IT202000019711A1 - METALLIZED FOLDED BROADBAND DIELECTRIC WAVEGUIDE FILTERS - Google Patents

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IT202000019711A1
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metallized
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cavity
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IT102020000019711A
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Andrea Manzoni
Giuseppe Resnati
Kejia KAO
Daniele Marrelli
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Commscope Italy Srl
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/207Hollow waveguide filters
    • H01P1/208Cascaded cavities; Cascaded resonators inside a hollow waveguide structure
    • H01P1/2088Integrated in a substrate

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  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Description

Domanda di brevetto italiana dal titolo: Italian patent application entitled:

?FILTRI A GUIDA D'ONDA DIELETTRICA METALLIZZATA PIEGATI AD AMPIEZZA DI BANDA ELEVATA? ?HIGH BANDWIDTH FOLDED METALLIC DIELECTRIC WAVEGUIDE FILTERS?

DESCRIZIONE DESCRIPTION

CAMPO FIELD

La presente invenzione ? relativa in generale a sistemi di comunicazioni e pi? in particolare a filtri che sono indicati per l?uso in sistemi di comunicazioni cellulari. The present invention ? relating in general to systems of communications and pi? in particular to filters that are indicated for use in cellular communication systems.

SFONDO BACKGROUND

I filtri sono dispositivi elettronici che fanno passare selettivamente segnali in base alla frequenza del segnale. Vari tipi di filtri diversi sono usati nei sistemi di comunicazioni cellulari. Inoltre, dato che sono state introdotte nuove generazioni di servizi di comunicazioni cellulari, tipicamente senza eliminazione dei servizi di comunicazioni cellulari esistenti, si sono espansi significativamente sia il numero sia i tipi di filtri usati. I filtri possono essere usati per esempio per consentire ai segnali in radiofrequenza (?RF?) in bande di frequenza diverse di condividere componenti selezionate di un sistema di comunicazioni cellulari e/o per separare segnali di dati in RF da segnali di potenza e/o controllo. Con il proliferare del numero di filtri usati in un tipico sistema di comunicazioni cellulari, ? aumentata la necessit? di filtri pi? piccoli, pi? leggeri e/o meno costosi. Filters are electronic devices that selectively pass signals based on the frequency of the signal. Several different filter types are used in cellular communications systems. Furthermore, as new generations of cellular communications services have been introduced, typically without the elimination of existing cellular communications services, both the number and types of filters used have expanded significantly. Filters can be used for example to allow radio frequency (?RF?) signals in different frequency bands to share selected components of a cellular communications system and/or to separate RF data signals from power signals and/or control. With the number of filters used in a typical cellular communications system proliferating, ? increased the need? of filters more? small, more light and/or less expensive.

Convenzionalmente, filtri a cavit? risonante di metallo sono stati usati per implementare molti dei filtri usati nei sistemi di comunicazioni cellulari. Come mostrato in figura 1A, nella sua forma pi? semplice, un filtro a cavit? risonante di metallo 10 pu? consistere di un alloggiamento metallico 12 che ha pareti 14 formate al suo interno che definiscono una fila di cavit? da 18-1 a 18-4. Anche se il filtro 10 esemplificativo illustrato in figura 1A include un totale di quattro cavit? 18, si apprezzer? che pu? essere previsto un numero appropriato qualsiasi di cavit? 18 come necessario per fornire un filtro avente caratteristiche di filtraggio desiderate. Si evidenzia che qui, quando sono previsti molteplici elementi o strutture uguali, essi possono essere indicati in alcuni casi usando numeri di riferimento in due parti, in cui le due parti sono separate da un trattino. Qui, tali elementi possono essere indicati singolarmente dal loro numero di riferimento completo (ad esempio cavit? 18-2) e possono essere indicati nel complesso dalla prima parte del numero di riferimento applicabile (ad esempio le cavit? 18). Conventionally, cavity filters? resonant metal have been used to implement many of the filters used in cellular communications systems. As shown in figure 1A, in its most complete form simple, a cavity filter? metal resonant 10 pu? consist of a metal housing 12 which has walls 14 formed therein which define a row of cavities from 18-1 to 18-4. Although the exemplary filter 10 shown in FIG. 1A includes a total of four cavities 18, will be appreciated? what can? be expected any appropriate number of cavities? 18 as necessary to provide a filter having desired filtering characteristics. It is pointed out that herein, when multiple equal elements or structures are provided, they may be referred to in some cases using two-part reference numerals, wherein the two parts are separated by a dash. Herein, such elements may be referred to individually by their full reference numeral (e.g. cavities 18-2) and may be referred to collectively by the first part of the applicable reference numeral (e.g. cavities 18).

Facendo riferimento ancora alla figura 1A, un elemento risonante o ?risonatore? coassiale da 20-1 a 20-4 pu? essere previsto in ciascuna delle rispettive cavit? da 18-1 a 18-4. Le pareti 14 possono includere aperture o ?finestre? 16 che consentono ai risonatori 20 in quelle adiacenti delle cavit? 18 di accoppiarsi tra loro lungo un percorso di accoppiamento principale che si estende da un ingresso 22 ad una uscita 24 del filtro 10. Queste risonanze accoppiate possono formare un filtro avente una risposta di banda passante senza zeri di trasmissione ed una moderata ampiezza di banda frazionale (ad esempio un'ampiezza di banda fino al 10-20% della frequenza centrale della banda passante, in base alla geometria e alla dimensione specifiche delle cavit? e dei risonatori). Referring again to FIG. 1A, a resonant element or ?resonator? coaxial 20-1 to 20-4 pu? be provided in each of the respective cavities? from 18-1 to 18-4. The walls 14 may include openings or ?windows? 16 which allow the resonators 20 in the adjacent ones of the cavities? 18 to couple together along a main coupling path extending from an input 22 to an output 24 of the filter 10. These coupled resonances can form a filter having a passband response without transmit zeros and a moderate fractional bandwidth (eg a bandwidth of up to 10-20% of the center frequency of the passband, depending on the specific geometry and size of the cavities and resonators).

Quando sono necessarie ampiezze di banda maggiori ? possibile invertire l?orientamento di un risonatore coassiale 20 ogni due. Un filtro 30 avente questa configurazione ? mostrato in figura 1B. Nel filtro 30, le componenti elettriche e magnetiche degli accoppiamenti tra risonatori 20 adiacenti si aggiungono in fase e quindi ? possibile aumentare la quantit? totale di accoppiamento. Dato che l?ampiezza di banda di un filtro ? proporzionale alla quantit? totale di accoppiamento, il filtro 30 di figura 1B pu? avere un'ampiezza di banda aumentata rispetto al filtro 10 di figura 1A. When are higher bandwidths needed? It is possible to reverse the orientation of one coaxial resonator 20 every two. A filter 30 having this configuration? shown in figure 1B. In the filter 30, the electric and magnetic components of the couplings between adjacent resonators 20 are added in phase and therefore ? is it possible to increase the quantity? coupling total. Given that the? Bandwidth of a filter ? proportional to the quantity? total coupling, the filter 30 of figure 1B can? have an increased bandwidth compared to the filter 10 of Figure 1A .

La ?risposta? di un filtro si riferisce all?energia che passa da un primo orifizio (ad esempio un orifizio di ingresso) del filtro ad un secondo orifizio (ad esempio un orifizio di uscita) del filtro in funzione della frequenza. Una risposta di filtro tipicamente includer? una o pi? bande passanti, che sono intervalli di frequenza in cui il filtro fa passare segnali con quantit? relativamente piccole di attenuazione. Una risposta di filtro tipicamente include inoltre una o pi? bande di reiezione. Una banda di reiezione si riferisce ad un intervallo di frequenza in cui il filtro sostanzialmente non far? passare i segnali, solitamente perch? il filtro ? progettato per riflettere indietro eventuali segnali che sono incidenti sul filtro in questo intervallo di frequenza. In alcune applicazioni pu? essere desiderabile che la risposta di filtro presenti un elevato grado di ?selettivit? locale?, volendo dire che la transizione da una banda passante ad una banda di reiezione adiacente si verifica su un intervallo di frequenza stretto. Una tecnica per aumentare la selettivit? locale consiste nell?aggiungere zeri di trasmissione nella risposta di filtro. Uno ?zero di trasmissione ? si riferisce ad una porzione di una risposta di frequenza di filtro in cui la quantit? di energia di segnale che passa ? molto bassa. Gli zeri di trasmissione sono pi? tipicamente conseguiti usando accoppiamenti incrociati. The answer? of a filter refers to the energy that passes from a first orifice (for example, an input orifice) of the filter to a second orifice (for example, an output orifice) of the filter as a function of frequency. A filter response will typically include? one or more pass bands, which are frequency ranges in which the filter passes signals with quantity? relatively small attenuation. A filter response typically also includes one or more? rejection bands. A reject band refers to a frequency range where the filter will essentially not do? pass the signals, usually why? the filter ? designed to reflect back any signals that are incident on the filter in this frequency range. In some applications can? be it desirable that the filter response has a high degree of ?selectivity? local?, meaning that the transition from one passband to an adjacent rejection band occurs over a narrow frequency range. A technique to increase selectivity? local consists in adding transmission zeros in the filter response. One ?transmission zero ? refers to a portion of a filter frequency response in which the amount? of passing signal energy ? very low. The transmission zeros are pi? typically achieved using cross couplings.

L?accoppiamento incrociato, che ? la tecnica pi? comune usata per aumentare la selettivit? locale in un filtro a cavit? risonante, si riferisce all?accoppiamento intenzionale tra gli elementi risonanti di cavit? non adiacenti. In base alla posizione relativa dello zero di trasmissione rispetto alla banda passante, il segno dell?accoppiamento incrociato richiesto potrebbe variare. Quando si usano accoppiamenti incrociati per creare zeri di trasmissione, le cavit? sono spesso disposte in una certa forma di griglia planare contrariamente alla singola fila di cavit? incluse nei filtri 10 e 30 delle figure 1A-1B. Tale distribuzione bidimensionale delle cavit? facilita l?accoppiamento tra cavit? non adiacenti (ossia accoppiamenti incrociati). Il brevetto statunitense N. 5.812.036 (?il brevetto ?036?), il cui contenuto ? incorporato qui per riferimento, descrive vari filtri a cavit? risonante che hanno tali disposizioni di cavit? bidimensionali che includono accoppiamento incrociato. The cross coupling, which ? the best technique common used to increase the selectivity? local in a cavity filter? resonant, refers to the intentional coupling between the resonant elements of cavities? not adjacent. Depending on the relative position of the transmit zero to the passband, the sign of the required cross-match may vary. When cross couplings are used to create drive zeros, the cavities? are often arranged in some form of planar grid as opposed to the single row of cavities? included in filters 10 and 30 of figures 1A-1B. This two-dimensional distribution of cavities? facilitates the coupling between cavities? non-adjacent (i.e. cross-mates). US patent No. 5,812,036 (?patent ?036?), the contents of which ? incorporated here by reference, describes various cavity filters? resonant that have such arrangements of cavities? two-dimensional including cross coupling.

La figura 2 della presente domanda ? una vista in sezione dall?alto di un filtro a cavit? risonante bidimensionale 40 che ? descritto nel brevetto ?036. Come mostrato in figura 2, il filtro 40 include un totale di sei cavit? da 18-1 a 18-6 che hanno ciascuna un rispettivo risonatore coassiale da 20-1 a 20-6 disposto al proprio interno. Sono previste finestre di accoppiamento da 16-1 a 16-5 che consentono accoppiamenti ?principali? tra quelli adiacenti dei sei risonatori coassiali da 20-1 a 20-6 lungo il percorso di trasmissione principale attraverso il filtro 40 (ossia tra cavit? 18-1 e 18-2, tra cavit? 18-2 e 18-3, tra cavit? 18-3 e 18-4, tra cavit? 18-4 e 18-5 e tra cavit? 18-5 e 18-6). Inoltre, il filtro 40 include due finestre di accoppiamento di bypass 26-1, 26-2 che consentono l?accoppiamento incrociato tra due coppie di risonatori non adiacenti (ovvero, tra cavit? 18-1 e 18-6 e tra cavit? 18-2 e 18-5). Gli accoppiamenti principali tra le cinque coppie sequenziali di risonatori 20 e i due accoppiamenti incrociati tra le due coppie di risonatori 20 non adiacenti contribuiscono alla complessiva funzione di trasferimento del filtro 40. Figure 2 of this application ? a sectional view from? top of a cavity filter? resonant two-dimensional 40 that ? described in the ?036 patent. As shown in FIG. 2, the filter 40 includes a total of six cavities. 18-1 to 18-6 which each have a respective coaxial resonator 20-1 to 20-6 disposed therein. There are 16-1 to 16-5 mating windows that allow for ?major? matings. between the adjacent ones of the six coaxial resonators 20-1 to 20-6 along the main transmission path through the filter 40 (i.e., between cavities 18-1 and 18-2, between cavities 18-2 and 18-3, between between cavities 18-3 and 18-4, between cavities 18-4 and 18-5 and between cavities 18-5 and 18-6). Additionally, the filter 40 includes two bypass coupling windows 26-1, 26-2 which permit cross-coupling between two pairs of nonadjacent resonators (i.e., between cavities 18-1 and 18-6 and between cavities 18-6). -2 and 18-5). The principal couplings between the five sequential pairs of resonators 20 and the two cross couplings between the two pairs of non-adjacent resonators 20 contribute to the overall transfer function of the filter 40.

Gli accoppiamenti incrociati possono essere conseguiti anche in un filtro a cavit? risonante in linea (ossia unidimensionale) includendo una certa forma di elementi di accoppiamento distribuiti per implementare gli accoppiamenti incrociati. La figura 3 illustra un filtro 50 che ? implementato usando questo approccio. Come mostrato in figura 3, il filtro 50 ? un filtro in linea avente quattro cavit? da 18-1 a 18-4 che hanno rispettivi risonatori coassiali da 20-1 a 20-4 montati al loro interno. Sono previste finestre di accoppiamento 16 che consentono accoppiamenti ?principali? tra quelli adiacenti dei quattro risonatori coassiali 20. ? previsto inoltre un elemento di accoppiamento distribuito 60 sotto forma di collegamento ohmico diretto tra risonatore coassiale 20-1 e risonatore coassiale 20-4. Il collegamento ohmico diretto 60 pu? collegare fisicamente ed elettricamente il risonatore 20-1 al risonatore 20-4 senza collegamento fisico o elettrico ad uno qualsiasi dei risonatori intermedi (ovvero i risonatori 20-2 o 20-3 in quest?esempio). L?uso dell?elemento di accoppiamento distribuito 60 pu? avere tuttavia vari svantaggi incluso maggiore dimensione, complessit? e costo del filtro, suscettibilit? a danni, maggiori perdite e/o ridotta attenuazione fuori banda. Can cross couplings also be achieved in a cavity filter? in-line resonant (i.e. one-dimensional) by including some form of distributed coupling elements to implement cross-coupling. Figure 3 illustrates a filter 50 which ? implemented using this approach. As shown in figure 3, the filter 50 ? an in-line filter having four cavities? 18-1 to 18-4 which have respective coaxial resonators 20-1 to 20-4 mounted therein. Coupling windows 16 are provided which allow ?main? couplings? between the adjacent ones of the four coaxial resonators 20. ? further provided is a distributed coupling element 60 in the form of a direct ohmic connection between the coaxial resonator 20-1 and the coaxial resonator 20-4. The direct ohmic connection 60 pu? physically and electrically connect resonator 20-1 to resonator 20-4 without physical or electrical connection to any of the intermediate resonators (i.e. resonators 20-2 or 20-3 in this example). The use of the distributed coupling element 60 can? however, have various disadvantages including greater size, complexity? and cost of the filter, susceptibility? to damage, increased losses, and/or reduced out-of-band attenuation.

I filtri a cavit? risonante in linea aventi accoppiamenti incrociati possono inoltre essere realizzati senza l?uso di un elemento di accoppiamento distribuito prevedendo una certa forma di accoppiamento misto controllato tra risonatori adiacenti in modo che gli accoppiamenti (incrociati) spuri tra risonatori non adiacenti possano essere controllati in una certa misura. Tale approccio ? descritto nel brevetto statunitense N. The cavity filters? resonator having cross-coupling can also be accomplished without the use of a distributed coupling element by providing some form of controlled mixed coupling between adjacent resonators so that spurious (cross-)coupling between non-adjacent resonators can be controlled in some measure. Such an approach? disclosed in U.S. Pat. No.

10.236.550 rilasciato il 19 marzo 2019 (?il brevetto ?550?), il cui intero contenuto ? incorporato nella presente per riferimento. La figura 4 ? una vista in sezione trasversale schematica di un filtro 70 che ? uno dei filtri descritti nel brevetto ?550. 10,236,550 issued on March 19, 2019 (?the patent ?550?), the entire content of which ? incorporated herein by reference. Figure 4 ? a schematic cross-sectional view of a filter 70 which is one of the filters disclosed in the ?550 patent.

Come mostrato in figura 4, il filtro 70 include un alloggiamento metallico 12 che ha una singola cavit? 18 formata al suo interno. Una pluralit? di risonatori coassiali 20 ? disposta in una fila all?interno della cavit? 18. Le superfici di sommit? 72 e di fondo 74 dell?alloggiamento 12 formano rispettivi piani di terra. Una pluralit? di viti di regolazione 76 ? prevista nelle superfici di sommit? e di fondo 72, 74 dell?alloggiamento 12 che si estendono nella cavit? 18. Il filtro 70 include inoltre quattro connettori conduttivi 84, ciascuno dei quali fornisce un collegamento (ohmico) fisico tra rispettive coppie adiacenti di risonatori 20. La prossimit? dei risonatori 20 e l?assenza di pareti di schermatura possono determinare accoppiamenti non trascurabili tra risonatori sia adiacenti sia non adiacenti 20. Gli accoppiamenti includeranno sia accoppiamenti capacitivi sia accoppiamenti induttivi. La quantit? di accoppiamento capacitivo e induttivo ? una funzione, tra le altre cose, della distanza tra i risonatori 20. La quantit? di accoppiamento capacitivo pu? anche essere controllata regolando la lunghezza e/o la larghezza della parte superiore di ciascun risonatore 20 per generare pi? o meno accoppiamento capacitivo tra risonatori 20 diversi. L?accoppiamento capacitivo tra risonatori 20 adiacenti determiner? valori di accoppiamento negativi. L?accoppiamento induttivo pu? essere controllato modificando la distanza tra i risonatori 20 e/o regolando la lunghezza della parte inferiore di ciascun risonatore 20 che si collega alla superficie di fondo 74 dell?alloggiamento 12. L?accoppiamento induttivo determina un accoppiamento positivo tra risonatori 20 sia adiacenti sia non adiacenti. Dato che il filtro 70 ? progettato in modo da avere un accoppiamento induttivo non trascurabile tra risonatori 20 non adiacenti, un accoppiamento incrociato pu? essere conseguito nel filtro 70 senza impiegare connettori di bypass discreti che colleghino in modo ohmico i risonatori 20 non adiacenti. Il segno degli accoppiamenti principali pu? essere positivo o negativo in base alle quantit? relative di accoppiamento capacitivo rispetto a induttivo, mentre i segni degli accoppiamenti incrociati sono sempre positivi. As shown in FIG. 4, the filter 70 includes a metal housing 12 which has a single cavity in the filter. 18 formed inside it. A plurality? of coaxial resonators 20 ? arranged in a row inside the cavity? 18. The top surfaces? 72 and bottom 74 of housing 12 form respective ground planes. A plurality? of adjusting screws 76 ? provided in the surfaces of the top? and bottom 72, 74 of the housing 12 which extend into the cavity? 18. Filter 70 further includes four conductive connectors 84, each of which provides a physical (ohmic) connection between respective adjacent pairs of resonators 20. of the resonators 20 and the absence of shield walls can result in non-negligible couplings between both adjacent and non-adjacent resonators 20. The couplings will include both capacitive couplings and inductive couplings. The quantity? of capacitive and inductive coupling ? a function, among other things, of the distance between the resonators 20. The quantity? of capacitive coupling can? can also be controlled by adjusting the length and/or width of the top of each resonator 20 to generate more? or less capacitive coupling between 20 different resonators. The capacitive coupling between adjacent resonators 20 will determine? negative coupling values. The inductive coupling can? be controlled by changing the distance between the resonators 20 and/or by adjusting the length of the underside of each resonator 20 which connects to the bottom surface 74 of the housing 12. Inductive coupling results in positive coupling between both adjacent and non-adjacent resonators 20 adjacent. Given that the filter 70 ? designed to have non-negligible inductive coupling between non-adjacent resonators 20, a cross-coupling can? be achieved in filter 70 without employing discrete bypass connectors that ohmicly connect nonadjacent resonators 20. The sign of the main pairs can? be positive or negative based on the quantity? of capacitive versus inductive coupling, while the signs of cross-couplings are always positive.

RIEPILOGO SUMMARY

Secondo forme di realizzazione della presente invenzione sono previsti filtri a guida d'onda dielettrica metallizzata che includono una guida d?onda dielettrica metallizzata superiore avente una pluralit? di cavit? risonanti superiori, la guida d?onda dielettrica metallizzata superiore comprendendo un blocco dielettrico superiore avente pareti esterne metallizzate, ed una guida d?onda dielettrica metallizzata inferiore avente una pluralit? di cavit? risonanti inferiori, la guida d?onda dielettrica metallizzata inferiore comprendendo un blocco dielettrico inferiore avente pareti esterne metallizzate. Una prima delle cavit? risonanti superiori ? collegata operativamente ad una prima delle cavit? risonanti inferiori attraverso almeno una finestra di accoppiamento. Una prima fessura avente pareti metallizzate ? prevista in una porzione del blocco dielettrico superiore che fa parte della prima delle cavit? risonanti superiori. In accordance with embodiments of the present invention, metallized dielectric waveguide filters are provided which include an upper metallized dielectric waveguide having a plurality of metalized waveguides. of cavities? resonant coils, the upper metallized dielectric waveguide comprising an upper dielectric block having metallized outer walls, and a lower metallized dielectric waveguide having a plurality of of cavities? resonant sensors, the lower metallized dielectric waveguide comprising a lower dielectric block having metallized outer walls. A first of the cavities? higher resonants ? operatively connected to a first of the cavities? lower resonants through at least one coupling window. A first fissure having metallized walls ? provided in a portion of the upper dielectric block which is part of the first of the cavities? higher resonants.

In alcune forme di realizzazione, la prima fessura pu? estendersi fino a una estremit? distale della prima delle cavit? risonanti superiori. In alcune forme di realizzazione, la prima fessura pu? estendersi longitudinalmente lungo un asse longitudinale della guida d?onda dielettrica metallizzata superiore. In some embodiments, the first slit may extend to one end? distal of the first of the cavities? higher resonants. In some embodiments, the first slit may extending longitudinally along a longitudinal axis of the upper metallized dielectric waveguide.

In alcune forme di realizzazione, la guida d?onda dielettrica metallizzata superiore ? montata sulla guida d?onda dielettrica metallizzata inferiore per formare un filtro piegato avente un percorso di trasmissione principale generalmente a forma di U. In tali forme di realizzazione, il filtro a guida d'onda dielettrica metallizzata pu? includere un primo accoppiamento incrociato tra una seconda delle cavit? risonanti superiori ed una seconda delle cavit? risonanti inferiori. In some embodiments, the upper metallized dielectric waveguide is mounted on the lower metallized dielectric waveguide to form a folded filter having a generally U-shaped main transmission path. include a first cross coupling between a second of the cavities? upper resonants and a second of the cavities? lower resonants.

In alcune forme di realizzazione, il filtro a guida d'onda dielettrica metallizzata pu? inoltre includere una finestra di accoppiamento incrociato che comprende una porzione non metallizzata di una superficie di fondo della seconda delle cavit? risonanti superiori ed una porzione non metallizzata di una superficie di sommit? della seconda delle cavit? risonanti inferiori che si sovrappone almeno parzialmente alla porzione non metallizzata della superficie di fondo della seconda delle cavit? risonanti superiori. Il filtro a guida d'onda dielettrica metallizzata pu? inoltre includere un secondo accoppiamento incrociato tra una terza delle cavit? risonanti superiori ed una terza delle cavit? risonanti inferiori, in cui il secondo accoppiamento incrociato passa attraverso la finestra di accoppiamento incrociato. Il primo accoppiamento incrociato pu? avere un segno negativo e il secondo accoppiamento incrociato pu? avere un segno positivo. La finestra di accoppiamento incrociato pu? essere collocata al centro di una regione in cui la superficie di fondo della seconda delle cavit? risonanti superiori ? in battuta con la superficie di sommit? della seconda delle cavit? risonanti inferiori. In some embodiments, the metallized dielectric waveguide filter can further include a cross coupling window which includes a non-metallized portion of a bottom surface of the second of the cavities? upper resonant and a non-metallized portion of a top surface? of the second of the cavities? lower resonant that at least partially overlaps the non-metallized portion of the bottom surface of the second of the cavities? higher resonants. The metallized dielectric waveguide filter can also include a second cross coupling between a third of the cavities? upper resonants and a third of the cavities? lower resonant, where the second cross-coupling passes through the cross-coupling window. The first cross mate can? have a negative sign and the second cross coupling pu? have a positive sign. The cross-coupling window can be placed in the center of a region in which the bottom surface of the second of the cavities? higher resonants ? in contact with the top surface? of the second of the cavities? lower resonants.

In alcune forme di realizzazione, una porzione del blocco dielettrico superiore che fa parte della seconda delle cavit? risonanti superiori pu? includere un foro avente pareti metallizzate. In some embodiments, a portion of the upper dielectric block which is part of the second of the cavities? higher resonants pu? include a hole having metallized walls.

Il filtro a guida d'onda dielettrica metallizzata pu? inoltre includere un primo orifizio di ingresso/uscita che ? collegato ad una terza delle cavit? risonanti superiori ed un secondo orifizio di ingresso/uscita che ? collegato ad una terza delle cavit? risonanti inferiori. La prima delle cavit? risonanti superiori pu? essere la cavit? risonante della guida d?onda dielettrica metallizzata superiore che ? la pi? lontana dalla terza delle cavit? risonanti superiori. The metallized dielectric waveguide filter can also include a first orifice of inlet/outlet that ? connected to a third of the cavities? resonant higher and a second orifice of input / output that ? connected to a third of the cavities? lower resonants. The first of the cavities? higher resonants pu? be the cavity? resonant of the superior metallized dielectric waveguide that ? the "P? far from the third of the cavities? higher resonants.

In alcune forme di realizzazione, la finestra di accoppiamento pu? comprendere una porzione non metallizzata di una superficie di fondo della prima delle cavit? risonanti superiori ed una porzione non metallizzata di una superficie di sommit? della prima delle cavit? risonanti inferiori che si sovrappone almeno parzialmente alla porzione non metallizzata della superficie di fondo della prima delle cavit? risonanti superiori. In some embodiments, the mating window can include a non-metallized portion of a bottom surface of the first of the cavities? upper resonant and a non-metallized portion of a top surface? of the first of the cavities? lower resonant that at least partially overlaps the non-metallized portion of the bottom surface of the first of the cavities? higher resonants.

In alcune forme di realizzazione, la guida d?onda dielettrica metallizzata superiore pu? comprendere inoltre vie metallizzate che si estendono attraverso il blocco dielettrico superiore per definire le cavit? risonanti superiori, e la guida d?onda dielettrica metallizzata inferiore inoltre pu? comprendere vie metallizzate che si estendono attraverso il blocco dielettrico inferiore per definire le cavit? risonanti inferiori. In some embodiments, the top metallized dielectric waveguide can also include metallized vias that extend through the upper dielectric block to define the cavities? upper resonant, and the lower metallized dielectric waveguide also can? include metallized vias that extend through the lower dielectric block to define the cavities? lower resonants.

In alcune forme di realizzazione, una seconda fessura avente pareti metallizzate pu? essere formata in una porzione del blocco dielettrico inferiore che fa parte della prima delle cavit? risonanti inferiori. In some embodiments, a second slot having metallized walls may be formed in a portion of the lower dielectric block which is part of the first of the cavities? lower resonants.

In alcune forme di realizzazione, la guida d?onda dielettrica metallizzata superiore e la guida d?onda dielettrica metallizzata inferiore possono essere identiche. In some embodiments, the upper metallized dielectric waveguide and the lower metallized dielectric waveguide may be identical.

In alcune forme di realizzazione, l?almeno una finestra di accoppiamento pu? comprendere una prima finestra di accoppiamento che si estende generalmente trasversalmente su una interfaccia tra la prima delle cavit? risonanti superiori e la prima delle cavit? risonanti inferiori, e una seconda e una terza finestra di accoppiamento che si estendono generalmente longitudinali in corrispondenza di o vicino a bordi laterali opposti dell?interfaccia tra la prima delle cavit? risonanti superiori e la prima delle cavit? risonanti inferiori. In some embodiments, the at least one coupling window may include a first coupling window extending generally transversely at an interface between the first of the cavities? upper resonants and the first of the cavities? lower resonant cavities, and second and third coupling windows extending generally longitudinally at or near opposite lateral edges of the interface between the first of the cavities? upper resonants and the first of the cavities? lower resonants.

In alcune forme di realizzazione, l?almeno una finestra di accoppiamento pu? comprendere una prima finestra di accoppiamento che si estende generalmente trasversalmente su una superficie di fondo della prima delle cavit? risonanti superiori in corrispondenza di o vicino a una estremit? distale della prima delle cavit? risonanti superiori. In some embodiments, the at least one coupling window may comprise a first mating window extending generally transversely across a bottom surface of the first of the recesses? higher resonants at or near one end? distal of the first of the cavities? higher resonants.

In alcune forme di realizzazione, il filtro a guida d'onda dielettrica metallizzata pu? presentare una perdita di ritorno inferiore a 15 dB su tutta una banda di 3,4-3,8 GHz e presenta una reiezione fuori banda di almeno 50 dB nella banda di 4,4-5,0 GHz. In some embodiments, the metallized dielectric waveguide filter can have less than 15 dB return loss throughout the 3.4-3.8 GHz band and have at least 50 dB out-of-band rejection in the 4.4-5.0 GHz band.

In alcune forme di realizzazione, il filtro a guida d'onda dielettrica metallizzata pu? essere configurato in modo che i segnali in radiofrequenza (RF) si propaghino attraverso il filtro a guida d'onda dielettrica metallizzata nel modo TE1,0,1. In some embodiments, the metallized dielectric waveguide filter can be configured so that radio frequency (RF) signals propagate through the metallized dielectric waveguide filter in the TE1,0,1 mode.

In alcune forme di realizzazione, un rapporto tra un?altezza della guida d?onda dielettrica metallizzata superiore ed una larghezza della guida d?onda dielettrica metallizzata superiore pu? essere tra 0,42 e 0,48. In some embodiments, a ratio of a top metallized dielectric waveguide height to a top metallized dielectric waveguide width can be between 0.42 and 0.48.

Secondo ulteriori forme di realizzazione della presente invenzione, sono previsti filtri a guida d'onda dielettrica metallizzata che includono una guida d?onda dielettrica metallizzata superiore avente una prima cavit? risonante superiore, un?ultima cavit? risonante superiore, ed almeno una cavit? risonante superiore intermedia che ? posizionata tra la prima cavit? risonante superiore e l?ultima cavit? risonante superiore, la guida d?onda dielettrica metallizzata superiore comprendendo un blocco dielettrico superiore avente pareti esterne metallizzate ed una guida d?onda dielettrica metallizzata inferiore avente una prima cavit? risonante inferiore, un?ultima cavit? risonante inferiore e almeno una cavit? risonante inferiore intermedia che ? posizionata tra la prima cavit? risonante inferiore e l?ultima cavit? risonante inferiore, la guida d?onda dielettrica metallizzata inferiore comprendendo un blocco dielettrico inferiore avente parenti esterne metallizzate. L?ultima cavit? risonante superiore ? collegata operativamente alla prima cavit? risonante inferiore attraverso una prima finestra di accoppiamento, una seconda finestra di accoppiamento ed una terza finestra di accoppiamento. In accordance with further embodiments of the present invention, metallized dielectric waveguide filters are provided which include an upper metallized dielectric waveguide having a first cavity in a metalized waveguide. superior resonant, a? last cavity? upper resonant, and at least one cavity? upper intermediate resonant that ? positioned between the first cavity? upper resonant and the last cavity? resonant cavity, the upper metallized dielectric waveguide comprising an upper dielectric block having metallized outer walls and a lower metallized dielectric waveguide having a first resonant cavity. lower resonant, a? last cavity? lower resonant and at least one cavity? lower intermediate resonant that ? positioned between the first cavity? lower resonant and the last cavity? lower resonant, the lower metallized dielectric waveguide comprising a lower dielectric block having metallized outer relatives. The last cavity? superior resonant ? operationally connected to the first cavity? lower resonant through a first coupling window, a second coupling window and a third coupling window.

BREVE DESCRIZIONE DEI DISEGNI BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

La figura 1A ? una vista in sezione laterale schematica di un filtro a cavit? risonante in linea convenzionale. Figure 1A ? a schematic side sectional view of a cavity filter? conventional line resonant.

La figura 1B ? una vista in sezione laterale schematica di un altro filtro a cavit? risonante in linea convenzionale in cui viene capovolto un risonatore ogni due. Figure 1B ? a schematic side sectional view of another cavity filter? conventional in-line resonator in which every other resonator is flipped.

La figura 2 ? una vista in sezione dall'alto schematica di un filtro a cavit? risonante convenzionale che ha un accoppiamento incrociato tra cavit? selezionate. Figure 2 ? a schematic top sectional view of a cavity filter? conventional resonant that has a cross coupling between cavities? selected.

La figura 3 ? una vista in sezione laterale schematica di un filtro a cavit? risonante in linea convenzionale che ha un elemento di accoppiamento incrociato esterno. Figure 3 ? a schematic side sectional view of a cavity filter? conventional line resonant having an external cross-coupling element.

La figura 4 ? una vista in sezione laterale schematica di un filtro a cavit? risonante in linea convenzionale che ha una risposta di filtro con zeri di trasmissione. Figure 4 ? a schematic side sectional view of a cavity filter? conventional in-line resonant having a filter response with transmit zeros.

Le figure 5A e 5B sono una vista in prospettiva ed una vista in prospettiva in esploso, rispettivamente, di un filtro a guida d'onda dielettrica metallizzata secondo forme di realizzazione della presente invenzione. Figs. 5A and 5B are a perspective view and an exploded perspective view, respectively, of a metallized dielectric waveguide filter according to embodiments of the present invention.

La figura 5C ? una vista in prospettiva ombreggiata del filtro a guida d'onda dielettrica metallizzata delle figure 5A-5B. Figure 5C ? a shaded perspective view of the metallized dielectric waveguide filter of Figs. 5A-5B .

La figura 6 ? un diagramma schematico che illustra le dimensioni di una cavit? risonante rettangolare di un filtro a guida d'onda dielettrica metallizzata. Figure 6 ? a schematic diagram illustrating the dimensions of a cavity? rectangular resonant element of a metallized dielectric waveguide filter.

La figura 7A ? una vista laterale schematica del filtro a guida d'onda dielettrica metallizzata delle figure 5A-5C che illustra i differenti accoppiamenti tra le sue cavit? risonanti. Figure 7A ? is a schematic side view of the metallized dielectric waveguide filter of FIGS. 5A-5C illustrating the different fits between its cavities. resonant.

La figura 7B ? una tabella che mostra il segno e la direzione degli accoppiamenti inclusi nel filtro a guida d'onda dielettrica metallizzata delle figure 5A-5C. Figure 7B ? a table showing the sign and direction of couplings included in the metallized dielectric waveguide filter of Figs. 5A-5C .

La figura 8A ? una vista dall?alto di due cavit? risonanti adiacenti del filtro a guida d'onda dielettrica metallizzata delle figure 5A-5C che illustra una finestra di accoppiamento che definisce le due cavit? risonanti. Figure 8A ? a top view of two cavities? adjacent resonant cells of the metallized dielectric waveguide filter of FIGS. 5A-5C illustrating a coupling window defining the two cavities? resonant.

La figura 8B ? una vista in sezione trasversale che illustra i campi magnetici generati nelle due cavit? risonanti di figura 8A. Figure 8B ? a cross-sectional view illustrating the magnetic fields generated in the two cavities? resonators of figure 8A.

La figura 9A ? un grafico che illustra come l?accoppiamento orizzontale positivo aumenta in funzione della larghezza della finestra di accoppiamento che collega due cavit? risonanti adiacenti. Figure 9A ? a graph that illustrates how? the positive horizontal coupling increases as a function of the width of the coupling window that connects two cavities? adjacent resonants.

La figura 9B ? un grafico che illustra la variazione della frequenza centrale del primo modo di trasmissione spurio per le due cavit? risonanti mostrata in figura 9A in funzione della larghezza della finestra di accoppiamento. Figure 9B ? a graph that illustrates the variation of the central frequency of the first mode of spurious transmission for the two cavities? resonant frequencies shown in Figure 9A as a function of coupling window width.

La figura 10 ? una vista in sezione trasversale orizzontale della quarta cavit? risonante del filtro a guida d'onda dielettrica metallizzata delle figure 5A-5C presa vicino al fondo della cavit? risonante che illustra l?intensit? e la direzione del campo magnetico. Figure 10 ? a horizontal cross-sectional view of the fourth cavity? resonant of the metallized dielectric waveguide filter of figures 5A-5C taken near the bottom of the cavity? resonant that illustrates the? intensity? and the direction of the magnetic field.

La figura 11A ? un grafico che mostra come l?accoppiamento tra la quarta e la quinta cavit? risonante del filtro delle figure 5A-5C varia in funzione della larghezza delle finestre di accoppiamento tra loro. Figure 11A ? a graph that shows how the? coupling between the fourth and the fifth cavity? resonant of the filter of figures 5A-5C varies as a function of the width of the coupling windows between them.

La figura 11B ? un grafico che illustra la variazione della frequenza centrale del primo modo di trasmissione spurio per le due cavit? mostrata in figura 11A in funzione della larghezza delle finestre di accoppiamento. Figure 11B ? a graph that illustrates the variation of the central frequency of the first mode of spurious transmission for the two cavities? shown in figure 11A as a function of the width of the coupling windows.

La figura 12 ? un grafico che illustra la variazione della frequenza centrale del primo modo spurio in funzione del rapporto tra altezza e larghezza per le cavit? risonanti del filtro delle figure 5A-5C. Figure 12 ? a graph illustrating the variation of the central frequency of the first spurious mode as a function of the ratio between height and width for the cavities? filter resonators of Figures 5A-5C.

La figura 13A ? una vista in prospettiva ombreggiata di una cavit? risonante che include un foro cieco nella sua porzione superiore. Figure 13A ? a shaded perspective view of a cavity resonator that includes a blind hole in its upper portion.

La figura 13B ? un grafico che illustra la variazione della frequenza centrale del primo modo spurio in funzione della profondit? di un foro cieco nella cavit? risonante di figura 13A. Figure 13B ? a graph that illustrates the variation of the central frequency of the first spurious mode as a function of the depth? of a blind hole in the cavity? resonant of figure 13A.

La figura 14A ? una vista in prospettiva ombreggiata di una cavit? risonante che include una fessura nella sua porzione superiore. Figure 14A ? a shaded perspective view of a cavity resonant that includes a slot in its upper portion.

La figura 14B ? un grafico che illustra la variazione della frequenza centrale del primo modo spurio in funzione della profondit? di una fessura nella cavit? risonante di figura 14A. Figure 14B ? a graph that illustrates the variation of the central frequency of the first spurious mode as a function of the depth? of a crack in the cavity? resonant of figure 14A.

La figura 15A ? una vista in sezione trasversale orizzontale della terza cavit? risonante del filtro a guida d'onda dielettrica metallizzata delle figure 5A-5C presa vicino al fondo della cavit? risonante che illustra l?intensit? e la direzione dei campi magnetici nonch? la dimensione e la posizione di una finestra di accoppiamento incrociato circolare che ? formata omettendo la metallizzazione al centro della superficie di fondo della cavit? risonante. Figure 15A ? a horizontal cross-sectional view of the third cavity? resonant of the metallized dielectric waveguide filter of figures 5A-5C taken near the bottom of the cavity? resonant that illustrates the? intensity? and the direction of the magnetic fields as well as? the size and location of a circular cross-coupling window that ? formed by omitting the metallization in the center of the bottom surface of the cavity? resonant.

La figura 15B ? un grafico che mostra come l?accoppiamento incrociato tra la terza e la sesta cavit? risonante del filtro delle figure 5A-5C varia in funzione del raggio della finestra di accoppiamento incrociato di figura 15A. Figure 15B ? a graph that shows how the? cross coupling between the third and the sixth cavity? resonant filter of Figures 5A-5C varies as a function of the radius of the cross-coupling window of Figure 15A .

La figura 15C ? un grafico che illustra la variazione della frequenza centrale del primo modo di trasmissione spurio in funzione del raggio della finestra di accoppiamento incrociato mostrata in figura 15A. Figure 15C ? a graph illustrating the variation of the center frequency of the first spurious transmission mode as a function of the radius of the cross-coupling window shown in Fig. 15A .

La figura 16A ? un grafico che mostra come l?accoppiamento incrociato tra la terza e la sesta cavit? risonante del filtro delle figure 5A-5C varia in funzione del rapporto tra l?altezza e la larghezza delle cavit? risonanti. La figura 16B ? un grafico che illustra la variazione della frequenza centrale del primo modo di trasmissione spurio in funzione del rapporto tra l?altezza e la larghezza delle cavit? risonanti. Figure 16A ? a graph that shows how the? cross coupling between the third and the sixth cavity? resonant of the filter of the figures 5A-5C varies according to the ratio between the height and the width of the cavities? resonant. Figure 16B ? a graph that illustrates the variation of the central frequency of the first spurious transmission mode as a function of the ratio between the height and the width of the cavities? resonant.

La figura 17A ? una vista in prospettiva ombreggiata di una cavit? risonante che include sia un foro cieco sia una finestra di accoppiamento incrociato. Figure 17A ? a shaded perspective view of a cavity that includes both a blind hole and a cross-coupling window.

La figura 17B ? un grafico che mostra come l?accoppiamento incrociato tra la terza e la sesta cavit? risonante del filtro delle figure 5A-5C varia in funzione della profondit? dei fori ciechi formati nella terza e nella sesta cavit? risonante. Figure 17B ? a graph that shows how the? cross coupling between the third and the sixth cavity? resonant of the filter of the figures 5A-5C varies according to the depth? of the blind holes formed in the third and sixth cavities? resonant.

La figura 17C ? un grafico che illustra la variazione della frequenza centrale del primo modo di trasmissione spurio in funzione delle profondit? di foro cieco mostrate in figura 17B. Figure 17C ? a graph that illustrates the variation of the central frequency of the first spurious transmission mode as a function of the depth? of blind hole shown in Figure 17B.

La figura 18 ? una vista in prospettiva di un filtro secondo certe forme di realizzazione della presente invenzione. Figure 18 ? a perspective view of a filter according to certain embodiments of the present invention.

La figura 19A ? un grafico della perdita di ritorno simulata per il filtro di figura 18. Figure 19A ? a graph of the simulated return loss for the filter in figure 18.

La figura 19B ? un grafico della perdita di inserzione simulata per il filtro di figura 18. Figure 19B ? a graph of the simulated insertion loss for the filter in figure 18.

La figura 19C ? un grafico della perdita di inserzione per un intervallo di frequenza maggiore che mostra le prestazioni di reiezione fuori banda simulate del filtro di figura 18. Figure 19C ? an insertion loss graph for a higher frequency range showing the simulated out-of-band rejection performance of the filter of figure 18.

La figura 20 ? una vista in prospettiva di un filtro secondo ulteriori forme di realizzazione della presente invenzione. Figure 20 ? a perspective view of a filter according to further embodiments of the present invention.

La figura 21A ? un grafico della perdita di ritorno simulata per il filtro di figura 20. Figure 21A ? a graph of the simulated return loss for the filter in figure 20.

La figura 21B ? un grafico della perdita di inserzione simulata per il filtro di figura 20. Figure 21B ? a graph of the simulated insertion loss for the filter in figure 20.

La figura 21C ? un grafico della perdita di inserzione per un intervallo di frequenza maggiore che mostra le prestazioni di reiezione fuori banda simulate del filtro di figura 20. Figure 21C ? an insertion loss graph for a higher frequency range showing the simulated out-of-band rejection performance of the filter of figure 20.

DESCRIZIONE DETTAGLIATA DETAILED DESCRIPTION

Una guida d?onda ? un condotto di metallo che pu? essere usato per confinare e indirizzare i segnali RF. Un filtro a guida d'onda ? un filtro che ? formato usando componenti di guida d?onda. Un percorso di trasmissione principale ? definito tra un ingresso ed una uscita di un filtro a guida d'onda. Il filtro a guida d'onda pu? includere una pluralit? di cavit? risonanti che formano il percorso di trasmissione principale, in cui ciascuna cavit? risonante ? implementata come una lunghezza corta di guida d?onda che ? bloccata in corrispondenza di entrambe le sue estremit?. Aperture che vengono definite ?finestre di accoppiamento? sono previste in corrispondenza delle estremit? ?bloccate? di ciascuna sezione di guida d?onda in modo che una certa porzione dell'onda elettromagnetica sia fatta passare fuori dalla cavit? risonante e in una cavit? risonante adiacente lungo il percorso di trasmissione principale (o completamente fuori dal filtro). Un?onda elettromagnetica che ? intrappolata all?interno di una cavit? risonante ? riflessa avanti e indietro tra le sue due estremit?, e risuoner? ad una frequenza caratteristica in base ad una data geometria della cavit? risonante. L?effetto di risonanza pu? essere usato per far passare selettivamente certe frequenze attraverso la finestra di accoppiamento nella cavit? risonante adiacente. Aperture aggiuntive che vengono chiamate ?finestre di accoppiamento incrociato? possono essere previste tra cavit? risonanti che non sono adiacenti tra loro lungo il percorso di trasmissione principale. Questi accoppiamenti incrociati possono essere usati per generare zeri di trasmissione nella risposta di frequenza del filtro, come spiegato sopra. Un filtro a guida d'onda dielettrica metallizzata ? un filtro a guida d'onda che ? formato usando uno o pi? blocchi di materiale dielettrico che hanno metallo previsto sulle loro superfici esterne. I filtri a guida d'onda dielettrica metallizzata possono essere visti come un filtro a guida d'onda convenzionale in cui l?aria all?interno della guida d?onda ? sostituita con un materiale dielettrico solido. I filtri a guida d'onda dielettrica metallizzata possono essere formati metallizzando l?esterno di uno o pi? blocchi dielettrici. Per esempio, il metallo pu? essere placcato sul blocco di materiale dielettrico (e all?interno di fori e fessure nel blocco dielettrico) mediante un processo di metallizzazione quale serigrafia, rivestimento a spruzzo, rivestimento a immersione o processo di metallizzazione a film sottile. Tipicamente, ciascun blocco dielettrico comprende un blocco di materiale che ha una costante dielettrica elevata quale per esempio un blocco di ceramica avente una costante dielettrica di 10 o pi?. Materiali di ceramica adatti includono per esempio materiali di titanato di bario e titanato di zirconio. In termini generali, maggiore ? la costante dielettrica del materiale dielettrico, pi? le dimensioni del filtro possono essere ridotte. Fori placcati di metallo che si estendono verticalmente (che fungono da montanti metallici) o altre strutture sono formate all?interno del blocco dielettrico per formare le singole cavit? risonanti all?interno del blocco dielettrico metallizzato. I filtri a guida d'onda dielettrica metallizzata possono presentare un rapporto molto elevato tra fattore Q e volume, avere basse perdite di inserzione, e possono gestire facilmente 10-20 Watt di potenza senza generare livelli inaccettabili di prodotti di intermodulazione passivi. Pertanto, i filtri a guida d'onda dielettrica metallizzata possono essere molto adatti per molte applicazioni cellulari. I filtri a guida d'onda dielettrica metallizzata tuttavia possono essere relativamente pesanti, e quindi generalmente sono usati soltanto a frequenze superiori in cui la minore lunghezza d?onda dei segnali RF riduce la dimensione complessiva (e quindi il peso) del filtro. Un limite aggiuntivo associato ai filtri a guida d'onda dielettrica metallizzata ? che tendono ad avere ampiezze di banda relativamente piccole rispetto ad altre tecnologie di filtro quali i filtri a cavit? coassiale pressocolati. L'ampiezza di banda di un filtro ? tipicamente definita come il rapporto tra la dimensione della banda passante (ossia le frequenze a cui il filtro fa passare un segnale senza perdita significativa) e la frequenza centrale della banda passante. Sono disponibili filtri a guida d'onda dielettrica metallizzata che funzionano nella banda di frequenza di 20 GHz. Questi filtri tuttavia hanno bande passanti che tipicamente sono soltanto di circa 100-200 MHz (o meno), e quindi l'ampiezza di banda di questi filtri ? soltanto di circa l'1-2%. Molte applicazioni cellulari richiedono filtri aventi bande passanti significativamente pi? grandi, quali bande passanti che superano il 10% della frequenza centrale della banda passante. Come esempio, la banda di frequenza di 3400-3800 MHz ? stata recentemente designata per varie applicazioni cellulari. I filtri progettati per far passare segnali ovunque in questa banda di frequenza operativa pertanto richiedono una banda passante di almeno 400 MHz, che ? oltre l?11% della frequenza centrale di 3,6 GHz della banda di frequenza operativa. Requisiti tipici per la banda passante sono una perdita di ritorno inferiore a 15 dB. A waveguide? a metal duct that can? be used to confine and route RF signals. A waveguide filter? a filter that ? formed using waveguide components. A main transmission path ? defined between an input and an output of a waveguide filter. The waveguide filter can? include a plurality? of cavities? resonants that form the main transmission path, in which each cavity? resonant ? implemented as a short length of guide? wave that ? locked at both ends? Openings that are referred to as ?mating windows? are provided at the ends? ?blocked? of each section of guide? wave so that a certain portion of the electromagnetic wave is made to pass out of the cavity? resonant and in a cavity? adjacent resonant along the main transmission path (or completely outside the filter). Un? electromagnetic wave that ? trapped inside a cavity? resonant ? reflected back and forth between its two ends, and will resonate? at a characteristic frequency based on a given geometry of the cavity? resonant. The resonance effect can be used to selectively pass certain frequencies through the coupling window in the cavity? adjacent resonant. Additional openings that are called ?cross-coupling windows? can be provided between cavities? resonators that are not adjacent to each other along the main transmission path. These cross-couplings can be used to generate transmit zeros in the frequency response of the filter, as explained above. A metallized dielectric waveguide filter? a waveguide filter that ? format using one or more? blocks of dielectric material which have metal provided on their outer surfaces. Metallized dielectric waveguide filters can be thought of as a conventional waveguide filter where the air inside the waveguide is replaced with a solid dielectric material. Metallized dielectric waveguide filters can be formed by metallizing the exterior of one or more filters. dielectric blocks. For example, metal can be plated onto the dielectric block (and into holes and slots in the dielectric block) by a metallization process such as screen printing, spray coating, dip coating or thin film metallization process. Typically, each dielectric block comprises a block of material which has a high dielectric constant such as a ceramic block having a dielectric constant of 10 or more. Suitable ceramic materials include for example barium titanate and zirconium titanate materials. In general terms, major ? the dielectric constant of the dielectric material, pi? filter size can be reduced. Vertically extending metal plated holes (acting as metal struts) or other structures are formed within the dielectric block to form the individual cavities. resonating within the metallized dielectric block. Metallized dielectric waveguide filters can exhibit a very high Q-to-volume ratio, have low insertion losses, and can easily handle 10-20 watts of power without generating unacceptable levels of passive intermodulation products. Therefore, metallized dielectric waveguide filters can be very suitable for many cellular applications. However, metallized dielectric waveguide filters can be relatively heavy, and therefore are generally only used at higher frequencies where the shorter wavelength of RF signals reduces the overall size (and therefore weight) of the filter. An additional limitation associated with metallized dielectric waveguide filters? which tend to have relatively small bandwidths compared to other filter technologies such as cavity filters. coaxial die castings. The bandwidth of a filter ? typically defined as the ratio of the size of the passband (ie, the frequencies at which the filter passes a signal without significant loss) to the center frequency of the passband. Metallized dielectric waveguide filters are available that operate in the 20 GHz frequency band. However, these filters have passbands that are typically only about 100-200 MHz (or less), and therefore the bandwidth of these filters ? only about 1-2%. Many cellular applications require filters having significantly higher bandwidths. large, such as bandwidths exceeding 10% of the center frequency of the bandwidth. As an example, the frequency band of 3400-3800 MHz ? been recently designated for various cellular applications. Filters designed to pass signals anywhere in this operating frequency band therefore require a bandwidth of at least 400 MHz, which is ? over 11% of the 3.6 GHz center frequency of the operating frequency band. Typical requirements for bandwidth are less than 15 dB return loss.

Un altro problema correlato all?uso dei filtri a guida d'onda dielettrica metallizzata in sistemi cellulari ? che questi filtri tendono a generare modi indesiderati o ?spuri? a frequenze che sono vicine alla banda passante. I filtri a guida d'onda possono essere progettati per trasmettere un?onda elettromagnetica in un modo elettrico trasversale (TE, Transverse Electric) o in un modo magnetico trasversale (TM, Transverse Magnetic), come ? bene inteso dai comuni esperti nella tecnica. Nei sistemi di trasmissione a guida d?onda, inclusi i filtri a guida d'onda, possono sorgere altri modi di trasmissione indesiderati che possono incidere negativamente sulla risposta del filtro. Questi modi indesiderati sono definiti ?modi spuri?. I modi spuri possono determinare la riduzione della quantit? di reiezione in un intervallo di frequenza che ? al di sopra dell?intervallo di frequenza di banda passante. In molti casi, gli operatori cellulari possono richiedere che i filtri usati in antenne di stazione base abbiano gradi estremamente elevati di reiezione a frequenze che sono vicine alla banda passante. Se i modi spuri rientrano in intervalli di frequenza in cui ? necessario tale grado di reiezione elevato, pu? essere difficile soddisfare le specifiche di attenuazione. Another problem related to the use of metallized dielectric waveguide filters in cellular systems? that these filters tend to generate unwanted or ?spurious? at frequencies that are close to the passband. Waveguide filters can be designed to transmit an electromagnetic wave in a transverse electric (TE) mode or in a transverse magnetic (TM) mode, such as ? well understood by ordinary skilled in the art. In waveguide transmission systems, including waveguide filters, other unwanted transmission modes can arise which can adversely affect filter response. These unwanted modes are called ?spurious modes?. Spurious ways can lead to the reduction of the quantity? of rejection in a frequency range that ? above the passband frequency range. In many cases, cellular operators may require filters used in base station antennas to have extremely high degrees of rejection at frequencies that are close to the passband. If the spurious modes fall into frequency ranges where ? need this degree of rejection high, pu? be difficult to meet the attenuation specifications.

I requisiti di una banda passante grande ed elevata reiezione a frequenze vicine alla banda passante possono essere particolarmente difficili da conseguire rispetto ai filtri a guida d'onda dielettrica metallizzata, in quanto le tecniche che sono usate per migliorare uno di questi parametri tendono a degradare l?altro parametro. Per esempio, per aumentare l'ampiezza di banda della banda passante, ? generalmente necessario generare un forte accoppiamento tra le cavit? risonanti, dato che l'ampiezza di banda di filtro generalmente aumenta con una maggiore resistenza di accoppiamento. Il modo tipico per aumentare l?accoppiamento consiste nell?aumentare la dimensione delle finestre di accoppiamento tra le cavit? risonanti. Purtroppo, dato che le finestre di accoppiamento sono ingrandite, i modi spuri che risuonano vicino alla banda passante sono generalmente avvicinati (in termini di frequenza) alla banda passante. Quando ci? avviene, pu? essere difficile conseguire livelli elevati di attenuazione a frequenze vicine alla banda passante. The requirements for a large passband and high rejection at frequencies close to the passband can be particularly difficult to achieve with respect to metallized dielectric waveguide filters, because the techniques that are used to improve any of these parameters tend to degrade the ?other parameter. For example, to increase the bandwidth of the passband, ? generally necessary to generate a strong coupling between the cavities? resonant, since filter bandwidth generally increases with increased coupling resistance. The typical way to increase the coupling is to increase the size of the coupling windows between the cavities. resonant. Unfortunately, since the coupling windows are enlarged, spurious modes that resonate close to the passband are generally close (in terms of frequency) to the passband. When we? happens, can? be difficult to achieve high levels of attenuation at frequencies close to the passband.

Secondo forme di realizzazione della presente invenzione, sono previsti filtri a guida d'onda dielettrica metallizzata che hanno un'ampiezza di banda elevata e che forniscono inoltre buona reiezione fuori banda a frequenze vicine alla banda passante. Questi filtri possono presentare un fattore Q molto elevato, possono essere a bassa perdita, possono avere elevata capacit? di gestione di potenza, e possono essere piccoli e ragionevolmente leggeri. Questi filtri possono inoltre essere pi? economici e pi? facili da fabbricare rispetto ai filtri a cavit? coassiale pressocolati convenzionali. According to embodiments of the present invention, metallized dielectric waveguide filters are provided which have a high bandwidth and which also provide good out-of-band rejection at frequencies close to the passband. These filters can have a very high Q factor, can be low loss, can have high capacitance? of power handling, and can be small and reasonably light. These filters can also be more? cheap and more easier to manufacture than cavity filters? coaxial conventional die castings.

In alcune forme di realizzazione, sono previsti filtri a guida d'onda dielettrica metallizzata che includono una guida d?onda dielettrica metallizzata superiore avente una pluralit? di cavit? risonanti superiori ed una guida d?onda dielettrica metallizzata inferiore avente una pluralit? di cavit? risonanti inferiori. Le guide d?onda dielettriche metallizzate superiore e inferiore possono comprendere rispettivi blocchi dielettrici superiore e inferiore che hanno ciascuno pareti esterne metallizzate. Le guide d?onda dielettriche metallizzate superiore e inferiore possono includere vie metallizzate che si estendono attraverso i rispettivi blocchi dielettrici per definire le cavit? risonanti superiori e inferiori. Una prima delle cavit? risonanti superiori ? collegata operativamente ad una prima delle cavit? risonanti inferiori attraverso almeno una finestra di accoppiamento. La finestra di accoppiamento pu? comprendere una porzione non metallizzata di una superficie di fondo della prima delle cavit? risonanti superiori e una porzione non metallizzata sovrapposta di una superficie di sommit? della prima delle cavit? risonanti inferiori. Una prima fessura avente pareti metallizzate ? prevista in una porzione del blocco dielettrico superiore che fa parte della prima delle cavit? risonanti superiori. La prima fessura pu? estendersi fino a una estremit? distale della prima delle cavit? risonanti superiori e pu? estendersi longitudinalmente lungo un asse longitudinale della guida d?onda dielettrica metallizzata superiore. La prima fessura pu? essere nella cavit? risonante superiore che ? pi? lontana da un orifizio di ingresso del filtro. In some embodiments, metallized dielectric waveguide filters are provided which include an upper metallized dielectric waveguide having a plurality of metalized waveguides. of cavities? upper resonant and a lower metallized dielectric waveguide having a plurality of of cavities? lower resonants. The upper and lower metallized dielectric waveguides may comprise respective upper and lower dielectric blocks which each have metallized outer walls. The upper and lower metallized dielectric waveguides may include metallized vias that extend through the respective dielectric blocks to define the cavities. upper and lower resonants. A first of the cavities? higher resonants ? operatively connected to a first of the cavities? lower resonants through at least one coupling window. The pairing window can include a non-metallized portion of a bottom surface of the first of the cavities? upper resonant and an overlapping non-metallic portion of a top surface? of the first of the cavities? lower resonants. A first fissure having metallized walls ? provided in a portion of the upper dielectric block which is part of the first of the cavities? higher resonants. The first fissure can extend to one end? distal of the first of the cavities? superior resonants and pu? extending longitudinally along a longitudinal axis of the upper metallized dielectric waveguide. The first fissure can be in the cavity? superior resonant that ? more away from a filter inlet port.

La guida d?onda dielettrica metallizzata superiore pu? essere montata sulla guida d?onda dielettrica metallizzata inferiore per formare un filtro piegato avente un percorso di trasmissione principale generalmente a forma di U. Il filtro pu? includere una finestra di accoppiamento incrociato che comprende una porzione non metallizzata di una superficie di fondo di una seconda delle cavit? risonanti superiori ed una porzione non metallizzata sovrapposta di una superficie di sommit? di una seconda delle cavit? risonanti inferiori. La finestra di accoppiamento incrociato pu? essere collocata al centro di una regione in cui la seconda delle cavit? risonanti superiori ? in battuta con la seconda delle cavit? risonanti inferiori. Un primo accoppiamento incrociato tra la seconda delle cavit? risonanti superiori e la seconda delle cavit? risonanti inferiori ? generato attraverso questa finestra di accoppiamento. Un secondo accoppiamento incrociato tra una terza delle cavit? risonanti superiori ed una terza delle cavit? risonanti inferiori pu? essere inoltre generato attraverso la finestra di accoppiamento incrociato. Il primo accoppiamento incrociato pu? avere un segno negativo e il secondo accoppiamento incrociato pu? avere un segno positivo. The superior metallized dielectric waveguide can be mounted on the lower metallized dielectric waveguide to form a folded filter having a generally U-shaped main transmission path. include a cross-coupling window comprising a non-metallized portion of a bottom surface of a second of the cavities? upper resonant and an overlapping non-metallic portion of a top surface? of a second of the cavities? lower resonants. The cross-coupling window can be placed in the center of a region in which the second of the cavities? higher resonants ? batting with the second of the cavities? lower resonants. A first cross coupling between the second of the cavities? upper resonants and the second of the cavities? lower resonants? generated through this mating window. A second cross fit between a third of the cavities? upper resonants and a third of the cavities? lower resonants pu? also be generated through the cross-coupling window. The first cross mate can? have a negative sign and the second cross coupling pu? have a positive sign.

Le guide d?onda dielettriche metallizzate superiore e inferiore possono essere identiche in alcune forme di realizzazione, il che pu? ridurre i costi di fabbricazione. The top and bottom metallized dielectric waveguides may be identical in some embodiments, which can reduce manufacturing costs.

In altre forme di realizzazione, sono previsti filtri a guida d'onda dielettrica metallizzata che includono guide d?onda dielettriche metallizzate superiore e inferiore. La guida d?onda dielettrica superiore ha una prima cavit? risonante superiore, un?ultima cavit? risonante superiore, ed almeno una cavit? risonante superiore intermedia che ? posizionata tra loro, e la guida d?onda dielettrica inferiore analogamente ha una prima cavit? risonante inferiore, un?ultima cavit? risonante inferiore, e almeno una cavit? risonante inferiore intermedia che ? posizionata tra loro. Le guide d?onda dielettriche metallizzate superiore e inferiore comprendono ciascuna un blocco dielettrico avente pareti esterne metallizzate. L?ultima cavit? risonante superiore ? collegata operativamente all?ultima cavit? risonante inferiore attraverso una prima, una seconda ed una terza finestra di accoppiamento. In other embodiments, metallized dielectric waveguide filters are provided which include upper and lower metallized dielectric waveguides. Does the upper dielectric waveguide have a first cavity? superior resonant, a? last cavity? upper resonant, and at least one cavity? upper intermediate resonant that ? positioned between them, and the lower dielectric waveguide similarly has a first cavity? lower resonant, a? last cavity? lower resonant, and at least one cavity? lower intermediate resonant that ? positioned between them. The upper and lower metallized dielectric waveguides each include a dielectric block having metallized outer walls. The last cavity? superior resonant ? operationally connected to the? last cavity? lower resonant through first, second and third coupling windows.

Ciascuna delle finestre di accoppiamento dalla prima alla terza pu? comprendere una rispettiva porzione non metallizzata di una superficie di fondo dell?ultima cavit? risonante superiore ed una rispettiva porzione non metallizzata di una superficie di sommit? dell?ultima cavit? risonante inferiore che si sovrappone almeno parzialmente alla rispettiva porzione non metallizzata della superficie di fondo dell?ultima cavit? risonante superiore. La prima finestra di accoppiamento pu? estendersi generalmente trasversalmente su un?interfaccia tra l?ultima cavit? risonante superiore e l?ultima cavit? risonante inferiore, e la seconda e la terza finestra di accoppiamento possono estendersi generalmente longitudinalmente in corrispondenza di o vicino a bordi laterali opposti dell?interfaccia tra l?ultima cavit? risonante superiore e l?ultima cavit? risonante inferiore. La prima finestra di accoppiamento pu? essere posizionata in corrispondenza di o vicino a estremit? distali dell?interfaccia tra l?ultima cavit? risonante superiore e l?ultima cavit? risonante inferiore. Inoltre, la prima finestra di accoppiamento pu? non sovrapporsi alla seconda finestra di accoppiamento o alla terza finestra di accoppiamento lungo un qualunque asse che si estende parallelo ad un asse longitudinale del filtro a guida d'onda dielettrica metallizzata. Le figure 5A-5C sono varie viste di un filtro a guida d'onda dielettrica metallizzata 100 secondo certe forme di realizzazione della presente invenzione. Il filtro 100 pu? essere, per esempio, progettato per funzionare nella banda di 3,4-3,8 GHz, con una perdita di ritorno di banda passante inferiore a 15 dB, una perdita di inserzione di banda passante inferiore a 1,4 dB, una reiezione fuori banda di almeno 35 dB nell?intervallo di frequenza di 4,4-5,0 GHz, ed una reiezione significativa per frequenze fino a 19 GHz. Il filtro 100 ha una topologia ?piegata ? a due strati avente una prima fila (superiore) di cavit? risonanti da 130-1 a 130-4 ed una seconda fila (inferiore) di cavit? risonanti da 130-5 a 130-8. Nella forma di realizzazione rappresentata, il filtro 100 include un totale di otto cavit? risonanti 130 e funziona nel modo TE1,0,1. Si apprezzer? tuttavia che in altre forme di realizzazione il filtro 100 pu? avere topologie diverse (ad esempio due pieghe per fornire tre file di cavit? risonanti o come filtro a singola fila) o pu? essere progettato per funzionare in un modo di trasmissione diverso. Each of the first through third mating windows can? include a respective non-metallized portion of a bottom surface of the last cavity? upper resonant and a respective non-metallized portion of a top surface? of? the last cavity? lower resonant which at least partially overlaps the respective non-metallized portion of the bottom surface of the last cavity? superior resonant. The first pairing window can? generally extend transversely on an interface between the last cavity? upper resonant and the last cavity? resonant cavity, and the second and third coupling windows may extend generally longitudinally at or near opposite lateral edges of the interface between the last cavity and the lower resonant cavity. upper resonant and the last cavity? lower resonant. The first pairing window can? be positioned at or near the end? distals of the interface between the last cavity? upper resonant and the last cavity? lower resonant. Also, the first pairing window can not overlap the second coupling window or the third coupling window along any axis extending parallel to a longitudinal axis of the metallized dielectric waveguide filter. Figures 5A-5C are various views of a metallized dielectric waveguide filter 100 according to certain embodiments of the present invention. The 100 filter can? be, for example, designed to operate in the 3.4-3.8 GHz band, with a passband return loss of less than 15dB, a passband insertion loss of less than 1.4dB, a rejection out bandwidth of at least 35 dB in the 4.4-5.0 GHz frequency range, and significant rejection for frequencies up to 19 GHz. Filter 100 has a ?bent ? two-layer having a first (upper) row of cavities? resonant from 130-1 to 130-4 and a second row (lower) of cavit? resonating from 130-5 to 130-8. In the embodiment shown, the filter 100 includes a total of eight cavities. resonant 130 and works in TE1,0,1 mode. Will you appreciate it? however that in other embodiments the filter 100 can? have different topologies (for example, two folds to provide three rows of cavities? resonant or as a single row filter) or pu? be designed to operate in a different transmission mode.

Il filtro a guida d'onda dielettrica metallizzata 100 include una guida d?onda dielettrica metallizzata superiore 110-1 ed una guida d?onda dielettrica metallizzata inferiore 110-2. La guida d?onda dielettrica superiore 110-1 comprende un blocco dielettrico superiore 112-1 che ha una superficie esterna (perlopi?) metallizzata 114-1. La guida d?onda dielettrica inferiore 110-2 comprende un blocco dielettrico inferiore 112-2 che ha una superficie esterna (perlopi?) metallizzata 114-2. In alcune forme di realizzazione, le guide d?onda dielettriche metallizzate superiore e inferiore 110-1, 110-2 possono avere progettazioni identiche in modo che due istanze di una singola parte possano essere usate per implementare le guide d?onda dielettriche metallizzate superiore e inferiore 110-1, 110-2. Questa disposizione pu? ridurre i costi di fabbricazione. The metallized dielectric waveguide filter 100 includes an upper metallized dielectric waveguide 110-1 and a lower metallized dielectric waveguide 110-2. The upper dielectric waveguide 110-1 includes an upper dielectric block 112-1 which has a (mostly) metallized outer surface 114-1. The lower dielectric waveguide 110-2 includes a lower dielectric block 112-2 which has a (mostly) metallized outer surface 114-2. In some embodiments, the upper and lower metallized dielectric waveguides 110-1, 110-2 may have identical designs so that two instances of a single part can be used to implement the upper and lower metallized dielectric waveguides. bottom 110-1, 110-2. This arrangement can reduce manufacturing costs.

Come evidenziato sopra, le cavit? risonanti da 130-1 a 130-4 sono formate nella guida d?onda dielettrica superiore 110-1 e le cavit? risonanti da 130-5 a 130-8 sono formate nella guida d?onda dielettrica metallizzata inferiore 110-2. Coppie di fori che si estendono in verticale distanziati si estendono attraverso il blocco dielettrico metallizzato superiore 112-1. Questi fori sono metallizzati per fornire fori metallizzati 116. Ciascuna coppia di fori metallizzati 116 forma una rispettiva finestra di accoppiamento 140. La finestra di accoppiamento 140-1 collega la cavit? risonante 130-1 alla cavit? risonante 130-2, la finestra di accoppiamento 140-2 collega la cavit? risonante 130-2 alla cavit? risonante 130-3, e la finestra di accoppiamento 140-3 collega la cavit? risonante 130-3 alla cavit? risonante 130-4. Analogamente, coppie di fori che si estendono in verticale distanziati si estendono attraverso il blocco dielettrico inferiore 112-2. Questi fori sono metallizzati per fornire fori metallizzati 116. Ciascuna coppia di fori metallizzati 116 forma una rispettiva finestra di accoppiamento 140. La finestra di accoppiamento 140-4 collega la cavit? risonante 130-5 alla cavit? risonante 130-6, la finestra di accoppiamento 140-5 collega la cavit? risonante 130-6 alla cavit? risonante 130-7, e la finestra di accoppiamento 140-6 collega la cavit? risonante 130-7 alla cavit? risonante 130-8. As highlighted above, the cavities resonators from 130-1 to 130-4 are formed in the upper dielectric waveguide 110-1 and the cavities? resonants 130-5 to 130-8 are formed in the lower metallized dielectric waveguide 110-2. Pairs of spaced vertically extending holes extend through the upper metallized dielectric block 112-1. These holes are metallized to provide metallized holes 116. Each pair of metallized holes 116 forms a respective mating window 140. resonant 130-1 to the cavity? resonant 130-2, the coupling window 140-2 connects the cavity? resonant 130-2 to the cavity? resonant 130-3, and the coupling window 140-3 connects the cavity? resonant 130-3 to the cavity? resonant 130-4. Similarly, pairs of spaced vertically extending holes extend through the lower dielectric block 112-2. These holes are metallized to provide metallized holes 116. Each pair of metallized holes 116 forms a respective mating window 140. resonant 130-5 to the cavity? resonant 130-6, the coupling window 140-5 connects the cavity? resonant 130-6 to the cavity? resonant 130-7, and the coupling window 140-6 connects the cavity? resonant 130-7 to the cavity? resonant 130-8.

Un orifizio di ingresso 102-1 ? accoppiato alla cavit? risonante 130-1 e un orifizio di uscita 102-2 (non mostrato nelle figure 5A e 5B, e mostrato solo parzialmente in figura 5C) ? accoppiato alla cavit? risonante 130-8. A 102-1 inlet orifice ? coupled to the cavity? resonant 130-1 and an outlet orifice 102-2 (not shown in FIGS. 5A and 5B, and only partially shown in FIG. 5C)? coupled to the cavity? resonant 130-8.

Tre regioni sulla superficie di fondo della cavit? risonante 130-4 sono non metallizzate, e tre regioni sulla superficie di sommit? della cavit? risonante 130-5 sono analogamente non metallizzate. Queste regioni non metallizzate possono essere allineate in verticale (o almeno sovrapposte in verticale) per formare tre finestre di accoppiamento da 142-1 a 142-3 che collegano la cavit? risonante 130-4 alla cavit? risonante 130-5. In aggiunta, una regione sulla superficie di fondo della cavit? risonante 130-3 ed una corrispondente regione sulla superficie di sommit? della cavit? risonante 130-6 non sono metallizzate per fornire una finestra di accoppiamento incrociato 150 tra le cavit? risonanti 130-3 e 130-6. Un percorso di trasmissione principale attraverso il filtro 100 si estende dall?orifizio di ingresso 102-1, attraverso le otto cavit? risonanti da 130-1 a 130-8 in ordine numerico e quindi attraverso l?orifizio di uscita 102-2. Three regions on the bottom surface of the cavity resonant 130-4 are non-metallized, and three regions on the top surface? of the cavity? resonant 130-5 are similarly non-metallic. These non-metallized regions may be vertically aligned (or at least vertically overlapping) to form three coupling windows 142-1 to 142-3 which connect the cavity resonant 130-4 to the cavity? resonant 130-5. In addition, a region on the bottom surface of the cavity resonant 130-3 and a corresponding region on the top surface? of the cavity? resonant 130-6 are not metallized to provide a cross coupling window 150 between the cavities? resonant 130-3 and 130-6. A main transmission path through the filter 100 extends from the inlet port 102-1, through the eight cavities resonating from 130-1 to 130-8 in numerical order and then through output orifice 102-2.

Come ulteriormente mostrato nelle figure 5A-5C, fori circolari metallizzati 118-1, 118-2 sono formati nelle superfici di sommit? delle cavit? risonanti superiori 130-2, 130-3, rispettivamente, e fori circolari metallizzati 118-3, 118-4 sono formati nelle superfici di fondo delle cavit? risonanti inferiori 130-7, 130-6, rispettivamente. Questi fori sono definiti nella presente come ?fori ciechi? e possono essere usati per sagomare il campo elettromagnetico per aumentare l?accoppiamento attraverso una finestra di accoppiamento e/o per aumentare la frequenza centrale del primo modo spurio, come sar? discusso in dettaglio nella presente. Infine, la prima e la seconda fessura che si estendono longitudinalmente 120-1, 120-2 sono formate nella superficie di sommit? della cavit? risonante superiore 130-4 e nella superficie di fondo della cavit? risonante inferiore 130-5, rispettivamente. Le fessure 120-1, 120-2 si estendono ciascuna longitudinalmente lungo un asse centrale delle rispettive cavit? risonanti 130-4, 130-5, e nella forma di realizzazione rappresentata si estendono per tutta la distanza fino all?estremit? distale delle rispettive cavit? risonanti 130-4, 130-5 (ossia le estremit? delle cavit? risonanti 130-4, 130-5 che sono le pi? distanti dagli orifizi di ingresso e di uscita 102-1, 102-2). As further shown in Figs. 5A-5C , metallized circular holes 118-1, 118-2 are formed in the top surfaces of the cavities? upper resonant resonators 130-2, 130-3, respectively, and metallized circular holes 118-3, 118-4 are formed in the bottom surfaces of the cavities. lower resonants 130-7, 130-6, respectively. These holes are referred to herein as ?blind holes? and can be used to shape the electromagnetic field to increase coupling across a coupling window and/or to increase the center frequency of the spurious first mode, as will be the case? discussed in detail herein. Finally, the first and second longitudinally extending slots 120-1, 120-2 are formed in the top surface? of the cavity? resonant upper 130-4 and in the bottom surface of the cavity? lower resonant 130-5, respectively. The slots 120-1, 120-2 each extend longitudinally along a central axis of the respective recesses. resonant 130-4, 130-5, and in the embodiment shown extend the full distance to the extreme? distal of the respective cavities? resonant cavities 130-4, 130-5 (ie the ends of the resonant cavities 130-4, 130-5 which are the most distant from the inlet and outlet orifices 102-1, 102-2).

Nella forma di realizzazione rappresentata, le guide d?onda dielettriche metallizzate superiore e inferiore 110-1, 110-2 sono identiche in modo che il filtro 100 possa essere costruito saldando tra loro due pezzi identici. Ci? pu? ridurre i costi di fabbricazione. La metallizzazione sulla superficie di fondo della guida d?onda dielettrica metallizzata superiore 110-1 e sulla superficie di sommit? della guida d?onda dielettrica metallizzata inferiore 110-2 consente che le due guide d?onda dielettriche metallizzate 110-1, 110-2 siano saldate tra loro. In altre forme di realizzazione tuttavia le guide d?onda dielettriche metallizzate superiore e inferiore 110-1, 110-2 possono avere strutture diverse per regolare ulteriormente in modo fine le prestazioni del filtro 100. In una forma di realizzazione esemplificativa, il materiale dielettrico pu? comprendere una ceramica. Una costante dielettrica del materiale dielettrico pu? essere per esempio tra 15 e 40. In the embodiment shown, the upper and lower metallized dielectric waveguides 110-1, 110-2 are identical so that the filter 100 can be constructed by welding two identical pieces together. There? can? reduce manufacturing costs. The metallization on the bottom surface of the upper 110-1 metallized dielectric waveguide and on the top surface is of the lower metallized dielectric waveguide 110-2 allows the two metallized dielectric waveguides 110-1, 110-2 to be welded together. In other embodiments, however, the upper and lower metallized dielectric waveguides 110-1, 110-2 may have different structures to further fine tune the performance of the filter 100. In one exemplary embodiment, the dielectric material may ? understand a pottery. A dielectric constant of the dielectric material can? be for example between 15 and 40.

La figura 6 ? una vista schematica di una delle cavit? risonanti 130 del filtro a guida d?onda dielettrica metallizzata 100. Come mostrato in figura 6, la cavit? risonante 130 ha una lunghezza l, una larghezza w ed un'altezza h. La dimensione di lunghezza ? la direzione longitudinale del blocco dielettrico 112 in cui ? formata la cavit? risonante 130. Le dimensioni di larghezza e altezza sono trasversali alla dimensione di lunghezza e perpendicolari tra loro. Tutte e tre le dimensioni sono inoltre mostrate in figura 5C in relazione alla cavit? risonante 130-1. Figure 6 ? a schematic view of one of the cavities? resonant cells 130 of the metallized dielectric waveguide filter 100. As shown in FIG. resonant 130 has a length l, a width w and a height h. The length dimension ? the longitudinal direction of the dielectric block 112 in which ? formed the cavity? resonant 130. The dimensions of width and height are transverse to the dimension of length and perpendicular to each other. All three dimensions are also shown in figure 5C in relation to the cavity resonant 130-1.

Ciascuna cavit? risonante 130 del filtro 100 ha una frequenza di risonanza. Per una cavit? risonante 130 che ha una forma rettangolare, la frequenza di risonanza pu? essere determinata in base alle dimensioni della cavit? e alla costante dielettrica (?) del materiale dielettrico come each cavity? resonant 130 of the filter 100 has a resonant frequency. For a cavity? resonant 130 which has a rectangular shape, the resonant frequency can? be determined based on the size of the cavity? and to the dielectric constant (?) of the dielectric material such as

segue: follows:

in cui ? ? la permeabilit? magnetica del materiale dielettrico. Tipicamente ciascuna cavit? risonante 130 ? progettata per avere approssimativamente la stessa frequenza di risonanza, che pu? essere la frequenza centrale della banda passante. in which ? ? the permeability? magnetic of the dielectric material. Typically each cavity? resonant 130 ? designed to have approximately the same resonant frequency, which can? be the center frequency of the passband.

Come ? evidente dall?equazione (1), una frequenza di risonanza desiderata per una cavit? risonante 130 pu? essere ottenuta manipolando la lunghezza (l) e la larghezza (w) della cavit? risonante 130 e la costante dielettrica del blocco dielettrico 112. Tuttavia, la lunghezza l e la larghezza w (nonch? l?altezza h) incidono pesantemente sulle distribuzioni di campo elettrico e magnetico all?interno della cavit? risonante 130. Di conseguenza, la lunghezza l, la larghezza w e l?altezza h devono essere selezionate anche per tenere in considerazione gli accoppiamenti che sono necessari tra cavit? risonanti adiacenti e non adiacenti 130 per ottenere una risposta di filtro desiderata. How ? evident from? Equation (1), a desired resonance frequency for a cavity? resonant 130 pu? be obtained by manipulating the length (l) and width (w) of the cavity? resonant 130 and the dielectric constant of the dielectric block 112. However, the length l and the width w (as well as the height h) heavily affect the electric and magnetic field distributions inside the cavity? resonant 130. Consequently, the length l, the width w and the height h must also be selected to take into account the couplings that are necessary between cavities? adjacent and non-adjacent resonant 130 to achieve a desired filter response.

L?accoppiamento tra cavit? risonanti adiacenti 130 include sia accoppiamenti orizzontali, che fanno riferimento ad accoppiamenti tra due cavit? risonanti 130 che fanno parte della stessa guida d?onda dielettrica metallizzata 110, sia accoppiamenti verticali, che fanno riferimento ad accoppiamenti tra due cavit? risonanti 130 che sono adiacenti lungo il percorso di trasmissione principale attraverso il filtro 100, ma che fanno parte di guide d?onda dielettriche metallizzate diverse 110-1, 110-2. Gli accoppiamenti orizzontali e verticali possono essere definiti nel complesso accoppiamenti ?in linea? in quanto sono accoppiamenti tra cavit? risonanti 130 che sono adiacenti tra loro lungo il percorso di trasmissione principale. In aggiunta uno o pi? accoppiamenti incrociati possono essere previsti tra due cavit? risonanti 130 che non sono adiacenti tra loro lungo il percorso di trasmissione principale attraverso il filtro 100 e che fanno parte di guide d?onda dielettriche metallizzate diverse 110-1, 110-2. La figura 7A mostra gli accoppiamenti ki,j che sono presenti nel filtro 100. Come mostrato in figura 7A, vi sono sette accoppiamenti in linea (k1,2, k2,3, k3,4, k4,5, k5,6, k6,7, k7,8) e due accoppiamenti incrociati (k2,7, k3,6). Il valore della percentuale di The coupling between cavities? adjacent resonant chambers 130 includes both horizontal couplings, which refer to couplings between two cavities? resonant 130 which are part of the same metallized dielectric waveguide 110, both vertical couplings, which refer to couplings between two cavities? resonant sensors 130 which are adjacent along the main transmission path through the filter 100, but which are part of different metallized dielectric waveguides 110-1, 110-2. The horizontal and vertical couplings can be collectively defined as ?in line? as they are couplings between cavities? resonant channels 130 which are adjacent to each other along the main transmission path. In addition one or more Can cross couplings be expected between two cavities? resonators 130 which are not adjacent to each other along the main transmission path through the filter 100 and which are part of different metallized dielectric waveguides 110-1, 110-2. Fig. 7A shows the couplings ki,j that are present in the filter 100. As shown in Fig. 7A , there are seven couplings in line (k1,2, k2,3, k3,4, k4,5, k5,6, k6 ,7, k7,8) and two cross mates (k2,7, k3,6). The value of the percentage of

accoppiamento ki,j tra due cavit? risonanti ? definito dall'equazione (2): in cui ? la frequenza centrale del primo modo di trasmissione e coupling ki,j between two cavities? resonant ? defined by equation (2): where ? the central frequency of the first transmission mode e

? la frequenza centrale del secondo modo di trasmissione. ? the center frequency of the second transmission mode.

Si ? riscontrato che, per configurare il filtro 100 in modo che abbia un'ampiezza di banda elevata, i valori di molti degli o anche di tutti gli accoppiamenti in linea possono dover essere maggiori del 5% (ad esempio nell?intervallo del 5-10% o anche pi?). La tabella 1 sotto fornisce i valori di ciascuno degli accoppiamenti per una forma di realizzazione del filtro 100. Yup ? found that, in order to configure the filter 100 to have a high bandwidth, the values of many or even all of the line couplings may need to be greater than 5% (e.g. in the range of 5-10% or even more?). Table 1 below provides the values of each of the fits for one embodiment of filter 100.

TABELLA 1 TABLE 1

k1,2 = 9,524% k2,3 = 6,772% k3,4 = 5,8474% k1.2 = 9.524% k2.3 = 6.772% k3.4 = 5.8474%

k4,5 = 8,243% k5,6 = 5,8474% k6,7 = 6,772% k4.5 = 8.243% k5.6 = 5.8474% k6.7 = 6.772%

k7,8 = 9,524% k2,7 = 0,082% k3,6 = -2,321% k7.8 = 9.524% k2.7 = 0.082% k3.6 = -2.321%

Gli accoppiamenti possono essere caratterizzati dalla loro polarit? (positiva o negativa). Questo ? mostrato schematicamente in figura 7B. Il filtro 100 include soltanto tre dei quattro tipi di accoppiamenti mostrati in figura 7B. Secondo forme di realizzazione della presente invenzione, sono state sviluppate tecniche per generare accoppiamenti forti per ciascuno dei tre tipi di accoppiamenti inclusi nel filtro 100. Can couplings be characterized by their polarity? (positive or negative). This ? shown schematically in Figure 7B. Filter 100 includes only three of the four types of couplings shown in Fig. 7B . In accordance with embodiments of the present invention, techniques have been developed for generating strong matches for each of the three types of matches included in the filter 100.

Accoppiamenti orizzontali positivi (ad esempio gli accoppiamenti k1,2, k2,3, k3,4, k5,6, k6,7, k7,8) possono essere facilmente generati facendo s? che le distribuzioni di campo magnetico nelle cavit? risonanti 130 si sovrappongano in prossimit? delle finestre di accoppiamento 140 che collegano cavit? risonanti adiacenti 130. Ci? ? mostrato per esempio nelle figure 8A e 8B, in cui la figura 8A ? una vista dall?alto delle due cavit? risonanti adiacenti (qui le cavit? risonanti 130-2 e 130-3) e la figura 8B ? una vista in sezione trasversale che illustra i campi magnetici generati nelle due cavit? risonanti 130 di figura 8A. La grandezza dell?accoppiamento pu? essere controllata dalla dimensione della finestra di accoppiamento 140-2 (che in questa forma di realizzazione ? una finestra avente una larghezza w1). Come sopra discusso, se l?accoppiamento deve essere maggiore di circa il 5%, la dimensione della finestra di accoppiamento 140-2 (qui w1) deve essere elevata. Purtroppo, dato che la dimensione della finestra di accoppiamento 140-2 ? aumentata, la frequenza centrale del primo modo spurio si sposta verso la banda passante. Ci? pu? essere problematico quando, come qui, ? necessario avere un livello elevato di reiezione a frequenze che sono vicine alla banda passante. In aggiunta, se la dimensione della finestra di accoppiamento 140-2 diventa troppo grande, il modo di trasmissione dell?energia RF pu? commutare dal modo TE1,0,1 al modo TE1,0,2, e anche questo ? problematico. Positive horizontal couplings (for example the couplings k1,2, k2,3, k3,4, k5,6, k6,7, k7,8) can be easily generated by doing s? that the magnetic field distributions in the cavities? resonant 130 overlap in the vicinity? of the coupling windows 140 that connect cavities? adjacent resonant 130. Ci? ? shown for example in FIGS. 8A and 8B, wherein FIG. 8A is a view from? top of the two cavities? adjacent resonant cells (here the resonant cavities 130-2 and 130-3) and figure 8B ? a cross-sectional view illustrating the magnetic fields generated in the two cavities? resonators 130 of figure 8A. The greatness of? coupling pu? be controlled by the size of the coupling window 140-2 (which in this embodiment is a window having a width w1). As discussed above, if the coupling is to be greater than about 5%, the size of the coupling window 140-2 (here w1) must be large. Unfortunately, since the size of the 140-2 coupling window is ? increased, the center frequency of the first spurious mode moves towards the passband. There? can? be problematic when, as here, ? It is necessary to have a high level of rejection at frequencies that are close to the passband. In addition, if the size of the coupling window 140-2 becomes too large, the transmission mode of the RF energy may change. switch from mode TE1,0,1 to mode TE1,0,2, and also this ? problematic.

La figura 9A ? un grafico che illustra come l?accoppiamento orizzontale positivo aumenta in funzione della larghezza w1 della finestra di accoppiamento 140-2. La percentuale di accoppiamento k2,3 aumenta da circa lo 0,5% a quasi il 6% man mano che la larghezza w1 della finestra di accoppiamento 140 ? aumentata da 2,5 mm a 6,0 mm. La figura 9B ? un grafico che illustra la variazione della frequenza centrale del primo modo di trasmissione spurio per le due cavit? risonanti 130-2, 130-3 mostrata in figura 9A in funzione della larghezza della finestra di accoppiamento 140-2 tra loro (in cui ciascuna curva in figura 9B corrisponde ad una larghezza diversa w1). Come mostrato in figura 9B, la frequenza centrale del primo modo spurio si riduce all?aumentare della larghezza di finestra di accoppiamento, e scende al di sotto di 5 GHz ad una larghezza di circa 5 mm. Insieme, le figure 9A e 9B mostrano che man mano che la larghezza della finestra di accoppiamento viene aumentata da 2,5 mm a 6 mm, l?accoppiamento aumenta dallo 0,5% al 6%, mentre la frequenza centrale del primo modo spurio si riduce da 5,36 GHz a 4,83 GHz. Figure 9A ? a graph illustrating how the positive horizontal coupling increases as a function of the width w1 of the coupling window 140-2. The coupling percentage k2,3 increases from about 0.5% to almost 6% as the width w1 of the coupling window 140 ? increased from 2.5mm to 6.0mm. Figure 9B ? a graph that illustrates the variation of the central frequency of the first mode of spurious transmission for the two cavities? resonant channels 130-2, 130-3 shown in Fig. 9A as a function of the width of the coupling window 140-2 with each other (wherein each curve in Fig. 9B corresponds to a different width w1). As shown in Fig. 9B , the center frequency of the first spurious mode decreases as the coupling window width increases, and drops below 5 GHz to a width of about 5 mm. Together, Figures 9A and 9B show that as the coupling window width is increased from 2.5mm to 6mm, the coupling increases from 0.5% to 6%, while the center frequency of the first spurious mode drops from 5.36GHz to 4.83GHz.

Per mantenere piccola la dimensione (qui la larghezza w1) della finestra di accoppiamento 140 (per impedire che la frequenza centrale del primo modo spurio si avvicini troppo alla banda passante), la lunghezza l, la larghezza w e l?altezza h delle cavit? risonanti 130 possono essere regolate per aumentare il livello di accoppiamento magnetico in prossimit? della finestra di accoppiamento 140-2. Modificare l?altezza h delle cavit? risonanti 130 pu? non essere particolarmente efficace per l?aumento della resistenza dell?accoppiamento magnetico in prossimit? della finestra di accoppiamento 140. Tuttavia, modificare la larghezza w di ciascuna cavit? risonante 130 ha di fatto un impatto significativo sulla distribuzione di campo magnetico. Come sopra discusso, la frequenza di risonanza di ciascuna cavit? risonante 130 ? in funzione sia della larghezza w sia della lunghezza l della cavit? risonante 130. Pertanto, per mantenere l?appropriata frequenza di risonanza, pu? essere necessario regolare la lunghezza l della cavit? risonante 130 nonch? la larghezza w per aumentare l?accoppiamento in prossimit? della finestra di accoppiamento 140 mantenendo al contempo l?appropriata frequenza di risonanza. In altre forme di realizzazione, cavit? diverse possono essere formate con materiali dielettrici aventi costanti dielettriche diverse anzich? o oltre a modificare la lunghezza e la larghezza delle cavit?. Nella pratica questa soluzione pu? essere pi? difficile da implementare e/o pi? costosa, ma pu? essere vantaggiosa in certe applicazioni, in particolare laddove la dimensione del filtro deve adattarsi entro vincoli stretti. To keep the size (here the width w1) of the coupling window 140 small (to prevent the central frequency of the first spurious mode from getting too close to the passband), the length l, the width w and the height h of the cavities? resonators 130 can be adjusted to increase the level of magnetic coupling in the proximity? of the 140-2 mating window. Change the height h of the cavities? resonant 130 pu? not be particularly effective due to the increase in the resistance of the magnetic coupling in the vicinity? of the coupling window 140. However, change the width w of each cavity? resonant 130 actually has a significant impact on the magnetic field distribution. As discussed above, the resonant frequency of each cavity? resonant 130 ? as a function of both the width w and the length l of the cavity? resonant 130. Therefore, to maintain the? appropriate resonance frequency, pu? be necessary to adjust the length of the cavity? resonant 130 as well as? the width w to increase the coupling in the vicinity? of the coupling window 140 while maintaining the proper resonant frequency. In other embodiments, cavity? different can be formed with dielectric materials having different dielectric constants instead? or in addition to changing the length and width of the cavities?. In practice, this solution pu? be more difficult to implement and/or more? expensive, but can? be advantageous in certain applications, particularly where the filter size must fit within tight constraints.

La tabella 2 sotto fornisce un esempio relativo a come la larghezza w e la lunghezza l di una cavit? risonante 130 possono essere modificate mantenendo al contempo la frequenza di risonanza della cavit? risonante 130 ad un valore desiderato (che nel presente esempio ? 3,6 GHz). Come mostrato in tabella 2, le combinazioni esemplificative di w e h forniscono quantit? ampiamente diverse di accoppiamento. Dato che l?obiettivo nel presente esempio ? avere un forte accoppiamento mantenendo al contempo la frequenza del primo modo spurio al di sopra di 5,0 GHz, impostare la larghezza delle cavit? risonanti 130 a 13 mm e la lunghezza delle cavit? risonanti 130 a 11,5 mm sembra essere il candidato migliore delle quattro combinazioni esemplificative. Table 2 below gives an example of how the width w and length l of a cavity resonant 130 can be modified while maintaining the resonant frequency of the cavity? resonant 130 to a desired value (which in the present example is 3.6 GHz). As shown in Table 2, the exemplary combinations of w and h provide quantities widely different mating. Given that the? objective in the present example ? have a strong coupling while maintaining the frequency of the first spurious mode above 5.0 GHz, set the width of the cavities? resonant 130 to 13 mm and the length of the cavities? resonant 130 to 11.5mm appears to be the best candidate of the four exemplary combinations.

TABELLA 2 TABLE 2

Larghezza Lunghezza ki,j (%) Frequenza del 1? (mm) (mm) modo spurio (MHz) 11 16 1,4 4870 Width Length ki,j (%) Frequency of 1? (mm) (mm) spurious mode (MHz) 11 16 1.4 4870

12 13,15 4 5170 12 13.15 4 5170

13 11,5 8 5090 13 11.5 8 5090

14 10,4 13 4730 14 10.4 13 4730

Il secondo tipo di accoppiamento del filtro 100 ? un accoppiamento verticale positivo. Dato che questo tipo di accoppiamento ? positivo, ? generato ancora una volta dall?accoppiamento tra i campi magnetici nelle due cavit? risonanti adiacenti 130. La figura 10 ? una vista in sezione trasversale orizzontale della quarta cavit? risonante superiore 130-4, in cui la sezione trasversale orizzontale ? presa vicino al fondo della cavit? risonante 130-4. Le frecce in figura 10 illustrano l?intensit? e la direzione del campo magnetico, le linee di peso maggiore indicando campi magnetici pi? intensi. Come mostrato in figura 10, vi sono quattro regioni in cui il campo magnetico ? il pi? intenso, che sono indicate dai riquadri contrassegnati da 160-1 fino a 160-4 in figura 10. The second type of filter coupling 100 ? a positive vertical coupling. Given that this type of coupling ? positive, ? generated once again by? coupling between the magnetic fields in the two cavities? adjacent resonants 130. Figure 10 ? a horizontal cross-sectional view of the fourth cavity? upper resonant 130-4, in which the horizontal cross section is ? taken near the bottom of the cavity? resonant 130-4. The arrows in figure 10 illustrate the intensity? and the direction of the magnetic field, the lines of greater weight indicating more magnetic fields? intense. As shown in Figure 10, there are four regions where the magnetic field is the most intense, which are indicated by the boxes labeled 160-1 through 160-4 in Figure 10.

Per fornire un accoppiamento verticale positivo forte tra le cavit? risonanti 130-4 e 130-5, la metallizzazione nel fondo della cavit? risonante 130-4 e la metallizzazione nella sommit? della cavit? risonante 130-5 possono essere rimosse (o non essere mai formate) nelle regioni 160 in cui i campi magnetici sono intensi. Questo, vantaggiosamente, inoltre riduce al minimo l?accoppiamento di campo elettrico tra cavit? risonanti 130-4 e 130-5 (che ? l?accoppiamento negativo che sfalsa efficacemente l'accoppiamento magnetico), in quanto il campo elettrico ? pi? intenso al centro di ciascuna cavit? risonante 130-4, 130-5 dove il campo magnetico ? pi? debole. To provide strong positive vertical coupling between cavities? resonant 130-4 and 130-5, the metallization in the bottom of the cavity? resonant 130-4 and the metallization in the top? of the cavity? resonant 130-5 may be removed (or never be formed) in regions 160 where magnetic fields are strong. This, advantageously, also minimizes the electric field coupling between cavities? resonant 130-4 and 130-5 (which is the negative coupling that effectively offsets the magnetic coupling), since the electric field is? more intense in the center of each cavity? resonant 130-4, 130-5 where the magnetic field ? more weak.

In una forma di realizzazione esemplificativa sono state formate tre finestre di accoppiamento 142-1, 142-2, 142-3 (ossia aree non metallizzate) tra le cavit? risonanti 130-4 e 130-5 nelle posizioni corrispondenti alle regioni da 160-1 a 160-3 in figura 10. La dimensione pi? lunga w2 di ciascuna finestra di accoppiamento 142-1, 142-2, 142-3 (ossia la larghezza o la lunghezza, in base all?orientamento della finestra di accoppiamento 140) ? stata variata da 4 mm a 6,5 mm. La figura 11A ? un grafico che mostra come la resistenza dell?accoppiamento verticale positivo tra le cavit? risonanti 130-4 e 130-5 varia con la variazione della dimensione pi? lunga w2 delle finestre di accoppiamento da 160-1 a 160-3. Come mostrato in figura 11A, l?accoppiamento verticale positivo tra le cavit? risonanti 130-4 e 130-5 varia da circa il 2,5% a w2 = 4 mm a circa il 13% a w2 = 6,5 mm. La figura 11B mostra come la frequenza centrale del primo modo spurio cambia in funzione della dimensione pi? lunga w2 delle finestre di accoppiamento da 142-1 a 142-3, variando da 5,68 GHz per w2 = 4 mm a 4,63 GHz per w2 = 6,5 mm. Pertanto, analogamente agli accoppiamenti orizzontali positivi, in cui l?aumento della larghezza delle finestre di accoppiamento da 140-1 a 140-6 forniva sia un accoppiamento migliorato (ossia pi? forte) sia una reiezione di modo spurio deteriorata (ossia di frequenza inferiore), qui l?aumento della larghezza delle finestre di accoppiamento 142-1, 142-2, 142-3 favorisce soltanto uno dei due parametri (ovvero fornisce un accoppiamento pi? forte) degradando al contempo gli sforzi per mantenere la frequenza del primo modo spurio pi? lontano dalla banda passante. In one exemplary embodiment, three mating windows 142-1, 142-2, 142-3 (i.e., non-metallized areas) were formed between the cavities? resonators 130-4 and 130-5 in the positions corresponding to the regions from 160-1 to 160-3 in figure 10. The smallest dimension? long w2 of each coupling window 142-1, 142-2, 142-3 (ie the width or length, based on the orientation of the coupling window 140) ? been changed from 4mm to 6.5mm. Figure 11A ? a graph that shows how the resistance of? positive vertical coupling between the cavities? resonant 130-4 and 130-5 varies with the variation of the dimension pi? long w2 of the coupling windows from 160-1 to 160-3. As shown in figure 11A, the positive vertical coupling between the cavities? resonators 130-4 and 130-5 varies from about 2.5% at w2 = 4 mm to about 13% at w2 = 6.5 mm. Figure 11B shows how the center frequency of the first spurious mode changes as a function of the pi? long w2 of the coupling windows 142-1 to 142-3, ranging from 5.68 GHz for w2 = 4 mm to 4.63 GHz for w2 = 6.5 mm. Thus, similar to horizontal positive couplings, where increasing the width of the coupling windows from 140-1 to 140-6 provided both improved (i.e., stronger) coupling and degraded (i.e., lower frequency) spurious mode rejection. ), here increasing the width of the coupling windows 142-1, 142-2, 142-3 favors only one of the two parameters (i.e. provides stronger coupling) while degrading the efforts to maintain the frequency of the first mode spurious more away from the bandwidth.

In una forma di realizzazione esemplificativa, la prima finestra di accoppiamento 142-1 si estende generalmente trasversalmente su una interfaccia tra la cavit? risonante superiore 130-4 e la cavit? risonante inferiore 130-5. La seconda e la terza finestra di accoppiamento 142-2, 142-3 si estendono ciascuna generalmente longitudinalmente in corrispondenza di o vicino a bordi laterali opposti dell?interfaccia tra la cavit? risonante superiore 130-4 e la cavit? risonante inferiore 130-5. La prima finestra di accoppiamento 142-1 ? collocata in corrispondenza di o vicino a una estremit? distale dell?interfaccia tra le cavit? risonanti 130-4 e 130-5. In an exemplary embodiment, the first coupling window 142-1 extends generally transversely over an interface between the cavity upper resonant 130-4 and the cavity? lower resonant 130-5. The second and third mating windows 142-2, 142-3 each extend generally longitudinally at or near opposite lateral edges of the interface between the cavity and upper resonant 130-4 and the cavity? lower resonant 130-5. The first mating window 142-1 ? located at or near one end? distal of the interface between the cavities? resonant 130-4 and 130-5.

Secondo forme di realizzazione della presente invenzione, possono essere impiegate diverse tecniche aggiuntive per ottenere livelli sufficienti di accoppiamento verticale positivo tra le cavit? risonanti 130-4 e 130-5 mantenendo al contempo la frequenza centrale del primo modo spurio al di sopra di 5 GHz. Nella prima di queste tecniche, ? possibile regolare l?altezza h delle cavit? risonanti 130. Ridurre l?altezza h pu? vantaggiosamente spingere pi? in alto la frequenza centrale del primo modo spurio. Purtroppo, tuttavia, il rapporto tra l?altezza h della cavit? risonante e la larghezza w della cavit? risonante ? un altro fattore prestazionale chiave del filtro 100, dato che il fattore Q del filtro 100 pu? essere ottimizzato quando il rapporto h/w = 0,5. Dato che la larghezza w pu? essere impostata in base ad altre considerazioni (come discusso sopra), ridurre l?altezza h pu? degradare le prestazioni del filtro 100. In alcuni casi tuttavia pu? essere tollerata una certa quantit? di deviazione dal rapporto altezza-larghezza ottimale (ad esempio h/w = 0,45) per allontanare la frequenza centrale del primo modo spurio dalla banda passante. La figura 12 illustra come la frequenza del primo modo spurio distante cambia in funzione del rapporto altezza-larghezza per la particolare progettazione del filtro 100 discussa nella presente. In forme di realizzazione esemplificative, un rapporto tra un?altezza di una o pi? delle cavit? risonanti 130 e la larghezza della cavit? risonante pu? essere tra 0,42 e 0,48. In accordance with embodiments of the present invention, several additional techniques may be employed to obtain sufficient levels of positive vertical coupling between the cavities. resonant 130-4 and 130-5 while maintaining the center frequency of the first spurious mode above 5 GHz. In the first of these techniques, ? is it possible to adjust the height h of the cavities? resonant 130. Reducing the height h pu? advantageously push more? above the central frequency of the first spurious mode. Unfortunately, however, the relationship between the height h of the cavity? resonant and the width w of the cavity? resonant ? another key performance factor of the 100 filter, since the Q factor of the 100 filter can be optimized when the h/w ratio = 0.5. Given that the width w pu? be set on the basis of other considerations (as discussed above), reduce the? height h pu? degrade the performance of the filter 100. In some cases, however, pu? be tolerated a certain amount? of deviation from the optimal height-to-width ratio (e.g. h/w = 0.45) to move the center frequency of the first spurious mode away from the passband. Figure 12 illustrates how the frequency of the first distant spurious mode changes as a function of height-to-width ratio for the particular design of filter 100 discussed herein. In exemplary embodiments, a ratio of a height of one or more of the cavities? resonant 130 and the width of the cavity? resonant can? be between 0.42 and 0.48.

L?uso di cosiddetti fori ciechi ? noto in filtri a guida d?onda dielettrica metallizzata. Un foro cieco si riferisce ad un foro che ? formato nella porzione di sommit? del blocco dielettrico in una cavit? risonante 130, e l?esterno del foro ? metallizzato. La figura 13A ? una vista in prospettiva ombreggiata della cavit? risonante 130-4 quando implementata con un foro cieco 118 nella sua porzione superiore. Nel particolare esempio qui, aggiungere un foro cieco 118 ed implementare il foro cieco 118 in modo da avere una profondit? d2 ha spinto la frequenza centrale del primo modo spurio pi? in alto in termini di frequenza. Come mostrato nel grafico di figura 13B, questa tecnica ha una limitata capacit? di modificare la frequenza centrale del primo modo spurio, ed ? stata conseguita una variazione di soltanto circa 40 MHz anche quando si ? usato un foro cieco 118 relativamente profondo. L?uso di un foro cieco 118 cambia anche la frequenza di risonanza della cavit? risonante 130-4, ma questo pu? essere compensato modificando la lunghezza l della cavit? risonante 130-4. The use of so-called blind holes ? known in metallized dielectric waveguide filters. A blind hole refers to a hole that ? formed in the top portion? of the dielectric block in a cavity? resonant 130, and the outside of the hole ? metallic. Figure 13A ? a shaded perspective view of the cavity? resonant 130-4 when implemented with a blind hole 118 in its upper portion. In the particular example here, add a blind hole 118 and implement the blind hole 118 in order to have a depth? d2 pushed the central frequency of the first spurious way pi? top in terms of frequency. As shown in the graph of figure 13B , this technique has a limited capacity to change the central frequency of the first spurious mode, and ? been achieved a variation of only about 40 MHz even when you ? used a relatively deep 118 blind hole. Does the use of a blind hole 118 also change the resonance frequency of the cavity? resonant 130-4, but this pu? be compensated by changing the length l of the cavity? resonant 130-4.

Si ? scoperto che la formazione di una fessura che si estende longitudinalmente 120-1 nel blocco dielettrico superiore 112-1 alla sommit? di una cavit? risonante 130 pu? avere un impatto maggiore sulla frequenza centrale del primo modo spurio rispetto ad un foro cieco 118, e pu? essere usata per innalzare di oltre 100 MHz la frequenza centrale del primo modo spurio. La fessura 120-1 pu? essere una fessura che si estende longitudinalmente 120-1 (ossia la fessura si estende lungo il percorso di trasmissione principale della guida d?onda dielettrica metallizzata superiore 110-1). La figura 14A ? una vista in prospettiva ombreggiata della cavit? risonante 130-4 quando implementata con una fessura 120-1 nella sua porzione superiore. La frequenza centrale del modo spurio generalmente aumenta con l?aumentare della larghezza w3 e della profondit? d3 di fessura. Una lunghezza l3 della fessura 120-1 pu? essere maggiore di una larghezza w3 della fessura 120-1. Aggiungere la fessura 120-1 riduce la frequenza di risonanza della cavit? risonante 130-4 con la riduzione della frequenza di risonanza che aumenta all?aumentare della profondit? di fessura d3. Questa riduzione della frequenza di risonanza pu? essere compensata, tuttavia, riducendo la lunghezza l della cavit? risonante 130-4. Aumentare la larghezza w3 della fessura 120-1 pu? spingere ancora pi? in alto la frequenza centrale del modo spurio ma, man mano che la larghezza w3 e/o la profondit? d3 della fessura 120-1 diventano troppo grandi, il fattore Q del filtro 100 pu? degradarsi in modo inaccettabile. La figura 14B ? un grafico che illustra la frequenza centrale del primo modo spurio in funzione della profondit? di fessura d3, assumendo che la fessura 120-1 abbia una lunghezza l3 di 2 mm. In questo particolare esempio, aggiungere la fessura 120-1 (con una profondit? di 2 mm) pu? aumentare la frequenza centrale del primo modo spurio di circa 130 MHz. Yup ? discovered that the formation of a longitudinally extending slot 120-1 in the upper dielectric block 112-1 at the top of a cavity? resonant 130 pu? have a greater impact on the center frequency of the first spurious mode than a blind hole 118, and pu? be used to raise the center frequency of the first spurious mode by more than 100 MHz. The 120-1 slot can be a longitudinally extending slot 120-1 (i.e., the slot extends along the main transmission path of the upper metallized dielectric waveguide 110-1). Figure 14A ? a shaded perspective view of the cavity? resonant 130-4 when implemented with a slot 120-1 in its upper portion. The central frequency of the spurious mode generally increases with the increase of the width w3 and of the depth? d3 of crack. A length l3 of the slot 120-1 can? be greater than a width w3 of the slot 120-1. Does adding the 120-1 slot reduce the resonance frequency of the cavity? resonant 130-4 with the reduction of the resonance frequency that increases as the depth increases? of slit d3. This reduction of the resonant frequency pu? be compensated, however, by reducing the length of the cavity? resonant 130-4. Increase the width w3 of the slot 120-1 pu? push even more at the top, the central frequency of the spurious mode but, as the width w3 and/or the depth? d3 of the slot 120-1 become too large, the Q factor of the filter 100 pu? deteriorate unacceptably. Figure 14B ? a graph that illustrates the central frequency of the first spurious mode as a function of the depth? of slit d3, assuming that the slit 120-1 has a length l3 of 2 mm. In this particular example, adding the 120-1 slot (with a depth of 2mm) could make it easier for you to add the 120-1 slot (with a depth of 2mm). increase the center frequency of the first spurious mode by about 130 MHz.

Nel filtro 100, la fessura 120-1 ? prevista nella cavit? risonante 130-4 e la fessura 120-2 ? prevista nella cavit? risonante 130-5. Forme di realizzazione della presente invenzione, tuttavia, non sono limitate a ci?. In altre forme di realizzazione, una qualsiasi delle restanti cavit? risonanti che includono una o pi? delle cavit? risonanti da 130-1 a 130-3 e da 130-6 a 130-8 pu? includere fessure 120 simili o identiche. Le fessure 120 possono estendersi per tutta la lunghezza delle loro rispettive cavit? risonanti 130 o meno dell'intera loro lunghezza. Le fessure 120 possono estendersi o possono non estendersi fino all'estremit? distale delle loro rispettive cavit? risonanti 130. Le fessure 120 possono estendersi lungo la direzione di lunghezza l del filtro 100. In the 100 filter, the 120-1 slot? provided in the cavity? resonant 130-4 and the slot 120-2 ? provided in the cavity? resonant 130-5. Embodiments of the present invention, however, are not limited thereto. In other embodiments, any of the remaining cavities resonants that include one or more of the cavities? resonating from 130-1 to 130-3 and from 130-6 to 130-8 pu? include 120 similar or identical slots. Can the slots 120 extend the full length of their respective cavities? resonating 130 or less over their entire length. The slots 120 may or may not extend to the outer end. distal of their respective cavities? resonant cells 130. The slots 120 may extend along the length direction 1 of the filter 100.

La presenza delle fessure 120-1, 120-2 pu? ridurre significativamente la lunghezza di ciascuna delle cavit? risonanti 130-4 e 130-5, dato che la presenza delle fessure 120 cambia la frequenza di risonanza in un modo che necessita la riduzione della lunghezza di ciascuna cavit? risonante 130-4, 130-5 per ottenere la frequenza di risonanza desiderata. Pertanto, la presenza della fessura pu? ridurre la dimensione del filtro 100, riducendo in questo modo il costo e il peso dello stesso. The presence of the cracks 120-1, 120-2 pu? significantly reduce the length of each of the cavities? resonant cavities 130-4 and 130-5, since the presence of the slots 120 changes the resonant frequency in a way that necessitates the reduction of the length of each cavity? resonant 130-4, 130-5 to obtain the desired resonant frequency. Therefore, the presence of the fissure can? reduce the size of the filter 100, thereby reducing its cost and weight.

Il filtro a guida d?onda dielettrica metallizzata 100 include inoltre due accoppiamenti incrociati tra rispettive coppie di cavit? risonanti 130 che non sono adiacenti tra loro lungo il percorso di trasmissione principale. In particolare, ? previsto un accoppiamento incrociato negativo tra le cavit? risonanti 130-3 e 130-6 ed ? previsto un accoppiamento incrociato positivo tra le cavit? risonanti 130-2 e 130-7. L?accoppiamento incrociato negativo ? generato mischiando i campi elettrici per le due cavit? risonanti 130-3, 130-6 in questione. Come sopra discusso, la distribuzione di campo elettrico ? pi? intensa al centro delle cavit? risonanti 130-3, 130-6. Pertanto, un accoppiamento incrociato negativo pu? essere facilmente generato omettendo la metallizzazione al centro del fondo della cavit? risonante 130-3 e omettendo la metallizzazione al centro della sommit? della cavit? risonante 130-6. Queste regioni non metallizzate possono essere allineate verticalmente o possono essere almeno sovrapposte verticalmente (ossia, un asse verticale che si estende attraverso il filtro 100 passa attraverso le regioni non metallizzate sia nel fondo della cavit? risonante 130-3 sia nella sommit? della cavit? risonante 130-6). Qui, aperture circolari nella metallizzazione possono essere preferite per massimizzare la quantit? di accoppiamento per una apertura di una data dimensione. La figura 15A ? una vista in sezione trasversale orizzontale della cavit? risonante 130-3 presa vicino al suo fondo che illustra l?intensit? e la direzione dei campi magnetici nonch? la dimensione e la posizione di una finestra di accoppiamento incrociato circolare 150 che ? formata omettendo la metallizzazione al centro della superficie di fondo della cavit? risonante 130-3 e al centro della superficie di sommit? della cavit? risonante 130-6. The metallized dielectric waveguide filter 100 further includes two cross-fits between respective pairs of cavities. resonant sensors 130 which are not adjacent to each other along the main transmission path. Particularly, ? expected a negative cross coupling between the cavities? resonant 130-3 and 130-6 and ? expected a positive cross coupling between the cavities? resonant 130-2 and 130-7. The negative cross coupling ? generated by mixing the electric fields for the two cavities? resounding 130-3, 130-6 in question. As discussed above, the electric field distribution ? more intense in the center of the cavities? resounding 130-3, 130-6. Therefore, a negative cross match can be easily generated by omitting the metallization in the center of the bottom of the cavity? resonant 130-3 and omitting the metallization in the center of the top? of the cavity? resonant 130-6. These non-metallized regions may be vertically aligned or may be at least vertically overlapping (i.e., a vertical axis extending through the filter 100 passes through the non-metallized regions in both the bottom of the resonant cavity 130-3 and the top of the resonant cavity 130-3). resounding 130-6). Here, circular openings in the metallization may be preferred to maximize the amount of coupling for an opening of a given size. Figure 15A ? a horizontal cross-sectional view of the cavity? resonant 130-3 taken near its bottom which illustrates the? intensity? and the direction of the magnetic fields as well as? the size and position of a circular cross coupling window 150 which ? formed by omitting the metallization in the center of the bottom surface of the cavity? resonant 130-3 and in the center of the top surface? of the cavity? resonant 130-6.

Le figure 15B-15C mostrano l?impatto della dimensione della finestra di accoppiamento incrociato 150 sia sulla grandezza dell?accoppiamento incrociato negativo sia sulla frequenza centrale del primo modo spurio. Come mostrato in figura 15B, aumentare il raggio r della finestra di accoppiamento incrociato 150 da 1,1 mm a 2,6 mm fa aumentare l?accoppiamento incrociato negativo dallo 0,2% al 2,7%. Purtroppo, tuttavia, questa variazione determina una corrispondente riduzione della frequenza centrale del primo modo spurio da 5,6 GHz a 5,06 GHz o una riduzione di 540 MHz. Si evidenzia che anche con una finestra di accoppiamento incrociato 150 grande ? difficile ottenere quantit? elevate di accoppiamento incrociato negativo. Figures 15B-15C show the impact of the size of the cross-coupling window 150 on both the magnitude of the negative cross-coupling and the center frequency of the first spurious mode. As shown in FIG. 15B , increasing the radius r of the cross coupling window 150 from 1.1 mm to 2.6 mm increases the negative cross coupling from 0.2% to 2.7%. Unfortunately, however, this change results in a corresponding decrease in the first spurious mode center frequency from 5.6 GHz to 5.06 GHz or a decrease of 540 MHz. It should be noted that even with a large 150 cross-coupling window ? difficult to get quantity? high levels of negative cross-coupling.

L?accoppiamento incrociato negativo pu? essere aumentato riducendo l?altezza h delle cavit? risonanti 130-3 e 130-6 o aumentando la larghezza w delle cavit? risonanti 130-3 e 130-6. Pertanto, le riduzioni del rapporto h/w determinano un accoppiamento maggiore. La figura 16A illustra come il rapporto h/w incida sull?accoppiamento incrociato negativo. La figura 16B illustra la frequenza centrale del primo modo spurio per diversi dei valori h/w mostrati in figura 16A. In particolare, ridurre il rapporto h/w vantaggiosamente fa aumentare la grandezza dell?accoppiamento incrociato negativo e fa aumentare anche la frequenza centrale del primo modo spurio. Da un punto di vista di perdita, ? meglio in generale aumentare la larghezza w anzich? ridurre l?altezza h. Tuttavia, come discusso sopra, aumentare la larghezza w ha un impatto negativo sulla generazione di accoppiamento verticale positivo. Pertanto, vi ? un compromesso implicato nell?aumentare la larghezza w delle cavit? risonanti. The negative cross coupling pu? be increased by reducing the height h of the cavities? resonant 130-3 and 130-6 or by increasing the width w of the cavities? resonant 130-3 and 130-6. Therefore, reductions in the h/w ratio result in increased coupling. Figure 16A illustrates how the h/w ratio affects negative cross coupling. Fig. 16B illustrates the center frequency of the first spurious mode for several of the h/w values shown in Fig. 16A . In particular, reducing the h/w ratio advantageously increases the magnitude of the negative cross-coupling and also increases the center frequency of the first spurious mode. From a loss point of view, ? better in general to increase the width w instead of? reduce the height h. However, as discussed above, increasing the width w has a negative impact on the generation of positive vertical coupling. Therefore, there ? a compromise involved in increasing the width w of the cavities? resonant.

Prevedere un foro cieco 118-2 nella sommit? della cavit? risonante 130-3 e/o nel fondo della cavit? risonante 130-6 pu? aiutare ad aumentare la grandezza dell?accoppiamento incrociato negativo e/o pu? allontanare ulteriormente la frequenza centrale del primo modo spurio dalla banda passante. Le figure 17A e 17B mostrano questi rispettivi effetti per il filtro 100 in cui l?altezza h di ciascuna delle cavit? risonanti 130-3, 130-6 ? uguale a 0,45 volte la larghezza w delle rispettive cavit? risonanti 130-3, 130-6 (che sono cavit? identiche in questa forma di realizzazione). Come mostrato nelle figure 17A e 17B, man mano che la profondit? dei fori ciechi 118-2 aumenta, aumenta l?accoppiamento incrociato negativo e analogamente aumenta la frequenza centrale del primo modo spurio. La lunghezza l delle cavit? risonanti 130-3, 130-6 deve essere ridotta per compensare l?effetto di caricamento dei fori ciechi 118-2. Inoltre, anche il fattore Q del filtro 100 ? ridotto dalla presenza del foro cieco 118-2, e la riduzione del fattore Q aumenta all?aumentare delle profondit? per i fori ciechi 118-2. Pertanto, i fori ciechi 118-2 possono essere previsti per generare sufficiente accoppiamento incrociato negativo, ma pu? essere necessario limitare le profondit? dei fori ciechi 118-2 per mantenere un fattore Q richiesto minimo per il filtro 100. Provide a blind hole 118-2 in the top? of the cavity? resonant 130-3 and/or in the bottom of the cavity? resonant 130-6 pu? help to increase the size of the negative cross coupling and/or pu? further move the center frequency of the first spurious mode away from the passband. Figures 17A and 17B show these respective effects for the filter 100 in which the height h of each of the cavities resonant 130-3, 130-6 ? equal to 0.45 times the width w of the respective cavities? resonators 130-3, 130-6 (which are identical cavities in this embodiment). As shown in figures 17A and 17B, as the depth? of the blind holes 118-2 increases, increases the negative cross coupling and similarly increases the center frequency of the first spurious mode. The length l of the cavities? resonators 130-3, 130-6 must be reduced to compensate for the loading effect of the blind holes 118-2. Furthermore, the Q factor of the 100 filter is also ? reduced by the presence of the blind hole 118-2, and the reduction of the Q factor increases with increasing depth? for blind holes 118-2. Therefore, the blind holes 118-2 can be expected to generate sufficient negative cross-fit, but can? be necessary to limit the depth? of blind holes 118-2 to maintain a minimum required Q factor for filter 100.

Sono stati progettati due filtri a guida d?onda dielettrica metallizzata per studiare il compromesso tra la perdita di inserzione e l?allontanamento della frequenza del primo modo spurio dalla banda passante. La prima progettazione ? una guida d?onda rettangolare e la progettazione si concentra sul ridurre al minimo la perdita di inserzione. La seconda progettazione ? una guida d?onda a singolo risalto e si concentra sul fornire una reiezione fuori banda superiore. Two metallized dielectric waveguide filters were designed to study the trade-off between insertion loss and drift of the first spurious mode frequency from the passband. The first design? a rectangular waveguide and the design focuses on minimizing insertion loss. The second design? a single bump waveguide and focuses on providing superior out-of-band rejection.

La figura 18 ? una vista in prospettiva del filtro secondo la prima progettazione. Le dimensioni del filtro sono 44,65 mm x 12,6 mm x 10,73 mm (senza connettori di ingresso e di uscita 102). Il volume totale (senza connettori) ? di 6,04 mL. La figura 19A ? un grafico della perdita di ritorno simulata per la prima progettazione di filtro. Come mostrato in figura 19A, la perdita di ritorno ? maggiore di -18 dB per tutta l?intera banda passante di 3,4-3,8 GHz, con almeno 4 MHz di margine su ciascun lato della banda passante. La figura 19B ? un grafico della perdita di inserzione simulata per la prima progettazione di filtro. Come mostrato, la perdita di inserzione ? minore di 1 dB su tutta la banda passante di 3,4-3,8 GHz. La figura 19C ? un grafico della perdita di inserzione per un intervallo di frequenza maggiore che mostra le prestazioni di reiezione fuori banda simulate della prima progettazione di filtro. Come mostrato, la reiezione fuori banda ? di almeno 35 dB a tutte le frequenze tra la banda passante e 5 GHz. Un filtro passa basso aggiuntivo pu? essere usato per ottenere i 50 dB aggiuntivi in reiezione necessari in questo intervallo di frequenza. Figure 18 ? a perspective view of the filter according to the first design. Filter dimensions are 44.65mm x 12.6mm x 10.73mm (without 102 input and output connectors). The total volume (without connectors) ? of 6.04 mL. Figure 19A ? a graph of the simulated return loss for the first filter design. As shown in FIG. 19A, the return loss ? greater than -18 dB throughout the entire 3.4-3.8 GHz passband, with at least 4 MHz headroom on each side of the passband. Figure 19B ? a graph of simulated insertion loss for the first filter design. As shown, the insertion loss ? less than 1 dB across the entire 3.4-3.8 GHz bandwidth. Figure 19C ? an insertion loss graph for a higher frequency range showing the simulated out-of-band rejection performance of the first filter design. As shown, the out-of-band rejection ? of at least 35 dB at all frequencies between the passband and 5 GHz. An additional low pass filter can? be used to obtain the additional 50dB of rejection needed in this frequency range.

La figura 20 ? una vista in prospettiva del filtro secondo la seconda progettazione. Questo filtro pu? essere il filtro 100 delle figure 5A-5C. Le dimensioni del filtro sono 37,62 mm x 13,0 mm x 11,73 mm (senza connettori). Il volume totale (senza connettori) ? di 5,74 mL. La figura 21A ? un grafico della perdita di ritorno simulata per la prima progettazione di filtro. Come mostrato in figura 21A, la perdita di ritorno ? maggiore di -20 dB per tutta l?intera banda passante di 3,4-3,8 GHz, con almeno 4 MHz di margine su ciascun lato della banda passante. Ci? rappresenta prestazioni di perdita di ritorno eccellenti. La figura 21B ? un grafico della perdita di inserzione simulata per la prima progettazione di filtro. Come mostrato, la perdita di inserzione ? inferiore a 1 dB per tutta la banda passante di 3,4-3,8 GHz. La figura 21C ? un grafico della perdita di inserzione per un intervallo di frequenza maggiore che mostra le prestazioni di reiezione fuori banda simulate della prima progettazione di filtro. Come mostrato, la reiezione fuori banda ? di almeno 66 dB a tutte le frequenze tra la banda passante e 5 GHz. Un filtro passa basso aggiuntivo pu? essere usato per ottenere i 20 dB aggiuntivi in reiezione necessari in questo intervallo di frequenza, e per fornire il livello necessario di reiezione a frequenze superiori a 5 GHz. Pertanto, il filtro a guida d?onda dielettrica metallizzata pu? presentare una perdita di ritorno inferiore a 15 dB per tutta una banda di 3,4-3,8 GHz e presenta una reiezione fuori banda di almeno 50 dB nella banda di 4,4-5,0 GHz. Figure 20 ? a perspective view of the filter according to the second design. This filter can be the filter 100 of FIGS. 5A-5C. Filter dimensions are 37.62mm x 13.0mm x 11.73mm (without connectors). The total volume (without connectors) ? of 5.74 mL. Figure 21A ? a graph of the simulated return loss for the first filter design. As shown in figure 21A, the return loss ? greater than -20 dB throughout the entire 3.4-3.8 GHz passband, with at least 4 MHz headroom on each side of the passband. There? represents excellent return loss performance. Figure 21B ? a graph of simulated insertion loss for the first filter design. As shown, the insertion loss ? less than 1 dB throughout the 3.4-3.8 GHz bandwidth. Figure 21C ? an insertion loss graph for a higher frequency range showing the simulated out-of-band rejection performance of the first filter design. As shown, the out-of-band rejection ? of at least 66 dB at all frequencies between the passband and 5 GHz. An additional low pass filter can? be used to obtain the additional 20dB of rejection needed in this frequency range, and to provide the necessary level of rejection at frequencies above 5GHz. have less than 15 dB return loss throughout a 3.4-3.8 GHz band and have at least 50 dB out-of-band rejection in the 4.4-5.0 GHz band.

I filtri secondo forme di realizzazione della presente invenzione possono per esempio essere adatti per l?uso in antenne adattive duplex a divisione di tempo che funzionano nell?intervallo di frequenza di 2,3-6 GHz. Filters according to embodiments of the present invention may for example be suitable for use in time division duplex adaptive antennas operating in the frequency range of 2.3-6 GHz.

Sono state descritte sopra forme di realizzazione della presente invenzione facendo riferimento ai disegni allegati, in cui sono mostrate forme di realizzazione dell?invenzione. Queste invenzione pu? essere tuttavia realizzata in molte forme diverse e non dovrebbe essere interpretata come limitata alle forme di realizzazione qui esposte. Piuttosto, queste forme di realizzazione sono fornite in modo che questa descrizione sia approfondita e completa e trasmetta pienamente la portata dell?invenzione agli esperti nella tecnica. Numeri simili fanno riferimento a elementi simili in tutto il testo. Embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, in which embodiments of the invention are shown. These invention can? however, be made in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure is thorough and complete and fully conveys the scope of the invention to those skilled in the art. Like numerals refer to like elements throughout the text.

Si comprender? che, anche se i termini primo, secondo, ecc. possono essere usati qui per descrivere vari elementi, questi elementi non dovrebbero essere limitati da questi termini. Questi termini sono usati soltanto per distinguere un elemento da un altro. Per esempio, un primo elemento potrebbe essere denominato secondo elemento e, analogamente, un secondo elemento potrebbe essere denominato primo elemento, senza allontanarsi dalla portata della presente invenzione. Come usato qui, il termine ?e/o? include uno qualsiasi e tutte le combinazioni di uno o pi? degli elementi elencati associati. Will you understand? which, even if the terms first, second, etc. may be used here to describe various items, these items should not be limited by these terms. These terms are used only to distinguish one item from another. For example, a first element could be referred to as a second element and similarly a second element could be referred to as a first element, without departing from the scope of the present invention. As used herein, the term ?and/or? includes any and all combinations of one or more? of the associated listed items.

Si comprender? che quando viene indicato che un elemento ? ?su? un altro elemento, esso pu? essere direttamente sull?altro elemento oppure possono essere presenti anche elementi intermedi. Per contrasto, quando viene indicato che un elemento ? ?direttamente su? un altro elemento, non vi sono elementi intermedi presenti. Si comprender? inoltre che quando viene indicato che un elemento ? ?collegato? o ?accoppiato? ad un altro elemento, esso pu? essere direttamente collegato o accoppiato all?altro elemento oppure possono essere presenti elementi intermedi. Per contrasto, quando viene indicato che un elemento ? ?direttamente collegato? o ?direttamente accoppiato? ad un altro elemento, non vi sono elementi intermedi presenti. Altri termini usati per descrivere la relazione tra elementi dovrebbero essere interpretati in modo analogo (ossia ?tra? rispetto a ?direttamente tra?, ?adiacente? rispetto a ?direttamente adiacente?, ecc.). Will you understand? that when it is indicated that an element ? ?on? another element, it pu? be directly on the other element or there may also be intermediate elements. By contrast, when is it indicated that an element is ? ?directly on? another element, there are no intermediate elements present. Will you understand? moreover that when it is indicated that an element ? ?connected? or ?coupled? to another element, it pu? be directly connected or coupled to the other element or there may be intermediate elements. By contrast, when is it indicated that an element is ? ?directly connected? or ?directly coupled? to another element, there are no intermediate elements present. Other terms used to describe the relationship between elements should be interpreted similarly (ie ?between? versus ?directly between?, ?adjacent? versus ?directly adjacent?, etc.).

Termini relativi quali ?sotto? o ?sopra? o ?superiore? o ?inferiore? o ?orizzontale? o ?verticale? possono essere usati qui per descrivere una relazione di un elemento, uno strato o una regione rispetto ad un altro elemento, un altro strato o un?altra regione come illustrato nelle figure. Si comprender? che questi termini sono destinati a comprendere orientamenti diversi del dispositivo oltre all?orientamento rappresentato nelle figure. Related terms such as ?below? or ?above? or ?upper? or ?inferior? or ?horizontal? or ?vertical? may be used herein to describe a relationship of one element, layer or region to another element, layer or region as illustrated in the figures. Will you understand? that these terms are intended to include different orientations of the device in addition to the orientation shown in the figures.

La terminologia qui usata ha soltanto lo scopo di descrivere particolari forme di realizzazione e non intende essere limitativa dell?invenzione. Come qui usate, le forme al singolare ?un?, ?uno?, ?una? e ?il?, ?lo?, ?la? intendono includere anche le forme al plurale, a meno che il contesto non indichi chiaramente il contrario. Si comprender? inoltre che i termini ?comprende? ?comprendente?, ?include? e/o ?includente?, quando usati qui, specificano la presenza di caratteristiche, operazioni, elementi e/o componenti indicati ma non escludono la presenza o l?aggiunta di uno o pi? ulteriori caratteristiche, operazioni, elementi, componenti e/o gruppi degli stessi. The terminology used herein is only intended to describe particular embodiments and is not intended to be limiting of the invention. As used here, the singular forms ?un?, ?uno?, ?una? and ?the?, ?the?, ?the? intend to include plural forms as well, unless the context clearly indicates otherwise. Will you understand? moreover that the terms ?includes? ?comprising?, ?includes? and/or ?including?, when used herein, specify the presence of the indicated characteristics, operations, elements and/or components but do not exclude the presence or addition of one or more? further characteristics, operations, elements, components and/or assemblies thereof.

Aspetti ed elementi di tutte le forme di realizzazione sopra descritte possono essere combinati in qualsiasi modo e/o combinazione con aspetti o elementi di altre forme di realizzazione per fornire una pluralit? di forme di realizzazione aggiuntive. Aspects and elements of all of the embodiments described above may be combined in any way and/or combination with aspects or elements of other embodiments to provide a plurality of functions. of additional embodiments.

Claims (11)

RIVENDICAZIONI 1. Filtro a guida d?onda dielettrica metallizzata, comprendente:1. Metallized dielectric waveguide filter, comprising: una guida d?onda dielettrica metallizzata superiore avente una pluralit? di cavit? risonanti superiori, la guida d?onda dielettrica metallizzata superiore comprendendo un blocco dielettrico superiore avente pareti esterne metallizzate;a superior metallized dielectric waveguide having a plurality? of cavities? upper resonant elements, the upper metallized dielectric waveguide comprising an upper dielectric block having metallized outer walls; una guida d?onda dielettrica metallizzata inferiore avente una pluralit? di cavit? risonanti inferiori, la guida d?onda dielettrica metallizzata inferiore comprendendo un blocco dielettrico inferiore avente pareti esterne metallizzate,a lower metallized dielectric waveguide having a plurality? of cavities? resonant resonators, the lower metallized dielectric waveguide comprising a lower dielectric block having metallized outer walls, in cui una prima delle cavit? risonanti superiori ? collegata operativamente ad una prima delle cavit? risonanti inferiori attraverso almeno una finestra di accoppiamento, ein which a first of the cavities? higher resonants ? operatively connected to a first of the cavities? lower resonants through at least one coupling window, e in cui una prima fessura avente pareti metallizzate ? prevista in una porzione del blocco dielettrico superiore che fa parte della prima delle cavit? risonanti superiori.wherein a first crack having metallized walls ? provided in a portion of the upper dielectric block which is part of the first of the cavities? higher resonants. 2. Filtro a guida d?onda dielettrica metallizzata secondo la rivendicazione 1, in cui la prima fessura si estende:The metallized dielectric waveguide filter according to claim 1, wherein the first slit extends: ? fino a una estremit? distale della prima delle cavit? risonanti superiori; oppure? up to one end? distal of the first of the cavities? higher resonants; or ? longitudinalmente lungo un asse longitudinale della guida d?onda dielettrica metallizzata superiore.? longitudinally along a longitudinal axis of the upper metallized dielectric waveguide. 3. Filtro a guida d?onda dielettrica metallizzata secondo la rivendicazione 1, in cui la guida d?onda dielettrica metallizzata superiore ? montata sulla guida d?onda dielettrica metallizzata inferiore per formare un filtro piegato avente un percorso di trasmissione principale generalmente a forma di U, e in cui il filtro a guida d?onda dielettrica metallizzata include un primo accoppiamento incrociato tra una seconda delle cavit? risonanti superiori ed una seconda delle cavit? risonanti inferiori; comprendente inoltre preferibilmente una finestra di accoppiamento incrociato che comprende una porzione non metallizzata di una superficie di fondo della seconda delle cavit? risonanti superiori ed una porzione non metallizzata di una superficie di sommit? della seconda delle cavit? risonanti inferiori che si sovrappone almeno parzialmente alla porzione non metallizzata della superficie di fondo della seconda delle cavit? risonanti superiori; pi? preferibilmente il filtro a guida d?onda dielettrica metallizzata include un secondo accoppiamento incrociato tra una terza delle cavit? risonanti superiori ed una terza delle cavit? risonanti inferiori, in cui il secondo accoppiamento incrociato passa attraverso la finestra di accoppiamento incrociato, in modo massimamente preferibileThe metallized dielectric waveguide filter according to claim 1, wherein the upper metallized dielectric waveguide is? mounted on the lower metallized dielectric waveguide to form a pleated filter having a generally U-shaped main transmission path, and wherein the metallized dielectric waveguide filter includes a first cross coupling between a second of the cavities; upper resonants and a second of the cavities? lower resonants; further preferably comprising a cross coupling window comprising a non-metallized portion of a bottom surface of the second of the recesses? upper resonant and a non-metallized portion of a top surface? of the second of the cavities? lower resonant that at least partially overlaps the non-metallized portion of the bottom surface of the second of the cavities? higher resonants; more Preferably does the metallized dielectric waveguide filter include a second cross-fit between a third of the cavities? upper resonants and a third of the cavities? lower resonant, where the second cross-coupling passes through the cross-coupling window, most preferably ? il primo accoppiamento incrociato ha un segno negativo e il secondo accoppiamento incrociato ha un segno positivo; oppure? the first cross mate has a negative sign and the second cross mate has a positive sign; or ? la finestra di accoppiamento incrociato ? collocata al centro di una regione in cui la superficie di fondo della seconda delle cavit? risonanti superiori ? in battuta sulla superficie di sommit? della seconda delle cavit? risonanti inferiori.? the cross-coupling window ? located in the center of a region in which the bottom surface of the second of the cavities? higher resonants ? abutting on the top surface? of the second of the cavities? lower resonants. 4. Filtro a guida d?onda dielettrica metallizzata secondo la rivendicazione 1, in cui la guida d?onda dielettrica metallizzata superiore ? montata sulla guida d?onda dielettrica metallizzata inferiore per formare un filtro piegato avente un percorso di trasmissione principale generalmente a forma di U, e in cui il filtro a guida d?onda dielettrica metallizzata include un primo accoppiamento incrociato tra una seconda delle cavit? risonanti superiori ed una seconda delle cavit? risonanti inferiori, ed una porzione del blocco dielettrico superiore che fa parte della seconda delle cavit? risonanti superiori include un foro avente pareti metallizzate.The metallized dielectric waveguide filter according to claim 1, wherein the upper metallized dielectric waveguide is? mounted on the lower metallized dielectric waveguide to form a pleated filter having a generally U-shaped main transmission path, and wherein the metallized dielectric waveguide filter includes a first cross coupling between a second of the cavities; upper resonants and a second of the cavities? lower resonant, and a portion of the upper dielectric block which is part of the second of the cavities? higher resonators includes a hole having metallized walls. 5. Filtro a guida d?onda dielettrica metallizzata secondo la rivendicazione 1, in cui:The metallized dielectric waveguide filter according to claim 1, wherein: il dielettrico comprende inoltre un primo orifizio di ingresso/uscita che ? collegato ad una quarta delle cavit? risonanti superiori; un secondo orifizio di ingresso/uscita che ? collegato ad una quarta delle cavit? risonanti inferiori, in cui la prima delle cavit? risonanti superiori ? la cavit? risonante della guida d?onda dielettrica metallizzata superiore che ? la pi? lontana dalla quarta delle cavit? risonanti superiori;the dielectric further comprises a first input/output orifice which ? connected to a fourth of the cavities? higher resonants; a second orifice of entry/exit that ? connected to a fourth of the cavities? lower resonant, in which the first of the cavities? higher resonants ? the cavity? resonant of the superior metallized dielectric waveguide that ? the "P? far from the fourth of the cavities? higher resonants; la finestra di accoppiamento comprende una porzione non metallizzata di una superficie di fondo della prima delle cavit? risonanti superiori ed una porzione non metallizzata di una superficie di sommit? della prima delle cavit? risonanti inferiori che si sovrappone almeno parzialmente alla porzione non metallizzata della superficie di fondo della prima delle cavit? risonanti superiori;does the mating window include a non-metallized portion of a bottom surface of the first of the cavities? upper resonant and a non-metallized portion of a top surface? of the first of the cavities? lower resonant that at least partially overlaps the non-metallized portion of the bottom surface of the first of the cavities? higher resonants; la guida d?onda dielettrica metallizzata superiore comprende inoltre vie metallizzate che si estendono attraverso il blocco dielettrico superiore per definire le cavit? risonanti superiori, e la guida d?onda dielettrica metallizzata inferiore comprende inoltre vie metallizzate che si estendono attraverso il blocco dielettrico inferiore per definire le cavit? risonanti inferiori;the upper metallized dielectric waveguide further includes metallized vias which extend through the upper dielectric block to define the cavities resonant resonators, and the lower metallized dielectric waveguide further includes metallized vias which extend through the lower dielectric block to define the cavities in the lower dielectric block. lower resonants; una seconda fessura avente pareti metallizzate ? formata in una porzione del blocco dielettrico inferiore che fa parte della prima delle cavit? risonanti inferiori;a second fissure having metallized walls ? formed in a portion of the lower dielectric block which is part of the first of the cavities? lower resonants; la guida d?onda dielettrica metallizzata superiore e la guida d?onda dielettrica metallizzata inferiore sono identiche;the upper metallized dielectric waveguide and the lower metallized dielectric waveguide are identical; l?almeno una finestra di accoppiamento comprende una prima finestra di accoppiamento che si estende generalmente trasversalmente su una interfaccia tra la prima delle cavit? risonanti superiori e la prima delle cavit? risonanti inferiori, e una seconda e una terza finestra di accoppiamento che si estendono generalmente longitudinalmente in corrispondenza di o vicino a bordi laterali opposti dell?interfaccia tra la prima delle cavit? risonanti superiori e la prima delle cavit? risonanti inferiori;the at least one coupling window comprises a first coupling window which extends generally transversely over an interface between the first of the cavities? upper resonants and the first of the cavities? lower resonant cavities, and second and third coupling windows extending generally longitudinally at or near opposite lateral edges of the interface between the first and lower resonant cavities. upper resonants and the first of the cavities? lower resonants; l?almeno una finestra di accoppiamento comprende una prima finestra di accoppiamento che si estende generalmente trasversalmente su una superficie di fondo della prima delle cavit? risonanti superiori in corrispondenza di o vicino a una estremit? distale della prima delle cavit? risonanti superiori;the at least one coupling window comprises a first coupling window which extends generally transversely on a bottom surface of the first of the cavities? higher resonants at or near one end? distal of the first of the cavities? higher resonants; il filtro a guida d?onda dielettrica metallizzata presenta una perdita di ritorno inferiore a 15 dB su tutta una banda di 3,4-3,8 GHz e presenta una reiezione fuori banda di almeno 50 dB nella banda di 4,4-5,0 GHz; il filtro a guida d?onda dielettrica metallizzata ? configurato in modo che i segnali di radiofrequenza (RF) si propaghino attraverso il filtro a guida d?onda dielettrica metallizzata nel modo TE1,0,1; oppurethe metallized dielectric waveguide filter has less than 15 dB return loss throughout the 3.4-3.8 GHz band and has at least 50 dB out-of-band rejection in the 4.4-5 band, 0GHz; the metallized dielectric waveguide filter? configured so that radio frequency (RF) signals propagate through the metallized dielectric waveguide filter in TE1,0,1 mode; or un rapporto tra un'altezza della guida d?onda dielettrica metallizzata superiore ed una larghezza della guida d?onda dielettrica metallizzata superiore ? tra 0,42 e 0,48.a ratio between a height of the upper metallized dielectric waveguide and a width of the upper metallized dielectric waveguide ? between 0.42 and 0.48. 6. Filtro a guida d?onda dielettrica metallizzata, comprendente:6. Metallized dielectric waveguide filter, comprising: una guida d?onda dielettrica metallizzata superiore avente una prima cavit? risonante superiore, un?ultima cavit? risonante superiore ed almeno una cavit? risonante superiore intermedia che ? posizionata tra la prima cavit? risonante superiore e l?ultima cavit? risonante superiore, la guida d?onda dielettrica metallizzata superiore comprendendo un blocco dielettrico superiore avente pareti esterne metallizzate;a superior metallized dielectric waveguide having a first cavity? superior resonant, a? last cavity? superior resonant and at least one cavity? upper intermediate resonant that ? positioned between the first cavity? upper resonant and the last cavity? upper resonant, the upper metallized dielectric waveguide comprising an upper dielectric block having metallized outer walls; una guida d?onda dielettrica metallizzata inferiore avente una prima cavit? risonante inferiore, un?ultima cavit? risonante inferiore, ed almeno una cavit? risonante inferiore intermedia che ? posizionata tra la prima cavit? risonante inferiore e l?ultima cavit? risonante inferiore, la guida d?onda dielettrica metallizzata inferiore comprendendo un blocco dielettrico inferiore avente pareti esterne metallizzate,a lower metallized dielectric waveguide having a first cavity? lower resonant, a? last cavity? lower resonant, and at least one cavity? lower intermediate resonant that ? positioned between the first cavity? lower resonant and the last cavity? bottom resonant, the bottom metallized dielectric waveguide comprising a bottom dielectric block having metallized outer walls, in cui l?ultima cavit? risonante superiore ? collegata operativamente alla prima cavit? risonante inferiore attraverso una prima finestra di accoppiamento, una seconda finestra di accoppiamento ed una terza finestra di accoppiamento.in which the last cavity? superior resonant ? operationally connected to the first cavity? lower resonant through a first coupling window, a second coupling window and a third coupling window. 7. Filtro a guida d?onda dielettrica metallizzata secondo la rivendicazione 6, in cui ciascuna delle finestre di accoppiamento dalla prima alla terza comprende una rispettiva porzione non metallizzata di una superficie di fondo dell?ultima cavit? risonante superiore ed una rispettiva porzione non metallizzata di una superficie di sommit? dell?ultima cavit? risonante inferiore che si sovrappone almeno parzialmente alla rispettiva porzione non metallizzata della superficie di fondo dell?ultima cavit? risonante superiore.The metallized dielectric waveguide filter according to claim 6, wherein each of the first to third coupling windows comprises a respective non-metallized portion of a bottom surface of the last cavity. upper resonant and a respective non-metallized portion of a top surface? of? the last cavity? lower resonant which at least partially overlaps the respective non-metallized portion of the bottom surface of the last cavity? superior resonant. 8. Filtro a guida d?onda dielettrica metallizzata secondo la rivendicazione 6, in cui The metallized dielectric waveguide filter according to claim 6, wherein la prima finestra di accoppiamento si estende generalmente trasversalmente attraverso una interfaccia tra l?ultima cavit? risonante superiore e l?ultima cavit? risonante inferiore, e la seconda e la terza finestra di accoppiamento si estendono generalmente longitudinalmente in corrispondenza di o vicino ai bordi laterali opposti di una interfaccia tra l?ultima cavit? risonante superiore e l?ultima cavit? risonante inferiore; preferibilmentethe first coupling window generally extends transversely through an interface between the last cavity? upper resonant and the last cavity? resonant cavity, and the second and third coupling windows extend generally longitudinally at or near opposite lateral edges of an interface between the last cavity and the lower resonant cavity. upper resonant and the last cavity? lower resonant; preferably la prima finestra di accoppiamento si estende generalmente trasversalmente su una superficie di fondo dell?ultima cavit? risonante superiore in corrispondenza di o vicino a una estremit? distale dell?ultima cavit? risonante superiore; oppurethe first coupling window generally extends transversely on a bottom surface of the last cavity? upper resonant at or near one end? distal of the last cavity? upper resonant; or la prima finestra di accoppiamento non si sovrappone n? alla seconda finestra di accoppiamento n? alla terza finestra di accoppiamento lungo un qualunque asse che si estende parallelo ad un asse longitudinale del filtro a guida d?onda dielettrica metallizzata.first mate window doesn't overlap n? to the second mating window n? to the third coupling window along any axis extending parallel to a longitudinal axis of the metallized dielectric waveguide filter. 9. Filtro a guida d?onda dielettrica metallizzata secondo la rivendicazione 6, in cui il filtro a guida d?onda dielettrica metallizzata comprende inoltre una prima fessura avente pareti metallizzate in una porzione del blocco dielettrico superiore che fa parte dell?ultima cavit? risonante superiore; preferibilmenteThe metallized dielectric waveguide filter according to claim 6, wherein the metallized dielectric waveguide filter further comprises a first slot having metallized walls in a portion of the upper dielectric block forming part of the last cavity. upper resonant; preferably la prima fessura si estende fino a una estremit? distale dell?ultima cavit? risonante superiore; pi? preferibilmentethe first crack extends to one end? distal of the last cavity? upper resonant; more preferably la prima fessura si estende longitudinalmente lungo un asse longitudinale della guida d?onda dielettrica metallizzata superiore; in modo massimamente preferibilethe first slit extends longitudinally along a longitudinal axis of the upper metallized dielectric waveguide; most preferably una seconda fessura avente pareti metallizzate ? formata in una porzione del blocco dielettrico inferiore che fa parte dell?ultima cavit? risonante inferiore.a second fissure having metallized walls ? formed in a portion of the lower dielectric block which is part of the last cavity? lower resonant. 10. Filtro a guida d?onda dielettrica metallizzata secondo la rivendicazione 6, in cui la guida d?onda dielettrica metallizzata superiore ? montata sulla guida d?onda dielettrica metallizzata inferiore per formare un filtro piegato avente un percorso di trasmissione principale generalmente a forma di U, e in cui il filtro a guida d?onda dielettrica metallizzata include un primo accoppiamento incrociato tra una prima delle cavit? risonanti superiori intermedie ed una prima delle cavit? risonanti inferiori intermedie; preferibilmenteThe metallized dielectric waveguide filter according to claim 6, wherein the upper metallized dielectric waveguide is? mounted on the lower metallized dielectric waveguide to form a folded filter having a generally U-shaped main transmission path, and wherein the metallized dielectric waveguide filter includes a first cross coupling between a first of the cavities; intermediate upper resonants and a first of the cavities? intermediate lower resonants; preferably comprendente inoltre una finestra di accoppiamento incrociato che comprende una porzione non metallizzata di una superficie di fondo della prima delle cavit? risonanti superiori intermedie ed una porzione non metallizzata di una superficie di sommit? della prima delle cavit? risonanti inferiori intermedie che si sovrappone almeno parzialmente alla porzione non metallizzata della superficie di fondo della prima delle cavit? risonanti superiori intermedie; pi? preferibilmentefurther comprising a cross coupling window comprising a non-metallized portion of a bottom surface of the first of the cavities? intermediate upper resonant and a non-metallized portion of a top surface? of the first of the cavities? lower intermediate resonant which at least partially overlaps the non-metallized portion of the bottom surface of the first of the cavities? intermediate upper resonants; more preferably la finestra di accoppiamento incrociato ? collocata al centro della superficie di fondo della prima delle cavit? risonanti superiori intermedie in battuta sulla superficie di sommit? della prima delle cavit? risonanti inferiori intermedie.the cross-coupling window ? located in the center of the bottom surface of the first of the cavities? intermediate upper resonant abutting on the surface of the top? of the first of the cavities? intermediate lower resonants. 11. Filtro a guida d?onda dielettrica metallizzata secondo la rivendicazione 6, in cuiThe metallized dielectric waveguide filter according to claim 6, wherein una porzione del blocco dielettrico superiore che fa parte della prima delle cavit? risonanti superiori intermedie include un foro avente pareti metallizzate;a portion of the upper dielectric block which is part of the first of the cavities? intermediate upper resonant includes a bore having metallized walls; il filtro a guida d?onda dielettrica metallizzata comprende inoltre un primo orifizio di ingresso/uscita che ? collegato alla prima cavit? risonante superiore; ed un secondo orifizio di ingresso/uscita che ? collegato alla prima cavit? risonante inferiore;the metallized dielectric waveguide filter further comprises a first inlet/outlet orifice which ? connected to the first cavity? upper resonant; and a second orifice of entry/exit that ? connected to the first cavity? lower resonant; la guida d?onda dielettrica metallizzata superiore comprende inoltre vie metallizzate che si estendono attraverso il blocco dielettrico superiore per definire la prima cavit? risonante superiore, l?ultima cavit? risonante superiore, e l?almeno una cavit? risonante superiore intermedia, e la guida d?onda dielettrica metallizzata inferiore comprende inoltre vie metallizzate che si estendono attraverso il blocco dielettrico inferiore per definire la prima cavit? risonante inferiore, l?ultima cavit? risonante inferiore, e l?almeno una cavit? risonante inferiore intermedia;The upper metallized dielectric waveguide further includes metallized vias which extend through the upper dielectric block to define the first cavity. superior resonant, the last cavity? resonant superior, and l?at least one cavity? intermediate upper resonant cavity, and the lower metallized dielectric waveguide further includes metallized vias which extend through the lower dielectric block to define the first cavity. lower resonant, the last cavity? lower resonant, and the? At least one cavity? lower intermediate resonant; la guida d?onda dielettrica metallizzata superiore e la guida d?onda dielettrica metallizzata inferiore sono identiche;the upper metallized dielectric waveguide and the lower metallized dielectric waveguide are identical; il filtro a guida d?onda dielettrica metallizzata presenta una perdita di ritorno inferiore a 15 dB su tutta una banda di 3,4-3,8 GHz e presenta una reiezione fuori banda di almeno 50 dB nella banda di 4,4-5,0 GHz; il filtro a guida d?onda dielettrica metallizzata ? configurato in modo che i segnali in radiofrequenza (RF) si propaghino attraverso il filtro a guida d?onda dielettrica metallizzata nel modo TE1,0,1;the metallized dielectric waveguide filter has less than 15 dB return loss throughout the 3.4-3.8 GHz band and has at least 50 dB out-of-band rejection in the 4.4-5 band, 0GHz; the metallized dielectric waveguide filter? configured so that radio frequency (RF) signals propagate through the metallized dielectric waveguide filter in TE1,0,1 mode; un rapporto tra un?altezza della guida d?onda dielettrica metallizzata superiore ed una larghezza della guida d?onda dielettrica metallizzata superiore ? tra 0,42 e 0,48. a ratio between a height of the upper metallized dielectric waveguide and a width of the upper metallized dielectric waveguide ? between 0.42 and 0.48.
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