IT950185B - Procedimento di applicazione di uno strato di composto liquido anticor rosivo sulla superficie interna di tubi e apparecchio per la realizza zione di detto metodo
- Google Patents
Procedimento di applicazione di uno strato di composto liquido anticor rosivo sulla superficie interna di tubi e apparecchio per la realizza zione di detto metodo
Info
Publication number
IT950185B
IT950185BIT2184072AIT2184072AIT950185BIT 950185 BIT950185 BIT 950185BIT 2184072 AIT2184072 AIT 2184072AIT 2184072 AIT2184072 AIT 2184072AIT 950185 BIT950185 BIT 950185B
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vnii StrfiledCriticalVnii Str
Priority to IT2184072ApriorityCriticalpatent/IT950185B/it
Application grantedgrantedCritical
Publication of IT950185BpublicationCriticalpatent/IT950185B/it
IT2184072A1972-03-141972-03-14Procedimento di applicazione di uno strato di composto liquido anticor rosivo sulla superficie interna di tubi e apparecchio per la realizza zione di detto metodo
IT950185B
(it)
Procedimento di applicazione di uno strato di composto liquido anticor rosivo sulla superficie interna di tubi e apparecchio per la realizza zione di detto metodo
Procedimento di applicazione di uno strato di composto liquido anticor rosivo sulla superficie interna di tubi e apparecchio per la realizza zione di detto metodo
Procedimento di applicazione di uno strato di composto liquido anticor rosivo sulla superficie interna di tubi e apparecchio per la realizza zione di detto metodo
Camicia di cilindro per motori raffreddati con liquido aventi un elemento sigillante a nastro sulla superficie esterna di essa eprocedimento per fabbricare la detta camicia.
Procedimento di applicazione di uno strato di composto liquido anticor rosivo sulla superficie interna di tubi e apparecchio per la realizza zione di detto metodo
Metodo di fabbricazione di dispositivi semiconduttori comportante la formazione di uno strato di materiale semiconduuttore su di un substrato apparato per l'attuazione di tale metodo e dispositivo semiconduttore fabbricato con l'ausilio di detto metodo