前焦点状態および後焦点状態になる。
Of the three laser beams, the second diffraction element 1
The light component (0th-order diffracted light) transmitted through the light source unit 10
After being emitted from the optical disk and bent at a right angle by the rising mirror 11, the light is focused on the recording surface of the optical disk 4 via the objective lens 12. At this time, the laser beam for signal reproduction focuses on the recording surface, and the two laser beams for tracking error detection enter a front focus state and a rear focus state.

【0064】光ディスク4の記録面に集光した3つのレ
ーザ光は、そこで反射されて光ディスク4から信号再生
用受光素子3に向かう戻り光Lrとなる。これらの戻り
光Lrは、再び対物レンズ12および立ち上げミラー1
1を介して光源ユニット10の第2の回折素子14に入
射する。
The three laser beams condensed on the recording surface of the optical disk 4 are reflected there and become return light Lr traveling from the optical disk 4 to the light-receiving element 3 for signal reproduction. These return lights Lr are again transmitted to the objective lens 12 and the rising mirror 1.
The light is incident on the second diffraction element 14 of the light source unit 10 through the light source 1.

【0065】ここで、第2の回折素子14は、各戻り光
を半導体基板11の基板面111に平行な方向、本例で
は、パッケージ20の幅方向に回折する機能のみを有し
ており、各戻り光Lrに対して集束発散などの波面変換
を行う機能はない。このため、第2の回折素子14に入
射した3つの戻り光Lrは、その回折素子14の回折作
用によって回折されて進行方向を変える。
Here, the second diffraction element 14 has only a function of diffracting each return light in a direction parallel to the substrate surface 111 of the semiconductor substrate 11, in this example, in the width direction of the package 20. There is no function of performing wavefront conversion such as focusing and diverging on each return light Lr. For this reason, the three return lights Lr incident on the second diffraction element 14 are diffracted by the diffraction action of the diffraction element 14 to change the traveling direction.

【0066】第2の回折素子14で回折された光は第1
の回折格子13に入射する。前述したように、第1の回
折格子13の回折格子面はこれらの回折光が入射する範
囲には形成されていない。このため、回折格子13に入
射したそれぞれの回折光は、第1の回折格子13を通過
して反射ミラー15に到る。これらの回折光は反射ミラ
ー15によって垂直に立ち下げられて信号再生用受光素
子3の各受光面を照射する。
The light diffracted by the second diffraction element 14 is the first
Incident on the diffraction grating 13. As described above, the diffraction grating surface of the first diffraction grating 13 is not formed in a range where these diffracted lights enter. For this reason, each diffracted light incident on the diffraction grating 13 passes through the first diffraction grating 13 and reaches the reflection mirror 15. These diffracted lights fall vertically by the reflecting mirror 15 and irradiate the respective light receiving surfaces of the signal reproducing light receiving element 3.

【0067】図7に示すように、信号再生用レーザ光の
戻り光の回折光は受光面Aに光スポットをs1、s2を
形成する。また、一方のトラッキング誤差検出用レーザ
光の戻り光の回折光は受光面B1、B2、Cに光スポッ
トs3、s4を形成する。他方のトラッキング誤差検出
用レーザ光の戻り光の回折光は受光面D1、D2、Eに
光スポットs5、s6を形成する。
As shown in FIG. 7, the diffraction light of the return light of the laser light for signal reproduction forms light spots s1 and s2 on the light receiving surface A. Further, the diffracted light of the return light of the laser light for tracking error detection forms light spots s3 and s4 on the light receiving surfaces B1, B2 and C. The diffracted light of the return light of the other laser light for tracking error detection forms light spots s5 and s6 on the light receiving surfaces D1, D2 and E.

【0068】本例では、信号再生用受光素子3の受光面
Aの受光量に基づいてRF信号が検出される。TE信号
は、受光面B1、B2、Cの受光量の総和S1と受光面
D1、D2、Eの受光量の総和S2との差を求めること
により検出される。FE信号は、受光面B1、B2、E
の受光量の総和S3と受光面D1、D2、Cの受光量の
総和S4との差を求めることにより検出される。なお、
これらの信号は光源ユニット10のリードフレーム23
のリード232と電気的に接続された制御装置(図示せ
ず)で生成される。
In this example, an RF signal is detected based on the amount of light received on the light receiving surface A of the light receiving element 3 for signal reproduction. The TE signal is detected by calculating the difference between the sum S1 of the light reception amounts of the light receiving surfaces B1, B2, and C and the sum S2 of the light reception amounts of the light receiving surfaces D1, D2, and E. The FE signals are received on the light receiving surfaces B1, B2, E
Is obtained by calculating the difference between the sum S3 of the received light amounts of the light receiving surfaces and the sum S4 of the received light amounts of the light receiving surfaces D1, D2, and C. In addition,
These signals are transmitted to the lead frame 23 of the light source unit 10.
Is generated by a control device (not shown) electrically connected to the lead 232.

【0069】半導体レーザ2の後方出射端面2bから出
射された後方レーザ光Lbは、その一部がサブマウント
24の上面に形成されたモニター用受光素子25に直接
に入射する。このモニター用受光素子25の出力信号に
基づき半導体レーザ2のレーザ光出力のフィードバック
制御が行なわれる。なお、このフォードバック制御も上
記の制御装置で行なわれる。
A part of the rear laser light Lb emitted from the rear emission end face 2 b of the semiconductor laser 2 directly enters the monitoring light receiving element 25 formed on the upper surface of the submount 24. Feedback control of the laser light output of the semiconductor laser 2 is performed based on the output signal of the monitoring light receiving element 25. The feedback control is also performed by the above-described control device.

【0070】このように本例の光ピックアップ装置1で
は、第2の回折素子14の回折方向がパッケージ20の
幅方向に設定されている。このため、第2の回折素子1
4で回折された光が半導体基板11の電極111bとリ
ードフレーム23のリード232のパッド部分との間を
配線接続しているワイヤーに干渉してしまうことを防止
できる。従って、光ディスク4の再生やトラッキングお
よびフォーカシング制御を精度良く行なうことができ
る。また、第2の回折素子14の回折方向がパッケージ
20の上下方向に設定されている場合に比べて、光源ユ
ニット10における厚さ寸法を小さくできる。
As described above, in the optical pickup device 1 of the present embodiment, the diffraction direction of the second diffraction element 14 is set to the width direction of the package 20. For this reason, the second diffraction element 1
The light diffracted by 4 can be prevented from interfering with the wires connecting the electrodes 111b of the semiconductor substrate 11 and the pad portions of the leads 232 of the lead frame 23. Therefore, reproduction, tracking and focusing control of the optical disk 4 can be performed with high accuracy. Further, the thickness dimension of the light source unit 10 can be made smaller than when the diffraction direction of the second diffraction element 14 is set in the vertical direction of the package 20.

【0071】ここで、本例の光ピックアップ装置1で
は、第2の回折素子14は光ディスク4からの戻り光を
回折する機能を有し、波面変換する機能は有していな
い。このため、半導体レーザ2から第2の回折素子14
までの光路長と、第2の回折素子14から信号再生用受
光素子3までの光路長とが等しくなっている。これによ
り、戻り光の光路長を従来に比べて短くでき、光ピック
アップ装置の光学系をコンパクトにできる。この結果、
装置の小型化を図ることができる。
Here, in the optical pickup device 1 of the present embodiment, the second diffraction element 14 has a function of diffracting the return light from the optical disk 4, but does not have a function of wavefront conversion. For this reason, the second diffraction element 14
And the optical path length from the second diffraction element 14 to the light receiving element 3 for signal reproduction is equal. As a result, the optical path length of the return light can be made shorter than before, and the optical system of the optical pickup device can be made compact. As a result,
The size of the device can be reduced.

【0072】具体的には、第2の回折素子14が戻り光
を回折する機能を有し、波面変換する機能は有していな
いので、この回折素子14で回折された光の収束点は、
半導体レーザ2と、第1の回折素子13で分割生成され
た2つのトラッキング誤差検出用レーザ光の仮想的な発
光点と光学的に共役となる。従って、半導体レーザ2の
前方レーザ光Lfの発光点と信号再生用受光素子3の中
心とは次の関係が成り立つ。
More specifically, since the second diffractive element 14 has a function of diffracting the return light and does not have a function of transforming the wavefront, the convergence point of the light diffracted by the diffractive element 14 is
It is optically conjugate with the virtual light emitting point of the semiconductor laser 2 and the two tracking error detection laser beams divided and generated by the first diffraction element 13. Therefore, the following relationship is established between the emission point of the forward laser light Lf of the semiconductor laser 2 and the center of the signal reproducing light receiving element 3.

【0073】図12および図13に示すように、サブマ
ウント24の厚さ、サブマウント24と半導体レーザ2
が接した面から発光点Oまでの高さ、半導体レーザ2の
波長における第2の回折素子14での光路分離角度、お
よび半導体レーザ2と第2の回折素子14の回折格子面
までのレーザ光Lfの光軸Luに沿った光学的な距離
を、それぞれ、ts、hLD、θbs、およびdbsと
する。このように定めると、信号再生用受光素子3が形
成される(X、Z)面内の発光点Oを原点としたときの
当該信号再生用受光素子3の中心のXZ座標は式(1)
および(2)の通りである。
As shown in FIGS. 12 and 13, the thickness of the submount 24, the submount 24 and the semiconductor laser 2
From the surface in contact with to the light emitting point O, the optical path separation angle at the second diffraction element 14 at the wavelength of the semiconductor laser 2, and the laser light from the semiconductor laser 2 to the diffraction grating surface of the second diffraction element 14. The optical distances of Lf along the optical axis Lu are ts, hLD, θbs, and dbs, respectively. With this definition, the XZ coordinate of the center of the signal reproducing light-receiving element 3 when the light-emitting point O in the (X, Z) plane where the signal reproducing light-receiving element 3 is formed is defined as Equation (1).
And (2).

【0074】 X=dbs×sin(θbs) ・・・(1) Z=dbs×{1ーcos(θbs)}+ts+hLD ・・・(2) なお、半導体レーザ2と第2の回折素子14の回折格子
面までの前方レーザ光Lfの光軸Luに沿った光学的な
距離は、図12から分かるように、第2の回折素子14
の光入射面から半導体レーザ2の側に若干シフトした位
置と半導体レーザ2との間の距離に相当する。また、図
12および図13においては、反射ミラー15の反射角
が45度に設定された場合を示してあり、ミラー15の
反射角のずれや光軸回りの角度ずれは考慮していない。
X = dbs × sin (θbs) (1) Z = dbs × {1−cos (θbs)} + ts + hLD (2) The diffraction of the semiconductor laser 2 and the second diffraction element 14 As can be seen from FIG. 12, the optical distance of the forward laser beam Lf to the grating plane along the optical axis Lu is the second diffraction element 14.
Corresponds to the distance between the semiconductor laser 2 and a position slightly shifted from the light incident surface toward the semiconductor laser 2. FIGS. 12 and 13 show the case where the reflection angle of the reflection mirror 15 is set to 45 degrees, and the deviation of the reflection angle of the mirror 15 and the angle deviation around the optical axis are not considered.

【0075】本例の光ピックアップ装置1では、トラッ
キング誤差検出用レーザ光を用いて対物レンズ12の焦
点誤差信号を生成しており、光ディスク4からの戻り光
を回折分離する第2の回折素子14として、単純な光路
分離機能のみを備えたものを採用している。このため、
回折素子14の回折パターンを単純化できる。例えば、
直線状の回折パターンを採用できる。このような回折パ
ターンを備えた回折素子は波長変動、各光学素子の取付
け位置のずれなどの回折特性を劣化する要因に対して比
較的安定である。従って、目標とする光学的特性を安定
して得ることができる。また、単純化した回折パターン
を作製すれば良いので、回折パターンの作製誤差許容度
を大きくでき、回折素子の作製コストを低減できる。
In the optical pickup device 1 of this embodiment, the focus error signal of the objective lens 12 is generated by using the tracking error detecting laser light, and the second diffraction element 14 that diffracts and separates the return light from the optical disk 4. The one having only a simple optical path separation function is adopted. For this reason,
The diffraction pattern of the diffraction element 14 can be simplified. For example,
A linear diffraction pattern can be employed. A diffraction element having such a diffraction pattern is relatively stable against factors that degrade diffraction characteristics, such as wavelength fluctuation and displacement of the mounting position of each optical element. Therefore, the target optical characteristics can be stably obtained. In addition, since a simplified diffraction pattern may be produced, the tolerance for the production error of the diffraction pattern can be increased, and the production cost of the diffraction element can be reduced.

【0076】(その他の実施の形態)なお、光ピックア
ップ装置1では、パッケージ蓋板22に遮光用突起60
を一体に形成しているが、遮光部材をパッケージ蓋板2
2に別途取り付けることにより、遮光用突起60を形成
しても良い。また、半導体基板11の基板面111に遮
光部材を取付けた構成としても良い。
(Other Embodiments) In the optical pickup device 1, the light-shielding projections 60 are provided on the package cover plate 22.
Are formed integrally, but the light shielding member is
The light-shielding protrusions 60 may be formed by separately attaching the light-shielding protrusions 60 to the projections 2. Further, a configuration in which a light shielding member is attached to the substrate surface 111 of the semiconductor substrate 11 may be adopted.

【0077】また、光ピックアップ装置1では、個別独
立した第1および第2の回折素子13、14を使用して
いるが、一方の面に第1の回折素子13の光学特性を備
え、他方の面に第2の回折素子の光学特性を備えた単独
の光学素子を採用しても勿論良い。
The optical pickup device 1 uses the first and second diffractive elements 13 and 14 that are independent from each other. One of the surfaces has the optical characteristics of the first diffractive element 13 and the other has the optical characteristics. Of course, a single optical element having the optical characteristics of the second diffraction element on the surface may be employed.

【0078】さらに、サブマウント24を半導体基板1
1の基板面111に搭載した構成を採用しているが、サ
ブマウント24をリードフレーム23のステージ231
やリード232に搭載する構成としても良い。
Further, the submount 24 is mounted on the semiconductor substrate 1.
1 is mounted on the substrate surface 111, but the submount 24 is mounted on the stage 231 of the lead frame 23.
Alternatively, the configuration may be such that it is mounted on the lead 232.

【0079】さらにまた、光ピックアップ装置1の光学
系には、図1に示した光学素子だけでなく、レーザ光L
fを平行光束に変換するためのレンズ、レーザ光の直交
する2方向の光束径を揃えるためのビーム整形プリズ
ム、異なる仕様の光ディスクの情報を読み取るめの開口
制限手段や波長選択性光学素子などの光学素子が含まれ
る場合もある。
Further, the optical system of the optical pickup device 1 includes not only the optical element shown in FIG.
a lens for converting f into a parallel light beam, a beam shaping prism for adjusting the light beam diameter in two orthogonal directions of the laser beam, an aperture limiting means for reading information of an optical disk of different specifications, a wavelength-selective optical element, and the like. An optical element may be included.

【0080】[0080]

【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、光源ユニットのパッケージ内に、半導体レーザから
出射した光が信号再生用受光素子に入射するのを防止す
る遮光手段を形成するようにしている。このため、半導
体レーザの前方および後方レーザ光における有効光束以
外の光が信号再生用受光素子に向かったとしても、その
光を遮光手段によって遮ることができる。従って、迷光
が信号再生用受光素子に到達してしまうことを防止でき
るので、信号再生用受光素子の出力信号から迷光に起因
したノイズ成分を除去できる。この結果、S/N比を高
めることができ、また、集光手段のトラッキングおよび
フォーカス制御動作の安定化を図ることできる。
As described above, according to the present invention, in the package of the light source unit, the light shielding means for preventing the light emitted from the semiconductor laser from entering the light receiving element for signal reproduction is formed. I have. For this reason, even if light other than the effective light flux in the laser light in front and behind the semiconductor laser is directed to the light-receiving element for signal reproduction, the light can be blocked by the light shielding means. Therefore, it is possible to prevent the stray light from reaching the light receiving element for signal reproduction, so that a noise component caused by the stray light can be removed from the output signal of the light receiving element for signal reproduction. As a result, the S / N ratio can be increased, and the tracking and focus control operations of the light condensing means can be stabilized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明を適用した光ピックアップ装置の光学系
の概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an optical system of an optical pickup device to which the present invention has been applied.

【図2】(A)は光源ユニットの概略構成図、(B)は
(A)のA−A’線における断面図、(C)は(A)の
B−B’線における断面図である。
2A is a schematic configuration diagram of a light source unit, FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 2A, and FIG. 2C is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. .

【図3】図2に示す光源ユニットの正面図である。FIG. 3 is a front view of the light source unit shown in FIG.

【図4】(A)は光源ユニットのパッケージの構成要素
であるパッケージ本体の平面図、(B)は(A)のD−
D’線における断面図、(C)は(A)のE−E’線に
おける断面図である。
FIG. 4A is a plan view of a package body which is a component of the package of the light source unit, and FIG.
FIG. 4C is a cross-sectional view taken along line D ′, and FIG. 4C is a cross-sectional view taken along line EE ′ in FIG.

【図5】光ピックアップ装置の光源ユニットにおける半
導体基板およびその周辺部分を拡大して示す斜視図であ
る。
FIG. 5 is an enlarged perspective view showing a semiconductor substrate and its peripheral portion in a light source unit of the optical pickup device.

【図6】光ピックアップ装置の光源ユニットにおける半
導体基板の基板面を拡大して示す平面図である。
FIG. 6 is an enlarged plan view showing a substrate surface of a semiconductor substrate in the light source unit of the optical pickup device.

【図7】光ピックアップ装置の光源ユニットにおける信
号再生用受光素子を拡大して示す平面図である。
FIG. 7 is an enlarged plan view showing a light-receiving element for signal reproduction in a light source unit of the optical pickup device.

【図8】(A)は光源ユニットのパッケージの構成要素
であるパッケージ蓋板の平面図、(B)および(C)
は、それぞれ左右の側面図、(D)は(A)のF−F’
線における断面図である。
FIG. 8A is a plan view of a package cover plate which is a component of a package of the light source unit, and FIGS.
Are left and right side views, respectively, and (D) is FF ′ of (A).
It is sectional drawing in a line.

【図9】半導体レーザから出射された前方および後方レ
ーザ光の出射状態を模式的に示す図である。
FIG. 9 is a diagram schematically showing an emission state of front and rear laser beams emitted from a semiconductor laser.

【図10】光ピックアップ装置の光源ユニットにおける
第1の回折素子の取付け構造を説明するための図であ
る。
FIG. 10 is a diagram for explaining a mounting structure of a first diffraction element in a light source unit of the optical pickup device.

【図11】光ピックアップ装置の光源ユニットにおける
第2の回折素子の取付け構造を説明するための図であ
る。
FIG. 11 is a diagram for explaining a mounting structure of a second diffraction element in the light source unit of the optical pickup device.

【図12】光ピックアップ装置の光源ユニットにおける
信号再生用受光素子のパッケージの幅方向の形成位置を
説明するための図である。
FIG. 12 is a diagram for explaining a formation position of a light-receiving element for signal reproduction in a width direction of a package in a light source unit of the optical pickup device.

【図13】光ピックアップ装置の光源ユニットにおける
信号再生用受光素子のパッケージの前後方向の形成位置
を説明するための図である。
FIG. 13 is a view for explaining a formation position of a light-receiving element for signal reproduction in a front-rear direction of a package in a light source unit of the optical pickup device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 光ピックアップ装置 2 半導体レーザ 2f 前方出射端面 2b 後方出射端面 3 信号再生用受光素子 4 光ディスク 10 光源ユニット 12 対物レンズ 13 第1の回折素子 14 第2の回折素子 15 反射ミラー 20 パッケージ 21 パッケージ本体 22 パッケージ蓋板 24 サブマウント 25 モニター用受光素子 50 ミラー取付け部 60 遮光用突起 65 後壁の内側面 70 導光系 Lf 前方レーザ光 Lb 後方レーザ光 REFERENCE SIGNS LIST 1 optical pickup device 2 semiconductor laser 2 f front emission end surface 2 b rear emission end surface 3 light receiving element for signal reproduction 4 optical disk 10 light source unit 12 objective lens 13 first diffraction element 14 second diffraction element 15 reflection mirror 20 package 21 package body 22 Package lid plate 24 Submount 25 Monitor light receiving element 50 Mirror mounting part 60 Light shielding projection 65 Inner surface of rear wall 70 Light guide system Lf Forward laser beam Lb Rear laser beam

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 増沢 民範 長野県駒ヶ根市赤穂14−888番地 株式会 社三協精機製作所駒ヶ根工場内 (72)発明者 武居 勇一 長野県駒ヶ根市赤穂14−888番地 株式会 社三協精機製作所駒ヶ根工場内 (72)発明者 石原 久寛 長野県諏訪郡下諏訪町5329番地 株式会社 三協精機製作所下諏訪工場内 Fターム(参考) 5D119 AA20 AA40 CA10 FA05 JA05 JA10 JA22 KA35 LB03  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Tamminori Masawa 14-888 Ako, Komagane City, Nagano Prefecture Inside the Sankyo Seiki Seisakusho Komagane Plant (72) Inventor Yuichi Takei 14-888 Ako Komagane City, Nagano Prefecture Sankyo Seiki Seisakusho Komagane Plant (72) Inventor Hisahiro Ishihara 5329 Shimosuwa-cho, Suwa-gun, Nagano Pref.

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 前方および後方出射端面から前方および
後方レーザ光を出射する半導体レーザと、この半導体レ
ーザの前記前方出射端面から出射された前記前方レーザ
光を光記録媒体に集光させるための集光手段と、光記録
媒体からの戻り光を検出するための信号再生用受光素子
と、前記戻り光を前記信号再生用受光素子に導くための
導光系とを有し、前記半導体レーザおよび前記信号再生
用受光素子が共通のパッケージに内蔵された構成の光源
ユニットを備えた光ピックアップ装置において、 前記光源ユニットの前記パッケージの内部に、前記半導
体レーザから出射した光が前記信号再生用受光素子に入
射するのを防止する遮光手段を有していることを特徴と
する光ピックアップ装置。
1. A semiconductor laser for emitting front and rear laser beams from front and rear emission end faces, and a collector for condensing the front laser light emitted from the front emission end face of the semiconductor laser on an optical recording medium. Optical means, a signal reproducing light receiving element for detecting return light from the optical recording medium, and a light guide system for guiding the return light to the signal reproducing light receiving element, the semiconductor laser and the In an optical pickup device including a light source unit having a configuration in which a signal reproducing light receiving element is built in a common package, light emitted from the semiconductor laser is transmitted to the signal reproducing light receiving element inside the package of the light source unit. An optical pickup device comprising a light blocking means for preventing incidence.
【請求項2】 請求項1において、前記遮光手段は、前
記半導体レーザと前記信号再生用受光素子との間に配置
された遮光壁であることを特徴とする光ピックアップ装
置。
2. The optical pickup device according to claim 1, wherein said light shielding means is a light shielding wall disposed between said semiconductor laser and said signal reproducing light receiving element.
【請求項3】 請求項2において、前記導光系は、前記
戻り光を前記信号再生用受光素子に導くための反射ミラ
ーを備えており、 前記信号再生用受光素子は、前記半導体レーザの前記前
方出射端面に対して前記前方レーザ光の出射方向側にお
いて、前記前方レーザ光の光軸を避けた位置に配置され
ており、 前記信号再生用受光素子の受光面と対向する前記パッケ
ージの内面部分には、前記反射ミラーの取付け部が形成
され、この取付け部は前記受光面に向けて突出した状態
で、前記後方レーザ光の出射方向に沿って前記後方出射
端面を越える位置まで延びていることを特徴とする光ピ
ックアップ装置。
3. The light guide system according to claim 2, wherein the light guide system includes a reflection mirror for guiding the return light to the light receiving element for signal reproduction. An inner surface portion of the package, which is disposed on the emission direction side of the front laser light with respect to a front emission end surface and avoids an optical axis of the front laser light, and faces a light receiving surface of the signal reproducing light receiving element. A mounting portion of the reflection mirror is formed, and the mounting portion protrudes toward the light receiving surface and extends to a position beyond the rear emission end face along the emission direction of the rear laser light. An optical pickup device characterized by the above-mentioned.
【請求項4】 請求項3において、前記取付け部および
前記遮光壁は一体形成されていることを特徴とする光ピ
ックアップ装置。
4. The optical pickup device according to claim 3, wherein the mounting portion and the light shielding wall are formed integrally.
【請求項5】 請求項1ないし4のいずれかの項におい
て、前記半導体レーザの前記後方出射端面と対向する前
記パッケージの内面は前記後方レーザ光の光軸に直交す
る方向に対して傾斜していることを特徴とする光ピック
アップ装置。
5. The package according to claim 1, wherein an inner surface of the package facing the rear emission end face of the semiconductor laser is inclined with respect to a direction orthogonal to an optical axis of the rear laser light. An optical pickup device.
【請求項6】 請求項1ないし5のいずれかの項におい
て、前記光源ユニットは前記半導体レーザから出射され
た前記前方レーザ光を信号再生用レーザ光とトラッキン
グ誤差検出用レーザ光の分離する分離手段を備えてお
り、当該トラッキング誤差検出用レーザ光を用いて前記
集光手段の焦点誤差検出を行うことを特徴とする光ピッ
クアップ装置。
6. The separation unit according to claim 1, wherein the light source unit separates the forward laser beam emitted from the semiconductor laser into a laser beam for signal reproduction and a laser beam for tracking error detection. And an optical pickup device for detecting a focus error of the focusing means using the tracking error detection laser light.
【請求項7】 請求項1ないし6のいずれかの項に記載
の光源ユニット。
7. The light source unit according to claim 1, wherein:
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