FR3078162A1 - DEVICE AND METHOD FOR DETECTING DEFECTS OF A STRUCTURE - Google Patents

DEVICE AND METHOD FOR DETECTING DEFECTS OF A STRUCTURE Download PDF

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Abstract

L'invention concerne un dispositif de détection de défauts d'une structure (STR), le dispositif comprenant une unité de calcul et une pluralité de transducteurs (100) destinés à être positionnés sur ou dans la structure (STR), - des premiers transducteurs (E) de la pluralité de transducteurs (100) étant aptes à être dans un mode d'émission, - des seconds transducteurs (R) de la pluralité de transducteurs (100) étant aptes à être dans un mode de réception, caractérisé en ce que les premiers transducteurs (E) forment un maillage hexagonal de sorte à délimiter entre eux plusieurs mailles limitrophes entre elles, les seconds transducteurs (R) étant disposés sur des cercles d'émission respectifs des premiers transducteurs (E), chaque cercle d'émission d'un premier transducteur (E) étant centré sur le premier transducteur (E).The invention relates to a device for detecting defects of a structure (STR), the device comprising a calculation unit and a plurality of transducers (100) intended to be positioned on or in the structure (STR), - first transducers (E) of the plurality of transducers (100) being able to be in a transmission mode, - second transducers (R) of the plurality of transducers (100) being adapted to be in a reception mode, characterized in that that the first transducers (E) form a hexagonal mesh so as to delimit between them several meshes bordering each other, the second transducers (R) being arranged on respective emission circles of the first transducers (E), each transmission circle a first transducer (E) being centered on the first transducer (E).

Description

DOMAINE TECHNIQUETECHNICAL AREA

L’invention concerne un dispositif et un procédé de détection de défauts d’une structure.The invention relates to a device and a method for detecting structural faults.

Un domaine d’application de l’invention concerne les structures utilisées dans le domaine de l’aéronautique.One field of application of the invention relates to structures used in the field of aeronautics.

ETAT DE LA TECHNIQUESTATE OF THE ART

On connaît des dispositifs de détection de défauts de structures, par exemple par les documents US 7,937,248 et US 2015/0308920.Structural fault detection devices are known, for example from documents US 7,937,248 and US 2015/0308920.

Le principal objectif des compagnies aériennes est d'assurer des vols réguliers et ponctuels à des prix compétitifs, de façon à se placer favorablement face à leurs concurrents. De ce fait, elles sont attentives aux coûts de maintenance de leurs équipements et intéressées à travailler avec des équipementiers ayant conscience de l’enjeu de la disponibilité et de la maintenabilité d’un produit pendant son cycle de vie.The main objective of airlines is to ensure regular and punctual flights at competitive prices, so as to position themselves favorably against their competitors. As a result, they are attentive to the maintenance costs of their equipment and interested in working with equipment manufacturers who are aware of the issue of the availability and maintainability of a product during its life cycle.

Aujourd’hui, la plupart des éléments purement structuraux d’aéronefs ne sont visités que lors des entretiens périodiques auxquels lesdits aéronefs sont soumis (typiquement des inspections de type C, ou « C-check » dans la terminologie anglo-saxonne), par exemple tous les 24 mois, ou encore toutes les 10000 heures de vol. De manière plus précise, la maintenance de la structure de type IFS (structure fixée de manière interne, ou « internai fixed structure » dans la terminologie anglo-saxonne,) d’un inverseur de poussée (nacelle) d’un aéronef est aujourd’hui inspectée par un opérateur n’ayant pas à disposition d’outils d’aide à la prise de décision.Today, most purely structural elements of aircraft are only visited during the periodic maintenance to which said aircraft are subjected (typically type C inspections, or "C-check" in English terminology), for example every 24 months, or every 10,000 flight hours. More specifically, the maintenance of the IFS type structure (internally fixed structure, or "internai fixed structure" in English terminology,) of a thrust reverser (nacelle) of an aircraft is today hui inspected by an operator who does not have decision-making tools available.

On cherche deux axes d’amélioration : le premier est lié à la sécurité et le second est lié à des aspects économiques.We are looking for two areas for improvement: the first is related to security and the second is related to economic aspects.

Le fait que la vérification de l’intégrité structurale soit réalisée uniquement lors des entretiens périodiques et par un opérateur humain non assisté, laisse la porte ouverte à l’éventualité de voler avec un système n’ayant pas 100% de son intégrité. Ici, l’aspect sécuritaire voudrait que le système structural soit remplacé juste avant la perte d’intégrité, ce qui implique le besoin de pousser plus loin la maintenance préventive.The fact that the verification of structural integrity is carried out only during periodic maintenance and by an unassisted human operator, leaves the door open to the possibility of flying with a system not having 100% of its integrity. Here, the safety aspect would like the structural system to be replaced just before the loss of integrity, which implies the need to push preventive maintenance further.

Le remplacement des composants lors de l’inspection de type C a par ailleurs deux inconvénients majeurs : d’une part, les systèmes sont souvent remplacés de manière préventive, alors qu’ils sont encore aptes au vol ; d’autre part, ils sont parfois surdimensionnés, pour tenir les intervalles de maintenance prévus sans dégrader la sûreté. De ce fait, il y a un coût pour l’exploitant qui pourrait être évité ou tout au moins réduit de manière significative.Replacing components during type C inspection also has two major drawbacks: on the one hand, systems are often replaced preventively, while they are still capable of flying; on the other hand, they are sometimes oversized, to meet the scheduled maintenance intervals without compromising safety. As a result, there is a cost to the operator which could be avoided or at least significantly reduced.

On cherche à suivre de manière continue et/ou périodique l’évolution de l’état de santé des structures aéronautiques. L’objectif est de résoudre les problèmes évoqués précédemment et par la même occasion d’espacer, de simplifier, voire de réorganiser les opérations de maintenance.We are looking to continuously and / or periodically monitor the evolution of the state of health of aeronautical structures. The objective is to solve the problems mentioned above and at the same time to space, simplify or even reorganize maintenance operations.

On connaît des systèmes de diagnostic de l’état de la structure, également appelés systèmes SHM (pour « Structural Health Monitoring » dans la terminologie anglo-saxonne). Un système SHM consiste essentiellement en un système de contrôle non destructif qui intègre des capteurs de manière permanente. Les données collectées permettent de détecter l’apparition, et de suivre l’évolution, de dommages/défauts dans la structure. Idéalement, le système SHM doit pouvoir :Structural diagnostic systems are also known, also called SHM systems (for "Structural Health Monitoring" in English terminology). A SHM system essentially consists of a non-destructive control system which integrates sensors permanently. The data collected makes it possible to detect the appearance, and to follow the evolution, of damage / defects in the structure. Ideally, the SHM system should be able to:

(i) détecter la présence d’un défaut, (ii) le localiser, (iii) déterminer sa taille, et (iv) fournir un pronostic sur la durée de vie de la structure.(i) detect the presence of a defect, (ii) locate it, (iii) determine its size, and (iv) provide a prognosis for the life of the structure.

Les enjeux économiques sont dans un premier temps de réduire le temps d’immobilisation de l’aéronef, parce que les réparations peuvent être prédites ou les diagnostics automatisés. Dans un second temps, l’enjeu est de ne remplacer que les structures ou composants ayant vraiment besoin de l’être, et, partant, d’avoir moins d’éléments à remplacer, et donc à produire.The economic stakes are initially to reduce the downtime of the aircraft, because repairs can be predicted or diagnostics automated. Secondly, the challenge is to replace only the structures or components that really need to be replaced, and therefore to have fewer elements to replace, and therefore to produce.

L’instrumentation de la structure permet d’obtenir des mesures, par exemple des mesures d’ondes acoustiques ou guidées (par exemple des ondes de Lamb) qui doivent être traitées et analysées afin de définir si la structure présente ou non un défaut.The instrumentation of the structure makes it possible to obtain measurements, for example measurements of acoustic or guided waves (for example Lamb waves) which must be processed and analyzed in order to define whether or not the structure has a defect.

Suivant un état de la technique, l’analyse est aujourd’hui réalisée en comparant les mesures qui sont prises sur une structure à analyser (dit échantillon sous analyse) vis-à-vis de celles qui sont prises sur une structure de référence (dit échantillon de référence), qui elle est par définition à l’état sain.According to a state of the art, the analysis is today carried out by comparing the measurements which are taken on a structure to be analyzed (said sample under analysis) with respect to those which are taken on a reference structure (said reference sample), which by definition is healthy.

Les mesures qui sont faites sur la structure de référence sont souvent prises dans des états thermiques de référence bien définis. Ce choix implique une contrainte, qui est que les mesures sur la structure à analyser ne peuvent pas être réalisées avant qu’elle soit arrivée à un état thermique identique à l’état de référence dans lequel les mesures sur la structure de référence ont été faites.The measurements which are made on the reference structure are often taken in well-defined reference thermal states. This choice implies a constraint, which is that the measurements on the structure to be analyzed cannot be carried out before it has arrived at a thermal state identical to the reference state in which the measurements on the reference structure have been made. .

Cette problématique implique des coûts liés à des retards dans l’analyse et donc à des retards dans la disponibilité de l’aéronef.This problem involves costs linked to delays in the analysis and therefore to delays in the availability of the aircraft.

RESUME DE L’INVENTIONSUMMARY OF THE INVENTION

L’invention vise à obtenir un procédé et un dispositif de détection de défauts d’une structure, notamment une structure aéronautique, permettant de réaliser une évaluation des défauts sans recourir à l’état de référence, mais qui se base seulement sur les informations à sa disposition (de l’état actuel) pour identifier la présence d’un défaut.The invention aims to obtain a method and a device for detecting defects in a structure, in particular an aeronautical structure, making it possible to carry out an evaluation of the defects without using the reference state, but which is based solely on the information to be its disposition (of the current state) to identify the presence of a fault.

A cet effet, un premier objet de l’invention est un dispositif de détection de défauts d’une structure, le dispositif comprenant une unité de calcul et une pluralité de transducteurs destinés à être positionnés sur ou dans la structure,To this end, a first object of the invention is a device for detecting faults in a structure, the device comprising a calculation unit and a plurality of transducers intended to be positioned on or in the structure,

- des premiers transducteurs de la pluralité de transducteurs étant aptes à être dans un mode d’émission où ils émettent un signal d’excitation,- first transducers of the plurality of transducers being able to be in an emission mode where they emit an excitation signal,

- des seconds transducteurs de la pluralité de transducteurs étant aptes à être dans un mode de réception où ils reçoivent un signal de réception en réponse au signal d’excitation émis par un premier transducteur en mode émission, les signaux d’excitation et les signaux de réception étant aptes à se propager le long de la structure ou dans la structure, caractérisé en ce que les premiers transducteurs forment un maillage hexagonal de sorte à délimiter entre eux plusieurs mailles limitrophes entre elles, les seconds transducteurs étant disposés sur des cercles d’émission respectifs des premiers transducteurs, chaque cercle d’émission d’un premier transducteur étant centré sur le premier transducteur.- second transducers of the plurality of transducers being able to be in a reception mode where they receive a reception signal in response to the excitation signal emitted by a first transducer in transmission mode, the excitation signals and the receiving being able to propagate along the structure or in the structure, characterized in that the first transducers form a hexagonal mesh so as to delimit between them several meshes bordering between them, the second transducers being arranged on emission circles respective first transducers, each emission circle of a first transducer being centered on the first transducer.

Le dispositif selon l’invention peut en outre comprendre les caractéristiques suivantes, prises seules ou en combinaison :The device according to the invention may also include the following characteristics, taken alone or in combination:

- les premiers transducteurs sont des capteurs piézoélectriques, et les seconds transducteurs comprennent chacun un réseau de Bragg d’une fibre optique,- the first transducers are piezoelectric sensors, and the second transducers each comprise a Bragg grating of an optical fiber,

- les mailles sont triangulaires équilatérales dont chaque sommet correspond à la position d’un premier transducteur, chaque cercle d’émission de premier transducteur présentant un rayon compris entre 1 et 2 fois la distance séparant deux premiers transducteurs au sein du maillage, le rayon étant de préférence compris entre 1,5 et 2 fois cette distance, par exemple 1,73 fois cette distance.- the meshes are equilateral triangular with each vertex corresponding to the position of a first transducer, each emission circle of the first transducer having a radius between 1 and 2 times the distance separating two first transducers within the mesh, the radius being preferably between 1.5 and 2 times this distance, for example 1.73 times this distance.

Un deuxième objet de l’invention est un procédé de détection de défauts d’une structure, au moyen d’un dispositif tel que précédemment décrit, un maillage constitué d'une pluralité de mailles et défini par la pluralité de transducteurs ayant été préalablement disposé sur ou dans la structure, le procédé comprenant les étapes de :A second object of the invention is a method for detecting defects in a structure, by means of a device as previously described, a mesh consisting of a plurality of meshes and defined by the plurality of transducers having been previously disposed on or in the structure, the method comprising the steps of:

- extraction, en fonction de signaux d’excitation émis par les premiers transducteurs, et des signaux de réception reçus par les seconds transducteurs, d’une signature pour chacune des mailles,- extraction, as a function of excitation signals emitted by the first transducers, and reception signals received by the second transducers, of a signature for each of the meshes,

- comparaison des signatures entre elles pour identifier parmi les mailles au moins une maille comme localisant un défaut de la structure, appelée maille défaillante, lorsque la signature de cette maille est différente de plusieurs autres signatures de plusieurs autres mailles, les étapes d’extraction et de comparaison étant mises en œuvre par l’unité de calcul.- comparison of the signatures between them to identify among the meshes at least one mesh as locating a defect in the structure, called a faulty mesh, when the signature of this mesh is different from several other signatures of several other meshes, the extraction steps and of comparison being implemented by the calculation unit.

Le procédé selon l’invention peut en outre comprendre les caractéristiques suivantes, prises seules ou en combinaison :The method according to the invention may also include the following characteristics, taken alone or in combination:

- la maille défaillante est identifiée comme ayant une signature qui est différente des signatures, qui sont égales entre elles, d’au moins deux autres mailles, chacune indépendamment limitrophe de la maille défaillante,- the failing mesh is identified as having a signature which is different from the signatures, which are equal to each other, of at least two other meshes, each independently bordering on the defective mesh,

- une première fonction d’identification d’un groupe défini par successivement une première maille, une deuxième maille et une troisième maille, est en outre définie par le fait que :- a first function for identifying a group defined successively by a first mesh, a second mesh and a third mesh, is further defined by the fact that:

o la première maille, la deuxième maille et la troisième maille sont identifiées comme mailles non défaillantes, lorsque les signatures de ces mailles sont égales, o lorsque la signature de la première maille est différente de la signature de la deuxième maille égale à la signature de la troisième maille, la première maille est identifiée comme maille défaillante, o lorsque la signature de la première maille est égale à la signature de la deuxième maille et est différente de la signature de la troisième maille, la première maille est identifiée comme maille non défaillante et la troisième maille est identifiée comme maille suspecte, o dans une première sous-étape d’identification, on applique la première fonction d’identification à un premier groupe de trois mailles, comportant successivement une première maille, une deuxième maille, qui est limitrophe à la première maille, et une troisième maille, qui est limitrophe à la première maille,o the first mesh, the second mesh and the third mesh are identified as non-failing meshes, when the signatures of these meshes are equal, o when the signature of the first mesh is different from the signature of the second mesh equal to the signature of the third mesh, the first mesh is identified as failing mesh, o when the signature of the first mesh is equal to the signature of the second mesh and is different from the signature of the third mesh, the first mesh is identified as non-defective mesh and the third mesh is identified as a suspect mesh, o in a first identification sub-step, the first identification function is applied to a first group of three meshes, successively comprising a first mesh, a second mesh, which is bordering to the first stitch, and a third stitch, which borders on the first stitch,

- dans une deuxième sous-étape d’identification postérieure à la première sous-étape d’identification, l’on applique la première fonction d’identification à un autre groupe de mailles défini par successivement une maille de départ formée par la deuxième maille et :in a second identification sub-step subsequent to the first identification sub-step, the first identification function is applied to another group of cells defined by successively a starting cell formed by the second cell and :

o la première maille, si la première maille a été identifiée comme maille non défaillante, et une quatrième maille, qui est limitrophe à la maille de départ, o une cinquième maille, qui est limitrophe ou non limitrophe à la première maille, si la première maille a été identifiée comme maille défaillante, et la quatrième maille, qui est limitrophe à la maille de départ,o the first stitch, if the first stitch has been identified as a non-failing stitch, and a fourth stitch, which is bordering on the starting stitch, o a fifth stitch, which is bordering or not bordering on the first stitch, if the first mesh has been identified as a failing mesh, and the fourth mesh, which is bordering on the starting mesh,

- on réitère la deuxième sous-étape d’identification une ou plusieurs fois sur respectivement un ou plusieurs autres groupes de mailles,- the second identification sub-step is repeated one or more times respectively on one or more other mesh groups,

- la maille de départ de chaque deuxième sous-étape d’identification est limitrophe à la maille de départ de la deuxième sous-étape d’identification la précédant,- the starting grid of each second identification sub-stage is bordering on the starting grid of the second identification sub-stage preceding it,

- la quatrième maille et la cinquième maille sont différentes de la troisième maille, qui est identifiée comme maille suspecte,- the fourth mesh and the fifth mesh are different from the third mesh, which is identified as suspect mesh,

- les mailles de chaque groupe sont autres qu’une maille ayant été identifiée comme maille défaillante,- the meshes of each group are other than a mesh having been identified as a defective mesh,

- pour la troisième maille, qui est identifiée comme maille suspecte, on applique une deuxième fonction d’identification définie par le fait que :- for the third mesh, which is identified as a suspect mesh, we apply a second identification function defined by the fact that:

o lorsque la signature de la troisième maille est différente de la signature de la première maille égale à la signature d’une sixième maille limitrophe à la troisième maille, la troisième maille est identifiée comme maille défaillante, o lorsque la signature de la troisième maille est différente de la signature de la première maille différente de la signature de la sixième maille, la troisième maille est identifiée comme maille défaillante et la sixième maille est identifiée comme maille suspecte, o lorsque la signature de la troisième maille est égale à la signature de la sixième maille, un premier signal d’indication est envoyé sur une interface homme-machine,o when the signature of the third stitch is different from the signature of the first stitch equal to the signature of a sixth stitch bordering on the third stitch, the third stitch is identified as failing stitch, o when the signature of the third stitch is different from the signature of the first link different from the signature of the sixth link, the third link is identified as a faulty link and the sixth link is identified as a suspect link, o when the signature of the third link is equal to the signature of the sixth mesh, a first indication signal is sent on a man-machine interface,

- au cours d’au moins une sous-étape de classification, on classifie les mailles ayant la même signature dans une même famille respective :- during at least one classification sub-step, the meshes having the same signature are classified in the same respective family:

o les mailles, qui sont classifiées dans la famille respective ayant le plus grand nombre de mailles, appelée famille saine, étant identifiées comme mailles non défaillantes, o chaque maille, qui est classifiée dans une famille respective n’ayant qu’une seule maille, appelée famille défaillante respective, étant identifiée comme maille défaillante,o the meshes, which are classified in the respective family having the greatest number of meshes, called healthy family, being identified as non-failing meshes, o each mesh, which is classified in a respective family having only one mesh, called respective failing family, being identified as failing mesh,

- pour classifier les mailles :- to classify the meshes:

o on classifie une première maille ayant une première signature dans une première famille, à laquelle on attribue une référence respective égale à la première signature, o puis successivement pour chaque autre maille, différente de la première maille, on itère la sous-étape de classification selon laquelle :o we classify a first mesh having a first signature in a first family, to which we assign a respective reference equal to the first signature, o then successively for each other mesh, different from the first mesh, we iterate the classification sub-step that:

on compare la signature de l’autre maille à la référence respective de chaque famille, si la signature de l’autre maille est égale à la référence respective de l’une des familles, alors cette autre maille est classifiée dans cette famille, si la signature de l’autre maille n’est égale à aucune référence respective des familles, alors cette autre maille est classifiée dans une nouvelle famille, à laquelle on attribue une référence respective égale à la signature de cette autre maille, etwe compare the signature of the other mesh with the respective reference of each family, if the signature of the other mesh is equal to the respective reference of one of the families, then this other mesh is classified in this family, if the signature of the other mesh is not equal to any respective reference of families, then this other mesh is classified in a new family, to which a respective reference is assigned equal to the signature of this other mesh, and

- pour chaque maille n’appartenant ni à la famille saine, ni à la ou aux familles défaillantes respectives, appelée maille à analyser, on calcule une première distance entre la signature de la maille à analyser et la signature des mailles de la famille saine, et une deuxième distance respective entre la signature de la maille à analyser et la signature des mailles de chaque famille défaillante respective, pour :- for each mesh belonging neither to the healthy family, nor to the respective defective family or families, called mesh to be analyzed, a first distance is calculated between the signature of the mesh to be analyzed and the signature of the mesh of the healthy family, and a second respective distance between the signature of the mesh to be analyzed and the signature of the meshes of each respective defective family, for:

o lorsque la première distance est inférieure à chaque deuxième distance respective, classifier la maille à analyser dans la famille saine ou identifier la maille à analyser comme maille non défaillante, o lorsque la première distance est supérieure à une ou plusieurs deuxièmes distances respectives, classifier la maille à analyser dans la famille défaillante ayant cette deuxième distance respective ou identifier la maille à analyser comme maille défaillante.o when the first distance is less than each respective second distance, classify the mesh to be analyzed in the healthy family or identify the mesh to be analyzed as a non-failing mesh, o when the first distance is greater than one or more respective second distances, classify the mesh to be analyzed in the failing family having this respective second distance or identify the mesh to be analyzed as a failing mesh.

DESCRIPTIF RAPIDE DES FIGURESQUICK DESCRIPTION OF THE FIGURES

L’invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d’exemple non limitatif en référence aux dessins annexés, sur lesquels :The invention will be better understood on reading the description which follows, given solely by way of nonlimiting example with reference to the appended drawings, in which:

- la figure 1 représente schématiquement un synoptique modulaire d’un dispositif de détection de défauts suivant un mode de réalisation de l’invention,FIG. 1 schematically represents a modular block diagram of a fault detection device according to an embodiment of the invention,

- la figure 2 représente schématiquement un exemple d’implantation de transducteurs du procédé et du dispositif de détection de défauts dans une zone d’une structure à surveiller d’un premier type, suivant un mode de réalisation de l’invention,FIG. 2 schematically represents an example of implantation of transducers of the method and of the fault detection device in an area of a structure to be monitored of a first type, according to an embodiment of the invention,

- la figure 3 représente schématiquement un exemple d’implantation de transducteurs du procédé et du dispositif de détection de défauts dans une zone d’une structure à surveiller d’un deuxième type, suivant un mode de réalisation de l’invention,FIG. 3 schematically represents an example of implantation of transducers of the method and of the fault detection device in an area of a structure to be monitored of a second type, according to an embodiment of the invention,

- la figure 4 illustre schématiquement le recouvrement entre deux cercles d’émission limitrophes de transducteurs,FIG. 4 schematically illustrates the overlap between two emission circles bordering on transducers,

- la figure 5 représente schématiquement un premier exemple de maillage d’une structure par des transducteurs du procédé et du dispositif de détection de défauts suivant un mode de réalisation de l’invention,FIG. 5 schematically represents a first example of meshing of a structure by transducers of the method and of the fault detection device according to an embodiment of the invention,

- la figure 6 représente schématiquement un deuxième exemple de maillage d’une structure par des transducteurs du procédé et du dispositif de détection de défauts suivant un mode de réalisation de l’invention,FIG. 6 schematically represents a second example of meshing of a structure by transducers of the method and of the fault detection device according to an embodiment of the invention,

- la figure 7 représente schématiquement un troisième exemple de maillage d’une structure par des transducteurs du procédé et du dispositif de détection de défauts suivant un mode de réalisation de l’invention,FIG. 7 schematically represents a third example of meshing of a structure by transducers of the method and of the fault detection device according to an embodiment of the invention,

- la figure 8 représente schématiquement un organigramme d’un premier mode de mise en oeuvre du procédé de détection de défauts suivant l’invention,FIG. 8 schematically represents a flow diagram of a first mode of implementation of the method for detecting faults according to the invention,

- la figure 9 représente schématiquement un organigramme d’un deuxième mode de mise en oeuvre du procédé de détection de défauts suivant l’invention,FIG. 9 schematically represents a flow diagram of a second mode of implementation of the method for detecting faults according to the invention,

- la figure 10 représente schématiquement la structuration d’une matrice de mesures, pouvant être utilisée suivant un mode de mise en oeuvre du procédé de détection de défauts suivant l’invention,FIG. 10 schematically represents the structuring of a measurement matrix, which can be used according to an embodiment of the method for detecting faults according to the invention,

- la figure 11 représente schématiquement un organigramme schématique, illustrant le principe du calcul d’un indicateur de défauts, pouvant être utilisé suivant un mode de mise en oeuvre du procédé de détection de défauts suivant l’invention,FIG. 11 schematically represents a schematic flow diagram illustrating the principle of calculating a fault indicator, which can be used according to an embodiment of the fault detection method according to the invention,

- la figure 12 représente schématiquement un exemple de résultat de la détection de défauts, indiquant en abscisse un numéro d’essai, et en ordonnées la valeur d’un indicateur de défaut selon la figure 11, pouvant être utilisé suivant un mode de mise en oeuvre du procédé de détection de défauts suivant l’invention.FIG. 12 schematically represents an example of the result of the detection of faults, indicating on the abscissa a test number, and on the ordinate the value of a fault indicator according to FIG. 11, which can be used according to a setting mode implementation of the fault detection method according to the invention.

DESCRIPTION DETAILLEE DE L’INVENTIONDETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

Aux figures 1 à 6, le procédé de détection de défauts d’une structure et le dispositif 11 de détection de défauts d’une structure suivant l’invention utilisent une pluralité de transducteurs 100 ou capteurs 100, qui sont positionnés sur ou dans une structure STR, dont il s’agit de détecter et localiser les éventuels défauts. Le dispositif 11 suivant l’invention peut être un système de diagnostic de l’état de la structure. Le procédé suivant l’invention peut être un procédé de diagnostic de l’état de la structure. La structure STR peut être en tout type de matériau, pouvant être par exemple composites (par exemple composites de types monolithique et/ou composite de type sandwich et/ou à alvéoles pouvant être en nid d’abeille ou autre). La structure STR peut être une partie d’un aéronef, comme par exemple une partie de turbomachines d’avion, comme par exemple de turboréacteurs d’avion ou de turbopropulseurs d’avion ou une partie d’un inverseur de poussée (nacelle). Le procédé et le dispositif 11 suivant l’invention peuvent être utilisés directement sur une partie de l’aéronef lui-même, la structure STR étant alors située à demeure dans l’aéronef. Le procédé et le dispositif 11 suivant l’invention peuvent également être utilisés sur une partie de l’aéronef, ayant été démontée de celui-ci. L’invention peut s’appliquer à une structure de type IFS (structure fixée de manière interne, ou « Internai Fixed Structure » dans la terminologie anglosaxonne) d’une nacelle d’une turbomachine d’avion ou autre, cette structure étant constituée de matériaux composites de types monolithique et sandwich, mais elle peut être étendue à toute autre structure de l’avion.In FIGS. 1 to 6, the method for detecting faults in a structure and the device 11 for detecting faults in a structure according to the invention use a plurality of transducers 100 or sensors 100, which are positioned on or in a structure STR, whose aim is to detect and locate any faults. The device 11 according to the invention can be a system for diagnosing the state of the structure. The method according to the invention can be a method of diagnosing the state of the structure. The STR structure can be of any type of material, which can for example be composite (for example composite of monolithic type and / or composite of sandwich type and / or of cells which can be honeycomb or the like). The STR structure may be a part of an aircraft, such as for example a part of airplane turbomachines, such as for example of airplane turbojet or turboprop engines or a part of a thrust reverser (nacelle). The method and the device 11 according to the invention can be used directly on a part of the aircraft itself, the STR structure then being permanently located in the aircraft. The method and the device 11 according to the invention can also be used on a part of the aircraft, having been dismantled from it. The invention can be applied to an IFS type structure (internally fixed structure, or "Internai Fixed Structure" in English terminology) of a nacelle of an aircraft turbomachine or the like, this structure consisting of composite materials of the monolithic and sandwich types, but it can be extended to any other structure of the aircraft.

Les transducteurs 100 peuvent être de tout type, par exemple du type ultrasonore (par exemple de type piézo-électrique ou autre, notamment du type PZT, i.e. à Titano-Zirconate de Plomb) ou autre, par exemple de type optique (par exemple en comportant un ou plusieurs réseau(x) de Bragg d’une ou plusieurs fibre(s) optique(s)). De manière privilégiée, dans le cadre de l’invention, la pluralité de transducteurs 100 est réparti entre des premiers transducteurs E aptes à se trouver dans un mode d’émission (également appeler mode d’excitation) d’une part, et d’autre part des seconds transducteurs R aptes à se trouver dans un mode de réception. Lorsqu'un transducteur 100 est dans le mode d’émission, ce premier transducteur E émet un signal d’excitation prédéterminé. Lorsqu'un transducteur 100 est dans le mode de réception, ce second transducteur R reçoit un signal de réception en réponse au signal d’excitation émis par un premier transducteur E. Les signaux d’excitation et les signaux de réception sont aptes à se propager à travers la structure STR, par exemple le long de la structure STR ou dans la structure STR, par exemple le long d’une surface SUR de la structure STR. Lorsque le signal d’excitation émis par un premier transducteur E ne rencontre pas de défauts de la structure STR, le signal de réception reçu par un second transducteur R correspond à ce signal d’excitation ou est égal à ce signal d’excitation. Lorsque le signal d’excitation émis par un premier transducteur E rencontre un ou plusieurs défauts de la structure STR, le signal de réception reçu par un second transducteur R ne correspond pas à ce signal d’excitation et est perturbé par rapport à ce signal d’excitation. De manière avantageuse, les premiers transducteurs E sont de type ultrasonore (par exemple de type piézoélectrique ou autre, notamment du type PZT i.e. à Titano-Zirconate de Plomb), et les seconds transducteurs R sont de type optique (par exemple en comportant un ou plusieurs réseau(x) de Bragg d’une ou plusieurs fibre(s) optique(s)).The transducers 100 can be of any type, for example of the ultrasonic type (for example of the piezoelectric or other type, in particular of the PZT type, ie with lead titano-zirconate) or other, for example of the optical type (for example in comprising one or more Bragg grating (s) of one or more optical fiber (s). In a privileged manner, within the framework of the invention, the plurality of transducers 100 is distributed between first transducers E able to be in an emission mode (also called excitation mode) on the one hand, and on the other hand, second transducers R capable of being in a reception mode. When a transducer 100 is in the emission mode, this first transducer E emits a predetermined excitation signal. When a transducer 100 is in the reception mode, this second transducer R receives a reception signal in response to the excitation signal emitted by a first transducer E. The excitation signals and the reception signals are able to propagate through the STR structure, for example along the STR structure or in the STR structure, for example along an SUR surface of the STR structure. When the excitation signal emitted by a first transducer E does not encounter any faults in the STR structure, the reception signal received by a second transducer R corresponds to this excitation signal or is equal to this excitation signal. When the excitation signal emitted by a first transducer E encounters one or more structural faults STR, the reception signal received by a second transducer R does not correspond to this excitation signal and is disturbed with respect to this signal d 'excitation. Advantageously, the first transducers E are of the ultrasonic type (for example of the piezoelectric or other type, in particular of the PZT type ie lead-zirconate type), and the second transducers R are of the optical type (for example comprising one or more several Bragg grating (s) of one or more optical fiber (s)).

Chaque transducteur 100 peut comporter des moyens 101 de connexion à l’extérieur ainsi que représenté aux figures 2 et 3, ou sans fil. Il est également prévu avec les transducteurs 100 des alimentations et l’électronique nécessaires à leur mise en œuvre. Ces moyens 101 de connexion servant à envoyer le signal de commande et l’alimentation électrique depuis une unité extérieure 102 à chaque transducteur 100 et à envoyer les signaux de réception et/ou les signaux d’excitation à cette unité extérieure 102, ainsi que cela est représenté à la figure 1. Cette unité extérieure 102 est par exemple un module électronique et sert à l’acquisition des signaux émanant des transducteurs 100. Cette unité extérieure 102 peut comporter un superviseur ayant pour but de rapatrier les mesures (signaux de réception et signaux d’excitation) réalisées par les transducteurs 100Each transducer 100 may include means 101 for connection to the outside as shown in FIGS. 2 and 3, or wirelessly. It is also provided with the transducers 100 of the power supplies and the electronics necessary for their implementation. These connection means 101 used to send the control signal and the power supply from an outdoor unit 102 to each transducer 100 and to send the reception signals and / or the excitation signals to this outdoor unit 102, as well as is shown in FIG. 1. This outdoor unit 102 is for example an electronic module and is used for the acquisition of the signals emanating from the transducers 100. This outdoor unit 102 can include a supervisor whose purpose is to retrieve the measurements (reception signals and excitation signals) produced by the transducers 100

Les transducteurs 100 ont des positions connues ou prédéterminées par rapport à la structure STR. Les transducteurs 100 peuvent être disposés par exemple sur une même surface SUR de la structure STR, ainsi que représenté aux figures 2 et 3. La figure 2 représente des transducteurs 100a, 100b, positionnés à la surface SUR d’une structure STR formée d’un matériau composite monolithique de la structure de type IFS mentionnée ci-dessus. La figure 3 représente des transducteurs 100a, 100b positionnés à la surface SUR d’une structure STR formée d’un matériau composite de type sandwich à alvéoles en nid d’abeille de la structure de type IFS mentionnée ci-dessus. Sur les figures 2 et 3, les éléments 100a correspondent à des premiers transducteurs E de type ultrasonore (par exemple de type piézo-électrique ou autre, notamment du type PZT i.e. à Titano-Zirconate de Plomb), et les éléments 100b à des seconds transducteurs R de type optique qui comportent un ou plusieurs réseau(x) de Bragg 100b d’une ou plusieurs fibre(s) optique(s) 105. Plus précisément, comme visible sur ces figures, une ou plusieurs fibre(s) optique(s) 105 coure(nt) sur, ou dans, la structure STR, et compore(nt) une multitude de réseaux de Bragg 100b, lesquels sont placés de sorte à faire office de seconds transducteurs R.The transducers 100 have known or predetermined positions relative to the STR structure. The transducers 100 can be arranged for example on the same surface SUR of the STR structure, as shown in FIGS. 2 and 3. FIG. 2 represents transducers 100a, 100b, positioned on the SUR surface of a STR structure formed of a monolithic composite material of the IFS type structure mentioned above. FIG. 3 represents transducers 100a, 100b positioned on the surface SUR of a STR structure formed of a composite material of the honeycomb sandwich type of the structure of the IFS type mentioned above. In FIGS. 2 and 3, the elements 100a correspond to first transducers E of the ultrasonic type (for example of the piezoelectric or other type, in particular of the PZT type ie with lead-zirconate), and the elements 100b to the second optical transducers R which comprise one or more Bragg grating (s) 100b of one or more optical fibers 105. More specifically, as can be seen in these figures, one or more optical fibers ( s) 105 run (s) on, or in, the STR structure, and incorporate (s) a multitude of Bragg networks 100b, which are placed so as to act as second transducers R.

Les transducteurs 100 peuvent également être disposés dans la structure STR, par exemple en appartenant à une surface SUR noyée à l’intérieur de la structure STR. La surface SUR peut être immatérielle, en ce qu’elle constitue le lieu géométrique regroupant l’ensemble des positions des transducteurs 100. La surface SUR peut également être matérielle, par exemple être constituée d’un film rapporté (par exemple par collage) sur la structure STR, ou noyée à l’intérieur de la structure STR. Alternativement, cette surface SUR matérielle peut former une nappe disposée entre deux feuilles successives de matériaux composites, avant ou après la cuisson desdits matériaux. En tout état de cause, la surface SUR peut ne pas constituer un plan à deux dimensions, par exemple lorsque la surface SUR épouse la forme particulière de la structure STR. Néanmoins, il est toujours possible de projeter la surface SUR, sur un plan horizontal à deux dimensions. De fait, lorsque la surface SUR est matérielle, les transducteurs 100 sont d’abord positionnés sur cette surface à plat (i.e. à deux dimensions), avant d’être intégré à la structure STR. Le positionnement particulier des transducteurs 100 dans le cadre de l’invention, qui va à présent être décrit, doit donc être entendu comme un positionnement sur le plan horizontal à deux dimensions, quelle que soit ensuite la position de la surface SUR dans l’espace lors de son intégration à la structure STR.The transducers 100 can also be arranged in the STR structure, for example by belonging to a SUR surface embedded inside the STR structure. The surface SUR can be immaterial, in that it constitutes the geometrical place gathering all the positions of the transducers 100. The surface SUR can also be material, for example be made up of an attached film (for example by gluing) on STR structure, or embedded inside the STR structure. Alternatively, this material SUR surface can form a sheet disposed between two successive sheets of composite materials, before or after the baking of said materials. In any event, the SUR surface may not constitute a two-dimensional plane, for example when the SUR surface matches the particular shape of the STR structure. However, it is always possible to project the surface SUR, on a horizontal two-dimensional plane. In fact, when the SUR surface is material, the transducers 100 are first positioned on this flat surface (i.e. two-dimensional), before being integrated into the STR structure. The particular positioning of the transducers 100 within the framework of the invention, which will now be described, must therefore be understood as positioning on the horizontal plane in two dimensions, regardless of the position of the surface SUR in space afterwards. during its integration into the STR structure.

Le réseau formé de la pluralité de transducteurs 100 permet d’avoir une couverture optimale d’analyse de la structure STR, tout en utilisant un nombre minimal de transducteurs 100. La propagation des signaux d’excitation à partir d’un premier transducteur E est de type propagation d’onde en champ libre et omnidirectionnel. En outre, dans le cadre de l’invention, il est supposé que cette propagation est concentrique vis-à-vis des premiers transducteurs E. Chaque premier transducteur E émettant une onde mécanique qui se propage de manière uniforme, les seconds transducteurs R sont donc disposés de manière à être joignable par au moins un transducteur 100 en mode émission. Il existe ainsi un recouvrement entre deux cercles d’émission limitrophes, comme visible sur la figure 4. Afin de garantir la couverture optimale d’analyse avec un nombre minimal de transducteurs 100, dans un mode de réalisation privilégié du dispositif de détection 11 selon l’invention, la surface SUR est recouverte avec un nombre minimal de cercles d’émission E tout en garantissant un recouvrement minimal entre deux cercles limitrophes d’émission E.The network formed by the plurality of transducers 100 makes it possible to have optimal analysis coverage of the STR structure, while using a minimum number of transducers 100. The propagation of the excitation signals from a first transducer E is wave propagation type in free field and omnidirectional. In addition, in the context of the invention, it is assumed that this propagation is concentric with respect to the first transducers E. Each first transducer E emitting a mechanical wave which propagates in a uniform manner, the second transducers R are therefore arranged so as to be reachable by at least one transducer 100 in transmission mode. There is thus an overlap between two bordering emission circles, as visible in FIG. 4. In order to guarantee optimal analysis coverage with a minimum number of transducers 100, in a preferred embodiment of the detection device 11 according to l invention, the SUR surface is covered with a minimum number of emission circles E while guaranteeing a minimum overlap between two adjacent emission circles E.

A cet égard, comme visible sur la figure 5, les premiers transducteurs E sont disposés pour délimiter entre eux plusieurs mailles M, selon un maillage hexagonal. Les premiers transducteurs E ne sont donc pas tous alignés entre eux. Les mailles M sont limitrophes entre elles. Les mailles M ont des positions connues par rapport à la structure STR. Les coins des mailles M sont formés par les premiers transducteurs E. Chaque maille M entoure une zone située entre trois premiers transducteurs E non alignés ou plus de trois premiers transducteurs E non alignés. Comme visible sur la figure 5, chaque maille M est délimitée par trois premiers transducteurs E non alignés et est donc triangulaire. Chaque maille M peut avoir une, deux, trois mailles, ou plus de trois mailles qui lui sont limitrophes. Les mailles M sont, dans un mode de réalisation privilégié, triangulaires équilatérales, de sorte à former le maillage hexagonal. Chaque sommet des mailles M triangulaires équilatérales correspond ainsi à la position d’un premier transducteur E. Par exemple, à la figure 5, on a représenté par des traits continus fictifs entre les premiers transducteurs E, les dix mailles 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, qui sont équilatérales et limitrophes l’une à la suite de l’autre, et qui sont délimitées par une première rangée R1 de trois premiers transducteurs E alignés, une deuxième rangée R2 de quatre premiers transducteurs E alignés entre eux et non alignés avec la rangée R1 et une troisième rangée R3 de trois premiers transducteurs E alignés entre eux et non alignés avec les rangées R1 et R3.In this respect, as visible in FIG. 5, the first transducers E are arranged to delimit between them several meshes M, according to a hexagonal mesh. The first transducers E are therefore not all aligned with one another. The meshes M are bordering between them. The meshes M have known positions with respect to the STR structure. The corners of the meshes M are formed by the first transducers E. Each mesh M surrounds an area situated between three first non-aligned transducers E or more than three first non-aligned transducers E. As visible in FIG. 5, each mesh M is delimited by three first non-aligned transducers E and is therefore triangular. Each mesh M can have one, two, three meshes, or more than three meshes which are adjacent thereto. The meshes M are, in a preferred embodiment, equilateral triangular, so as to form the hexagonal mesh. Each vertex of the equilateral triangular meshes M thus corresponds to the position of a first transducer E. For example, in FIG. 5, the fictional meshes 1, 2, 3 are shown by fictitious solid lines between the first transducers E, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, which are equilateral and bordering one after the other, and which are delimited by a first row R1 of three first transducers E aligned, a second row R2 of first four transducers E aligned with one another and not aligned with row R1 and a third row R3 with three first transducers E aligned with each other and not aligned with rows R1 and R3.

A partir de ce maillage hexagonal de la pluralité de premiers transducteurs E, différents modes de réalisation de positionnement de la pluralité de seconds transducteurs R, ont été illustres sur les figures 6 et 7. Sur la figure 6, chaque premier transducteur E est entouré par trois seconds transducteur R disposés sur un cercle d’émission centré sur le premier transducteur E. Sur la figure 7, on distingue six seconds transducteurs R par premier transducteur E.From this hexagonal mesh of the plurality of first transducers E, various embodiments for positioning the plurality of second transducers R, have been illustrated in FIGS. 6 and 7. In FIG. 6, each first transducer E is surrounded by three second transducers R arranged on an emission circle centered on the first transducer E. In FIG. 7, there are six second transducers R by first transducer E.

Avantageusement, le rayon du cercle d’émission est compris entre 1 et 2 fois la distance séparant deux premiers transducteurs E, de préférence compris entre 1,5 et 2 fois cette distance, par exemple 1,73 fois cette distance.Advantageously, the radius of the emission circle is between 1 and 2 times the distance separating two first transducers E, preferably between 1.5 and 2 times this distance, for example 1.73 times this distance.

Suivant un mode de réalisation de l’invention, dans une première étape E1 d’acquisition de mesures, chaque premier transducteur E émet un signal d’excitation, et les seconds transducteurs R qui l’entourent sur son cercle d’émission acquièrent des signaux de réception.According to one embodiment of the invention, in a first step E1 of measurement acquisition, each first transducer E emits an excitation signal, and the second transducers R which surround it on its emission circle acquire signals reception.

Dans une deuxième étape E2 de calcul, postérieure à la première étape E1 d’acquisition de mesures, on extrait ou on détermine, à partir des signaux d’excitation des premiers transducteurs 100 E et des signaux de réception des seconds transducteurs R, une signature S pour chacune des mailles M, par exemple par une unité 103 de calcul, reliée à l’unité 102 d’acquisition. Les signatures S peuvent par exemple être calculées par un outil de traitement du signal et d’analyses multivariées, par le fait que les signatures S sont extraites de matrices de mesures, calculées en fonction des signaux d’excitation et des signaux de réception. En outre, cette unité 103 de calcul met en œuvre l’algorithme décrit ci-dessous et peut être un module algorithmique de détection de défaut. L’unité de calcul 103 est automatique, telle que par exemple un ou plusieurs calculateur(s) et/ou un ou plusieurs ordinateur(s), et/ou un ou plusieurs processeur(s) et/ou un ou plusieurs serveur(s) et/ou une ou plusieurs machine(s), pouvant être programmées à l’avance par un programme informatique préenregistré. Les mailles M et/ou la position des mailles M par rapport à la structure STR et/ou la position des transducteurs 100 et/ou l’appartenance des transducteurs 100 aux mailles M sont calculées et/ou enregistrées et/ou préenregistrées dans l’unité 103 de calcul.In a second calculation step E2, subsequent to the first measurement acquisition step E1, a signature is extracted or determined from the excitation signals of the first transducers 100 E and the reception signals of the second transducers R S for each of the meshes M, for example by a calculation unit 103, connected to the acquisition unit 102. The S signatures can for example be calculated by a signal processing and multivariate analysis tool, by the fact that the S signatures are extracted from measurement matrices, calculated as a function of the excitation signals and of the reception signals. In addition, this calculation unit 103 implements the algorithm described below and can be an algorithmic fault detection module. The calculation unit 103 is automatic, such as for example one or more calculator (s) and / or one or more computer (s), and / or one or more processor (s) and / or one or more server (s) ) and / or one or more machine (s), which can be programmed in advance by a pre-recorded computer program. The meshes M and / or the position of the meshes M with respect to the structure STR and / or the position of the transducers 100 and / or the membership of the transducers 100 to the meshes M are calculated and / or recorded and / or prerecorded in the calculation unit 103.

Dans une troisième étape E3 d’identification de défauts, postérieure à la deuxième étape E2 de calcul, on compare les signatures S entre elles. On identifie parmi les mailles M une ou plusieurs mailles M comme localisant un défaut de la structure STR, appelée maille défaillante (maille à l’état endommagé), lorsque la signature S de cette ou ces mailles est différente de plusieurs autres signatures de plusieurs autres mailles.In a third step E3 of defect identification, subsequent to the second step E2 of calculation, the signatures S are compared with one another. One or more meshes M are identified among the meshes M as locating a defect in the structure STR, called a faulty mesh (mesh in the damaged state), when the signature S of this or these meshes is different from several other signatures of several others sts.

Suivant un mode de réalisation, la ou les mailles ayant été identifiées mailles défaillantes et leur position connue par rapport à la structure STR sont envoyées dans un signal d’indication à une interface 104 homme-machine pour être restitué à un utilisateur, au cours d’une quatrième étape E4 d’indication, postérieure à la troisième étape E3 d’identification de défauts. On fournit ainsi à l’utilisateur leur position connue des mailles défaillantes par rapport à la structure STR et donc la localisation des défauts ainsi détectés. L’interface 104 hommemachine permet par exemple l’utilisation par les équipes de maintenance. L’interface 104 homme-machine est par exemple connectée à l’unité 103 de calcul.According to one embodiment, the mesh or meshes having been identified faulty meshes and their known position with respect to the STR structure are sent in an indication signal to a man-machine interface 104 to be restored to a user, during 'a fourth step E4 of indication, subsequent to the third step E3 of identification of faults. The user is thus provided with their known position of the faulty meshes with respect to the STR structure and therefore the location of the defects thus detected. The 104 machine interface allows for example the use by maintenance teams. The man-machine interface 104 is for example connected to the computing unit 103.

Le dispositif 11 de détection de défauts de la structure STR comporte par exemple les transducteurs 100, l’unité 103 de calcul, l’unité 102 d’acquisition et l’interface 104 homme-machine. Le dispositif 11 de détection met en oeuvre le procédé de détection de défauts de la structure STR, notamment grâce à l’unité de calcul 103 qui met en oeuvre les étapes d’extraction E2 et de comparaison E3.The device 11 for detecting faults in the STR structure includes, for example, the transducers 100, the calculation unit 103, the acquisition unit 102 and the man-machine interface 104. The detection device 11 implements the method for detecting defects in the STR structure, in particular thanks to the calculation unit 103 which implements the extraction steps E2 and comparison E3.

On décrit ci-dessous un premier mode de réalisation, dit à vote majoritaire, de cette comparaison lors de la troisième étape E3 d’identification de défauts, en référence à la figure 8. La maille défaillante est identifiée comme ayant une signature S qui est différente des signatures S, qui sont égales entre elles ou similaires entre elles, d’au moins deux autres mailles. C’est au moins deux autres mailles, indépendamment l’une de l’autre, sont chacune limitrophes de la maille défaillante, et ce pour des raisons d’inertie thermique. La comparaison est par exemple faite dans plusieurs groupes de trois mailles ou plus de trois mailles, chaque groupe étant différent des autres groupes par au moins une maille. Chaque groupe comporte par exemple un nombre impair de mailles.A first embodiment, known as a majority vote, of this comparison is described below during the third step E3 of identifying faults, with reference to FIG. 8. The faulty mesh is identified as having a signature S which is different from the signatures S, which are equal to or similar to each other, by at least two other meshes. There are at least two other meshes, independently of one another, each bordering on the defective mesh, for reasons of thermal inertia. The comparison is for example made in several groups of three meshes or more than three meshes, each group being different from the other groups by at least one mesh. Each group comprises for example an odd number of meshes.

Suivant un mode de réalisation, on considère ci-dessous des groupes de trois mailles M. Suivant un mode de réalisation, on applique ainsi une identification des mailles défaillantes selon un critère de la majorité 2 sur 3. Il est considéré que la probabilité d’avoir deux mailles ayant le même défaut aux mêmes endroits est très faible. Bien entendu, chaque groupe de maille pourrait avoir plus de trois mailles M, notamment un nombre impair de mailles. Les mailles de chaque groupe sont limitrophes entre elles.According to one embodiment, we consider below groups of three meshes M. According to one embodiment, an identification of the failing meshes is thus applied according to a majority criterion 2 out of 3. It is considered that the probability of having two stitches with the same defect in the same places is very small. Of course, each group of cells could have more than three cells M, in particular an odd number of cells. The meshes of each group are bordering between them.

Chaque groupe est défini par successivement une première maille, une deuxième maille et une troisième maille limitrophes entre elles. Chaque groupe a donc une maille de départ, qui est la première maille. Par exemple, le cas d’un groupe de mailles limitrophes entre elles est le premier groupe G1 de trois mailles, défini par successivement la première maille 1, la deuxième maille 2, qui est limitrophe à la première maille 1, et la troisième maille 6, qui est limitrophe à la première maille 1 à la figure 4 ou à la deuxième maille.Each group is defined successively by a first mesh, a second mesh and a third mesh bordering them. Each group therefore has a starting stitch, which is the first stitch. For example, the case of a group of meshes bordering between them is the first group G1 of three meshes, defined successively by the first mesh 1, the second mesh 2, which is bordering on the first mesh 1, and the third mesh 6 , which is bordering on the first mesh 1 in FIG. 4 or on the second mesh.

Une première fonction d’identification de tout groupe de mailles défini par successivement une première maille, une deuxième maille et une troisième maille, limitrophes entre elles, est définie ci-dessous, en prenant l’exemple ci-dessous du premier groupe G1. La fonction d’identification peut être appliquée au premier groupe G1 et à tout groupe de mailles autre que le premier groupe G1, et donc à tout groupe de mailles pouvant être autres que la maille 1 et/ou que la maille 2 et/ou que la maille 6 du premier groupe G1.A first function for identifying any group of cells defined successively by a first cell, a second cell and a third cell, which are adjacent to each other, is defined below, taking the example of the first group G1 below. The identification function can be applied to the first group G1 and to any group of cells other than the first group G1, and therefore to any group of cells which may be other than cell 1 and / or than cell 2 and / or that stitch 6 of the first group G1.

Par la première fonction d’identification, la première maille 1, la deuxième maille 2 et la troisième maille 6 sont identifiées comme mailles 1, 2, 6 non défaillantes, lorsque les signatures S de ces mailles 1, 2, 6 sont égales.By the first identification function, the first mesh 1, the second mesh 2 and the third mesh 6 are identified as meshes 1, 2, 6 not failing, when the signatures S of these meshes 1, 2, 6 are equal.

Par la première fonction d’identification, lorsque la signature S de la première maille 1 est différente de la signature S de la deuxième maille 2 égale à la signature S de la troisième maille 6, la première maille 1 est identifiée comme maille défaillante.By the first identification function, when the signature S of the first mesh 1 is different from the signature S of the second mesh 2 equal to the signature S of the third mesh 6, the first mesh 1 is identified as a faulty mesh.

Par la première fonction d’identification, lorsque la signature S de la première maille 1 est égale à la signature S de la deuxième maille 2 et est différente de la signature S de la troisième maille 6, la première maille 1 est identifiée comme maille non endommagée (ou maille en bonne santé) et la troisième maille 6 est identifiée comme maille suspecte.By the first identification function, when the signature S of the first mesh 1 is equal to the signature S of the second mesh 2 and is different from the signature S of the third mesh 6, the first mesh 1 is identified as non-mesh damaged (or healthy mesh) and the third mesh 6 is identified as a suspect mesh.

La troisième étape E3 d’identification peut comporter une ou plusieurs première(s) sous-étape(s) E31 d’identification et une ou plusieurs deuxième(s) sous-étape(s) E32 d’identification.The third identification step E3 may include one or more first identification sub-step (s) E31 and one or more second identification sub-step (s) E32.

Ainsi, dans la première sous-étape E31 d’identification, on applique la première fonction d’identification au premier groupe G1 de successivement les mailles 1, 2 et 6. Cette première sous-étape E31 d’identification est donc effectuée pour le premier groupe G1 ayant comme maille de départ la maille 1.Thus, in the first identification sub-step E31, the first identification function is applied to the first group G1 of successively meshes 1, 2 and 6. This first identification sub-step E31 is therefore carried out for the first group G1 having as starting mesh cell 1.

Suivant un mode de réalisation, dans la deuxième sous-étape E32 d’identification, postérieure à la première sous-étape E31 d’identification, l’on applique la première fonction d’identification à un autre groupe G2 de mailles ayant comme maille de départ la deuxième maille 2.According to one embodiment, in the second identification sub-step E32, subsequent to the first identification sub-step E31, the first identification function is applied to another group G2 of cells having as cell of start the second stitch 2.

Par exemple, cet autre groupe G2 de mailles est défini par successivement la deuxième maille 2,For example, this other group G2 of meshes is defined successively by the second mesh 2,

- puis la première maille 1, si la première maille 1 a été identifiée comme maille non défaillante, et une quatrième maille 3, qui est limitrophe à la maille de départ (maille 2 dans ce cas),- then the first mesh 1, if the first mesh 1 has been identified as a non-failing mesh, and a fourth mesh 3, which is bordering on the starting mesh (mesh 2 in this case),

- puis une cinquième maille, qui est limitrophe ou non limitrophe à la première maille 1, si la première maille 1 a été identifiée comme maille défaillante, et la quatrième maille 3, qui est limitrophe à la maille de départ (maille 2 dans ce cas).- then a fifth mesh, which is bordering or not bordering on the first mesh 1, if the first mesh 1 has been identified as failing mesh, and the fourth mesh 3, which is bordering on the starting mesh (mesh 2 in this case ).

Suivant un mode de réalisation, la quatrième maille 3 et la cinquième maille 7 sont différentes de la troisième maille 6, qui est identifiée comme maille suspecte. Par exemple, la première maille 1, la deuxième maille 2, troisième maille 6, la quatrième maille 3 et la cinquième maille 7 sont distinctes entre elles. Par exemple, la cinquième maille, dans le cas où elle est non limitrophe à la première maille 1 peut être la maille 7.According to one embodiment, the fourth mesh 3 and the fifth mesh 7 are different from the third mesh 6, which is identified as a suspect mesh. For example, the first mesh 1, the second mesh 2, third mesh 6, the fourth mesh 3 and the fifth mesh 7 are distinct from each other. For example, the fifth mesh, in the case where it is not bordering on the first mesh 1, may be mesh 7.

Suivant un mode de réalisation, l’on réitère la deuxième sous-étape E32 d’identification une ou plusieurs fois sur respectivement un ou plusieurs autres groupes de mailles. Les mailles de départ des deuxièmes sous-étapes E32 d’identification successives peuvent être différentes entre elles.According to one embodiment, the second substep E32 of identification is reiterated one or more times on one or more other mesh groups respectively. The starting stitches of the second successive identification sub-steps E32 may be different from each other.

Suivant un mode de réalisation, la maille de départ de chaque deuxième sous-étape E32 d’identification est limitrophe à la maille de départ de la deuxième sous-étape E32 d’identification la précédant. On effectue ainsi l’identification sur des groupes de proche en proche.According to one embodiment, the starting cell of each second identification sub-step E32 is bordering on the starting cell of the second identification sub-step E32 preceding it. Identification is thus carried out on groups step by step.

Suivant un mode de réalisation, les mailles de chaque groupe sont autres qu’une maille ayant été identifiée comme maille défaillante.According to one embodiment, the meshes of each group are other than a mesh having been identified as a defective mesh.

Suivant un mode de réalisation, par exemple, l’on applique la première fonction d’identification à un autre groupe G3 de mailles ayant comme maille de départ la quatrième maille 3, limitrophe à la deuxième maille 2.According to one embodiment, for example, the first identification function is applied to another group G3 of cells having as starting cell the fourth cell 3, bordering on the second cell 2.

Par exemple, cet autre groupe G3 de mailles est défini par successivement la quatrième maille 3,For example, this other group G3 of meshes is defined successively by the fourth mesh 3,

- une septième maille, qui est limitrophe ou non limitrophe à la maille de départ et qui n’a pas été identifiée comme maille défaillante, et une huitième maille, qui est limitrophe ou non limitrophe à la maille de départ,- a seventh stitch, which is bordering or not bordering on the starting stitch and which has not been identified as failing stitch, and an eighth stitch, which is bordering or not bordering on the starting stitch,

- une septième maille, qui est limitrophe ou non limitrophe à la maille de départ, si la deuxième maille (2) a été identifiée comme maille non défaillante, et une huitième maille, qui est limitrophe ou non limitrophe à la maille de départ.- a seventh mesh, which is bordering or not bordering on the starting mesh, if the second mesh (2) has been identified as non-failing mesh, and an eighth mesh, which is bordering or not bordering on the starting mesh.

La septième maille peut être limitrophe à la maille de départ (quatrième maille 3) et être la maille 4 ou la maille 2, si la maille 2 n’a pas été identifiée comme maille défaillante. La huitième maille peut être limitrophe à la maille de départ (quatrième maille 3) et être la maille 8 ou la maille 2. Une manière de faire ce choix peut être celui de choisir les deux mailles qui ont été le moins utilisées au moment de l’analyse, afin de limiter le risque d’erreur.The seventh mesh may be bordering on the starting mesh (fourth mesh 3) and may be mesh 4 or mesh 2, if mesh 2 has not been identified as a defective mesh. The eighth mesh can be bordering on the starting mesh (fourth mesh 3) and be mesh 8 or mesh 2. One way of making this choice can be that of choosing the two meshes which were least used at the time of the analysis, in order to limit the risk of error.

Suivant un mode de réalisation, pour la troisième maille 6 ou chaque maille, qui est identifiée comme maille suspecte, on applique une deuxième fonction d’identification définie de la manière suivante.According to one embodiment, for the third mesh 6 or each mesh, which is identified as a suspect mesh, a second identification function is applied, defined as follows.

Lorsque la signature de la troisième maille 6 ou maille suspecte est différente de la signature de la première maille 1 égale à la signature d’une sixième maille 7 limitrophe à la troisième maille 6 ou maille suspecte, la troisième maille 6 ou maille suspecte est identifiée comme maille défaillante.When the signature of the third mesh 6 or suspect mesh is different from the signature of the first mesh 1 equal to the signature of a sixth mesh 7 bordering on the third mesh 6 or suspect mesh, the third mesh 6 or suspect mesh is identified as a defective mesh.

Lorsque la signature de la troisième maille 6 ou maille suspecte est différente de la signature de la première maille 1 différente de la signature de la sixième maille 7, la troisième maille 6 ou maille suspecte est identifiée comme maille défaillante et la sixième maille Ί est identifiée comme maille suspecte.When the signature of the third mesh 6 or suspect mesh is different from the signature of the first mesh 1 different from the signature of the sixth mesh 7, the third mesh 6 or suspect mesh is identified as a failing mesh and the sixth mesh Ί is identified as a suspect mesh.

Lorsque la signature de la troisième maille 6 ou maille suspecte est égale à la signature de la sixième maille 7, un deuxième signal d’indication est envoyé sur l’interface homme-machine 104, par exemple pour demander une décision de l’utilisateur, ce cas survenant toutefois rarement.When the signature of the third mesh 6 or suspect mesh is equal to the signature of the sixth mesh 7, a second indication signal is sent to the man-machine interface 104, for example to request a decision from the user, however, this case rarely occurs.

Lorsque la maille suspecte (par exemple 6) est limitrophe à une maille identifiée comme maille défaillante (par exemple 1 ), on applique la deuxième sousétape E32 d’identification, la première sous-étape E31 d’identification et/ou la deuxième fonction d’identification à une autre maille (par exemple 7) limitrophe à la maille suspecte.When the suspect mesh (for example 6) is bordering on a mesh identified as a faulty mesh (for example 1), the second identification sub-step E32, the first identification sub-step E31 and / or the second function d are applied. 'identification with another mesh (for example 7) bordering on the suspect mesh.

Suivant un mode de réalisation, on applique la deuxième sous-étape E32 d’identification, la première fonction d’identification et/ou la deuxième fonction d’identification pour que la maille de départ soit tour à tour chacune des mailles, sans être une maille ayant été identifiée comme maille défaillante.According to one embodiment, the second identification sub-step E32 is applied, the first identification function and / or the second identification function so that the starting stitch is in turn each of the stitches, without being a mesh having been identified as a defective mesh.

On décrit ci-dessous un deuxième mode de réalisation, dit à classification de populations, de cette comparaison lors de la troisième étape E3 d’identification de défauts, en référence à la figure 9.A second embodiment, known as population classification, of this comparison is described below during the third step E3 of identification of faults, with reference to FIG. 9.

La troisième étape E3 d’identification peut comporter une ou plusieurs troisième(s) sous-étape(s) E33 de classification et une ou plusieurs quatrième(s) sous-étape(s) E34 de classification.The third identification step E3 may include one or more third classification sub-step (s) E33 and one or more fourth classification sub-step (s) E34.

Au cours de la troisième(s) sous-étape(s) E33 de classification, l’on classifie les mailles M ayant la même signature dans une même famille respective F.During the third (s) sub-step (s) E33 of classification, the meshes M having the same signature are classified in the same respective family F.

Les mailles M, qui sont classifiées dans la famille respective F ayant le plus grand nombre de mailles, appelée famille saine, sont identifiées comme mailles non défaillantes.The meshes M, which are classified in the respective family F having the greatest number of meshes, called healthy family, are identified as non-failing meshes.

Chaque maille M, qui est classifiée dans une famille respective F n’ayant qu’une seule maille M, appelée famille défaillante respective, est identifiée comme maille défaillante.Each mesh M, which is classified in a respective family F having only one mesh M, called the respective failing family, is identified as a failing mesh.

Il est peu probable d’avoir le même type de défaut sur plusieurs mailles, et il est donc considéré que la population avec le plus d’individus est une population de mailles en bon état, tandis que nous considérons que toutes les populations n’ayant qu’un seul individu sont des populations de maille défaillante.It is unlikely to have the same type of defect on several meshes, and it is therefore considered that the population with the most individuals is a population of meshes in good condition, while we consider that all the populations having no only one individual are failing mesh populations.

Suivant un mode de réalisation, dans la phase de construction des populations, on classifie chaque maille de la structure dans une famille afin de pouvoir par la suite analyser les familles et d’en déduire s’il y a des familles défaillantes. Chaque population est définie par une référence.According to one embodiment, in the population construction phase, we classify each mesh of the structure in a family so that we can then analyze the families and deduce if there are families that are failing. Each population is defined by a reference.

Suivant un mode de réalisation, pour classifier les mailles, on classifie une première maille 1 ayant une première signature S1 dans une première famille F1, à laquelle on attribue une référence respective égale à la première signature S1. On définit ainsi la référence pour la première population, dont le nombre d’individu est égal à 1 (pour la première maille 1).According to one embodiment, to classify the meshes, a first mesh 1 having a first signature S1 is classified in a first family F1, to which a respective reference is assigned equal to the first signature S1. We thus define the reference for the first population, whose number of individuals is equal to 1 (for the first mesh 1).

Puis successivement pour chaque autre maille k (par exemple maille 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10), différente de la première maille 1, on itère la quatrième sousétape E34 de classification décrite ci-dessous.Then successively for each other mesh k (for example mesh 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10), different from the first mesh 1, the fourth substep E34 of classification described below is iterated.

On compare la signature S2 de l’autre maille k à la référence respective de chaque famille F (dont la famille F1), par exemple en comparant successivement la signature S2 de l’autre maille k à la référence respective des familles Fj l’une après l’autre.The signature S2 of the other cell k is compared to the respective reference of each family F (including the family F1), for example by successively comparing the signature S2 of the other cell k to the respective reference of the families Fj one after another.

Si la signature S2 de l’autre maille k est égale à la référence respective de l’une Fj des familles F, alors cette autre maille k est classifiée dans cette famille Fj. Ainsi, dans ce cas, le nombre d’individus de de la famille Fj est incrémenté de 1. Si la signature S2 de l’autre maille k n’est pas égale à la référence respective de la famille Fj, alors on effectue la comparaison de la signature S2 de l’autre maille k à la référence respective de la famille suivante Fj, avec j incrémenté de 1.If the signature S2 of the other mesh k is equal to the respective reference of one Fj of the families F, then this other mesh k is classified in this family Fj. Thus, in this case, the number of individuals of the family Fj is incremented by 1. If the signature S2 of the other mesh k is not equal to the respective reference of the family Fj, then the comparison is carried out from the signature S2 of the other mesh k to the respective reference of the following family Fj, with j incremented by 1.

Si la signature S2 de l’autre maille n’est égale à aucune référence respective des familles F, Fj, alors cette autre maille k est classifiée dans une nouvelle famille F2, à laquelle on attribue une référence respective égale à la signature de cette autre maille k. Ainsi, dans ce cas, le nombre d’individus de nouvelle famille F2 est égal à 1.If the signature S2 of the other mesh is not equal to any respective reference of the families F, Fj, then this other mesh k is classified in a new family F2, to which a respective reference is assigned equal to the signature of this other mesh k. Thus, in this case, the number of individuals of new family F2 is equal to 1.

On passe ensuite à la maille suivante, sur laquelle on effectue la quatrième sous-étape E34 de classification.We then go to the next mesh, on which we perform the fourth substep E34 of classification.

Cette itération est effectuée, tant qu’il y a une ou plusieurs mailles non encore classifiées dans une famille F.This iteration is carried out, as long as there is one or more meshes not yet classified in a family F.

Suivant un mode de réalisation, on détermine, par calcul de distances, si la famille en cours d’analyse est plus proche de la famille saine ou d’une famille défaillante.According to one embodiment, it is determined, by calculation of distances, whether the family being analyzed is closer to the healthy family or to a failing family.

Suivant un mode de réalisation, on classifie chaque maille n’appartenant ni à la famille saine, ni à la ou aux familles défaillantes respectives, appelée maille à analyser, dans une famille à analyser.According to one embodiment, each mesh belonging to neither the healthy family, nor to the respective failing family or families, called mesh to be analyzed, is classified into a family to be analyzed.

Suivant un mode de réalisation, pour chaque maille à analyser de la famille à analyser, on calcule une première distance entre la signature de la maille à analyser et la signature des mailles de la famille saine, et une deuxième distance respective entre la signature de la maille à analyser et la signature des mailles de chaque famille défaillante respective.According to one embodiment, for each mesh to be analyzed of the family to be analyzed, a first distance is calculated between the signature of the mesh to be analyzed and the signature of the meshes of the healthy family, and a second respective distance between the signature of the mesh to analyze and the signature of the meshes of each respective failing family.

Lorsque la première distance est inférieure à chaque deuxième distance respective, on classifie la maille à analyser dans la famille saine ou on identifie la maille à analyser comme maille non défaillante.When the first distance is less than each respective second distance, the mesh to be analyzed is classified in the healthy family or the mesh to be analyzed is identified as a non-failing mesh.

Lorsque la première distance est supérieure à une ou plusieurs deuxièmes distances respectives, on classifie la maille à analyser dans la famille défaillante ayant cette deuxième distance respective ou on identifie la maille à analyser comme maille défaillante.When the first distance is greater than one or more respective second distances, the mesh to be analyzed is classified in the failing family having this respective second distance or the mesh to be analyzed is identified as a failed mesh.

Suivant un mode de réalisation, en SHM, les distances calculées sont appelées indicateurs de défauts. Suivant un mode de réalisation, l’indicateur proposé est calculé par le biais d’une méthode d’extraction basée sur l’analyse multivariée. Les détails du calcul de cet indicateur sont décrits dans la suite du présent document.According to one embodiment, in SHM, the calculated distances are called fault indicators. According to one embodiment, the proposed indicator is calculated by means of an extraction method based on multivariate analysis. The details of the calculation of this indicator are described later in this document.

Par exemple, pour toutes les familles ayant 2 ou plusieurs individus (mailles), mais qui ne sont pas la population ayant le plus de mailles, un indicateur est calculé entre les populations principales et celle ayant un seul individu.For example, for all families with 2 or more individuals (meshes), but which are not the population with the most meshes, an indicator is calculated between the main populations and that with a single individual.

On effectue ensuite l’étape E4 d’indication, décrite ci-dessus.Then carry out the indication step E4, described above.

Comparé au premier mode de réalisation, ce deuxième mode de réalisation permet de d’avoir un nombre limité de mailles ayant le même défaut et donc de pallier le problème du vote majoritaire 2 sur 3 avec 2 mailles défaillantes et une maille non défaillante.Compared to the first embodiment, this second embodiment makes it possible to have a limited number of meshes having the same defect and therefore to overcome the problem of the majority vote 2 out of 3 with 2 defective meshes and one non-defective mesh.

Suivant un mode de réalisation, une longueur d’onde d’interrogation (du signal d’excitation) est inférieure à la distance entre les transducteurs d’une même maille.According to one embodiment, an interrogation wavelength (of the excitation signal) is less than the distance between the transducers of the same mesh.

On décrit ci-dessous un mode de réalisation de l’extraction de caractéristiques.An embodiment of the feature extraction is described below.

Soit e |a matrice émanant d’une zone structurale considérée sans défaillance (cf. Figure 10, représentant la structuration de la matrice de mesures) :Let e | a matrix emanating from a structural zone considered without failure (cf. Figure 10, representing the structuring of the measurement matrix):

'711 '711 yu yu yiiïy yiiïy ymi ymi .Jwi .Jwi Vmi vMI

où :or :

ny est le nombre de capteurs ou transducteurs C1, C2, ... Ck, Ck+1, ...Cny instrumentés sur la zone, n y is the number of sensors or transducers C1, C2, ... Ck, Ck + 1, ... Cny instrumented on the area,

W est le nombre d’acquisitions établies pour interroger la zone, k est le temps discret.W is the number of acquisitions established to interrogate the area, k is the discrete time.

La définition de la zone sans défaillance est dans notre cas liée soit au vote majoritaire, soit à une plus forte densité de population, selon les algorithmes décrits précédemment.The definition of the faultless zone is in our case linked either to the majority vote or to a higher population density, according to the algorithms described above.

L’extraction des caractéristiques de l’état de santé est établie à travers une méthode d’analyse multivariée, par exemple, l’analyse en composantes principales (ACP). Cette méthode permet de transformer des variables liées entre elles (dites corrélées) en de nouvelles variables décorrélées les unes des autres, par exemple selon le document [1] Tibaduiza, D.A et al (2015). “Structural damage détection using principal component analysis and damage indices”. Journal of Intelligent Material Systems and Structures.The extraction of health status characteristics is established through a multivariate analysis method, for example, principal component analysis (PCA). This method makes it possible to transform variables linked to one another (called correlated) into new variables decorrelated from each other, for example according to the document [1] Tibaduiza, D.A et al (2015). “Structural damage detection using principal component analysis and damage indices”. Journal of Intelligent Material Systems and Structures.

Mathématiquement parlant, l’ACP est basée sur une décomposition en valeurs et vecteurs propres de la matrice de mesures (cf. équation 1), permettant ainsi d’obtenir un espace principal et résiduel, définis par les équations suivantes :Mathematically speaking, PCA is based on a decomposition into eigenvectors and vectors of the measurement matrix (cf. equation 1), thus making it possible to obtain a main and residual space, defined by the following equations:

Λ =Λ =

P — [?ivrxnr PAfxOn-nr)] (2) (3) où :P - [? Ivrxn r PAfxOn-nr)] (2) (3) where:

Les matrices Λ, P SOnt appelées matrices des valeurs propres, des vecteurs propres, associées à l’espace principal.The matrices Λ, P SO are called matrices of eigenvalues, eigenvectors, associated with the main space.

Les matrices Λ»Ρ sont appelées matrices des valeurs propres, vecteurs propres, associées à l’espace résiduel.The matrices Λ »Ρ are called matrices of eigenvalues, eigenvectors, associated with the residual space.

On décrit ci-dessous un mode de réalisation de l’indicateur de défauts.An embodiment of the fault indicator is described below.

Considérons maintenant, la matrice émanant d’une autre zone structurale considérée suspecte, et associons à cette zone, une matrice de mesures notée Y«, construite de la même manière que le schéma de la Figure 10 et selon l’équation (1).Let us now consider the matrix emanating from another structural zone considered suspect, and associate with this zone, a matrix of measures denoted Y ", constructed in the same way as the diagram in Figure 10 and according to equation (1).

Une zone considérée suspecte est une zone ayant un indicateur différent de celui de la zone considérée en bonne santé.An area considered suspect is an area with an indicator different from that of the area considered healthy.

Pour établir l’indicateur de défauts nécessaire à la prise de décision de l’état de santé, la matrice Yu est projetée dans le modèle ACP (selon les équations (2) et (3)) établie sur la zone considérée sans défaillance. L’indicateur de défaut noté DI est défini par l’équation suivante :To establish the defect indicator necessary for making a decision on the state of health, the matrix Y u is projected into the PCA model (according to equations (2) and (3)) established on the zone considered without failure. The fault indicator denoted DI is defined by the following equation:

E = [Y„(fc)(l - PPT)J WE = [Y „(fc) (l - PP T ) JW

DI, = E,Ef <5>DI, = E, Ef < 5 >

où i correspond au numéro de l’acquisition établie pour interroger la structure.where i corresponds to the acquisition number established to query the structure.

La Figure 11 illustre un schéma de principe du calcul de l’indicateur de défauts.Figure 11 illustrates a block diagram of the calculation of the fault indicator.

La Figure 12 illustre l’application du vote majoritaire à l’indicateur de défauts. Par comparaison, nous pouvons constater que l’indicateur issu de la zoneFigure 12 illustrates the application of majority voting to the flaw indicator. By comparison, we can see that the indicator from the area

N°3 est plus important que celui issu de la zone N°1 et N°2, indiquant ainsi qu’une défaillance est présente dans la zone N°3.N ° 3 is more important than that from zone N ° 1 and N ° 2, thus indicating that a fault is present in zone N ° 3.

Bien entendu, les modes de réalisation, caractéristiques et exemples cidessus peuvent être combinés l’un avec l’autre ou être sélectionnés 5 indépendamment l’un de l’autre.Of course, the above embodiments, characteristics and examples can be combined with one another or be selected independently of one another.

Claims (15)

1. Dispositif (11) de détection de défauts d’une structure (STR), le dispositif (11) comprenant une unité de calcul (103) et une pluralité de transducteurs (100) destinés à être positionnés sur ou dans la structure (STR),1. Device (11) for detecting faults in a structure (STR), the device (11) comprising a calculation unit (103) and a plurality of transducers (100) intended to be positioned on or in the structure (STR ) - des premiers transducteurs (E) de la pluralité de transducteurs (100) étant aptes à être dans un mode d’émission où ils émettent un signal d’excitation,- first transducers (E) of the plurality of transducers (100) being able to be in an emission mode where they emit an excitation signal, - des seconds transducteurs (R) de la pluralité de transducteurs (100) étant aptes à être dans un mode de réception où ils reçoivent un signal de réception en réponse au signal d’excitation émis par un premier transducteur (E) en mode émission, les signaux d’excitation et les signaux de réception étant aptes à se propager le long de la structure (STR) ou dans la structure (STR), caractérisé en ce que les premiers transducteurs (E) forment un maillage hexagonal de sorte à délimiter entre eux plusieurs mailles (M) limitrophes entre elles, les seconds transducteurs (R) étant disposés sur des cercles d’émission respectifs des premiers transducteurs (E), chaque cercle d’émission d’un premier transducteur (E) étant centré sur le premier transducteur (E).- second transducers (R) of the plurality of transducers (100) being able to be in a reception mode where they receive a reception signal in response to the excitation signal emitted by a first transducer (E) in transmission mode, the excitation signals and the reception signals being able to propagate along the structure (STR) or in the structure (STR), characterized in that the first transducers (E) form a hexagonal mesh so as to delimit between them several meshes (M) bordering them, the second transducers (R) being arranged on respective emission circles of the first transducers (E), each emission circle of a first transducer (E) being centered on the first transducer (E). 2. Dispositif (11) selon la revendication 1, dans lequel les premiers transducteurs (E) sont des capteurs piézoélectriques (110a), et les seconds transducteurs (R) comprennent chacun un réseau de Bragg (100b) d’une fibre optique (105).2. Device (11) according to claim 1, in which the first transducers (E) are piezoelectric sensors (110a), and the second transducers (R) each comprise a Bragg grating (100b) of an optical fiber (105 ). 3. Dispositif (11) selon l’une des revendications 1 ou 2, dans lequel les mailles (M) sont triangulaires équilatérales dont chaque sommet correspond à la position d’un premier transducteur (E), chaque cercle d’émission de premier transducteur (E) présentant un rayon compris entre 1 et 2 fois la distance séparant deux premiers transducteurs (E) au sein du maillage, le rayon étant de préférence compris entre 1,5 et 2 fois cette distance, par exemple 1,73 fois cette distance.3. Device (11) according to one of claims 1 or 2, in which the meshes (M) are equilateral triangular whose each vertex corresponds to the position of a first transducer (E), each emission circle of the first transducer (E) having a radius between 1 and 2 times the distance separating two first transducers (E) within the mesh, the radius preferably being between 1.5 and 2 times this distance, for example 1.73 times this distance . 4. Procédé de détection de défauts d’une structure (STR), au moyen d’un dispositif (11) selon l’une des revendications 1 à 3, un maillage constitué d'une pluralité de mailles (M) et défini par la pluralité de transducteurs (100) ayant été préalablement disposé sur ou dans la structure (STR), le procédé comprenant les étapes de :4. Method for detecting defects in a structure (STR), by means of a device (11) according to one of claims 1 to 3, a mesh consisting of a plurality of meshes (M) and defined by the plurality of transducers (100) having been previously disposed on or in the structure (STR), the method comprising the steps of: - extraction, (E2) en fonction de signaux d’excitation émis (E1) par les premiers transducteurs (E), et des signaux de réception reçus (E1) par les seconds transducteurs (R), d’une signature (S) pour chacune des mailles (M),- extraction, (E2) as a function of excitation signals emitted (E1) by the first transducers (E), and reception signals received (E1) by the second transducers (R), of a signature (S) for each of the meshes (M), - comparaison (E3) des signatures (S) entre elles pour identifier parmi les mailles (M) au moins une maille comme localisant un défaut de la structure (STR), appelée maille défaillante, lorsque la signature (5) de cette maille (M) est différente de plusieurs autres signatures (S) de plusieurs autres mailles (M), les étapes d’extraction (E2) et de comparaison (E3) étant mises en œuvre par l’unité de calcul (103).- comparison (E3) of the signatures (S) with one another to identify among the meshes (M) at least one mesh as locating a defect in the structure (STR), called a defective mesh, when the signature (5) of this mesh (M ) is different from several other signatures (S) by several other meshes (M), the extraction (E2) and comparison (E3) steps being implemented by the calculation unit (103). 5. Procédé de détection de défauts d’une structure (STR) selon la revendication 4, dans lequel la maille défaillante est identifiée comme ayant une signature qui est différente des signatures, qui sont égales entre elles, d’au moins deux autres mailles (M), chacune indépendamment limitrophe de la maille défaillante.5. Method for detecting defects in a structure (STR) according to claim 4, in which the faulty mesh is identified as having a signature which is different from the signatures, which are equal to each other, of at least two other meshes ( M), each independently bordering on the faulty mesh. 6. Procédé de détection de défauts d’une structure (STR) selon la revendication 4 ou 5, dans lequel une première fonction d’identification d’un groupe défini par successivement une première maille (1), une deuxième maille (2) et une troisième maille (6), est en outre définie par le fait que :6. Method for detecting defects in a structure (STR) according to claim 4 or 5, in which a first function for identifying a group defined successively by a first mesh (1), a second mesh (2) and a third mesh (6) is further defined by the fact that: - la première maille (1), la deuxième maille (2) et la troisième maille (6) sont identifiées comme mailles (1, 2, 6) non défaillantes, lorsque les signatures de ces mailles (1, 2, 6) sont égales,- the first mesh (1), the second mesh (2) and the third mesh (6) are identified as non-faulty meshes (1, 2, 6), when the signatures of these meshes (1, 2, 6) are equal , - lorsque la signature de la première maille (1) est différente de la signature de la deuxième maille (2) égale à la signature de la troisième maille (6), la première maille (1) est identifiée comme maille défaillante,- when the signature of the first link (1) is different from the signature of the second link (2) equal to the signature of the third link (6), the first link (1) is identified as a faulty link, - lorsque la signature de la première maille (1) est égale à la signature de la deuxième maille (2) et est différente de la signature de la troisième maille (6), la première maille (1) est identifiée comme maille non défaillante et la troisième maille (6) est identifiée comme maille suspecte,- when the signature of the first stitch (1) is equal to the signature of the second stitch (2) and is different from the signature of the third stitch (6), the first stitch (1) is identified as a non-failing stitch and the third mesh (6) is identified as a suspect mesh, - dans une première sous-étape (E31) d’identification, on applique la première fonction d’identification à un premier groupe de trois mailles (1, 2, 6), comportant successivement une première maille (1), une deuxième maille (2), qui est limitrophe à la première maille (1), et une troisième maille (6), qui est limitrophe à la première maille (1).- in a first identification sub-step (E31), the first identification function is applied to a first group of three meshes (1, 2, 6), successively comprising a first mesh (1), a second mesh ( 2), which is bordering on the first mesh (1), and a third mesh (6), which is bordering on the first mesh (1). 7. Procédé de détection de défauts d’une structure (STR) selon la revendication 6, dans lequel, dans une deuxième sous-étape (E32) d’identification postérieure à la première sous-étape (E31) d’identification, l’on applique la première fonction d’identification à un autre groupe de mailles défini par successivement une maille de départ formée par la deuxième maille (2) et :7. A method for detecting defects in a structure (STR) according to claim 6, in which, in a second identification sub-step (E32) subsequent to the first identification sub-step (E31), the the first identification function is applied to another group of cells defined successively by a starting cell formed by the second cell (2) and: - la première maille (1), si la première maille (1) a été identifiée comme maille non défaillante, et une quatrième maille (3), qui est limitrophe à la maille de départ,- the first mesh (1), if the first mesh (1) has been identified as a non-failing mesh, and a fourth mesh (3), which is bordering on the starting mesh, - une cinquième maille (7), qui est limitrophe ou non limitrophe à la première maille (1), si la première maille (1) a été identifiée comme maille défaillante, et la quatrième maille (3), qui est limitrophe à la maille de départ.- a fifth mesh (7), which is bordering or not bordering on the first mesh (1), if the first mesh (1) has been identified as failing mesh, and the fourth mesh (3), which is bordering on the mesh of departure. 8. Procédé de détection de défauts d’une structure (STR) selon la revendication 7, dans lequel on réitère la deuxième sous-étape (E32) d’identification une ou plusieurs fois sur respectivement un ou plusieurs autres groupes de mailles.8. Method for detecting defects in a structure (STR) according to claim 7, in which the second sub-step (E32) of identification is repeated once or several times on one or more other mesh groups respectively. 9. Procédé de détection de défauts d’une structure (STR) selon la revendication 8, dans lequel la maille de départ de chaque deuxième sousétape (E32) d’identification est limitrophe à la maille de départ de la deuxième sous-étape (E32) d’identification la précédant.9. Method for detecting defects in a structure (STR) according to claim 8, in which the starting mesh of each second identification sub-step (E32) is bordering on the starting mesh of the second sub-step (E32 ) of identification preceding it. 10. Procédé de détection de défauts d’une structure (STR) selon l’une quelconque des revendications 7 à 9, dans lequel la quatrième maille (3) et la cinquième maille (7) sont différentes de la troisième maille (6), qui est identifiée comme maille suspecte.10. A method of detecting defects in a structure (STR) according to any one of claims 7 to 9, in which the fourth mesh (3) and the fifth mesh (7) are different from the third mesh (6), which is identified as a suspect mesh. 11. Procédé de détection de défauts d’une structure (STR) selon l’une quelconque des revendications 6 à 10, dans lequel les mailles de chaque groupe sont autres qu’une maille ayant été identifiée comme maille défaillante.11. Method for detecting defects in a structure (STR) according to any one of claims 6 to 10, in which the meshes of each group are other than a mesh having been identified as a defective mesh. 12. Procédé de détection de défauts d’une structure (STR) selon l’une quelconque des revendications 6 à 11, dans lequel, pour la troisième maille (6), qui est identifiée comme maille suspecte, on applique une deuxième fonction d’identification définie par le fait que :12. Method for detecting defects in a structure (STR) according to any one of claims 6 to 11, in which, for the third mesh (6), which is identified as suspect mesh, a second function of identification defined by the fact that: - lorsque la signature de la troisième maille (6) est différente de la signature de la première maille (1) égale à la signature d’une sixième maille (7) limitrophe à la troisième maille (6), la troisième maille (6) est identifiée comme maille défaillante,- when the signature of the third stitch (6) is different from the signature of the first stitch (1) equal to the signature of a sixth stitch (7) bordering on the third stitch (6), the third stitch (6) is identified as a faulty mesh, - lorsque la signature de la troisième maille (6) est différente de la signature de la première maille (1) différente de la signature de la sixième maille (7), la troisième maille (6) est identifiée comme maille défaillante et la sixième maille (7) est identifiée comme maille suspecte,- when the signature of the third link (6) is different from the signature of the first link (1) different from the signature of the sixth link (7), the third link (6) is identified as a faulty link and the sixth link (7) is identified as a suspect mesh, - lorsque la signature de la troisième maille (6) est égale à la signature de la sixième maille (7), un premier signal d’indication est envoyé sur une interface (104) homme-machine.- when the signature of the third mesh (6) is equal to the signature of the sixth mesh (7), a first indication signal is sent to a man-machine interface (104). 13. Procédé de détection de défauts d’une structure (STR) selon la revendication 4, dans lequel, au cours d’au moins une sous-étape (E33, E34) de classification, on classifie les mailles (M) ayant la même signature dans une même famille respective :13. Method for detecting defects in a structure (STR) according to claim 4, in which, during at least one classification sub-step (E33, E34), the meshes (M) having the same classification are classified signature in the same respective family: - les mailles (M), qui sont classifiées dans la famille respective ayant le plus grand nombre de mailles, appelée famille saine, étant identifiées comme mailles non défaillantes,- the meshes (M), which are classified in the respective family having the greatest number of meshes, called healthy family, being identified as non-failing meshes, - chaque maille (M), qui est classifiée dans une famille respective n’ayant qu’une seule maille, appelée famille défaillante respective, étant identifiée comme maille défaillante.- each mesh (M), which is classified in a respective family having only one mesh, called the respective failing family, being identified as a failing mesh. 14. Procédé de détection de défauts d’une structure (STR) selon la revendication 13, dans lequel, pour classifier les mailles (M) :14. Method for detecting defects in a structure (STR) according to claim 13, in which to classify the meshes (M): - on classifie une première maille (1) ayant une première signature (S1) dans une première famille (F1), à laquelle on attribue une référence respective égale à la première signature (S1 ),a first mesh (1) having a first signature (S1) is classified in a first family (F1), to which a respective reference equal to the first signature (S1) is assigned, - puis successivement pour chaque autre maille (k), différente de la première maille (1), on itère la sous-étape (E34) de classification selon laquelle o on compare la signature (S2) de l’autre maille (k) à la référence respective de chaque famille (F1), o si la signature (S2) de l’autre maille (k) est égale à la référence respective de l’une (Fj) des familles (F), alors cette autre maille (k) est classifiée dans cette famille (Fj), o si la signature (S2) de l’autre maille (k) n’est égale à aucune référence respective des familles (F), alors cette autre maille (k) est classifiée dans une nouvelle famille (F2), à laquelle on attribue une référence respective égale à la signature (S2) de cette autre maille (k).- then successively for each other mesh (k), different from the first mesh (1), the classification sub-step (E34) is iterated according to which o the signature (S2) of the other mesh (k) is compared to the respective reference of each family (F1), o if the signature (S2) of the other mesh (k) is equal to the respective reference of one (Fj) of the families (F), then this other mesh (k ) is classified in this family (Fj), o if the signature (S2) of the other mesh (k) is not equal to any respective reference of the families (F), then this other mesh (k) is classified in a new family (F2), to which one assigns a respective reference equal to the signature (S2) of this other mesh (k). 15. Procédé de détection de défauts d’une structure (STR) selon la revendication 13 ou 14, dans lequel :15. Method for detecting defects in a structure (STR) according to claim 13 or 14, in which: - pour chaque maille n’appartenant ni à la famille saine, ni à la ou aux familles défaillantes respectives, appelée maille à analyser, on calcule une première distance entre la signature de la maille à analyser et la signature des mailles de la famille saine, et une deuxième distance respective entre la signature de la maille à analyser et la signature des mailles de chaque famille défaillante respective, pour :- for each mesh belonging neither to the healthy family, nor to the respective defective family or families, called mesh to be analyzed, a first distance is calculated between the signature of the mesh to be analyzed and the signature of the mesh of the healthy family, and a second respective distance between the signature of the mesh to be analyzed and the signature of the meshes of each respective defective family, for: o lorsque la première distance est inférieure à chaque deuxième distance respective, classifier la maille à analyser dans la famille saine ou identifier la maille à analyser comme maille non défaillante, o lorsque la première distance est supérieure à une ou plusieurs deuxièmes distances respectives, classifier la maille à analyser dans la famille défaillante ayant cette deuxième distance 5 respective ou identifier la maille à analyser comme maille défaillante.o when the first distance is less than each respective second distance, classify the mesh to be analyzed in the healthy family or identify the mesh to be analyzed as a non-failing mesh, o when the first distance is greater than one or more respective second distances, classify the mesh to be analyzed in the failing family having this respective second distance 5 or identify the mesh to be analyzed as a failing mesh.
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