FR85366E - Procédé de fabrication de diodes tunnel - Google Patents
Procédé de fabrication de diodes tunnelInfo
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- H—ELECTRICITY
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR959105A FR85366E (fr) | 1963-12-31 | 1963-12-31 | Procédé de fabrication de diodes tunnel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR959105A FR85366E (fr) | 1963-12-31 | 1963-12-31 | Procédé de fabrication de diodes tunnel |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR85366E true FR85366E (fr) | 1965-07-30 |
Family
ID=8820110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR959105A Expired FR85366E (fr) | 1963-12-31 | 1963-12-31 | Procédé de fabrication de diodes tunnel |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| FR (1) | FR85366E (fr) |
-
1963
- 1963-12-31 FR FR959105A patent/FR85366E/fr not_active Expired
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