IT202100011000A1

IT202100011000A1 - Stripline bias tee realizzato con capacita’ verso massa

Info

Publication number: IT202100011000A1
Application number: IT102021000011000A
Authority: IT
Inventors: Matteo Cendamo; Marco Comerlati
Original assignee: Commscope Italy Srl
Priority date: 2021-04-30
Filing date: 2021-04-30
Publication date: 2022-10-30
Also published as: US20240039138A1; WO2022228769A1

Description

DESCRIZIONE del Brevetto 102021000011000 per invenzione industriale:

?STRIPLINE BIAS TEE REALIZZATO CON CAPACITA? VERSO MASSA?

DESCRIZIONE

CAMPO

[0001] La presente illustrazione si riferisce a sistemi di comunicazioni e, in particolare, a diplexer che sono utilizzabili, per esempio, con filtri a radiofrequenza ("RF").

CONTESTO

[0002] I diplexer sono reti a tre porte che vengono usate per suddividere segnali elettrici entranti immessi in corrispondenza di una porta comune su due porte a frequenza selettiva, e per combinare i segnali elettrici ricevuti in corrispondenza di due porte a frequenza selettiva (che sono sovente indicate come porta a bassa frequenza e porta ad alta frequenza) ed emettere il segnale combinato tramite la porta comune. Un Bias T ? un tipo di diplexer in cui una delle porte a frequenza selettiva ? configurata per far passare la corrente continua (?DC?) e segnali a bassa frequenza.

Un Bias T ? sovente usato per far passare segnali di polarizzazione DC verso un componente elettronico. La porta a bassa frequenza del Bias T viene usata per far passare i segnali di polarizzazione DC al componente elettronico bloccando al contempo i segnali RF. La porta ad altra frequenza del Bias T fa passare i segnali RF al componente elettronico o a un altro dispositivo bloccando al contempo i segnali di polarizzazione DC. Entrambi i segnali DC e i segnali RF passano attraverso la porta comune del Bias T. Sebbene le tre porte del Bias T possano essere disposte a forma di T, il termine ?Bias T?, come usato nella presente, non ? limitato ad una disposizione a forma di T delle porte.

[0003] I Bias T sono ampiamente usati in sistemi di comunicazione cellulare, poich? molte stazioni base cellulari includono filtri che sono montati all'interno di un'antenna di stazione base o su una torre di antenna adiacente all'antenna di stazione di base. Per ridurre il numero di cavi instradati alla torre di antenna, entrambi un segnale di potenza DC e segnali RF possono essere trasmessi dall'attrezzatura di stazione base in corrispondenza della base della torre di antenna alla sommit? della torre di antenna sopra un cavo comune. In corrispondenza della sommit? della torre, un Bias T pu? essere usato per separare il segnale di potenza DC dai segnali RF. In alcune applicazioni, il primo componente elettronico in corrispondenza della sommit? della torre di antenna che funziona sul segnale RF ? un filtro. In tale applicazione, un Bias T pu? essere integrato nel filtro RF in modo tale che i segnali RF possano essere instradati tramite la porzione di risposta di frequenza del filtro e i segnali DC possono essere separati dai segnali RF e instradati ad altri componenti elettronici in corrispondenza della sommit? della torre di antenna. La porta ad alta frequenza del Bias T pu? includere un condensatore di blocco DC che ? posizionato tra un connettore RF del filtro RF e il primo (e/o ultimo) risonatore del filtro RF. La porta a bassa frequenza del Bias T pu? includere un dispositivo di blocco RF che fa passare i segnali di potenza DC verso, per esempio, un componente elettronico attivo, bloccando al contempo i segnali RF. In via esemplificativa, un tubo isolante avente un'asta metallica al suo interno pu? separare la componente DC da un segnale RF-DC combinato e far passare la componente DC al componente elettronico attivo attraverso l'asta metallica.

SOMMARIO

[0004] Un Bias T, secondo alcune forme di realizzazione, pu? includere una porta a bassa frequenza, una porta ad alta frequenza, e una porta comune. Il Bias T include una linea di trasmissione RF che ? accoppiata tra la porta comune e la porta a bassa frequenza. Inoltre, il Bias T include un materiale dielettrico che ? configurato per fornire una capacitanza tra la linea RF di trasmissione e la massa elettrica.

[0005] In alcune forme di realizzazione, la linea di trasmissione RF pu? includere una pista di striscia metallica che ? almeno 1 millimetro di spessore.

[0006] Secondo alcune forme di realizzazione, la linea di trasmissione RF pu? includere una porzione allargata. La linea di trasmissione RF pu? essere accoppiata a un connettore RF di un filtro RF, e il materiale dielettrico pu? essere tra la porzione allargata della linea di trasmissione RF e un alloggiamento del filtro RF. Inoltre, il Bias T pu? includere un dispositivo di fissaggio dielettrico che ? su una prima superficie della porzione allargata della linea di trasmissione RF. Il materiale dielettrico pu? essere su una seconda superficie della porzione allargata della linea di trasmissione RF che ? opposta alla prima superficie. La porzione allargata della linea di trasmissione RF pu? essere su una superficie superiore dell'alloggiamento, e la prima e seconda superficie della porzione allargata della linea di trasmissione RF pu? essere perpendicolare a una parete laterale dell'alloggiamento.

[0007] In alcune forme di realizzazione, la linea di trasmissione RF pu? avere una prima e seconda porzione ristretta che sono accoppiate in modo induttivo l'una all'altra. La linea di trasmissione RF pu? includere una porzione allargata che ha una prima e seconda estremit? opposte dalle quali la prima e seconda porzione ristretta, rispettivamente, della linea di trasmissione RF si estendono. Inoltre, la prima e seconda porzione ristretta della linea di trasmissione RF possono includere rispettivamente una prima e seconda sezione di accoppiamento. La linea di trasmissione RF pu? includere una terza e quarta sezione di accoppiamento che sono accoppiate in modo induttivo l'una all'altra e che si estendono rispettivamente dalla prima e seconda sezione di accoppiamento.

[0008] Secondo alcune forme di realizzazione, il materiale dielettrico pu? essere parte di un condensatore che ? parte di un circuito di risonanza induttore-condensatore (LC) fornito lungo la linea di trasmissione RF. Il circuito risonante LC pu? includere un primo circuito risonante LC, e il Bias T pu? includere un secondo LC circuito risonante LC che ? accoppiato in serie al primo circuito risonante LC lungo la linea di trasmissione RF. Inoltre, il secondo circuito risonante LC pu? includere un primo induttore, un condensatore che ? accoppiato tra la linea di trasmissione RF e la massa elettrica, e un secondo induttore. Il primo e secondo induttore possono essere configurati per accoppiarsi reciprocamente tra loro.

[0009] Un Bias T, secondo alcune forme di realizzazione, pu? avere una linea di trasmissione RF a striscia d'aria che ? lungo un percorso di bassa frequenza del Bias T ed ? accoppiata a terra in modo capacitivo.

[0010] In alcune forme di realizzazione, la linea di trasmissione RF a striscia d'aria pu? includere una prima e seconda sezione che sono configurate per accoppiarsi in modo induttivo tra loro.

[0011] Secondo alcune forme di realizzazione, il Bias T pu? includere un foglio dielettrico. L'accoppiamento capacitivo a terra pu? essere fornito tramite il foglio dielettrico. Il foglio dielettrico pu? essere su un alloggiamento metallico ed ? compreso tra la linea di trasmissione RF a striscia d'aria e l'alloggiamento metallico. Inoltre, l'alloggiamento metallico pu? essere un alloggiamento metallico di un filtro RF, e la linea di trasmissione RF a striscia d'aria pu? includere una prima e seconda porzione che sono accoppiate in modo induttivo l'una all'altra e che si estendono in parallelo con una parete laterale dell'alloggiamento metallico del filtro RF.

[0012] Un Bias T, secondo alcune forme di realizzazione, pu? includere una porta a bassa frequenza, una porta ad alta frequenza, e una porta comune. Il Bias T pu? includere una capacitanza a terra che ? accoppiata tra la porta comune e la porta a bassa frequenza. Inoltre, il Bias T pu? includere una prima e seconda sezione di accoppiamento che sono accoppiate tra la porta comune e la porta a bassa frequenza. La prima e seconda sezione di accoppiamento possono avere un reciproco accoppiamento tra di esse.

[0013] In alcune forme di realizzazione, il reciproco accoppiamento pu? includere reciproca induttanza. Inoltre, la prima e seconda sezione di accoppiamento possono essere una prima e seconda porzione, rispettivamente, di una linea di trasmissione RF del Bias T.

[0014] Secondo alcune forme di realizzazione, la capacitanza a terra pu? essere accoppiata tra la prima e seconda sezione di accoppiamento.

BREVE DESCRIZIONE DEI DISEGNI

[0015] La figura 1A ? una vista in prospettiva frontale di un'antenna di stazione base in cui pu? essere usato un Bias T secondo le forme di realizzazione della presente invenzione.

[0016] La figura 1B ? un diagramma a blocchi schematico delle porte dell'antenna di stazione base della figura 1A connesse elettricamente alle porte di una radio.

[0017] La figura 2 ? una vista frontale schematica esemplificativa dell'antenna di stazione base della figura 1A con il radome rimosso.

[0018] La figura 3A ? una vista in prospettiva dall'alto di un Bias T secondo forme di realizzazione della presente invenzione.

[0019] La figura 3B ? una vista dall'alto del Bias T della figura 3A.

[0020] La figura 3C ? una vista in sezione trasversale del Bias T della figura 3A.

[0021] La figura 4A ? una vista in prospettiva laterale di una porzione del Bias T della figura 3A.

[0022] La figura 4B ? una vista laterale della porzione del Bias T della figura 3A.

[0023] La figura 4C ? una vista dall'alto della porzione del Bias T della figura 3A.

[0024] La figura 5A ? una vista dall'alto di un filtro RF avente due Bias T accoppiati ad esso, secondo forme di realizzazione della presente invenzione.

[0025] La figura 5B ? una vista in prospettiva dall'alto esplosa del filtro RF della figura 5A.

[0026] La figura 5C ? una vista ingrandita di una porzione della figura 5B.

[0027] La figura 6 ? una vista in prospettiva laterale di due circuiti induttore-condensatore di un Bias T che sono accoppiati in serie, secondo altre forme di realizzazione della presente invenzione.

[0028] La figura 7 ? una vista laterale di una linea di trasmissione RF che include quattro sezioni di accoppiamento, secondo ulteriori forme di realizzazione della presente invenzione.

[0029] La figura 8 ? uno schema elettrico del Bias T della figura 3A.

DESCRIZIONE DETTAGLIATA

[0030] In conformit? con le forme di realizzazione della presente invenzione, sono forniti Bias T che includono un circuito induttore-condensatore (LC) a potenza elevata e un condensatore di blocco DC. Il circuito LC a potenza elevata, che ? accoppiato alla porta a bassa frequenza del Bias T, pu? essere formato come linea di trasmissione RF a striscia che ? accoppiata in modo capacitivo a terra e un condensatore che pu? generare molteplici zeri di trasmissione. La posizione degli zeri di trasmissione pu? essere selezionata per bloccare i segnali RF nella banda di frequenza operativa del filtro RF. Il condensatore di blocco DC pu? essere accoppiato alla porta ad alta frequenza del Bias T per bloccare i segnali DC dall'ingresso nel filtro RF. Un esempio di un Bias T convenzionale a potenza elevata ? un tubo isolante avente un'asta metallica al suo interno che funge da dispositivo di blocco RF che fa passare un componente DC di un segnale RF-DC combinato.

[0031] Sebbene i Bias T convenzionali possano separare un componente DC da un segnale RF-DC combinate e possano produrre due zeri di trasmissione, la larghezza di banda RF di Bias T convenzionali (vale a dire, l'intervallo di segnali RF bloccati dalla porta a bassa frequenza del Bias T) pu? essere relativamente stretta. Per esempio, i Bias T convenzionali possono soltanto bloccare i segnali RF entro una larghezza di banda di 1.927 megahertz (?MHz?), che pu? includere frequenze sopra 800 MHz e sotto 2.800 MHz. A circa 2.800 MHz, i Bias T convenzionali possono produrre una risonanza che rende i Bias T convenzionali inutilizzabili a questa frequenza per via dell'isolamento molto esiguo prodotto. Per esempio, un livello di isolamento avente un valore assoluto minore di 30 decibel (?dB?) pu? evitare che un Bias T usi frequenze corrispondenti a tale livello.

[0032] Secondo la presente invenzione, tuttavia, un Bias T avente una linea di trasmissione RF che ? accoppiata in modo capacitivo a terra pu? fornire una larghezza di banda operativa pi? ampia (per esempio, a circa 2.690 MHz) rispetto ai Bias T convenzionali. In via esemplificativa, i Bias T secondo le forme di realizzazione della presente invenzione possono includere uno zero di trasmissione a circa 3.000 MHz, e un livello di isolamento pu? avere un valore assoluto di 30 dB o maggiore nell'intervallo di frequenza 800-3.500 MHz.

[0033] Un Bias T secondo la presente invenzione pu? anche essere pi? personalizzabile rispetto a convenzionali Bias T, poich? i Bias T secondo forme di realizzazione della presente invenzione possono essere modificati regolando la dimensione/forma di una linea di trasmissione RF relativa, mentre modificare i convenzionali Bias T pu? richiedere l'uso di un costoso strumento di fabbricazione metallico per produrre un nuovo dispositivo di blocco RF. Come esempio, la linea di trasmissione RF pu? comprendere una striscia metallica avente dimensioni di lunghezza, larghezza, e/o spessore regolabili. Come altro esempio, la striscia metallica pu? includere sezioni di accoppiamento aventi una distanza regolabile tra di loro. In un ulteriore esempio, una pellicola/foglio dielettrici mediante il quale la striscia metallica ? accoppiata in modo capacitivo a terra pu? avere dimensioni di lunghezza, larghezza, e/o spessore regolabili. Cambiando una o pi? dimensioni/forma della striscia metallica e/o una o pi? dimensioni della pellicola/foglio dielettrici, le frequenze in corrispondenza delle quali si verificano gli zeri di trasmissione possono essere cambiate. Di conseguenza, la larghezza di banda fornita da un Bias T secondo forme di realizzazione della presente invenzione pu? essere sia pi? ampia che pi? facilmente personalizzata (per esempio, per racchiudere frequenze inferiori o frequenze superiori) rispetto ai convenzionali Bias T.

[0034] Le forme di realizzazione esemplificative della presente invenzione saranno descritte in modo maggiormente dettagliato facendo riferimento alle figure allegate.

[0035] La figura 1A ? una vista in prospettiva frontale di un'antenna di stazione base 100 in cui pu? essere usato un Bias T secondo le forme di realizzazione della presente invenzione. Come illustrato nella figura 1A, l'antenna 100 ? una struttura allungata e ha una forma generalmente rettangolare. L'antenna 100 include un radome 110. In alcune forme di realizzazione, l'antenna 100 include inoltre una copertura di estremit? superiore 120 e/o una copertura di estremit? inferiore 130. La copertura di estremit? inferiore 130 pu? includere una pluralit? di connettori o "porte" RF 145 montati al suo interno. Le porte RF 145 possono essere connesse alle porte di una o pi? radio tramite, per esempio, connessioni di cavo coassiale.

[0036] La figura 1B ? un diagramma a blocchi schematico delle porte 145 dell'antenna di stazione base 100 collegata elettricamente alle rispettive porte 143 di una radio 142. Come illustrato nella figura 1B, le porte da 145-1 a 145-4 dell'antenna 100 sono collegate elettricamente alle porte da 143-1 a 143-4, rispettivamente, della radio 142 mediante rispettive linee di trasmissione a RF da 144-1 a 144-4, per esempio cavi coassiali. Analogamente, le porte da 145-1' a 145-4' dell'antenna 100 sono collegate elettricamente alle porte da 143-1' a 143-4', rispettivamente, della radio 142 mediante rispettive linee di trasmissione a RF da 144-5 a 144-8. Le porte da 145-1 a 145-4 possono trasmettere e/o ricevere segnali RF nella medesima banda di frequenza delle porte da 145-1' a 145-4', oppure in una banda di frequenza differente dalle porte da 145-1' a 145-4'. Per semplicit? di illustrazione, vengono mostrate soltanto otto porte 145 nella figura 1B.

[0037] L'antenna 100 pu? trasmettere e/o ricevere segnali RF in una o pi? bande di frequenza, per esempio una o pi? bande comprendenti frequenze tra 400 MHz e 5.800 MHz. L'antenna 100 pu? includere array (per esempio, colonne verticali) da 170-1 a 170-4 di elementi di irradiazione 271 (figura 2) che sono configurati per trasmettere e/o ricevere segnali RF. L'antenna 100 pu? anche includere una rete di alimentazione filtrata 150 che ? accoppiata tra gli array 170 e la radio 142. Per esempio, gli array 170 possono essere accoppiati a rispettivi percorsi di trasmissione a RF (per esempio, comprendenti una o pi? linee di trasmissione a RF) della rete di alimentazione 150.

[0038] In alcune forme di realizzazione, la rete di alimentazione 150 pu? includere uno o pi? dispositivi di filtro RF 165. La circuiteria di alimentazione 156 della rete di alimentazione 150 pu? essere accoppiata tra ciascun filtro 165 e la radio 142. In altre forme di realizzazione, l'uno o pi? filtri 165 possono essere esterni all'antenna 100. In qualit? di esempio, un'unit? indipendente che ? accoppiata tra la radio 142 e l'antenna 100 pu? comprendere l'uno o pi? filtri 165.

[0039] La rete di alimentazione 150 pu? anche includere circuiteria di alimentazione 157 che ? accoppiata tra l'uno o pi? filtri 165 e gli array 170. La circuiteria 156/157 pu? accoppiare segnali RF in collegamento discendente dalla radio 142 agli elementi di irradiazione 271 che sono negli array 170. La circuiteria 156/157 pu? anche accoppiare i segnali RF in collegamento ascendente dagli elementi di irradiazione 271 che sono negli array 170 alla radio 142. Per esempio, la circuiteria 156/157 pu? includere divisori di potenza, interruttori RF, accoppiatori RF, e/o linee di trasmissione a RF che accoppiano l'uno o pi? dispositivi di filtro RF 165 tra la radio 142 e gli array 170. Inoltre, la circuiteria 156 e la circuiteria 157 possono, in alcune forme di realizzazione, ognuna includere un Bias T BT. Sebbene i Bias T BT siano illustrati nella figura 1B come separati dal filtro 165, i Bias T BT possono, in alcune forme di realizzazione, condividere un alloggiamento 320 (figura 5B) con il filtro 165.

[0040] L'antenna 100 pu? includere variatori di fase che vengono usati per regolare elettronicamente l'angolo di inclinazione dei fasci di antenna generati da ciascun array 170. I variatori di fase possono essere collocati in corrispondenza di qualsiasi posizione appropriata lungo i percorsi di trasmissione a RF che si estendono tra le porte 145 e gli array 170. Di conseguenza, sebbene omessi dalla vista nella figura 1B per semplicit? di illustrazione, la rete di alimentazione 150 pu? includere variatori di fase.

[0041] La figura 2 ? una vista frontale schematica esemplificativa dell'antenna di stazione base 100 della figura 1A con il relativo radome 110 rimosso per illustrare un gruppo antenna dell'antenna 100. Il gruppo antenna include una pluralit? di elementi di irradiazione 271, che possono essere raggruppati in uno o pi? array 170.

[0042] Per esempio, la figura 2 illustra un gruppo antenna 200 che include quattro array da 170-1 a 170-4 di elementi radianti 271 in quattro colonne verticali, rispettivamente, che sono distanziati tra loro in una direzione orizzontale H. Gli array 170 sono ognuno configurato per trasmettere e ricevere segnali RF in una o pi? bande di frequenza. Sebbene la figura 2 mostri quattro array da 170-1 a 170-4, il gruppo antenna 200 pu? includere un numero maggiore (per esempio, cinque, sei, o pi?) oppure un numero minore (per esempio, tre, due, oppure uno) di array 170. Inoltre, il numero degli elementi di irradiazione 271 in un array 170 pu? essere qualsiasi quantit? da due a venti o pi?.

[0043] La figura 3A ? una vista in prospettiva dall'alto di un Bias T BT secondo forme di realizzazione della presente invenzione. Il Bias T BT della figura 3A ? implementato come dispositivo indipendente. Sar? apprezzato che il Bias T BT pu? in alternativa essere implementato come parte di un altro dispositivo come, per esempio, un filtro RF. Le figure 5A-5C nella presente illustrano un filtro RF avente un Bias T BT integrato secondo forme di realizzazione della presente invenzione.

[0044] Facendo riferimento alla figura 3A, il Bias T BT ? un dispositivo a tre porte comprendente (i) una porta RF 330-RF (vale a dire, una porta ad alta frequenza), (ii) una porta DC 330-DC (vale a dire, una porta a bassa frequenza), e (iii) una porta comune 330-C. Sebbene le tre porte del Bias T BT possano essere in generale disposte in una forma T o forma L, queste porte non sono limitate ad avere una disposizione sagomata a T o sagomata a L. Il Bias T BT include un alloggiamento 320.

[0045] Una porzione del Bias T BT pu? essere sull'alloggiamento metallico 320, come in una porzione incassata 380 di una superficie superiore 320S dell'alloggiamento 320. In alcune forme di realizzazione, l'alloggiamento 320 pu? essere un alloggiamento di un filtro RF 165 (figura 1B). Per semplicit? di illustrazione, una copertura 370 (figura 3C) dell'alloggiamento 320 viene omessa dalla vista nella figura 3A. Inoltre, i Bias T BT possono includere una linea di trasmissione RF 340 che ? accoppiata tra la porta DC 330-DC e la porta RF 330-RF, ed ? distanziata dall'alloggiamento 320.

[0046] La porta comune 330-C, che pu? anche essere indicata nella presente come porta ?combinata? poich? pu? avere un segnale comprendente entrambi un componente RF e un componente DC, pu? essere accoppiata a un connettore RF 310 del filtro 165. Specificatamente, la porta comune 330-C pu? essere accoppiata tra il connettore 310 e un risonatore 510 (figura 5B) del filtro 165. Il connettore 310 pu? essere, per esempio, un connettore di ingresso o un connettore di uscita del filtro 165. Come esempio, il Bias T BT pu? essere usato per isolare i risonatori 510 del filtro 165 da un componente DC di un segnale RF-DC combinato che ? immesso attraverso il connettore 310.

[0047] La figura 3B ? una vista dall'alto del Bias T BT. Per semplicit? di illustrazione, la copertura 370 (figura 3C) dell'alloggiamento 320 viene anche omessa dalla vista nella figura 3B.

[0048] Come mostrato nelle figure 3A e 3B., la linea di trasmissione RF 340 pu? includere una prima porzione 342 che si estende da un conduttore centrale del connettore 310 alla porta RF 330-RF, e una seconda porzione 344 che si estende dal conduttore centrale del connettore 310 alla porta DC 330-DC. Ciascuna porzione 342, 344 della linea di trasmissione RF 340 pu? essere implementata come linea di trasmissione a striscia. La linea di trasmissione a striscia 340 pu? comprendere un materiale conduttivo, che pu? essere un metallo come rame.

[0049] La seconda porzione 344 della linea di trasmissione a striscia 340 pu? includere una porzione allargata 350 che ? fissata all'alloggiamento 320 mediante il primo dispositivo di fissaggio dielettrico 360, come una vite dielettrica. Segmenti stretti della seconda porzione 344 della linea di trasmissione a striscia 340 possono essere distanziati dall'alloggiamento 320 in modo da comprendere segmenti di linea di trasmissione a striscia d'aria. Come sar? esaminato in maggiore dettaglio nella presente, una striscia di materiale dielettrico pu? essere interposta tra la porzione allargata 350 della seconda porzione 344 della linea di trasmissione a striscia 340. La prima porzione 342 della linea di trasmissione a striscia 340 pu? comprendere un segmento a striscia d'aria allargato 390. Un secondo dispositivo di fissaggio dielettrico 360 pu? fissare il segmento a striscia d'aria allargato 390 all'involucro 320. Un segnale RF pu? essere fornito a, oppure ricevuto da un risonatore 510 (figura 5B) del filtro 165 tramite il segmento a striscia d'aria allargato 390. Specificatamente, il segnale RF pu? essere comunicato tramite la porta RF 330-RF, che ? inclusa nel percorso RF 390.

[0050] La figura 3C ? una vista in sezione trasversale del Bias T BT. Come illustrato nella figura 3C, la linea di trasmissione a striscia 340 include una prima e seconda sezione di accoppiamento CS1, CS2 che si estendono adiacenti e hanno uno spazio (per esempio, aria) tra esse. Le sezioni di accoppiamento CS1, CS2 possono essere sezioni strette della seconda porzione 344 (figura 3) della linea di trasmissione a striscia 340 che sono accoppiate in modo induttivo l'una all'altra. La linea di trasmissione a striscia 340, che include le sezioni di accoppiamento CS1, CS2 relative, pu? essere adiacente, e distanziata mediante aria, rispetto a una parete laterale SW dell'alloggiamento 320. Le sezioni di accoppiamento CS1, CS2 possono fornire una pi? ampia banda di frequenza rifiutata rispetto a una linea di trasmissione che ? priva di molteplici sezioni di accoppiamento.

[0051] La porzione allargata 350 della linea di trasmissione a striscia 340 pu? essere montata nella porzione incassata 380 della superficie superiore 320S (figura 3A) dell'alloggiamento 320. Una copertura 370 pu? estendersi sopra, ed essere assicurata all'alloggiamento 320, come mediante una pluralit? di viti. La copertura 370 pu? essere, per esempio, una copertura conduttiva, come una copertura di sintonizzazione. Inoltre, una porzione della linea di trasmissione a striscia 340 che include la porta DC 330-DC pu? sporgere verso l'alto oltre una superficie superiore della copertura 370. In alcune forme di realizzazione, un componente di scarico di gas/protezione da colpo di corrente pu? seguire, ed essere accoppiato alla porta DC 330-DC. Il componente di scarico di gas/protezione da colpo di corrente pu? essere accoppiato a terra e pu? di conseguenza fornire protezione contro i fulmini.

[0052] La figura 4A ? una vista in prospettiva laterale di una porzione del Bias T BT della figura 3A. Come illustrato nella figura 4A, il Bias T BT pu? includere un materiale dielettrico 410 che ? configurato per fornire una capacitanza tra la porzione allargata 350 della linea di trasmissione a striscia 340 e la massa elettrica. La capacitanza e massa elettrica possono essere rappresentate mediante, per esempio, un condensatore C2 e terra GND, rispettivamente, di uno schema circuitale del Bias T BT che ? esaminato in maggiore dettaglio nella presente con riferimento alla figura 8. L'alloggiamento 320 pu?, per esempio, essere accoppiato al conduttore esterno di un cavo coassiale che ? fissato alla porta comune 330-C per mantenere l'alloggiamento 320 alla massa elettrica. Il materiale dielettrico 410 pu? essere tra (a) la porzione allargata 350 della linea di trasmissione a striscia 340 e (b) una superficie inferiore della porzione incassata 380 della superficie superiore 320S dell'alloggiamento 320.

[0053] In alcune forme di realizzazione, il materiale dielettrico 410 pu? essere una pellicola/foglio poliimmidico, come una pellicola/foglio KAPTON<?>, avente uno spessore di circa 0,025 mm. In altre forme di realizzazione, il materiale dielettrico 410 pu? avere uno spessore tra 0,01 mm e 0,024 mm oppure uno spessore superiore a 0,025 mm. Lo spessore del materiale dielettrico 410 pu? essere associato a molteplici zeri di trasmissione del Bias T BT, e pertanto pu? regolare un livello di rifiuto RF lungo il percorso di frequenza del Bias T BT.

[0054] La linea di trasmissione a striscia 340 pu? comprendere una pista di striscia metallica che ? spessa almeno 1 mm. Se la linea di trasmissione a striscia 340 fosse invece inferiore a 1 mm di spessore, il rischio di bruciare (per esempio, per via di un fulmine) potr? aumentare.

[0055] La figura 4B ? una vista laterale della porzione del Bias T BT della figura 3A. Come illustrato nella figura 4B, la linea di trasmissione a striscia 340 pu? includere (i) un primo percorso 420 che si estende dalla porta comune 330-C alla sezione allargata 350 e (ii) un secondo percorso 430 che si estende dalla sezione allargata 350 alla porta DC 330-DC. Una porzione del secondo percorso 430 che sporge verso l'alto oltre la superficie superiore 320S dell'alloggiamento 320 pu? includere la porta DC 330-DC.

[0056] La figura 4C ? una vista dall'alto della porzione del Bias T BT della figura 3A. Come illustrato nella figura 4C, una testa del dispositivo di fissaggio dielettrico 360 pu? essere su una superficie superiore 350S della porzione allargata 350 della linea di trasmissione a striscia 340. Il materiale dielettrico 410 pu? essere su una superficie inferiore della porzione allargata 350 della linea di trasmissione a striscia 340 che ? opposta alla superficie superiore 350S. La porzione allargata 350 della linea di trasmissione a striscia 340 e il materiale dielettrico 410 possono ognuno includere aperture (non visibili nella figura 4C), e l'albero del dispositivo di fissaggio dielettrico 360 (anche non visibile nella figura 4C) pu? estendersi attraverso queste aperture in un'apertura filettata nell'alloggiamento 320. La superficie superiore 350S e la superficie inferiore possono essere perpendicolari a una parete laterale SW (figura 4B) dell'alloggiamento 320. In alcune forme di realizzazione, il materiale dielettrico 410 pu? estendersi lateralmente oltre un confine della porzione allargata 350 della linea di trasmissione a striscia 340. Per esempio, il materiale dielettrico 410 pu? sporgere lateralmente da sotto la porzione allargata 350 verso la linea di trasmissione a striscia 340.

[0057] Una prima e seconda porzione stretta della linea di trasmissione a striscia 340 che includono le rispettive sezioni di accoppiamento CS1, CS2 possono estendersi da estremit? opposte E1, E2, rispettivamente, della porzione allargata 350 della linea di trasmissione a striscia 340. Le sezioni di accoppiamento CS1, CS2 possono essere distanziate dalla parete laterale SW.

[0058] La figura 5A ? una vista dall'alto di un filtro RF 165 avente due Bias T BT integrati secondo forme di realizzazione della presente invenzione. Per semplicit? di illustrazione, una copertura 370 (figura 5B) dell'alloggiamento 320 del filtro 165 viene omessa dalla vista nella figura 5A.

[0059] Ciascun Bias T BT della figura 5A pu? avere la progettazione del Bias T BT mostrato nelle figure 3A-4C. In alcune forme di realizzazione, ciascuno dei Bias T BT pu? essere accoppiato tra un rispettivo connettore RF 310 del filtro 165 e un rispettivo risonatore 510 del filtro 165. Per esempio, uno dei Bias T BT pu? essere accoppiato tra un connettore di ingresso 310 e un primo risonatore 510, e l'altro dei Bias T BT pu? essere accoppiato tra un connettore di uscita 310 e un ultimo risonatore 510. Sebbene tre risonatori 510 siano mostrati nella figura 5A, il filtro 165 pu?, in alcune forme di realizzazione, invece includere pi? o meno risonatori 510.

[0060] La figura 5B ? una vista in prospettiva dall'alto esplosa del filtro RF 165 della figura 5A. Come illustrato nella figura 5B, ciascun risonatore 510 del filtro 165 pu? includere un rispettivo gambo di risonatore 510S. Sebbene il filtro 165 sia illustrato nella figura 5B come un filtro RF a cavit? coassiale, il filtro 165 pu?, in alcune forme di realizzazione, essere un altro tipo di filtro RF. Per semplicit? di illustrazione, le teste di risonatore dei risonatori 510 sono omesse dalla vista nella figura 5B.

[0061] La figura 5C ? una vista ingrandita di una porzione P della figura 5B. Come illustrato nelle figure 5B e 5C, il Bias T BT include un materiale dielettrico 410 in una porzione incassata 380 di una superficie superiore 320S di un alloggiamento 320 del filtro 165. Il materiale dielettrico 410 ? compreso tra (a) una superficie inferiore della porzione incassata 380 e (b) una superficie inferiore della porzione allargata 350 della linea di trasmissione a striscia 340. Il materiale dielettrico 410 e la porzione allargata 350 della linea di trasmissione a striscia 340 possono includere le aperture 410H e 350H, rispettivamente, al loro interno per cui il dispositivo di fissaggio dielettrico 360 pu? estendersi attraverso il fissaggio del materiale dielettrico 410 e la porzione allargata 350 alla porzione incassata 380 dell'alloggiamento 320.

[0062] Un ulteriore dispositivo di fissaggio dielettrico 360 pu? estendersi attraverso (i) il segmento a striscia d'aria allargato 390 e (ii) una rondella dielettrica 520, per fissare il segmento a striscia d'aria allargato 390 all'alloggiamento 320. In alcune forme di realizzazione, la rondella dielettrica 520 e ciascun dispositivo di fissaggio dielettrico 360 possono comprendere polietere etere chetone (?PEEK?). La rondella dielettrica 520 pu? fornire una capacitanza (per esempio, rappresentata da un condensatore C1 (figura 8)) che blocca un componente DC di un segnale RF-DC combinato.

[0063] La figura 6 ? una vista laterale in prospettiva di due circuiti LC LC-1, LC-2 che sono accoppiati in serie lungo il percorso a bassa frequenza del Bias T BT, secondo forme di realizzazione della presente invenzione. I circuiti LC LC-1, LC-2 possono essere fissati a rispettive porzioni incassate 380-1, 380-2 di una superficie superiore 320S di un alloggiamento 320 (per esempio, di un filtro RF 165 (figura 1B)). Le rispettive linee di trasmissione a striscia 340-1, 340-2 dei circuiti LC LC-1, LC-2 possono essere accoppiate in modo capacitivo a massa elettrica tramite rispettive pellicole/fogli dielettrici 410-1, 410-2. Le linee di trasmissione a striscia 340-1, 340-2 possono essere ognuna adiacente, e distanziata dalla stessa parete laterale SW dell'alloggiamento 320. Inoltre, le linee di trasmissione a striscia 340-1, 340-2 possono comprendere rispettive piste di striscia metallica che sono fisicamente e elettricamente connesse tra loro.

[0064] Accoppiando i circuiti LC LC-1, LC-2 in serie tramite le linee di trasmissione a striscia 340-1, 340-2, i circuiti LC LC-1, LC-2 possono presentare una pi? ampia larghezza di banda di rifiuto lungo il percorso a bassa frequenza rispetto a un singolo circuito LC. Per esempio, i circuiti LC LC-1, LC-2 possono essere in grado di rifiutare i segnali RF a frequenze inferiori (per esempio, una banda di frequenza comprendente 400 MHz e/o 500 MHz) rispetto a un singolo circuito LC. Inoltre, i circuiti LC LC-1, LC-2 possono fornire pi? zeri di trasmissione rispetto a un singolo circuito LC. In via esemplificativa, i circuiti LC LC-1, LC-2 possono collettivamente fornire tre o pi? zeri di trasmissione.

[0065] La figura 7 ? una vista laterale di una linea di trasmissione a striscia 340' che include quattro sezioni di accoppiamento CS1-CS4, secondo forme di realizzazione della presente invenzione. Di conseguenza, la terza e quarta sezione di accoppiamento CS3, CS4 possono essere accoppiate in modo induttivo l'una all'altra, in aggiunta alla prima e seconda sezione di accoppiamento CS1, CS2 che sono accoppiate in modo induttivo l'una all'altra. Pertanto, sar? apprezzato che i Bias T BT secondo forme di realizzazione della presente invenzione non sono limitati ad avere linee di trasmissione a striscia 340 aventi soltanto due sezioni di accoppiamento CS1, CS2.

[0066] Inoltre, in alcune forme di realizzazione, una striscia di materiale dielettrico 410 pu? essere posizionata tra le sezioni di accoppiamento CS3, CS4 e una parete laterale SW di un alloggiamento 320 in luogo di, e/o in aggiunta a un materiale dielettrico in aria. Per esempio, il materiale dielettrico 410 pu? essere una pellicola/foglio molto sottile (per esempio, spessi 0,01 mm) dielettrici. Un'ulteriore pellicola/foglio dielettrici (per esempio, il materiale dielettrico 410 mostrato nella figura 4$) e/o un dispositivo di fissaggio dielettrico 360 (figura 4A) possono, in alcune forme di realizzazione, non essere presenti su una porzione allargata 350 della linea di trasmissione a striscia 340' che ? in una porzione incassata 380 dell'alloggiamento 320.

[0067] La figura 8 ? uno schema circuitale del Bias T BT della figura 3A. Le sezioni strette della linea di trasmissione a striscia 340 lungo il percorso a bassa frequenza che sono su uno dei due lati della porzione allargata 350 (figura 3B) possono agire come coppia di induttori L1, L2. Le sezioni di accoppiamento CS1, CS2 (figura 3C) delle sezioni strette della linea di trasmissione a striscia 340 (figura 3A) possono generare una reciproca induttanza M tra gli induttori L1, L2. La reciproca induttanza M pu? avere come risultato una pi? ampia banda di frequenza rifiutata lungo il percorso a bassa frequenza del Bias T BT. In altre forme di realizzazione, tuttavia, la linea di trasmissione a striscia 340 pu? non avere alcuna reciproca induttanza M tra differenti porzioni relative.

[0068] Il materiale dielettrico 410 (figura 4A) fornito tra la sezione allargata 350 della linea di trasmissione a striscia 340 e l'alloggiamento 320 pu? funzionare come un condensatore C2 a terra GND. Un ulteriore condensatore C1 pu? bloccare un componente DC di un segnale RF-DC combinato. Il condensatore C2 ? accoppiato tra la porta comune 330-C e la porta DC 330-DC del Bias T BT. Specificatamente, in alcune forme di realizzazione, come mostrato nella figura 8, il condensatore C2 pu? essere accoppiato tra gli induttori L1, L2. In altre forme di realizzazione, tuttavia, il condensatore C2 pu? essere accoppiato tra l'induttore L1 e il condensatore C1 oppure tra l'induttore L2 e la luce DC 330-DC. Gli induttori L1, L2, come il condensatore C2, sono accoppiati tra la porta comune 330-C e la luce DC 330-DC. Gli induttori L1, L2 il condensatore C2, e la reciproca induttanza M possono formare un circuito LC che blocchi un componente RF di un segnale RF-DC combinato.

[0069] I Bias T (figura 3A) secondo forme di realizzazione della presente invenzione possono fornire un certo numero di vantaggi. Questi vantaggi includono una larghezza di banda di bloccaggio RF pi? ampia lungo il percorso a bassa frequenza rispetto ai convenzionali Bias T. I vantaggi inoltre includono una progettazione pi? semplice che ? pi? personalizzabile rispetto a quella dei Bias T convenzionali. Per esempio, personalizzare un Bias T BT secondo le forme di realizzazione della presente invenzione pu? includere (i) cambiare lunghezza, larghezza, e/o spessore della linea di trasmissione a striscia 340 (figura 3A), (ii) cambiare la quantit? di accoppiamento tra due sezioni di accoppiamento CS1, CS2 (figura 3C) della linea di trasmissione a striscia 340, e/o (iii) cambiare lunghezza, larghezza, spessore, e/o costante dielettrica di un materiale dielettrico 410 (figura 4A) che accoppia in modo capacitivo la linea di trasmissione a striscia 340 a terra. Di conseguenza, le posizioni degli zeri di trasmissione del Bias T BT possono essere personalizzate in modo relativamente facile (per esempio, per racchiudere frequenze pi? alte o pi? basse). Per contro, la personalizzazione dei Bias T convenzionali possono richiedere uno strumento di fabbricazione del metallo costoso.

[0070] Sebbene il Bias T sia descritto nella presente come utilizzabile con filtri RF (per esempio, un dispositivo di filtro RF 165 (figura 5B)), non ? limitato a ci?. Piuttosto, i Bias T BT secondo le forme di realizzazione della presente invenzione possono essere utilizzabili con sistemi/dispositivi diversi dai filtri RF. Per esempio, i Bias T BT possono essere usati in applicazioni di multiplazione senza filtro. Sar? altres? apprezzato che la linea di trasmissione 340 pu? essere implementata usando le tecnologie di linea di trasmissione diverse dalle linee di trasmissione a striscia in alcune forme di realizzazione.

[0071] La presente invenzione ? stata descritta sopra con riferimento ai disegni allegati. La presente invenzione non ? limitata alle forme di realizzazione illustrate. Piuttosto, queste forme di realizzazione sono destinate a illustrare pienamente e completamente la presente invenzione alle persone esperte in questo settore. Nei disegni, numeri uguali si riferiscono dappertutto ad elementi uguali. Gli spessori e le dimensioni di alcuni componenti possono essere esagerati per chiarezza.

[0072] Termini relativi allo spazio, come "sotto", "al di sotto di", "inferiore", "sopra", "superiore", "di fondo" e simili, possono essere usati nella presente per agevolare la descrizione al fine di descrivere la relazione di un elemento o caratteristica rispetto a un altro uno o pi? elementi o caratteristiche come illustrati nelle figure. Si comprender? che i termini relativi allo spazio sono destinati a racchiudere differenti orientamenti del dispositivo durante l'uso o funzionamento in aggiunta all'orientamento raffigurato nelle figure. Per esempio, se il dispositivo nelle figure ? capovolto, gli elementi descritti come "sotto" o "al di sotto" di altri elementi o caratteristiche possono quindi essere orientati "sopra" gli altri elementi o caratteristiche. Pertanto, il termine esemplificativo "sotto" pu? racchiudere un orientamento di sopra e sotto. Il dispositivo pu? essere orientato diversamente (ruotato di 90 gradi o in altri orientamenti) e i descrittori relativi allo spazio usati nella presente interpretati di conseguenza.

[0073] Nella presente, i termini "fissato", "connesso", "interconnesso", "a contatto", "montato", "accoppiato" e simili possono significare un fissaggio o accoppiamento diretto o indiretto tra elementi, salvo specificato in altro modo.

[0074] Le funzioni o realizzazioni ben note possono non essere descritte in dettaglio per brevit? e/o chiarezza. Come usata nella presente, l'espressione "e/o" include una qualsiasi delle, e tutte le combinazioni di uno o pi? degli elementi elencati associati.

[0075] La terminologia usata nel presente documento ha lo scopo di descrivere solo forme di realizzazione particolari e non intende limitare la presente invenzione. Come usate nel presente documento, le forme singolari "uno/una", "un", e "il/lo/la" sono destinate a includere anche le forme plurali, salvo altrimenti indicato esplicitamente dal contesto. Si comprender? inoltre che i termini "comprende", "comprendente", "include" e/o "includente", quando usati in questa specifica, specificano la presenza di caratteristiche, operazioni, elementi e/o componenti dichiarati, ma non precludono la presenza o l'aggiunta di una o pi? altre caratteristiche, operazioni, elementi, componenti e/o loro gruppi.

[0076] Ulteriori aspetti dell'illustrazione possono essere riepilogati come segue:

1. Bias T comprendente:

una porta a bassa frequenza;

una porta ad alta frequenza;

una porta comune;

una linea di trasmissione a radio frequenza (RF) che ? accoppiata tra la porta comune e la porta a bassa frequenza; e

un materiale dielettrico che ? configurato per fornire una capacitanza tra la linea di trasmissione RF e la massa elettrica.

2. Il Bias T dell'aspetto 1, in cui la linea di trasmissione RF comprende una pista di striscia metallica che ? almeno 1 millimetro di spessore.

3. Il Bias T di uno qualsiasi dei precedenti aspetti

in cui la linea di trasmissione RF include una porzione allargata, in cui la linea di trasmissione RF ? accoppiata a un connettore RF di un filtro RF, e

in cui il materiale dielettrico ? compreso tra la porzione allargata della linea di trasmissione RF e un alloggiamento del filtro RF.

4. Il Bias T di uno qualsiasi dei precedenti aspetti, comprendente inoltre un dispositivo di fissaggio dielettrico che ? su una prima superficie della porzione allargata della linea di trasmissione RF,

in cui il materiale dielettrico ? su una seconda superficie della porzione allargata della linea di trasmissione RF che ? opposta alla prima superficie.

5. Il Bias T di uno qualsiasi dei precedenti aspetti,

in cui la porzione allargata della linea di trasmissione RF ? su una superficie superiore dell'alloggiamento, e

in cui la prima e seconda superficie della porzione allargata della linea di trasmissione RF sono perpendicolari a una parete laterale dell'alloggiamento.

6. Il Bias T di uno qualsiasi dei precedenti aspetti, in cui la linea di trasmissione RF comprende una prima e seconda porzione ristretta che sono accoppiate in modo induttivo l'una all'altra.

7. Il Bias T di uno qualsiasi dei precedenti aspetti, in cui la linea di trasmissione RF include una porzione allargata, che ha una prima e seconda estremit? opposte da cui la prima e seconda porzione ristretta, rispettivamente, della linea di trasmissione RF si estendono.

8. Il Bias T di uno qualsiasi dei precedenti aspetti,

in cui la prima e seconda porzione ristretta della linea di trasmissione RF comprendono rispettivamente la prima e seconda sezione di accoppiamento, e

in cui la linea di trasmissione RF comprende inoltre una terza e quarta sezione di accoppiamento che sono accoppiate in modo induttivo l'una all'altra e che si estendono rispettivamente dalla prima e seconda sezione di accoppiamento.

9. Il Bias T di uno qualsiasi dei precedenti aspetti, in cui il materiale dielettrico ? parte di un condensatore che ? parte di un circuito di risonanza induttore-condensatore (LC) fornito lungo la linea di trasmissione RF.

10. Il Bias T di uno qualsiasi dei precedenti aspetti, in cui il circuito risonante LC comprende un primo circuito risonante LC, il Bias T comprendendo inoltre un secondo circuito risonante LC che ? accoppiato in serie al primo circuito risonante LC lungo la linea di trasmissione RF.

11. Il Bias T di uno qualsiasi dei precedenti aspetti,

in cui il secondo circuito risonante LC comprende un primo induttore, un condensatore che ? accoppiato tra la linea di trasmissione RF e la massa elettrica, e un secondo induttore, in cui il primo e secondo induttore sono configurati per accoppiarsi reciprocamente tra loro.

12. Un Bias T avente una linea di trasmissione di radio frequenza (RF) a striscia d'aria che ? lungo un percorso a bassa frequenza del Bias T ed ? accoppiato in modo capacitivo a terra.

13. Il Bias T secondo uno qualsiasi dei precedenti aspetti, in cui la linea di trasmissione RF a striscia d'aria include una prima e seconda sezione che sono configurate per accoppiarsi in modo induttivo tra loro.

14. Il Bias T di uno qualsiasi dei precedenti aspetti, comprendente inoltre un foglio dielettrico,

in cui l'accoppiamento capacitivo a terra ? fornito tramite il foglio dielettrico.

15. Il Bias T di uno qualsiasi dei precedenti aspetti, in cui il foglio dielettrico ? su un alloggiamento metallico ed ? compreso tra la linea di trasmissione RF a striscia d'aria e l'alloggiamento metallico.

16. Il Bias T di uno qualsiasi dei precedenti aspetti,

in cui l'alloggiamento metallico comprende un alloggiamento metallico di un filtro RF, e

in cui la linea di trasmissione RF a striscia d'aria comprende una prima e seconda porzione che sono accoppiate in modo induttivo tra loro e che si estendono in parallelo con una parete laterale dell'alloggiamento metallico del filtro RF.

17. Un Bias T comprendente:

una porta a bassa frequenza; una porta ad alta frequenza; una porta comune;

una capacitanza a terra che ? accoppiata tra la porta comune e la porta a bassa frequenza; e

una prima e seconda sezione di accoppiamento che sono accoppiate tra la porta comune e la porta a bassa frequenza,

in cui la prima e seconda sezione di accoppiamento hanno un accoppiamento reciproco tra di esse.

18. Il Bias T di uno qualsiasi degli aspetti precedenti, in cui il reciproco accoppiamento comprende reciproca induttanza.

19. Il Bias T di uno qualsiasi dei precedenti aspetti, in cui la prima e seconda sezione di accoppiamento comprendono la prima e seconda porzione, rispettivamente, di una linea di trasmissione RF del Bias T.

20. Il Bias T di uno qualsiasi dei precedenti aspetti, in cui la capacitanza a terra ? accoppiata tra la prima e seconda sezione di accoppiamento.

Claims

RIVENDICAZIONI

1. Un bias T comprendente:

una porta a bassa frequenza;

una porta ad alta frequenza;

una porta comune;

2. Bias T secondo la rivendicazione 1, in cui la linea di trasmissione RF comprende una pista di striscia metallica che ? almeno 1 millimetro di spessore.

3. Bias T secondo la rivendicazione 1 o la rivendicazione 2, in cui la linea di trasmissione RF include una porzione allargata, in cui la linea di trasmissione RF ? accoppiata a un connettore RF di un filtro RF, e

4. Bias T secondo una qualsiasi delle rivendicazioni da 1 a 3, comprendente inoltre un dispositivo di fissaggio dielettrico che ? su una prima superficie della porzione allargata della linea di trasmissione RF,

in cui il materiale dielettrico ? su una seconda superficie della porzione allargata della linea di trasmissione RF che ? opposta alla prima superficie, e

in cui preferibilmente la porzione allargata della linea di trasmissione RF ? su una superficie superiore dell'alloggiamento, e

5. Bias T secondo una qualsiasi delle rivendicazioni da 1 a 4, in cui la linea di trasmissione RF comprende una prima e seconda porzione ristrette che sono accoppiate in modo induttivo l'una all'altra, ed in cui preferibilmente la linea di trasmissione RF include una porzione allargata che ha una prima e seconda estremit? opposte dalle quali si estendono la prima e seconda porzione ristretta, rispettivamente, della linea di trasmissione RF, in cui preferibilmente la prima e seconda porzione ristretta della linea di trasmissione RF comprendono rispettivamente la prima e seconda sezione di accoppiamento, e

6. Bias T secondo una qualsiasi delle rivendicazioni da 1 a 5, in cui il materiale dielettrico ? parte di un condensatore che ? parte di un circuito di risonanza induttore-condensatore (LC) fornito lungo la linea di trasmissione RF, in cui preferibilmente il circuito risonante LC comprende un primo circuito risonante LC, il Bias T comprendendo inoltre un secondo circuito risonante LC che ? accoppiato in serie al primo circuito risonante LC lungo la linea di trasmissione RF, ed in cui, in modo ulteriormente preferibile,

il secondo circuito risonante LC comprende un primo induttore, un condensatore che ? accoppiato tra la linea di trasmissione RF e la massa elettrica, e un secondo induttore,

in cui il primo e secondo induttore sono configurati per accoppiarsi reciprocamente tra loro.

7. Un bias T avente una linea di trasmissione di radio frequenza (RF) a striscia d'aria che ? lungo un percorso a bassa frequenza del Bias T ed ? accoppiato in modo capacitivo a terra.

8. Bias T secondo la rivendicazione 7, in cui la linea di trasmissione RF a striscia d'aria include una prima e seconda sezione che sono configurate per accoppiarsi in modo induttivo tra loro.

9. Bias T secondo la rivendicazione 7 o la rivendicazione 8, comprendente inoltre un foglio dielettrico,

in cui l'accoppiamento capacitivo a terra ? fornito tramite il foglio dielettrico, in cui preferibilmente il foglio dielettrico ? su un alloggiamento metallico ed ? compreso tra la linea di trasmissione RF a striscia d'aria e l'alloggiamento metallico e in modo ulteriormente preferibile,

10. Un bias T comprendente:

una porta a bassa frequenza;

una porta ad alta frequenza;

una porta comune;

11. Bias T secondo la rivendicazione 10, in cui un reciproco accoppiamento comprende reciproca induttanza.

12. Bias T secondo la rivendicazione 10 o la rivendicazione 11, in cui la prima e seconda sezione di accoppiamento comprendono la prima e seconda porzione, rispettivamente, di una linea di trasmissione RF del Bias T.

13. Bias T secondo una qualsiasi delle rivendicazioni da 10 a 12, in cui la capacitanza a terra ? accoppiata tra la prima e la seconda sezione di accoppiamento.