JP2000020011A - Picture display device - Google Patents

Picture display device

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JP2000020011A
JP2000020011A JP10184444A JP18444498A JP2000020011A JP 2000020011 A JP2000020011 A JP 2000020011A JP 10184444 A JP10184444 A JP 10184444A JP 18444498 A JP18444498 A JP 18444498A JP 2000020011 A JP2000020011 A JP 2000020011A
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Japan
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display
optical signal
image
unit
display device
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Application number
JP10184444A
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Japanese (ja)
Inventor
Masakatsu Tsuchiaki
正勝 土明
Haruhiko Okumura
治彦 奥村
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2370/00Aspects of data communication
    • G09G2370/18Use of optical transmission of display information

Landscapes

  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device in which suppressing power consumption, making the device thin, making it high definition, and making it large screen can be easily performed and for which the installation place is not limited. SOLUTION: Picture information 11 is encoded (digitized) by a picture information coding section 12, and a digitized signal is outputted from an optical signal emitting sectional 12 as an optical pulse signal. In an optical signal receiving section in a display unit 15, a received optical signal is converted to an electric signal and outputted to a control sections 17. And in the control section 17, an inputted signal is decoded, and display is performed by controlling a display section 18 in accordance with the decoded signal. And plural display units 15 form a multiple display device in which matrix arrangement is performed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、大型化及び薄型化
が容易な画像表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image display device which can be easily made large and thin.

【0002】[0002]

【従来の技術】昨今の高度情報化社会の本格的な進展,
マルチメディア,高度電子化システムの急速な普及など
に伴い、人間と各種装置を結ぶ橋渡し的役割を担う電子
画像表示装置の重要性は増大し、そのニーズは、拡大の
一途をたどっている。
[Prior Art] In recent years, full-scale development of advanced information society,
2. Description of the Related Art With the rapid spread of multimedia and advanced electronic systems, the importance of electronic image display devices, which play a bridging role between humans and various devices, is increasing, and the needs thereof are steadily expanding.

【0003】特に、大画面,カラー,高精細の三拍子そ
ろった画像表示装置は、アイ・キャッチ効果に優れ、情
報量も膨大であり、マルチメディア端末としてのシステ
ム用途や、屋外看板用途、屋内展示用途を含め、今後そ
の需要は確実に増大している。
[0003] In particular, an image display device having a large screen, color, and high definition in three beats has an excellent eye-catching effect, a large amount of information, and is used for a system as a multimedia terminal, an outdoor signboard, an indoor signage. Its demand, including for display purposes, is steadily increasing in the future.

【0004】従来の大型表示装置及びその駆動方法は、
大きく分けて電子系と機械系とに分けられるが、高速に
しかも多量の情報を表示することができるのは当然前者
である。更に、電子系の画像表示装置は、直視型と投写
型とに大別することができる。
A conventional large-sized display device and its driving method are as follows.
It is roughly divided into an electronic system and a mechanical system. The former is naturally capable of displaying a large amount of information at high speed. Further, electronic image display devices can be broadly classified into a direct-view type and a projection type.

【0005】投射型画像表示装置は、簡便に大画面が得
られる利点をもつため、ビデオプロジェクターや電子O
HPとして一部利用されている。しかしながら、輝度を
とることが難しく、当然、屋内用途に限定される。さら
に、投射を行っているために、その投射空間内に遮光物
体の存在を許さず、投射空間を占有するという困難も持
っている。
[0005] The projection type image display device has an advantage that a large screen can be easily obtained.
Partly used as HP. However, it is difficult to obtain the brightness, and naturally it is limited to indoor use. Further, since the projection is performed, there is a difficulty that the light-shielding object is not allowed in the projection space and the projection space is occupied.

【0006】また、投射機に正対するスクリーンと投射
機との角度がずれると、画像そのものに歪みが生じるの
で、スクリーン法線と投射機との位置関係には厳しい制
約がかせられる。加えて、投射機とスクリーンとの距離
が短い場合、高い拡大率を有する光学系の製造が困難と
なる。さらに投射により画素そのものが拡大されている
ので、高精細の大画面表示が極めて難しい。
Further, if the angle between the screen and the projector facing the projector is shifted, the image itself is distorted, so that a strict restriction is imposed on the positional relationship between the screen normal and the projector. In addition, when the distance between the projector and the screen is short, it is difficult to manufacture an optical system having a high magnification. Further, since the pixels themselves are enlarged by projection, it is extremely difficult to display a high-definition large screen.

【0007】これらの困難を回避するためには、屋内外
を問わずしよう可能な直視式の画像表示装置を用いる必
要があった。これらの直視式画像表示装置には、大きく
分けて、発光型と受光型が存在する。
In order to avoid these difficulties, it is necessary to use a direct-view image display device that can be used indoors and outdoors. These direct-view image display devices are roughly classified into a light-emitting type and a light-receiving type.

【0008】発光型の画像表示装置としては、放電現象
を利用したプラズマディスプレイパネル(PDP)が知
られている。しかし、放電現象を利用しているために、
駆動電圧が100V前後と高く、消費電力が大きくな
る。よって、駆動用ICのLSI化に大きな障害を持
つ。特に、大画面、高精細、カラー画像表示を実現しよ
うとするときこの問題は顕著になる。
As a light emitting type image display device, a plasma display panel (PDP) utilizing a discharge phenomenon is known. However, because of the use of the discharge phenomenon,
The driving voltage is as high as about 100 V, and the power consumption increases. Therefore, there is a major obstacle to making the driving IC into an LSI. In particular, this problem becomes remarkable when realizing a large-screen, high-definition, color image display.

【0009】さらに、高精細画像を表示するためには、
大面積にわたって高密度の画素駆動用電気配線を形成し
なければならず、長距離に渡る配線を通じて各画素を駆
動するため、駆動回路には高い駆動力が要求される。
Further, in order to display a high definition image,
A high-density electric wiring for driving a pixel must be formed over a large area, and since each pixel is driven through a long-distance wiring, a high driving force is required for a driving circuit.

【0010】また、電子ビームの走査による蛍光体励起
発光を利用したブラウン管ディスプレイ(CRT)はよ
く知られたところである。しかしながらこの方式の画像
表示装置は、物理的に大きくて、コンパクトさにかけ
る。よって薄型の大画面表示が困難である。また、高い
駆動電圧を必要とすることは、PDPと同様である。
A cathode ray tube display (CRT) utilizing phosphor excitation light emission by electron beam scanning has been well known. However, this type of image display device is physically large and compact. Therefore, it is difficult to display a thin large screen. Further, the need for a high drive voltage is the same as that of the PDP.

【0011】これらとは別の発光型画像表示装置として
は、発光ダイオード(LED)を用いたものが知られて
いる。しかし、フルカラー表示を得るためには、赤、
青、緑色を発光するおのおの別のLEDを組み合わせ
て、各画素を構成しなければならないので、高精細化が
困難である。
As another light emitting type image display device, one using a light emitting diode (LED) is known. However, in order to get a full color display, red,
Since each pixel must be configured by combining different LEDs for emitting blue and green light, it is difficult to achieve high definition.

【0012】一方、受光型の画像表示装置としては、液
晶の光学的性質の変化を利用した、液晶ディスプレイ
(LCD)が知られている。画素にメモリー性を持たせ
ることも可能であり、反射型の液晶ディスプレイで有れ
ば表示の発光に要するエネルギーが不要であるので消費
電力は低減される。しかしながら、高精細の画像を表示
するためには、大面積にわたって、高密度の画素駆動用
配線を形成しなければならず、これを一括して製造する
ことは極めて困難である。さらに、長距離に渡る導電性
配線を不良なく得る必要性が生じ歩留まりが低下する。
また長距離に渡る細線を通じて各画素を駆動するため、
駆動回路には高い駆動力が要求される。
On the other hand, as a light receiving type image display device, a liquid crystal display (LCD) utilizing a change in optical properties of liquid crystal is known. It is also possible to provide the pixels with memory properties, and if a reflective liquid crystal display is used, the energy required for display light emission is unnecessary, so that power consumption is reduced. However, in order to display a high-definition image, it is necessary to form a high-density pixel drive wiring over a large area, and it is extremely difficult to manufacture these collectively. Further, there is a need to obtain a conductive wiring over a long distance without a defect, and the yield is reduced.
In addition, since each pixel is driven through a thin line over a long distance,
A high driving force is required for the driving circuit.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、投写
型の画像表示装置は、大画面化が容易であるが、投射空
間に障害物の存在を許さず、設置場所が限定されるとい
う問題があった。また、PDPは、放電現象を利用して
画像表示を行うため消費電力が高いという問題があっ
た。また、大画面のCRTを形成しようとすると、薄型
化が困難であるという問題があった。また、LCDは、
高密度の画素駆動用配線を大面積に渡って形成すること
が困難であるという問題があった。本発明の目的は、低
消費電力,薄型,高精細並びに大画面化が容易であり、
設置場所が限定されない画像表示装置を提供することに
ある。
As described above, the projection-type image display device can easily be enlarged in screen size, but does not allow any obstacles in the projection space and the installation place is limited. was there. Further, the PDP has a problem that power consumption is high because an image is displayed using a discharge phenomenon. In addition, there is a problem that it is difficult to reduce the thickness when forming a large-screen CRT. In addition, LCD
There is a problem that it is difficult to form a high-density pixel driving wiring over a large area. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to facilitate low power consumption, thin, high definition, and large screen,
An object of the present invention is to provide an image display device whose installation place is not limited.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】[構成]本発明は、上記
目的を達成するために以下のように構成されている。 (1) 本発明(請求項1)の画像表示装置は、画像情
報に応じた光信号を送出する光信号発光部と、前記光信
号を受光する光信号受光部と,受光した光信号から前記
画像情報を復調/復号する制御部と,前記画像情報に応
じて表示を行う表示部とを含む表示ユニットとを具備
し、前記表示ユニットは、複数個マトリクス配置されて
いることを特徴とする。
Means for Solving the Problems [Configuration] The present invention is configured as follows to achieve the above object. (1) An image display device according to the present invention (claim 1) includes an optical signal emitting unit that sends out an optical signal corresponding to image information, an optical signal receiving unit that receives the optical signal, and an optical signal receiving unit that receives the optical signal. A display unit including a control unit for demodulating / decoding image information and a display unit for displaying in accordance with the image information is provided, and a plurality of the display units are arranged in a matrix.

【0015】前記光信号は、前記画像情報がデジタル化
された信号を含む。各表示ユニットは、それぞれに固有
のアドレス情報が付与されている。前記光信号受光部が
前記光信号を受光する受光面は、前記表示部の画像を表
示する面と同一方向を向いている。
The optical signal includes a signal obtained by digitizing the image information. Each display unit is given unique address information. A light receiving surface on which the optical signal light receiving unit receives the optical signal faces in the same direction as a surface of the display unit on which an image is displayed.

【0016】前記光信号発光部は、前記表示ユニットに
付与された前記アドレス情報と、前記表示ユニットに対
応した画像情報とを少なくとを含む光信号を送出するこ
とを特徴とする。このようにすることで、任意の表示ユ
ニットの表示が可能となる。
[0016] The optical signal emitting section transmits an optical signal including at least the address information given to the display unit and image information corresponding to the display unit. In this way, an arbitrary display unit can be displayed.

【0017】本発明の好ましい実施態様を以下に示す。
表示制御部が、表示装置の下部に形成され、画像表示部
の周辺部に駆動用の電子回路を設置する。
Preferred embodiments of the present invention are shown below.
A display control unit is formed below the display device, and installs a driving electronic circuit around the image display unit.

【0018】画面全面に形成された透明電極、又は画面
裏面に形成された電極を電源電極として使用する。画面
全面に形成された透明電極及び画面裏面に形成された電
極以外に画面全体を横断する電気配線を必要としない。
A transparent electrode formed on the entire screen or an electrode formed on the back of the screen is used as a power supply electrode. There is no need for electrical wiring across the entire screen other than the transparent electrodes formed on the entire screen and the electrodes formed on the back of the screen.

【0019】画像表示部が、複数の画素で構成されてい
る。複数の表示ユニットが、単一の半導体基板上に形成
されている事を特徴とする。
The image display section is composed of a plurality of pixels. A plurality of display units are formed on a single semiconductor substrate.

【0020】画像表示装置が、可撓性を持つ基板上に複
数個配置されている。画像表示装置が、曲面上に複数個
配置形成されている。表示制御部が記憶している自己認
識のためのアドレス情報を、光信号により更新すること
が可能である。
A plurality of image display devices are arranged on a flexible substrate. A plurality of image display devices are arranged and formed on a curved surface. The address information for self-recognition stored in the display control unit can be updated by an optical signal.

【0021】表示ユニットの表示部は1画素で構成さ
れ、対応する一つの表示制御部により該表示部が制御さ
れる。表示ユニットの表示部は1画素で構成され、一つ
以上の表示制御部により制御される。
The display unit of the display unit is composed of one pixel, and the display unit is controlled by one corresponding display control unit. The display unit of the display unit includes one pixel, and is controlled by one or more display control units.

【0022】光信号受光部が、半導体基板上に形成され
たフォトダイオードである。表示部が、反射型液晶表示
ディスプレイで構成されている。光信号が、非可視光、
特に赤外光である。
The light signal receiving section is a photodiode formed on a semiconductor substrate. The display unit is constituted by a reflective liquid crystal display. The optical signal is invisible light,
In particular, infrared light.

【0023】光信号発光部の発光手段として半導体レー
ザ又は発光ダイオードを用いて、光信号受光部に対して
光信号を伝送する。光信号受光部の受光手段の表面に特
定の波長を透過するフィルタが設置されている。
An optical signal is transmitted to an optical signal receiving unit using a semiconductor laser or a light emitting diode as a light emitting means of the optical signal emitting unit. A filter that transmits a specific wavelength is provided on the surface of the light receiving unit of the optical signal receiving unit.

【0024】複数のフィルタが設置された複数の光信号
受光部を用いて、複数の波長の光信号により光信号を伝
送する。少なくとも一つの光信号が、視聴者の制御する
光信号で、これとは別に送られる映像情報に重畳させ
て、これらをリアルタイムで表示させる事を特徹とす
る。
An optical signal is transmitted by an optical signal having a plurality of wavelengths by using a plurality of optical signal receiving units provided with a plurality of filters. It is a special feature that at least one optical signal is an optical signal controlled by a viewer, and is superimposed on video information transmitted separately from the optical signal and displayed in real time.

【0025】光信号は、外界の輝度などを示す信号を含
み、この情報に基づき、これとは別に送られる映像情報
を調整して、これらをリアルタイムで表示させる。画像
表示面が矩形以外の形状をしている。
The optical signal includes a signal indicating the luminance of the outside world and the like, and based on this information, the video information sent separately is adjusted and displayed in real time. The image display surface has a shape other than a rectangle.

【0026】同一の画像表示装置を整列配置させて、大
画面のディスプレイを製造する。同一の画像表示装置を
整列配置させて、種々異なるサイズのディスプレイを同
一の製造設備から製造する。
A large-screen display is manufactured by arranging the same image display devices. By arranging the same image display device, displays of various different sizes are manufactured from the same manufacturing equipment.

【0027】同一の画像表示装置を脱着可能である様に
整列配置させて大画面のディスプレイを製造し、不具合
のある画像表示装置が任意に交換可能である。光信号の
伝達を、画像表示装置の一部分にのみ集光される光線を
画像表示装置上に走査させて行う。
A large-screen display is manufactured by arranging the same image display device so as to be detachable, and the defective image display device can be arbitrarily replaced. The transmission of the optical signal is performed by scanning the image display device with a light beam focused only on a part of the image display device.

【0028】光信号の伝達を、画像表示装置の一部分に
のみ集光される複数の光線を画像表示装置上に照射し、
一括して行う。表示内容の更新を、光信号による情報以
外に周囲の画素の表示内容光より類推決定する機能をそ
なえた表示制御部を有する。
The transmission of an optical signal is performed by irradiating a plurality of light beams focused only on a part of the image display device onto the image display device,
Perform all at once. The display control unit has a function of determining the update of the display content based on the display content light of the surrounding pixels in addition to the information based on the optical signal.

【0029】類推決定する機能を光信号により外部から
更新できる事を特徴とする。 [作用]本発明は、上記構成によって以下の作用・効果
を有する。
It is characterized in that the function of determining by analogy can be externally updated by an optical signal. [Operation] The present invention has the following operation / effect by the above configuration.

【0030】本発明によれば、複数の表示ユニットをマ
トリクス配置して表示を行い、各表示ユニット内の表示
部の制御は、これに接続された制御部を用いて行うた
め、大画面、高精細の画像表示装置を形成するに際し
て、画面全体にわたり、高密度、長距離に及ぶ電気配線
を形成する必要がなく、駆動回路に大きな駆動力を必要
としない。
According to the present invention, display is performed by arranging a plurality of display units in a matrix, and the control of the display unit in each display unit is performed using the control unit connected thereto. In forming a high-definition image display device, it is not necessary to form high-density, long-distance electrical wiring over the entire screen, and a large driving force is not required for the driving circuit.

【0031】その上、各表示ユニット間に配線を形成す
る必要がない。従って、複数の表示ユニットが形成され
た画像表示装置を集積して大画面のディスプレイを形成
する際に、単に画像表示装置を機械的に配列するだけで
よい。画像表示装置は、別々に製造することが可能であ
り、不良を示すものは集積化の段階で、これを排除する
ことができる。このため、大画面ディスプレイを一括し
て製造する場合に求められる、全画素の最終機能の確保
という厳しい製造上の制約が緩和され、歩留まりの向上
につながる。
In addition, there is no need to form wiring between the display units. Therefore, when a large-screen display is formed by integrating image display devices on which a plurality of display units are formed, it is only necessary to mechanically arrange the image display devices. The image display devices can be manufactured separately, and those indicating a defect can be eliminated at the stage of integration. This alleviates the strict manufacturing constraints required to secure the final function of all pixels, which is required when a large-screen display is manufactured collectively, and leads to an improvement in yield.

【0032】さらに、表示ユニットへの画像情報の伝達
は、光信号発光部からの光信号により行い、画像表示装
置の周辺に駆動回路を設ける必要が無い。このため、表
示部の画素数は基本的に任意に設定できる。また、画素
又は表示部の形状も任意の形状が可能となる。
Further, transmission of image information to the display unit is performed by an optical signal from an optical signal light emitting unit, and there is no need to provide a drive circuit around the image display device. Therefore, the number of pixels of the display unit can be basically set arbitrarily. Further, the shape of the pixel or the display portion can be arbitrary.

【0033】また、どのような画面サイズのディスプレ
イの形成にあたっても、画像表示装置の製造は、同一の
製造設備で行う事ができ、画面サイズによって、製造設
備を新規更新する必要がなくなる。
In forming a display having any screen size, the image display device can be manufactured by using the same manufacturing equipment, and it is not necessary to update the manufacturing equipment depending on the screen size.

【0034】加えて、湾曲した基板上に画像表示装置を
集積させる事により、任意の曲面上にディスプレイを形
成することが可能である。また、画像表示装置を、可撓
性を有した基板上に集積することによって、可撓性を持
つディスプレイの製造が可能になる。
In addition, by integrating the image display device on a curved substrate, a display can be formed on an arbitrary curved surface. In addition, by integrating the image display device on a flexible substrate, a flexible display can be manufactured.

【0035】表示ユニットの表示部を、液晶などの軽
量、薄型化を許す方法で形成すれば、薄型大画面のディ
スプレイを容易に形成できる。光信号としてパルス化し
たデジタル信号を送出することによって、光信号発光部
と画像表示部との空間的位置がずれても、表示内容に変
化は起こらない。
If the display portion of the display unit is formed by a method such as a liquid crystal which allows a reduction in weight and thickness, a thin and large-screen display can be easily formed. By transmitting a pulsed digital signal as an optical signal, the display content does not change even if the spatial position between the optical signal light emitting unit and the image display unit is shifted.

【0036】従って、光信号発光部は、投射型画像装置
の場合と異なり、表示装置(スクリーン)と正対する必
要もなく、光信号受光部に光が、直接又は間接にでも届
く限りにおいて、ほぼ任意に配置することができる。光
信号としては可視光以外を用いれば、表示内容を乱す事
はない。しかし、表示部の表示面の前方の空間には視聴
者の視覚を妨げるような障害部が存在しないので、光信
号受光部の受光面と表示部の表示面とが同一方向を向い
ていることが好ましい。
Therefore, unlike the case of the projection type image device, the optical signal light emitting portion does not need to face the display device (screen), and as long as the light reaches the optical signal light receiving portion directly or indirectly, it is almost possible. They can be arranged arbitrarily. If an optical signal other than visible light is used, the display contents will not be disturbed. However, since there is no obstacle in the space in front of the display surface of the display unit that hinders the viewer's vision, the light receiving surface of the optical signal receiving unit and the display surface of the display unit must be in the same direction. Is preferred.

【0037】各表示部はそれに付随した、制御部をもっ
ているので、この部分に、各種の命令コードをメモリー
しておけば、複雑な制御信号を簡単に送信できる。各表
示部の制御は、光信号発光部より発せられる光信号によ
り行うので、画面の更新は、帯状の線順次走査方式に制
限されることなく、任意の表示部を任意の順で更新する
ことが可能である。よって、最小限の更新で、画像を更
新することが可能である。
Since each display unit has a control unit attached thereto, a complicated control signal can be easily transmitted if various instruction codes are stored in this unit. Since control of each display unit is performed by an optical signal emitted from the optical signal light emitting unit, updating of the screen is not limited to the band-shaped line sequential scanning method, and update any display unit in any order. Is possible. Therefore, the image can be updated with a minimum update.

【0038】[0038]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を以下に図面
を参照して説明する。図1は、本発明の一実施形態に係
わる画像表示装置の概略構成を示すブロック図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram illustrating a schematic configuration of an image display device according to an embodiment of the present invention.

【0039】画像情報11が画像情報符号化部12によ
って符号化(デジタル化)され、デジタル化された信号
が光信号発光部13から光パルス信号として出力され
る。表示ユニット15内の光信号受光部16では、受信
した光信号を電気信号に変換して制御部17に出力す
る。そして、制御部17では、入力された信号を復号
し、復号された信号に応じて表示部18を制御して表示
を行う。
The image information 11 is encoded (digitized) by the image information encoding unit 12, and the digitized signal is output from the optical signal emitting unit 13 as an optical pulse signal. The optical signal receiving unit 16 in the display unit 15 converts the received optical signal into an electric signal and outputs the electric signal to the control unit 17. Then, the control unit 17 decodes the input signal and controls the display unit 18 according to the decoded signal to perform display.

【0040】そして、複合表示装置14は、表示ユニッ
ト15が同一基板上に複数個形成されたものである。な
お、各表示ユニット15の制御部17には、各表示ユニ
ット15に固有のアドレス情報が記憶されている。そし
て、図2に示すように、複数個の複合表示装置14をマ
トリクス配置することで、大画面のディスプレイ21を
構成することも可能である。
The composite display device 14 has a plurality of display units 15 formed on the same substrate. The control unit 17 of each display unit 15 stores address information unique to each display unit 15. Then, as shown in FIG. 2, it is possible to configure a large-screen display 21 by arranging a plurality of composite display devices 14 in a matrix.

【0041】なお、画像情報符号化部12では、DPC
M(Differential Pulse Code Modulation)方式に基づ
いた予測器で画像情報11をデジタル化した後、さら
に、例えば、ハフマン符号化、又は算術符号化などの手
法に基づきエントロピー符号化してデータ圧縮すること
が望ましい。そして、制御部17では、エントロピー復
号器を通して伸長した後、画像方法符号化部12で用い
た予測器と同一の予測器を用いて画像情報を復号する。
It should be noted that the image information encoding unit 12
After digitizing the image information 11 with a predictor based on the M (Differential Pulse Code Modulation) method, it is desirable to further compress the data by entropy coding based on a technique such as Huffman coding or arithmetic coding. . Then, the control unit 17 decodes the image information using the same predictor as the predictor used in the image method encoding unit 12 after decompressing through the entropy decoder.

【0042】なお、光信号発光部13から発振される光
信号としては、間接遷移型のSiの場合に高い量子効率
の得られる0.8μm近傍の赤外領域の波長を用いる事
が望ましい。赤外領域の波長の光は肉眼では見えないの
で、表示画像が光パルス信号により乱される事がないの
で好都合である。
As an optical signal oscillated from the optical signal light emitting section 13, it is desirable to use a wavelength in the infrared region near 0.8 μm where high quantum efficiency is obtained in the case of indirect transition type Si. Since light having a wavelength in the infrared region is invisible to the naked eye, the displayed image is not disturbed by the light pulse signal, which is convenient.

【0043】赤外領域の波長の光パルス信号を発生させ
るには、光源として例えばAlGaAs/GaAsのヘ
テロ構造を用いた半導体レーザーを用いることによって
赤外領域の波長の光信号を送出することが可能になる。
活性層のAlGaAsのAlとGaの組成比をかえる事
により、0.7〜0.9μmの波長領域で発光波長を任
意に設定でき、1Gb/s以上のパルス変調速度が可能
である。
In order to generate an optical pulse signal having a wavelength in the infrared region, an optical signal having a wavelength in the infrared region can be transmitted by using, for example, a semiconductor laser having a heterostructure of AlGaAs / GaAs as a light source. become.
By changing the composition ratio of Al and Ga in AlGaAs of the active layer, the emission wavelength can be arbitrarily set in a wavelength region of 0.7 to 0.9 μm, and a pulse modulation speed of 1 Gb / s or more is possible.

【0044】また、レーザー発振器以外に、発光素子と
してLEDを用いる事も可能である。半導体レーザーに
比べれば光出力は落ちるが、発光素子として、光源を局
所化する必要はないので、面発光型の多数のLEDを集
積して発光素子の出力をあげればよい。LEDは、高度
の干渉性を有するレーザー光に比べ、光ノイズの低減が
可能であると同時に、低価格で信頼性が高い。
In addition to the laser oscillator, it is possible to use an LED as a light emitting element. Although the light output is lower than that of a semiconductor laser, it is not necessary to localize a light source as a light emitting element. Therefore, a large number of surface emitting type LEDs may be integrated to increase the output of the light emitting element. LEDs can reduce optical noise compared to laser light having a high degree of coherence, and at the same time, are low in cost and highly reliable.

【0045】なお、表示部18の画素数は、単数であっ
ても複数であっても良い。但し、画素数が1個である
と、制御部17の構成を簡易にすることができる。表示
ユニットの具体的な構成を図3の断面図に示す。p型シ
リコン基板30に素子領域を分離する素子分離絶縁膜3
1が形成されている。そして、素子領域の一部にn型ウ
ェル32が形成されている。また、p型Si基板30上
のゲート絶縁膜33を介して形成されたn型ゲート電極
34を挟むように、n型拡散層35(35a〜g)がp
型Si基板30の表面に形成されている。また、n型ウ
ェル32上にゲート絶縁膜33を介して形成されたp型
ゲート電極36を挟むように、p型拡散層37(37
a,b)がn型ウェル32の表面に形成されている。
The number of pixels of the display section 18 may be singular or plural. However, when the number of pixels is one, the configuration of the control unit 17 can be simplified. A specific configuration of the display unit is shown in a cross-sectional view of FIG. An element isolation insulating film 3 for isolating an element region on a p-type silicon substrate 30
1 is formed. An n-type well 32 is formed in a part of the element region. Further, the n-type diffusion layers 35 (35a to 35g) are formed so as to sandwich the n-type gate electrode 34 formed on the p-type Si substrate 30 with the gate insulating film 33 interposed therebetween.
It is formed on the surface of the mold Si substrate 30. Further, the p-type diffusion layer 37 (37) is sandwiched so as to sandwich the p-type gate electrode 36 formed on the n-type well 32 via the gate insulating film 33.
a, b) are formed on the surface of the n-type well 32.

【0046】なお、p型Si基板30とn型拡散層35
aとのpn接合でフォトダイオードが形成されている。
また、n型ゲート電極34aは、フォトダイオードアク
セス用MOSFET38のゲート電極、ゲート電極34
bはフォトダイオードリセット用MOSFET39のゲ
ート電極、n型ゲート電極34cはn型MOSFET4
0のゲート電極、n型ゲート電極34dは表示電極アク
セス用MOSFET42のゲート電極、p型ゲート電極
36はp型MOSFET41のゲート電極である。
The p-type Si substrate 30 and the n-type diffusion layer 35
A photodiode is formed at the pn junction with a.
Further, the n-type gate electrode 34a is a gate electrode of the photodiode access MOSFET 38,
b is the gate electrode of the photodiode reset MOSFET 39, and the n-type gate electrode 34c is the n-type MOSFET 4
The gate electrode 0, the n-type gate electrode 34d is the gate electrode of the display electrode access MOSFET 42, and the p-type gate electrode 36 is the gate electrode of the p-type MOSFET 41.

【0047】そして、全面に第1の層間絶縁膜43が形
成されている。第1の層間絶縁膜43には、n型拡散層
35c〜g、並びにp型拡散層37に接続するプラグ電
極44(44a〜g)がそれぞれ形成されている。
Then, a first interlayer insulating film 43 is formed on the entire surface. In the first interlayer insulating film 43, plug electrodes 44 (44a to 44g) connected to the n-type diffusion layers 35c to 35g and the p-type diffusion layer 37 are formed, respectively.

【0048】第1の層間絶縁膜43上にプラグ電極44
aを介してn型拡散層35cに接続する下部反射板45
が形成されている。また、第1の層間絶縁膜43上に、
プラグ電極44b,e〜gに接続するコンタクト電極4
6,48がそれぞれ形成されている。また、第1の層間
絶縁膜43上にプラグ電極44cとプラグ電極44dと
を接続する配線47が形成されている。
The plug electrode 44 is formed on the first interlayer insulating film 43.
a lower reflector 45 connected to n-type diffusion layer 35c through a
Are formed. Further, on the first interlayer insulating film 43,
Contact electrode 4 connected to plug electrodes 44b, eg
6, 48 are formed respectively. Further, a wiring 47 connecting the plug electrode 44c and the plug electrode 44d is formed on the first interlayer insulating film 43.

【0049】そして、全面に第2の層間絶縁膜49が形
成されている。第2の層間絶縁膜49に、下部反射板4
5及びコンタクト電極48に接続するコンタクトホール
がそれぞれ形成され、その内部にプラグ電極50(50
a,b)が形成されている。
Then, a second interlayer insulating film 49 is formed on the entire surface. The lower reflector 4 is formed on the second interlayer insulating film 49.
5 and a contact hole connected to the contact electrode 48, respectively, and a plug electrode 50 (50
a, b) are formed.

【0050】そして、第2の層間絶縁膜49上に、プラ
グ電極50aを介して下部反射板45に接続する上部反
射板51が形成されている。上部反射板51と下部反射
板45とで、ファブリー・ペロー=干渉フィルタが形成
されている。また、第2の層間絶縁膜49上に、プラグ
電極50bを介してコンタクト電極48に接続する表示
電極52が形成されている。
An upper reflector 51 connected to the lower reflector 45 via the plug electrode 50a is formed on the second interlayer insulating film 49. The upper reflector 51 and the lower reflector 45 form a Fabry-Perot = interference filter. A display electrode 52 connected to the contact electrode 48 via the plug electrode 50b is formed on the second interlayer insulating film 49.

【0051】上部反射板51,表示電極52及び第2の
層間絶縁膜49上の一部に、スペーサ絶縁膜が53形成
されている。上部反射板51上に形成されたスペーサ絶
縁膜53には、上部反射板51に接続するプラグ電極5
4が形成されている。また、スペーサ絶縁膜43上に、
プラグ電極に接続するコンタクト電極55、及びダミー
電極56が形成されている。
A spacer insulating film 53 is formed on a part of the upper reflecting plate 51, the display electrode 52, and the second interlayer insulating film 49. On the spacer insulating film 53 formed on the upper reflector 51, a plug electrode 5 connected to the upper reflector 51 is formed.
4 are formed. Further, on the spacer insulating film 43,
A contact electrode 55 connected to the plug electrode and a dummy electrode 56 are formed.

【0052】露出する上部反射板51及び表示電極52
上に液晶配向層57が形成されている。スペーサ絶縁膜
43上に電極55,56を介して、表面に透明電極58
が形成されたプラスチック基板59が設置されている。
そして、液晶配向層57と透明電極58との間の空間
に、液晶層60が封入されている。
Exposed upper reflector 51 and display electrode 52
A liquid crystal alignment layer 57 is formed thereon. A transparent electrode 58 is formed on the surface of the spacer insulating film 43 via electrodes 55 and 56.
The plastic substrate 59 on which is formed is provided.
The liquid crystal layer 60 is sealed in the space between the liquid crystal alignment layer 57 and the transparent electrode 58.

【0053】そして、同一基板上に液晶ユニットが複数
個形成された複合表示装置を、配列することで大画面の
ディスプレイが構成される。なお、複数の複合電子装置
を、可撓性を持つ基板の上に配列して設置することで、
可撓性を持つディスプレイを構成することができる。可
撓性を持つ基板としては、例えば導電ゴムシートや金属
シートのような、導電性を兼ね備えているものに導電性
接着剤をもちいて行えば、複合表示装置間の電気的接続
を得るのに好都合である。
Then, a large-screen display is formed by arranging composite display devices each having a plurality of liquid crystal units formed on the same substrate. In addition, by arranging and installing a plurality of composite electronic devices on a flexible substrate,
A display having flexibility can be formed. As a flexible substrate, for example, a conductive rubber sheet or a metal sheet, which has both conductivity and a conductive adhesive, is used to obtain an electrical connection between the composite display devices. It is convenient.

【0054】また、透明電極58間の電気的接続には、
酸化インジウムや、酸化スズで被覆したプラスチックシ
ートを複合電子装置表面間に設置、接着を行う事で、接
合部を意識させずに複合電子装置を配列設置し、ディス
プレイを構成することができる。
The electrical connection between the transparent electrodes 58 includes:
By disposing and bonding a plastic sheet coated with indium oxide or tin oxide between the surfaces of the composite electronic device, the composite electronic devices can be arranged and arranged without being conscious of the joint portion, and a display can be configured.

【0055】ディスプレイ構成後、全面を透明電極を含
む透明シートでラップしてもよい。また、このような、
複合電子装置を配列設置は、必ずしも平面上で行われな
ければならない必要はなく、各複合電子装置ユニットが
適合できる範囲で任意の曲率を持った曲面に配列設置す
ることができる。
After the display is constructed, the entire surface may be wrapped with a transparent sheet including a transparent electrode. Also, like this,
The arrangement of the composite electronic devices does not necessarily have to be performed on a plane, and the composite electronic devices can be arranged on a curved surface having an arbitrary curvature as long as each composite electronic device unit can fit.

【0056】負の誘電率異方性を持つネマティック液晶
に黒色二色性染料をブレンドしたゲストホスト式を用い
ているので、液晶層60に電界が印加されていないとき
は、液晶分子の長軸が基板に対して垂直に配向するた
め、入射光はそのまま表示電極52で反射される。液晶
層60に電界を印加することにより、液晶分子の長軸方
向が基板に対して水平に配向し、入射光は吸収される。
この動作を、光シャッターとし利用し、これにRGBカ
ラーフィルタを併用し、加法混色によりカラー表示が実
現される。
Since a guest-host system in which a black dichroic dye is blended with a nematic liquid crystal having a negative dielectric anisotropy is used, when no electric field is applied to the liquid crystal layer 60, the long axis of the liquid crystal molecules is Are oriented perpendicular to the substrate, so that the incident light is reflected by the display electrode 52 as it is. By applying an electric field to the liquid crystal layer 60, the major axis direction of the liquid crystal molecules is oriented horizontally with respect to the substrate, and the incident light is absorbed.
This operation is used as an optical shutter, which is combined with an RGB color filter to realize color display by additive color mixing.

【0057】また、透明電極58と上部電極52はコン
タクト電極54を通じて同電位に保たれ、液晶分子は垂
直に配向している。従って、フォトダイオード上の液晶
層60に入射した光は常にフォトダイオードに入射す
る。
The transparent electrode 58 and the upper electrode 52 are maintained at the same potential through the contact electrode 54, and the liquid crystal molecules are vertically aligned. Therefore, light that has entered the liquid crystal layer 60 on the photodiode always enters the photodiode.

【0058】なお、偏光板とねじれネマティック液晶を
もちいて直線偏光を入射させ、円偏光に変換させ反射さ
せ、液晶層のリタデーションを調節して光シャッターを
構成する事ができるのは言うまでもない。
It is needless to say that a linear shutter can be made incident by using a polarizing plate and a twisted nematic liquid crystal, converted into circularly polarized light and reflected, and the retardation of the liquid crystal layer can be adjusted to form an optical shutter.

【0059】フォトダイオードは、アバランシェモード
で用いる事により、その受光感度を高めることができ
る。なお、増倍率は100倍程度に設定しておく事が望
ましい。外界からの可視光は、例えば、GeあるいはC
dS−Se−Teコロイドを利用したガラスフィルタ等
の赤外フィルタで遮断する。そして、S/N比を上げる
ため、さらに光信号に用いた波長に透過波長を持つファ
ブリー・ペロー=干渉フィルタを設けてあるので、表面
に液晶層を形成しても光信号を伝達できる。
By using the photodiode in the avalanche mode, the light receiving sensitivity can be increased. It is desirable to set the multiplication factor to about 100 times. Visible light from the outside is, for example, Ge or C
Cut off with an infrared filter such as a glass filter using dS-Se-Te colloid. Further, since a Fabry-Perot interference filter having a transmission wavelength at the wavelength used for the optical signal is provided to increase the S / N ratio, the optical signal can be transmitted even if a liquid crystal layer is formed on the surface.

【0060】なお、光信号受光部を複合電子装置の表示
装置とは反対の基板面上に形成してもよいことは言うま
でもない、この場合、ディスプレイの裏面を遮光してお
き、裏面側に光信号発光部を配置しておけば、赤外フィ
ルタや、ファブリー・ペロー=干渉フィルタは必要では
ない。
It is needless to say that the optical signal receiving portion may be formed on the substrate surface opposite to the display device of the composite electronic device. In this case, the back surface of the display is shielded from light and the light is If the signal light emitting unit is arranged, no infrared filter or Fabry-Perot interference filter is required.

【0061】なお、符号誤り率10-9に対応するショッ
ト雑音限界の受信感度は、フォトン数にして20程度と
なる。各光パルスの出力は、各受光装置においてフォト
ン数にして200程度となる事が望ましい。
The reception sensitivity at the shot noise limit corresponding to the code error rate of 10 -9 is about 20 in terms of the number of photons. The output of each light pulse is desirably about 200 in photons in each light receiving device.

【0062】また、フォトダイオード上に形成されたフ
ァブリー・ペロー=干渉フィルタと整合をとり、複数の
フォトダイオードを用いて、複数の波長の光パルスによ
り光信号の伝達を行うことも可能である。光の拡散は、
拡散板に、光学レンズを適宜組み合わせて行う事が可能
である。
It is also possible to transmit an optical signal by a plurality of photodiodes using light pulses of a plurality of wavelengths by matching with a Fabry-Perot = interference filter formed on the photodiode. The diffusion of light
It is possible to combine the diffusion plate with an optical lens as appropriate.

【0063】次に、図4〜6の工程断面図を用いて図3
の複合表示装置の製造工程を説明する。なお、複合表示
装置を構成する1つの表示ユニットの製造工程について
説明する。
Next, referring to the process sectional views of FIGS.
Of the composite display device will be described. In addition, a manufacturing process of one display unit included in the composite display device will be described.

【0064】先ず、図4(a)に示すように、p型シリ
コン基板30の表面にSTI技術を用いて素子分離絶縁
膜31を形成する。そして、受光素子であるフォトダイ
オードが形成される領域61に、p型不純物をイオン注
入して不純物濃度を調整する。また、リソグラフィ技術
を用いたフォトレジストマスクの形成,n型不純物のイ
オン注入,拡散工程を順次行い、表示制御部用のLSI
が形成される領域62の一部にn型ウェル32を形成す
る。また、電荷保持用コンデンサを形成する領域63に
も必要に応じてp型不純物をイオン注入して不純物濃度
を調整する。
First, as shown in FIG. 4A, an element isolation insulating film 31 is formed on the surface of a p-type silicon substrate 30 by using the STI technique. Then, a p-type impurity is ion-implanted into the region 61 where the photodiode serving as the light receiving element is formed, and the impurity concentration is adjusted. In addition, the formation of a photoresist mask using lithography technology, the ion implantation of n-type impurities, and the diffusion process are sequentially performed to form an LSI for a display control unit.
The n-type well 32 is formed in a part of the region 62 where is formed. Also, a p-type impurity is ion-implanted into the region 63 where the charge holding capacitor is formed, if necessary, to adjust the impurity concentration.

【0065】次いで、図4(b)に示すように、露出す
る基板30の表面に、熱酸化またはCVD法等の公知の
方法を用いてゲート絶縁膜33を形成する。全面にCV
D法等を用いて、ポリシリコン膜を堆積する。そして、
n型不純物及びp型不純物をそれぞれ選択的にイオン注
入した後、パターニングを行い、n型ゲート電極34及
びp型ゲート電極36を形成する。
Next, as shown in FIG. 4B, a gate insulating film 33 is formed on the exposed surface of the substrate 30 by a known method such as thermal oxidation or a CVD method. CV all over
A polysilicon film is deposited using the D method or the like. And
After selectively implanting an n-type impurity and a p-type impurity, respectively, patterning is performed to form an n-type gate electrode 34 and a p-type gate electrode 36.

【0066】次いで、n型ゲート電極34を含む素子領
域に、n型不純物をイオン注入してn型拡散層35を形
成し、n型MOSFET38,39,40,42,フォ
トダイオード62,及びキャパシタ64を形成する。そ
して、p型ゲート電極36を含む素子領域に、p型不純
物をイオン注入してp型拡散層37を形成し、p型MO
SFET41を形成する。
Next, an n-type impurity is ion-implanted into the element region including the n-type gate electrode 34 to form an n-type diffusion layer 35, and the n-type MOSFETs 38, 39, 40, 42, the photodiode 62, and the capacitor 64 To form Then, a p-type impurity is ion-implanted into the element region including the p-type gate electrode 36 to form a p-type diffusion layer 37, and a p-type MO is formed.
The SFET 41 is formed.

【0067】次いで、図5(c)に示すように、CVD
法等を用いてシリコン酸化膜を堆積して第1の層間絶縁
膜43を形成する。そして、n型拡散層35c〜g及び
p型拡散層37a,bに接続するコンタクトホールをそ
れぞれ形成する。なお、コンタクトホールを形成する前
に化学的機械研磨を行って、第1の層間絶縁膜の表面の
平坦化を行っても良い。そして、コンタクトホールを埋
め込むようにスパッタ法等を用いて配線材を堆積した
後、パターニングを行い、プラグ電極44,下部反射板
45,コンタクト電極46,48及び配線47を形成す
る。
Next, as shown in FIG.
A first interlayer insulating film 43 is formed by depositing a silicon oxide film using a method or the like. Then, contact holes connected to the n-type diffusion layers 35c to 35g and the p-type diffusion layers 37a and 37b are respectively formed. Note that the surface of the first interlayer insulating film may be planarized by performing chemical mechanical polishing before forming the contact hole. Then, after a wiring material is deposited by using a sputtering method or the like so as to fill the contact holes, patterning is performed to form plug electrodes 44, lower reflectors 45, contact electrodes 46 and 48, and wirings 47.

【0068】なお、全面に電極材を堆積した後、化学的
機械研磨を行ってコンタクトホール内にプラグ電極44
を埋め込み形成した後、電極材の堆積,パターニングを
行って下部反射板45,コンタクト電極46,48及び
配線47の形成を行っても良い。この場合、表面がより
平坦化される。
After the electrode material is deposited on the entire surface, chemical mechanical polishing is performed to form the plug electrode 44 in the contact hole.
After the formation, the lower reflector 45, the contact electrodes 46 and 48, and the wiring 47 may be formed by depositing and patterning an electrode material. In this case, the surface is further flattened.

【0069】なお、下部反射板45は、高反射率を有す
るもの、光を完全に遮断しないようにその厚さを適宜制
御する。また、場合によっては、TiO2 のような高誘
電率膜を使用してもよい。また、必要に応じて、以上の
工程を繰り返し、多層に渡る配線層を形成することがで
きることは、言うまでもない。
The thickness of the lower reflecting plate 45 is appropriately controlled so that it has a high reflectance and does not completely block light. In some cases, a high dielectric constant film such as TiO 2 may be used. Needless to say, the above steps can be repeated as necessary to form a multilayer wiring layer.

【0070】次いで、図5(d)に示すように、CVD
法等を用いてシリコン酸化膜を堆積して第2の層間絶縁
膜49を形成する。そして、CMP法等を用いて第2の
層間絶縁膜49の表面を平坦化する。第2の層間絶縁膜
49の厚さは、フォトダイオードで検出するべき発光装
置からの光信号の波長、例えば0.85μmの光を透過
するように、その往復光路長がこの波長の整数倍になる
ように形成する。
Next, as shown in FIG.
By depositing a silicon oxide film using a method or the like, a second interlayer insulating film 49 is formed. Then, the surface of the second interlayer insulating film 49 is planarized by using a CMP method or the like. The thickness of the second interlayer insulating film 49 is set such that the reciprocating optical path length is an integral multiple of this wavelength so that light of a wavelength of an optical signal from the light emitting device to be detected by the photodiode, for example, 0.85 μm is transmitted. It forms so that it may become.

【0071】そして、下部反射板45及びコンタクト電
極48に接続するコンタクトホール、並びにフォトダイ
オード駆動用n型MOSFET、表示部制御用LSIに
電源電圧を供給するためのコンタクトホール(不図示)
をそれぞれ形成した後、下部反射板45及びコンタクト
電極48の形成と同様な工程を経て、電源電極を兼ねた
ファブリー・ペロー=干渉フィルタの上部反射板51、
液晶表示装置の反射板を兼ねる表示電極52を形成す
る。なお、表示電極52の形成に先立ち、平坦化された
第2の層間絶縁膜49の表面にRIE法等を用いて凹凸
を形成することも可能である。
Then, a contact hole connected to the lower reflector 45 and the contact electrode 48, and a contact hole (not shown) for supplying a power supply voltage to the n-type MOSFET for driving the photodiode and the display control LSI.
Are formed, and through the same process as the formation of the lower reflector 45 and the contact electrode 48, the Fabry-Perot = upper reflector 51 of the interference filter also serving as the power supply electrode,
A display electrode 52 also serving as a reflector of the liquid crystal display device is formed. Note that prior to the formation of the display electrode 52, it is also possible to form irregularities on the surface of the planarized second interlayer insulating film 49 by using the RIE method or the like.

【0072】次いで、図6(e)に示すように、SOG
(Spin On Glass 、珪素化合物RnSi(OH)4-n
び添加材)のような流動性を示すシリコン酸化物の材料
物質を含む材質を例えばスピンナーを用いて回転塗布し
た後、例えば窒素雰囲気中で、300℃、30分で熱処
理することで、シリコン酸化物の材料物質以外の成分を
揮発させ、形成したい液晶の膜厚、例えば10μmに相
当する絶縁膜を形成する。
Next, as shown in FIG.
(Spin On Glass, silicon compound RnSi (OH) 4-n and additive), a material containing a fluid silicon oxide material is spin-coated using, for example, a spinner, and then, for example, in a nitrogen atmosphere. By heat treatment at 300 ° C. for 30 minutes, components other than the silicon oxide material are volatilized to form an insulating film corresponding to the thickness of the liquid crystal to be formed, for example, 10 μm.

【0073】絶縁膜に上部反射板51に接続するコンタ
クトーホールを、例えば、Wetエッチング法等の公知
の技術のうち効果的な方法で形成する。そして、スパッ
タ法等を用いて金属性物質を堆積した後、パターニング
を行い、上部反射板51に接続するプラグ電極54,コ
ンタクト電極55及びダミー電極56を形成する。そし
て、Wetエッチング法などの公知の技術のうち効果的
な方法で引き続き絶縁膜を除去し、スペーサ絶縁膜53
を形成する。残存するスペーサ絶縁膜53は、液晶封入
の際、スペーサーとしても働く。
A contact hole to be connected to the upper reflector 51 is formed in the insulating film by an effective method among known techniques such as a wet etching method. Then, after depositing a metallic substance by using a sputtering method or the like, patterning is performed to form a plug electrode 54, a contact electrode 55, and a dummy electrode 56 connected to the upper reflector 51. Then, the insulating film is continuously removed by an effective method among known techniques such as a wet etching method, and the spacer insulating film 53 is removed.
To form The remaining spacer insulating film 53 also functions as a spacer when the liquid crystal is sealed.

【0074】そして、上部反射板51及び表示電極52
上に、例えばバーフルオロノナン酸クロム錯体などの溶
液を塗布,加熱乾燥させて、液晶の分子の配向をそろえ
るための液晶配向層57を形成する。この場合、液晶分
子が垂直に配向するように液晶配向層57を形成する。
液晶の配向は、配向材を液晶に溶解させて行ってもよ
い。
The upper reflector 51 and the display electrode 52
A solution of, for example, a chromium verfluorononanoate complex is applied thereon and dried by heating to form a liquid crystal alignment layer 57 for aligning liquid crystal molecules. In this case, the liquid crystal alignment layer 57 is formed so that the liquid crystal molecules are vertically aligned.
The alignment of the liquid crystal may be performed by dissolving an alignment material in the liquid crystal.

【0075】この後、外周部に熱硬化性のエポキシ系接
着材を設置し、酸化インジウムや、酸化スズ等の透明電
極58で被覆したプラスチック板59をコンタクト電極
55及びダミー電極56に設置、封着する。なお、透明
電極58及びプラスチック板59の一部には、液晶注入
用の穴があいている。
Thereafter, a thermosetting epoxy-based adhesive is provided on the outer periphery, and a plastic plate 59 covered with a transparent electrode 58 such as indium oxide or tin oxide is placed and sealed on the contact electrode 55 and the dummy electrode 56. To wear. The transparent electrode 58 and a part of the plastic plate 59 have holes for liquid crystal injection.

【0076】そして、減圧雰囲気下、負の誘電率異方性
を持つネマティック液晶に黒色二色性の染料を加えたゲ
スト−ホスト型液晶を注入口から滴下し、液晶層60を
形成し、最後に注入口を封止することによって、図3に
示した表示ユニットが形成される。
Then, a guest-host type liquid crystal in which a black dichroic dye is added to a nematic liquid crystal having a negative dielectric anisotropy is dropped from an injection port under a reduced pressure atmosphere to form a liquid crystal layer 60. The display unit shown in FIG. 3 is formed by sealing the inlet.

【0077】この後、必要に応じて、複数個の表示ユニ
ットが形成された基板の複合表示装置をダイシング等の
技術を用いて分割し、カラー表示用のカラーフィルタを
各液晶画素上に、可視光を遮断し赤外光のみを透過させ
る赤外線フィルタ、例えば、CdS−Se−Teコロイ
ドを利用したガラスフィルタを受光用フォトダイオード
上に設置し、これら液晶表示部、表示制御用LSI、光
信号受信フォトダイオードを、少なくとも一つ以上同一
基板上に含む、複合表示装置を形成する。
Thereafter, if necessary, the composite display device of the substrate on which a plurality of display units are formed is divided by a technique such as dicing or the like, and a color filter for color display is formed on each liquid crystal pixel. An infrared filter that blocks light and transmits only infrared light, for example, a glass filter using a CdS-Se-Te colloid, is installed on the light-receiving photodiode, and these liquid crystal display unit, display control LSI, and optical signal reception are provided. A composite display device including at least one photodiode on the same substrate is formed.

【0078】次に、ディスプレイの駆動について説明す
る。先ず、光パルス信号19を受信するフォトダイオー
ドを含む光信号検出部について図7を用いて説明する。
フォトダオイオード62には、フォトダイオードアクセ
ス用MOSFET38及びリセット用MOSFET39
を介して電源電極71が接続されている。
Next, driving of the display will be described. First, an optical signal detection unit including a photodiode for receiving the optical pulse signal 19 will be described with reference to FIG.
The photodiode 38 includes a photodiode access MOSFET 38 and a reset MOSFET 39.
The power supply electrode 71 is connected via the.

【0079】アクセス用MOSFET38及びリセット
用MOSFET39のONにより、フォトダイオード6
2は、電源電圧と同一に保たれる、この後、アクセス用
MOSFET38をOFFし、光パルスが到来した場
合、フォトダイオード62には電子が蓄積される。
When the access MOSFET 38 and the reset MOSFET 39 are turned on, the photodiode 6
2 is kept the same as the power supply voltage. Thereafter, when the access MOSFET 38 is turned off and a light pulse arrives, electrons are accumulated in the photodiode 62.

【0080】この後、アクセス用MOSFET38をO
Nすると、蓄積された電子がアクセス用MOSFET3
8のドレイン電極に流れ込み、この電圧を低下させる。
この変化を、後段のMOSFET82,83により構成
されるソースフォロワを通して読み出し、比較識別回路
74で基準となる電圧Vref と比較して、光パルスの到
来を検知する。光信号はデジタル符号化されているので
光パルス到来の有無が判別できればよい。
Thereafter, the access MOSFET 38 is set to O
When N, the accumulated electrons are stored in the access MOSFET 3
8 to lower the voltage.
This change is read out through a source follower constituted by MOSFETs 82 and 83 at the subsequent stage, and compared with a reference voltage Vref by a comparison identification circuit 74 to detect the arrival of an optical pulse. Since the optical signal is digitally encoded, it suffices if the presence / absence of an optical pulse can be determined.

【0081】次に、光信号の受信から画像出力を得るま
での処理を、図8の機能別にまとめた回路ブロック図を
用いて説明する。赤外線フィルタを透過した光パルス信
号19は、フォトダイオード及び増幅器を含む光信号検
出部16により検知され、必要ならば、等化器及び識別
器を経て、デジタル信号として後段の回路に出力され
る。
Next, a process from receiving an optical signal to obtaining an image output will be described with reference to a circuit block diagram in FIG. The optical pulse signal 19 transmitted through the infrared filter is detected by the optical signal detection unit 16 including a photodiode and an amplifier, and if necessary, is output as a digital signal to a subsequent circuit through an equalizer and a discriminator.

【0082】また、これらの回路動作のタイミングを制
御するため、クロックカウンタ83が設けられており、
光信号検出部16にリセット又は読み出しの時間指定パ
ルスを出力する。送信された光パルス信号とクロックカ
ウンタ73との同期をとるために、遅延回路、又は電圧
制御発振回路(Voltage controlled oscillator )を含
む同期回路74が存在し、光信号検出部16に送出する
リセット、読み出しの時間指定パルスを光パルス信号1
9のタイミングと同期させる。なお、送信される光パル
ス信号19には、画像情報の送信に先立ち、同期を行う
ための特定の配列を含んでいれば都合がよい。
A clock counter 83 is provided to control the timing of the operation of these circuits.
A reset or read time designation pulse is output to the optical signal detector 16. In order to synchronize the transmitted optical pulse signal with the clock counter 73, there is a synchronization circuit 74 including a delay circuit or a voltage controlled oscillator (Voltage controlled oscillator). The readout time designation pulse is set to the optical pulse signal 1
Synchronize with the timing of 9. Note that it is convenient if the transmitted optical pulse signal 19 includes a specific arrangement for performing synchronization prior to transmission of image information.

【0083】光パルス信号19との同期が取れたクロッ
クカウンタ83から、光信号検出部16から送信された
デジタル信号、すなわちビットストリームから特定の規
約に基づくシーケンスヘッダを検知するためのゲート回
路85にタイミングパルスが供給される。
From the clock counter 83 synchronized with the optical pulse signal 19, the digital signal transmitted from the optical signal detector 16, that is, the gate circuit 85 for detecting a sequence header based on a specific rule from the bit stream. A timing pulse is provided.

【0084】光信号検出部16から供給されたビットス
トリームは、一時バッファメモリ86に蓄えられ、規約
に基づくシーケンスヘッダを含むかどうか、比較器88
によってシーケンスヘッダ情報が記憶されたヘッダ情報
メモリ87の内容と比較される。そして、シーケンスヘ
ッダが合致すれば、判定器89よりその後のビットスト
リームの処理を指示するパルスが出力される。これと同
時に、シーケンスヘッダに含まれる画像処理規約等の上
位階層の情報を制御情報処理回路90に伝達する事もで
きる。
The bit stream supplied from the optical signal detector 16 is stored in a temporary buffer memory 86, and it is determined whether or not the bit stream includes a sequence header based on the rules.
Is compared with the contents of the header information memory 87 in which the sequence header information is stored. If the sequence headers match, the decision unit 89 outputs a pulse instructing the subsequent bit stream processing. At the same time, information of an upper layer such as an image processing protocol included in the sequence header can be transmitted to the control information processing circuit 90.

【0085】判定器89より出力されたパルスをうけ
て、ゲート回路91が開かれ、特定の規約に基づくアド
レス情報を含んだビットストリームの内容をバッファメ
モリ92に蓄える。この内容を、比較器94をもちいて
自分のアドレスを含んだ情報を記憶したアドレス情報メ
モリ93の内容と検索照合する。アドレス情報が合致す
れば、判定器95は、その後のビットストリームの処理
を指示するパルスを出力する。これと同時に、アドレス
情報シーケンスに含まれる画像処理規約等の中位階層の
情報を制御情報処理回路90に伝達する事もできる。
In response to the pulse output from the decision unit 89, the gate circuit 91 is opened, and the contents of the bit stream including address information based on a specific rule are stored in the buffer memory 92. This content is searched and compared with the content of an address information memory 93 storing information including its own address using a comparator 94. If the address information matches, the determiner 95 outputs a pulse instructing the subsequent bit stream processing. At the same time, information of the middle hierarchy such as the image processing protocol included in the address information sequence can be transmitted to the control information processing circuit 90.

【0086】なお、各表示ユニットは、各自固有のアド
レスを持つだけでなく、いくつかの階層を持つ表示ユニ
ットの群を示すアドレスをもっていてもよい。これによ
り、画像情報の更新には、任意に各表示ユニットのそれ
ぞれに対して指令を出せる以外に、特定の複合電子装置
の群に対して一括した処理を行わせることもできる。
Each display unit may have not only its own address but also an address indicating a group of display units having several layers. Accordingly, in order to update the image information, a command can be arbitrarily issued to each of the display units, and collective processing can be performed for a specific group of composite electronic devices.

【0087】判定器95より出力されたパルスをうけ
て、ゲート回路96が開かれ、特定の規約に基づく制御
情報及び画像情報を含んだビットストリームの内容をバ
ッファメモリ97に蓄える。
In response to the pulse output from the decision unit 95, the gate circuit 96 is opened, and the contents of the bit stream including control information and image information based on a specific rule are stored in the buffer memory 97.

【0088】この内容をうけて、制御情報処理回路90
で指定された制御を行う。例えば、自分のアドレス情報
を送られた信号に基づき、アドレス情報を更新すること
もできる。この様にすることで、各表示ユニットのアド
レスを、ディスプレイを構成した後、光源の絞られたレ
ーザ光などを用いて走査することで自由に変更すること
も可能となる。不具合を生じた複合表示装置を取り外
し、新たな複合表示装置と交換した後、これに相応のア
ドレスを付与することもできる。また、画像情報に更な
る階層がある場合、これを特定の規約に基づき処理す
る。これらの処理の後、表示制御用の信号が、予測信号
復号化回路98に送られる。
In response to this content, the control information processing circuit 90
Performs the control specified by. For example, the address information can be updated based on a signal to which the own address information is sent. In this way, the address of each display unit can be freely changed by configuring the display and then scanning using a laser beam or the like whose light source is narrowed down. After removing the defective composite display device and replacing it with a new composite display device, a corresponding address can be given to this. If there is a further layer in the image information, it is processed based on a specific rule. After these processes, a signal for display control is sent to the prediction signal decoding circuit 98.

【0089】そして、予測信号復号化回路88では、制
御情報解読回略90からの出力に基づき、画像情報符号
化部での符号化方法に対応した復号化を行う。そして、
復号化された画像情報に基づいて、表示部の表示電極に
印加すべき電圧が決定され、印加される。
Then, the prediction signal decoding circuit 88 performs decoding corresponding to the encoding method in the image information encoding section based on the output from the control information decoding circuit 90. And
Based on the decoded image information, a voltage to be applied to the display electrode of the display unit is determined and applied.

【0090】本実施形態によれば、同一のシリコン基板
上に形成された、液晶表示部、フォトダイオード受光素
子、及び画素制御用のLSIを兼ね備えた複合表示装
置、及びこれを用いた、低消費電力、薄型、高精細、大
画面、さらに投射空間の占有を伴わず、しかも可撓性を
備えうるディスプレイを簡略な製造工程で実現すること
ができる。
According to this embodiment, a composite display device formed on the same silicon substrate and having a liquid crystal display section, a photodiode light receiving element, and an LSI for pixel control, and a low power consumption It is possible to realize a display which can be provided with electric power, thinness, high definition, a large screen, and flexibility without occupying the projection space and with a simple manufacturing process.

【0091】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。例えば、表示装置として液晶以外のフ
ィールドエミション方式を用いる事ができる事は言うま
でもない。よって、本発明は、本明細書に説明された特
定の例のみに限定されるものではないことが理解される
べきである。
The present invention is not limited to the above embodiment. For example, it goes without saying that a field emission method other than liquid crystal can be used as a display device. Thus, it should be understood that the invention is not limited to the specific examples described herein.

【0092】制御信号以外に、外界情報、例えば、外界
の環境照度を光信号に混ぜて、これに応じて、表示の内
容、例えば階調、輝度などを各画素毎に自立的に制御す
ることも可能である。また、光ポインタ等の信号を検知
し、表示を変化させる様に制御部を形成しておけば、光
ポインタを用いて直接画面上に画像を追加表示させる事
も可能である。さらに、視聴者の位置情報を検知して、
これに応じて各画素の表示内容を自立的に変化させるこ
とも可能となる。よって、視聴者の動きに同期して、立
体感のある画像表示も可能となる。
In addition to the control signal, external information, for example, the ambient illuminance of the external environment is mixed with the optical signal, and the display content, for example, the gradation and the luminance, are independently controlled for each pixel in accordance with the mixed signal. Is also possible. Further, if a control unit is formed so as to detect a signal from an optical pointer or the like and change the display, an image can be additionally displayed directly on the screen using the optical pointer. Furthermore, by detecting the viewer's location information,
Accordingly, the display content of each pixel can be independently changed. Therefore, an image with a three-dimensional effect can be displayed in synchronization with the movement of the viewer.

【0093】また、画像表示装置間に局所的に電気的配
線を形成し、周辺の複合電子装置単位の表示内容の情報
から自分の表示内容を類推する機能を、制御装置に与え
ておけば、必ずしも、全画素の更新情報を伝達しなくと
も、表示命令の与えられない画素も含めて自立的に、補
完等を行いながら画像を構成することも可能となる。そ
の他、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変
形して実施することが可能である。
Further, if an electric wiring is formed locally between the image display devices and a function of estimating its own display content from information on the display content of the peripheral composite electronic device unit is given to the control device, Even if the update information of all the pixels is not necessarily transmitted, it is possible to autonomously compose the image including the pixels for which the display command is not given, while performing the complement or the like. In addition, the present invention can be variously modified and implemented without departing from the gist thereof.

【0094】[0094]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、画
像情報を光信号にして伝送し、伝送された信号を受光す
る受光部と画像を表示する表示部の制御を行う制御部と
からなる表示ユニットを複数個マトリクス配置すること
によって、消費電力の抑制,薄型化,高精細化並びに大
画面化が容易であり、設置場所が限定されない。
As described above, according to the present invention, the image information is transmitted as the optical signal and transmitted, and the light receiving section for receiving the transmitted signal and the control section for controlling the display section for displaying the image are used. By arranging a plurality of display units in a matrix, it is easy to suppress power consumption, reduce the thickness, increase the definition, and increase the screen size, and the installation location is not limited.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係わる複合表示装置の概
略構成を示すブロック図。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a composite display device according to an embodiment of the present invention.

【図2】複合表示装置をマトリクス配置してディスプレ
イを形成した場合の概略構成を示す図。
FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration in a case where a display is formed by arranging a composite display device in a matrix.

【図3】表示ユニットの構成を示す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a display unit.

【図4】図3の表示ユニットの製造工程を示す工程断面
図。
FIG. 4 is a process cross-sectional view showing a manufacturing process of the display unit in FIG. 3;

【図5】図3の表示ユニットの製造工程を示す工程断面
図。
FIG. 5 is a process cross-sectional view showing a manufacturing process of the display unit in FIG. 3;

【図6】図3の表示ユニットの製造工程を示す工程断面
図。
FIG. 6 is a process cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the display unit in FIG. 3;

【図7】表示ユニットの光信号受光部の概略構成を示す
ブロック図。
FIG. 7 is a block diagram illustrating a schematic configuration of an optical signal receiving unit of the display unit.

【図8】表示ユニットの制御部の概略構成を示すブロッ
ク図。
FIG. 8 is a block diagram showing a schematic configuration of a control unit of the display unit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…画像情報 12…画像情報符号化部 13…光信号発光部 14…複合表示装置 15…表示ユニット 16…光信号受光部 17…制御部 18…表示部 19…光パルス信号 20…ディスプレイ 30…p型シリコン基板 31…素子分離絶縁膜 32…n型ウェル 33…ゲート絶縁膜 34…n型ゲート電極 35…n型拡散層 36…p型ゲート電極 37…p型拡散層 38…フォトダイオードアクセス用n型MOSFET 39…フォトダイオードリセット用n型MOSFET 40…n型MOSFET 41…p型MOSFET 42…表示電極アクセス用n型MOSFET 43…第1の層間絶縁膜 44…プラグ電極 45…下部反射板 46…コンタクト電極 47…配線 48…コンタクト電極 49…第2の層間絶縁膜 50…プラグ電極 51…上部反射板 52…表示電極 53…スペーサ絶縁膜 54…プラグ電極 55…コンタクト電極 56…ダミー電極 57…液晶配向層 58…透明電極 59…プラスチック基板 60…液晶層 62…フォトダイオード 64…キャパシタ DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Image information 12 ... Image information coding part 13 ... Optical signal light emitting part 14 ... Composite display device 15 ... Display unit 16 ... Optical signal light receiving part 17 ... Control part 18 ... Display part 19 ... Light pulse signal 20 ... Display 30 ... P-type silicon substrate 31 Element isolation insulating film 32 N-type well 33 Gate insulating film 34 N-type gate electrode 35 N-type diffusion layer 36 P-type gate electrode 37 P-type diffusion layer 38 Photodiode access n-type MOSFET 39 n-type MOSFET for photodiode reset 40 n-type MOSFET 41 p-type MOSFET 42 n-type MOSFET for display electrode access 43 first interlayer insulating film 44 plug electrode 45 lower reflector 46 Contact electrode 47 ... Wiring 48 ... Contact electrode 49 ... Second interlayer insulating film 50 ... Plug electrode 51 ... On Partial reflector 52 Display electrode 53 Spacer insulating film 54 Plug electrode 55 Contact electrode 56 Dummy electrode 57 Liquid crystal alignment layer 58 Transparent electrode 59 Plastic substrate 60 Liquid crystal layer 62 Photodiode 64 Capacitor

フロントページの続き Fターム(参考) 5C080 AA10 BB06 CC06 CC07 DD07 DD24 DD28 EE29 FF12 FF13 GG09 GG11 JJ02 JJ03 JJ06 5C094 AA05 AA14 AA22 AA43 BA44 BA47 CA19 CA20 CA23 CA30 EA04 EA05 GA01 Continued on the front page F term (reference) 5C080 AA10 BB06 CC06 CC07 DD07 DD24 DD28 EE29 FF12 FF13 GG09 GG11 JJ02 JJ03 JJ06 5C094 AA05 AA14 AA22 AA43 BA44 BA47 CA19 CA20 CA23 CA30 EA04 EA05 GA01

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】画像情報に応じた光信号を送出する光信号
発光部と、 前記光信号を受光する光信号受光部と,受光した光信号
から前記画像情報を復調/復号する制御部と,前記画像
情報に応じた画像を表示する表示部とを含む表示ユニッ
トとを具備し、 複数個の前記表示ユニットがマトリクス配置されている
ことを特徴とする画像表示装置。
An optical signal emitting unit for transmitting an optical signal corresponding to image information; an optical signal receiving unit for receiving the optical signal; a control unit for demodulating / decoding the image information from the received optical signal; A display unit that includes a display unit that displays an image corresponding to the image information, wherein a plurality of the display units are arranged in a matrix.
【請求項2】前記光信号発光部は、前記画像情報がデジ
タル化された光信号を送出することを特徴とする請求項
1に記載の画像表示装置。
2. The image display device according to claim 1, wherein said optical signal light emitting section transmits an optical signal in which said image information is digitized.
【請求項3】各表示ユニットには、それぞれに固有のア
ドレス情報が付与されていることを特徴とする請求項1
に記載の画像表示装置。
3. The display unit according to claim 1, wherein each display unit is provided with unique address information.
An image display device according to claim 1.
【請求項4】前記光信号受光部の前記光信号を受光する
受光面は、前記表示部の画像を表示する面と同一方向を
向いていることを特徴とする請求項1に記載の画像表示
装置。
4. The image display according to claim 1, wherein a light receiving surface of the light signal receiving unit for receiving the optical signal is oriented in the same direction as a surface of the display unit for displaying an image. apparatus.
【請求項5】前記光信号発光部は、前記表示ユニットに
付与された前記アドレス情報と、前記表示ユニットに対
応した画像情報とを少なくとを含む光信号を送出するこ
とを特徴とする請求項3に記載の画像表示装置。
5. The optical signal emitting unit according to claim 1, wherein the optical signal emitting unit transmits an optical signal including at least the address information given to the display unit and image information corresponding to the display unit. 4. The image display device according to 3.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001282187A (en) * 2000-03-31 2001-10-12 Nagoya Electric Works Co Ltd Method for transmitting display data on information display board and information display device using the same
WO2002047053A1 (en) * 2000-12-05 2002-06-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Image display device, method of manufacturing image display device, and image display driver ic
JP2002311855A (en) * 2001-04-10 2002-10-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Display element and manufacturing method therefor
JP2007218989A (en) * 2006-02-14 2007-08-30 Mitsubishi Electric Corp Large-sized video display device
EP1965372A1 (en) * 2005-11-25 2008-09-03 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
JP2009008953A (en) * 2007-06-28 2009-01-15 Kobe Univ Simultaneous control system of device unit

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001282187A (en) * 2000-03-31 2001-10-12 Nagoya Electric Works Co Ltd Method for transmitting display data on information display board and information display device using the same
WO2002047053A1 (en) * 2000-12-05 2002-06-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Image display device, method of manufacturing image display device, and image display driver ic
JP2002311855A (en) * 2001-04-10 2002-10-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Display element and manufacturing method therefor
EP1965372A1 (en) * 2005-11-25 2008-09-03 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
EP1965372A4 (en) * 2005-11-25 2011-04-13 Sharp Kk Display device
JP2007218989A (en) * 2006-02-14 2007-08-30 Mitsubishi Electric Corp Large-sized video display device
JP2009008953A (en) * 2007-06-28 2009-01-15 Kobe Univ Simultaneous control system of device unit

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