IT1257635B - Impianto per l'ossidazione termica di dischetti di silicio - Google Patents
Impianto per l'ossidazione termica di dischetti di silicioInfo
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Abstract
L'impianto (1) comprende:un forno (3) presentante un primo tubo (4) lungo il quale fluisce gas inerte e tricloroetano ed un secondo tubo (6) interno al primo tubo e lungo il quale fluisce ossigeno per l'ossidazione di dischetti di silicio (2);un organo riscaldante (7) installato all'esterno del primo tubo;un terzo tubo (51) nel quale si realizza la decomposizione termica degli idrocarburi presenti nell'ossigeno e che è installato all'interno del primo tubo fra una parete laterale (8) di questo ed una parete laterale (25) del secondo tubo; ed un criostato (57) che realizza l'adsorbimento dell'acqua formatasi con la decomposizione degli idrocarburi.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ITBO920027A IT1257635B (it) | 1992-01-24 | 1992-01-24 | Impianto per l'ossidazione termica di dischetti di silicio |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ITBO920027A IT1257635B (it) | 1992-01-24 | 1992-01-24 | Impianto per l'ossidazione termica di dischetti di silicio |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
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| ITBO920027A0 ITBO920027A0 (it) | 1992-01-24 |
| ITBO920027A1 ITBO920027A1 (it) | 1993-07-24 |
| IT1257635B true IT1257635B (it) | 1996-02-01 |
Family
ID=11337950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ITBO920027A IT1257635B (it) | 1992-01-24 | 1992-01-24 | Impianto per l'ossidazione termica di dischetti di silicio |
Country Status (1)
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|---|---|
| IT (1) | IT1257635B (it) |
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1992
- 1992-01-24 IT ITBO920027A patent/IT1257635B/it active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ITBO920027A0 (it) | 1992-01-24 |
| ITBO920027A1 (it) | 1993-07-24 |
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