JP2000007780A - Antistatic polyamide resin - Google Patents
Antistatic polyamide resinInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、静電防止のポリア
ミド樹脂に関するもので、とくに、末端にアミノ基を有
するポリエーテル類の化合物と二塩基酸とを反応させて
得られる効果持続性の静電防止剤であるポリアミド樹脂
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an antistatic polyamide resin, and more particularly to a polyether compound having a terminal amino group and a dibasic acid, which has a long-lasting effect. It relates to a polyamide resin which is an antistatic agent.
【0002】[0002]
【従来の技術】高分子材料は、静電防止剤の添加により
静電防止特性を付与するのが一般的であり、静電防止剤
は、従来からある界面活性剤型の低分子量型のものと、
その他高分子量型のものとに大別できる。一般に、低分
子量型の静電防止剤の場合、高分子材料との相溶性が小
さいため、高分子材料の表面にマイグレーションし、表
面特性を低下させる原因となり易い。このほか、拭き取
りや洗浄などにより表面が離脱し易く、高分子材料の静
電防止特性の低下さらには喪失を引き起こす。一方、高
分子量型の静電防止剤の場合、静電防止剤自体がポリマ
ーであるため、高分子材料との相溶性が大きく、マイグ
レーションなどの問題は生じない。また、拭き取りや洗
浄などが原因で静電防止特性が低下することはほとんど
なく、したがって耐久性にも優れている。2. Description of the Related Art A polymer material generally imparts an antistatic property by adding an antistatic agent, and the antistatic agent is a conventional surfactant type low molecular weight type. When,
It can be roughly classified into other high molecular weight types. Generally, in the case of a low molecular weight type antistatic agent, since it has low compatibility with a polymer material, it is likely to migrate to the surface of the polymer material and cause a deterioration in surface characteristics. In addition, the surface is easily detached by wiping, washing, or the like, which causes deterioration or even loss of the antistatic properties of the polymer material. On the other hand, in the case of a high molecular weight type antistatic agent, since the antistatic agent itself is a polymer, compatibility with a polymer material is large, and problems such as migration do not occur. Further, the antistatic properties hardly deteriorate due to wiping, washing, and the like, and therefore, the durability is excellent.
【0003】ポリエステル高分子材料によく使用される
高分子量型の静電防止剤は、およそ二種類に大別でき
る。一つ目は、高分子量のスルホン酸塩類またはポリ酸
化エチレンをポリエステルに塗布または添加し、静電防
止のポリエステルを得る方法である。たとえば、米国特
許明細書第5,194,327号および第5,182,
169号では、スルホン酸塩の高分子量型静電防止剤を
ポリエステル表面に塗布することにより、低分子量型静
電防止剤の使用時に見られる不透明または表面に塊状が
できるなどの欠点を改善し、静電防止特性の増進を図っ
ている。また、米国特許5,262,460号では、分
子量が5000〜16000(g/モル)のポリ酸化エ
チレンをPETと混練することにより静電防止樹脂を得
ており、米国特許明細書第5,010,193号では、
分子量2000〜50000(g/モル)のポリ酸化エ
チレン共重合体をPETと混練することにより、相溶性
および静電防止特性の増進を図っている。[0003] High molecular weight antistatic agents often used in polyester polymer materials can be roughly classified into two types. The first is a method of applying or adding a high molecular weight sulfonate or polyethylene oxide to a polyester to obtain an antistatic polyester. For example, U.S. Patent Nos. 5,194,327 and 5,182,
No. 169, the application of a high molecular weight antistatic agent of a sulfonate to the polyester surface improves the disadvantages such as opacity or clumping of the surface which are observed when using a low molecular weight antistatic agent, The antistatic property is improved. In U.S. Pat. No. 5,262,460, an antistatic resin is obtained by kneading polyethylene oxide having a molecular weight of 5,000 to 16,000 (g / mol) with PET. , 193,
By kneading a polyethylene oxide copolymer having a molecular weight of 2,000 to 50,000 (g / mol) with PET, compatibility and antistatic properties are enhanced.
【0004】もう一つは、ポリ酸化エチレンまたはスル
ホン酸塩によりポリエステルの親水性を改質し、静電防
止のポリエステルを得る方法である。たとえば、米国特
許明細書第5,130,073号、第5,064,70
3号、第4,713,194号、および第4,506,
070号では、ポリ酸化エチレンとポリエステルとを共
重合させてポリエステルの親水性改質を図っているが、
ポリ酸化エチレンと二塩基酸との反応が不完全であるた
め、高分子量の静電防止剤を形成しにくいという欠点が
ある。また、米国特許明細書第4,943,510号、
第5,051,475号、および第4,468,433
号では、スルホン酸塩類を含有したフタル酸とポリエス
テルとを共重合させてポリエステルの親水性改質を図っ
ているが、こうして得られた静電防止剤は、静電防止特
性に優れないうえ高分子材料の物性低下の原因となる。Another method is to modify the hydrophilicity of the polyester with ethylene oxide or a sulfonate to obtain an antistatic polyester. For example, US Pat. Nos. 5,130,073 and 5,064,70
Nos. 4,713,194 and 4,506.
In No. 070, poly (ethylene oxide) and polyester are copolymerized to improve the hydrophilicity of polyester.
Since the reaction between poly (ethylene oxide) and the dibasic acid is incomplete, there is a disadvantage that it is difficult to form a high molecular weight antistatic agent. Also, U.S. Pat. No. 4,943,510,
Nos. 5,051,475 and 4,468,433
In JP-A No. 195/1995, phthalic acid containing sulfonic acid salts is copolymerized with polyester to improve the hydrophilicity of polyester, but the antistatic agent obtained in this way has not only excellent antistatic properties but also high It causes the deterioration of the physical properties of the molecular material.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明
は、効果持続性の高分子量型静電防止剤であるポリアミ
ド樹脂を提供し、公知の静電防止剤に見られる欠点を改
善することを主な目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention provides a polyamide resin which is a long-acting high molecular weight antistatic agent, and has as its object to improve the drawbacks of known antistatic agents. Purpose.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、分
子構造が、That is, according to the present invention, the molecular structure is
【0007】[0007]
【化8】 Embedded image
【0008】(ここで、R1は水素、メチル、または炭
素数が2〜20の炭化水素の分子鎖であり、aとbの和
は0〜45であり、Raはフェニレン、または炭素数が
1〜20の炭化水素の分子鎖であり、Rbは(Where R 1 is hydrogen, methyl, or a molecular chain of a hydrocarbon having 2 to 20 carbon atoms, the sum of a and b is 0 to 45, and Ra is phenylene or carbon number. Is a hydrocarbon molecular chain of 1 to 20, and R b is
【0009】[0009]
【化9】 Embedded image
【0010】(ここで、cは1〜45の数値である)、
または炭素数が2〜50の炭化水素の分子鎖である)で
表される静電防止ポリアミド樹脂に関する。(Where c is a numerical value from 1 to 45),
Or a hydrocarbon chain having 2 to 50 carbon atoms).
【0011】[0011]
【発明の実施の形態】本発明は、DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【0012】[0012]
【化10】 Embedded image
【0013】で表されるようなポリアミド樹脂を提供す
る。ここで、R1は水素、メチル、または炭素数が2〜
20の炭化水素の分子鎖であり、aとbの和は0〜45
であり、Raはフェニレン、または炭素数が1〜20の
炭化水素の分子鎖であり、RbはThere is provided a polyamide resin represented by the formula: Here, R 1 is hydrogen, methyl, or having 2 to 2 carbon atoms.
20 hydrocarbon chains, and the sum of a and b is 0 to 45
R a is phenylene or a hydrocarbon chain having 1 to 20 carbon atoms, and R b is
【0014】[0014]
【化11】 Embedded image
【0015】(ここで、cはおよそ1〜45の数値であ
る)、または炭素数が2〜50の炭化水素の分子鎖であ
る。(Where c is a numerical value of about 1 to 45), or a hydrocarbon chain having 2 to 50 carbon atoms.
【0016】本発明の第一の特徴は、前記静電防止ポリ
アミド樹脂中のRaがフェニレンのとき、R1はメチル、
RbはA first feature of the present invention is that when Ra in the antistatic polyamide resin is phenylene, R 1 is methyl,
R b is
【0017】[0017]
【化12】 Embedded image
【0018】(ここで、cは1〜45の数値である)で
あることが好ましい点にある。(Where c is a numerical value from 1 to 45).
【0019】本発明の第二の特徴は、前記静電防止ポリ
アミド樹脂中のRaがブチレンのとき、R1はメチル、R
bはA second feature of the present invention is that when Ra in the antistatic polyamide resin is butylene, R 1 is methyl, R
b is
【0020】[0020]
【化13】 Embedded image
【0021】(ここで、cはおよそ1〜45の数値であ
る)であることが好ましい点にある。(Where c is a numerical value of about 1 to 45).
【0022】本発明の第三の特徴は、前記静電防止ポリ
アミド樹脂中のRaがオクタメチレンのとき、R1はメチ
ル、RbはA third feature of the present invention is that when Ra in the antistatic polyamide resin is octamethylene, R 1 is methyl and R b is
【0023】[0023]
【化14】 Embedded image
【0024】(ここで、cはおよそ1〜45の数値であ
る)であることが好ましい点にある。(Where c is a numerical value of about 1 to 45).
【0025】本発明によるポリアミド樹脂の典型的な製
造方法は、末端にアミノ基を含有するポリアミノ化合
物、および二塩基酸または二塩基酸の誘導体を、不活性
ガスのもと、180〜250℃の温度で2〜3時間反応
させ、静電防止特性を有したポリアミド樹脂を得るもの
である。ここで、反応温度は200〜230℃であるこ
とがとくに好ましい。A typical method for producing a polyamide resin according to the present invention is to prepare a polyamino compound having an amino group at a terminal and a dibasic acid or a derivative of a dibasic acid at 180 to 250 ° C. under an inert gas. The reaction is carried out at a temperature for 2 to 3 hours to obtain a polyamide resin having antistatic properties. Here, the reaction temperature is particularly preferably from 200 to 230 ° C.
【0026】末端にアミノ基を含有したポリアミノ化合
物の分子構造は、The molecular structure of the polyamino compound having an amino group at the terminal is
【0027】[0027]
【化15】 Embedded image
【0028】を含有し、またはContaining, or
【0029】[0029]
【化16】 Embedded image
【0030】、NH2−R2−NH2、もしくは両者の混
合物をさらに含有することも可能である。ここで、R1
は水素、メチル、または炭素数が2〜20の炭化水素の
分子鎖であり、aとbの和は0〜45であり、cは1〜
45の数値を取り、R2は炭素数が2〜50の炭化水素
の分子鎖である。It is also possible to further contain NH 2 —R 2 —NH 2 or a mixture of both. Where R 1
Is a molecular chain of hydrogen, methyl, or a hydrocarbon having 2 to 20 carbon atoms, the sum of a and b is 0 to 45, and c is 1 to
Taking a numerical value of 45, R 2 is a hydrocarbon molecular chain having 2 to 50 carbon atoms.
【0031】本発明で使用する二塩基酸または二塩基酸
の誘導体の分子構造は、 A−Ra−A (ここで、Raはフェニレン、または炭素数が1〜20
の炭化水素の分子鎖であり、Aはカルボキシル基または
カルボキシエステル基である)を含有する。具体的に
は、テレフタル酸、ジメチルテレフタレート、イソフタ
ル酸、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジカルボン
酸、アゼライン酸、およびナフチル酸(naphthalic aci
d)などがあげられる。The molecular structure of the dibasic acid or the derivative of the dibasic acid used in the present invention is as follows: A—R a —A (where R a is phenylene or a carbon number of 1 to 20).
Wherein A is a carboxyl group or a carboxyester group). Specifically, terephthalic acid, dimethyl terephthalate, isophthalic acid, adipic acid, sebacic acid, dodecanedicarboxylic acid, azelaic acid, and naphthalic acid
d) and the like.
【0032】本発明の上述およびその他の目的、特徴、
および長所をいっそう明瞭にするため、以下に6つの好
ましい実施例をあげ、分析の拠り所とする。なお、実施
例で使用したポリアミノ化合物の構造式を以下に示す。The above and other objects and features of the present invention,
In order to further clarify the advantages and advantages, the following six preferred embodiments are provided as a source of analysis. The structural formula of the polyamino compound used in the examples is shown below.
【0033】[0033]
【化17】 Embedded image
【0034】[0034]
【実施例】実施例1 ジメチルテレフタレート200g(1.03モル)、Hu
ntsman Company製造の末端にアミノ基を含有したポリア
ミノ化合物EDR148(重量平均分子量148、アミ
ノ当量37)約99g(0.67モル)、および同じく
ED2003(重量平均分子量2000、アミノ当量5
00)約720g(0.36モル)を反応器に入れ、窒
素ガスのもと、200〜230℃の温度で3時間反応さ
せた結果、表面抵抗が約5×107Ω/□(□:単位面
積を表わす)のポリアミド樹脂を得た。ここで、末端に
アミノ基を含有したポリアミノ化合物とジメチルテレフ
タレートの当量比は1:1であり、EDR148および
ED2003はそれぞれ65モル%および35モル%を
占める。EXAMPLES Example 1 200 g (1.03 mol) of dimethyl terephthalate, Hu
About 99 g (0.67 mol) of a polyamino compound EDR148 (weight average molecular weight 148, amino equivalent 37) containing amino group at the terminal manufactured by ntsman Company, and ED2003 (weight average molecular weight 2000, amino equivalent 5)
00) About 720 g (0.36 mol) was placed in a reactor and reacted at 200 to 230 ° C. for 3 hours under nitrogen gas. As a result, the surface resistance was about 5 × 10 7 Ω / □ (□: (Representing a unit area). Here, the equivalent ratio of the polyamino compound having an amino group at the terminal to dimethyl terephthalate is 1: 1, and EDR148 and ED2003 occupy 65 mol% and 35 mol%, respectively.
【0035】実施例2 ジメチルテレフタレート100g(0.52モル)、E
DR148約38g、およびED2003約520gを
反応器に入れ、窒素ガスのもと、200〜230℃の温
度で2.5時間反応させた結果、表面抵抗が約1.3×
108Ω/□のポリアミド樹脂を得た。ここで、末端に
アミノ基を含有したポリアミノ化合物とジメチルテレフ
タレートの当量比は1:1であり、EDR148および
ED2003はそれぞれ50モル%を占める。Example 2 100 g (0.52 mol) of dimethyl terephthalate, E
About 38 g of DR148 and about 520 g of ED2003 were put into a reactor and reacted at a temperature of 200 to 230 ° C. for 2.5 hours under a nitrogen gas. As a result, the surface resistance was about 1.3 ×
A 10 8 Ω / □ polyamide resin was obtained. Here, the equivalent ratio of the polyamino compound having an amino group at the terminal to dimethyl terephthalate is 1: 1 and EDR148 and ED2003 each occupy 50 mol%.
【0036】実施例3 アジピン酸73g(0.5モル)、EDR148約4
8.8g(0.33モル)、およびED2003約34
0g(0.17モル)を反応器に入れ、窒素ガスのも
と、200〜230℃の温度で2.5時間反応させた結
果、表面抵抗が約1.6×106Ω/□のポリアミド樹
脂を得た。ここで、末端にアミノ基を含有したポリアミ
ノ化合物とアジピン酸の当量比は1:1であり、EDR
148およびED2003はそれぞれ66モル%および
34モル%を占める。Example 3 73 g (0.5 mol) of adipic acid, EDR148 about 4
8.8 g (0.33 mol) and about 34 ED2003
0 g (0.17 mol) was placed in a reactor and reacted under a nitrogen gas at a temperature of 200 to 230 ° C. for 2.5 hours. As a result, a polyamide having a surface resistance of about 1.6 × 10 6 Ω / □ was obtained. A resin was obtained. Here, the equivalent ratio of the polyamino compound having an amino group at the terminal to adipic acid is 1: 1 and EDR
148 and ED2003 account for 66 mol% and 34 mol%, respectively.
【0037】実施例4 アジピン酸73g(0.5モル)、EDR148約1
7.7g(0.12モル)、およびED2003約76
0g(0.38モル)を反応器に入れ、窒素ガスのも
と、200〜230℃の温度で2.5時間反応させた結
果、表面抵抗が約4×109Ω/□のポリアミド樹脂を
得た。ここで、末端にアミノ基を含有したポリアミノ化
合物とアジピン酸の当量比は1:1であり、EDR14
8およびED2003はそれぞれ24モル%および76
モル%を占める。Example 4 73 g (0.5 mol) of adipic acid, EDR148 about 1
7.7 g (0.12 mol), and ED 2003 about 76
0 g (0.38 mol) was placed in a reactor and reacted under a nitrogen gas at a temperature of 200 to 230 ° C. for 2.5 hours. As a result, a polyamide resin having a surface resistance of about 4 × 10 9 Ω / □ was obtained. Obtained. Here, the equivalent ratio of the polyamino compound having an amino group at the terminal to adipic acid is 1: 1 and EDR14
8 and ED2003 were 24 mole% and 76
Account for mole%.
【0038】実施例5 セバシン酸101g(0.5モル)、EDR148約4
8.8g(0.33モル)、およびED2003約34
0g(0.17モル)を反応器に入れ、窒素ガスのも
と、200〜230℃の温度で3時間反応させた結果、
表面抵抗が約6×108Ω/□のポリアミド樹脂を得
た。ここで、末端にアミノ基を含有したポリアミノ化合
物とセバシン酸の当量比は1:1であり、EDR148
およびED2003はそれぞれ66モル%および34モ
ル%を占める。Example 5 Sebacic acid 101 g (0.5 mol), EDR148 about 4
8.8 g (0.33 mol) and about 34 ED2003
0 g (0.17 mol) was placed in a reactor and reacted at a temperature of 200 to 230 ° C. for 3 hours under nitrogen gas.
A polyamide resin having a surface resistance of about 6 × 10 8 Ω / □ was obtained. Here, the equivalent ratio of the polyamino compound having an amino group at the terminal to sebacic acid is 1: 1 and EDR148
And ED2003 account for 66 mol% and 34 mol%, respectively.
【0039】実施例6 セバシン酸101g(0.5モル)、EDR148約1
7.7g(0.12モル)、およびED2003約76
0g(0.38モル)を反応器に入れ、窒素ガスのも
と、200〜230℃の温度で2.5時間反応させた結
果、表面抵抗が約4×109Ω/□のポリアミド樹脂を
得た。ここで、末端にアミノ基を含有したポリアミノ化
合物とセバシン酸の当量比は1:1であり、EDR14
8およびED2003はそれぞれ24モル%および76
モル%を占める。Example 6 Sebacic acid 101 g (0.5 mol), EDR148 about 1
7.7 g (0.12 mol), and ED 2003 about 76
0 g (0.38 mol) was placed in a reactor and reacted under a nitrogen gas at a temperature of 200 to 230 ° C. for 2.5 hours. As a result, a polyamide resin having a surface resistance of about 4 × 10 9 Ω / □ was obtained. Obtained. Here, the equivalent ratio of the polyamino compound having an amino group at the terminal to sebacic acid is 1: 1 and EDR14
8 and ED2003 were 24 mole% and 76
Account for mole%.
【0040】表1は、以上に挙げた6つの各実施例にお
いて、使用した反応物の組成、および得られたポリアミ
ド樹脂の表面抵抗をまとめたものである。同表から、各
種ポリアミノ化合物を各種割合で混合し、さらに酸また
は酸の誘導体と反応させた結果得られたポリアミド系化
合物が、いずれも非常に優れた表面抵抗特性(107〜
109Ω/□)を示すことがわかる。Table 1 summarizes the composition of the reactants used and the surface resistance of the obtained polyamide resin in each of the six examples described above. From the table, it is found that the polyamide compounds obtained as a result of mixing various polyamino compounds in various ratios and further reacting with an acid or an acid derivative have very excellent surface resistance characteristics (10 7 to 10 7 ).
10 9 Ω / □).
【0041】[0041]
【表1】 [Table 1]
【0042】以上に挙げた実施例によれば、本発明が提
供するポリアミド樹脂の分子構造は、According to the above examples, the molecular structure of the polyamide resin provided by the present invention is as follows:
【0043】[0043]
【化18】 Embedded image
【0044】で表される。ここで、R1は水素、メチ
ル、または炭素数が2〜20の炭化水素の分子鎖であ
り、aとbの和は0〜45であり、Raはフェニレン、
または炭素数が1〜20の炭化水素の分子鎖であり、R
bはIs represented by Here, R 1 is a molecular chain of hydrogen, methyl, or a hydrocarbon having 2 to 20 carbon atoms, the sum of a and b is 0 to 45, R a is phenylene,
Or a hydrocarbon chain having 1 to 20 carbon atoms,
b is
【0045】[0045]
【化19】 Embedded image
【0046】(ここで、cは1〜45の数値である)、
または炭素数が2〜50の炭化水素の分子鎖である。(Where c is a number from 1 to 45),
Alternatively, it is a hydrocarbon chain having 2 to 50 carbon atoms.
【0047】本発明の第一の特徴は、前記静電防止ポリ
アミド樹脂中のRaがフェニレンのとき、R1はメチル、
RbはA first feature of the present invention is that when Ra in the antistatic polyamide resin is phenylene, R 1 is methyl,
R b is
【0048】[0048]
【化20】 Embedded image
【0049】(ここで、cは1〜45の数値である)で
あることが好ましい点にある。(Where c is a numerical value from 1 to 45).
【0050】本発明の第二の特徴は、前記静電防止ポリ
アミド樹脂中のRaがブチレンのとき、R1はメチル、R
bはA second feature of the present invention is that when Ra in the antistatic polyamide resin is butylene, R 1 is methyl, R
b is
【0051】[0051]
【化21】 Embedded image
【0052】(ここで、cはおよそ1〜45の数値であ
る)であることが好ましい点にある。(Where c is a numerical value of about 1 to 45).
【0053】本発明の第三の特徴は、前記静電防止ポリ
アミド樹脂中のRaがオクタメチレンのとき、R1はメチ
ル、RbはA third feature of the present invention is that when Ra in the antistatic polyamide resin is octamethylene, R 1 is methyl and R b is
【0054】[0054]
【化22】 Embedded image
【0055】(ここで、cは1〜45の数値である)で
あることが好ましい点にある。(Where c is a numerical value from 1 to 45).
【0056】したがって、本発明で得られるポリアミド
樹脂は、効果持続性の高分子量型の静電防止剤であり、
一般の高分子材料と混練することにより、高分子材料の
静電防止特性を高めることができる。本発明で得られる
ポリアミド樹脂は、PEOで改質した一般の静電防止剤
より静電防止効果に優れているうえ、PEOを酸または
酸の誘導体と反応させて得られる生成物よりも優れた反
応性を示す。本発明で得られるポリアミド樹脂は、一般
の高分子材料と混練することにより、静電防止薄板、静
電防止袋、ICカバーテープ、静電防止衣服、および無
菌服などなど、様々な用途の静電防止製品を製造するこ
とができ、したがって、電子情報、半導体、および光電
などの各種産業分野に広く応用することができる。Therefore, the polyamide resin obtained in the present invention is a high-molecular-weight antistatic agent having a long-lasting effect,
By kneading with a general polymer material, the antistatic property of the polymer material can be improved. The polyamide resin obtained in the present invention has a better antistatic effect than a general antistatic agent modified with PEO, and is more excellent than a product obtained by reacting PEO with an acid or an acid derivative. Shows reactivity. The polyamide resin obtained in the present invention is kneaded with a general polymer material, and is used for various applications such as an antistatic thin plate, an antistatic bag, an IC cover tape, an antistatic garment, and a sterile garment. Antistatic products can be manufactured, and thus can be widely applied to various industrial fields such as electronic information, semiconductors, and photoelectrics.
【0057】以上に好ましい実施例を開示したが、これ
らは決して本発明の範囲を限定するものではなく、当該
技術に熟知した者ならば誰でも、本発明の精神と領域を
脱しない範囲内で各種の変動や潤色を加えられるべきで
あって、従って本発明の保護範囲は特許請求の範囲で指
定した内容を基準とする。While the preferred embodiments have been disclosed above, they do not limit the scope of the invention in any way, and anyone skilled in the art will be able to make the same without departing from the spirit and scope of the invention. Various variations and additions should be made, and accordingly, the protection scope of the present invention is based on the contents specified in the claims.
【0058】[0058]
【発明の効果】本発明で得られるポリアミド樹脂は、以
下の長所を有する。 (1)効果持続性の静電防止剤である。 (2)アミノ基を含有しない、ポリエステルまたはポリ
エーテル類の一般の静電防止剤よりも静電防止特性に優
れているうえ、添加型の一般の静電防止剤よりも効果が
長持ちする。 (3)PEOで親水性を改質したポリエステルよりも、
反応性に優れている。 (4)樹脂に添加することにより、静電防止薄板、静電
防止袋、ICのカバーテープなどなど様々な用途の静電
防止製品を製造することができ、したがって、電子情
報、半導体、および光電などの各種産業分野に広く応用
することができる。The polyamide resin obtained by the present invention has the following advantages. (1) A long-lasting antistatic agent. (2) It has better antistatic properties than general antistatic agents of polyester or polyethers containing no amino group, and has a longer effect than general antistatic agents of the addition type. (3) Than the polyester modified hydrophilicity by PEO,
Excellent reactivity. (4) By being added to the resin, it is possible to manufacture antistatic products for various uses such as antistatic thin plates, antistatic bags, IC cover tapes, and the like. It can be widely applied to various industrial fields such as.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 東宥 台湾台北市延吉街131巷1弄34号3樓 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Lin Dong-Yu, No. 34, No. 34, 131, Yanji Street, Taipei City, Taiwan
Claims (15)
0の炭化水素の分子鎖であり、aとbの和は0〜45で
あり、Raはフェニレン、または炭素数が1〜20の炭
化水素の分子鎖であり、Rbは 【化2】 (ここで、cは1〜45の数値である)、または炭素数
が2〜50の炭化水素の分子鎖である)で表される静電
防止ポリアミド樹脂。The molecular structure is as follows: (Where R 1 is hydrogen, methyl, or a compound having 2 to 2 carbon atoms)
0 is the molecular chain of a hydrocarbon, the sum of a and b is 0 to 45, Ra is phenylene, or a molecular chain of a hydrocarbon having 1 to 20 carbon atoms, and R b is (Where c is a numerical value of 1 to 45) or a hydrocarbon chain having 2 to 50 carbon atoms).
端にアミノ基を含有するポリアミノ化合物と重合させる
ことにより得られる請求項1記載の静電防止ポリアミド
樹脂。2. The antistatic polyamide resin according to claim 1, which is obtained by polymerizing a dibasic acid or a derivative of a dibasic acid with a polyamino compound having an amino group at a terminal.
体が、 A−Ra−A (ここで、Raはフェニレン、または炭素数が1〜20
の炭化水素の分子鎖であり、Aはカルボキシル基または
カルボキシエステル基である)である請求項2記載の静
電防止ポリアミド樹脂。3. The method according to claim 1, wherein the dibasic acid or a derivative of the dibasic acid is A- Ra- A (where Ra is phenylene, or has 1 to 20 carbon atoms).
Wherein A is a carboxyl group or a carboxyester group).
ノ化合物が、 【化3】 (ここで、R1は水素、メチル、または炭素数が2〜2
0の炭化水素の分子鎖であり、aとbの和は0〜45で
ある)である請求項2記載の静電防止ポリアミド樹脂。4. The polyamino compound having an amino group at the terminal, (Where R 1 is hydrogen, methyl, or a compound having 2 to 2 carbon atoms)
The antistatic polyamide resin according to claim 2, wherein the hydrocarbon chain is 0 and the sum of a and b is 0 to 45).
ノ化合物が、 【化4】 (ここで、cは1〜45の数値である)である請求項4
記載の静電防止ポリアミド樹脂。5. The polyamino compound having an amino group at its terminal, (Where c is a numerical value from 1 to 45).
An antistatic polyamide resin as described.
ノ化合物が、 NH2−R2−NH2 (ここで、R2は炭素数が2〜50の炭化水素の分子鎖
である)である請求項4記載の静電防止ポリアミド樹
脂。6. The polyamino compound having an amino group at a terminal thereof is NH 2 —R 2 —NH 2 (where R 2 is a hydrocarbon molecular chain having 2 to 50 carbon atoms). Item 6. An antistatic polyamide resin according to item 4.
載の静電防止ポリアミド樹脂。7. The antistatic polyamide resin according to claim 1, wherein said Ra is phenylene.
静電防止ポリアミド樹脂。8. The antistatic polyamide resin according to claim 7, wherein said R 1 is methyl.
記載の静電防止ポリアミド樹脂。9. The method according to claim 9, wherein R b is (Where c is a numerical value from 1 to 45).
An antistatic polyamide resin as described.
載の静電防止ポリアミド樹脂。10. The antistatic polyamide resin according to claim 1, wherein said Ra is butylene.
載の静電防止ポリアミド樹脂。11. The antistatic polyamide resin according to claim 10, wherein said R 1 is methyl.
求項10記載の静電防止ポリアミド樹脂。12. The method according to claim 12, wherein R b is The antistatic polyamide resin according to claim 10, wherein (c is a numerical value of about 1 to 45).
項1記載の静電防止ポリアミド樹脂。13. The antistatic polyamide resin according to claim 1, wherein said Ra is octamethylene.
載の静電防止ポリアミド樹脂。14. The antistatic polyamide resin according to claim 13, wherein said R 1 is methyl.
3記載の静電防止ポリアミド樹脂。15. The method according to claim 14, wherein R b is (1) where c is a numerical value from 1 to 45.
3. The antistatic polyamide resin according to 3.
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TW87108291 | 1998-05-28 | ||
TW87108291A TW430680B (en) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | Antistatic polyamide resin |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007145324A1 (en) | 2006-06-16 | 2007-12-21 | Ube Industries, Ltd. | Polyether polyamide elastomer |
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1998
- 1998-05-28 TW TW87108291A patent/TW430680B/en not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-05-27 JP JP11148791A patent/JP2000007780A/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007145324A1 (en) | 2006-06-16 | 2007-12-21 | Ube Industries, Ltd. | Polyether polyamide elastomer |
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