ITMI20100120A1 - METHOD AND EQUIPMENT FOR THE TRANSPORT OF ELECTRONIC BANDS - Google Patents
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Description
“METODO E APPARECCHIATURA PER IL TRASPORTO DI FASCI DI ELETTRONI†⠀ œMETHOD AND EQUIPMENT FOR THE TRANSPORT OF ELECTRON BANDSâ €
La presente invenzione à ̈ relativa a un metodo e una apparecchiatura per il trasporto di fasci di elettroni, in particolare (ma non necessariamente) in condizioni di vuoto. The present invention relates to a method and an apparatus for transporting electron beams, in particular (but not necessarily) under vacuum conditions.
Sono noti apparecchi che generano fasci di elettroni e hanno come obiettivo finale il deposito di una determinata energia o densità di elettroni su un bersaglio posto a distanza prefissata dalla sorgente. Apparecchi di questo tipo sono impiegati, per esempio, nelle tecniche cosiddette di deposizione a elettroni pulsati (PED, “Pulsed Electron Deposition†; PPD, “Pulsed Plasma Deposition†); i fasci di elettroni sono generati tramite un cannone elettronico impulsato in grado di generare impulsi di elettroni aventi energia e densità di particelle tali da permetterne un utilizzo per ablazione di materiale, utile quindi ai fini della crescita di materiali in forma di strato o film sottile. Apparatuses are known which generate electron beams and have as their final objective the deposit of a determined energy or density of electrons on a target placed at a predetermined distance from the source. Devices of this type are used, for example, in so-called pulsed electron deposition techniques (PED, â € œPulsed Electron Depositionâ €; PPD, â € œPulsed Plasma Depositionâ €); the electron beams are generated by means of a pulsed electron gun capable of generating pulses of electrons with energy and particle density such as to allow them to be used for material ablation, therefore useful for the growth of materials in the form of a layer or thin film.
Le caratteristiche di propagazione di un fascio di elettroni (continuo o impulsato), e quindi anche la possibilità di fare percorrere una determinata distanza al fascio, possono essere fortemente condizionate da fenomeni di carica spaziale che danno origine a forti divergenze delle traiettorie degli elettroni, con conseguente perdita di intensità , qualità e quantità degli elettroni nel fascio lungo la direzione principale di propagazione. Le condizioni per le quali avvengono questi fenomeni variano a seconda delle densità elettroniche in gioco, dell’energia degli elettroni, della presenza o meno di campi elettrostatici e/o magnetici, delle pressioni parziali nell’ambiente di vuoto dove si propaga il fascio di elettroni. Comunque sia, il risultato finale di questi fenomeni à ̈ di alterare le proprietà originali del fascio di elettroni, così come erano state concepite e impostate allo scopo di generare sul bersaglio determinati e controllabili processi, diminuendo di fatto l’efficacia e la riproducibilità di questi ultimi. The propagation characteristics of an electron beam (continuous or pulsed), and therefore also the possibility of making the beam travel a certain distance, can be strongly conditioned by space charge phenomena that give rise to strong divergences in the trajectories of the electrons, with consequent loss of intensity, quality and quantity of electrons in the beam along the main direction of propagation. The conditions under which these phenomena occur vary according to the electronic densities involved, the energy of the electrons, the presence or absence of electrostatic and / or magnetic fields, the partial pressures in the vacuum environment where the beam propagates of electrons. In any case, the final result of these phenomena is to alter the original properties of the electron beam, as they were conceived and set up in order to generate certain and controllable processes on the target, effectively decreasing the effectiveness and reproducibility. of the latter.
Per esempio, nel già citato settore delle tecniche PED, la generazione del fascio à ̈ legata all’utilizzo di scariche a catodo cavo impulsate (“Transient Hollow Cathode Discharge†, THCD). La scarica à ̈ operata in condizioni di basso “pd†(prodotto tra pressione e distanza tra gli elettrodi), in particolare con un valore di “pd†molto al di sotto del minimo di Paschen. In questo modo si possono applicare alti potenziali tra gli elettrodi di scarica senza ottenere il cosiddetto breakdown (cioà ̈ la generazione di corrente elettrica nel gas). Una scarica ausiliaria viene impiegata per produrre una carica iniziale sufficiente a dare il via al breakdown principale. La tradizionale geometria a catodo cavo consente di mantenere un potenziale costante nella zona del catodo per un tempo sufficiente alla formazione di una densità di carica significativa, che viene quindi accelerata ad energie molto vicine a quella massima consentita dalla differenza di potenziale applicata. Quest’ultima, dell’ordine della decina di kV, viene applicata agli elettrodi tramite un condensatore in parallelo, la cui scarica determina la natura impulsata del dispositivo. Per consentire una appropriata formazione del fascio di elettroni, la distanza tra catodo ed anodo viene aumentata “costringendo†la scarica in un diametro piccolo (qualche mm), attraverso l’uso di un tubicino di materiale dielettrico che congiunge il foro del catodo cavo con la zona dell’anodo (constricted discharge). In questo modo si può operare la scarica sempre al di sotto del minimo di Paschen con distanze maggiori tra gli elettrodi. Nell’applicazione convenzionale di questi dispositivi il tubicino dielettrico viene prolungato oltre l’anodo fino alle immediate vicinanze del target, in modo tale da propagare il fascio di elettroni mantenendone una certa collimazione. Attualmente, la distanza tipica del tubicino dielettrico dal bersaglio à ̈ molto piccola, dell’ordine del centimetro. For example, in the already mentioned sector of PED techniques, the generation of the beam is linked to the use of pulsed hollow cathode discharges (â € œTransient Hollow Cathode Dischargeâ €, THCD). The discharge is operated in conditions of low â € œpdâ € (product between pressure and distance between the electrodes), in particular with a â € œpdâ € value well below the Paschen minimum. In this way, high potentials can be applied between the discharge electrodes without obtaining the so-called breakdown (ie the generation of electric current in the gas). An auxiliary discharge is employed to produce an initial charge sufficient to initiate the main breakdown. The traditional hollow cathode geometry allows to maintain a constant potential in the cathode area for a time sufficient for the formation of a significant charge density, which is then accelerated to energies very close to the maximum allowed by the applied potential difference. The latter, of the order of ten kV, is applied to the electrodes by means of a parallel capacitor, the discharge of which determines the pulsed nature of the device. To allow an appropriate formation of the electron beam, the distance between cathode and anode is increased by â € œcrushingâ € the discharge into a small diameter (a few mm), through the use of a tube of dielectric material that joins the cathode hole cable with the anode area (constricted discharge). In this way it is possible to operate the discharge always below the Paschen minimum with greater distances between the electrodes. In the conventional application of these devices, the dielectric tube is extended beyond the anode up to the immediate vicinity of the target, in such a way as to propagate the electron beam while maintaining a certain collimation. Currently, the typical distance of the dielectric tube from the target is very small, of the order of a centimeter.
In definitiva, gli apparecchi e i metodi noti per il trasporto di fasci di elettroni presentano inconvenienti che si traducono principalmente in limitate gittate utili dei fasci, oltre le quali le caratteristiche dei fasci non sono più quelle desiderate. Ultimately, known apparatuses and methods for transporting electron beams have drawbacks which mainly result in limited useful ranges of the beams, beyond which the characteristics of the beams are no longer those desired.
È uno scopo della presente invenzione quello di fornire un metodo e una apparecchiatura che siano privi degli inconvenienti evidenziati della tecnica nota; in particolare, à ̈ uno scopo del trovato quello di fornire un metodo e una apparecchiatura che consentano, rispetto alle tecnologie note, una migliore propagazione dei fasci di elettroni, e in particolare tale da permettere di aumentare la distanza percorsa dal fascio stesso senza alterarne le caratteristiche originali. It is an object of the present invention to provide a method and an apparatus which are free from the drawbacks highlighted by the known art; in particular, it is an object of the invention to provide a method and an apparatus which allow, with respect to known technologies, a better propagation of the electron beams, and in particular such as to allow the distance traveled by the beam itself to be increased without altering its original features.
La presente invenzione à ̈ dunque relativa a un metodo e una apparecchiatura di trasporto di fasci di elettroni come definiti in termini essenziali nelle annesse rivendicazioni 1 e, rispettivamente, 8, nonché, per i caratteri addizionali preferiti, nelle rivendicazioni dipendenti. The present invention therefore relates to a method and an apparatus for transporting electron beams as defined in essential terms in the attached claims 1 and 8, respectively, as well as, for the additional preferred characters, in the dependent claims.
Il metodo e l’apparecchiatura dell’invenzione consentono, rispetto alle tecnologie note, una migliore e più efficiente propagazione dei fasci di elettroni e, in particolare, consentono di aumentare la distanza percorsa da un fascio di elettroni mantenendo le sue caratteristiche originali, sia in termini di quantità che qualità (energia, collimazione) degli elettroni. The method and the apparatus of the invention allow, compared to known technologies, a better and more efficient propagation of electron beams and, in particular, allow to increase the distance traveled by an electron beam while maintaining its original characteristics, both in terms of quantity and quality (energy, collimation) of the electrons.
L’invenzione trova applicazione non solo nelle citate tecniche PED, ma in generale in tutte le applicazioni in cui à ̈ necessario propagare un fascio di elettroni, cioà ̈ trasmetterlo da una sorgente a un bersaglio, indipendentemente dalla tipologia della sorgente e del bersaglio. The invention finds application not only in the aforementioned PED techniques, but in general in all applications in which it is necessary to propagate an electron beam, that is to transmit it from a source to a target, regardless of the type of source and target.
In sostanza, in accordo all’invenzione il fascio di elettroni à ̈ trasmesso all’interno di un plasma di contenimento generato tramite un fascio di gas supersonico cooperante con lo stesso fascio di elettroni. Basically, according to the invention, the electron beam is transmitted inside a containment plasma generated by a supersonic gas beam cooperating with the same electron beam.
In particolare, il fascio di elettroni à ̈ confinato all’interno di un fascio di gas supersonico di particelle originariamente neutre, altamente collimato e propagantesi sostanzialmente in linea retta. In particular, the electron beam is confined within a supersonic gas beam of originally neutral particles, highly collimated and propagating substantially in a straight line.
L’invenzione sfrutta il fenomeno fisico che rende possibile la propagazione di fasci di elettroni densi (cioà ̈ aventi elevata densità di carica) in presenza di plasmi (cioà ̈ gas ionizzati). The invention exploits the physical phenomenon that makes it possible to propagate beams of dense electrons (ie having a high charge density) in the presence of plasmas (ie ionized gases).
È noto che, dal punto di vista dei processi fisici in gioco, il mantenimento di un fascio di elettroni collimato, in una situazione di alta densità di carica, avviene principalmente grazie alla propagazione del fascio in un plasma con densità almeno dello stesso ordine di grandezza di quella del fascio di elettroni (oltre che grazie al campo magnetico autogenerato dalla corrente stessa del fascio). It is known that, from the point of view of the physical processes involved, the maintenance of a collimated electron beam, in a situation of high charge density, occurs mainly thanks to the propagation of the beam in a plasma with density at least of the same order of magnitude. than that of the electron beam (as well as thanks to the magnetic field self-generated by the current of the beam itself).
Nelle applicazioni note (per esempio nei cannoni PED tradizionali), il plasma di contenimento per la propagazione del fascio di elettroni viene generato all’interno del tubo in materiale dielettrico che convoglia il fascio di elettroni verso il bersaglio; in particolare, la generazione del plasma avviene tramite la propagazione di un’onda di ionizzazione veloce (“Fast Ionization Wave†, FIW), sostenuta dalle ionizzazioni prodotte dal fronte del fascio elettronico stesso, che si propaga come un’onda di ionizzazione superficiale all’interfaccia tra mezzi a costante dielettrica diversa, vale a dire tra il materiale dielettrico del tubo e il gas contenuto nel tubo. Affinché il plasma di contenimento generato dall’onda FIW abbia densità di carica sufficiente allo scopo, l’onda FIW deve propagarsi in un gas a pressione sufficiente, indicativamente dell’ordine di 10<-2>Torr, ma non troppo alta per evitare un degrado delle proprietà del fascio, in particolare dell’energia cinetica, dovuto alle collisioni con gli atomi/molecole del gas. Nelle applicazioni note si osserva un considerevole degrado della qualità del fascio dopo la sua propagazione nel tubo dielettrico, mentre correnti di ritorno sulla superficie del tubo sono probabilmente responsabili di una ablazione del materiale dielettrico, poco gradita in applicazioni di deposizione di materiali, ed una frequente rottura del tubicino stesso. In known applications (for example in traditional PED guns), the containment plasma for the propagation of the electron beam is generated inside the tube made of dielectric material which conveys the electron beam towards the target; in particular, the generation of plasma occurs through the propagation of a fast ionization wave (â € œFast Ionization Waveâ €, FIW), supported by the ionizations produced by the front of the electron beam itself, which propagates as a wave of surface ionization at the interface between means with different dielectric constant, ie between the dielectric material of the tube and the gas contained in the tube. In order for the containment plasma generated by the FIW wave to have sufficient charge density for the purpose, the FIW wave must propagate in a gas at sufficient pressure, approximately of the order of 10 <-2> Torr, but not too much high to avoid a degradation of the properties of the beam, in particular of the kinetic energy, due to collisions with the atoms / molecules of the gas. In known applications, a considerable degradation of the quality of the beam is observed after its propagation in the dielectric tube, while back currents on the surface of the tube are probably responsible for an ablation of the dielectric material, which is not very welcome in material deposition applications, and a frequent rupture of the tube itself.
In accordo all’invenzione, invece, le condizioni per le quali avviene il confinamento del fascio di elettroni grazie alla presenza di un plasma sono ottenute in modo diverso, in particolare tramite un fascio supersonico di gas all’interno del quale si propaga il fascio di elettroni. According to the invention, however, the conditions for which the confinement of the electron beam occurs thanks to the presence of a plasma are obtained in a different way, in particular through a supersonic gas beam inside which the electron beam.
Fasci supersonici di gas sono facilmente realizzabili soprattutto in ambienti di vuoto e consentono di ottenere alte concentrazioni locali di gas, sufficienti al confinamento dei fasci di elettroni ad alta densità . Supersonic gas beams are easily achievable especially in vacuum environments and allow to obtain high local concentrations of gas, sufficient for the confinement of high-density electron beams.
Se il fascio di elettroni viene iniettato, guidato, o se anche solo la sua direzione di propagazione si interseca con quella del fascio supersonico, la ionizzazione del gas nel fascio supersonico stesso à ̈ tale da creare una zona di plasma, legata essenzialmente al gas nel fascio supersonico, che garantisce l’efficace confinamento degli elettroni nel plasma così formato. If the electron beam is injected, guided, or if even its propagation direction intersects with that of the supersonic beam, the ionization of the gas in the supersonic beam itself is such as to create a plasma zone, essentially linked to the gas in the supersonic beam, which guarantees the effective confinement of the electrons in the plasma thus formed.
La propagazione successiva del fascio di elettroni all’interno di questo tunnel di gas/plasma avviene grazie a processi di ionizzazione altamente efficienti, gli stessi che avvengono, come già descritto in precedenza, per il caso della propagazione in un tubo dielettrico. The subsequent propagation of the electron beam inside this gas / plasma tunnel occurs thanks to highly efficient ionization processes, the same that occur, as already described above, in the case of propagation in a dielectric tube.
L’onda FIW si propaga all’interfaccia tra il vuoto esterno e il canale di gas del fascio supersonico. La piccola differenza di costante dielettrica tra il gas e il vuoto esterno determina inoltre una maggiore velocità di propagazione dell’onda FIW. In sostanza, l’onda FIW e successivamente anche il passaggio del fascio di elettroni stesso ionizzano il gas del fascio supersonico (che à ̈ originariamente neutro), creando le condizioni locali di plasma che ne permettono la propagazione. Ciò permette agli elettroni di percorrere distanze più elevate e senza perdere le caratteristiche originali, rispetto al caso di propagazione in un tubo dielettrico. The FIW wave propagates at the interface between the external vacuum and the gas channel of the supersonic beam. The small dielectric constant difference between the gas and the external vacuum also determines a higher propagation speed of the FIW wave. Basically, the FIW wave and subsequently also the passage of the electron beam itself ionize the gas of the supersonic beam (which is originally neutral), creating the local plasma conditions that allow it to propagate. This allows the electrons to travel longer distances and without losing their original characteristics, compared to the case of propagation in a dielectric tube.
In altre parole, il tubo di gas neutro prodotto dal fascio supersonico diventa un tubo di plasma nel quale il fascio di elettroni può scorrere grazie al confinamento del plasma stesso. In other words, the neutral gas tube produced by the supersonic beam becomes a plasma tube in which the electron beam can flow thanks to the confinement of the plasma itself.
Preferibilmente, il fascio di elettroni e il fascio di gas supersonico sono sostanzialmente paralleli, o leggermente divergenti; in ogni caso, la propagazione avviene anche in condizioni di elevata divergenza tra i due fasci, fino a condizioni di ortogonalità tra i due fasci. Preferably, the electron beam and the supersonic gas beam are substantially parallel, or slightly divergent; in any case, propagation also occurs in conditions of high divergence between the two beams, up to conditions of orthogonality between the two beams.
Sebbene i meccanismi della propagazione non siano stati ancora del tutto chiariti, i risultati sperimentali suggeriscono che la distanza di propagazione del fascio di elettroni dipende principalmente dalla capacità del fascio supersonico di mantenere le sue qualità di bassa divergenza e alta densità necessarie per permettere la generazione di quel plasma utile al confinamento del fascio di elettroni. Non si possono escludere comunque fenomeni legati all’efficienza della propagazione del plasma stesso lungo il fascio di gas supersonico. In ogni caso, l’efficienza dell’intero processo à ̈ molto alta, visto che la propagazione del fascio di elettroni à ̈ stata osservata anche in condizioni sperimentali dove la propagazione del fascio supersonico dovrebbe essere di fatto molto limitata se non impossibile. Questo lascia presagire che i fenomeni di ionizzazione, creazione del plasma, confinamento e propagazione del fascio di elettroni risultino preponderanti su quelli della semplice propagazione del fascio supersonico, legata a soli fenomeni di fisica di urti fra particelle. Although the propagation mechanisms have not yet been fully elucidated, the experimental results suggest that the electron beam propagation distance depends mainly on the ability of the supersonic beam to maintain its low divergence and high density qualities necessary to allow the generation of that plasma useful for the confinement of the electron beam. However, phenomena linked to the efficiency of the propagation of the plasma itself along the supersonic gas beam cannot be excluded. In any case, the efficiency of the whole process is very high, since the propagation of the electron beam has been observed even in experimental conditions where the propagation of the supersonic beam should in fact be very limited if not impossible. This suggests that the phenomena of ionization, plasma creation, confinement and propagation of the electron beam are preponderant over those of the simple propagation of the supersonic beam, linked only to physics phenomena of collisions between particles.
Una applicazione preferita della presente invenzione à ̈, come già menzionato, quella alle tecniche di tipo PED; in questo settore, l’invenzione consente di superare i principali inconvenienti associati all’uso di sorgenti tradizionali, consentendo in particolare di aumentare drasticamente la distanza tra l’estremità del supporto fisico (tubo dielettrico) in cui si propaga il fascio di elettroni e il bersaglio (al momento, limitata a pochi mm). A preferred application of the present invention is, as already mentioned, that of PED type techniques; in this sector, the invention allows to overcome the main drawbacks associated with the use of traditional sources, allowing in particular to drastically increase the distance between the end of the physical support (dielectric tube) in which the beam of electrons and the target (currently limited to a few mm).
L’invenzione trova comunque applicazione anche in altri settori, in tutte quelle situazioni dove si vogliono trasportare con elettroni grandi quantità di energie e quindi sono in gioco grandi densità volumiche di particelle ma energie cinetiche relativamente basse. However, the invention also finds application in other sectors, in all those situations where large quantities of energies are to be transported with electrons and therefore large density densities of particles but relatively low kinetic energies are involved.
L’ambiente ideale di applicazione dell’invenzione à ̈ il vuoto (più o meno spinto), con pressioni base di almeno 10<-2>mbar o inferiori. Resta comunque inteso che l’invenzione può essere attuata anche con condizioni di pressione diversa, per esempio a pressione atmosferica o in ambienti a pressione anche maggiore. The ideal environment for the application of the invention is vacuum (more or less high), with base pressures of at least 10 <-2> mbar or lower. However, it is understood that the invention can also be implemented with different pressure conditions, for example at atmospheric pressure or in environments with even higher pressure.
Per esempio, un campo di applicazione preferito à ̈ quello aerospaziale: nello spazio, con un vuoto costante di 10<-10>mbar, non esistono sostanzialmente problemi di velocità di pompaggio dovuti ai carichi di gas nell’ambiente legati alla presenza del fascio supersonico. Un fascio supersonico nel vuoto cosmico mantiene quindi le proprie caratteristiche sostanzialmente per l’intera lunghezza del libero cammino medio teorico, ovvero circa 10<8>cm, fino quindi a centinaia di km; in altri termini, una apparecchiatura realizzata in accordo all’invenzione e installata su un veicolo spaziale o orbitale consentirebbe in principio di trasmettere fasci di elettroni a distanze di molti chilometri. For example, a preferred field of application is aerospace: in space, with a constant vacuum of 10 <-10> mbar, there are essentially no pumping speed problems due to gas loads in the environment linked to the presence of the beam. supersonic. A supersonic beam in the cosmic vacuum therefore maintains its characteristics substantially for the entire length of the theoretical average free path, ie about 10 <8> cm, up to hundreds of km; in other words, an apparatus made according to the invention and installed on a spacecraft or orbital would in principle allow electron beams to be transmitted over distances of many kilometers.
La trasmissione di energia può essere sfruttata sia in senso costruttivo (per esempio per caricare una batteria su di un satellite, per saldare materiali o depositare strati protettivi su parti danneggiate) sia a scopo distruttivo (per esempio, per danneggiare o distruggere un bersaglio). The transmission of energy can be exploited both in a constructive sense (for example to charge a battery on a satellite, to weld materials or to deposit protective layers on damaged parts) and for destructive purposes (for example, to damage or destroy a target).
In campo militare, in particolare, l’invenzione à ̈ particolarmente vantaggiosa perché funziona senza richiedere di raggiungere tensioni di accelerazione degli elettroni dell’ordine del MeV per poter permettere la propagazione degli elettroni senza eccessive alterazioni della traiettoria dovute a fenomeni di cariche spaziali. Anche impiegando una sorgente tradizionale quale un cannone impulsato per PED che utilizza alimentatori a 10÷20kV, di basso assorbimento, e permette correnti di fascio dell’ordine dei kA, si raggiungono grazie all’invenzione elevatissime potenze depositate sui bersagli colpiti dal fascio di elettroni. In the military field, in particular, the invention is particularly advantageous because it works without requiring to reach acceleration voltages of the electrons of the order of MeV in order to allow the propagation of the electrons without excessive alterations of the trajectory due to the phenomena of charges space. Even using a traditional source such as a pulsed cannon for PED which uses low absorption power supplies at 1020kV and allows beam currents of the order of kA, thanks to the invention, very high powers deposited on the targets hit by the beam are reached. of electrons.
Altri settori di impiego sono i cannoni elettronici in ambito di ricerca o i cannoni per saldature da fascio di elettroni (sia in vuoto che in aria). Other sectors of use are electron guns in research or electron beam welding guns (both in vacuum and in air).
Ulteriori caratteristiche e vantaggi della presente invenzione appariranno chiari dalla descrizione che segue di un suo esempio non limitativo di attuazione, con riferimento alla figura annessa che mostra schematicamente una apparecchiatura per il trasporto di fasci di elettroni in accordo al trovato utilizzata, a puro titolo esemplificativo, per la realizzazione di film sottili su substrato tramite processo di deposizione a elettroni pulsati (PED). Further characteristics and advantages of the present invention will become clear from the following description of a non-limiting example of implementation thereof, with reference to the attached figure which schematically shows an apparatus for the transport of electron beams according to the invention used, purely by way of example, for the realization of thin films on substrate through pulsed electron deposition (PED) process.
Con riferimento alla figura annessa, una apparecchiatura 1 per il trasporto di fasci di elettroni comprende un gruppo 2 di emissione di fasci di elettroni e un gruppo 3 di emissione di fasci di gas supersonici. With reference to the attached figure, an apparatus 1 for transporting electron beams comprises an electron beam emitting assembly 2 and a supersonic gas beam emitting assembly 3.
Il gruppo 2 à ̈ in grado di generare un fascio 4 di elettroni lungo una direzione P prefissata; nell’esempio mostrato, il gruppo 2 comprende un cannone 5 elettronico impulsato (cioà ̈ in grado di generare fasci di elettroni pulsati) di tipo sostanzialmente noto; in termini generali, il cannone 5 comprende un catodo 6, per esempio un catodo cavo, e un anodo 7, per esempio a simmetria cilindrica, disposti entrambi attorno a un asse A (definente anche la direzione di propagazione P) e spaziati uno dall’altro lungo l’asse A. Resta inteso che catodo 6 e anodo 7, così come il cannone 5 e il gruppo 2 nel loro complesso, possono essere realizzati con geometrie differenti da quelle qui descritte ed illustrate a puro titolo esemplificativo. Group 2 is able to generate a beam 4 of electrons along a predetermined direction P; in the example shown, group 2 comprises a pulsed electron gun 5 (ie capable of generating pulsed electron beams) of a substantially known type; in general terms, the gun 5 comprises a cathode 6, for example a hollow cathode, and an anode 7, for example with cylindrical symmetry, both arranged around an axis A (also defining the direction of propagation P) and spaced one from the Other along axis A. It is understood that cathode 6 and anode 7, as well as gun 5 and group 2 as a whole, can be made with geometries different from those described here and illustrated purely by way of example.
Il cannone 5 comprende inoltre un elemento 8 tubolare di convogliamento, in particolare un elemento dielettrico, costituito per esempio da un tubo di vetro, quarzo, allumina, eccetera, nel quale si scarica la corrente necessaria alla formazione del fascio 4 di elettroni; l’elemento 8 si estende sostanzialmente lungo l’asse A almeno tra il catodo 6 e l’anodo 7 e opzionalmente si protende oltre l’anodo 7. The gun 5 also comprises a tubular conveying element 8, in particular a dielectric element, consisting for example of a tube of glass, quartz, alumina, etc., into which the current necessary for the formation of the electron beam 4 is discharged; element 8 substantially extends along axis A at least between cathode 6 and anode 7 and optionally extends beyond anode 7.
Il gruppo 2 comprende poi circuiti e componenti di scarica del fascio di elettroni e di comando e controllo, noti e non illustrati per semplicità . Group 2 then comprises electron beam discharge and command and control circuits and components, known and not illustrated for the sake of simplicity.
Il gruppo 3 di emissione di fasci di gas supersonici à ̈ configurato in modo tale da emettere un fascio 10 di gas supersonico, in particolare un fascio collimato di particelle neutre di gas che si propagano sostanzialmente in linea retta lungo una direzione G prefissata. The supersonic gas beam emission group 3 is configured in such a way as to emit a supersonic gas beam 10, in particular a collimated beam of neutral gas particles which propagate substantially in a straight line along a predetermined direction G.
Nell’esempio mostrato, il gruppo 3 comprende una sorgente 11, provvista di un ugello 12 di uscita ad espansione ultrasonica che collega la sorgente 11 a un ambiente di propagazione 13 in cui sono inviati i fasci 4, 10, e un sistema 14 di alimentazione gas per alimentare alla sorgente 11 gas a una pressione prestabilita, tale che la differenza di pressione tra la sorgente 11 e l’ambiente di propagazione 13 sia sufficiente a generare una espansione ultrasonica del gas che attraversa l’ugello 12. In the example shown, the group 3 comprises a source 11, provided with an ultrasonic expansion output nozzle 12 which connects the source 11 to a propagation environment 13 in which the beams 4, 10, and a system 14 of gas supply to feed gas to the source 11 at a predetermined pressure, such that the pressure difference between the source 11 and the propagation environment 13 is sufficient to generate an ultrasonic expansion of the gas which passes through the nozzle 12.
La conformazione dell’ugello 12 e la differenza di pressione tra sorgente 11 e ambiente di propagazione 13 sono tali che il flusso gassoso che attraversa l’ugello 12 à ̈ soggetto ad una espansione ultrasonica (cioà ̈ una espansione con conseguente aumento della velocità a valori supersonici). The conformation of the nozzle 12 and the pressure difference between the source 11 and the propagation environment 13 are such that the gaseous flow that passes through the nozzle 12 is subject to ultrasonic expansion (i.e. an expansion with consequent increase in speed to supersonic values).
In particolare, il gruppo 3 à ̈ configurato in modo tale che il fascio 10 di gas supersonico generato sia un fascio cosiddetto molecolare, vale a dire in cui (oltre una zona iniziale localizzata in prossimità dell’uscita dell’ugello 12, dove si verificano urti fra le particelle del gas tali da generare forti gradienti di densità e velocità delle particelle stesse) le particelle del gas si propagano sostanzialmente senza urti reciproci. Questo permette alle particelle di propagarsi mantenendo sostanzialmente numero e momento originali (vale a dire quelli che si hanno una volta che tutti i processi fisici legati all’espansione supersonica hanno avuto luogo), dando luogo ad un fascio con bassa divergenza. In particular, group 3 is configured in such a way that the generated supersonic gas beam 10 is a so-called molecular beam, that is to say in which (beyond an initial zone located near the outlet of the nozzle 12, where collisions occur between the gas particles such as to generate strong gradients of density and velocity of the particles themselves) the gas particles propagate substantially without reciprocal collisions. This allows the particles to propagate while essentially maintaining their original number and moment (ie those that occur once all the physical processes related to the supersonic expansion have taken place), resulting in a beam with low divergence.
Nell’esempio illustrato, ma non necessariamente, il sistema 14 comprende un circuito 15 di alimentazione gas che collega la sorgente 11 a un serbatoio 16 di gas, pressurizzato alla pressione necessaria per alimentare gas alla sorgente 11 alla pressione desiderata (pressione necessaria all’espansione ultrasonica nell’ugello 12). In the example illustrated, but not necessarily, the system 14 comprises a gas supply circuit 15 which connects the source 11 to a gas tank 16, pressurized to the pressure necessary to supply gas to the source 11 at the desired pressure (pressure necessary for the Ultrasonic expansion in the nozzle 12).
Il gas contenuto nel serbatoio 16 o comunque alimentato alla camera sorgente 11 à ̈ un gas formato da particelle neutre. In linea di principio, qualunque gas non elettronegativo à ̈ adatto allo scopo. Sono preferibili gas più facilmente ionizzabili, quali argon o azoto. The gas contained in the tank 16 or in any case fed to the source chamber 11 is a gas formed by neutral particles. In principle, any non-electronegative gas is suitable for the purpose. More easily ionizable gases, such as argon or nitrogen, are preferable.
Vantaggiosamente, l’ugello 12 à ̈ inserito in un condotto 17, opzionalmente orientabile, che si estende lungo la direzione G e dirige il fascio 10 nella direzione desiderata. Advantageously, the nozzle 12 is inserted in a conduit 17, optionally orientable, which extends along the direction G and directs the beam 10 in the desired direction.
Il gruppo 2 di emissione di fasci di elettroni e il gruppo 3 di emissione di fasci di gas supersonici sono orientati in modo tale da trasportare il fascio 4 di elettroni all’interno del fascio 10 di gas; in particolare, i gruppi 2, 3 sono orientati in modo tale da inviare il fascio 10 di gas sul fascio 4 di elettroni e avvolgere il fascio 4 di elettroni con il fascio 10 di gas. Il fascio 4 di elettroni viaggia poi, una volta che i due fasci 4, 10 si sono incontrati, all’interno del fascio 10 di gas. The electron beam emission group 2 and the supersonic gas beam emission group 3 are oriented in such a way as to transport the electron beam 4 inside the gas beam 10; in particular, the groups 2, 3 are oriented in such a way as to send the gas beam 10 onto the electron beam 4 and wrap the electron beam 4 with the gas beam 10. The electron beam 4 then travels, once the two beams 4, 10 have met, inside the gas beam 10.
Nell’esempio mostrato, l’ambiente di propagazione 13 à ̈ delimitato da una camera di trattamento 21 a pressione controllata e, in particolare, in cui si hanno condizioni di vuoto artificiale con pressioni dell’ordine o inferiori a 10<-2>mbar. In the example shown, the propagation environment 13 is delimited by a treatment chamber 21 at controlled pressure and, in particular, in which there are artificial vacuum conditions with pressures of the order or lower than 10 <- 2> mbar.
Nell’esempio non limitativo illustrato, l’apparecchiatura 1 à ̈ impiegata per la realizzazione di film sottili su un substrato tramite processo di deposizione a elettroni pulsati (PED). In the illustrated non-limiting example, apparatus 1 is used for the production of thin films on a substrate by means of a pulsed electron deposition (PED) process.
L’apparecchiatura 1 comprende pertanto anche un porta-bersaglio 22, su cui à ̈ disposto in uso un materiale bersaglio 23 che si desidera depositare in forma di film o strato sottile, e un supporto 24 che porta in uso un substrato 25 su cui si intende depositare uno strato 26 realizzato con il materiale bersaglio 23. Il portabersaglio 22 e il supporto 24 sono alloggiati all’interno della camera di trattamento 21 e il supporto 24 à ̈ disposto in prossimità del porta-bersaglio 22 in posizione tale da intercettare in uso il flusso di evaporazione 27, la cosiddetta “piuma†, generato dall’interazione del fascio 4 di elettroni con il materiale bersaglio 23. The apparatus 1 therefore also comprises a target holder 22, on which a target material 23 is disposed in use which is to be deposited in the form of a film or thin layer, and a support 24 which carries in use a substrate 25 on which it is intended to deposit a layer 26 made with the target material 23. The target carrier 22 and the support 24 are housed inside the treatment chamber 21 and the support 24 is arranged in proximity to the target carrier 22 in such a position as to intercept in use the evaporation flux 27, the so-called â € œpiumaâ €, generated by the interaction of the electron beam 4 with the target material 23.
L’uso dell’apparecchiatura 1 in attuazione del metodo dell’invenzione à ̈ il seguente. The use of the apparatus 1 in implementation of the method of the invention is as follows.
Il gruppo 2 e il gruppo 3 sono azionati per generare rispettivamente il fascio 4 di elettroni e il fascio 10 di gas supersonico lungo le rispettive direzioni P, G di propagazione. The group 2 and the group 3 are operated to generate the electron beam 4 and the supersonic gas beam 10 respectively along the respective directions P, G of propagation.
I due gruppi 2, 3 e quindi anche i due fasci 4, 10 sono orientati uno rispetto all’altro in modo tale da includere il fascio 4 di elettroni all’interno del fascio 10 di gas supersonico e trasportare così il fascio 4 di elettroni per mezzo del fascio 10 di gas supersonico. The two groups 2, 3 and therefore also the two beams 4, 10 are oriented with respect to each other in such a way as to include the electron beam 4 inside the supersonic gas beam 10 and thus transport the beam 4 of electrons by means of the supersonic gas beam 10.
Nell’esempio mostrato, le direzioni P, G lungo le quali si propagano i fasci 4, 10 sono incidenti, ma potrebbero essere anche diversamente orientate una rispetto all’altra, per esempio sostanzialmente coincidenti. In the example shown, the directions P, G along which the beams 4, 10 propagate are incident, but they could also be differently oriented with respect to each other, for example substantially coincident.
Il metodo dell’invenzione per il trasporto di fasci di elettroni comprende quindi le fasi di: The method of the invention for the transport of electron beams therefore includes the steps of:
- generare il fascio 4 di elettroni e il fascio 10 di gas supersonico (quest’ultimo, per esempio, tramite una fase di espansione ultrasonica di gas tra la sorgente 11 e l’ambiente di propagazione 13); - generating the electron beam 4 and the supersonic gas beam 10 (the latter, for example, by means of an ultrasonic gas expansion phase between the source 11 and the propagation environment 13);
- orientare il fascio 10 di gas supersonico e/o il fascio 4 di elettroni uno rispetto all’altro in modo tale da includere il fascio 4 di elettroni all’interno del fascio - orient the supersonic gas beam 10 and / or the electron beam 4 with respect to each other in such a way as to include the electron beam 4 inside the beam
18 Daniele CERNUZZI (Iscrizione Albo nr.959/BM) 10 di gas (per esempio, inviando il fascio 10 di gas sul fascio 4 di elettroni e avvolgendo il fascio 4 di elettroni con il fascio 10 di gas); 18 Daniele CERNUZZI (Registered Register nr. 959 / BM) 10 of gas (for example, by sending the gas beam 10 on the electron beam 4 and wrapping the electron beam 4 with the gas beam 10);
- confinare il fascio 4 di elettroni all’interno del fascio 10 di gas supersonico tramite un plasma di contenimento generato all’interno del fascio 10 di gas per interazione tra le particelle di gas e gli elettroni del fascio 4 di elettroni; - confining the electron beam 4 inside the supersonic gas beam 10 by means of a containment plasma generated inside the gas beam 10 by interaction between the gas particles and the electrons of the electron beam 4;
- propagare il fascio 4 di elettroni all’interno del fascio 10 di gas supersonico e così trasportare il fascio 4 di elettroni per mezzo del fascio 10 di gas supersonico. - propagating the electron beam 4 inside the supersonic gas beam 10 and thus transporting the electron beam 4 by means of the supersonic gas beam 10.
Resta infine inteso che al metodo e all’apparecchiatura qui descritti ed illustrati possono essere apportate ulteriori modifiche e varianti che non escono dall’ambito delle annesse rivendicazioni. Finally, it is understood that further modifications and variations may be made to the method and apparatus described and illustrated here, which do not depart from the scope of the attached claims.
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Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2899556A (en) * | 1952-10-17 | 1959-08-11 | Apparatus for the treatment of substances | |
| GB1049057A (en) * | 1964-06-11 | 1966-11-23 | Sciaky David | Electron beam welding out of vacuum |
| JPS5656791A (en) * | 1979-10-17 | 1981-05-18 | Toshiba Corp | Atmospheric electronic beam welding equipment |
| US4931700A (en) * | 1988-09-02 | 1990-06-05 | Reed Jay L | Electron beam gun |
| US5079482A (en) * | 1991-02-25 | 1992-01-07 | Villecco Roger A | Directed electric discharge generator |
| US6396064B1 (en) * | 1997-11-24 | 2002-05-28 | Gerasimos Daniel Danilatos | Differential pumping via core of annular supersonic jet |
| US6998627B1 (en) * | 2004-10-12 | 2006-02-14 | Steris Inc. | Channel for transport of electron beam from accelerator to irradiated product |
| EP1491255B1 (en) * | 2002-02-12 | 2009-12-09 | Otkrytoe Aktsionernoe Obschestvo " Tvel" | Method for carrying out homogeneous and heterogeneous chemical reactions using plasma |
-
2010
- 2010-01-28 IT ITMI2010A000120A patent/IT1399182B1/en active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2899556A (en) * | 1952-10-17 | 1959-08-11 | Apparatus for the treatment of substances | |
| GB1049057A (en) * | 1964-06-11 | 1966-11-23 | Sciaky David | Electron beam welding out of vacuum |
| JPS5656791A (en) * | 1979-10-17 | 1981-05-18 | Toshiba Corp | Atmospheric electronic beam welding equipment |
| US4931700A (en) * | 1988-09-02 | 1990-06-05 | Reed Jay L | Electron beam gun |
| US5079482A (en) * | 1991-02-25 | 1992-01-07 | Villecco Roger A | Directed electric discharge generator |
| US6396064B1 (en) * | 1997-11-24 | 2002-05-28 | Gerasimos Daniel Danilatos | Differential pumping via core of annular supersonic jet |
| EP1491255B1 (en) * | 2002-02-12 | 2009-12-09 | Otkrytoe Aktsionernoe Obschestvo " Tvel" | Method for carrying out homogeneous and heterogeneous chemical reactions using plasma |
| US6998627B1 (en) * | 2004-10-12 | 2006-02-14 | Steris Inc. | Channel for transport of electron beam from accelerator to irradiated product |
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| Publication number | Publication date |
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