IT201800005719A1

IT201800005719A1 - DEVICE AND METHOD FOR STORING TWO LOGICAL STATES

Info

Publication number: IT201800005719A1
Application number: IT102018000005719A
Authority: IT
Priority date: 2018-05-25
Filing date: 2018-05-25
Publication date: 2019-11-25

Description

Domanda di Brevetto per Invenzione Industriale dal titolo: Patent Application for Industrial Invention entitled:

“DISPOSITIVO E METODO PER MEMORIZZARE DUE STATI LOGICI” "DEVICE AND METHOD FOR STORING TWO LOGIC STATES"

DESCRIZIONE DESCRIPTION

Campo di applicazione Field of application

La presente invenzione è generalmente applicabile al settore tecnico dei dispositivi per memorizzare due stati logici. In particolare, l’invenzione ha per oggetto un dispositivo di memoria per la memorizzazione di due stati logici, nonché un metodo per ottenere la memorizzazione di due stati logici. The present invention is generally applicable to the technical sector of devices for memorizing two logic states. In particular, the invention relates to a memory device for storing two logic states, as well as a method for obtaining the storage of two logic states.

Si premette che, nella presente domanda, il termine "stato logico" indica un qualsiasi stato tra due stati possibili, che possono venire associati rispettivamente ai valori booleani "vero" e "falso, oppure ai numeri binari 1 e 0, mentre il termine "memorizzazione" indica la preservazione nel tempo di uno stato logico di un dispositivo. It should be noted that, in the present application, the term "logical state" indicates any state between two possible states, which can be associated respectively with the Boolean values "true" and "false, or with the binary numbers 1 and 0, while the term" memorization "indicates the preservation over time of a logical state of a device.

Stato della Tecnica State of the art

Com’è noto, nella tecnologia informatica le informazioni vengono rappresentate come successioni di stati logici e, pertanto, tale tecnologia fa uso esteso di dispositivi di memoria azionabili elettricamente in grado di memorizzare due stati logici. As is known, in information technology information is represented as sequences of logical states and, therefore, this technology makes extensive use of electrically operated memory devices capable of memorizing two logic states.

I suddetti dispositivi di memoria possono venire classificati in memorie volatili e memorie non volatili, a seconda che richiedano, o non richiedano, un'alimentazione elettrica costante per il mantenimento del loro stato di memorizzazione. The aforesaid memory devices can be classified into volatile memories and non-volatile memories, according to whether they require, or do not require, a constant power supply to maintain their storage state.

Tra le memorie volatili è ben nota la memoria temporanea di tipo DRAM (Dynamic Random-Access Memory), che impiega quali elementi di memorizzazione una molteplicità di condensatori realizzati su un circuito integrato in materiale semiconduttore. Il principale vantaggio delle memorie volatili del tipo appena citato sta in un rapporto favorevole tra la velocità di accesso ai dati ed il loro costo. D'altra parte, le memorie volatili presentano come principale inconveniente il consumo elettrico relativamente elevato, derivante dalla necessità di un'alimentazione elettrica costante per il mantenimento dello stato di memorizzazione, che le rende poco adatte all'uso in dispositivi alimentati a batteria quali telefoni cellulari, tablet, computer portatili e simili. Among the volatile memories, the temporary memory of the DRAM type (Dynamic Random-Access Memory) is well known, which uses as storage elements a plurality of capacitors made on an integrated circuit in semiconductor material. The main advantage of volatile memories of the type just mentioned lies in a favorable relationship between the speed of access to the data and their cost. On the other hand, volatile memories have as their main drawback the relatively high power consumption, deriving from the need for a constant power supply to maintain the storage state, which makes them unsuitable for use in battery-powered devices such as telephones. mobile phones, tablets, laptops and the like.

Nella categoria delle memorie non volatili rientrano le memorie ad accesso meccanico, come ad esempio i dischi fissi (hard-disk). Queste memorie presentano come principale inconveniente la ridotta velocità di accesso ai dati, che è una conseguenza dell'uso di dispositivi meccanici di accesso. Tale inconveniente viene superato dalle memorie ad accesso elettrico, tra cui memorie flash, FRAM (Ferroelectric RAM), EEPROM, NAND e numerose altre, tipicamente basate sull'impiego di semiconduttori. Peraltro, queste ultime memorie presentano come inconveniente un costo sostanzialmente più elevato rispetto alle memorie volatili ed a quelle non volatili ad accesso meccanico di pari capacità, oltre ad avere prestazioni generalmente inferiori rispetto alle memorie volatili. Ulteriore inconveniente delle suddette memorie è di consentire un numero limitato di scritture. The category of non-volatile memories includes memories with mechanical access, such as hard disks. The main drawback of these memories is the reduced data access speed, which is a consequence of the use of mechanical access devices. This drawback is overcome by electrical access memories, including flash memories, FRAM (Ferroelectric RAM), EEPROM, NAND and numerous others, typically based on the use of semiconductors. Moreover, the latter memories have as a drawback a substantially higher cost than volatile memories and non-volatile memories with mechanical access of the same capacity, as well as having generally lower performance than volatile memories. A further drawback of the aforesaid memories is that they allow a limited number of writings.

Peraltro, la tecnologia informatica è alla continua ricerca di soluzioni sempre più efficaci per la memorizzazione delle informazioni. La presente invenzione intende fornire un contributo a tale ricerca. Moreover, information technology is constantly looking for increasingly effective solutions for storing information. The present invention intends to make a contribution to such research.

Presentazione dell’invenzione Presentation of the invention

La presente invenzione si prefigge di fornire un sistema innovativo per memorizzare due stati logici. The present invention aims to provide an innovative system for storing two logic states.

In particolare, è scopo dell’invenzione fornire un dispositivo di memoria ad accesso elettrico in grado di memorizzare due stati logici, il quale coniughi i vantaggi dei dispositivi di memoria volatili e di quelli non volatili di tipo noto. In particular, it is the object of the invention to provide an electrical access memory device capable of storing two logic states, which combines the advantages of volatile and non-volatile memory devices of known type.

Ancor più particolarmente, è scopo dell'invenzione che il dispositivo di memoria sia in grado di memorizzare lo stato logico in modo non volatile e che, quindi, non richieda un'alimentazione elettrica costante per preservarne lo stato logico. Even more particularly, it is an object of the invention that the memory device is capable of memorizing the logic state in a non-volatile way and that, therefore, does not require a constant power supply to preserve its logic state.

È altresì scopo dell'invenzione che la memorizzazione dello stato logico sia ottenibile impiegando segnali di energia inferiore a quelli richiesti per la commutazione delle memorie a semiconduttore di tipo noto. It is also an object of the invention that the storage of the logic state can be obtained by using signals of lower energy than those required for switching the semiconductor memories of the known type.

È ulteriore scopo dell'invenzione che il dispositivo di memoria sia miniaturizzabile, almeno in linea di principio, in misura pari o superiore alle memorie ad accesso elettrico di tipo noto sopra citate. It is a further object of the invention that the memory device can be miniaturized, at least in principle, to an extent equal to or greater than the previously cited electric access memories of known type.

I suddetti scopi sono raggiunti da un dispositivo di memoria secondo la rivendicazione 1. The above objects are achieved by a memory device according to claim 1.

I suddetti scopi sono altresì raggiunti da un metodo di memorizzazione secondo la rivendicazione 9. The above objects are also achieved by a memorization method according to claim 9.

Ulteriori caratteristiche di dettaglio dell’invenzione vengono specificate nelle relative rivendicazioni dipendenti. Further detailed features of the invention are specified in the related dependent claims.

Vantaggiosamente, la non volatilità del dispositivo di memoria dell'invenzione, unitamente alla ridotta quantità di energia richiesta per la memorizzazione dello stato logico, consente di limitare il consumo elettrico del dispositivo stesso. Advantageously, the non-volatility of the memory device of the invention, together with the reduced amount of energy required for storing the logic state, allows to limit the electrical consumption of the device itself.

I suddetti scopi e vantaggi, assieme ad altri che verranno menzionati in seguito, appariranno più evidenti dalla seguente descrizione di alcune preferite forme esecutive dell’invenzione, che vengono illustrate a titolo indicativo e non limitativo con l’ausilio delle unite tavole di disegno. The aforementioned purposes and advantages, together with others that will be mentioned below, will appear more evident from the following description of some preferred embodiments of the invention, which are illustrated for indicative and non-limiting purposes with the aid of the accompanying drawing tables.

Secondo un primo aspetto, l'invenzione riguarda un dispositivo di memoria comprendente una pluralità di elementi conduttori elettrici, disposti in successione in modo che due qualsiasi di tali elementi conduttori elettrici tra loro adiacenti nella successione siano reciprocamente a contatto in corrispondenza di rispettive superfici di contatto per definire corrispondenti interfacce. According to a first aspect, the invention relates to a memory device comprising a plurality of electrical conducting elements, arranged in succession so that any two of said electrical conducting elements adjacent to each other in succession are mutually in contact at respective contact surfaces to define corresponding interfaces.

Secondo un ulteriore aspetto, l'invenzione riguarda un dispositivo di memoria comprendente un generatore di impulsi configurato per convogliare solitoni elettromagnetici chiari e solitoni elettromagnetici scuri verso i suddetti elementi conduttori elettrici. According to a further aspect, the invention relates to a memory device comprising a pulse generator configured to convey light electromagnetic solitons and dark electromagnetic solitons towards the aforementioned electrical conducting elements.

Secondo un ulteriore aspetto dell'invenzione, gli elementi conduttori elettrici sono disposti in modo che le superfici di contatto di due qualsiasi di essi adiacenti nella successione siano in una condizione di contatto reciproco imperfetto. According to a further aspect of the invention, the electrical conducting elements are arranged so that the contact surfaces of any two of them adjacent in succession are in a condition of imperfect mutual contact.

Secondo un ulteriore aspetto dell'invenzione, gli elementi conduttori elettrici sono rispettivi elementi laminari disposti in una posizione di appoggio reciproco in corrispondenza delle rispettive superfici di contatto. According to a further aspect of the invention, the electrical conducting elements are respective laminar elements arranged in a position of mutual support at the respective contact surfaces.

Secondo un ulteriore aspetto, l'invenzione riguarda un metodo di memorizzazione comprendente le seguenti operazioni: According to a further aspect, the invention relates to a memorization method comprising the following operations:

- disporre una pluralità di elementi conduttori elettrici in successione in modo che due qualsiasi di detti elementi conduttori elettrici tra loro adiacenti in detta successione siano a contatto reciproco in corrispondenza di rispettive superfici di contatto per definire corrispondenti interfacce; - arranging a plurality of electric conducting elements in succession so that any two of said electric conducting elements adjacent to each other in said succession are in mutual contact at respective contact surfaces to define corresponding interfaces;

- irradiare detti elementi conduttori elettrici con un solitone elettromagnetico chiaro per causare una riduzione di resistenza elettrica all'interfaccia tra due qualsiasi elementi conduttori elettrici al di sotto di una soglia predefinita; - irradiating said electrical conducting elements with a clear electromagnetic soliton to cause a reduction in electrical resistance at the interface between any two electrical conducting elements below a predefined threshold;

- irradiare detti elementi conduttori elettrici con un secondo solitone elettromagnetico scuro per causare un aumento di detta resistenza elettrica all'interfaccia tra due qualsiasi elementi conduttori elettrici al di sopra di detta soglia predefinita; - irradiating said electrical conducting elements with a second dark electromagnetic soliton to cause an increase in said electrical resistance at the interface between any two electrical conducting elements above said predefined threshold;

- associare detto stato logico al verificarsi o meno della condizione che detta resistenza elettrica all'interfaccia sia inferiore a detta soglia predefinita. - associating said logic state with the occurrence or otherwise of the condition that said electrical resistance at the interface is lower than said predefined threshold.

Secondo un ulteriore aspetto, il metodo di memorizzazione dell'invenzione prevede che le superfici di contatto di due qualsiasi di detti elementi conduttori elettrici tra loro adiacenti in detta successione siano in una condizione di contatto reciproco imperfetto. According to a further aspect, the memorization method of the invention provides that the contact surfaces of any two of said electrical conducting elements adjacent to each other in said succession are in a condition of imperfect mutual contact.

Breve descrizione dei disegni Brief description of the drawings

La Fig. 1 rappresenta schematicamente un dispositivo di memoria secondo una prima forma esecutiva dell'invenzione. Fig. 1 schematically represents a memory device according to a first embodiment of the invention.

La Fig. 2 rappresenta parzialmente il dispositivo di memoria della Fig. 1, in sezione laterale secondo il piano di traccia II-II. Fig. 2 partially represents the memory device of Fig. 1, in lateral section according to the plane II-II.

Le Figg. 3 e 4 rappresentano schematicamente due rispettivi particolari della Fig. 2. Figs. 3 and 4 schematically show two respective details of Fig. 2.

La Fig. 5 rappresenta schematicamente un dispositivo di memoria secondo una seconda forma esecutiva dell’invenzione. Fig. 5 schematically represents a memory device according to a second embodiment of the invention.

La Fig. 6 rappresenta parzialmente il dispositivo di memoria della Fig. 5, in sezione laterale ingrandita secondo il piano di traccia VI-VI. Fig. 6 partially represents the memory device of Fig. 5, in an enlarged lateral section along the line VI-VI.

La Fig. 7 rappresenta parzialmente il dispositivo di memoria della Fig. 5, in sezione laterale ingrandita secondo il piano di traccia VII-VII. Fig. 7 partially represents the memory device of Fig. 5, in an enlarged lateral section along the plane of trace VII-VII.

La Fig. 8 rappresenta schematicamente un dispositivo di memoria secondo una terza forma esecutiva dell'invenzione. Fig. 8 schematically represents a memory device according to a third embodiment of the invention.

La Fig. 9 rappresenta parzialmente il dispositivo di memoria della Fig. 8, in sezione laterale secondo il piano di traccia IX-IX. Fig. 9 partially represents the memory device of Fig. 8, in lateral section according to the plane of trace IX-IX.

Le Figg. 10a, 10b e 10c rappresentano rispettivi grafici relativi al funzionamento del dispositivo di memoria della Fig.1. Figs. 10a, 10b and 10c show respective graphs relating to the operation of the memory device of Fig.1.

Descrizione dettagliata di alcuni esempi di realizzazione preferiti Secondo una prima forma esecutiva preferita dell'invenzione, il dispositivo di memoria, indicato nelle Figg. 1 e 2 il complessivamente con 1, comprende due elementi conduttori elettrici 2 e 3 disposti reciprocamente a contatto in corrispondenza di rispettive superfici di contatto 20 e 30 in modo da definire una corrispondente interfaccia 23. Detailed description of some preferred embodiments According to a first preferred embodiment of the invention, the memory device, indicated in Figs. 1 and 2 together with 1, comprises two electrical conductive elements 2 and 3 mutually arranged in contact at respective contact surfaces 20 and 30 so as to define a corresponding interface 23.

Preferibilmente, le superfici di contatto 20 e 30 degli elementi conduttori elettrici 2 e 3 vengono disposte in una condizione di contatto reciproco imperfetto. Preferably, the contact surfaces 20 and 30 of the electrical conducting elements 2 and 3 are arranged in a condition of imperfect mutual contact.

La suddetta condizione è ottenibile ad esempio disponendo gli elementi conduttori elettrici 2, 3 in una posizione reciproca opportuna. The aforesaid condition can be obtained for example by arranging the electrical conducting elements 2, 3 in a suitable reciprocal position.

Secondo una variante esecutiva dell'invenzione, la condizione di contatto imperfetto può venire ottenuta anche per mezzo di un sottile strato isolante tra le superfici di contatto 20, 30 degli elementi conduttori elettrici 2, 3, ottenibile ad esempio sfruttando lo strato di ossido che si forma sugli elementi conduttori elettrici 2, 3 quando questi ultimi sono realizzati in materiale metallico, sebbene la presenza di ossido tra i due metalli non sia indispensabile per il funzionamento del dispositivo. According to a variant embodiment of the invention, the condition of imperfect contact can also be obtained by means of a thin insulating layer between the contact surfaces 20, 30 of the electrical conducting elements 2, 3, obtainable for example by exploiting the oxide layer which is forms on the electrical conducting elements 2, 3 when the latter are made of metallic material, although the presence of oxide between the two metals is not essential for the operation of the device.

Come ulteriore variante esecutiva dell'invenzione, il corretto posizionamento tra gli elementi conduttori elettrici 2, 3 può venire ottenuto realizzando questi ultimi mediante le nanotecnologie. As a further embodiment of the invention, the correct positioning between the electrical conducting elements 2, 3 can be obtained by producing the latter by means of nanotechnologies.

In fase sperimentale, il depositante ha impiegato un metodo empirico per posizionare gli elementi conduttori elettrici 2, 3 in contatto imperfetto. Il metodo prevedeva inizialmente di disporre gli elementi conduttori elettrici 2, 3, realizzati in questo caso in metallo, in contatto reciproco in corrispondenza delle superfici di contatto 20 e 30. Successivamente, si è provveduto a muovere gli elementi conduttori elettrici 2, 3 facendoli scorrere sulle superfici di contatto 20 e 30 fino a trovare una posizione di elevata resistenza elettrica all'interfaccia 23. In the experimental phase, the depositor employed an empirical method to place the electrical conducting elements 2, 3 in imperfect contact. The method initially envisaged arranging the electrical conducting elements 2, 3, made in this case of metal, in mutual contact at the contact surfaces 20 and 30. Subsequently, the electrical conducting elements 2, 3 were moved by making them slide on the contact surfaces 20 and 30 until a position of high electrical resistance is found at the interface 23.

Evidentemente, la corretta configurazione reciproca degli elementi conduttori elettrici 2, 3 può venire ottenuta impiegando un qualsiasi metodo atto a realizzare un contatto imperfetto tra le loro superfici di contatto 20 e 30. Obviously, the correct mutual configuration of the electrical conducting elements 2, 3 can be obtained by using any method suitable for achieving imperfect contact between their contact surfaces 20 and 30.

In ogni caso, durante l'impiego del dispositivo 1, gli elementi conduttori elettrici 2, 3 vengono mantenuti stabilmente in posizione. Il mantenimento stabile della posizione reciproca degli elementi conduttori elettrici 2, 3 è ottenibile, ad esempio, tramite il loro peso proprio, e/o con l'ausilio di un ulteriore elemento, ad esempio in plexiglas o altro materiale isolante, gravante su di essi. In any case, during the use of the device 1, the electrical conducting elements 2, 3 are kept stably in position. The stable maintenance of the reciprocal position of the electrical conducting elements 2, 3 can be obtained, for example, by means of their own weight, and / or with the aid of a further element, for example made of Plexiglas or other insulating material, weighing on them. .

Il dispositivo di memoria 1 comprende altresì un generatore di impulsi 4 configurato per convogliare solitoni elettromagnetici chiari e solitoni elettromagnetici scuri verso i suddetti elementi conduttori elettrici 2, 3. The memory device 1 also comprises a pulse generator 4 configured to convey light electromagnetic solitons and dark electromagnetic solitons towards the aforementioned electrical conducting elements 2, 3.

Dal punto di vista matematico, i solitoni corrispondono a soluzioni esatte di certe classi di equazioni differenziali alle derivate parziali non lineari di evoluzione e integrabili con determinate condizioni al contorno. Tra le suddette equazioni differenziali sono annoverabili, ad esempio, l'equazione di Korteweg - de Vries (KdV), l'equazione di Schrödinger non lineare, l'equazione Sine-Gordon, l'equazione che regola i sistemi caotici di Fermi-Pasta-Ulam, ed altre. From the mathematical point of view, solitons correspond to exact solutions of certain classes of nonlinear partial differential equations of evolution and integrable with certain boundary conditions. The above differential equations include, for example, the Korteweg - de Vries (KdV) equation, the non-linear Schrödinger equation, the Sine-Gordon equation, the equation that regulates the Fermi-Pasta chaotic systems -Ulam, and others.

Per una trattazione teorica dei solitoni, si rimanda ai riferimenti da [1] a [5] riportati, a titolo esemplificativo, nella sezione Bibliografia alla fine della presente descrizione. For a theoretical treatment of solitons, please refer to the references from [1] to [5] reported, by way of example, in the Bibliography section at the end of this description.

Sebbene la ricerca sui solitoni sia relativamente recente e la loro natura fisica non sia stata ancora ben compresa, a scopo semplificativo un solitone può venire definito come una particolare onda solitaria. Un'onda solitaria è un impulso isolato che si propaga attraverso un mezzo, ad esempio un conduttore elettrico, mantenendo sostanzialmente invariata la sua forma. La proprietà appena descritta delle onde solitarie deriva dall'equilibrio tra effetti non lineari ed effetti dispersivi a cui l'onda solitaria è soggetta. Although research on solitons is relatively recent and their physical nature is not yet well understood, for simplification purposes a soliton can be defined as a particular solitary wave. A lone wave is an isolated impulse that propagates through a medium, such as an electrical conductor, keeping its shape substantially unchanged. The property of solitary waves just described derives from the balance between non-linear effects and dispersive effects to which the solitary wave is subject.

Oltre alla suddetta proprietà, un solitone presenta l'ulteriore proprietà di andare soggetto ad urti elastici, in virtù dei quali esso mantiene invariate le sue caratteristiche anche in seguito ad una collisione con un altro solitone, a meno di un cambiamento di fase. Ad esempio, se due solitoni procedono a differenti velocità lungo uno stesso mezzo - nel caso di un solitone elettrico, lungo uno stesso conduttore elettrico - il solitone più veloce supera quello più lento e ne riemerge invariato a meno di un cambiamento di fase. Lo stesso vale per il solitone più lento che, dopo essere stato superato dall'altro solitone, riprende la sua forma iniziale a meno di un cambiamento di fase. In addition to the aforementioned property, a soliton has the further property of being subjected to elastic collisions, by virtue of which it maintains its characteristics unchanged even after a collision with another soliton, unless there is a phase change. For example, if two solitons proceed at different speeds along the same medium - in the case of an electrical soliton, along the same electrical conductor - the faster soliton overcomes the slower one and re-emerges unchanged unless a phase change. The same goes for the slower soliton which, after being overtaken by the other soliton, resumes its initial shape unless there is a phase change.

I solitoni si classificano in solitoni chiari e solitoni scuri (si veda ad es. il rif. [9] della Bibliografia). La differenza sostanziale tra i due tipi di solitoni è che un solitone chiaro è rappresentabile come una gobba nel campo in cui esso si propaga, mentre un solitone scuro è rappresentabile come una depressione nel campo stesso. The solitons are classified into light solitons and dark solitons (see for example ref. [9] of the Bibliography). The substantial difference between the two types of solitons is that a light soliton can be represented as a hump in the field in which it propagates, while a dark soliton can be represented as a depression in the field itself.

Dal punto di vista pratico, il primo solitone è stato osservato dall'ingegnere britannico John Scott Russell nel 1834 mentre risaliva un canale d'acqua. Da allora, l'impiego dei solitoni è stato esteso ad altri campi della fisica, in particolare in ottica, in elettronica ed in elettromagnetismo. La differenza dei solitoni ottici, elettrici ed elettromagnetici rispetto al solitone di Russell risiede sostanzialmente nel mezzo di propagazione che, mentre nel caso di Russell era un corso d'acqua, negli altri casi citati può essere rispettivamente una fibra ottica, un conduttore elettrico e un campo elettromagnetico. From a practical point of view, the first soliton was observed by the British engineer John Scott Russell in 1834 as he ascended a water channel. Since then, the use of solitons has been extended to other fields of physics, in particular in optics, electronics and electromagnetism. The difference of the optical, electrical and electromagnetic solitons compared to Russell's soliton basically lies in the propagation medium which, while in Russell's case it was a watercourse, in the other cases mentioned it can be respectively an optical fiber, an electrical conductor and a electromagnetic field.

Sono noti generatori di solitoni che, a titolo puramente esemplificativo, vengono descritti nei documenti brevettuali US 5,157,744 e US 5,477,375, riguardanti solitoni ottici, US 4,855,696, riguardante solitoni elettrici, ed RU 2,281,588, riguardante solitoni elettromagnetici. Soliton generators are known which, purely by way of example, are described in the patent documents US 5,157,744 and US 5,477,375, concerning optical solitons, US 4,855,696, concerning electric solitons, and RU 2,281,588, concerning electromagnetic solitons.

Inaspettatamente, il depositante la presente invenzione ha scoperto che un solitone elettrico o elettromagnetico chiaro convogliato verso i suddetti due elementi conduttori elettrici 2, 3 ha l'effetto di ridurre drasticamente la resistenza elettrica all'interfaccia 23 tra di essi e che questa condizione di bassa resistenza rimane stabile nel tempo. In particolare, si è visto che è possibile passare da una condizione di circuito aperto, o di resistenza elettrica dell'ordine del MΩ (1.000.000 Ohm), a resistenze dell'ordine di 1-10 Ω (Ohm) o inferiori .� Per converso, impulsi elettrici o elettromagnetici non solitonici non hanno permesso di ottenere effetti analoghi. Unexpectedly, the depositor of the present invention discovered that a clear electric or electromagnetic soliton conveyed towards the aforementioned two electric conducting elements 2, 3 has the effect of drastically reducing the electrical resistance at the interface 23 between them and that this low condition resistance remains stable over time. In particular, it has been seen that it is possible to pass from an open circuit condition, or electrical resistance of the order of MΩ (1,000,000 Ohm), to resistances of the order of 1-10 Ω (Ohm) or lower. Conversely, non-solitonic electrical or electromagnetic impulses did not allow similar effects to be obtained.

Il depositante ha osservato che lo stato di resistenza del dispositivo 1 viene mutato dal solitone, e permane tale, senza necessità di applicare alcuna tensione tra gli elementi conduttori elettrici 2, 3, a differenza di quanto avviene ad esempio in un mosfet. The depositor observed that the state of resistance of the device 1 is changed by the soliton, and remains so, without the need to apply any voltage between the electrical conducting elements 2, 3, unlike what happens for example in a mosfet.

Esperimenti svolti dal depositante sembrano confermare che la suddetta resistenza elettrica non viene alterata da perturbazioni anche intense del campo magnetico (1.000 Gauss e oltre) e nemmeno da vibrazioni meccaniche, almeno entro certi limiti di intensità. Il dispositivo 1 si è mostrato anche in grado di resistere alle radiazioni ionizzanti e ai raggi X, a differenza dei dispositivi di memoria a semiconduttori al silicio. Pertanto, vantaggiosamente, il dispositivo 1 risulta adatto ad applicazioni spaziali o nucleari. Experiments carried out by the depositor seem to confirm that the aforementioned electrical resistance is not altered by even intense perturbations of the magnetic field (1,000 Gauss and more) and not even by mechanical vibrations, at least within certain limits of intensity. The device 1 was also shown to be able to resist ionizing radiation and X-rays, unlike silicon semiconductor memory devices. Therefore, advantageously, the device 1 is suitable for space or nuclear applications.

Il depositante ha ulteriormente scoperto che il convogliamento di un solitone elettromagnetico scuro verso il dispositivo 1 ha l'effetto di ripristinare la condizione il valore di resistenza elettrica all'interfaccia 23 esistente prima dell'arrivo del solitone chiaro. The depositor further discovered that the conveyance of a dark electromagnetic soliton towards the device 1 has the effect of restoring the electrical resistance value at the interface 23 existing before the arrival of the light soliton.

È evidente che i suddetti solitoni consentono un'agevole commutazione tra lo stato di alta resistenza e lo stato di bassa resistenza del dispositivo 1, il quale pertanto può venire impiegato per memorizzare due stati logici. In particolare, le due diverse condizioni di resistenza elettrica all'interfaccia sopra descritte possono venire associate agli stati logici "vero" e "falso". It is evident that the aforesaid solitons allow easy switching between the state of high resistance and the state of low resistance of the device 1, which therefore can be used to memorize two logic states. In particular, the two different electrical resistance conditions at the interface described above can be associated with the "true" and "false" logic states.

Non è stato possibile riscontrare in letteratura una spiegazione soddisfacente dell'effetto sopra descritto. Inizialmente, il depositante si era rivolto alle ricerche sul coesore di Marconi, un dispositivo sostanzialmente composto da un tubo riempito di polvere metallica e da due elettrodi disposti alle estremità contrapposte del tubo ed in contatto con la polvere metallica. In condizione iniziale, i due elettrodi risultano elettricamente isolati, o quanto meno la resistenza elettrica tra di essi è relativamente elevata. Marconi osservò che, quando un segnale radio investiva il suddetto coesore, si verificava un crollo della resistenza elettrica tra i due elettrodi e questa condizione permaneva invariata fino a quando il tubo non veniva sottoposto ad una sollecitazione meccanica anche lieve, che causava il ripristino dello stato iniziale del dispositivo. In letteratura, l'effetto è stato spiegato con varie ipotesi, tra cui l'effetto punta, in virtù del quale il segnale radio causa la formazione di microsaldature tra le particelle metalliche (si veda ad es. il rif. [6] della Bibliografia). A satisfactory explanation of the effect described above could not be found in the literature. Initially, the depositor had turned to research on the coherence of Marconi, a device substantially composed of a tube filled with metal powder and two electrodes arranged at opposite ends of the tube and in contact with the metal powder. In the initial condition, the two electrodes are electrically isolated, or at least the electrical resistance between them is relatively high. Marconi observed that, when a radio signal hit the aforementioned coherent, there was a collapse of the electrical resistance between the two electrodes and this condition remained unchanged until the tube was subjected to even a slight mechanical stress, which caused the restoration of the state initial of the device. In the literature, the effect has been explained with various hypotheses, including the tip effect, by virtue of which the radio signal causes the formation of micro-welds between the metal particles (see for example ref. [6] of the Bibliography ).

In realtà, la suddetta spiegazione non è soddisfacente, in quanto sono noti coesori detti "negativi" nei quali un segnale radio causa l'incremento, anziché il crollo, della resistenza. Inoltre, l'ipotesi delle microsaldature non spiega il comportamento del dispositivo di memoria 1 dell'invenzione, nel quale la resistenza elettrica all'interfaccia tra i due elementi conduttori elettrici 2, 3 è insensibile ai campi magnetici e dove, inoltre, lievi sollecitazioni meccaniche sugli elementi conduttori elettrici 2, 3 non alterano la resistenza elettrica all'interfaccia 23. In reality, the above explanation is not satisfactory, since so-called "negative" cohors are known in which a radio signal causes the increase, rather than the collapse, of the resistance. Furthermore, the micro-welds hypothesis does not explain the behavior of the memory device 1 of the invention, in which the electrical resistance at the interface between the two electrical conducting elements 2, 3 is insensitive to magnetic fields and where, moreover, slight mechanical stresses on the electrical conducting elements 2, 3 do not alter the electrical resistance at the interface 23.

Pertanto, il depositante ha ipotizzato che l'effetto sopra descritto sia imputabile ad un effetto tunnel quanto-meccanico legato al fenomeno della coerenza elettrodinamica quantistica (QED coherence, si vedano ad es. i riff. [7] e [8] della Bibliografia). Il fenomeno appena menzionato consiste nel fatto che un gruppo di atomi o di molecole dotati di un certo stato di "pre-coerenza", detto "dominio di coerenza" (cluster), passa in una condizione di coerenza quantistica se sollecitato da un idoneo impulso elettromagnetico (si vedano ad es. i riff. [8] e [9] della Bibliografia). Nella suddetta condizione di coerenza, gli atomi o le molecole del dominio si comportano come un'unica macroparticella, consentendo il passaggio degli elettroni. Al contempo, l'impulso rimane intrappolato nel dominio e ne mantiene la coerenza. Therefore, the depositor hypothesized that the effect described above is attributable to a quantum-mechanical tunnel effect linked to the phenomenon of quantum electrodynamic coherence (QED coherence, see for example the refs. [7] and [8] of the Bibliography) . The phenomenon just mentioned consists in the fact that a group of atoms or molecules endowed with a certain state of "pre-coherence", called "coherence domain" (cluster), passes into a condition of quantum coherence if stimulated by a suitable impulse electromagnetic (see for example the refs. [8] and [9] of the Bibliography). In the aforementioned condition of coherence, the atoms or molecules of the domain behave as a single macroparticle, allowing the passage of electrons. At the same time, the impulse remains trapped in the domain and maintains its coherence.

Il fenomeno sopra descritto è stato estesamente studiato nei condensati di Bose-Einstein (si vedano ad es. i riff. [4] e [9] della Bibliografia). I condensati Bose-Einstein sono aggregati di bosoni che, in determinate circostanze, assumono uno stesso stato quantico, comportandosi come un'unica macro-particella. Inizialmente si è ipotizzato che tali condensati si manifestassero in condizioni di temperatura prossime allo zero assoluto. Infatti, i condensati di Bose-Einstein sono stati osservati in gas di rubidio raffreddati a bassissima temperatura mediante fasci laser. Finora si era ipotizzato che lo stato condensato fosse una conseguenza della bassissima temperatura del gas, mentre non è stata indagata la possibilità che tale stato possa invece essere causato dai solitoni elettromagnetici del fascio laser. In effetti, esperimenti recenti hanno consentito di osservare tali condensati anche in polimeri a temperatura ambiente (si veda ad es. il rif. [10] della Bibliografia). The phenomenon described above has been extensively studied in the Bose-Einstein condensates (see for example the refs. [4] and [9] of the Bibliography). Bose-Einstein condensates are aggregates of bosons which, under certain circumstances, assume the same quantum state, behaving as a single macro-particle. Initially it was assumed that these condensates occur in temperature conditions close to absolute zero. In fact, Bose-Einstein condensates have been observed in rubidium gas cooled at very low temperatures by laser beams. Until now it was assumed that the condensed state was a consequence of the very low temperature of the gas, while the possibility that this state could instead be caused by the electromagnetic solitons of the laser beam has not been investigated. Indeed, recent experiments have made it possible to observe such condensates also in polymers at room temperature (see for example ref. [10] of the Bibliography).

Alla luce di quanto sopra detto il depositante ipotizza che, inizialmente, i due elementi conduttori elettrici 2, 3 del dispositivo di memoria 1 si trovino in una condizione di contatto reciproco imperfetto, che comporta un'elevata resistenza elettrica all'interfaccia 23 tra di essi. In questa condizione, i campi elettrici interni degli elementi conduttori elettrici 2, 3 causano una concentrazione di carica elettrica nelle micro-proiezioni reciprocamente affacciate presenti sulle superfici di interfaccia 20 e 30, instaurando un'elevata tensione localizzata che ha l'effetto di disporre gli atomi di quelle micro-proiezioni nello stato di pre-coerenza sopra descritto. In light of the above, the applicant hypothesizes that, initially, the two electrical conducting elements 2, 3 of the memory device 1 are in a condition of imperfect mutual contact, which involves a high electrical resistance at the interface 23 between them. . In this condition, the internal electric fields of the electric conducting elements 2, 3 cause a concentration of electric charge in the mutually facing micro-projections present on the interface surfaces 20 and 30, establishing a high localized voltage which has the effect of arranging the atoms of those micro-projections in the state of pre-coherence described above.

Il depositante ha osservato come il raggiungimento della condizione di precoerenza suddetta non richiede di applicare alcuna tensione tra i due elementi conduttori elettrici 2, 3, essendo sufficiente il campo elettrico proprio di questi ultimi. The depositor observed that the achievement of the aforementioned pre-consistency condition does not require the application of any voltage between the two electrical conducting elements 2, 3, since the electric field of the latter is sufficient.

Evidentemente, lo stato di pre-coerenza non consente la conduzione di elettroni tra le superfici di interfaccia 20 e 30 ma, al contempo, l'arrivo di un solitone chiaro può trasformarlo in uno stato di coerenza analogo a quello che si verifica in un condensato Bose-Einstein. Lo stato di coerenza ha l'effetto di aprire un tunnel quanto-meccanico tra le due superfici di interfaccia 20 e 30, che consente il passaggio di elettroni ed è responsabile del crollo della resistenza elettrica del dispositivo 1. Evidently, the state of pre-coherence does not allow the conduction of electrons between the interface surfaces 20 and 30 but, at the same time, the arrival of a clear soliton can transform it into a state of coherence similar to that which occurs in a condensate Bose-Einstein. The state of coherence has the effect of opening a quantum-mechanical tunnel between the two interface surfaces 20 and 30, which allows the passage of electrons and is responsible for the collapse of the electrical resistance of device 1.

Il solitone chiaro rimane intrappolato nel dominio di coerenza così creato fintanto che una idonea perturbazione non intervenga a ripristinare lo stato di precoerenza iniziale. Il depositante ha individuato la suddetta perturbazione in un solitone elettromagnetico scuro, il quale presumibilmente, avendo fase opposta, annulla l'effetto del solitone chiaro già intrappolato nel dominio. The clear soliton remains trapped in the coherence domain thus created until a suitable perturbation intervenes to restore the initial precoherence state. The depositor has identified the aforementioned perturbation in a dark electromagnetic soliton, which presumably, having the opposite phase, cancels the effect of the light soliton already trapped in the domain.

Per quanto concerne il generatore di impulsi 4, esso comprende preferibilmente un primo circuito elettronico 4a ed un secondo circuito elettronico 4b, i quali convogliano verso gli elementi conduttori elettrici 2, 3 rispettivamente solitoni chiari e solitoni scuri. As far as the pulse generator 4 is concerned, it preferably comprises a first electronic circuit 4a and a second electronic circuit 4b, which convey towards the electrical conducting elements 2, 3 respectively light solitons and dark solitons.

Come si vede in Fig. 3, il primo dei suddetti due circuiti elettronici 4a comprende un mosfet 41 con il source collegato all'alimentazione V in corrispondenza del terminale 46 e con il drain collegato ad un primo capo di una bobina ad induttanza nulla 43 (caduceus coil) la quale presenta l'altro capo collegato a massa. Com'è noto, una bobina ad induttanza nulla è ottenibile ad esempio avvolgendo, attorno ad una barretta di ferrite, un filo elettrico disposto secondo due eliche cilindriche con versi di avvolgimento contrapposti. Il gate del mosfet 41 è collegato ad un capo di un trigger di Schmitt 42 il cui secondo capo è collegato ad un terminale di ingresso 47. Il circuito elettronico 4a comprende inoltre una linea di uscita che è collegata, tramite un condensatore 44, al conduttore che collega il mosfet 41 alla bobina 43. As can be seen in Fig. 3, the first of the aforesaid two electronic circuits 4a comprises a mosfet 41 with the source connected to the power supply V at the terminal 46 and with the drain connected to a first end of a zero inductance coil 43 ( caduceus coil) which has the other end connected to ground. As is known, a zero inductance coil can be obtained for example by winding, around a ferrite rod, an electric wire arranged according to two cylindrical helices with opposite winding directions. The gate of the mosfet 41 is connected to one end of a Schmitt trigger 42 whose second end is connected to an input terminal 47. The electronic circuit 4a further comprises an output line which is connected, through a capacitor 44, to the conductor which connects the mosfet 41 to the coil 43.

Quando nel terminale di ingresso 47 del circuito 4a viene iniettato un segnale, il trigger di Schmitt 42 genera un'onda quadra che si traduce in una sequenza di solitoni chiari al terminale di uscita 48. In particolare, un singolo impulso iniettato in ingresso al trigger di Schmitt 42 genera un singolo solitone chiaro al terminale di uscita 48. When a signal is injected into the input terminal 47 of the circuit 4a, the Schmitt trigger 42 generates a square wave which results in a sequence of clear solitons at the output terminal 48. In particular, a single pulse injected into the trigger input Schmitt's 42 generates a single clear soliton at output terminal 48.

Preferibilmente, lungo la linea di uscita ed in serie al condensatore 44 è disposto anche un filtro passa-alto 45, ad esempio ceramico, che blocca eventuali segnali spuri così da accrescere l'efficacia del circuito 4a. Preferibilmente, il filtro passa-alto 45 presenta una soglia superiore ad 1 MHz, ad esempio 5.5 MHz. Preferably, along the output line and in series with the capacitor 44 there is also a high-pass filter 45, for example ceramic, which blocks any spurious signals so as to increase the effectiveness of the circuit 4a. Preferably, the high pass filter 45 has a threshold higher than 1 MHz, for example 5.5 MHz.

Preferibilmente, il segnale fornito al terminale di ingresso 47 presenta una forma ad onda quadra. Preferably, the signal supplied to the input terminal 47 has a square wave shape.

Per quanto concerne il secondo circuito 4b del generatore 4 che genera solitoni scuri, come si può osservare in Fig. 4 esso è sostanzialmente analogo al primo circuito 4a, tranne per il fatto che il terminale di alimentazione 56 è collegato alla bobina ad induttanza nulla 53 anziché al mosfet 51, mentre quest'ultimo presenta il drain collegato a massa. Valgono per il secondo circuito 4b considerazioni analoghe a quelle fatte per il primo circuito 4a. As regards the second circuit 4b of the generator 4 which generates dark solitons, as can be seen in Fig. 4 it is substantially similar to the first circuit 4a, except for the fact that the power supply terminal 56 is connected to the zero inductance coil 53 instead of the mosfet 51, while the latter has the drain connected to ground. Considerations similar to those made for the first circuit 4a apply to the second circuit 4b.

I terminali di uscita 48, 58 dei due suddetti circuiti 4a, 4b vengono collegati rispettivamente ai due elementi conduttori elettrici 2, 3 come rappresentato in Fig.1. The output terminals 48, 58 of the two aforementioned circuits 4a, 4b are connected respectively to the two electrical conducting elements 2, 3 as shown in Fig.1.

In particolare, il terminale di uscita 48 del primo circuito 4a generatore di solitoni chiari viene collegato al primo elemento conduttore elettrico 2, in parallelo ad un condensatore 8, mentre il terminale di uscita 58 del secondo circuito 4b generatore di solitoni scuri viene collegato al secondo elemento conduttore elettrico 3. In particular, the output terminal 48 of the first light soliton generator circuit 4a is connected to the first electrical conductor element 2, in parallel to a capacitor 8, while the output terminal 58 of the second dark soliton generator circuit 4b is connected to the second electrical conductor element 3.

Il suddetto generatore di impulsi 4 si è rivelato in grado di produrre solitoni in modo affidabile e con limitate componenti spurie. I diagrammi delle Figg.10a, 10b e 10c rappresentano rispettivamente, in forma esemplificativa e non limitativa, l'andamento in funzione del tempo delle tensioni 60 e 63 ai terminali di uscita 48 e 58 dei circuiti 4a e 5a, e della resistenza elettrica 66 misurata sul dispositivo 10. Nella Fig. 10a si può osservare che la curva 60 della tensione al terminale di uscita 48 del circuito 4a comprende una successione di impulsi 61 ad onda quadra, prodotti dal trigger di Schmitt 42 che pilota il mosfet 41. In corrispondenza della rampa di salita di ciascun impulso 61, si nota un corrispondente picco di tensione 62 che rappresenta un solitone chiaro. Nella curva 66 della Fig. 10c si osserva, in corrispondenza di ciascun picco 62, una brusca riduzione di resistenza del dispositivo 1, che passa da una condizione di alta resistenza 67 ad una condizione di bassa resistenza 68. La curva 61 di Fig. 10b, relativa alla tensione al terminale di uscita 58 del circuito 4b, è del tutto analoga alla curva 60 sopra descritta, tranne per il fatto che gli impulsi 64 generano solitoni scuri 65, in corrispondenza dei quali si verifica un aumento di resistenza del dispositivo 1. The aforementioned pulse generator 4 has proved capable of producing solitons reliably and with limited spurious components. The diagrams of Figures 10a, 10b and 10c represent respectively, in an exemplary and non-limiting form, the trend as a function of time of the voltages 60 and 63 at the output terminals 48 and 58 of the circuits 4a and 5a, and of the electrical resistance 66 measured on the device 10. In Fig. 10a it can be seen that the curve 60 of the voltage at the output terminal 48 of the circuit 4a comprises a succession of square wave pulses 61, produced by the Schmitt trigger 42 which drives the mosfet 41. Correspondingly of the rising ramp of each pulse 61, a corresponding voltage peak 62 is noted which represents a clear soliton. Curve 66 of Fig. 10c shows, at each peak 62, an abrupt reduction in resistance of the device 1, which passes from a condition of high resistance 67 to a condition of low resistance 68. Curve 61 of Fig. 10b , relating to the voltage at the output terminal 58 of the circuit 4b, is entirely similar to the curve 60 described above, except that the pulses 64 generate dark solitons 65, at which an increase in resistance of the device 1 occurs.

Naturalmente, in varianti esecutive dell'invenzione le curve potrebbero avere forme diverse da quelle rappresentate in Fig. 10, pur essendo rappresentative dello stesso principio di funzionamento sopra descritto. Naturally, in executive variants of the invention the curves could have different shapes from those shown in Fig. 10, even though they are representative of the same operating principle described above.

In varianti esecutive dell'invenzione non rappresentate nei disegni, il generatore di impulsi 4 potrebbe essere munito di un'antenna per emettere solitoni elettromagnetici, anziché convogliarli ai due elementi conduttori elettrici 2, 3 tramite conduttori elettrici. In embodiment variants of the invention not shown in the drawings, the pulse generator 4 could be equipped with an antenna to emit electromagnetic solitons, instead of conveying them to the two electrical conducting elements 2, 3 by means of electrical conductors.

Secondo un'ulteriore variante esecutiva dell'invenzione non rappresentata nei disegni, il generatore di impulsi 4 comprende un cristallo piezoelettrico. Il depositante la presente invenzione ha constatato che la compressione ed il rilascio del cristallo producono rispettivamente solitoni chiari e scuri che possono innescare il cambio di stato logico del dispositivo 1. According to a further variant embodiment of the invention not shown in the drawings, the pulse generator 4 comprises a piezoelectric crystal. The depositor of the present invention has found that the compression and the release of the crystal respectively produce light and dark solitons which can trigger the change of logic state of the device 1.

Come accennato in precedenza, gli elementi conduttori elettrici 2, 3 possono venire realizzati in materiale metallico. Tra i metalli utilizzabili vi sono l'alluminio, il ferro, il palladio, l'oro, e le loro leghe. Evidentemente, può venire impiegato un qualsiasi altro materiale metallico noto. As previously mentioned, the electrical conducting elements 2, 3 can be made of metallic material. Among the usable metals are aluminum, iron, palladium, gold, and their alloys. Evidently, any other known metallic material can be employed.

Secondo una variante esecutiva, ciascun elemento conduttore elettrico 2, 3 comprende un substrato isolante ricoperto da uno strato del suddetto materiale metallico, ottenibile ad esempio tramite deposizione elettrochimica. According to a variant embodiment, each electrical conducting element 2, 3 comprises an insulating substrate covered with a layer of the aforementioned metal material, obtainable for example by electrochemical deposition.

Secondo un'ulteriore variante esecutiva dell'invenzione, uno o entrambi degli elementi conduttori elettrici 2 e 3 sono realizzati in un materiale conduttivo non metallico, ad esempio carbonio. According to a further variant embodiment of the invention, one or both of the electrical conducting elements 2 and 3 are made of a non-metallic conductive material, for example carbon.

Secondo un'ulteriore variante esecutiva dell'invenzione, uno degli elementi conduttori elettrici 2, 3 è realizzato in materiale metallico, l'altro in materiale conduttivo non metallico. According to a further variant embodiment of the invention, one of the electrical conducting elements 2, 3 is made of metallic material, the other of non-metallic conductive material.

È anche evidente che gli elementi conduttori elettrici 2 e 3 possono venire realizzati entrambi nello stesso materiale, oppure in materiali tra loro diversi. It is also evident that the electrical conducting elements 2 and 3 can be made both of the same material, or of materials different from each other.

Preferibilmente, ciascun elemento conduttore elettrico 2, 3 è un rispettivo elemento laminare 2a, 3a e presenta la rispettiva superficie di contatto 20, 30 appoggiate alla superficie di contatto 20, 30 dell'altro elemento laminare 2a, 3a. Opzionalmente, gli elementi laminari 2a e 3a possono venire mantenuti in appoggio stabile disponendo un ulteriore elemento, non rappresentato nei disegni ma di per sé noto, in modo che il suo peso gravi sugli elementi laminari 2a, 3a. L'elemento isolante può essere ad esempio una lastra in plexiglas o altro idoneo materiale. Preferably, each electrical conducting element 2, 3 is a respective laminar element 2a, 3a and has the respective contact surface 20, 30 resting on the contact surface 20, 30 of the other laminar element 2a, 3a. Optionally, the laminar elements 2a and 3a can be kept in stable support by arranging a further element, not shown in the drawings but known per se, so that its weight rests on the laminar elements 2a, 3a. The insulating element can be, for example, a Plexiglas plate or other suitable material.

Preferibilmente, il dispositivo di memoria 1 comprende anche un dispositivo di misura della resistenza elettrica tra gli elementi conduttori elettrici 2, 3, che permette di rilevare lo stato logico del dispositivo di memoria stesso. A titolo esemplificativo e come si osserva in Fig. 1, il suddetto dispositivo di misura comprende un primo elemento conduttore elettrico 2 collegato ad una tensione di alimentazione V mediante un primo resistore 6 in corrispondenza del terminale 9. È inoltre presente un voltmetro 5 collegato tra il primo elemento conduttore elettrico 2 e la massa. Il voltmetro 5 permette di quantificare la caduta di tensione ai capi del primo resistore 6, da cui si desume la resistenza elettrica all'interfaccia 23 tra i due elementi conduttori elettrici 2 e 3. Preferably, the memory device 1 also comprises a device for measuring the electrical resistance between the electrical conducting elements 2, 3, which allows to detect the logic state of the memory device itself. By way of example and as can be seen in Fig. 1, the aforementioned measuring device comprises a first electrical conducting element 2 connected to a supply voltage V by means of a first resistor 6 at the terminal 9. There is also a voltmeter 5 connected between the first electrical conducting element 2 and the ground. The voltmeter 5 allows to quantify the voltage drop across the first resistor 6, from which the electrical resistance at the interface 23 between the two electrical conducting elements 2 and 3 is deduced.

Evidentemente, in varianti esecutive dell'invenzione il suddetto dispositivo di misura può venire sostituito da un qualsivoglia dispositivo di misura di tipo noto purché atto a misurare una resistenza elettrica tra i due elementi conduttori elettrici 2 e 3. Obviously, in executive variants of the invention the aforesaid measuring device can be replaced by any known type of measuring device as long as it is suitable for measuring an electrical resistance between the two electrical conducting elements 2 and 3.

La lettura dello stato logico assunto dal dispositivo 1 può avvenire con livelli di tensione di molte grandezze inferiore a quelli necessari per la lettura nei dispositivi di memoria di tipo noto basati sul silicio, vale a dire meno di 1 mV. Questo, vantaggiosamente, permette un ridotto consumo di energia, che rende il dispositivo dell'invenzione particolarmente adatto a venire alimentato per lungo tempo con batterie ed una possibilità di integrazione di diversi ordini di grandezza superiori rispetto agli attuali dispositivi al silicio. The reading of the logic state assumed by the device 1 can take place with voltage levels of many quantities lower than those necessary for reading in the memory devices of known type based on silicon, that is to say less than 1 mV. This advantageously allows a reduced energy consumption, which makes the device of the invention particularly suitable for being powered for a long time with batteries and a possibility of integration of several orders of magnitude higher than the current silicon devices.

Preferibilmente, l'altro elemento conduttore elettrico 3 viene collegato a massa attraverso un secondo resistore 7. Preferably, the other electrical conducting element 3 is connected to ground through a second resistor 7.

Altre forme esecutive dell'invenzione possono prevedere che il dispositivo di memoria dell'invenzione comprenda un qualsivoglia numero di elementi conduttori elettrici superiore a due, disposti in successione in modo che due qualsiasi dei suddetti elementi conduttori elettrici tra loro adiacenti nella successione siano disposti a contatto reciproco in corrispondenza di rispettive superfici di contatto per definire corrispondenti interfacce. Other embodiments of the invention may provide that the memory device of the invention comprises any number of electrical conducting elements greater than two, arranged in succession so that any two of the aforementioned electrical conducting elements adjacent to each other in succession are arranged in contact reciprocal at respective contact surfaces to define corresponding interfaces.

Ad esempio, il dispositivo di memoria 10 rappresentato nelle Figg. da 5 a 7 comprende due primi elementi conduttori elettrici 12, 13, un secondo elemento conduttore elettrico 14 ed un terzo elemento conduttore elettrico 15. I quattro elementi conduttori elettrici 12, 13, 14 e 15 sono posti a contatto reciproco in corrispondenza a rispettive superfici di contatto 120, 130, 131, 140 e 150. For example, the memory device 10 shown in Figs. 5 to 7 comprises two first electric conducting elements 12, 13, a second electric conducting element 14 and a third electric conducting element 15. The four electric conducting elements 12, 13, 14 and 15 are placed in mutual contact at respective surfaces contact points 120, 130, 131, 140 and 150.

Come si osserva in particolare in Fig.6, i due primi elementi conduttori elettrici 12 e 13 assumono la forma di due corrispondenti primi elementi laminari 12a e 13a e presentano rispettive superfici di contatto 120 e 131 poste reciprocamente a contatto a formare una corrispondente interfaccia 123. As can be observed in particular in Fig. 6, the two first electrical conducting elements 12 and 13 take the form of two corresponding first laminar elements 12a and 13a and have respective contact surfaces 120 and 131 placed in contact with each other to form a corresponding interface 123 .

Preferibilmente, il secondo elemento conduttore elettrico 14 presenta anch'esso la forma di un corrispondente secondo elemento laminare 14a. Preferably, the second electrical conducting element 14 also has the shape of a corresponding second laminar element 14a.

Per gli elementi laminari 12a, 13a e 14a valgono le osservazioni già fatte per il dispositivo di memoria 1 secondo la prima forma esecutiva sopra descritta. For the laminar elements 12a, 13a and 14a the observations already made for the memory device 1 according to the first embodiment described above are valid.

Quanto al terzo elemento conduttore elettrico 15, esso è preferibilmente sviluppato con una forma allungata secondo una direzione longitudinale tra una prima estremità 151 ed una seconda estremità 152. Come si osserva in Fig. 6, la porzione di superficie di contatto 150 in corrispondenza alla prima estremità 151 è disposta a contatto con la superficie di contatto 130 dell'elemento laminare 13a per definire una corrispondente interfaccia 153, mentre, come si osserva in Fig. 7, la porzione di superficie di contatto 150 in corrispondenza alla seconda estremità 152 è disposta a contatto con la superficie di contatto 140 del secondo elemento laminare 14a per definire una corrispondente interfaccia 154. As for the third electrical conducting element 15, it is preferably developed with an elongated shape according to a longitudinal direction between a first end 151 and a second end 152. As can be seen in Fig. 6, the portion of the contact surface 150 corresponding to the first end 151 is arranged in contact with the contact surface 130 of the laminar element 13a to define a corresponding interface 153, while, as can be seen in Fig. 7, the portion of the contact surface 150 in correspondence with the second end 152 is arranged at contact with the contact surface 140 of the second laminar element 14a to define a corresponding interface 154.

Preferibilmente, il terzo elemento conduttore elettrico 15 è una barra a sezione costante, ad esempio circolare, lungo la suddetta direzione longitudinale. Preferably, the third electrical conducting element 15 is a bar with a constant section, for example circular, along the aforementioned longitudinal direction.

Ancora preferibilmente, le suddette superfici di contatto 120, 130, 131, 140 e 150 presentano forme coniugate tra loro. Ad esempio, con riferimento al dispositivo 10 delle Figg. da 5 a 7, dove il terzo elemento conduttore elettrico 15 è una barra cilindrica la cui superficie di contatto 150 presenta un diametro dato, gli elementi laminari 13a e 14a sono provvisti di rispettive superfici di contatto 130 e 140 anch'esse di forma cilindrica e con il diametro pari al suddetto diametro dato. Per quanto riguarda il primo elemento laminare 12a, la sua superficie di contatto 120 ha una forma cilindrica di diametro leggermente superiore al precedente e pari al diametro della superficie di contatto 131 dell'altro primo elemento laminare 13a contrapposta alla superficie di contatto 130. Still preferably, the aforementioned contact surfaces 120, 130, 131, 140 and 150 have shapes which are mutually conjugated. For example, with reference to the device 10 of Figs. 5 to 7, where the third electrical conducting element 15 is a cylindrical bar whose contact surface 150 has a given diameter, the laminar elements 13a and 14a are provided with respective contact surfaces 130 and 140, also cylindrical in shape and with the diameter equal to the aforementioned given diameter. As regards the first laminar element 12a, its contact surface 120 has a cylindrical shape with a diameter slightly greater than the previous one and equal to the diameter of the contact surface 131 of the other first laminar element 13a opposite the contact surface 130.

Preferibilmente, gli elementi laminari 12a, 13a e 14a sono in rame e la suddetta barra cilindrica è una barra in grafite 15a. L'impiego dei materiali appena descritti ha consentito di realizzare un dispositivo di memoria 10 particolarmente stabile e poco sensibile alle perturbazioni esterne. È però evidente che, in varianti esecutive dell'invenzione, i materiali impiegati per gli elementi conduttori elettrici possono essere qualsivoglia, come già evidenziato durante la descrizione della prima forma esecutiva del dispositivo 1. Preferably, the laminar elements 12a, 13a and 14a are made of copper and the aforementioned cylindrical bar is a graphite bar 15a. The use of the materials just described has made it possible to produce a memory device 10 which is particularly stable and not very sensitive to external perturbations. However, it is evident that, in embodiments of the invention, the materials used for the electrical conducting elements can be any, as already highlighted during the description of the first embodiment of the device 1.

Anche il dispositivo di memoria 10 comprende un generatore di impulsi 4, per il quale valgono le stesse osservazioni già espresse per il dispositivo di memoria 1. The memory device 10 also comprises a pulse generator 4, for which the same observations already expressed for the memory device 1 apply.

In particolare, il generatore di impulsi 4 comprende preferibilmente due circuiti elettronici 4a e 4b del tutto analoghi a quelli descritti in precedenza, i cui terminali di uscita 48, 58 sono collegati rispettivamente ai due primi elementi laminari 12a e 13a. In particular, the pulse generator 4 preferably comprises two electronic circuits 4a and 4b entirely similar to those described above, whose output terminals 48, 58 are connected respectively to the two first laminar elements 12a and 13a.

I due primi elementi laminari 12a e 13a sono collegati a massa, rispettivamente mediante un condensatore 8 ed un resistore 7. Il secondo elemento conduttore elettrico 14 è collegato al terminale di alimentazione 9 mediante un resistore 6. The two first laminar elements 12a and 13a are connected to ground, respectively by means of a capacitor 8 and a resistor 7. The second electrical conducting element 14 is connected to the power supply terminal 9 by means of a resistor 6.

Preferibilmente, tra il resistore 6 ed il secondo conduttore elettrico 14 è collegato un voltmetro 5, che ha la stessa funzione del voltmetro nel dispositivo di memoria 1 ed al quale sono applicabili analoghe considerazioni. Preferably, a voltmeter 5 is connected between the resistor 6 and the second electrical conductor 14, which has the same function as the voltmeter in the memory device 1 and to which similar considerations are applicable.

A titolo puramente esemplificativo, il depositante la presente domanda ha impiegato per il dispositivo 10 una tensione di alimentazione V pari a 17 V al terminale di alimentazione 9, mentre il resistore 6 era da 1 MΩ, il resistore 7 da 1.5 kΩ ed il condensatore 8 da 100 nF (nano Farad). Purely by way of example, the applicant of the present application used for the device 10 a power supply voltage V equal to 17 V at the power supply terminal 9, while the resistor 6 was 1 MΩ, the resistor 7 was 1.5 kΩ and the capacitor 8. from 100 nF (nano Farad).

Secondo un'ulteriore forma esecutiva dell'invenzione, rappresentata nelle Figg. 8 e 9, il dispositivo di memoria ivi indicato complessivamente con 30 comprende un primo elemento conduttore elettrico 32 che sormonta ulteriori tre elementi conduttori elettrici 33, 34 e 35. Preferibilmente, gli elementi conduttori elettrici 32, 33, 34 e 35 sono nella forma di altrettanti elementi laminari 32a, 33a, 34a e 35a realizzati, sempre preferibilmente, con rispettive strisce di foglio di alluminio che, a titolo puramente esemplificativo, presentano uno spessore di 10 micron. According to a further embodiment of the invention, shown in Figs. 8 and 9, the memory device indicated therein as a whole with 30 comprises a first electrical conducting element 32 which surmounts a further three electric conducting elements 33, 34 and 35. Preferably, the electric conducting elements 32, 33, 34 and 35 are in the form of as many laminar elements 32a, 33a, 34a and 35a made, again preferably, with respective strips of aluminum foil which, purely by way of example, have a thickness of 10 microns.

Come si osserva in Fig. 9, il primo elemento conduttore elettrico 32 presenta una superficie di contatto 320 posta a contatto con le superfici di contatto 330, 340 e 350 dei tre elementi conduttori elettrici 33, 34 e 35. As can be seen in Fig. 9, the first electric conducting element 32 has a contact surface 320 placed in contact with the contact surfaces 330, 340 and 350 of the three electric conducting elements 33, 34 and 35.

Preferibilmente, la striscia di alluminio corrispondente al primo elemento conduttore elettrico 32 presenta, sulla superficie contrapposta alla superficie di contatto 320, un rivestimento in milar. Preferably, the aluminum strip corresponding to the first electrical conducting element 32 has a milar coating on the surface opposite the contact surface 320.

Preferibilmente, una lastra in plexiglas 36, indicata in linea tratteggiata in Fig. 8 per maggior chiarezza, viene disposta al di sopra del primo elemento conduttore elettrico 32 in modo che il suo peso gravi su tutti gli elementi conduttori elettrici 32, 33, 34 e 35 mantenendoli in contatto reciproco. Preferably, a Plexiglas plate 36, indicated in broken line in Fig. 8 for greater clarity, is arranged above the first electrical conducting element 32 so that its weight rests on all the electrical conducting elements 32, 33, 34 and 35 keeping them in contact with each other.

Si osserverà che il dispositivo 30 come rappresentato in Fig. 8 ricorda la geometria di un FET, sebbene la disposizione degli elementi conduttori elettrici 32, 33, 34 e 35 ivi rappresentata sia puramente indicativa. It will be observed that the device 30 as shown in Fig. 8 resembles the geometry of an FET, although the arrangement of the electrical conducting elements 32, 33, 34 and 35 represented therein is purely indicative.

La connessione elettrica del dispositivo 30 è analoga a quella del dispositivo 10 della Fig. 5. I rimanenti componenti, in particolare il voltmetro 5, i resistori 6, 7, il condensatore 8 ed il generatore di impulsi 4 sono analoghi a quelli già visti nel dispositivo 10 della Fig.5. Pertanto, valgono per essi le stesse considerazioni svolte nel corso della descrizione del dispositivo 10. The electrical connection of the device 30 is similar to that of the device 10 of Fig. 5. The remaining components, in particular the voltmeter 5, the resistors 6, 7, the capacitor 8 and the pulse generator 4 are similar to those already seen in device 10 of Fig. 5. Therefore, the same considerations made during the description of the device 10 apply to them.

Evidentemente, il dispositivo di memoria secondo l'invenzione può venire impiegato anche come interruttore. Infatti, facendo riferimento per semplicità al dispositivo 1 sopra descritto, la commutazione tra lo stato di circuito aperto e quello di circuito chiuso fa sì che una tensione V ai rispettivi terminali di alimentazione 9 produca una corrente attraverso gli elementi conduttori elettrici 2, 3. Obviously, the memory device according to the invention can also be used as a switch. In fact, referring for simplicity to the device 1 described above, the switching between the state of open circuit and that of closed circuit causes a voltage V at the respective power supply terminals 9 to produce a current through the electrical conducting elements 2, 3.

Analogamente, il dispositivo di memoria dell'invenzione può venire impiegato per alimentare il solenoide di un relè. Il dispositivo può essere altresì impiegato per realizzare porte logiche. Similarly, the memory device of the invention can be used to power the solenoid of a relay. The device can also be used to create logic gates.

Come ulteriore possibile applicazione, il dispositivo di memoria dell'invenzione può venire impiegato per realizzare un radiocomando. In questo caso, gli elementi conduttori elettrici del dispositivo, collegati all'alimentazione mediante un resistore, fungono da ricevitore, il quale vantaggiosamente è privo di componenti elettronici e, quindi, è particolarmente economico, poco ingombrante e virtualmente esente da manutenzione. Il generatore di impulsi 4, configurato in questo caso per generare solitoni elettromagnetici, funge da trasmettitore. As a further possible application, the memory device of the invention can be used to make a radio control. In this case, the electrical conducting elements of the device, connected to the power supply by means of a resistor, act as a receiver, which advantageously is free of electronic components and, therefore, is particularly economical, space-saving and virtually maintenance-free. The pulse generator 4, configured in this case to generate electromagnetic solitons, acts as a transmitter.

La presente invenzione concerne anche un metodo per memorizzare due stati logici che, con riferimento al dispositivo 10 della Fig. 1, comprende le seguenti operazioni: The present invention also relates to a method for storing two logic states which, with reference to the device 10 of Fig. 1, includes the following operations:

- disporre una pluralità di elementi conduttori elettrici 12, 13, 14, 15 in successione in modo che due qualsiasi di detti elementi conduttori elettrici tra loro adiacenti nella successione siano a contatto reciproco in corrispondenza di rispettive superfici di contatto 120, 130, 131, 140, 150, per definire corrispondenti interfacce 123, 153, 154. - arranging a plurality of electrical conducting elements 12, 13, 14, 15 in succession so that any two of said electric conducting elements adjacent to each other in succession are in mutual contact at respective contact surfaces 120, 130, 131, 140 , 150, to define corresponding interfaces 123, 153, 154.

- irradiare gli elementi conduttori elettrici 12, 13, 14, 15 con un solitone elettromagnetico chiaro per causare una riduzione di resistenza elettrica all'interfaccia 123, 153, 154 tra detti due qualsiasi di detti elementi conduttori elettrici 12, 13, 14, 15 tra loro adiacenti al di sotto di una soglia predefinita; - irradiating the electrical conducting elements 12, 13, 14, 15 with a clear electromagnetic soliton to cause a reduction in electrical resistance at the interface 123, 153, 154 between said any two of said electrical conducting elements 12, 13, 14, 15 between adjacent to them below a predefined threshold;

- irradiare detti elementi conduttori elettrici 12, 13, 14, 15 con un solitone elettromagnetico scuro per causare un aumento di detta resistenza elettrica all'interfaccia 123, 153, 154 tra detti due qualsiasi di detti elementi conduttori elettrici 12, 13, 14, 15 tra loro adiacenti al di sopra di detta soglia predefinita. - irradiating said electrical conducting elements 12, 13, 14, 15 with a dark electromagnetic soliton to cause an increase in said electrical resistance at the interface 123, 153, 154 between said any two of said electrical conducting elements 12, 13, 14, 15 adjacent to each other above said predefined threshold.

Preferibilmente, il contatto reciproco tra detti due qualsiasi di detti elementi conduttori elettrici 12, 13, 14, 15 tra loro adiacenti è tale che le rispettive superfici di contatto 120, 130, 131, 140, 150 siano disposte in una condizione di contatto reciproco imperfetto. Preferably, the mutual contact between any two of said electrical conducting elements 12, 13, 14, 15 adjacent to each other is such that the respective contact surfaces 120, 130, 131, 140, 150 are arranged in a condition of imperfect mutual contact .

Evidentemente, il metodo appena descritto si adatta, con le dovute ed ovvie modifiche, anche agli altri dispositivi 1 e 30 sopra descritti. Obviously, the method just described is suitable, with the due and obvious modifications, also to the other devices 1 and 30 described above.

Da quanto sopra descritto, si comprende che il dispositivo di memoria dell’invenzione raggiunge gli scopi prefissati. From what has been described above, it is understood that the memory device of the invention achieves the intended purposes.

In particolare, il dispositivo di memoria è in grado di memorizzare lo stato logico in modo non volatile ed impiegando segnali di energia inferiore a quelli richiesti per la commutazione delle memorie a semiconduttore di tipo noto. In particular, the memory device is capable of memorizing the logic state in a non-volatile way and using signals of lower energy than those required for switching the semiconductor memories of known type.

Inoltre, impiegando le nanotecnologie o altre tecnologie di tipo noto, il dispositivo di memoria appare idoneo a venire miniaturizzato in misura almeno pari alle memorie ad accesso elettrico di tipo noto. Furthermore, by using nanotechnologies or other technologies of known type, the memory device appears suitable to be miniaturized to an extent at least equal to the known types of electrical access memories.

L’invenzione è suscettibile di modifiche e varianti tutte rientranti nel concetto inventivo espresso nelle rivendicazioni allegate. In particolare, gli elementi dell’invenzione potranno essere sostituiti da altri elementi tecnicamente equivalenti ed i materiali potranno essere diversi a seconda delle esigenze, senza tuttavia uscire dall'ambito dell’invenzione. The invention is susceptible of modifications and variations, all of which fall within the inventive concept expressed in the attached claims. In particular, the elements of the invention may be replaced by other technically equivalent elements and the materials may be different according to the needs, without however departing from the scope of the invention.

Laddove gli elementi tecnici specificati nelle rivendicazioni siano seguiti da segni di riferimento, tali segni di riferimento vengono inclusi al solo scopo di migliorare l'intelligenza dell’invenzione e, pertanto, essi non comportano alcuna limitazione all'ambito di tutela rivendicato. Where the technical elements specified in the claims are followed by reference signs, these reference signs are included for the sole purpose of improving the intelligence of the invention and, therefore, they do not involve any limitation to the scope of protection claimed.

Bibliografia Bibliography

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[10] Dr. Christof P. Dietrich e Prof. Dr. Sven Höfling - University of St. Andrews, UK, "BOSE-EINSTEIN KONDENSAT IN PLASTIK", Physik Journal 13 (2014) Nr.2 [10] Dr. Christof P. Dietrich and Prof. Dr. Sven Höfling - University of St. Andrews, UK, "BOSE-EINSTEIN KONDENSAT IN PLASTIK", Physik Journal 13 (2014) Nr.2

Claims

CLAIMS 1. Memory device (1; 10; 30) for storing any one of two logic states, comprising: - a plurality of electrical conducting elements (2, 3; 12, 13, 14, 15; 32, 33, 34, 35) arranged in succession so that any two of said electrical conducting elements (2, 3; 12, 13, 14, 15; 32, 33, 34, 35) adjacent to each other in said succession are in mutual contact at respective contact surfaces (20, 30; 120, 130, 131, 140, 150; 320, 330, 340, 350) to define corresponding interfaces (23; 123, 153, 154; 323, 324, 325); - a pulse generator (4) configured to convey light electromagnetic solitons and dark electromagnetic solitons towards said electrical conducting elements (2, 3; 12, 13, 14, 15; 32, 33, 34, 35).

2. Memory device (1; 10; 30) according to claim 1, characterized in that said contact surfaces (20, 30; 120, 130, 131, 140, 150; 320, 330, 340, 350) of said any two of said electrical conducting elements (2, 3; 12, 13, 14, 15; 32, 33, 34, 35) adjacent to each other are arranged in a condition of imperfect mutual contact.

Memory device (1; 10; 30) according to any one of claims 1 or 2, characterized in that at least one of said electrical conducting elements (2, 3; 12, 13, 14, 15; 32, 33, 34 , 35) is made of metallic material.

Memory device (10) according to any one of claims 1 to 3, characterized in that at least one of said electrical conducting elements (12, 13, 14, 15) is made of a non-metallic material.

5. Memory device (1; 10; 30) according to any one of claims 1 to 4, characterized in that said electrical conducting elements (2, 3; 12, 13, 14, 15; 32, 33, 34, 35 ) comprise two first electrical conducting elements (2, 3; 12, 13; 32, 33, 34, 35), said two first electrical conducting elements (2, 3; 12, 13; 32, 33, 34, 35) being two respective first laminar elements (2a, 3a; 12a, 13a; 32a, 33a, 34a, 35a) resting together on the respective said contact surfaces (20, 30; 120, 130, 131; 320, 330, 340, 350).

Memory device (10) according to claim 5, characterized in that said electrical conductive elements comprise: - a second electrical conducting element (14); - a third electrical conducting element (15) developed with an elongated shape according to a longitudinal direction between a first end (151) and a second end (152), said first end (151) being arranged in contact with one of said two first laminar elements (12a, 13a) to define a corresponding interface (153), said second end (152) being arranged in contact with said second electrical conducting element (14) to define a corresponding interface (154).

Memory device (10) according to claim 6, characterized in that said second electrical conducting element (14) is a respective second laminar element (14a).

Memory device (10) according to any one of claims 6 or 7, characterized in that said third electrical conducting element (15) is a graphite bar (15a).

9. Method for storing any of two logic states, comprising the following operations: - arrange a plurality of electric conducting elements (2, 3; 12, 13, 14, 15; 32, 33, 34, 35) in succession so that any two of said electric conducting elements (2, 3; 12, 13, 14, 15; 32, 33, 34, 35) adjacent to each other in said succession are in mutual contact at respective contact surfaces (20, 30; 120, 130, 131, 140, 150; 320, 330, 340, 350) to define corresponding interfaces (23; 123, 153, 154; 323, 324, 325); - irradiate said electrical conducting elements (2, 3; 12, 13, 14, 15; 32, 33, 34, 35) with a clear electromagnetic soliton to cause a reduction of electrical resistance at the interface (23; 123, 153, 154 ; 323, 324, 325) between said any two of said electrical conducting elements (2, 3; 12, 13, 14, 15; 32, 33, 34, 35) adjacent to each other below a predefined threshold; - irradiate said electrical conducting elements (2, 3; 12, 13, 14, 15; 32, 33, 34, 35) with a dark electromagnetic soliton to cause an increase in said electrical resistance at the interface (23; 123, 153, 154; 323, 324, 325) between said any two of said electrical conducting elements (2, 3; 12, 13, 14, 15; 32, 33, 34, 35) adjacent to each other above said predefined threshold.

10. Method according to claim 9, characterized in that said mutual contact between any two of said electrical conductive elements (2, 3; 12, 13, 14, 15; 32, 33, 34, 35) adjacent to each other is such that the respective said contact surfaces (20, 30; 120, 130, 131, 140, 150; 320, 330, 340, 350) are arranged in a condition of imperfect mutual contact.