FR3117654A1 - Image acquisition device - Google Patents
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Classifications
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Abstract
Dispositif d'acquisition d'images La présente description concerne un dispositif d'acquisition d'images comprenant un empilement comportant : un capteur d'images organique (19) ; un filtre angulaire (21) ; un système d'éclairement (23) ; et un écran à cristaux liquides (25). Figure pour l'abrégé : Fig. 2 Image acquisition device The present description relates to an image acquisition device comprising a stack comprising: an organic image sensor (19); an angle filter (21); a lighting system (23); And a liquid crystal screen (25). Figure for abstract: Fig. 2
Description
La présente description concerne de façon générale les dispositifs d'acquisition d'images et, plus particulièrement, les systèmes biométriques d'acquisition d'images d'empreintes digitales.The present description relates generally to image acquisition devices and, more particularly, to biometric systems for acquiring fingerprint images.
Les systèmes d'acquisition d'images d'empreintes digitales sont utilisés dans de nombreux domaines afin, par exemple, de sécuriser des appareils, sécuriser des bâtiments, contrôler des accès ou contrôler l'identité d'individus.Fingerprint image acquisition systems are used in many fields in order, for example, to secure devices, secure buildings, control access or control the identity of individuals.
Les contrôles biométriques effectués par des systèmes d'acquisition d'images se démocratisent pour protéger au mieux l'accès à des données, des informations, des lieux.Biometric checks carried out by image acquisition systems are becoming more democratic in order to best protect access to data, information and places.
Il existe un besoin d'améliorer les systèmes biométriques d'acquisition d'images.There is a need to improve biometric image acquisition systems.
Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des systèmes biométriques d'acquisition d'images connus.One embodiment overcomes all or part of the drawbacks of known biometric image acquisition systems.
Un mode de réalisation prévoit un dispositif d'acquisition d'images comprenant un empilement comportant :
un capteur d'images organique ;
un filtre angulaire ;
un système d'éclairement ; et
un écran à cristaux liquides.One embodiment provides an image acquisition device comprising a stack comprising:
an organic image sensor;
an angular filter;
a lighting system; And
a liquid crystal display.
Selon un mode de réalisation, le système d'éclairement comprend une diode électroluminescente organique.According to one embodiment, the lighting system comprises an organic light-emitting diode.
Selon un mode de réalisation, le système d'éclairement comprend une couche guide d'onde à laquelle est associée latéralement une ou plusieurs diodes électroluminescentes.According to one embodiment, the lighting system comprises a waveguide layer with which is laterally associated one or more light-emitting diodes.
Selon un mode de réalisation, la ou les diodes électroluminescentes sont adaptées à émettre un rayonnement dans le visible et/ou l'infrarouge.According to one embodiment, the light-emitting diode or diodes are adapted to emit radiation in the visible and/or the infrared.
Selon un mode de réalisation, l'écran à cristaux liquides comporte une couche de cristaux liquides, des électrodes, des polariseurs et une couche comprenant des transistors en couches minces.According to one embodiment, the liquid crystal screen comprises a layer of liquid crystals, electrodes, polarizers and a layer comprising thin film transistors.
Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend un ou des filtres de couleurs.According to one embodiment, the device comprises one or more color filters.
Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend un panneau tactile.According to one embodiment, the device comprises a touch panel.
Un mode de réalisation prévoit un procédé d'acquisition d'une image, par le dispositif d'acquisition d'images tel que décrit ci-avant, comprenant les étapes successives suivantes :
- mise sous tension du système d'éclairement ;
- affichage d'une image sur l'écran à cristaux liquides ;
- suppression de l'affichage de l'information sur l'écran à cristaux liquides ; et
- acquisition d'une image.
- switching on the lighting system;
- displaying an image on the liquid crystal screen;
- elimination of the display of information on the liquid crystal screen; And
- acquiring an image.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend comprenant une étape e) de détection de la présence d'au moins un doigt d'un utilisateur par le dispositif, l'étape e) étant réalisée entre l'étape b) et l'étape c) ou avant l'étape a).According to one embodiment, the method comprises comprising a step e) of detecting the presence of at least one finger of a user by the device, step e) being carried out between step b) and step c) or before step a).
Selon un mode de réalisation, l'étape e) est réalisée par la perturbation d'une fréquence d'oscillation.According to one embodiment, step e) is performed by disturbing an oscillation frequency.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, à une étape f), la mise hors tension de la source d'éclairement réalisée avant l'étape e).According to one embodiment, the method comprises, in a step f), the switching off of the illumination source carried out before step e).
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, après l'étape d), l'affichage sur l'écran à cristaux liquides d'une autre image informant de la bonne réalisation du procédé.According to one embodiment, the method comprises, after step d), the display on the liquid crystal screen of another image informing of the correct performance of the method.
Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles :These characteristics and advantages, as well as others, will be set out in detail in the following description of particular embodiments given on a non-limiting basis in relation to the attached figures, among which:
la
la
la
la
la
la
la
De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques.The same elements have been designated by the same references in the various figures. In particular, the structural and/or functional elements common to the various embodiments may have the same references and may have identical structural, dimensional and material properties.
Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, l'unité de traitement des images du système n'a pas été détaillée.For the sake of clarity, only the steps and elements useful for understanding the embodiments described have been represented and are detailed. In particular, the image processing unit of the system has not been detailed.
Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments.Unless otherwise specified, when reference is made to two elements connected together, this means directly connected without intermediate elements other than conductors, and when reference is made to two elements connected (in English "coupled") between them, this means that these two elements can be connected or be linked through one or more other elements.
Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures.In the following description, when referring to absolute position qualifiers, such as "front", "rear", "up", "down", "left", "right", etc., or relative, such as the terms "above", "below", "upper", "lower", etc., or to qualifiers of orientation, such as the terms "horizontal", "vertical", etc., it reference is made unless otherwise specified to the orientation of the figures.
Dans la suite de la description, sauf précision contraire, une couche ou un film est dit opaque à un rayonnement lorsque la transmittance du rayonnement au travers de la couche ou du film est inférieure à 10 %. Dans la suite de la description, une couche ou un film est dit transparent à un rayonnement lorsque la transmittance du rayonnement au travers de la couche ou du film est supérieure à 10 %, de préférence, supérieure à 50 %. Selon un mode de réalisation, pour un même système optique, tous les éléments du système optique qui sont opaques à un rayonnement ont une transmittance qui est inférieure à la moitié, de préférence inférieure au cinquième, plus préférentiellement inférieure au dixième, de la transmittance la plus faible des éléments du système optique transparents audit rayonnement. Dans la suite de la description, on appelle "rayonnement utile" le rayonnement électromagnétique traversant le système optique en fonctionnement.In the rest of the description, unless otherwise specified, a layer or a film is said to be opaque to radiation when the transmittance of the radiation through the layer or the film is less than 10%. In the rest of the description, a layer or a film is said to be transparent to radiation when the transmittance of the radiation through the layer or the film is greater than 10%, preferably greater than 50%. According to one embodiment, for the same optical system, all the elements of the optical system which are opaque to radiation have a transmittance which is less than half, preferably less than a fifth, more preferably less than a tenth, of the transmittance the weakest of the elements of the optical system transparent to said radiation. In the remainder of the description, the term "useful radiation" is used to refer to the electromagnetic radiation passing through the optical system in operation.
Dans la suite de la description, on appelle "élément optique de taille micrométrique" un élément optique formé sur une face d'un support dont la dimension maximale, mesurée parallèlement à ladite face, est supérieure à 1 µm et inférieure à 1 mm.In the remainder of the description, the term “optical element of micrometric size” is used to refer to an optical element formed on one face of a support whose maximum dimension, measured parallel to said face, is greater than 1 μm and less than 1 mm.
Des modes de réalisation de systèmes optiques vont maintenant être décrits pour des systèmes optiques comprenant une matrice d'éléments optiques à taille micrométrique dans le cas où chaque élément optique à taille micrométrique correspond à une lentille à taille micrométrique, ou microlentille, composée de deux dioptres. Toutefois, il est clair que ces modes de réalisation peuvent également être mis en oeuvre avec d'autres types d'éléments optiques de taille micrométrique, chaque élément optique de taille micrométrique pouvant correspondre, par exemple, à une lentille de Fresnel de taille micrométrique, à une lentille à gradient d'indice de taille micrométrique ou à un réseau de diffraction de taille micrométrique.Embodiments of optical systems will now be described for optical systems comprising a matrix of micrometric-sized optical elements in the case where each micrometric-sized optical element corresponds to a micrometric-sized lens, or microlens, composed of two dioptres . However, it is clear that these embodiments can also be implemented with other types of optical elements of micrometric size, each optical element of micrometric size being able to correspond, for example, to a Fresnel lens of micrometric size, to a micron-sized gradient index lens or to a micron-sized diffraction grating.
Dans la suite de la description, on appelle lumière visible un rayonnement électromagnétique dont la longueur d'onde est comprise entre 400 nm et 700 nm, et, dans cette plage, lumière rouge un rayonnement électromagnétique dont la longueur d'onde est comprise entre 600 nm et 700 nm. On appelle rayonnement infrarouge un rayonnement électromagnétique dont la longueur d'onde est comprise entre 700 nm et 1 mm. Dans le rayonnement infrarouge, on distingue notamment le rayonnement infrarouge proche dont la longueur d'onde est comprise entre 700 nm et 1,7 μm.In the rest of the description, visible light is called electromagnetic radiation whose wavelength is between 400 nm and 700 nm, and, in this range, red light is electromagnetic radiation whose wavelength is between 600 nm and nm and 700 nm. Infrared radiation is electromagnetic radiation with a wavelength between 700 nm and 1 mm. In infrared radiation, a distinction is made in particular between near infrared radiation, the wavelength of which is between 700 nm and 1.7 μm.
Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près.Unless specified otherwise, the expressions “about”, “approximately”, “substantially”, and “of the order of” mean to within 10%, preferably within 5%.
Sauf précision contraire, les expressions "l'ensemble des éléments", "tous les éléments", "chaque élément", signifient entre 95 % et 100 % des éléments.Unless specified otherwise, the expressions “all the elements”, “all the elements”, “each element”, mean between 95% and 100% of the elements.
Sauf précision contraire, l'expression "il comprend uniquement les éléments" signifie qu'il comprend, à au moins 90 % les éléments, de préférence qu'il comprend à au moins 95 % les éléments.Unless otherwise specified, the expression "it comprises only the elements" means that it comprises, at least 90% of the elements, preferably that it comprises at least 95% of the elements.
La
Le système d'acquisition d'images, illustré en
un dispositif d'acquisition d'images 11 (DEVICE) ; et
une unité de traitement 13 (PU).The image acquisition system, illustrated in
an image acquisition device 11 (DEVICE); And
a processing unit 13 (PU).
L'unité de traitement 13 comprend, de préférence, des moyens de traitement des signaux fournis par le dispositif 11, non représentés en
Le dispositif 11 et l'unité de traitement 13 sont, de préférence, reliés par une liaison 15. Le dispositif 11 et l'unité de traitement 13 sont, par exemple, intégrés dans un même circuit.The device 11 and the processing unit 13 are preferably connected by a link 15. The device 11 and the processing unit 13 are, for example, integrated in the same circuit.
Selon un mode de réalisation, non représenté, le système d'acquisition d'images 11 comprend une batterie permettant l'alimentation électrique du dispositif d'acquisition d'images 11 et de l'unité de traitement 13.According to one embodiment, not shown, the image acquisition system 11 comprises a battery allowing the electrical supply of the image acquisition device 11 and of the processing unit 13.
La
Plus particulièrement, la
Le dispositif d'acquisition d'images 17, illustré en
Le dispositif d'acquisition d'images 17 comprend de bas en haut en
un capteur d'images organique 19 (SENSOR) ;
un filtre angulaire 21 (ANGULAR FILTER) ;
un système d'éclairement 23 (OLED PANEL) ; et
l'écran LCD 25 ,
le capteur d'images organique 19, le filtre angulaire 21 et le système d'éclairement 23 définissant un module d'imagerie et l'écran à cristaux liquides 25 permettant de pixéliser à la demande l'information transmise.The image acquisition device 17 comprises from bottom to top
an organic image sensor 19 (SENSOR);
an angular filter 21 (ANGULAR FILTER);
an illumination system 23 (OLED PANEL); And
the LCD screen 25 ,
the organic image sensor 19, the angular filter 21 and the illumination system 23 defining an imaging module and the liquid crystal screen 25 making it possible to pixelate the information transmitted on demand.
Selon un mode de réalisation, non représenté, le dispositif 17 comprend un ou des filtres de couleurs.According to one embodiment, not shown, device 17 comprises one or more color filters.
Dans la présente description, les modes de réalisation des dispositifs d'acquisition d'images des figures 2 et 3 sont représentés dans l'espace selon un repère XYZ orthogonal direct, l'axe Y du repère XYZ étant orthogonal à la face supérieure du capteur d'images 19.In the present description, the embodiments of the image acquisition devices of FIGS. 2 and 3 are represented in space according to a direct orthogonal XYZ frame, the Y axis of the XYZ frame being orthogonal to the upper face of the sensor. of pictures 19.
Le filtre angulaire 21 recouvre, de préférence, l'ensemble de la face supérieure du capteur d'images 19. Le système d'éclairement 23 recouvre, de préférence, la face supérieure du filtre angulaire 21 et l'écran LCD 25 recouvre, de préférence, l'ensemble de la face supérieure du système d'éclairement 23.The angular filter 21 preferably covers the entire upper face of the image sensor 19. The illumination system 23 preferably covers the upper face of the angular filter 21 and the LCD screen 25 covers, preferably, the whole of the upper face of the lighting system 23.
Le capteur d'images 19 est adapté à capter des images dont sont extraites des informations relatives aux veines et à l'empreinte digitale d'un doigt 26 d'un utilisateur du dispositif 17, lorsque le doigt est situé au-dessus de la face supérieure du dispositif 17. L'extraction de ces informations, à partir d'une image acquise par le capteur d'images 19, est réalisée par l'unité de traitement illustrée en
Le capteur d'images 19 est un capteur à photodétecteurs ou photodiodes organiques (OPD, Organic Photodiode). Les photodiodes sont, par exemple, intégrées sur un substrat à transistors MOS (Metal Oxide Semiconductor, semiconducteur oxyde métal), un substrat à transistors en couches minces (TFT ou Thin-Film Transistor) ou un substrat à transistors organiques. Le substrat est par exemple en silicium, de préférence en silicium monocristallin. Le substrat est, par exemple, un substrat flexible. Les régions de canal, de source et de drain des transistors TFT sont par exemple en silicium amorphe (a-Si ou amorphous Silicon), en oxyde d'indium, de gallium, et de zinc (IGZO Indium Gallium Zinc Oxide) ou en silicium polycristallin basse température (LTPS ou Low Temperature Polycrystalline Silicon). Les photodiodes du capteur d'images 19 comprennent, par exemple, un mélange de polymères semiconducteurs organiques comme le poly (3-hexylthiophène) ou le poly(3-hexylthiophène-2,5-diyl), connu sous la dénomination P3HT, mélangé avec le [6,6]-phényl-C61-butanoate de méthyle (semiconducteur de type N), connu sous la dénomination PCBM. Les photodiodes du capteur d'images 19 comprennent, par exemple, des petites molécules, c'est-à-dire des molécules ayant des masses molaires inférieures à 500 g/mol, de préférence, inférieures à 200 g/mol.The image sensor 19 is a sensor with photodetectors or organic photodiodes (OPD, Organic Photodiode). The photodiodes are, for example, integrated on a substrate with MOS transistors (Metal Oxide Semiconductor, metal oxide semiconductor), a substrate with thin-film transistors (TFT or Thin-Film Transistor) or a substrate with organic transistors. The substrate is for example made of silicon, preferably of monocrystalline silicon. The substrate is, for example, a flexible substrate. The channel, source and drain regions of TFT transistors are for example made of amorphous silicon (a-Si or amorphous Silicon), of indium, gallium and zinc oxide (IGZO Indium Gallium Zinc Oxide) or of silicon low temperature polycrystalline (LTPS or Low Temperature Polycrystalline Silicon). The photodiodes of the image sensor 19 comprise, for example, a mixture of organic semiconductor polymers such as poly(3-hexylthiophene) or poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl), known under the name P3HT, mixed with methyl [6,6]-phenyl-C61-butanoate (N-type semiconductor), known under the name PCBM. The photodiodes of the image sensor 19 comprise, for example, small molecules, that is to say molecules having molar masses of less than 500 g/mol, preferably less than 200 g/mol.
Le filtre angulaire 21 est adapté à filtrer le rayonnement incident en fonction de l'incidence du rayonnement par rapport à l'axe Y.The angular filter 21 is adapted to filter the incident radiation according to the incidence of the radiation with respect to the Y axis.
Selon un mode de réalisation, le filtre angulaire 21 correspond à un empilement d'un réseau de lentilles et d'une matrice de trous et/ou à un filtre passe haut ou passe bande spécifique à certaines longueurs d'ondes, et/ou à un ou plusieurs polariseurs.According to one embodiment, the angular filter 21 corresponds to a stack of an array of lenses and a matrix of holes and/or to a high pass or band pass filter specific to certain wavelengths, and/or to one or more polarizers.
Par exemple, le filtre angulaire 21 est, plus particulièrement, adapté à ce que le capteur d'images 19 reçoive seulement les rayons dont les incidences respectives par rapport à l'axe Y sont inférieures à une incidence maximale inférieure à 45°, de préférence inférieure à 30°, plus préférentiellement inférieure à 10°, encore plus préférentiellement inférieure à 4°. Le filtre angulaire 21 est adapté à bloquer les rayons du rayonnement incident dont les incidences respectives par rapport à l'axe Y sont supérieures à l'incidence maximale.For example, the angular filter 21 is, more particularly, adapted so that the image sensor 19 only receives the rays whose respective incidences relative to the Y axis are less than a maximum incidence of less than 45°, preferably less than 30°, more preferably less than 10°, even more preferably less than 4°. The angular filter 21 is adapted to block the rays of the incident radiation whose respective incidences with respect to the Y axis are greater than the maximum incidence.
Selon le mode de réalisation illustré en
En
Selon le mode de réalisation illustré en
une couche de cristaux liquides 27 (LC LAYER) ;
deux électrodes situées de part et d'autre de la couche 27, l'une des électrodes 29T (T. ELECTRODE), dite électrode haute, étant située sur la face supérieure de la couche 27 et l'autre des électrodes 29B (B. ELECTRODE), dite électrode basse, étant située sur la face inférieure de la couche 27 ;
une couche 31 de transistors en couches minces (TFT, Thin-Film Transistor) permettant de contrôler et commander le courant électrique qui traverse les électrodes 29B, 29T, la couche 31 étant, de préférence, située sur la face inférieure de l'électrode basse 29B ;
deux polariseurs situés de part et d'autre de la structure définie par les électrodes 29B, 29T, la couche 27 et la couche 31, l'un des polariseurs 33T (T. POLARIZER) dit polariseur haut ou analyseur, étant situé sur la face supérieure de l'électrode haute 29T et l'autre des polariseurs 33B (B. POLARIZER), dit polariseur bas, étant situé sur la face inférieure de la couche 31 ; et
deux couches 35B et 35T d'alignement (AL), situées respectivement entre la couche 27 et l'électrode basse 29B et entre la couche 27 et l'électrode haute 29T.According to the embodiment illustrated in
a layer of liquid crystals 27 (LC LAYER);
two electrodes located on either side of layer 27, one of electrodes 29T (T. ELECTRODE), called the top electrode, being located on the upper face of layer 27 and the other of electrodes 29B (B. ELECTRODE), called the bottom electrode, being located on the underside of the layer 27;
a layer 31 of thin-film transistors (TFT, Thin-Film Transistor) making it possible to control and command the electric current which passes through the electrodes 29B, 29T, the layer 31 being, preferably, located on the lower face of the lower electrode 29B;
two polarizers located on either side of the structure defined by the electrodes 29B, 29T, the layer 27 and the layer 31, one of the polarizers 33T (T. POLARIZER) called top polarizer or analyzer, being located on the face top of the top electrode 29T and the other of the polarizers 33B (B. POLARIZER), called the bottom polarizer, being located on the underside of the layer 31; And
two alignment layers 35B and 35T (AL), located respectively between layer 27 and bottom electrode 29B and between layer 27 and top electrode 29T.
Les électrodes 29T et 29B sont, par exemple, réalisées à base d'un ou plusieurs oxydes métalliques comme l'oxyde d'indium dopé à l'étain (ITO, Indium Tin Oxide), le trioxyde de molybdène (MoO3), l'oxyde de zinc dopé à l'aluminium (AZO), l'oxyde de zinc (ZnO), et/ou d'un ou plusieurs métaux comme l'aluminium, l'argent ou le cuivre et/ou de graphène et/ou de nanofils d'argent. Les électrodes 29T et 29B ont, de préférence, chacune une épaisseur suffisamment faible pour être transparentes. Les électrodes 29T et 29B ont, par exemple, chacune une épaisseur comprise entre 5 nm et 500 nm, de préférence, entre 50 nm et 200 nm. Les électrodes 29T et 29B peuvent, par exemple, être mises à des potentiels différents afin de produire un champ électrique à travers la couche 27.The electrodes 29T and 29B are, for example, made from one or more metal oxides such as indium oxide doped with tin (ITO, Indium Tin Oxide), molybdenum trioxide (MoO3), zinc oxide doped with aluminum (AZO), zinc oxide (ZnO), and/or one or more metals such as aluminum, silver or copper and/or graphene and/or silver nanowires. The electrodes 29T and 29B preferably each have a sufficiently small thickness to be transparent. The electrodes 29T and 29B each have, for example, a thickness of between 5 nm and 500 nm, preferably between 50 nm and 200 nm. The electrodes 29T and 29B can, for example, be put at different potentials in order to produce an electric field through the layer 27.
A titre d'exemple, une couche de filtres de couleurs, non représentée, est située entre l'électrode 29T et le polariseur 33T.By way of example, a layer of color filters, not shown, is located between electrode 29T and polarizer 33T.
De préférence, au moins l'une des deux électrodes 29T ou 29B est pixelisée selon une matrice de sorte que l'écran LCD 25 soit pixelisé selon cette même matrice. Par exemple, l'électrode 29B est pixelisée.Preferably, at least one of the two electrodes 29T or 29B is pixelated according to a matrix so that the LCD screen 25 is pixelated according to this same matrix. For example, electrode 29B is pixelated.
La couche 27 est composée de cristaux liquides nématiques qui peuvent s'arranger, de préférence, en hélice. Les cristaux liquides constituant la couche 27 ont, par exemple, la propriété de s'arranger parallèlement à un champ électrique qui traverse la couche 27 (c'est-à-dire parallèlement à l'axe Y) ou perpendiculairement à l'axe Y au repos (c'est-à-dire pour un champ électrique nul).Layer 27 is composed of nematic liquid crystals which can preferably be arranged in a helix. The liquid crystals constituting the layer 27 have, for example, the property of being arranged parallel to an electric field which crosses the layer 27 (that is to say parallel to the Y axis) or perpendicular to the Y axis. at rest (i.e. for a zero electric field).
Les cristaux liquides de la couche 27 peuvent être du N-(4-méthoxybenzylidène)-4-butylaniline (MBBA), être issus du cholestérol ou être des dérivés des cyanobiphènyles ou des cyanophènylcyclohexanes et plus généralement tout matériau adapté à la formation de cristaux liquides. La couche 27 de cristaux liquides a, par exemple, une épaisseur comprise entre 2 µm et 30 µm, de préférence, entre 5 µm et 20 µm.The liquid crystals of layer 27 can be N-(4-methoxybenzylidene)-4-butylaniline (MBBA), be derived from cholesterol or be derivatives of cyanobiphenyls or cyanophenylcyclohexanes and more generally any material suitable for the formation of liquid crystals . Layer 27 of liquid crystals has, for example, a thickness comprised between 2 μm and 30 μm, preferably between 5 μm and 20 μm.
Les couches 35B et 35T ont pour but d'amorcer l'alignement des molécules de cristaux liquides. En d'autres termes, la couche 35B permet d'orienter les molécules de cristaux liquides situées dans son voisinage dans une première direction et la couche 35T permet d'orienter les molécules de cristaux liquides situées dans son voisinage dans une deuxième direction différente de la première direction, de préférence perpendiculaire à la première direction.The purpose of the layers 35B and 35T is to initiate the alignment of the liquid crystal molecules. In other words, layer 35B makes it possible to orient the liquid crystal molecules located in its vicinity in a first direction and layer 35T makes it possible to orient the liquid crystal molecules located in its vicinity in a second direction different from the first direction, preferably perpendicular to the first direction.
Les couches 35B et 35T sont, selon un mode de réalisation, réalisées en polymère organique, par exemple à base de polyimide (PI) ou de polydiméthylsiloxane (PDMS) dans lequel des sillons ont été créés. On parle alors de polymère frotté. Les molécules présentes dans la couche 27 auront alors tendance à s’aligner selon la direction des sillons. Les couches 35B et 35T ont, par exemple, chacune une épaisseur comprise entre 100 nm et 30 µm, de préférence, comprise entre 500 nm et 25 µm. Les sillons formés dans la couche 35T sont alors parallèles au polariseur 33T et les sillons formés dans la couche 35B sont alors parallèles au polariseur 33B.Layers 35B and 35T are, according to one embodiment, made of organic polymer, for example based on polyimide (PI) or polydimethylsiloxane (PDMS) in which grooves have been created. We then speak of rubbed polymer. The molecules present in layer 27 will then tend to line up in the direction of the grooves. Layers 35B and 35T each have, for example, a thickness comprised between 100 nm and 30 μm, preferably comprised between 500 nm and 25 μm. The grooves formed in layer 35T are then parallel to polarizer 33T and the grooves formed in layer 35B are then parallel to polarizer 33B.
Les couches 35B et 35T sont, selon un mode de réalisation préféré, réalisées à base de matériaux non-organiques comme la silice. De préférence, les couches 35B et 35T sont réalisées à base d'oxydes de silicium SiOx, par exemple de dioxyde de silicium SiO2. Le matériau des couches 35B et 35T est, par exemple, déposé respectivement sur la face supérieure de l'électrode basse 29B et la face inférieure de l'électrode haute 29T par pulvérisation sous-vide. Les couches 35B et 35T ont, par exemple, chacune une épaisseur nanométrique, c'est-à-dire une épaisseur comprise entre 5 nm et 100 nm, de préférence, comprise entre 10 nm et 50 nm.Layers 35B and 35T are, according to a preferred embodiment, made from non-organic materials such as silica. Preferably, layers 35B and 35T are made from silicon oxide SiO x , for example silicon dioxide SiO 2 . The material of the layers 35B and 35T is, for example, deposited respectively on the upper face of the lower electrode 29B and the lower face of the upper electrode 29T by vacuum spraying. Layers 35B and 35T each have, for example, a nanometric thickness, that is to say a thickness comprised between 5 nm and 100 nm, preferably comprised between 10 nm and 50 nm.
En variante, les couches 35B et 35T sont réalisées à base de matériaux organiques dont l'alignement des molécules est photo-induit, c'est-à-dire que les couches organiques sont photo-alignées à l'aide d'une lumière UV polarisée. En variante, les couche organiques sont réalisées par moulage (molding).As a variant, the layers 35B and 35T are made from organic materials whose alignment of the molecules is photo-induced, that is to say the organic layers are photo-aligned using UV light. polarized. As a variant, the organic layers are produced by molding.
Les deux polariseurs 33T et 33B sont des polariseurs linéaires croisés, c'est-à-dire qu'ils ont respectivement une polarisation dans une première direction que nous appellerons par la suite polarisation horizontale et dans une deuxième direction, de préférence orthogonale à la première direction, que nous appellerons par la suite polarisation verticale. Le polariseur haut 33T polarise, selon le mode de réalisation illustré en
Les pixels de l'écran LCD 25 sont contrôlés séparément. Chaque pixel est notamment contrôlé par un ou plusieurs transistors présents dans la couche 31. Au repos, c'est-à-dire lorsque les électrodes 29T et 29B d'un même pixel sont au même potentiel, les molécules de cristaux liquides forment entre la couche 35B et la couche 35T une hélice ayant un angle de rotation de 90°. Les molécules de cristaux liquides situées au voisinage de la couche 35T sont orientés selon la deuxième direction et les molécules de cristaux liquides situées au voisinage de la couche 35B sont orientés selon la première direction. La lumière non polarisée émise par le système d'éclairement 23, traverse le polariseur 33B et devient polarisée. En sortie du polariseur 33B, la lumière passe à travers la couche de cristaux liquide 27 et voit sa polarisation changée de 90°. En sortie de la couche de cristaux liquide 27, la lumière a une polarisation alignée avec le polariseur 33T.The LCD 25 pixels are controlled separately. Each pixel is in particular controlled by one or more transistors present in layer 31. At rest, that is to say when the electrodes 29T and 29B of the same pixel are at the same potential, the liquid crystal molecules form between the layer 35B and layer 35T a helix having an angle of rotation of 90°. The liquid crystal molecules located in the vicinity of layer 35T are oriented in the second direction and the liquid crystal molecules located in the vicinity of layer 35B are oriented in the first direction. The unpolarized light emitted by the illumination system 23 passes through the polarizer 33B and becomes polarized. At the output of the polarizer 33B, the light passes through the layer of liquid crystals 27 and sees its polarization changed by 90°. At the output of the liquid crystal layer 27, the light has a polarization aligned with the polarizer 33T.
Lorsque les électrodes 29T et 29B d'un même pixel ne sont pas au même potentiel, les cristaux liquides tendent à s'orienter, dans toute l'épaisseur de la couche 27, parallèlement au champ électrique créé entre les deux électrodes 29T et 29B. La lumière non polarisée émise par le système d'éclairement 23, traverse donc le polariseur bas 33B et la couche 27 mais est bloquée par le polariseur haut 33T. La lumière non polarisée émise par le système d'éclairement 23, ne traverse donc pas l'écran LCD 25.When the electrodes 29T and 29B of the same pixel are not at the same potential, the liquid crystals tend to orient themselves, throughout the thickness of the layer 27, parallel to the electric field created between the two electrodes 29T and 29B. The unpolarized light emitted by the illumination system 23 therefore passes through the bottom polarizer 33B and the layer 27 but is blocked by the top polarizer 33T. The non-polarized light emitted by the illumination system 23 therefore does not pass through the LCD screen 25.
L'affichage d'une image sur l'écran LCD 25 résulte de l'activation de certains des pixels de l'écran LCD 25. En effet, certains des pixels de l'écran LCD 25, par le passage d'un champ électrique au sein de la couche 27 apparaitront noirs tandis que d'autres laisseront passer le rayonnement émis par le système d'éclairement 23. L'ensemble de ces pixels forme un texte ou des symboles.The display of an image on the LCD screen 25 results from the activation of some of the pixels of the LCD screen 25. Indeed, some of the pixels of the LCD screen 25, by the passage of an electric field within the layer 27 will appear black while others will allow the radiation emitted by the illumination system 23 to pass. All of these pixels form a text or symbols.
Le dispositif 17 comprend, selon le mode de réalisation illustré en
Selon le mode de réalisation illustré en
Selon un mode de réalisation non représenté, la couche de protection 41 est une couche en plastique choisi parmi du polytéréphtalate d'éthylène (PET), du poly(naphtalate d'éthylène) (PEN), un polymère d’oléfinecyclique (COP) et du polyimide (PI) ou une couche en un matériau inorganique choisi parmi du nitrure de silicium (SiN), du dioxyde de silicium (SiO2) déposés par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, plasma-enhanced chemical vapor deposition) ou par dépôt physique en phase vapeur (PVD, physical vapor deposition) ou une couche en une colle époxy ou acrylate.According to an embodiment not shown, the protective layer 41 is a plastic layer chosen from polyethylene terephthalate (PET), poly(ethylene naphthalate) (PEN), a cyclic olefin polymer (COP) and polyimide (PI) or a layer of an inorganic material chosen from silicon nitride (SiN), silicon dioxide (SiO 2 ) deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD, plasma-enhanced chemical vapor deposition) or by physical vapor deposition (PVD, physical vapor deposition) or a layer of an epoxy or acrylate glue.
Selon un mode de réalisation non représenté en
Selon un mode de réalisation non représenté en
La
Plus particulièrement, le dispositif d'acquisition d'images 43 illustré en
La couche guide d'onde 45 recouvre, de préférence, l'empilement du capteur d'images 19, du filtre angulaire 21 et de l'écran LCD 25. Les LED 47 sont elles, par exemple, couplées latéralement à la couche 45 et sont, par exemple, situées hors de l'aplomb, selon la direction Y, de l'empilement du capteur d'images 19, du filtre angulaire 21 et de la couche 45. Selon un mode de réalisation, les LED sont couplées à la couche guide d'onde 45 et situées sur une, deux, trois ou quatre côtés de la couche guide d'onde 45.Waveguide layer 45 preferably covers the stack of image sensor 19, angular filter 21 and LCD screen 25. LEDs 47 are, for example, laterally coupled to layer 45 and are, for example, located out of plumb, in the Y direction, with the stack of the image sensor 19, the angular filter 21 and the layer 45. According to one embodiment, the LEDs are coupled to the waveguide layer 45 and located on one, two, three or four sides of the waveguide layer 45.
De préférence, les LED 47 peuvent être organisées en "barrettes" le long de la couche 45.Preferably, the LEDs 47 can be organized in "bars" along the layer 45.
Selon un mode de réalisation, les LED 47 sont adaptées à émettre un rayonnement dans le visible et/ou l'infrarouge.According to one embodiment, the LEDs 47 are adapted to emit radiation in the visible and/or the infrared.
La couche 45 dite couche guide d'onde comprend une structure de deux ou trois milieux d'indices de réfraction différents (non représentés en
Pour les besoins de la présente description, l'indice de réfraction d'un milieu est défini comme étant l'indice de réfraction du matériau constitutif du milieu pour la plage de longueurs d'onde du rayonnement capté par le capteur d'images. L'indice de réfraction est considéré sensiblement constant sur la plage de longueurs d'onde du rayonnement utile, par exemple égal à la moyenne de l'indice de réfraction sur la plage de longueurs d'onde du rayonnement capté par le capteur d'images.For the purposes of the present description, the refractive index of a medium is defined as being the refractive index of the material constituting the medium for the range of wavelengths of the radiation picked up by the image sensor. The refractive index is considered to be substantially constant over the range of wavelengths of the useful radiation, for example equal to the average of the index of refraction over the range of wavelengths of the radiation picked up by the image sensor .
Une couche guide d'onde est structurellement adaptée à permettre le confinement et la propagation d'ondes électromagnétiques. Les milieux sont, par exemple, arrangés sous forme d'un empilement de trois sous-couches, une couche centrale prise en sandwich entre une gaine supérieure et une gaine inférieure, les indices de réfraction des matériaux composant les gaines étant inférieurs à l'indice de réfraction du matériau composant la couche centrale, la gaine inférieure étant située du côté du capteur d'images 19. De préférence, des microstructures sont formées entre la couche centrale et la gaine inférieure. Les microstructures ont, de préférence, des formes de prismes ou de dents dont les pointes sont orientées en direction de l'objet à imager et dont les bases affleurent la face arrière de la couche centrale. Chaque microstructure a une face légèrement inclinée dans le sens de propagation de l'onde afin que l'onde propagée soit déviée et suive la géométrie de la microstructure. L'inclinaison de la face de la microstructure est, par exemple, comprise entre 5° et 80°. L'inclinaison est, de préférence, de l'ordre de 45°. Par exemple, les microstructures ne sont pas réparties uniformément le long du trajet de l'onde. La densité des microstructures est, de préférence, de plus en plus élevée lorsque l'on s'éloigne du système du rayonnement dévié par ces microstructures. En variante, des microstructures sont présentes dans les murs de la gaine.A waveguide layer is structurally adapted to allow the confinement and propagation of electromagnetic waves. The media are, for example, arranged in the form of a stack of three sub-layers, a central layer sandwiched between an upper sheath and a lower sheath, the refractive indices of the materials making up the sheaths being lower than the index refraction of the material making up the central layer, the lower sheath being located on the side of the image sensor 19. Preferably, microstructures are formed between the central layer and the lower sheath. The microstructures preferably have the shapes of prisms or teeth whose points are oriented in the direction of the object to be imaged and whose bases are flush with the rear face of the central layer. Each microstructure has a face slightly inclined in the direction of propagation of the wave so that the propagated wave is deflected and follows the geometry of the microstructure. The inclination of the face of the microstructure is, for example, between 5° and 80°. The inclination is preferably of the order of 45°. For example, the microstructures are not evenly distributed along the wave path. The density of the microstructures is preferably higher and higher as one moves away from the system of the radiation deflected by these microstructures. Alternatively, microstructures are present in the walls of the sheath.
Selon un mode de réalisation, la couche guide d'onde 45 est associée à un collimateur, situé sur sa face supérieure.According to one embodiment, the waveguide layer 45 is associated with a collimator, located on its upper face.
Le réseau de microstructures formées dans la couche 45 est, par exemple, adapté à guider les ondes émises par les LED 47. Le réseau comprend, alors, des microstructures inclinées dans le sens des ondes émises par les LED 47. Optionnellement, le réseau de microstructures est adapté pour extraire la lumière de manière collimatée.The network of microstructures formed in the layer 45 is, for example, suitable for guiding the waves emitted by the LEDs 47. The network then comprises microstructures inclined in the direction of the waves emitted by the LEDs 47. Optionally, the network of microstructures is adapted to extract light in a collimated manner.
Selon un mode de réalisation, le filtre infrarouge (non représenté) mentionné en relation avec le mode de réalisation illustré en
La
Plus particulièrement, la
L'écran LCD 25 illustré en figures 2 et 3 permet l'affichage d'images, de préférence des textes ou des symboles, comprenant une ou des informations permettant le guidage d'un utilisateur du dispositif 17 ou 43.The LCD screen 25 illustrated in FIGS. 2 and 3 allows the display of images, preferably texts or symbols, comprising one or more pieces of information allowing the guidance of a user of the device 17 or 43.
L'affichage d'images permet, par exemple, dans un premier temps de souhaiter la bienvenue à l'utilisateur, lui indiquer qu'une analyse biométrique va être réalisée. Elle permet, par exemple, dans un deuxième temps d'illustrer quels doigts sont concernés par l'analyse et comment les placer. Elle permet, par exemple, dans un troisième temps d'informer l'utilisateur que l'analyse est finie, qu'elle s'est bien déroulée et éventuellement souhaiter à l'utilisateur une agréable journée.The display of images makes it possible, for example, initially to welcome the user, to indicate to him that a biometric analysis is going to be carried out. It allows, for example, in a second time to illustrate which fingers are concerned by the analysis and how to place them. It allows, for example, in a third time to inform the user that the analysis is finished, that it went well and possibly to wish the user a pleasant day.
La vue A de la
La vue B de la
La vue C de la
La
Plus particulièrement, la
Le procédé illustré en
L'étape 49 est suivie par une étape 51 d'affichage d'une image sur l'écran LCD 25 (Information display on LCD screen). Au cours de l'étape 51, les pixels de l'écran LCD 25 sont divisés en deux parties, une première partie des pixels destinés à laisser passer le rayonnement issu de la source d'éclairement 23 ne subissent aucune modification et une deuxième partie des pixels destinés à être noirs ou sombres subissent une modification.Step 49 is followed by a step 51 of displaying an image on the LCD screen 25 (Information display on LCD screen). During step 51, the pixels of the LCD screen 25 are divided into two parts, a first part of the pixels intended to allow the radiation from the illumination source 23 to pass through and do not undergo any modification and a second part of the pixels. pixels intended to be black or dark undergo a modification.
L'étape 51 comprend, trois sous-étapes successives. L'étape 51 comprend ainsi une étape 53 au cours de laquelle un champ électrique est imposé entre les deux électrodes 29T et 29B (Voltage accross electrodes ON) de certains pixels de l'écran LCD 25. La présence d'un champ électrique tend à modifier l'orientation des molécules à cristaux liquides (55, Orientation of liquid crystals) dans ces pixels, qui deviennent alors noirs ou gris selon l'intensité du champ électrique émis entre les deux électrodes 29T et 29B. A l'échelle du dispositif, une image est affichée (57, Information display on LCD screen). L'image affichée lors de l'étape 51 comprend, de préférence, une information relative au nombre de doigts à positionner sur le dispositif et à leurs positions à la surface du dispositif.Step 51 comprises three successive sub-steps. Step 51 thus comprises a step 53 during which an electric field is imposed between the two electrodes 29T and 29B (Voltage accross electrodes ON) of certain pixels of the LCD screen 25. The presence of an electric field tends to modify the orientation of the liquid crystal molecules (55, Orientation of liquid crystals) in these pixels, which then become black or gray depending on the intensity of the electric field emitted between the two electrodes 29T and 29B. At the scale of the device, an image is displayed (57, Information display on LCD screen). The image displayed during step 51 preferably includes information relating to the number of fingers to be positioned on the device and to their positions on the surface of the device.
L'étape 51 est suivie par une étape 59 au cours de laquelle l'utilisateur positionne un ou plusieurs doigts à la surface du dispositif en respectant les informations préalablement indiquées (Finger on display).Step 51 is followed by a step 59 during which the user positions one or more fingers on the surface of the device respecting the information previously indicated (Finger on display).
L'étape 59 est suivie par une étape 61 de détection du ou des doigts par le dispositif et plus précisément par la panneau tactile 39 (Finger on display detected).Step 59 is followed by a step 61 of detection of the finger or fingers by the device and more precisely by the touch panel 39 (Finger on display detected).
Dès lors que le doigt est détecté à l'étape 61, l'image affichée sur l'écran LCD 25 relative à la position du ou des doigts est retirée au cours d'une étape 63 (Information display OFF).As soon as the finger is detected in step 61, the image displayed on the LCD screen 25 relating to the position of the finger(s) is removed during a step 63 (Information display OFF).
L'étape 63 comprend trois sous étapes. Dans un premier temps, dans une étape 65, les électrodes 29T et 29B de tous les pixels sont mis au même potentiel (Voltage across electrodes OFF) de sorte que le champ électrique ne traverse plus la couche 27. Dès que le champ électrique qui traverse la couche 27 est nul, les molécules de cristaux liquides s'orientent perpendiculairement à l'axe Y et sous forme d'hélice (67, Changing the orientation of liquid crystals). Le changement d'orientation des molècules de cristaux liquides, dans certains pixels, engendre une uniformité du passage de la lumière dans l'ensemble de l'écran LCD 25. L'ensemble des pixels laisse ainsi passer la lumière de la même façon ce qui provoque la suppression de l'image affichée sur l'écran LCD 25 (69, Information display OFF).Step 63 comprises three sub-steps. Initially, in a step 65, the electrodes 29T and 29B of all the pixels are set to the same potential (Voltage across electrodes OFF) so that the electric field no longer crosses the layer 27. As soon as the electric field which crosses layer 27 is zero, the liquid crystal molecules are oriented perpendicular to the Y axis and in the form of a helix (67, Changing the orientation of liquid crystals). The change in orientation of the molecules of liquid crystals, in certain pixels, generates uniformity in the passage of light throughout the LCD screen 25. All the pixels thus allow light to pass in the same way, which causes the deletion of the image displayed on the LCD screen 25 (69, Information display OFF).
Une image du ou des doigts peut ensuite être acquise (71, Image acquisition). L'image acquise peut, par exemple, être plus résolue dans des zones prédéterminées et indiquées par l'affichage lors de l'étape 51. En variante, seuls les photodétecteurs situés dans les zones prédéterminées, sont activés afin de diminuer le volume de données à traiter, augmenter la rapidité de traitement de l'image et par exemple, augmenter la durée de vie des capteurs d'images.An image of the finger(s) can then be acquired (71, Image acquisition). The acquired image can, for example, be more resolved in predetermined zones and indicated by the display during step 51. As a variant, only the photodetectors located in the predetermined zones are activated in order to reduce the volume of data to be processed, increase the speed of image processing and, for example, increase the life of image sensors.
A la suite de l'étape 71, l'image est par exemple traitée et exploitée lors d'une étape non représentée.Following step 71, the image is for example processed and used during a step not shown.
L'étape 71 est suivie d'une étape 51' optionnelle similaire à l'étape 51 décrite ci-avant, lors de laquelle une image est affichée sur l'écran LCD 25. Lors de l'étape 51', l'image affichée comprend, par exemple, un message signalant que l'acquisition de l'image du ou des doigts a été un succès.Step 71 is followed by an optional step 51' similar to step 51 described above, during which an image is displayed on the LCD screen 25. During step 51', the image displayed includes, for example, a message indicating that the acquisition of the image of the finger(s) was successful.
On peut envisager qu'au début du procédé, plusieurs images différentes affichées se succèdent comme mentionné ci-avant en relation avec la
La
Plus particulièrement, la
Le procédé illustré en
A l'issue de l'étape 73, l'utilisateur touche le dispositif, à une étape 59 identique à l'étape 59 mentionnée en
A titre de variante, plutôt que d'utiliser les électrodes de l'OLED 23, on pourrait faire la même détection en utilisant les électrodes 29B et 29T de l'écran LCD 25.As a variant, rather than using the electrodes of the OLED 23, the same detection could be done using the electrodes 29B and 29T of the LCD screen 25.
Dès lors qu'un ou plusieurs doigts sont détectés, l'OLED 23 est mise sous tension (77, OLED ON) et une image est affichée sur l'écran LCD lors d'une étape 51 identique à l'étape 51 mentionnée en
Comme pour le procédé illustré en
Un avantage de ce mode de réalisation est l'économie d'énergie engendrée par la mise en veille de l'OLED 23.An advantage of this embodiment is the energy saving generated by putting the OLED 23 on standby.
Un autre avantage de ce mode de réalisation est qu'il permet de s'affranchir d'un panneau tactile ce qui permet de réduire l'épaisseur du dispositif d'acquisition d'images.Another advantage of this embodiment is that it makes it possible to dispense with a touch panel, which makes it possible to reduce the thickness of the image acquisition device.
La
Plus particulièrement, le dispositif d'acquisition d'images 81 est similaire au dispositif d'acquisition d'images 17 illustré en
Le procédé d'acquisition d'image adapté au dispositif 81 comprend une étape de détection d'un doigt à la surface du dispositif qui est réalisée par la perturbation d'un champ électrique, le champ électrique étant engendré par la polarisation des électrodes d'une OLED.The image acquisition method adapted to the device 81 comprises a step of detecting a finger on the surface of the device which is carried out by the disturbance of an electric field, the electric field being generated by the polarization of the electrodes of an OLED.
La succession des étapes du procédé d'acquisition d'images adapté au dispositif 81 est, par exemple la suivante :
l'OLED 23 est mise hors tension, par exemple, en veille ;
génération d'un état d'oscillations du comparateur du microcontrôleur ;
détection de la perturbation de la fréquence des oscillations lorsque l'utilisateur touche la surface du dispositif ;
l'OLED sort du mode de veille et est mise sous tension ; et
l'image du ou des doigts est acquise.The sequence of steps of the image acquisition method adapted to device 81 is, for example, the following:
the OLED 23 is switched off, for example, in standby;
generation of a state of oscillations of the comparator of the microcontroller;
detection of the disturbance of the frequency of the oscillations when the user touches the surface of the device;
the OLED comes out of sleep mode and is powered on; And
the image of the finger(s) is acquired.
Un avantage des modes de réalisation et des modes de mise en œuvre décrits en figures 1 à 6 est qu'ils permettent d'afficher à l'utilisateur des informations, par exemple, d'indiquer à l'utilisateur le type d'analyse qui est effectué.An advantage of the embodiments and modes of implementation described in FIGS. 1 to 6 is that they make it possible to display information to the user, for example, to indicate to the user the type of analysis which is done.
Un autre avantage des modes de réalisation et des modes de mise en œuvre décrits en figures 1 à 6 est qu'ils permettent d'automatiser la prise d'empreintes digitales ou de veines sans nécessiter d'un contrôle extérieur.Another advantage of the embodiments and modes of implementation described in FIGS. 1 to 6 is that they make it possible to automate the taking of fingerprints or fingerprints without requiring an external control.
Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier. Les modes de réalisation décrits ne se limitent pas aux exemples de dimensions et de matériaux mentionnées ci-dessus.Various embodiments and variants have been described. The person skilled in the art will understand that certain features of these various embodiments and variations could be combined, and other variations will occur to the person skilled in the art. The embodiments described are not limited to the examples of dimensions and materials mentioned above.
Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus.Finally, the practical implementation of the embodiments and variants described is within the abilities of those skilled in the art based on the functional indications given above.
Claims (12)
un capteur d'images organique (19) ;
un filtre angulaire (21) ;
un système d'éclairement (23) ; et
un écran à cristaux liquides (25).Image acquisition device comprising a stack comprising:
an organic image sensor (19);
an angular filter (21);
an illumination system (23); And
a liquid crystal display (25).
- mise sous tension du système d'éclairement (23) ;
- affichage d'une image sur l'écran à cristaux liquides (25) ;
- suppression de l'affichage de l'information sur l'écran à cristaux liquides ; et
- acquisition d'une image.
- switching on the lighting system (23);
- displaying an image on the liquid crystal screen (25);
- elimination of the display of information on the liquid crystal screen; And
- acquiring an image.
Priority Applications (2)
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- 2020-12-14 FR FR2013153A patent/FR3117654B1/en active Active
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