IT986401B - Procedimento per incidere un dise gno in uno strato di nitruro di silicio e dispositivo semicondut tore fabbricato con il procedi mento - Google Patents

Procedimento per incidere un dise gno in uno strato di nitruro di silicio e dispositivo semicondut tore fabbricato con il procedi mento

Info

Publication number
IT986401B
IT986401B IT6862473A IT6862473A IT986401B IT 986401 B IT986401 B IT 986401B IT 6862473 A IT6862473 A IT 6862473A IT 6862473 A IT6862473 A IT 6862473A IT 986401 B IT986401 B IT 986401B
Authority
IT
Italy
Prior art keywords
procedure
engraving
design
layer
silicon nitride
Prior art date
Application number
IT6862473A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to IT6862473A priority Critical patent/IT986401B/it
Application granted granted Critical
Publication of IT986401B publication Critical patent/IT986401B/it

Links

IT6862473A 1973-06-01 1973-06-01 Procedimento per incidere un dise gno in uno strato di nitruro di silicio e dispositivo semicondut tore fabbricato con il procedi mento IT986401B (it)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT6862473A IT986401B (it) 1973-06-01 1973-06-01 Procedimento per incidere un dise gno in uno strato di nitruro di silicio e dispositivo semicondut tore fabbricato con il procedi mento

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT6862473A IT986401B (it) 1973-06-01 1973-06-01 Procedimento per incidere un dise gno in uno strato di nitruro di silicio e dispositivo semicondut tore fabbricato con il procedi mento

Publications (1)

Publication Number Publication Date
IT986401B true IT986401B (it) 1975-01-30

Family

ID=11310063

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
IT6862473A IT986401B (it) 1973-06-01 1973-06-01 Procedimento per incidere un dise gno in uno strato di nitruro di silicio e dispositivo semicondut tore fabbricato con il procedi mento

Country Status (1)

Country Link
IT (1) IT986401B (it)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
IT955914B (it) Composizioni flocculanti a base di siliconi e silice
AU504667B2 (en) Semiconductor device with passivating layer
CA1034263A (en) Silicon semiconductor device with stress-free electrodes
RO68195A (ro) Procedeu si dispozitiv pentru prevenirea cavitatiei
AU3853872A (en) Semi-conductor device
GB1542084A (en) Thin silicon semiconductor devices
JPS5287376A (en) Monolithic semiconductor device
CA963169A (en) Semiconductor shift register using polycrystalline silicon
RO65619A (ro) Procedeu si dispozitiv pentru repararea utilajului de turnare
IT986401B (it) Procedimento per incidere un dise gno in uno strato di nitruro di silicio e dispositivo semicondut tore fabbricato con il procedi mento
CA985416A (en) Bucket brigade device with raised semiconductor regions
AU459156B2 (en) Monolithic semiconductor device
JPS5210090A (en) Multicolor monolithic semiconductor device
AU4870672A (en) Integrated semiconductor structure
IT975959B (it) Dispositivo di memoria a semicondut tore
AU475239B2 (en) Integrated semiconductor device
AR205514A1 (es) Procedimiento de proteccion de una pared refractaria en servicio
AU474165B2 (en) Semiconductor device
CA960373A (en) Semiconductor device isolation structure with integrally formed resistor
PL99632B1 (pl) Urzadzenie dociskowe i mocujace do elementow polprzewodnikowych
IT955540B (it) Procedimento di fissaggio di una coppella per valvola su una bom boletta di aerosol e dispositivo per al messa in opera del procedi mento
CA898413A (en) Passivated semiconductor device with peripheral protective junction
CA837293A (en) Alloy-diffused silicon pn-junction semi-conductor device
AU462119B2 (en) Monolithic integrated semiconductor device
CA879982A (en) Method of making fast switching semiconductive devices with silicon nitride passivation