JP2000014134A - High voltage power circuit - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、高圧電源回路に関
する。[0001] The present invention relates to a high-voltage power supply circuit.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、高圧電源回路は、図４に示すよう
に構成されている。図４は、従来の高圧電源回路を示す
全体構成図である。図４において、Ｔ1はトランス、Ｑ1
はスイッチング素子としての電界効果トランジスタ（以
下「ＦＥＴ」という）、Ｃ1はコンデンサ、Ｄはダイオ
ード、Ｃは制御回路、CTLはコントロール電圧、Ｖsは検
出電圧、Ｒ0、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は抵抗、Ｖは初期電圧、Ｖ
oは出力電圧、Ｌは負荷である。2. Description of the Related Art Conventionally, a high-voltage power supply circuit is configured as shown in FIG. FIG. 4 is an overall configuration diagram showing a conventional high-voltage power supply circuit. In FIG. 4, T1 is a transformer, Q1
Is a field effect transistor (hereinafter referred to as "FET") as a switching element, C1 is a capacitor, D is a diode, C is a control circuit, CTL is a control voltage, Vs is a detection voltage, R0, R1, R2, R3 are resistors, V Is the initial voltage, V
o is an output voltage and L is a load.
【０００３】トランスＴ1は、１次巻線の一端が所定電
圧２４Ｖに接続され、他端がＦＥＴＱ1のドレンに接続
され、当該ＦＥＴＱ1のソースは、接地され、ドレンと
ソース間にコンデンサＣ1が接続されている。トランス
Ｔ1の２次巻線の一端は、ダイオードＤ、抵抗Ｒ0を介し
て出力端子Ｔに接続され、ダイオードＤのカソード側と
２次巻線の他端との間にはコンデンサＣ0が接続され、
且つ当該２次巻線の他端は、接地されている。ダイオー
ドＤのカソードと抵抗Ｒ0との接続点とアースとの間に
は、抵抗Ｒ1、Ｒ2、初期電圧Ｖの直列回路が接続されて
いる。制御回路Ｃは、入力側がコントロール電圧CTLに
接続され、出力側が抵抗Ｒ3を介してＦＥＴＱ1のゲート
に接続され、更に抵抗Ｒ1とＲ2との接続点に接続されて
いる。そして、出力端子Ｔに負荷Ｌが接続されている。In the transformer T1, one end of the primary winding is connected to a predetermined voltage of 24V, the other end is connected to the drain of the FET Q1, the source of the FET Q1 is grounded, and the capacitor C1 is connected between the drain and the source. ing. One end of the secondary winding of the transformer T1 is connected to the output terminal T via a diode D and a resistor R0, and a capacitor C0 is connected between the cathode side of the diode D and the other end of the secondary winding.
The other end of the secondary winding is grounded. A series circuit of the resistors R1, R2 and the initial voltage V is connected between the connection point between the cathode of the diode D and the resistor R0 and the ground. The control circuit C has an input connected to the control voltage CTL, an output connected to the gate of the FET Q1 via the resistor R3, and further connected to a connection point between the resistors R1 and R2. The load L is connected to the output terminal T.
【０００４】この高圧電源回路は、電圧共振による高圧
電源であり、制御回路Ｃは、コントロール電圧CTLと検
出電圧Ｖsとを比較して、２つの電圧が等しくなるよう
にＦＥＴＱ1をスイッチングする。The high-voltage power supply circuit is a high-voltage power supply based on voltage resonance. The control circuit C compares the control voltage CTL with the detection voltage Vs and switches the FET Q1 so that the two voltages become equal.
【０００５】以上の制御によって電圧Ｖo'は、 Ｖo'＝(Ｒ1＋Ｒ2)(CTL−Ｖ)／Ｒ2＋Ｖ となり、負荷ＬのインピーダンスをZLとすると、ZL≫Ｒ
0のとき、 Ｖo≒Ｖo' として出力電圧Ｖoを制御することが可能となる。With the above control, the voltage Vo 'is as follows: Vo' = (R1 + R2) (CTL-V) / R2 + V. If the impedance of the load L is ZL, ZL≫R
When 0, the output voltage Vo can be controlled as Vo 電 圧 Vo '.
【０００６】また、負荷Ｌが短絡した場合の保護として
出力部に抵抗Ｒ0を接続している。この抵抗Ｒ0によっ
て、負荷短絡時に流れる電流を制限している。この抵抗
Ｒ0を選ぶ際、負荷短絡時に流れる電流（Ｖo'／Ｒ0）で
消費される電力（Ｖo'２/Ｒ0）を考慮する必要がある。Further, a resistor R0 is connected to the output section for protection in the case where the load L is short-circuited. The resistance R0 limits the current flowing when the load is short-circuited. When selecting the resistor R0, it is necessary to consider the power (Vo'2 / R0) consumed by the current (Vo '/ R0) flowing when the load is short-circuited.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の高圧電源回路では、負荷ＬのインピーダンスZLが小
さく、ZL≫Ｒ0が成立しない場合、出力電圧Ｖoは、 Ｖo＝(ZL／(Ｒ0＋ZL))Ｖo’ となり、上式を考慮してＶo’を必要な出力電圧よりも
高い電圧にしなくてはならなくなるため、余計に高い能
力の高圧電源が必要とされてしまう。更に負荷Ｌのイン
ピーダンスZLが変動するとこれに伴い出力電圧Ｖoも変
動してしまうような負荷変動に弱い系になってしまう。However, in the conventional high-voltage power supply circuit, when the impedance ZL of the load L is small and ZL≫R0 does not hold, the output voltage Vo becomes Vo = (ZL / (R0 + ZL)) Vo. In consideration of the above equation, Vo 'must be set to a voltage higher than the required output voltage, so that a high-voltage power supply with an extra high capacity is required. Further, when the impedance ZL of the load L fluctuates, the output voltage Vo fluctuates with the fluctuation, resulting in a system that is vulnerable to load fluctuation.
【０００８】本発明は、上述の点に鑑みてなされたもの
で、負荷のインピーダンスが小さい場合にも必要以上に
高い電圧を出力する必要もなく、負荷短絡時には回路を
停止させて保護するようにした高圧電源回路を提供する
ことを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and it is not necessary to output an unnecessarily high voltage even when the load impedance is small. It is an object of the present invention to provide a high-voltage power supply circuit.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項１に係わる高圧電源回路は、コント
ロール信号によって出力値が可変の高圧電源回路におい
て、出力インピーダンスが小さく、出力電圧を検出電圧
として検出する手段と、前記検出電圧と基準電圧とを比
較する手段と、前記検出電圧が前記基準電圧よりも低い
値になった場合に負荷短絡と判断して高圧出力を停止さ
せる手段とを備えることを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a high voltage power supply circuit having a low output impedance and a low output voltage in a high voltage power supply circuit whose output value is variable by a control signal. Means for detecting the detection voltage as a detection voltage, means for comparing the detection voltage with a reference voltage, and means for judging that the load is short-circuited and stopping the high-voltage output when the detection voltage becomes lower than the reference voltage. And characterized in that:
【００１０】請求項２に係わる高圧電源回路は、請求項
１に係わる高圧電源回路において、前記基準電圧は、正
常時の高圧停止状態での検出電圧よりも低く、負荷短絡
時の検出電圧よりも高い電圧であることを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in the high voltage power supply circuit according to the first aspect, the reference voltage is lower than a detection voltage in a normal high voltage stop state and lower than a detection voltage in a load short circuit. It is characterized by a high voltage.
【００１１】請求項３に係わる高圧電源回路は、ＯＮ／
ＯＦＦ信号によって高圧出力のＯＮ／ＯＦＦのみを行う
高圧電源回路において、出力インピーダンスが小さく、
出力電圧を検出電圧として検出する手段と、前記検出電
圧と基準電圧とを比較する手段と、前記検出電圧が前記
基準電圧よりも低い値になった場合に負荷短絡と判断し
て高圧出力を停止させる手段とを備えることを特徴とす
る。The high-voltage power supply circuit according to claim 3 is an ON / OFF circuit.
In a high-voltage power supply circuit that performs only ON / OFF of a high-voltage output by an OFF signal, the output impedance is small,
Means for detecting the output voltage as a detection voltage; means for comparing the detection voltage with a reference voltage; and when the detection voltage becomes a value lower than the reference voltage, it is determined that a load short circuit has occurred and the high-voltage output is stopped. And means for causing it to operate.
【００１２】請求項４に係わる高圧電源回路は、請求項
３に係わる高圧電源回路において、前記基準電圧は、正
常時の高圧停止状態での検出電圧よりも低く、負荷短絡
時の検出電圧よりも高い電圧であることを特徴とする。A high-voltage power supply circuit according to a fourth aspect of the present invention is the high-voltage power supply circuit according to the third aspect, wherein the reference voltage is lower than a detection voltage in a normal high-voltage stop state, and is lower than a detection voltage when a load is short-circuited. It is characterized by a high voltage.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００１４】（第１の実施の形態）図１は、本発明に係
る高圧電源回路の第１の実施の形態を示す全体構成図で
ある。尚、図１に示す高圧電源回路において図４に示す
高圧電源回路と同一の構成要素には同一の符号を付して
ある。図１において、Ｔ1はトランス、Ｑ1はＦＥＴ、Ｃ
0、Ｃ1はコンデンサ、Ｄはダイオード、Ｃは制御回路、C
TLはコントロール電圧、Ｖsは検出電圧、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3
は抵抗、Ｖは初期電圧、Ｖoは出力電圧、Ｌは負荷、Ｑ2
はコンパレータ、Ｖrは基準電圧、Ｔr1はトランジスタ
である。ダイオードＤは、カソード側が出力端子Ｔに接
続されており、抵抗Ｒ1とＲ2との接続点は、制御回路Ｃ
の入力側に接続されると共にコンパレータＱ2の反転入
力側に接続されている。コンパレータＱ2の非反転入力
側は基準電圧Ｖrが接続されており、出力側はトランジ
スタＴr1のベースに接続されている。トランジスタＴr1
のコレクタはコントロール電圧CTLに接続され、エミッ
タは接地されている。(First Embodiment) FIG. 1 is an overall configuration diagram showing a first embodiment of a high-voltage power supply circuit according to the present invention. In the high-voltage power supply circuit shown in FIG. 1, the same components as those in the high-voltage power supply circuit shown in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals. In FIG. 1, T1 is a transformer, Q1 is an FET, C
0, C1 is a capacitor, D is a diode, C is a control circuit, C
TL is the control voltage, Vs is the detection voltage, R1, R2, R3
Is a resistor, V is an initial voltage, Vo is an output voltage, L is a load, Q2
Is a comparator, Vr is a reference voltage, and Tr1 is a transistor. The diode D has a cathode connected to the output terminal T, and a connection point between the resistors R1 and R2 is connected to the control circuit C.
And to the inverting input of the comparator Q2. The non-inverting input side of the comparator Q2 is connected to the reference voltage Vr, and the output side is connected to the base of the transistor Tr1. Transistor Tr1
Is connected to the control voltage CTL, and the emitter is grounded.
【００１５】以下に回路動作を説明する。The operation of the circuit will be described below.
【００１６】この高圧電源回路は、電圧共振による高圧
電源であり、制御回路Ｃは、コントロール電圧CTLと検
出電圧Ｖsとを比較し、２つの電圧が等しくなるように
ＦＥＴＱ1をスイッチングする。This high-voltage power supply circuit is a high-voltage power supply based on voltage resonance. The control circuit C compares the control voltage CTL with the detection voltage Vs, and switches the FET Q1 so that the two voltages become equal.
【００１７】以上の制御によって、出力電圧Ｖoは、 Ｖo＝(Ｒ1＋Ｒ2)(CTL−Ｖ）／Ｒ2＋Ｖ となり、コントロール電圧CTLを高くすると、出力電圧
Ｖoも高くなるような構成になっている。By the above control, the output voltage Vo becomes Vo = (R1 + R2) (CTL-V) / R2 + V, and the higher the control voltage CTL, the higher the output voltage Vo.
【００１８】ここで、負荷ＬのインピーダンスをZLとす
ると、正常時の検出電圧Ｖsの最低値Ｖs'は（高圧出力
停止時）、 Ｖs'＝((Ｒ1＋ZL)／（Ｒ1＋Ｒ2＋ZL))Ｖ となるが、負荷短絡時の検出電圧Ｖs″は、 Ｖs″＝(Ｒ1／(Ｒ1＋Ｒ2))Ｖ＜Ｖs' となる。Here, assuming that the impedance of the load L is ZL, the minimum value Vs 'of the detection voltage Vs in the normal state (when the high-voltage output is stopped) is as follows: Vs' = ((R1 + ZL) / (R1 + R2 + ZL)) V The detection voltage Vs "at the time of load short circuit is as follows: Vs" = (R1 / (R1 + R2)) V <Vs'.
【００１９】前記関係式を基に、図１中の基準電圧Ｖr
は、 Ｖs″＜Ｖr＜Ｖs' と決める。Based on the above relational expression, the reference voltage Vr in FIG.
Is determined as Vs ″ <Vr <Vs ′.
【００２０】以上のように基準電圧Ｖrを決めると、通
常検出電圧Ｖsは、 Ｖs≧Ｖs' であり、負荷短絡時の検出電圧Ｖsは、 Ｖs＝Ｖs″ となるので、コンパレータＱ2によって検出電圧Ｖsと基
準電圧Ｖrとを比較し、 Ｖs＜Ｖr となった場合、負荷短絡と判断することが出来る。When the reference voltage Vr is determined as described above, the normal detection voltage Vs is Vs ≧ Vs', and the detection voltage Vs when the load is short-circuited is Vs = Vs ″. Is compared with the reference voltage Vr. If Vs <Vr, it can be determined that the load is short-circuited.
【００２１】コンパレータＱ2は、負荷短絡と判断する
と、トランジスタＴr1をＯＮし、コントロール電圧CTL
を０Ｖにして制御回路Ｃを停止させ、強制的に高圧出力
を停止させる。この状態は、負荷短絡中維持され、負荷
短絡が回避されると自動的に復帰する。When the comparator Q2 determines that the load is short-circuited, it turns on the transistor Tr1 and sets the control voltage CTL
To 0 V to stop the control circuit C and forcibly stop the high voltage output. This state is maintained during the load short circuit, and is automatically restored when the load short circuit is avoided.
【００２２】このように出力インピーダンスを小さく
し、検出電圧Ｖsと基準電圧ＶrとをコンパレータＱ2で
比較し、検出電圧Ｖsが基準電圧Ｖrよりも低くなった場
合に高圧出力を停止させて負荷短絡時の保護を行う。As described above, the output impedance is reduced, and the detection voltage Vs is compared with the reference voltage Vr by the comparator Q2. When the detection voltage Vs becomes lower than the reference voltage Vr, the high-voltage output is stopped and the load is short-circuited. To protect
【００２３】このような構成とすることで、負荷Ｌのイ
ンピーダンスZLが小さい場合にも出力インピーダンスが
小さいために出力インピーダンスで電圧が降下すること
もなく、負荷短絡時には高圧出力を停止させ、負荷短絡
時の回路の保護を行うことができる。With such a configuration, even when the impedance ZL of the load L is small, the output impedance is small, so that the voltage does not drop due to the output impedance. The protection of the circuit at the time can be performed.
【００２４】（第２の実施の形態）図２は、本発明に係
る高圧電源回路の第２の実施の形態を示す全体構成図で
ある。図２に示す高圧電源回路は、図１に示す高圧電源
回路を一部変更したものである。図２においてＴ1はト
ランス、Ｑ1はＦＥＴ、Ｃ0、Ｃ1はコンデンサ、Ｄはダイ
オード、Ｃは制御回路、CTLはコントロール電圧、Ｖsは
検出電圧、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は抵抗、Ｖは初期電圧、Ｖoは
出力電圧、Ｌは負荷、Ｑ2はコンパレータ、Ｖrは基準電
圧、Ｔr1はトランジスタであり、更に高圧用ダイオード
Ｄ1が追加されている。ダイオードＤ1は、カソードが回
路の出力端子Ｔに、アノードが抵抗Ｒ1と抵抗Ｒ2との接
続点に接続されている。(Second Embodiment) FIG. 2 is an overall configuration diagram showing a high voltage power supply circuit according to a second embodiment of the present invention. The high-voltage power supply circuit shown in FIG. 2 is a partial modification of the high-voltage power supply circuit shown in FIG. In FIG. 2, T1 is a transformer, Q1 is a FET, C0 and C1 are capacitors, D is a diode, C is a control circuit, CTL is a control voltage, Vs is a detection voltage, R1, R2, R3 are resistors, V is an initial voltage, Vo Is an output voltage, L is a load, Q2 is a comparator, Vr is a reference voltage, Tr1 is a transistor, and a high voltage diode D1 is further added. The diode D1 has a cathode connected to the output terminal T of the circuit and an anode connected to a connection point between the resistors R1 and R2.
【００２５】この高圧電源回路は、図１に示す高圧電源
回路と同様に電圧共振による高圧電源であり、制御回路
Ｃは、コントロール電圧CTLと検出電圧Ｖsとを比較し、
２つの電圧が等しくなるようにＦＥＴＱ1をスイッチン
グする。This high-voltage power supply circuit is a high-voltage power supply based on voltage resonance similarly to the high-voltage power supply circuit shown in FIG. 1, and the control circuit C compares the control voltage CTL with the detection voltage Vs.
The FET Q1 is switched so that the two voltages are equal.
【００２６】以上の制御によって、出力電圧Ｖoは、 Ｖo＝(Ｒ1＋Ｒ2)(CTL−Ｖ)／Ｒ2＋Ｖ となり、第１の実施の形態と同様にコントロール電圧CT
Lを高くすると、出力電圧Ｖoも高くなるような構成にな
っている。With the above control, the output voltage Vo becomes Vo = (R1 + R2) (CTL-V) / R2 + V, and the control voltage CT is the same as in the first embodiment.
When L is increased, the output voltage Vo is also increased.
【００２７】そして、高圧用ダイオードＤ1を理想的な
ダイオードとし、負荷ＬのインピーダンスをZLとする
と、正常時の検出電圧Ｖsの最低値Ｖs'（高圧出力時）
は、 Ｖs'＝(ZL／(Ｒ2＋ZL))／Ｖ となるが、負荷短絡時の検出電圧Ｖs″は、 Ｖs″＝０＜Ｖs' となる。Assuming that the high-voltage diode D1 is an ideal diode and the impedance of the load L is ZL, the minimum value Vs' of the normal detection voltage Vs (at the time of high-voltage output)
Is Vs '= (ZL / (R2 + ZL)) / V, but the detection voltage Vs "when the load is short-circuited is Vs" = 0 <Vs'.
【００２８】この第２の実施の形態では、正常時の検出
電圧Ｖsの最低値Ｖs'と負荷短絡時の検出電圧Ｖs″の差
が大きくなるため、基準電圧Ｖrの精度を緩めることが
でき、負荷ＬのインピーダンスZLのばらつきに対しても
強くなる。In the second embodiment, the difference between the minimum value Vs 'of the normal detection voltage Vs' and the detection voltage Vs "when the load is short-circuited becomes large, so that the accuracy of the reference voltage Vr can be relaxed. It also becomes strong against variations in the impedance ZL of the load L.
【００２９】（第３の実施の形態）図３は、本発明に係
る高圧電源回路の第３の実施の形態を示す全体構成図で
ある。この高圧電源回路は、出力電圧が可変ではなく一
定電圧の場合の構成図である。図３において、Ｔ1はト
ランス、Ｑ1はＦＥＴ、Ｃ0、Ｃ1はコンデンサ、Ｄはダイ
オード、Ｄ1は高圧用ダイオード、Ｃは制御回路、ＯＮ
／ＯＦＦは制御回路ＣのＯＮ／ＯＦＦ信号、Ｖsは検出
電圧、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は抵抗、Ｖは初期電圧、Ｖoは出力
電圧、Ｌは負荷、Ｑ2はコンパレータ、Ｖrは基準電圧、
Ｔr1はトランジスタである。図２に示す高圧電源回路と
異なる点は、制御回路Ｃの入力信号としてコントロール
電圧CTLに代えてＯＮ／ＯＦＦ信号とした点である。(Third Embodiment) FIG. 3 is an overall configuration diagram showing a high voltage power supply circuit according to a third embodiment of the present invention. This high-voltage power supply circuit is a configuration diagram when the output voltage is not variable but constant. In FIG. 3, T1 is a transformer, Q1 is a FET, C0 and C1 are capacitors, D is a diode, D1 is a high voltage diode, C is a control circuit, and ON is
/ OFF is an ON / OFF signal of the control circuit C, Vs is a detection voltage, R1, R2, R3 are resistors, V is an initial voltage, Vo is an output voltage, L is a load, Q2 is a comparator, Vr is a reference voltage,
Tr1 is a transistor. The difference from the high-voltage power supply circuit shown in FIG. 2 is that an ON / OFF signal is used as an input signal of the control circuit C instead of the control voltage CTL.
【００３０】この高圧電源回路は、第１の実施の形態の
高圧電源回路と同様に電圧共振による高圧電源であり、
制御回路Ｃは、ＯＮ／ＯＦＦ信号がＨigh（ハイ）のと
きに動作し、Ｌow（ロー）のときに停止する。This high-voltage power supply circuit is a high-voltage power supply based on voltage resonance similarly to the high-voltage power supply circuit of the first embodiment.
The control circuit C operates when the ON / OFF signal is High (High) and stops when the ON / OFF signal is Low (Low).
【００３１】そして、高圧用ダイオードＤ1を理想的な
ダイオードとし、負荷ＬのインピーダンスをZLとする
と、正常時の検出電圧Ｖsの最低値Ｖs'は（高圧出力停
止時）、 Ｖs'＝(ZL／(Ｒ2＋ZL))Ｖ となるが、負荷短絡時の検出電圧Ｖs″は、 Ｖs″＝０＜Ｖs' となる。Assuming that the high voltage diode D1 is an ideal diode and the impedance of the load L is ZL, the minimum value Vs 'of the normal detection voltage Vs (when the high voltage output is stopped) is as follows: Vs' = (ZL / (R2 + ZL)) V, but the detection voltage Vs "when the load is short-circuited is Vs" = 0 <Vs'.
【００３２】従って、Ｖs″＜Ｖr＜Ｖs'とし、コンパレ
ータＱ2で検出電圧Ｖsと基準電圧Ｖrとを比較し、Ｖs＜
Ｖrとなった場合に、負荷短絡と判断し、トランジスタ
Ｔr1をＯＮし、ＯＮ／ＯＦＦ信号をＬowにし、制御回路
Ｃを強制的に停止させる。Therefore, Vs "<Vr <Vs', and the comparator Q2 compares the detection voltage Vs with the reference voltage Vr, and determines that Vs <
When the voltage becomes Vr, it is determined that the load is short-circuited, the transistor Tr1 is turned on, the ON / OFF signal is set to Low, and the control circuit C is forcibly stopped.
【００３３】[0033]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
負荷のインピーダンスが低い場合に出力インピーダンス
を小さくし、検出電圧がある決められた基準電圧より低
くなった場合に高圧出力を強制的に停止させる構成とす
ることで、出力インピーダンスによる電圧降下を防ぎ、
更に負荷短絡時に高圧出力を停止させ、負荷短絡時に回
路の保護を行うことが可能となる。As described above, according to the present invention,
When the impedance of the load is low, the output impedance is reduced, and when the detected voltage becomes lower than a predetermined reference voltage, the high-voltage output is forcibly stopped to prevent a voltage drop due to the output impedance,
Further, it is possible to stop the high voltage output when the load is short-circuited and to protect the circuit when the load is short-circuited.
【図１】本発明に係る高圧電源回路の第１の実施の形態
を示す全体構成図である。FIG. 1 is an overall configuration diagram showing a first embodiment of a high-voltage power supply circuit according to the present invention.
【図２】本発明に係る高圧電源回路の第２の実施の形態
を示す全体構成図である。FIG. 2 is an overall configuration diagram showing a high-voltage power supply circuit according to a second embodiment of the present invention.
【図３】本発明に係る高圧電源回路の第３の実施の形態
を示す全体構成図である。FIG. 3 is an overall configuration diagram showing a third embodiment of the high-voltage power supply circuit according to the present invention.
【図４】従来の高圧電源回路を示す全体構成図である。FIG. 4 is an overall configuration diagram showing a conventional high-voltage power supply circuit.
Ｔ1 トランス Ｑ1 ＦＥＴ（電界効果トランジスタ） Ｃ 制御回路 Ｌ 負荷 Ｑ2 コンパレータ Ｔr1 トランジスタ Ｖo 出力電圧 Ｖr 基準電圧 Ｖs 検出電圧 CTL コントロール電圧 T1 transformer Q1 FET (field effect transistor) C control circuit L load Q2 comparator Tr1 transistor Vo output voltage Vr reference voltage Vs detection voltage CTL control voltage
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5H420 BB12 CC02 DD02 EA14 EB04 EB18 EB37 FF03 FF25 LL03 5H430 BB01 BB09 BB11 BB20 EE06 FF02 FF13 GG08 HH03 LA04 LA13 LB06 5H730 AA20 BB43 BB57 BB72 DD04 EE02 EE07 FD01 XX03 XX11 XX13 XX23 XX33 XX42 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5H420 BB12 CC02 DD02 EA14 EB04 EB18 EB37 FF03 FF25 LL03 5H430 BB01 BB09 BB11 BB20 EE06 FF02 FF13 GG08 HH03 LA04 LA13 LB06 5H730 AA20 BB43 BB57 XX33 XXXXX XX42
Claims (4)
の高圧電源回路において、 出力インピーダンスが小さく、出力電圧を検出電圧とし
て検出する手段と、前記検出電圧と基準電圧とを比較す
る手段と、 前記検出電圧が前記基準電圧よりも低い値になった場合
に負荷短絡と判断して高圧出力を停止させる手段とを備
えることを特徴とする高圧電源回路。1. A high voltage power supply circuit whose output value is variable by a control signal, means for detecting an output voltage as a detection voltage having a small output impedance, means for comparing the detection voltage with a reference voltage, Means for judging a load short circuit and stopping the high voltage output when the value of the reference voltage becomes lower than the reference voltage.
での検出電圧よりも低く、負荷短絡時の検出電圧よりも
高い電圧であることを特徴とする請求項１項に記載の高
圧電源回路。2. The high-voltage power supply according to claim 1, wherein the reference voltage is lower than a detection voltage in a normal high-voltage stop state and higher than a detection voltage when a load is short-circuited. circuit.
Ｎ／ＯＦＦのみを行う高圧電源回路において、 出力インピーダンスが小さく、出力電圧を検出電圧とし
て検出する手段と、 前記検出電圧と基準電圧とを比較する手段と、 前記検出電圧が前記基準電圧よりも低い値になった場合
に負荷短絡と判断して高圧出力を停止させる手段とを備
えることを特徴とする高圧電源回路。3. A high voltage output O by an ON / OFF signal.
A high-voltage power supply circuit that performs only N / OFF, a unit that has a small output impedance and detects the output voltage as a detection voltage, a unit that compares the detection voltage with a reference voltage, and the detection voltage is lower than the reference voltage. Means for judging a load short circuit and stopping the high voltage output when the value becomes a value.
での検出電圧よりも低く、負荷短絡時の検出電圧よりも
高い電圧であることを特徴とする請求項３項に記載の高
圧電源回路。4. The high-voltage power supply according to claim 3, wherein the reference voltage is lower than a detection voltage in a normal high-voltage stop state and higher than a detection voltage when a load is short-circuited. circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10185716A JP2000014134A (en) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | High voltage power circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10185716A JP2000014134A (en) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | High voltage power circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000014134A true JP2000014134A (en) | 2000-01-14 |
Family
ID=16175611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10185716A Pending JP2000014134A (en) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | High voltage power circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000014134A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001359273A (en) * | 2000-06-14 | 2001-12-26 | Toshiba Corp | Power supply apparatus and information processing apparatus using the power supply apparatus |
| US7750659B2 (en) | 2007-10-29 | 2010-07-06 | Elpida Memory, Inc. | Voltage detecting circuit and semiconductor device including the same |
-
1998
- 1998-06-17 JP JP10185716A patent/JP2000014134A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001359273A (en) * | 2000-06-14 | 2001-12-26 | Toshiba Corp | Power supply apparatus and information processing apparatus using the power supply apparatus |
| US7750659B2 (en) | 2007-10-29 | 2010-07-06 | Elpida Memory, Inc. | Voltage detecting circuit and semiconductor device including the same |
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