JP2000003644A - Switching device - Google Patents

Switching device

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JP2000003644A
JP2000003644A JP10167277A JP16727798A JP2000003644A JP 2000003644 A JP2000003644 A JP 2000003644A JP 10167277 A JP10167277 A JP 10167277A JP 16727798 A JP16727798 A JP 16727798A JP 2000003644 A JP2000003644 A JP 2000003644A
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JP
Japan
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conductor
voltage
electric field
insulator
switchgear
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JP10167277A
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Japanese (ja)
Inventor
Kiyoshi Inami
潔 井波
Hideki Miyata
秀樹 宮田
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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  • Gas-Insulated Switchgears (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a switching device capable of immediately damping a direct-current voltage arising by switching operation. SOLUTION: This device, a disconnector, is equipped with a metallic container 11 filled with an insulating gas 12 at a fixed pressure, a plurality of conductors 13a, 13b and shields 17a, 17b, disposed in the metallic container 11 and supplied with a voltage, and a switching part comprising a fixed contact 15 and a movable contact 16 performing switching operation, and is made up so that electron emission is prevented in areas of the shields 17a, 17b, which may emit electrons more than a predetermined quantity when supplied with a voltage, by covering surfaces thereof by insulators 19. Part of the surface of each shield 17a, 17b is provided with a region where no insulator 19 exists and a ground portion 20 is exposed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、開閉装置に係
り、その開閉操作にともない発生する直流電圧成分を効
率よく減衰させることができるものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a switchgear, and more particularly to a switchgear capable of efficiently attenuating a DC voltage component generated by the switching operation.

【0002】[0002]

【従来の技術】図7は従来の断路器の構成を示す図であ
る。図において、1は絶縁ガス2が封入された金属容器
で、接地されている。3a、3bは金属容器1内に配設
され、高電圧が印加される導体、4はこれら導体3a、
3bを金属容器1内にてそれぞれ支持するための絶縁物
にて形成された支持部である。
2. Description of the Related Art FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a conventional disconnector. In the figure, reference numeral 1 denotes a metal container in which an insulating gas 2 is sealed, which is grounded. 3a, 3b are disposed in the metal container 1, and conductors to which a high voltage is applied, 4 are conductors 3a,
3b is a support portion formed of an insulator for supporting each inside the metal container 1.

【0003】5および6は導体3a、3b間を接離する
ために形成された固定コンタクトおよび可動コンタク
ト、7a、7bはそれぞれ導体3a,3bと電気的に接
続され、各コンタクト5および6の電界を緩和するため
のシールドである。8は可動コンタクト6を操作する絶
縁ロッドである。
[0005] Reference numerals 5 and 6 denote fixed contacts and movable contacts formed to contact and separate the conductors 3a and 3b. Reference numerals 7a and 7b are electrically connected to the conductors 3a and 3b, respectively. It is a shield for alleviating. Reference numeral 8 denotes an insulating rod for operating the movable contact 6.

【0004】従来の断路器は上記のように構成されてお
り、シールド7a、7bは、電圧印加時に所定量以上の
電子放出が発生し得る領域であるため、シールド7a、
7bの表面上は絶縁物としての誘電体被膜で覆われてお
り、この電子放出が発生するのを防止している。この誘
電体被膜の形成理由について以下詳細に説明する。
The conventional disconnector is configured as described above, and the shields 7a and 7b are regions where a predetermined amount or more of electrons can be emitted when a voltage is applied.
The surface of 7b is covered with a dielectric film as an insulator to prevent this electron emission. The reason for forming the dielectric film will be described in detail below.

【0005】図8は「IEEE Trans.on P
WRD vol.PWRD−2,No.3」において示
されている、電極表面の誘電体被覆効果を示す図であ
る。図において、横軸は電極の実効面積(最大電界強度
の90%以上の電界を有する部分の面積)の値を、縦軸
は理論破壊電界(Ed)に対する破壊電界(E)の値を
それぞれ示す。
[0005] Fig. 8 shows "IEEE Trans. On P".
WRD vol. PWRD-2, no. FIG. 3C is a view showing the effect of covering the electrode surface with a dielectric, shown in FIG. In the figure, the horizontal axis represents the value of the effective area of the electrode (the area of the portion having an electric field of 90% or more of the maximum electric field intensity), and the vertical axis represents the value of the breakdown electric field (E) with respect to the theoretical breakdown electric field (Ed). .

【0006】同図から明らかなように、電極表面に処理
を施していない場合、破壊電界は理論値からその面積に
応じて低下するが、電極表面に誘電体被膜を形成してお
くと、破壊電界は理論値程度まで上昇することが判る。
このことから、シールド7a、7bの表面上は、誘電体
被膜で覆うように形成している。
As apparent from FIG. 1, when no treatment is performed on the electrode surface, the breakdown electric field decreases from the theoretical value according to the area thereof. However, when a dielectric film is formed on the electrode surface, the breakdown electric field is reduced. It can be seen that the electric field rises to about the theoretical value.
For this reason, the surfaces of the shields 7a and 7b are formed so as to be covered with the dielectric film.

【0007】次に、図9(a)は上記のように構成され
た断路器を用いたシステムの一部を示す回路図であり、
9は遮断器、10a、10bは上記のように構成された
断路器を示す。図9(b)は図9(a)に示した区間A
のシステム動作時における、区間A間の導体と、接地さ
れている金属容器との間の電圧の変化を示した図であ
る。
Next, FIG. 9A is a circuit diagram showing a part of a system using the disconnector configured as described above.
Reference numeral 9 denotes a circuit breaker, and reference numerals 10a and 10b denote disconnectors configured as described above. FIG. 9B shows the section A shown in FIG.
FIG. 5 is a diagram showing a change in voltage between a conductor between sections A and a grounded metal container when the system is operated.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】従来の断路器は上記の
ように構成され、例えば図9に示すように、遮断器9が
開放され断路器10a、10bが開放した場合、区間A
には、最大で運転電圧の波高値と同値の直流電圧が残留
することとなる。このように直流電圧が残留すると、各
機器内の絶縁物が、その絶縁物固有の時定数で充電さ
れ、その電界は容量分布から抵抗分布に移行していく
(通常用いられている絶縁物の時定数は1時間以上有す
る)。
The conventional disconnecting switch is constructed as described above. For example, as shown in FIG. 9, when the circuit breaker 9 is opened and the disconnecting switches 10a and 10b are opened, the section A
, A DC voltage having the same value as the peak value of the operation voltage remains at the maximum. When the DC voltage remains in this manner, the insulator in each device is charged with a time constant inherent to the insulator, and the electric field shifts from a capacitance distribution to a resistance distribution (a commonly used insulator). The time constant has one hour or more).

【0009】従来、交流用の機器には、交流または雷イ
ンパルスなどの容量分布に対する電界設計がなされてい
るため、容量分布から抵抗分布に移行すると想定外の電
界集中などが生じ、絶縁耐力を著しく低下させる要因と
なっていた。図7に示した断路器の一部分の、容量分布
から抵抗分布に至った際の電位分布を図10に示す。図
10(a)は容量分布における等電位線を示し、図10
(b)は抵抗分布における等電位線を示している。図1
0(b)から明らかなように、抵抗分布になった際に、
図中のPおよびQの箇所に電界集中が生じていることが
判る。
Conventionally, in an AC device, an electric field is designed for a capacitance distribution such as an AC or a lightning impulse. When the capacitance distribution shifts to a resistance distribution, an unexpected electric field concentration occurs and the dielectric strength is remarkably increased. It was a factor to lower it. FIG. 10 shows a potential distribution of a part of the disconnector shown in FIG. 7 when the resistance distribution is changed from the capacitance distribution. FIG. 10A shows equipotential lines in the capacitance distribution.
(B) shows equipotential lines in the resistance distribution. FIG.
As is clear from FIG. 0 (b), when the resistance distribution becomes
It can be seen that electric field concentration occurs at points P and Q in the figure.

【0010】このことを解決する手段として、直流電界
における電界設計を留意にいれて、構成を変更すること
が考えられるが、機器のコンパクト化や絶縁物の構成の
簡素化などの妨げになるという問題点があった。
As a means for solving this problem, it is conceivable to change the configuration while paying attention to the electric field design in a DC electric field. However, this may hinder the downsizing of the equipment and the simplification of the configuration of the insulator. There was a problem.

【0011】この発明は上記のような問題点を解消する
ためなされたもので、信頼性が高く、直流電界を考慮に
入れることなく形成することができる開閉装置を提供す
ることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to provide a switchgear having a high reliability and which can be formed without taking a DC electric field into consideration.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項1
の開閉装置は、内部に所定の圧力で絶縁ガスが封入され
ているまたは内部が真空にてなる金属容器と、金属容器
内に配設され、電圧が印加される複数の導体と、各導体
の接離を行う開閉部とを備え、各導体のうち、導体のま
までは電圧印加時に所定量以上の電子放出が生じ得る領
域には、各導体の表面上を絶縁物で覆うことにより電子
放出を防止するようにした開閉装置において、領域の一
部の導体の表面上に、絶縁物が存在しない導体の地肌部
分が露出してなる箇所を備えたものである。
Means for Solving the Problems Claim 1 according to the present invention.
The switchgear has a metal container in which an insulating gas is sealed at a predetermined pressure or a vacuum inside, a plurality of conductors disposed in the metal container, and a voltage is applied, and An opening / closing unit for performing contact / separation; in each of the conductors, in a region where a predetermined amount or more of electron emission can occur when a voltage is applied as it is, the surface of each conductor is covered with an insulator to emit electrons. In a switchgear which is prevented, a portion where a background portion of a conductor having no insulator is exposed is provided on the surface of a part of the conductor in the region.

【0013】また、この発明に係る請求項2の開閉装置
は、請求項1において、導体の地肌部分の箇所内では、
導体表面の電界が同一となるものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the switchgear according to the first aspect, wherein:
The electric field on the conductor surface is the same.

【0014】また、この発明に係る請求項3の開閉装置
は、請求項1または請求項2において、導体の地肌部分
の箇所を、当該導体における電界の最も高い部分を含む
ように形成したものである。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the switchgear according to the first or second aspect, wherein the ground portion of the conductor is formed so as to include the highest electric field in the conductor. is there.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】実施の形態1.以下、この発明の
実施の形態について説明する。図1はこの発明の実施の
形態1の開閉装置としての断路器の構成を示す図、図2
は図1に示した断路器の線Bにおける矢印方向IIから
見た図、図3は図1に示した断路器の線Bにおける矢印
方向IIIから見た図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described. FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a disconnector as a switchgear according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 3 is a view of the disconnector shown in FIG. 1 as viewed from the arrow direction II on the line B, and FIG. 3 is a view of the disconnector shown in FIG. 1 as viewed from the arrow direction III on the line B.

【0016】図において、11は絶縁ガス12が封入さ
れた金属容器で、接地されている。13a、13bは金
属容器11内に配設され、高電圧が印加される導体で、
導体13aは電源に、導体13bは遮断器に接続されて
いるとする。14aおよび14bはこの導体13a、1
3bを金属容器1内にてそれぞれ支持するための絶縁物
にて形成された支持部である。
In FIG. 1, reference numeral 11 denotes a metal container in which an insulating gas 12 is sealed, which is grounded. 13a and 13b are conductors disposed in the metal container 11 and applied with a high voltage.
It is assumed that the conductor 13a is connected to a power supply and the conductor 13b is connected to a circuit breaker. 14a and 14b are the conductors 13a, 1
3b is a support portion formed of an insulator for supporting each inside the metal container 1.

【0017】15および16は導体13a、13b間を
接離する開閉部として形成された固定コンタクトおよび
可動コンタクト、17a、17bはそれぞれ導体13
a,13bと電気的に接続され、各コンタクト15およ
び16の電界を緩和するためのシールドである。18は
可動コンタクト16を操作する絶縁ロッドである。
Reference numerals 15 and 16 denote fixed contacts and movable contacts formed as open / close portions for connecting / disconnecting the conductors 13a and 13b.
a, 13b, which are electrically connected to each other and serve as a shield for relaxing the electric field of each of the contacts 15 and 16. Reference numeral 18 denotes an insulating rod for operating the movable contact 16.

【0018】そして、シールド17aおよび17bは、
図2および図3に示すように、電圧印加時に所定量以上
の電子放出が発生し得る領域であるため、シールド17
aおよび17bの表面上は絶縁物19(例えば誘電体膜
にてなる)にて覆われている。そして、その領域のシー
ルド17aおよび17bにおける電界の最も高い部分
で、シールド17aおよび17bの円周方向に帯状に、
シールド17aおよび17b上に絶縁物19の存在しな
い、地肌部分20が形成されている。
The shields 17a and 17b are
As shown in FIG. 2 and FIG. 3, since a region where a predetermined amount or more of electron emission can occur when a voltage is applied, the shield 17
The surfaces of a and 17b are covered with an insulator 19 (for example, made of a dielectric film). Then, at the highest part of the electric field in the shields 17a and 17b in that region, a band is formed in the circumferential direction of the shields 17a and 17b.
A ground portion 20 where no insulator 19 exists is formed on the shields 17a and 17b.

【0019】尚、導体13aおよび13bは、電圧印加
時において、所定量以上の電子放出が発生しない領域で
あるため、導体13aおよび13bの表面上は絶縁物に
て覆われていてもいなくてもよい。
Since the conductors 13a and 13b are regions where no more than a predetermined amount of electrons are emitted when a voltage is applied, the surfaces of the conductors 13a and 13b may or may not be covered with an insulator. Good.

【0020】上記のように構成された実施の形態1の断
路器の動作について説明する。まず、可動コンタクト1
6により導体13aおよび13bが切り離されている
と、導体13b側に例えば図9(a)にて示したような
直流電圧が残留する。その残留した直流電圧が負極性の
場合には、導体13b側のシールド17b上に形成され
た地肌部分20から電界放出などによる電子放出が生じ
る。また、残留した直流電圧が正極性の場合には、導体
13a側のシールド17a上に形成された地肌部分20
から電界放出などによる電子放出が生じる。
The operation of the disconnector according to the first embodiment configured as described above will be described. First, movable contact 1
When the conductors 13a and 13b are separated by 6, for example, a DC voltage as shown in FIG. 9A remains on the conductor 13b side. When the remaining DC voltage has a negative polarity, electron emission due to field emission or the like occurs from the background portion 20 formed on the shield 17b on the conductor 13b side. If the remaining DC voltage has a positive polarity, the ground portion 20 formed on the shield 17a on the conductor 13a side
Electron emission due to field emission or the like occurs.

【0021】このことにより、残留した直流電圧は従来
の絶縁物のみでの減衰時間に比較し、早く減衰させるこ
とができた。図4に、断路器極間における、電子放出に
よる暗電流測定例を示す。この例は、約400kVの直
流電圧が残留したときに測定されたもので、初期の段階
においては、約80nA程度の暗電流が流れていること
が判る。
As a result, the remaining DC voltage can be attenuated faster than the conventional decay time of only the insulator. FIG. 4 shows an example of dark current measurement by electron emission between the disconnector poles. This example was measured when a DC voltage of about 400 kV remained, and it can be seen that a dark current of about 80 nA flows in the initial stage.

【0022】一方、当該断路器の絶縁物の合成抵抗値
(R)は1×1014Ω程度であるため、その絶縁物によ
る漏れ電流値(I)は4nA程度となり、暗電流の方が
20倍程度大きいことが判る。ここで残留直流電圧が、
絶縁物のみにて減衰する減衰分(ΔV)は、式I=C・
ΔV/Δtより求められる。この際、直流電圧の残留区
間(例えば、導体13b側の区間)の静電容量(C)を
500pFとすると、30分間で減衰分ΔVは14.4
kVとなる。
On the other hand, since the combined resistance value (R) of the insulator of the disconnector is about 1 × 10 14 Ω, the leakage current value (I) of the insulator is about 4 nA, and the dark current is about 20 nA. It turns out that it is about twice as large. Where the residual DC voltage is
The amount of attenuation (ΔV) that is attenuated only by the insulator is given by the formula I = C ·
It is obtained from ΔV / Δt. At this time, assuming that the capacitance (C) in the remaining section of the DC voltage (for example, the section on the conductor 13b side) is 500 pF, the attenuation ΔV is 14.4 in 30 minutes.
kV.

【0023】また、暗電流による減衰は30分間の平均
電流を30nAとすると、これによる減衰は30分間で
108kVとなり、絶縁物のみにより減衰する場合に比
較し、非常に急速に減衰することが判る。したがって、
抵抗分布に移行する時間(1〜2時間程度)以前に絶縁
上問題とならない程度の電圧レベルまで減衰させること
ができる。
If the average current for 30 minutes is 30 nA, the attenuation due to the dark current is 108 kV in 30 minutes. It can be seen that the attenuation is very rapid compared to the case where the attenuation is caused only by the insulator. . Therefore,
Before the transition to the resistance distribution (about 1 to 2 hours), the voltage can be attenuated to a voltage level that does not cause a problem in insulation.

【0024】上記のように構成された実施の形態1の断
路器は、シールド17aおよび17bの領域の一部に、
地肌部分20の箇所を備えるようにしたので、この地肌
部分20にて開閉操作により生じる直流電圧を速やかに
減衰させることができるため、直流電界を考慮に入れた
設計を必要とすることなく断路器を構成することができ
るので、装置の小型化が図り易くなる。
The disconnector of the first embodiment configured as described above has a structure in which a part of the shield 17a and 17b is provided.
Since the ground portion 20 is provided, the DC voltage generated by the opening / closing operation at the ground portion 20 can be rapidly attenuated, so that the disconnector does not need to be designed in consideration of the DC electric field. Therefore, the size of the apparatus can be easily reduced.

【0025】また、地肌部分内での電界が不均一である
と、地肌部分の電界の高い箇所の一部分のみから電子放
出が発生することとなるが、地肌部分20はシールド1
7aおよび17bの周方向に帯状に形成され、地肌部分
20の表面の電界が同一にてなるため、地肌部分20の
全ての領域において電子放出が発生するため、直流電圧
の減衰を効率よく行うことができる。また、地肌部分2
0は、シールド17aおよび17b上の最も電界の高い
部分を含むよう形成したので、電子放出量が最大とな
り、直流電圧の減衰を一層速やかに行うことができる。
If the electric field in the background portion is not uniform, electrons are emitted only from a portion of the background portion where the electric field is high, but the background portion 20 is shielded by the shield 1.
Since a band is formed in the circumferential direction of 7a and 17b and the electric field on the surface of the background portion 20 is the same, electron emission occurs in all regions of the background portion 20, so that the DC voltage is efficiently attenuated. Can be. In addition, the ground part 2
Since 0 is formed so as to include the highest electric field portion on the shields 17a and 17b, the electron emission amount is maximized, and the DC voltage can be attenuated more quickly.

【0026】実施の形態2.上記実施の形態1において
は、開閉装置の導体の接離箇所における例を説明した
が、以下、開閉装置に接続されている導体部分について
説明する。図5および図6はこの発明の実施の形態2に
よる開閉装置の構成の一部を示した図で、開閉装置のい
ずれの箇所に地肌部分を形成すれば、残留した直流電圧
を効率的に減衰させることができるかを説明するための
図である。
Embodiment 2 FIG. In the first embodiment described above, the example in which the conductors of the switchgear are in contact with and separated from each other has been described. Hereinafter, the conductor portion connected to the switchgear will be described. 5 and 6 show a part of the configuration of a switchgear according to Embodiment 2 of the present invention. If a ground portion is formed in any part of the switchgear, the remaining DC voltage is efficiently attenuated. It is a figure for explaining whether it can be made to do.

【0027】図5は導体13bを支持する支持部14c
および14dの近傍に、電界を緩和するために形成され
た導体の一部としてのシールド17c〜17fを備えて
いるような場合、シールド17c〜17fは、電圧印加
時に所定量以上の電子放出が発生し得る領域であるた
め、シールド17c〜17fの表面上は絶縁物19で覆
われている。そして、シールド17dおよび17fの表
面上の一部に絶縁物19にて覆われていない、地肌部分
20が露出されている箇所を周方向に形成する。
FIG. 5 shows a supporting portion 14c for supporting the conductor 13b.
And shields 17c to 17f as a part of the conductor formed to alleviate the electric field in the vicinity of the shields 17d and 14d, the shields 17c to 17f generate more than a predetermined amount of electron emission when a voltage is applied. Therefore, the surfaces of the shields 17c to 17f are covered with an insulator 19. Then, a portion where the ground portion 20 is exposed, which is not covered with the insulator 19 on a part of the surface of the shields 17d and 17f, is formed in the circumferential direction.

【0028】また、図6は導体13bを支持する支持部
14eおよび14fの近傍に、上記図5にて示したよう
なシールドが存在しないような場合、導体13bは、電
圧印加時に所定量以上の電子放出が発生し得る領域を有
するため、導体13bの表面上は絶縁物19で覆われて
いる。そして、支持部14eおよび14fの近傍の、導
体13bにおける電界の最も高い部分に、絶縁物19に
て覆われていない、地肌部分20が露出されている箇所
を周方向に形成する。
FIG. 6 shows a case where the shield as shown in FIG. 5 does not exist near the supporting portions 14e and 14f for supporting the conductor 13b. Since there is a region where electron emission can occur, the surface of the conductor 13b is covered with an insulator 19. Then, a portion where the ground portion 20 is exposed, which is not covered by the insulator 19, is formed in a portion of the conductor 13b near the supporting portions 14e and 14f where the electric field is highest, in the circumferential direction.

【0029】上記実施の形態2のように形成された開閉
装置によれば、上記実施の形態1と同様に、地肌部分に
て電子放出が発生し、開閉操作時に発生する直流電圧を
減衰させることができる。よって、上記実施の形態1と
同様の効果を奏することが可能となる。
According to the switching device formed as in the second embodiment, as in the first embodiment, electrons are emitted from the ground portion, and the DC voltage generated during the switching operation is attenuated. Can be. Therefore, the same effect as in the first embodiment can be obtained.

【0030】尚、上記各実施の形態においては、開閉装
置として断路器の場合について説明したが、これに限ら
れることはなく、遮断器や接地装置などでも同様に実施
でき、同様の効果を奏することができることはいうまで
もない。
In each of the above embodiments, the case where the disconnecting switch is used as the switching device has been described. However, the present invention is not limited to this, and the same effect can be obtained with a circuit breaker or a grounding device. It goes without saying that it can be done.

【0031】また、上記各実施の形態においては、導体
が単相の場合について説明したが、多相、例えば導体が
三相にてなる開閉装置の場合も同様に実施することがで
き、同様の効果を奏することはいうまでもない。
In each of the above embodiments, the case where the conductor has a single phase has been described. However, a multi-phase switch, for example, a three-phase switchgear can also be implemented. Needless to say, it works.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上のように、この発明の請求項1によ
れば、内部に所定の圧力で絶縁ガスが封入されているま
たは内部が真空にてなる金属容器と、金属容器内に配設
され、電圧が印加される複数の導体と、各導体の接離を
行う開閉部とを備え、各導体のうち、導体のままでは電
圧印加時に所定量以上の電子放出が生じ得る領域には、
各導体の表面上を絶縁物で覆うことにより電子放出を防
止するようにした開閉装置において、領域の一部の導体
の表面上に、絶縁物が存在しない導体の地肌部分が露出
してなる箇所を備えたので、地肌部分にて電子放出を行
い、開閉動作時に発生する直流電圧を速やかに減衰させ
ることができる開閉装置を提供することが可能となる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, a metal container whose inside is filled with an insulating gas at a predetermined pressure or whose inside is a vacuum, and disposed inside the metal container. It is provided with a plurality of conductors to which a voltage is applied, and an opening / closing unit for bringing and closing each conductor, and in each of the conductors, a region where electron emission of a predetermined amount or more can occur when a voltage is applied as it is,
In a switchgear in which electron emission is prevented by covering the surface of each conductor with an insulator, a portion where the ground portion of a conductor where there is no insulator is exposed on a part of the surface of the conductor. Therefore, it is possible to provide a switchgear capable of emitting electrons in the background portion and rapidly attenuating the DC voltage generated during the switching operation.

【0033】また、この発明の請求項2によれば、請求
項1において、導体の地肌部分の箇所内では、導体表面
の電界が同一となるので、地肌部分全ての領域において
電子放出が発生し、開閉動作時に発生する直流電圧を効
率よくかつ速やかに減衰させることができる開閉装置を
提供することが可能となる。
According to the second aspect of the present invention, in the first aspect, since the electric field on the conductor surface becomes the same in the portion of the background portion of the conductor, electron emission occurs in the entire region of the background portion. In addition, it is possible to provide a switchgear capable of efficiently and quickly attenuating a DC voltage generated during the switching operation.

【0034】また、この発明の請求項3によれば、請求
項1または請求項2において、導体の地肌部分の箇所
を、当該導体における電界の最も高い部分を含むように
形成したので、地肌部分における電子放出量が最大とな
り、開閉動作時に発生する直流電圧をより一層速やかに
減衰させることができる開閉装置を提供することが可能
となる。
According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect, the ground portion of the conductor is formed so as to include the highest electric field in the conductor. In this case, the electron emission amount becomes maximum, and it is possible to provide a switching device capable of attenuating the DC voltage generated during the switching operation more quickly.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明の実施の形態1による開閉装置の構
成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a switchgear according to Embodiment 1 of the present invention.

【図2】 図1に示した開閉装置の線Bの矢印方向II
からみた構成を示す図である。
FIG. 2 shows the switchgear shown in FIG.
FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration as viewed from the perspective.

【図3】 図1に示した開閉装置の線Bの矢印方向II
Iからみた構成を示す図である。
FIG. 3 shows the opening and closing device shown in FIG.
FIG. 2 is a diagram showing a configuration as viewed from I.

【図4】 図1に示した開閉装置の時間に対する暗電流
値の関係を示した図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a relationship between a dark current value and a time of the switchgear illustrated in FIG. 1;

【図5】 この発明の実施の形態2による開閉装置の構
成を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a switchgear according to a second embodiment of the present invention.

【図6】 この発明の実施の形態2による開閉装置の構
成を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a switchgear according to a second embodiment of the present invention.

【図7】 従来の開閉装置の構成を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a conventional switching device.

【図8】 導体上表面を絶縁物にて覆う理由を説明する
ための図である。
FIG. 8 is a diagram for explaining the reason why the upper surface of the conductor is covered with an insulator.

【図9】 開閉装置を用いた回路を示す回路図である。FIG. 9 is a circuit diagram showing a circuit using a switching device.

【図10】 従来の開閉装置の問題点を説明するための
図である。
FIG. 10 is a diagram for explaining a problem of a conventional switchgear.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 金属容器、12 絶縁ガス、13a,13b 導
体、14a〜14f 支持部、15 固定コンタクト、
16 可動コンタクト、17a〜17f シールド、1
8 絶縁ロッド、19 絶縁物、20 地肌部分。
11 metal container, 12 insulating gas, 13a, 13b conductor, 14a to 14f support, 15 fixed contact,
16 movable contacts, 17a-17f shield, 1
8 Insulation rod, 19 insulation, 20 ground.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 内部に所定の圧力で絶縁ガスが封入され
ているまたは内部が真空にてなる金属容器と、上記金属
容器内に配設され、電圧が印加される複数の導体と、上
記各導体の接離を行う開閉部とを備え、上記各導体のう
ち、上記導体のままでは上記電圧印加時に所定量以上の
電子放出が生じ得る領域には、上記各導体の表面上を絶
縁物で覆うことにより電子放出を防止するようにした開
閉装置において、上記領域の一部の上記導体の表面上
に、上記絶縁物が存在しない上記導体の地肌部分が露出
してなる箇所を備えたことを特徴とする開閉装置。
1. A metal container in which an insulating gas is sealed at a predetermined pressure or whose inside is a vacuum, a plurality of conductors arranged in the metal container and to which a voltage is applied, and An opening / closing unit for bringing the conductor into and out of contact with each other. In a switchgear configured to prevent electron emission by covering, a portion where a ground portion of the conductor without the insulator is exposed is provided on a surface of the conductor in a part of the region. Switchgear characterized by.
【請求項2】 導体の地肌部分の箇所内では、上記導体
表面の電界が同一となることを特徴とする請求項1に記
載の開閉装置。
2. The switchgear according to claim 1, wherein an electric field on the surface of the conductor is the same in a portion of the conductor at a ground portion.
【請求項3】 導体の地肌部分の箇所を、当該導体にお
ける電界の最も高い部分を含むように形成したことを特
徴とする請求項1または請求項2に記載の開閉装置。
3. The switchgear according to claim 1, wherein the ground portion of the conductor is formed so as to include the highest electric field in the conductor.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN106710946A (en) * 2015-11-13 2017-05-24 国网智能电网研究院 Shielding device for high-voltage direct-current circuit breaker

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106710946A (en) * 2015-11-13 2017-05-24 国网智能电网研究院 Shielding device for high-voltage direct-current circuit breaker
CN106710946B (en) * 2015-11-13 2020-01-17 全球能源互联网研究院 Shielding device for high-voltage direct-current circuit breaker

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