HU202689B

HU202689B - Circuit arrangement for high frequency switching direct voltage

Info

Publication number: HU202689B
Application number: HU883566A
Authority: HU
Inventors: Mihaly Hodos; Gabor Peremy; Laszlo Schmidt
Original assignee: Villamos Ipari Kutato Intezet
Priority date: 1988-07-07
Filing date: 1988-07-07
Publication date: 1991-03-28
Also published as: HUT51804A

Abstract

A találmány tárgya kapcsolási elrendezés egyenfeszültség nagyfrekvenciás kapcsolására, amelynek meghajtott teljesítmény tranzisztora (1), ahhoz csatlakozó meghajtó teljesítménytranzisztora (2) van. A kapcsolási elrendezés úgy van kialakítva, hogy a teljesítménytranzisztor (2) polaritása - előnyösen pnp - ellentétes a teljesítménytranzisztor (1) polaritásával - előnyösen npn - és a teljesítménytranzisztor (1) emittere a teljesítménytranzisztor (2) emitterével össze van kötve. A teljesítménytranzisztor (2) bázisára (106) harmadik, a teljesítménytranzisztorral (1) azonos polaritású - előnyösen npn - tranzisztor (3) közvetlenül, vagy ellenálláson (9) át kollektorával csatlakozik. A működtető bemenet a harmadik tranzisztor (3) bázisa (101) és emittere között kétpontosán van kiképezve, a kapcsolt áramút pedig a teljesítménytranzisztor (1) kollektora (103) és a teljesítménytranzisztor (2) kollektora (104) között van elrendezve. A teljesítménytranzisztor (2) kollektora (104) és a harmadik tranzisztor (3) emittere egymással közvetlenül, vagy kis A leírás terjedelme: 8 oldal, 1 ábra -1-Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency switching of high-voltage switching arrangement having a power transistor (1) coupled to a power transistor (1) connected to it. The switching arrangement is configured such that the polarity of the power transistor (2), preferably pnp, is opposite to the polarity of the power transistor (1), preferably npn, and the emitter of the power transistor (1) is connected to the emitter of the power transistor (2). The power transistor (2) is connected to the base (106) of the power transistor (3), the transistor (3) having the same polarity, preferably a npn transistor (3) directly or via a resistor (9). The actuator input is formed at a point between the base (101) and the emitter of the third transistor (3) and the switched current path is arranged between the collector (103) of the power transistor (1) and the collector (104) of the power transistor (2). The collector (104) of the power transistor (2) and the emitter of the third transistor (3) are either directly or small.

Description

A találmány tárgya kapcsolási elrendezés egyenfeszültség nagyfrekvenciás kapcsolására hagyományos félvezetők révén, BiMOS kapcsolási elrendezéssel megvalósítható műszaki előnyök megtartásával.BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a switching arrangement for directing high-frequency DC voltage through conventional semiconductors, while retaining the technical advantages of a BiMOS switching arrangement.

Ismeretes, hogy a bipoláris teljesítménykapcsoló tranzisztorokat hagyományosan közös emitterű kapcsolásban működtetik, amelyben a működtető jel a kapcsolótranzisztor emittere és bázisa közé kétpontosán csatlakozik, a kapcsolt áram pedig a meghajtó aktív alkatrészeken nem folyik keresztül. Az ilyen típusú meghajtó áramkörök tervezése minden esetben összetett, igényes feladat, amely tranzisztortípusonként ismétlődik és olyan alkalmazásoknál, amelyekben a kapcsolt áram üzemszerűen tág tartományban - például 10:1 arányban - változhat, csak súlyos kompromisszum árán oldható meg.It is known that bipolar power switching transistors are traditionally operated in a common emitter circuit in which the actuator signal is coupled between the emitter and the base of the switching transistor, and the switched current does not flow through the active components of the drive. Designing these types of drive circuits is always a complex, demanding task that is repeated across transistor types and in applications where the switched current can vary over a wide range, such as a 10: 1 ratio, only at a serious trade-off.

Az ismert, széles körben fejlesztett, különböző „smart drive” (intelligens meghajtó) áramkörök sokasága önmagában is jelzi, hogy a bázisáram-idő függvény önmagában csak valamely adott kapcsolt áramhoz optimalizálható, erősen ingadozó terhelőáram esetén pedig az adaptív meghajtás magasabb üzemi frekvencia (például >10 kHz) eléréséhez gyakorlatilag nélkülözhetetlen. Az ilyen jellegű meghajtásoknál elengedhetetlen a kapcsolt kollektorárammal összemérhető csúcsértékű kikapcsoló negatív bázisáram impulzus és a kikapcsolásnál 10*⁶ s körüli, vagy ennek többszörösét is kitevő késleltetés jelentkezik.The multitude of known, widely developed, different "smart drive" circuits alone indicate that the base-current-time function alone can be optimized for a given switching current, and that a highly variable load current can result in a higher operating frequency of the adaptive drive (e.g.> 10 kHz) is virtually indispensable. For such drives, a peak-to-peak negative current pulse comparable to that of a collector current is indispensable and a delay of approximately 10 * ⁶ s or multiple is present at shutdown.

Teljesítménykapcsoló bipoláris tranzisztorok meghajtásának ismert alternatív módja az ún. BiMOS kapcsolási elrendezés, amelynél a működtető jel egy kisfeszültségű MOSFET teljesítmény tranzisztor source-gate kapcsaira kétpontosán csatlakozik, a meghajtó bipoláris teljesítménykapcsoló tranzisztor emitterével ugyanezen MOSFET teljesítménytranzisztor drain kapcsára csatlakozik, a kapcsolt áram pedig mindkét - meghajtó MOSFET, illetve meghajtott bipoláris teljesítménytranzisztoron át folyik. A BiMOS kapcsolási elrendezés ezenkívül szükségszerűen tartalmaz egy további, általában passzív, kiegészítő áramkört, amely két kapcsával a bipoláris teljesítménytranzisztor bázisára, illetve a MOSFET teljesítménytranzisztor source kapcsára csatlakozik és emellett általában további kapcsa(i) is van(nak). Ilyen BiMOS kapcsolási elrendezésket ismertet például a 4 651 035, valamint a 4 746 814 lajstromszámú US szabadalmi leírás is, amelyek a meghajtott tranzisztor bázisa és a meghajtó oldal közé csatlakozó kiegészítő áramkör előnyős kialakításával foglalkoznak.A known alternative method of driving power switch bipolar transistors is the so-called "power switch". BiMOS circuitry where the actuator signal is duplexed to the source-gate terminals of a low-voltage MOSFET power transistor, the drive bipolar power switch transistor emitter is connected to the same MOSFET power transistor drain, and the switching power is biased to the drive power transducer. In addition, the BiMOS circuitry necessarily includes an additional, generally passive, auxiliary circuit, which has two terminals connected to the base of the bipolar power transistor and the source of the MOSFET power transistor, and generally has additional terminal (s). Such BiMOS switching arrangements are described, for example, in U.S. Patent Nos. 4,651,035 and 4,746,814, which relate to the preferred design of an auxiliary circuit between the base of a driven transistor and the drive side.

A kapcsolótranzisztor előzőekben ismertetett ismert meghajtásának előnye, hogy közös bázisú (illetve módosított közös emitterű) kapcsolásban nagyobb működési sebesség érhető el. A kikapcsolási késleltetés a töredékére csökken és általában csökkenthető a kikapcsolási veszteséget meghatározó átmeneti időszak - az ún. fali time - is. További előnyként jelentkezik a működtetéshez szükséges áramcsúcsok csökkenése a MOSFET által igényelt szintre, amely általában 1 A alatti értékeket jelent. Az ismert megoldás hátránya a MOSFET teljesítménytranzisztorok viszonylag magasabb ára, valamint az, hogy a MOSFET nagyobb lapkamérete következtében korlátot szab a miniatürizálási törekvéseknek. Magyarországon ráadásul az ezekhez való korlátozott hozzáférhetőségi lehetőség, az import miatt, további gondokat jelent.The known drive of the switching transistor as described above has the advantage that higher operating speeds can be achieved in common-base (or modified common-emitter) switching. The shut-off delay is reduced to a fraction and the transition period defining the shut-off loss - the so-called offset period - can generally be reduced. fali time - is. A further benefit is the reduction of the operating peaks to the level required by the MOSFET, which is generally below 1 A. The disadvantage of the known solution is the relatively higher price of the MOSFET power transistors and the limitation of miniaturization efforts due to the larger chip size of the MOSFET. Moreover, in Hungary, the limited access to these, due to imports, poses further problems.

A találmány célja olyan megoldás létrehozása, amellyel biztosítható a minitürizálás és amellyel az ismert megoldások hátrányai kiküszöbölhetők. A találmány további célja, hogy a kapcsolási elrendezés hagyományos fél vezetők révén megvalósítható legyen.SUMMARY OF THE INVENTION The object of the present invention is to provide a solution which can provide miniturization and eliminate the disadvantages of the known solutions. It is a further object of the present invention to provide a circuit arrangement through conventional half conductors.

Felismertük, hogy a BiMOS kapcsolási elrendezés műszaki előnyei hagyományos félvezető eszközökkel is elérhetők, azok megfelelő kapcsolása esetén. Kísérleteink során rájöttünk arra, hogy közös kollektoré kapcsolásban a kisfrekvenciás tranzisztorok is alkalmasak a MOSFET teljesítménytranzisztorokéval egyenértékű működési sebesség elérésére, szokványos értékű - 20-200 - statikus áramerősítés mellett. Az így elérhető áramerősítés következtében a fokozat már általános célú, kis teljesítményű kapcsolótranzisztorral, például 2N2219A, meghajtható. Felismertük, hogy a MOSFET ismert teljesítménytranzisztor drain kapcsa helyére meghajtó tranzisztor emitterét, a MOSFET source kapcsa helyére meghajtó tranzisztor kollektorát, a MOSFET gate kapcsa helyére pedig a meghajtó tranzisztor bázisára kollektorával csatlakozó, általános célú tranzisztor bázisát kötjük, abban az esetben a találmány elé kitűzött cél elérhető.We have discovered that the technical advantages of the BiMOS circuitry can be achieved by conventional semiconductor devices, provided they are properly connected. In our experiments, we realized that in common collector circuits, low frequency transistors are capable of achieving operating speeds equivalent to MOSFET power transistors, with a standard value of 20-200 static current amplification. As a result of the current gain achieved, the stage can now be driven by a general purpose low power switching transistor such as 2N2219A. We have now discovered that the emitter of a power transistor that drives a known MOSFET power transistor, a collector of a transistor that drives a source of a MOSFET source, and that of a general purpose transistor connected to the base of a transistor of the MOSFET gate. available.

A főáram útjában két sorbakötött meghajtott, illetve meghajtó bipoláris tranzisztort tartalmazó kapcsolóáramkört a 4 746 814 lajstromszámú US szabadalmi leírás is említ 3. igénypontjában. Az ismert megoldás szerint azonban a kapcsolót működtető vezérlőjel közvetlenül a meghajtó tranzisztor vezérlő elektródjára csatlakozik, ahol a szükséges meghajtó teljesítmény összemérhető a meghajtott tranzisztor közös emitterű kapcsolásbeli meghajtásához szükséges teljesítménynyel. Rájöttünk arra, hogy ha az ismert megoldástól eltérően a meghajtott tranzisztorral ellentétes - pnp - polaritású meghajtó tranzisztort alkalmazunk, és e két tranzisztort a főáram útjában emitterével csatlakoztatjuk egymáshoz, akkor lehetőség van a kapcsolási elrendezésnek egy harmadik tranzisztorral történő előnyös bővítésére, amely a meghajtott tranzisztorral egyező polaritású és a meghajtó tranzisztor bázisára kollektorával csatlakozik és azt közös kollektoré kapcsolásban vezérli. Találmányunk értelmében ez a kapcsolási elrendezés biztosítja a bipoláris meghajtó tranzisztor maximális kapcsolási sebességét a harmadik tranzisztor áramerősítése arányában lecsökkentett meghajtó teljesítmény felhasználása mellett.A switching circuit comprising two serially-driven drives and / or drive bipolar transistors in the main current path is also mentioned in U.S. Patent No. 4,746,814. However, it is known that the switch actuating control signal is directly connected to the drive transistor control electrode, where the required drive power is commensurate with the power required to drive the driven transistor in a common emitter circuit. We have discovered that, unlike the known solution, by using a drive transistor opposite to the driven transistor - pnp - and connecting these two transistors in the main current path by an emitter, it is possible to advantageously expand the circuit arrangement with a third transistor, which is a drive transistor polarity and is connected to the base of the drive transistor by a collector and controlled by a common collector circuit. According to the present invention, this switching arrangement provides the maximum switching speed of the bipolar drive transistor with the use of reduced drive power in proportion to the current of the third transistor.

A találmány szerinti kapcsolási elrendezéssel az ismert BiMOS kapcsolási elrendezések által biztosított előnyök hagyományos félvezető alkalmazásával olymódon érhetők el, hogy az optimális kapcsolási sebesség eléréséhez szükséges dinamikus működtető jelteljesítmény igény csökken. Felismerésünk révén az általunk alkalmazott meghajtó, valamint további harmadik tranzisztor kedvező dinamikus üzemi jellemzői biztosítják az előzőekben ismertetetteket. Közismert ugyanis, hogy a BiMOS kapcsolási elrendezésekben használatos MOSFET teljesítménytranzisztorok jelentős belső kapacitással rendelkeznek.The switching arrangement of the present invention achieves the advantages of known BiMOS switching arrangements by employing conventional semiconductor in a way that reduces the need for dynamic actuator signal power to achieve optimum switching speed. By virtue of our recognition, the drive we use and the additional third transistor provide the favorable dynamic operating characteristics described above. It is well known that MOSFET power transistors used in BiMOS circuitry have significant internal capacities.

Kísérleteket végeztünk továbbá, amelyeknek során a fenti felismerésen túlmenően az alábbi, további megállapítások tehetők: mely szerint az általános célú tranzisztor emittere közös potenciálra hozható a meghajtó tranzisztor kollektorával, de attól valamilyen áramköri elemmel el is választható; a meghajtó tran3We have also carried out experiments which, in addition to the above recognition, make the following further findings: that the emitter of a general purpose transistor can be brought to common potential with the transistor collector of the drive or separated by a circuit element; the drive is tran3

HU 202689 Β zisztor bázisára pedig további áramköri elemek csatlakoztathatók.HU 202689 Β resistor base can be connected to additional circuit elements.

A találmány tárgya kapcsolási elrendezés egyenfeszültség nagyfrekvenciás kapcsolására, amelynek meghajtott teljesítménytranzisztora és ahhoz csatlakozó meghajtó teljesítménytranzisztora van. A kapcsolási elrendezés úgy van kialakítva, hogy a meghajtó tranzisztor polaritása - előnyösen pnp - ellentétes a meghajtott tranzisztor - előnyösen npn - polaritásával és a meghajtott teljesítménytranzisztor emittere a meghajtó teljesítménytranzisztor emitterével van összekötve, a meghajtó teljesítménytranzisztor bázisára pedig harmadik, a meghajtott teljesítménytranzisztorral azonos polaritású - előnyösen npn - tranzisztor közvetlenül, vagy ellenálláson át kollektorával csatlakozik. A kapcsolási elrendezés működtető bemenete a harmadik tranzisztor bázisa és emittere között kétpontosán van kiképezve, a kapcsolt áramút pedig a meghajtott teljesítménytranzisztor kollektora és a meghajtó teljesítménytranzisztor kollektora között van elrendezve. A meghajtó teljesítménytranzisztor kollektora és a harmadik tranzisztor emittere egymással közvetlenül, vagy kis belső impedanciájú feszültségforráson és/vagy hőfokfüggő ellenálláson át csatlakozik. A meghajtott teljesítménytranzisztor bázisa és a meghajtó teljesítménytranzisztor kollektora közé, vagy a kollektorkor egy további pontja közé kondenzátor van iktatva.BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a circuit arrangement for directing a high-frequency DC voltage having a drive power transistor and a drive power transistor connected thereto. The circuit arrangement is configured such that the polarity of the drive transistor - preferably pnp - is opposite to that of the driven transistor, preferably npn, and the emitter of the drive power transistor is connected to the emitter of the drive power transistor and the power transistor is preferably an npn transistor is connected directly or via a resistor to its collector. The actuator input of the circuit arrangement is provided between the base of the third transistor and the emitter, and the switched current path is arranged between the collector of the powered power transistor and the collector of the drive power transistor. The collector of the drive power transistor and the emitter of the third transistor are connected directly to one another or via a low internal impedance voltage source and / or a temperature dependent resistor. A capacitor is inserted between the base of the driven power transistor and the collector of the drive power transistor or at a further point of the collector age.

A találmány szerinti kapcsolási elrendezés célszerű megoldása esetén diódá(ka)t tartalmaz, hogy a diódá(k) a meghajtó teljesítménytranzisztor bázisára anódjával, a meghajtott teljesítménytranzisztor bázisa pedig katódjával van kötve.In a preferred embodiment of the circuit arrangement according to the invention, the diode (s) is connected to the anode of the drive power transistor base and to the cathode of the powered power transistor base.

A kapcsolási elrendezés további célszerű megoldásánál a működtető bemenet egyik kapcsa és a harmadik tranzisztor bázisa közé illesztő hálózat van iktatva. Az illesztő hálózat a harmadik tranzisztor emitterével is össze van kötve és/vagy a hőfokfüggő ellenálláshoz csatlakozó védőáramkör kimenetére csatlakozik.In a further preferred embodiment of the circuit arrangement, an interface network is provided between one of the actuator input terminals and the base of the third transistor. The adapter network is also connected to the emitter of the third transistor and / or connected to the output of a protective circuit connected to the temperature-dependent resistor.

Előnyösen a kapcsolási elrendezés a meghajtott teljesítménytranzisztor kollektorát a meghajtó teljesítménytranzisztor bázisával összekötő, egymással sorbakapcsolt kondezátort és diódát tartalmaz, ellenállással rendelkezik, amely ellenállás az egymással sorbakapcsolt kondenzátor és dióda közös pontjára, valamint a dióda anódjára van kötve.Preferably, the circuit arrangement comprises a capacitor and diode connected in series to the drive power transistor collector and a base of the drive power transistor, having a resistor connected to a common point of the capacitor and diode connected in series and to the anode of the diode.

A találmány szerinti kapcsolási elrendezés lehetséges, példakénti megoldását a mellékelt rajz alapján ismertetjük részletesen, aholA possible exemplary embodiment of the circuit arrangement according to the invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, in which:

- az 1. ábra a kapcsolási elrendezés célszerű kiviteli alakját szemlélteti.Figure 1 illustrates a preferred embodiment of the circuit arrangement.

Az 1. ábrán látható, hogy a kapcsolási elrendezésnek meghajtott 1 teljesítménytranzisztora és ahhoz csatlakozó meghajtó 2 teljesítménytranzisztora van. A meghajtó 2 teljesítménytranzisztor polaritása - előnyösen pnp - ellentétes a meghajtott 1 teljesítménytranzisztor - előnyösen npn - polaritásával, és a meghajtott 1 teljesítménytranzisztor emittere a meghajtó 2 teljesítménytranzisztor emitterével össze van kötve. A meghajtó 2 teljesítménytranzisztor 106 bázisára harmadik, a meghajtott 1 teljesítmény tranzisztorral azonos polaritású - előnyösen npn - 3 tranzisztor közvetlenül, vagy 9 ellenálláson át kollektorával csatlakozik.Figure 1 shows that the switching arrangement has a power transistor 1 and a drive power transistor 2 connected to it. The polarity of the drive power transistor 2, preferably pnp, is opposite to the polarity of the drive power transistor 1, preferably npn, and the emitter of the drive power transistor 1 is coupled to the emitter of the drive power transistor 2. To the base 106 of the drive power transistor 2, a third transistor, preferably npn 3, having the same polarity as the drive power transistor 1, is connected directly or via a resistor 9 through a resistor.

A kapcsolási elrendezés működtető bemenete a harmadik 3 tranzisztor 101 bázisa és emittere közöttThe actuator input of the circuit arrangement is between the base 101 and the emitter of the third transistor 3

- 108 pont, 102 pont - kétpontosán van kiképezve, a kapcsolt áramút pedig a meghajtott 1 teljesítménytranzisztor 103 kollektora és a meghajtó 2 teljesítménytranzisztor 104 kollektora között van elrendezve. A meghajtó 2 teljesítménytranzisztor 104 kollektora és a harmadik 3 tranzisztor emittere egymással közvetlenül, vagy kis belső impedancidájú 11 feszültségforráson, és/vagy hőfokfüggő 18 ellenálláson át csatlakozik. A meghajtott 1 teljesítménytranzisztor 105 bázisa és a meghajtó 2 teljesítménytranzisztor 104 kollektora közé, vagy a kollektorkor egy további pontja közé, 201 kondenzátor van iktatva.- 108 points, 102 points - is provided at two points and the switched current path is arranged between the collector 103 of the driven power transistor 1 and the collector 104 of the drive power transistor 2. The collector 104 of the drive power transistor 2 and the emitter of the third transistor 3 are connected directly to one another or via a low internal impedance voltage source 11 and / or a temperature dependent resistor 18. A capacitor 201 is inserted between the base 105 of the driven power transistor 1 and the collector 104 of the drive power transistor 2, or between another point of the collector age.

A kapcsolási elrendezés célszerű megoldása esetén 8 diódá(ka)t tartalmaz, mely(ek) a meghajtó 2 teljesítménytranzisztor 106 bázisára anódjával, a meghajtott 1 teljesítmény tranzisztor 105 bázisára pedig katódjával van kötve.In a preferred embodiment of the circuit arrangement, there are 8 diode (s) connected to the anode 106 of the drive power transistor 2 and the cathode to the base 105 of the powered power transistor 1.

A kapcsolási elrendezés további célszerű megoldásánál a működtető bemenet egyik 108 pontja és a harmadik 3 tranzisztor 101 bázisa közé illesztő 13 hálózat van iktatva. Az illesztő 13 hálózat továbbá a harmadik 3 tranzisztor emitterével is össze van kötve és/vagy a hőfokfíiggő 18 ellenálláshoz csatlakozó, önmagában ismert 14 védőáramkor kimenetére csatlakozik.In a further preferred embodiment of the circuit arrangement, a network 13 is inserted between a point 108 of the actuator input and the base 101 of the third transistor 3. The matching network 13 is further connected to the emitter of the third transistor 3 and / or connected to the output of the protective current 14, which is connected to the temperature dependent resistor 18.

Előnyösen a kapcsolási elrendezés a meghajtott 1 teljesítmény tranzisztor 103 kollektorát a meghajtó 2 teljesítménytranzisztor 106 bázisával összekötő, egymással sorbakpcsolt 5 kondenzátort és 6 diódát tartalmaz. Kisütő 7 ellenállással rendelkezik, amely 7 ellenállás az egymással sorbakapcsolt 5 kondenzátor és 6 dióda közös pontjára, valamint a 8 dióda anódjára van kötve.Preferably, the switching arrangement comprises a capacitor 5 and a diode 6 connected in series to the collector 103 of the drive power transistor 1 and the base 106 of the drive power transistor 2. The discharge has a resistor 7 which is connected to the common point of the capacitor 5 and the diode 6 connected in series with each other and to the anode of the diode 8.

A 201 kondenzátor részét képezheti egy önmagában ismert 12 kiegészítő áramkörnek, amelyhez a hőfokfüggő 18 ellenállás és a kis belső impedanciájú 11 feszültségforrás közé csatlakoztatott, szintén önmagában ismert 15 meghajtó eszköz van kötve. Az ábra szerint ez például áramváltó transzformátor is lehet.The capacitor 201 may form part of an auxiliary circuit 12 known per se, to which a drive means 15, also known per se, is connected between the temperature dependent resistor 18 and the low internal impedance voltage source 11. According to the figure, for example, it may be a current transformer.

A találmány szerinti kapcsolási elrendezés a 108, 102 pontokból kiképzett kétpontos, működtető bemenetre kapcsolt feszültség hatására működteti a meghajtott 1 teljesítménytranzisztor 103 kollektora és a meghajtó 2 teljesítménytranzisztor 104 kollektora közötti áramutat.The switching arrangement according to the invention operates the current path between the collector 103 of the driven power transistor 1 and the collector 104 of the power transistor 2 by applying a voltage to the actuator input 1 formed from the points 108, 102.

A találmány szerinti megoldás az ismert BiMOS kapcsolási elrendezésekkel szemben nemcsak kis helyigénye miatt előnyösebb, hanem gazdaságilag is olcsóbban megvalósítható. A meghajtó 2 teljesítménytranzisztor ugyanis egy azonos áramú MOSFET .teljesítménytranzisztomál jóval olcsóbb, a harmadik 3 tranzisztornak megfelelő teljesítményerősítő fokozatra pedig az ismert BiMOS kapcsolási elrendzésnél szükség van, mégpedig a nagyobb, - ráadásul váltakozó polaritású - dinamikus jelteljesítmény igény miatt. A találmány szerinti kapcsolási elrendezés tehát az optimális kapcsolási sebesség elérését hagyományos félvezető eszközök révén olymódon éri el, hogy közben az ahhoz szükséges dinamikus működtető jelteljesítmény igény csökken.The present invention is advantageous over known BiMOS circuitry not only because of its small space requirement, but also economically feasible. The drive power transistor 2 is a much cheaper MOSFET power transistor of the same current, and the power amplifier stage corresponding to the third transistor 3 is needed in the known BiMOS switching arrangement due to the need for a higher dynamic signal power of alternating polarity. Thus, the circuit arrangement of the present invention achieves optimum switching speed by conventional semiconductor devices while reducing the need for the required dynamic actuator signal power.

Claims

PATENT CLAIMS

A circuit arrangement for directing a high-frequency dc voltage having a drive power transistor and a drive power transistor connected thereto, characterized in that:

EN 202689 Β the polarity of the drive power transistor (2) is preferably pnp - opposite to the polarity of the powered power transistor (1) - preferably npn - and the emitter of the drive power transistor (1) is connected to the emitter of the drive power transistor (2) to its base (106) is connected directly or via a resistor (9) to a collector of a third transistor (3) having the same polarity as the power transistor (1), the actuator input being duplexed between the base (101) and emitter of the third transistor and the switched current path is arranged between the collector (103) of the driven power transistor (1) and the collector (104) of the transistor power transistor (2), the emitter of the power transistor (2) and the emitter of the third transistor (3) directly, or on a source of low internal impedance (11), and / or via a temperature-dependent resistor (18), a capacitor (201) is inserted between the base (105) of the power transistor (1) and the collector (104) of the power transistor (2), or a further point of the collector.

The circuit arrangement according to claim 1, characterized in that it comprises diode (s) (8) which are anode on the base (106) of the drive power transistor (2), on the base (105) of the powered power transistor (1). and is connected to its cathode.

The switching arrangement according to claim 1 or 2, characterized in that an interface (13) is inserted between a point (108) of the actuator input and the base (101) of the third transistor (3), which is the transistor (3). 3) is also connected to an emitter and / or to the output of a protective current (14) which is connected to the temperature-dependent resistor (18).

Circuit arrangement according to claim 2 or 3, characterized in that a capacitor (5) and a diode (6) are connected in series to the collector (103) of the power transistor (1) connected to the base (106) of the power transistor (2). ), having a discharge resistor (7) connected to a common point of the capacitor (5) and the diode (6) connected in series with each other and to the anode of the diode (s) (8).