ITRE990124A1

ITRE990124A1 - ELECTRONIC EQUIPMENT WITH SEMICONDUCTOR POWER BOARDS, MOUNTED WITH SMT TECHNIQUE ON INSULATED METAL SUBSTRATE.

Info

Publication number: ITRE990124A1
Application number: IT1999RE000124A
Authority: IT
Inventors: Giuseppe Simonazzi
Original assignee: Meta System Spa
Priority date: 1999-11-26
Filing date: 1999-11-26
Publication date: 2001-05-26
Also published as: ITRE990124A0; IT1311053B1

Description

Descrizione di una invenzione industriale avente per titolo: Description of an industrial invention entitled:

Apparecchiature elettroniche con schede di potenza a semiconduttore, montate con tecnica SMT su substrato metallico isolato. Electronic equipment with semiconductor power boards, mounted with SMT technique on insulated metal substrate.

La presente invenzione si riferisce a delle apparecchiature elettroniche con schede di potenza a semiconduttore, completamente realizzate con tecnica SMT, su substrato metallico isolato. La tensione di ingresso viene raddrizzata e filtrata, poi, dopo essere transitata attraverso sensori di corrente, giunge ai dispositivi di potenza. A detti dispositivi sono associate delle alimentazioni ausiliare, che hanno la funzione di alimentare i mezzi di controllo ed i dispositivi di pilotaggio, e dei mezzi di monitorizzazione della temperatura dei dissipatori della potenza, che inviano segnali proporzionali ai controlli e che provvedono ad arrestare i sistemi in caso di surriscaldamenti. . The present invention refers to electronic equipment with semiconductor power boards, completely made with the SMT technique, on an insulated metal substrate. The input voltage is rectified and filtered, then, after passing through current sensors, it reaches the power devices. Associated with said devices are auxiliary power supplies, which have the function of powering the control means and the driving devices, and means for monitoring the temperature of the power dissipators, which send proportional signals to the controls and stop the systems. in case of overheating. .

E’ noto che attualmente le schede elettroniche di potenza sono costruite a partire da un circuito stampato realizzato in vetronite, o in materiali analoghi, sul quale sono inseriti con tecnica tradizionale o SMT i componenti di pilotaggio e le eventuali parti magnetiche. I dispositivi di potenza sono poi connessi allo stesso circuito stampato, o mediante collegamento flessibile o, dove la potenza e/o lo spazio lo permettono, mediante diretta saldatura alla scheda. Il loro raffreddamento è poi affidato ad opportuni dissipatori, ai quali sono fissati mediante viti o clips a molla. Spesso, a causa di più dispositivi non equipotenziali montati sullo stesso dissipatore, occorre inserire un opportuno isolante tra il “case” del semiconduttore e la superficie dissipante; in alternativa occorre impiegare semiconduttori con “case” isolato. Con questo tipo di realizzazione viene in genere inserito anche un dispositivo in grado di rilevare la temperatura del o dei dissipatori, in modo da poter intervenire in caso di surriscaldamento . It is known that electronic power boards are currently built from a printed circuit made of vetronite, or similar materials, on which the driving components and any magnetic parts are inserted with traditional or SMT technique. The power devices are then connected to the same printed circuit, either by flexible connection or, where the power and / or space allows it, by direct welding to the board. Their cooling is then entrusted to suitable heat sinks, to which they are fixed by means of screws or spring clips. Often, due to several non-equipotential devices mounted on the same heat sink, it is necessary to insert a suitable insulator between the semiconductor “case” and the dissipating surface; alternatively it is necessary to use semiconductors with isolated “cases”. With this type of construction, a device capable of detecting the temperature of the heatsink (s) is also generally included, so as to be able to intervene in the event of overheating.

Sono inoltre presenti degli “shunt” di potenza per rilevare la corrente che scorre nei semiconduttori onde limitarne il valore massimo. I semiconduttori devono pertanto essere dimensionati in modo da sopportare non solo la massima corrente prevista in funzione del carico, ma anche il picco di corrente che si viene a creare in caso di cortocircuito; picco dovuto sia al tempo non nullo di intervento della protezione stessa, sia all’energia dei condensatori di filtro presenti ai capi dell’ alimentazione. There are also power "shunts" to detect the current flowing in the semiconductors in order to limit their maximum value. The semiconductors must therefore be sized in such a way as to withstand not only the maximum current foreseen as a function of the load, but also the peak current that is created in the event of a short circuit; peak due both to the non-zero intervention time of the protection itself, and to the energy of the filter capacitors present at the ends of the power supply.

Un altro limite di questo tipo di montaggio deriva dal fatto che i condensatori di filtro, necessari per limitare le extratensioni di apertura sui semiconduttori, non sempre possono essere posizionati vicinissimi ai dispositivi stessi, così che la loro efficacia viene compromessa dall’ induttanza dispersa dei collegamenti. Another limitation of this type of assembly derives from the fact that the filter capacitors, necessary to limit the opening excess voltages on the semiconductors, cannot always be positioned very close to the devices themselves, so that their effectiveness is compromised by the dispersed inductance of the connections. .

La soluzione proposta da parecchi costruttori è quella dei moduli di potenza mediante i quali è possibile ottenere l’isolamento dei semiconduttori tra loro e verso il dissipatore, ma restano irrisolti gli altri problemi precedentemente evidenziati. Occorre inoltre avere opportune precauzioni nel maneggiare i moduli, in quanto i “gate” dei “mosfet” di potenza o degli “IGBT” interni, sono direttamente accessibili e sono molto sensibili alle cariche elettriche. The solution proposed by several manufacturers is that of power modules through which it is possible to obtain the isolation of the semiconductors between them and towards the heatsink, but the other problems previously highlighted remain unsolved. It is also necessary to take appropriate precautions when handling the modules, as the "gates" of the power "mosfets" or internal "IGBTs" are directly accessible and are very sensitive to electrical charges.

Scopo del trovato è quello di eliminare i suddetti inconvenienti. L’invenzione, quale essa è caratterizzata dalle rivendicazioni, risolve i problemi enunciati per mezzo di apparecchiature elettroniche con schede di potenza a semiconduttore totalmente montate con tecnica SMT, su substrato metallico isolato, mediante le quali si ottengono significativi vantaggi circuitali, sono possibili accorgimenti circuitali atti ad ottimizzare l’impiego dei componenti di potenza ed a garantire l’affidabilità dei circuiti. Tali configurazioni consentono una facile realizzazione delle apparecchiature ed il loro altrettanto facile e rapido montaggio. The object of the invention is to eliminate the aforementioned drawbacks. The invention, as it is characterized by the claims, solves the problems stated by means of electronic equipment with semiconductor power boards totally mounted with SMT technique, on an insulated metal substrate, by which significant circuit advantages are obtained, circuit devices are possible. suitable for optimizing the use of power components and guaranteeing the reliability of the circuits. Such configurations allow an easy realization of the apparatuses and their just as easy and quick assembly.

L’invenzione viene descritta in dettaglio nel seguito, secondo esempi di applicazione dati unicamente a scopo esemplificativo e non limitativo, con riferimento all’allegato disegno, in cui: The invention is described in detail below, according to application examples given for illustrative and non-limiting purposes only, with reference to the attached drawing, in which:

la fig. 1 rappresenta lo schema a blocchi del trovato relativo alla sua adozione su di un inverter trifase, e fig. 1 represents the block diagram of the invention relating to its adoption on a three-phase inverter, e

la fig. 2 rappresenta lo schema a blocchi di una seconda soluzione. fig. 2 represents the block diagram of a second solution.

Con riferimento allo schema di figura 1, la tensione in ingresso viene raddrizzata nel raddrizzatore 1, filtrata nei condensatori di livellamento 2 e, dopo essere transitata attraversi i sensori di corrente 3, giunge all’inverter di potenza 4; quest’ultimo ha il compito di modulare la tensione continua ai suoi capi per ricostruire, nel caso specifico, una tensione di uscita trifase, con ampiezza e frequenza variabile. Il blocco 5 delle alimentazioni ausiliarie serve ad alimentare i mezzi di controllo 6 ed i dispositivi di pilotaggio 7. Il sensore di temperatura 8 monitorizza la temperature del dissipatore della potenza ed invia un segnale proporzionale al controllo 6 che provvede ad arrestare il sistema nel caso di surriscaldamento. With reference to the diagram in Figure 1, the input voltage is rectified in the rectifier 1, filtered in the smoothing capacitors 2 and, after passing through the current sensors 3, reaches the power inverter 4; the latter has the task of modulating the direct voltage at its ends to reconstruct, in the specific case, a three-phase output voltage, with variable amplitude and frequency. The block 5 of the auxiliary power supplies is used to power the control means 6 and the driving devices 7. The temperature sensor 8 monitors the temperature of the power dissipator and sends a proportional signal to the control 6 which stops the system in the case of overheating.

In una prima soluzione innovativa, nel trovato viene impiegato un primo circuito stampato, realizzato su di un supporto metallico con tecniche ormai consolidate sul quale inserire non solo i dispositivi di potenza 4 con tecnica SMT, ma anche dei condensatori di filtro, sempre con tecnica SMT, vicinissimi ai dispositivi di potenza, in modo da rendere sostanzialmente nulla ogni induttanza dispersa. Questi condensatori di filtro si trovano di fatto in parallelo ai condensatori di livellamento 2 ma, essendo saldati sullo stesso circuito stampato vicinissimi ai dispositivi di potenza, eliminano le extratensioni su questi ultimi, causate dai fili o dalle piste di collegamento tra i condensatori di livellamento 2 ed i semiconduttori stessi. Il primo vantaggio di questa soluzione è quello di poter utilizzare dei dispositivi di potenza 4 a tensione di “breakdown” più bassa, in quanto l’estrema vicinanza dei condensatori di filtro limita drasticamente le extratensioni sui dispositivi stessi. In a first innovative solution, the invention uses a first printed circuit, made on a metal support with well-established techniques on which to insert not only the power devices 4 with the SMT technique, but also filter capacitors, again with the SMT technique. , very close to the power devices, so as to make virtually zero any dispersed inductance. These filter capacitors are in fact located in parallel to the smoothing capacitors 2 but, being soldered on the same printed circuit very close to the power devices, they eliminate the extra voltages on the latter, caused by the wires or the connection tracks between the smoothing capacitors 2 and the semiconductors themselves. The first advantage of this solution is that of being able to use power devices 4 at a lower "breakdown" voltage, since the extreme proximity of the filter capacitors drastically limits the extra voltages on the devices themselves.

Gli altri vantaggi consistono: The other advantages are:

a) possibilità di montare direttamente, vicino ai “gate” dei dispositivi di potenza 4, delle resistenze con tecnica SMT che eliminano il problema delle scariche elettrostatiche durante la movimentazione delle schede; a) possibility of mounting directly, near the "gates" of the power devices 4, resistors with SMT technique that eliminate the problem of electrostatic discharges during handling of the boards;

b) montaggio automatico dei dispositivi di potenza mediante tecnica SMT; b) automatic assembly of power devices by means of the SMT technique;

c) isolamento degli stessi dispositivi di potenza tra loro e rispetto al dissipatore, a seguito dellimpiego del substrato metallico con strato di isolamento; c) isolation of the same power devices from each other and from the heat sink, following the use of the metal substrate with insulation layer;

d) possibilità di montare direttamente sul supporto metallico del PCB il sensore termico anch’esso costruito con tecnica SMT. d) possibility of mounting the thermal sensor, also built with SMT technique, directly on the metal support of the PCB.

Oltre al vantaggio economico di montaggio, questa soluzione garantisce una più diretta corrispondenza della temperatura rilevata dal sensore, rispetto a quella effettiva dei semiconduttori. Sul medesimo circuito stampato con substrato metallico vengono inserite anche le resistenze atte a fungere da sensori di corrente 8; queste ultime, realizzate anch’esse con tecnica SMT, risultano perfettamente dissipate dal circuito stampato stesso e non hanno bisogno di essere sovradimensionate. In addition to the economic advantage of assembly, this solution guarantees a more direct correspondence of the temperature detected by the sensor, compared to the actual temperature of the semiconductors. The resistors suitable to act as current sensors 8 are also inserted on the same printed circuit with metal substrate; the latter, also made with the SMT technique, are perfectly dissipated by the printed circuit itself and do not need to be oversized.

In pratica, su questo circuito stampato sono inseriti: il ponte di raddrizzamento 1, i sensori di corrente 3, il sensore di temperatura 8 e tutti i semiconduttori con i relativi condensatori di filtro, atti a realizzare il ponte trifase 4. Se poi anche i collegamenti con la restante parte del circuito vengono realizzati mediante connettori con tecnica SMT risulta evidente come l’intera potenza, prima realizzata con componenti tradizionali e relativi dissipatori, possa essere implementata in un unico blocco, facilmente sostituibile e di semplice costruzione in modo completamente automatico. In practice, on this printed circuit are inserted: the rectification bridge 1, the current sensors 3, the temperature sensor 8 and all the semiconductors with the relative filter capacitors, suitable for making the three-phase bridge 4. If then also the connections with the remaining part of the circuit are made by means of connectors with SMT technique. It is evident how the entire power, previously made with traditional components and relative heatsinks, can be implemented in a single block, easily replaceable and simple to build in a completely automatic way.

Questa soluzione consente inoltre di modificare in modo molto semplice la potenza complessiva dell’apparecchiatura; per fare ciò è sufficiente sostituire la sola scheda di potenza con tecnica SMT, per ottenere la variazione desiderata. La diversa regolazione della corrente in uscita è ottenuta variando il valore degli “shunt” che fungono da sensori di corrente, anch’essi sul circuito con tecnica SMT. Da tutto ciò si evince, che non è necessaria nessuna regolazione aggiuntiva nella modifica della potenza in uscita del dispositivo. This solution also allows you to change the overall power of the equipment in a very simple way; to do this, simply replace the power board with SMT technique, to obtain the desired variation. The different regulation of the output current is obtained by varying the value of the "shunts" which act as current sensors, also on the circuit with the SMT technique. From all this it is clear that no additional adjustment is necessary when modifying the output power of the device.

Una seconda soluzione del trovato, sempre diretta a ridurre dimensionalmente i dispositivi di potenza, consiste nel realizzare la protezione di corrente secondo lo schema esemplificativo di figura 2, del tutto simile a quello di figura 1, tranne che per l’inserimento del blocco 9 costituito da una induttanza 11, un diodo 12 ed un condensatore 10. Considerando il caso limite del corto circuito in uscita, si ha un primo breve ma intenso passaggio di corrente nei dispositivi, la cui energia è fornita esclusivamente dal condensatore 10; questa corrente è però limitata nel tempo e quindi è ben tollerata dai dispositivi di potenza in quanto l’induttanza 1 1 impedisce che il grosso dell’energia racchiusa nei condensatori elettrolitici di ingresso possa scaricarsi immediatamente nei dispositivi di potenza con un effetto catastrofico. Dopo il primo picco iniziale, la corrente aumenta in modo graduale con velocità inversamente proporzionale al valore dì induttanza impiegato; in questo modo, dato che il sensore di corrente ha già rilevato il picco iniziale, è possibile far intervenire la protezione prima che la corrente abbia raggiunto valori pericolosi non limitati nel tempo. Diversamente, senza il blocco 9, in condizioni anomale i dispositivi di potenza dovrebbero essere in grado di sopportare per parecchio tempo elevate correnti, e per questo sarebbe necessario sovradimensionarli. Il diodo 12 ha la funzione di far ricircolare sui condensatori di livellamento 2 l extratensione di apertura che si forma ai capi dell’induttanza 11 quando si bloccano di colpo i circuiti di potenza 4, (ad esempio per intervento delle protezioni). Supponendo di inserire il sensore di corrente sul ramo negativo, si ottiene una prima protezione veloce di corrente utile in caso di cortocircuiti; è poi possibile inserire un ulteriore sensore di corrente sul ramo positivo che, collegato ad un circuito di protezione, intervenga in caso di sovraccarico in uscita. Tale circuito deve essere dotato di un opportuno filtro passa basso in grado di ignorare il picco iniziale descritto in precedenza. Il limite di corrente cui interviene questo circuito sarà più basso rispetto al primo, ma con tempo di risposta molto più lento in modo da intervenire solo in caso di sovraccarico. A second solution of the invention, again aimed at reducing the power devices dimensionally, consists in providing the current protection according to the exemplary scheme of Figure 2, which is entirely similar to that of Figure 1, except for the insertion of the block 9 constituted from an inductance 11, a diode 12 and a capacitor 10. Considering the limiting case of the short circuit at the output, there is a first short but intense passage of current in the devices, the energy of which is supplied exclusively by the capacitor 10; this current, however, is limited in time and therefore is well tolerated by power devices as the inductance 1 1 prevents the bulk of the energy contained in the input electrolytic capacitors from discharging immediately in the power devices with a catastrophic effect. After the first initial peak, the current gradually increases with a speed inversely proportional to the value of inductance used; in this way, since the current sensor has already detected the initial peak, it is possible to trip the protection before the current has reached dangerous values that are not limited in time. Otherwise, without block 9, in anomalous conditions the power devices should be able to withstand high currents for a long time, and for this it would be necessary to oversize them. The diode 12 has the function of recirculating on the leveling capacitors 2 the opening extra voltage that is formed at the ends of the inductance 11 when the power circuits 4 are suddenly blocked (for example due to the intervention of the protections). Assuming to insert the current sensor on the negative branch, a first fast current protection is obtained, useful in case of short circuits; it is then possible to insert an additional current sensor on the positive branch which, connected to a protection circuit, intervenes in the event of an overload at the output. This circuit must be equipped with a suitable low pass filter capable of ignoring the initial peak described above. The current limit at which this circuit operates will be lower than the first, but with a much slower response time so as to intervene only in the event of an overload.

Ulteriore innovazione consiste nella realizzazione di un alimentatore per le tensioni ausiliarie in grado di operare correttamente anche con valori molto bassi della tensione di ingresso. E’ infatti noto che, durante Io spegnimento delle apparecchiature elettroniche, se non si sono predisposti opportuni accorgimenti circuitali, si possono manifestare malfunzionamenti con effetti distruttivi quando le tensioni ausiliarie diminuiscono, o vengono meno, prima che la tensione sui dispositivi di potenza non sia calata a valori molto bassi. Per evitare che si possano manifestare tali inconvenienti, nella soluzione rappresentata nello schema esemplificativo di figura 1 l alimentazione per i regolatori delle tensioni ausiliarie 5 è prelevata direttamente dal “bus” ad alta tensione che alimenta lo stadio di potenza 4. In tal modo, se i regolatori sono progettati per poter funzionare correttamente anche con ingresso molto basso, nel momento in cui le apparecchiature vengono spente e la tensione sugli stadi di potenza cala, le tensioni ausiliarie continueranno ad essere corrette almeno fino a valori del “bus” ad alta tensione molto bassi e, comunque, non pericolosi per i dispositivi di potenza eventualmente mal pilotati. A further innovation consists in the realization of a power supply for the auxiliary voltages able to operate correctly even with very low values of the input voltage. It is in fact known that, when the electronic equipment is switched off, if appropriate circuit arrangements have not been made, malfunctions may occur with destructive effects when the auxiliary voltages decrease, or fail, before the voltage on the power devices has not dropped. at very low values. To avoid such drawbacks from occurring, in the solution represented in the exemplary diagram of figure 1, the power supply for the auxiliary voltage regulators 5 is taken directly from the high voltage "bus" which feeds the power stage 4. In this way, if the regulators are designed to be able to function correctly even with very low input, when the equipment is turned off and the voltage on the power stages drops, the auxiliary voltages will continue to be correct at least up to very high voltage "bus" values low and, in any case, not dangerous for power devices that may be badly controlled.

Mentre il trovato è stato descritto ed illustrato secondo forme realizzative date a solo scopo esemplificativo e non limitativo, risulterà evidente agli esperti del ramo che varie modifiche alle configurazioni circuitali, ai componenti elettronici adottabili ed alle disposizioni, potranno essere apportate senza per questo uscire dal suo ambito e scopo. While the invention has been described and illustrated according to embodiments given for illustrative and non-limiting purposes only, it will be clear to those skilled in the art that various modifications to the circuit configurations, to the electronic components that can be adopted and to the arrangements, can be made without thereby departing from its scope. scope and purpose.

Claims

CLAIMS 1) Electronic equipment characterized by the fact of comprising semiconductor power boards, and related electronic components, mounted on a support with insulated metal substrate and totally made by SMT technique.

2) Electronic equipment with semiconductor power boards mounted with SMT technique on insulated metal substrate according to claim 1 characterized by the fact that the input voltage is rectified (1) and filtered (2), passes through current sensors (3) and reaches the power devices (4); associated with said devices are auxiliary power supplies (5) for control means (6) and for piloting devices (7), and means (8) for monitoring the temperature of the power dissipators.

3) Electronic equipment with semiconductor power boards mounted with SMT technique on insulated metal substrate according to claims 1 and 2 characterized by the fact of comprising voltage rectifiers (1), filter or smoothing capacitors (2), sensors of current (3), power devices (4), auxiliary power supplies (5), control (6) and driving means (7) and temperature sensors (8).

4) Electronic equipment with semiconductor power boards mounted with SMT technique on insulated metal substrate according to claims 1 and 2 characterized by the fact of comprising a voltage rectifier (1), filter or smoothing capacitors (2), sensors (3), power devices (4), auxiliary power supplies (5), control (6) and driving means (7), temperature sensors (8) and a block (9), consisting of by a capacitor (10), an inductance (11) and a diode (12), proportional to the minimum sizing of the power devices (4).

5) Electronic equipment with semiconductor power boards mounted with SMT technique on insulated metal substrate according to claims 1, 2 and 4 characterized by the fact that the diode (12) constitutes the recirculation medium, on the smoothing capacitors (2), of the '' extra opening voltage which is formed at the ends of the inductance (1 1) in the event of blocking of the power circuits (4).

6) Electronic equipment with semiconductor power boards mounted with SMT technique on insulated metal substrate according to claims 1 to 5 characterized by the fact of: comprising anti-electrostatic discharge resistors, made with SMT technique, mounted directly near the "gates" of the power devices (4); to have the power devices (4) mounted by means of the SMT technique; to have the same power devices isolated from each other and from the heat sinks, depending on the use of the metal substrate with insulation layer; to have the thermal sensors mounted directly on the metal support of the PCB with SMT technique.

7) Electronic equipment with semiconductor power boards mounted with SMT technique on insulated metal substrate according to claims 1 to 6 characterized by the fact that, on the same support and always with SMT technique, filter capacitors are mounted in parallel to those of leveling (2) but placed very close to the power devices (4), in relation to the cancellation of any dispersed inductance; said power devices 4 being able to have a lower breakdown voltage.

8) Electronic equipment with semiconductor power boards mounted with SMT technique on insulated metal substrate according to claims 1 to 7 characterized by the fact that resistors / current sensors (8) are inserted on the printed circuit with metal substrate; these resistors are made with the SMT technique and are dissipated by the printed circuit.

9) Electronic equipment with semiconductor power boards mounted with SMT technique on insulated metal substrate according to claims 1 to 8 characterized by the fact that the current sensor (3) placed on the negative branch constitutes a fast current protection against short circuits, while a further current sensor on the positive branch, connected to a protection circuit, intervenes in the event of an overload at the output.

10) Electronic equipment with semiconductor power boards mounted with SMT technique on insulated metal substrate according to claims 1 to 9 characterized by the fact of comprising at least one power supply (5) for auxiliary voltages operating even with very low values of the input voltage .

11) Electronic equipment with semiconductor power boards mounted in SMT on insulated metal substrate according to claims from la 10 characterized by the fact that on said printed circuit are inserted: the rectification bridge (1), the current sensors (3), the temperature sensor (8) and all the semiconductors with the relative filter capacitors suitable for making the power device (4), associated with the connections with the remaining part of the circuit which are made by means of connectors with SMT technique; the entire power, being implementable in a single block.

12) Electronic equipment with semiconductor power boards mounted in SMT on insulated metal substrate according to claims 1 to 11 characterized by the fact that modifications of the overall power of the equipment can be obtained by replacing the power board only with SMT technique without further adjustments .

13) Electronic equipment with semiconductor power boards mounted in SMT on insulated metal substrate according to claims 1 to 12 characterized by the fact that the different regulation of the output current is variable depending on the value of the "shunts" which act as sensors of current, also on the circuit with SMT technique.

14) Electronic equipment with semiconductor power boards mounted in SMT on insulated metal substrate according to claims 1 to 13 characterized by the fact of comprising a power supply for the auxiliary voltages capable of operating correctly even with very low values of the input voltage.

15) Electronic equipment with semiconductor power boards mounted in SMT on insulated metal substrate according to claims 1 to 14 characterized by the fact that the power supply for the auxiliary voltage regulators (5) is taken directly from the high voltage "bus" which powers the power devices (4).

16) Electronic equipment with semiconductor power boards mounted in SMT on an insulated metal substrate as described with the reservation expressed in the last sentence of the descriptive part, as illustrated by way of example, according to the previous claims and for the specified purposes.