DISPOSITIF D'AFFICHAGE POLYCHROME A DIODES ELECTROLUMINESCENTES ORGANIQUES ET SON PROCEDE D'ENCAPSULATION. POLYCHROME DISPLAY DEVICE WITH ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DIODES AND METHOD OF ENCAPSULATING THE SAME.
La présente invention concerne un dispositif d'affichage polychrome à diodes électroluminescentes organiques (« OLED ») et à filtres colorés, qui est protégé de l'air ambiant par une encapsulation étanche de type incluant des couches minces, et un procédé d'encapsulation d'un tel dispositif. L'invention s'applique notamment à des microafficheurs à émission par le sommet (« top emission ») surmontant un circuit à métal-oxyde complémentaire (« CMOS »). De manière connue, les dispositifs optoélectroniques organiques tels que les afficheurs « OLED » nécessitent d'être encapsulés, pour assurer la protection de leurs composants sensibles contre les espèces gazeuses de l'atmosphère (principalement l'oxygène et la vapeur d'eau). En effet, si cette protection n'est pas convenablement réalisée, il risque de se produire une dégradation ultérieure du dispositif qui se manifeste principalement par l'apparition de points noirs non émissifs dans le cas des « OLED », qui sont en fait la résultante de la pénétration de la vapeur d'eau dans la diode, ce qui dégrade l'interface cathode (ou anode) / film(s) organique(s). Cette encapsulation peut être typiquement réalisée grâce à l'utilisation d'un capot de verre collé sur le dispositif organique à l'aide d'une colle spécifique présentant notamment une faible perméabilité à l'eau. En général, on ajoute un absorbeur d'humidité solide ou « getter » entre le substrat et le capot pour prolonger la durée de vie du dispositif. Pour certaines applications mais aussi pour une question de réduction de coût, on a développé des couches minces à effet de barrière dont le rôle, par similitude à cet ensemble capot-getter, est de protéger le dispositif sous-jacent de l'agression de l'humidité. D'une manière générale, ces couches barrières sont constituées de films inorganiques à base d'oxydes (e.g. A1203), de nitrures ou d'oxynitrures déposés par des procédés de dépôt 2 99005 8 2 sous vide tels que le dépôt chimique en phase vapeur (« CVD ») éventuellement assisté par plasma (« PECVD »), le dépôt de couche atomique (« ALD », parfois appelé « AL-CVD ») ou par des procédés de dépôt physique en phase vapeur (« PVD ») incluant l'évaporation et la pulvérisation. 5 Un inconvénient de cette encapsulation par des films inorganiques de type A1203 réside dans la présence de particules à la surface du dispositif lors de son encapsulation qui génère des défauts sous forme de points noirs sur l'afficheur « OLED ». En variante, on a cherché à passiver ces films barrière 10 inorganiques par exemple déposés par « ALD » par des couches organiques relativement épaisses à base de polymères « planarisants » censés remédier à l'inconvénient des particules indésirables précitées, en les enrobant à la manière d'un empilement BarixTM de la société Vitex, avec un empilement de couches organiques et inorganiques alternées. Un inconvénient de cette 15 solution réside dans le procédé en phase gazeuse de type évaporation « flash » (i.e. évaporation du monomère, condensation sur substrat puis insolation UV pour la réticulation) qui est relativement coûteux en temps. Le document de Brevet WO-A1-2011/128802 au nom de la Demanderesse présente un afficheur « OLED » dont l'encapsulation 20 comprend au moins un empilement comprenant un film inorganique interne et une couche polymérique photosensible qui est de préférence à base d'une résine positive de photolithographie et qui recouvre de manière enveloppante ce film et la zone active de l'afficheur. Cette couche de résine est avantageusement recouverte d'un film barrière inorganique externe, sur lequel 25 est collé un capot de protection qui est transparent à la lumière émise par le dispositif et qui est pourvu sur sa face interne de filtres optiques colorés R, V, B disposés en regard des points de couleur correspondants de chaque pixel du microafficheur. Dans la technologie des imageurs « CMOS », il est courant 30 d'utiliser des filtres colorés que l'on réalise par photolithographie directement sur les pixels. La plupart du temps, les résines pigmentées utilisées pour ces filtres sont définies de telle sorte qu'il soit possible d'enchaîner les différents 2 99005 8 3 niveaux de photolithographie (un niveau par couleur) sans dégrader la couche immédiatement inférieure. Ainsi, lorsque la résine de filtre de niveau i est déposée, celle de niveau i-1 précédemment déposée n'est pas affectée par l'attaque chimique de l'ensemble des produits utilisés pour cette résine de 5 niveau i (e.g. le solvant de la résine, le développeur et l'eau de rinçage) car les résines utilisées pour ces filtres sont des résines négatives qui subissent finalement un recuit (« hard bake » en anglais) à haute température (typiquement entre 200 et 250° C pendant 30 minutes) de manière à supprimer les solvants résiduels de la résine du filtre de niveau i-1, à les durcir 10 et à les rendre ainsi insensibles à la chimie humide des produits impliqués dans toutes les étapes de réalisation du filtre de niveau i. Cependant pour les dispositifs « OLED », ces contraintes en température sont inacceptables, car un tel recuit à 200° C détruirait ces dispositifs qui ne peuvent supporter que des températures au plus égales à 15 100° C environ. Comme il n'existe pas à ce jour sur le marché de résines pigmentées pour filtres colorés dont le recuit soit réalisable à basse température, on ne peut qu'utiliser les résines disponibles en abaissant leurs températures de recuit à 100° C au maximum afin de les rendre compatibles avec le dispositif « OLED » sous-jacent. 20 Toutefois, un inconvénient majeur bien connu d'un tel abaissement des températures de recuit des résines de photolithographie en général et pigmentées en particulier pour filtres colorés, réside dans le fait qu'un durcissement incomplet d'une résine de niveau i-1 par suite de son recuit insatisfaisant conduit inévitablement à son attaque chimique par les 25 solvants du niveau i, notamment en surface, où les pigments ont alors tendance à s'éparpiller sur les sous-pixels voisins et sur les niveaux actifs des circuits (e.g. sur les plots de contact et/ou sur les zones dédiées à l'encapsulation) et à se mélanger. La qualité finale du dispositif « OLED » est alors sérieusement affectée. 30 Un but de la présente invention est de proposer un dispositif d'affichage polychrome à diodes électroluminescentes organiques (« OLED ») qui permette notamment de remédier à ces inconvénients, ce dispositif présentant au moins une zone active électroluminescente qui comprend une multitude de pixels comprenant chacun des points de couleur respectivement surmontés par n filtres colorés adjacents constitués de résines photosensibles pigmentées déposées par voie humide suivant n niveaux de photolithographie, et une encapsulation par couches minces étanche comprenant un film barrière inorganique interne surmontant une électrode externe du dispositif, une couche de résine planarisante (« planarizing » en anglais) recouvrant ce film barrière interne et un film barrière inorganique externe recouvrant cette couche de résine planarisante. The present invention relates to a full color organic light-emitting diode ("OLED") display with colored filters, which is protected from ambient air by a sealed encapsulation of the type including thin layers, and a method of encapsulation of such a device. The invention applies in particular to micro-emission top emission ("top emission") overcoming a complementary metal-oxide circuit ("CMOS"). In known manner, organic optoelectronic devices such as "OLED" displays need to be encapsulated, to ensure the protection of their sensitive components against gaseous species of the atmosphere (mainly oxygen and water vapor). Indeed, if this protection is not properly carried out, there is a risk of a subsequent degradation of the device which is manifested mainly by the appearance of non-emissive black spots in the case of "OLEDs", which are in fact the resultant the penetration of water vapor into the diode, which degrades the interface cathode (or anode) / film (s) organic (s). This encapsulation can be typically achieved through the use of a glass cover adhered to the organic device with the aid of a specific adhesive having in particular a low permeability to water. In general, a solid moisture absorber or "getter" is added between the substrate and the hood to extend the life of the device. For some applications but also for a question of cost reduction, thin films have been developed with a barrier effect whose role, in similarity to this bonnet-getter assembly, is to protect the underlying device of the aggression of the 'humidity. In general, these barrier layers consist of inorganic films based on oxides (eg Al 2 O 3), nitrides or oxynitrides deposited by vacuum deposition processes such as chemical vapor deposition. ("CVD") possibly assisted by plasma ("PECVD"), atomic layer deposition ("ALD" sometimes referred to as "AL-CVD") or by physical vapor deposition ("PVD") processes including evaporation and spraying. A disadvantage of this encapsulation by A1203 type inorganic films is the presence of particles on the surface of the device during its encapsulation which generates defects in the form of black spots on the "OLED" display. As a variant, it has been sought to passivate these inorganic barrier films, for example deposited by "ALD", with relatively thick organic layers based on "planarizing" polymers intended to overcome the disadvantage of the aforementioned undesirable particles by coating them in the manner a BarixTM stack from Vitex, with a stack of alternating organic and inorganic layers. A disadvantage of this solution lies in the gas-phase process of "flash" evaporation type (i.e. evaporation of the monomer, condensation on substrate then UV irradiation for crosslinking) which is relatively expensive in time. The patent document WO-A1-2011 / 128802 in the name of the Applicant presents an "OLED" display whose encapsulation comprises at least one stack comprising an internal inorganic film and a photosensitive polymeric layer which is preferably based on a positive photolithography resin which envelopes this film and the active area of the display in an enveloping manner. This resin layer is advantageously covered with an external inorganic barrier film, on which is glued a protective cover which is transparent to the light emitted by the device and which is provided on its internal face with colored optical filters R, V, B arranged opposite the corresponding color points of each pixel of the micro-display. In "CMOS" imager technology, it is common to use color filters that are photolithographed directly on the pixels. Most of the time, the pigmented resins used for these filters are defined so that it is possible to chain the different levels of photolithography (one level per color) without degrading the next lower layer. Thus, when the level i filter resin is deposited, the level I-1 previously deposited resin is not affected by the chemical etching of all the products used for this level I resin (eg the solvent of the resin, the developer and the rinsing water) because the resins used for these filters are negative resins which finally undergo annealing ("hard bake" in English) at high temperature (typically between 200 and 250 ° C for 30 minutes ) so as to remove the residual solvents from the resin of the level I-1 filter, to harden them and thus render them insensitive to the wet chemistry of the products involved in all the steps of making the level i filter. However, for "OLED" devices, these temperature constraints are unacceptable, since such an annealing at 200 ° C. would destroy these devices which can only withstand temperatures at most equal to about 100 ° C. As there is currently no pigmented resins for color filters whose annealing is achievable at low temperature, the available resins can only be used by lowering their annealing temperatures to a maximum of 100 ° C. in order to make them compatible with the underlying "OLED" device. However, a well-known major disadvantage of such a lowering of the annealing temperatures of photolithography resins in general and pigmented, in particular for color filters, is that incomplete curing of a level I-1 resin by As a result of its unsatisfactory annealing inevitably leads to its chemical attack by the solvents of level i, especially at the surface, where the pigments then tend to scatter over the neighboring sub-pixels and on the active levels of the circuits (eg on the contact pads and / or areas dedicated to encapsulation) and to mix. The final quality of the "OLED" device is then seriously affected. An object of the present invention is to provide a polychromatic organic light-emitting diode ("OLED") display device which, in particular, makes it possible to remedy these drawbacks, this device having at least one electroluminescent active zone which comprises a multitude of pixels comprising each of the colored dots respectively surmounted by n adjacent color filters consisting of wet-laid pigmented photosensitive resins in n photolithography levels, and a sealed thin-film encapsulation comprising an inner inorganic barrier film surmounting an outer electrode of the device, a layer of planarizing resin ("planarizing" in English) covering this inner barrier film and an outer inorganic barrier film covering this layer of planar resin.
A cet effet, un dispositif selon l'invention est tel que ces filtres sont séparés deux à deux entre eux par des moyens de séparation constitués de films inorganiques d'encapsulation qui surmontent ladite couche de résine planarisante et qui épousent étroitement les profils des filtres, ces moyens de séparation étant aptes à protéger chaque filtre déposé contre une agression ou migration des produits chimiques utilisés pour le dépôt du filtre du niveau de photolithographie immédiatement supérieur. Par « surmonter », on entend dans la présente description une localisation à l'extérieur de l'élément de référence sous-jacent, qu'elle se traduise par un recouvrement (i.e. par un dépôt sur cet élément sous-jacent directement au contact de ce dernier) ou bien par un dépôt sans recouvrement au-dessus de cet élément. On notera que ces moyens de séparation permettent ainsi de faire barrière à l'attaque d'un niveau i de résine de filtre photolithographiée (i entier allant de 1 à n-1) par la chimie humide utilisée pour la réalisation du 25 niveau de résine i+1. On notera également que ces films inorganiques formant de telles barrières chimiques entre filtres colorés doivent être très « conformes », en ce sens que la technique utilisée pour leur dépôt sur les filtres doit permettre à ces films de suivre au plus près le profil géométrique pouvant être 30 abrupt de chaque filtre, en particulier lorsque ce profil de filtre vu en section transversale du dispositif est « inversé » (i.e. évasé vers l'extérieur en formant des angles obtus avec la base interne du filtre, à l'instar d'une queue d'aronde 2 99005 8 5 ou d'un autre profil de type en contre-dépouille). Comme expliqué ci-après, les techniques de dépôt de couche atomique (« ALD ») ou de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (« PECVD »), à titre non limitatif, sont particulièrement bien adaptées pour obtenir de tels films barrière épousant 5 étroitement les profils de filtres. On notera en outre que l'encapsulation ainsi obtenue pour les dispositifs de l'invention est avantageusement de type « SHB » (i.e. « Super High Barrier » en anglais, soit à effet de barrière à très haute performance). Selon une autre caractéristique de l'invention, lesdits moyens 10 de séparation entre lesdits filtres peuvent comprendre : - plusieurs films barrières inorganiques additionnels surmontant ledit film barrière externe et au moins n-1 des filtres, ou bien - ledit film barrière externe qui surmonte un premier de ces filtres, et au moins un film barrière inorganique additionnel qui surmonte ce 15 film barrière externe et en outre un autre de ces filtres. Avantageusement, ladite couche de résine planarisante est à base d'au moins une résine photosensible négative par exemple de type époxy, avec une épaisseur de couche de préférence inclusivement comprise entre 100 nm et 1000 nm. 20 Par « résine négative », on entend de manière connue une résine dont les parties insolées sélectivement à travers un masque (typiquement par un rayonnement UV) se polymérisent et deviennent ainsi insolubles lors du développement de la résine, par opposition aux résines positives testées dans le document précité WO-A1-2011/128802 dont les zones insolées sont dissoutes lors du développement. On notera que cette résine négative est nécessaire pour la réalisation d'un dispositif selon l'invention, car les expositions aux rayonnements UV utilisées pour l'application des résines pigmentées des filtres colorés seraient susceptibles d'endommager une couche planarisante à base d'une résine positive. Selon un premier exemple préférentiel de réalisation de l'invention, ledit film barrière interne recouvre une face interne de la couche de résine planarisante, et le film barrière externe recouvre une face externe de cette couche et en outre un premier filtre qui correspond à un premier niveau de photolithographie et qui est déposé sur cette face externe, les n-1 autres filtres surmontant le film barrière externe et étant séparés de ce premier filtre par ce film barrière externe qui est inclus dans les moyens de séparation. Conformément à ce premier exemple, le film barrière externe peut recouvrir des faces latérales et une face externe du premier filtre, et les moyens de séparation peuvent comprendre, outre ce film barrière externe, ledit au moins un film barrière inorganique additionnel qui surmonte à la fois ce premier filtre et un second filtre et qui recouvre ce film barrière externe de part et d'autre des premier et second filtres, un troisième filtre étant déposé sur ce film barrière additionnel, ces second et troisième filtres correspondant respectivement à un second et un troisième niveaux de photolithographie. Selon un second exemple de réalisation de l'invention, lesdits 15 films barrière interne et externe recouvrent des faces respectivement interne et externe de ladite couche de résine planarisante, lesdits n filtres surmontant ce film barrière externe avec : - un premier filtre correspondant à un premier niveau de photolithographie qui est déposé sur le film barrière externe et qui est 20 recouvert d'un premier film barrière inorganique additionnel inclus dans lesdits moyens de séparation, ce premier film barrière additionnel s'étendant à partir du film barrière externe et séparant ce premier filtre d'un second filtre correspondant à un second niveau de photolithographie, - ce second filtre déposé sur ce premier film barrière 25 additionnel et recouvert d'un second film barrière inorganique additionnel également inclus dans ces moyens, ce second film barrière additionnel surmontant les premier et second filtres et séparant le second filtre d'un troisième filtre correspondant à un troisième niveau de photolithographie, et - ce troisième filtre qui est déposé sur ce second film barrière 30 additionnel, lequel recouvre le film barrière externe au droit du troisième filtre. En référence à ces deux exemples de réalisation de l'invention, on notera qu'un avantage supplémentaire de l'invention est de rendre possible le recyclage des filtres défectueux grâce à la barrière chimique des films barrière inorganiques (e.g. à base d'A1203) les recouvrant, étant précisé que par « recyclage » on entend ici la possibilité d'enlever un niveau i de résine pigmentée présentant des défauts après son étalement par 5 une solution de développement, ou bien après sa photolithographie par une solution de « stripping ». En effet, même si la couche de résine pigmentée i-1 sous-jacente à cette couche enlevée i est mal recuite et donc mal stabilisée chimiquement, alors elle ne sera pas exposée aux solvants et ne sera donc pas dégradée du fait de son recouvrement par le film inorganique 10 correspondant de séparation formant barrière chimique. Selon une autre caractéristique de l'invention, les filtres colorés peuvent correspondre respectivement à trois dits niveaux de photolithographie pour lesdits points de couleur rouge, vert et bleu de chacun desdits pixels. 15 Avantageusement, le film barrière interne, le film barrière externe et les moyens de séparation peuvent être indépendamment à base d'un oxyde métallique, de préférence un oxyde d'aluminium de formule Alx0y, d'un oxyde d'hafnium de formule Hf02 ou d'un oxyde de zirconium de formule Zr02, bien que d'autres composés inorganiques tels que des nitrures ou 20 oxynitrures soient également utilisables (ces autres composés étant de préférence déposés par « PECVD »). Egalement avantageusement, les films barrière interne et externe peuvent présenter chacun une épaisseur inclusivement comprise entre 10 nm et 100 nm et de préférence entre 20 nm et 30 nm, les moyens de 25 séparation autres que le film barrière externe pouvant présenter une épaisseur inclusivement comprise entre 0,5 nm et 100 nm et de préférence entre 1 nm et 5 nm. Selon une autre caractéristique de l'invention, ledit dispositif peut avantageusement être de type microafficheur à diodes 30 électroluminescentes organiques à matrice active (« AMOLED ») émettant de la lumière par son sommet, ledit film barrière interne surmontant ladite électrode externe transparente ou semi-transparente du dispositif, laquelle recouvre une structure émettrice de lumière et une électrode interne surmontant un circuit à métal-oxyde complémentaire (« CMOS »). Un procédé d'encapsulation étanche selon l'invention d'un dispositif tel que défini ci-dessus peut comprendre les étapes suivantes : a) dépôt dudit film barrière inorganique interne au-dessus de l'électrode externe du dispositif de préférence par « ALD » ou « PECVD », b) dépôt sur ce film barrière interne de ladite couche de résine planarisante, qui est de préférence à base d'au moins une résine photosensible négative, c) dépôt, de préférence par « ALD » ou « PECVD », d'un film barrière inorganique externe sur cette couche de résine planarisante, puis d) dépôts successifs par voie humide desdits n filtres, comprenant des premier, second et troisième filtres correspondant respectivement à des premier, second et troisième niveaux de photolithographie, avec une séparation des filtres deux à deux entre eux qui est mise en oeuvre par un dépôt conforme, de préférence par « ALD » ou « PECVD », de plusieurs films inorganiques d'encapsulation surmontant la couche de résine planarisante et formant lesdits moyens de séparation. On notera que ces dépôts « ALD » ou « PECVD » sont 20 réalisables à basse température et permettent d'obtenir des films de densité élevée et de perméabilité réduite qui épousent au plus près les reliefs de la surface sous-jacente. Dans le premier exemple précité de l'invention, ce procédé comprend: 25 - entre les étapes b) et c), un dépôt dudit premier filtre sur une face externe de la couche de résine planarisante, - à l'étape c), un dépôt dudit film barrière externe sur la couche de résine planarisante et sur ce premier filtre la recouvrant, et - à l'étape d), une séparation du premier filtre d'avec le 30 second filtre par ce film barrière externe, ce second filtre ayant été déposé sur le film barrière externe, puis une séparation du second filtre d'avec le troisième filtre par un film barrière inorganique additionnel qui surmonte le premier filtre en y recouvrant le film barrière externe et qui recouvre le second filtre, le troisième filtre étant déposé sur ce film barrière additionnel. Dans le second exemple précité de l'invention, ce procédé comprend à l'étape d) un dépôt du premier filtre sur le film barrière externe 5 déposé à l'étape c), puis une séparation du premier filtre d'avec le second filtre par un premier film barrière inorganique additionnel qui recouvre ce premier filtre et ce film barrière externe et sur lequel on dépose ce second filtre, puis une séparation du second filtre d'avec le troisième filtre par un second film barrière inorganique additionnel qui surmonte le premier filtre en y 10 recouvrant le premier film barrière additionnel et qui recouvre le second filtre, le troisième filtre étant déposé sur ce second film barrière additionnel. On notera que l'on peut mettre avantageusement en oeuvre l'étape d) en utilisant une température de recuit des filtres inférieure ou égale à 100° C, sans pour autant risquer d'exposer chaque filtre déposé de niveau i 15 à une attaque chimique par le filtre déposé de niveau i+1, grâce à l'effet de barrière procuré par lesdits moyens de séparation. D'autres avantages, caractéristiques et détails de l'invention ressortiront du complément de description qui va suivre en référence aux dessins annexés, donnés uniquement à titre d'exemples et dans lesquels : 20 la figure 1 est une vue schématique en coupe transversale d'un dispositif d'affichage « OLED » selon un exemple de réalisation de l'invention, et la figure 2 est une vue schématique en coupe transversale d'un dispositif d'affichage « OLED » selon une variante de la figure 1 25 correspondant à un exemple préférentiel de réalisation de l'invention. L'encapsulation multicouches 1, 101 illustrée sur ces figures recouvre la face d'émission externe d'un microafficheur 2 de type « AMOLED » sur « CMOS », dont les composants sensibles sont à protéger de l'humidité et de l'oxygène de l'air ambiant. Ce microafficheur 2 comprend 30 de manière connue un substrat 3 par exemple en silicium, en matière plastique ou en verre revêtu d'une unité électroluminescente 4 définissant une zone active et une zone de connexion électrique (non illustrée). L'unité électroluminescente 4 comporte des électrodes internes 5 et une électrode externe 6 entre lesquelles est intercalée une structure émettrice de lumière 7, l'une au moins des électrodes 5 et 6 (dans cet exemple l'électrode externe 6 formant la cathode) étant transparente ou semi-transparente à la lumière émise afin de la faire rayonner via la zone active vers l'extérieur du microafficheur 2. L'électrode externe 6 est de préférence constituée d'un métal tel que l'argent, l'aluminium ou le samarium pour les propriétés de transparence de ces métaux dans le domaine visible ainsi que pour leur conductivité électrique à faible épaisseur (l'épaisseur de l'électrode externe 6 est par exemple comprise entre 10 nm et 30 nm). Quant à la structure émettrice 7, elle est par exemple constituée d'un empilement de films organiques conçu pour transférer les électrons et les trous qui proviennent des électrodes et qui sont recombinés pour générer des excitons et donc l'émission de lumière. De plus, une couche sommitale de protection 8 relativement dure et transparente à la lumière émise surmonte l'encapsulation multicouches 1, 101 selon l'invention, en remplacement de la plaque de verre communément collée sous pression. Cette couche de protection 8 est avantageusement à base d'une résine époxy chargée avec des nanoparticules de silice. L'encapsulation 1 selon l'invention illustrée à la figure 1 est obtenue successivement par : - dépôt sur l'ensemble de la zone active du microafficheur 2 d'un film barrière inorganique interne 10, de préférence par dépôt « ALD » d'un film d'A1203 par exemple de 20 nm d'épaisseur, sur l'électrode externe 6 ou sur une sous-couche ou « capping layer » préalablement déposée sur cette électrode 6 (cette sous-couche par exemple à base de SiOx sert à améliorer le coefficient d'extraction lumineuse de la structure émettrice 7), - dépôt d'une couche de résine planarisante 11 sur ce film barrière interne 10, à base d'une résine négative de photolithographie par exemple de type époxy et avantageusement selon la technique employée dans le document précité WO-A1-2011/128802, - dépôt sur cette couche 11 d'un film barrière inorganique externe 12, de préférence par dépôt « ALD » d'un film d'Al203 par exemple de 5 20 nm d'épaisseur, - dépôt sur ce film barrière externe 12 d'un premier filtre coloré V pour chaque pixel de la zone active par photolithographie d'une résine pigmentée (correspondant par exemple à un sous-pixel vert), - dépôt sur ce premier filtre V d'un premier film barrière 10 inorganique additionnel 13 s'étendant à partir du film barrière externe 12 et séparant ce premier filtre V d'un second filtre coloré R à déposer de manière consécutive, ce dépôt du film 13 étant de préférence réalisé par dépôt « ALD » d'un film d'Al203 d'épaisseur comprise entre 0,5 nm et 100 nm, - dépôt par photolithographie sur ce premier film barrière 15 additionnel 13 d'une résine pigmentée formant le second filtre R qui correspond par exemple à un sous-pixel rouge adjacent au premier filtre V, - dépôt sur ce second filtre R d'un second film barrière inorganique additionnel 14 qui surmonte les premier et second filtres V et R (en recouvrant le premier film additionnel 13 au droit du premier filtre V) en 20 séparant le second filtre R d'un troisième filtre coloré B à déposer de manière consécutive et qui recouvre le film barrière externe 12 au droit de ce troisième filtre B, ce dépôt du film 14 étant de préférence réalisé par dépôt « ALD » d'un film d'Al203 d'épaisseur comprise entre 0,5 nm et 100 nm, puis - dépôt par photolithographie sur ce second film barrière 25 additionnel 14 d'une résine pigmentée formant ce troisième filtre B qui correspond par exemple à un sous-pixel bleu adjacent au second filtre R. L'encapsulation 101 préférentielle selon l'invention illustrée à la figure 2 se différencie uniquement de celle de la figure 1, en ce qu'elle est obtenue successivement, suite au dépôt de la couche de résine planarisante 30 11 sur le film barrière interne 10, par : 2 9 9005 8 12 - dépôt sur la face externe de la couche 11 (i.e. au contact de celle-ci) du premier filtre coloré V' pour chaque pixel par photolithographie d'une résine pigmentée (correspondant par exemple à un sous-pixel vert), - dépôt sur le premier filtre V' et sur le reste de la face externe 5 de la couche de résine 11 d'un film barrière externe 112 qui recouvre ce premier filtre V', de préférence par dépôt « ALD » d'un film d'A1203, de Hf02 ou de Zr02 d'épaisseur de préférence comprise entre 10 nm et 100 nm, - dépôt par photolithographie sur ce film barrière externe 112 d'une résine pigmentée formant le second filtre coloré R' qui correspond par 10 exemple à un sous-pixel rouge adjacent au premier filtre V' et qui en est séparé par ce film 112, - dépôt sur ce second filtre R' d'un film barrière inorganique additionnel 113, qui s'étend à partir du film barrière externe 112 en recouvrant le film 112 au droit du premier filtre V' et qui sépare ce second filtre R' d'un 15 troisième filtre B' à déposer de manière consécutive, ce dépôt du film 113 étant de préférence réalisé par dépôt « ALD » d'un film d'Al203 d'épaisseur par exemple comprise entre 1 nm et 5 nm, puis - dépôt par photolithographie sur ce film barrière additionnel 113 d'une résine pigmentée formant le troisième filtre B' qui correspond par 20 exemple à un sous-pixel bleu adjacent au second filtre R'. On notera que l'encapsulation 101 selon cette variante de l'invention intègre ainsi avantageusement un point de couleur (le sous-pixel vert dans cet exemple) au niveau de la couche de résine planarisante 11. En référence aux deux exemples des figures 1 et 2, on choisit 25 à titre de résine planarisante une résine négative de préférence de type « SU8 » disponible chez les sociétés MicroChem et Gersteltec. On notera que la résine « SU8 » permet de réaliser des couches compatibles avec les épaisseurs utilisées dans les microafficheurs « OLED », et que cette résine planarisante améliore grandement l'adhésion des résines colorées déposées 30 dessus par rapport à une résine neutre standard à la basse température de recuit des filtres compatible avec les « OLED ». For this purpose, a device according to the invention is such that these filters are separated two by two from each other by separation means consisting of inorganic encapsulation films which surmount said planarizing resin layer and which closely follow the profiles of the filters, these separation means being able to protect each deposited filter against aggression or migration of the chemicals used for depositing the filter of the next higher photolithography level. By "overcoming" is meant in the present description a location outside the underlying reference element, that it results in a recovery (ie by a deposit on this underlying element directly in contact with the latter) or by a deposit without covering above this element. It should be noted that these separation means thus make it possible to resist the attack of a level i of photolithographed filter resin (i integer ranging from 1 to n-1) by the wet chemistry used for producing the resin level. i + 1. It will also be noted that these inorganic films forming such chemical barriers between color filters must be very "compliant" in that the technique used for their deposition on the filters must allow these films to follow as closely as possible the geometrical profile that can be 30 sharp of each filter, especially when this filter profile seen in cross section of the device is "inverted" (ie flared outwardly forming obtuse angles with the inner filter base, like a tail dovetail 2 99005 8 5 or other undercut type profile). As explained below, the techniques of atomic layer deposition ("ALD") or plasma-enhanced chemical vapor deposition ("PECVD"), in a non-limiting manner, are particularly well suited to obtain such barrier films marrying 5 closely the filter profiles. It will further be noted that the encapsulation thus obtained for the devices of the invention is advantageously of the "SHB" (i.e. "Super High Barrier" type in English, ie with a very high performance barrier effect). According to another characteristic of the invention, said means 10 for separating between said filters may comprise: several additional inorganic barrier films surmounting said external barrier film and at least n-1 filters, or said external barrier film which overcomes a first of these filters, and at least one additional inorganic barrier film which overcomes this outer barrier film and further one of these filters. Advantageously, said planarizing resin layer is based on at least one negative photosensitive resin, for example of the epoxy type, with a layer thickness preferably ranging between 100 nm and 1000 nm. By "negative resin" is meant in known manner a resin whose parts selectively insolated through a mask (typically by UV radiation) polymerize and thus become insoluble during the development of the resin, as opposed to the positive resins tested in the aforementioned document WO-A1-2011 / 128802 whose insolated areas are dissolved during development. It will be noted that this negative resin is necessary for the production of a device according to the invention, since the UV radiation exposures used for the application of the pigmented resins of the colored filters would be likely to damage a planarizing layer based on a positive resin. According to a first preferred embodiment of the invention, said internal barrier film covers an inner face of the planarizing resin layer, and the outer barrier film covers an outer face of this layer and in addition a first filter which corresponds to a first photolithography level and which is deposited on this outer face, the n-1 other filters surmounting the outer barrier film and being separated from this first filter by the outer barrier film which is included in the separation means. According to this first example, the outer barrier film may cover side faces and an outer face of the first filter, and the separation means may comprise, in addition to this outer barrier film, said at least one additional inorganic barrier film which overcomes both this first filter and a second filter and which covers this outer barrier film on either side of the first and second filters, a third filter being deposited on this additional barrier film, these second and third filters respectively corresponding to a second and a third filter; photolithography levels. According to a second embodiment of the invention, said inner and outer barrier films cover respectively inner and outer faces of said planarizing resin layer, said n filters surmounting said outer barrier film with: a first filter corresponding to a first photolithography level which is deposited on the outer barrier film and which is covered with a first additional inorganic barrier film included in said separation means, said first additional barrier film extending from the outer barrier film and separating said first filter a second filter corresponding to a second level of photolithography, this second filter deposited on this first additional barrier film and covered with a second additional inorganic barrier film also included in these means, this second additional barrier film overcoming the first and second filters and separating the second filter from a third filter co corresponding to a third level of photolithography, and - third filter which is deposited on the second additional barrier film 30, which covers the outer barrier film to the right of the third filter. With reference to these two exemplary embodiments of the invention, it will be noted that one additional advantage of the invention is to make it possible to recycle defective filters thanks to the chemical barrier of inorganic barrier films (eg based on A1203). covering them, it being specified that "recycling" here means the possibility of removing a level i of pigmented resin having defects after spreading with a developing solution, or after photolithography with a "stripping" solution. Indeed, even if the layer of pigmented resin i-1 underlying this layer removed i is poorly annealed and therefore poorly chemically stabilized, then it will not be exposed to solvents and will not be degraded because of its recovery by the corresponding inorganic barrier film 10 forming a chemical barrier. According to another characteristic of the invention, the color filters can respectively correspond to three said photolithography levels for said red, green and blue color points of each of said pixels. Advantageously, the internal barrier film, the outer barrier film and the separation means may be independently based on a metal oxide, preferably an aluminum oxide of formula AlxOy, a hafnium oxide of formula HfO 2 or a zirconium oxide of formula ZrO 2, although other inorganic compounds such as nitrides or oxynitrides are also usable (these other compounds are preferably deposited by "PECVD"). Also advantageously, the inner and outer barrier films may each have a thickness of between 10 nm and 100 nm and preferably between 20 nm and 30 nm, the separation means other than the outer barrier film may have a thickness included between 0.5 nm and 100 nm and preferably between 1 nm and 5 nm. According to another characteristic of the invention, said device may advantageously be of the active matrix organic electroluminescent diode micro-indicator type ("AMOLED") emitting light by its apex, said internal barrier film surmounting said transparent or semi-transparent external electrode. transparent device, which covers a light-emitting structure and an inner electrode surmounting a complementary metal-oxide circuit ("CMOS"). A sealed encapsulation process according to the invention of a device as defined above may comprise the following steps: a) deposition of said internal inorganic barrier film over the external electrode of the device preferably by "ALD" or "PECVD", b) deposition on said inner barrier film of said planarizing resin layer, which is preferably based on at least one negative photoresist, c) deposition, preferably by "ALD" or "PECVD", an outer inorganic barrier film on said planarizing resin layer, then d) successive wet deposition of said n filters, comprising first, second and third filters respectively corresponding to first, second and third levels of photolithography, with a separation two by two filters between them which is implemented by a compliant deposition, preferably by "ALD" or "PECVD", of several inorganic encapsulation films on mounting the planarizing resin layer and forming said separation means. It will be noted that these "ALD" or "PECVD" deposits can be produced at low temperature and make it possible to obtain films of high density and reduced permeability which closely follow the reliefs of the underlying surface. In the aforementioned first example of the invention, this process comprises: between steps b) and c), a deposition of said first filter on an outer face of the planarizing resin layer; in step c), a depositing said outer barrier film on the planarizing resin layer and on this first filter covering it, and - in step d), a separation of the first filter from the second filter by this external barrier film, this second filter having was deposited on the outer barrier film, then a separation of the second filter from the third filter by an additional inorganic barrier film which overcomes the first filter by covering the outer barrier film and covers the second filter, the third filter being deposited on this additional barrier film. In the aforementioned second example of the invention, this process comprises, in step d) a deposition of the first filter on the external barrier film 5 deposited in step c), then a separation of the first filter from the second filter by a first additional inorganic barrier film which covers this first filter and this outer barrier film and on which this second filter is deposited, then a separation of the second filter from the third filter by a second additional inorganic barrier film which overcomes the first filter by covering the first additional barrier film and covering the second filter, the third filter being deposited on the second additional barrier film. It will be noted that step d) can advantageously be implemented by using a filter annealing temperature of less than or equal to 100 ° C., without risk of exposing each level I deposited filter to chemical etching. by the deposited filter level i + 1, thanks to the barrier effect provided by said separation means. Other advantages, characteristics and details of the invention will be apparent from the additional description which follows with reference to the accompanying drawings, given solely by way of example and in which: FIG. 1 is a diagrammatic cross-sectional view of FIG. an "OLED" display device according to an exemplary embodiment of the invention, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of an "OLED" display device according to a variant of FIG. preferred embodiment of the invention. The multilayer encapsulation 1, 101 illustrated in these figures covers the external emission face of a micro-display 2 of the "AMOLED" type on "CMOS", the sensitive components of which are to be protected from humidity and oxygen. Ambiant air. This micro-display 2 comprises, in a known manner, a substrate 3, for example made of silicon, plastic or glass coated with an electroluminescent unit 4 defining an active zone and an electrical connection zone (not shown). The electroluminescent unit 4 comprises internal electrodes 5 and an external electrode 6 between which is interposed a light-emitting structure 7, at least one of the electrodes 5 and 6 (in this example the external electrode 6 forming the cathode) being transparent or semi-transparent to the light emitted in order to radiate it via the active zone towards the outside of the micro-display 2. The external electrode 6 is preferably made of a metal such as silver, aluminum or aluminum. samarium for the transparency properties of these metals in the visible range as well as for their thin electrical conductivity (the thickness of the outer electrode 6 is for example between 10 nm and 30 nm). As for the emitting structure 7, it consists for example of a stack of organic films designed to transfer electrons and holes that come from the electrodes and which are recombined to generate excitons and thus light emission. In addition, a protective top layer 8 relatively hard and transparent to the emitted light overcomes the multilayer encapsulation 1, 101 according to the invention, replacing the glass plate commonly bonded under pressure. This protective layer 8 is advantageously based on an epoxy resin loaded with silica nanoparticles. The encapsulation 1 according to the invention illustrated in FIG. 1 is successively obtained by: depositing on the whole of the active zone of the micro-display 2 an internal inorganic barrier film 10, preferably by "ALD" deposition of a A1203 film for example 20 nm thick, on the outer electrode 6 or on a sub-layer or "capping layer" previously deposited on the electrode 6 (this sub-layer for example based on SiOx serves to improve the light extraction coefficient of the emitting structure 7), - deposition of a planarizing resin layer 11 on this internal barrier film 10, based on a negative photolithography resin, for example of the epoxy type, and advantageously according to the technique employed in the aforementioned document WO-A1-2011 / 128802, - deposition on this layer 11 of an external inorganic barrier film 12, preferably by "ALD" deposition of a film of Al 2 O 3, for example 20 nm thick , - deposit on this movie barr external element 12 of a first color filter V for each pixel of the active zone by photolithography of a pigmented resin (corresponding for example to a green sub-pixel), - depositing on this first filter V a first barrier film 10 additional inorganic layer 13 extending from the outer barrier film 12 and separating this first filter V from a second color filter R to be deposited consecutively, this deposition of the film 13 being preferably made by depositing "ALD" of a film with a thickness of Al.sub.2 O.sub.3 of between 0.5 nm and 100 nm, photolithography deposited on this first additional barrier film 13 with a pigmented resin forming the second filter R which corresponds, for example, to a red subpixel adjacent to the first filter V, - depositing on this second filter R a second additional inorganic barrier film 14 which overcomes the first and second filters V and R (by covering the first additional film 13 to the right of the first filter V) in sep arant the second filter R of a third color filter B to deposit consecutively and which covers the outer barrier film 12 to the right of this third filter B, this deposition of the film 14 being preferably made by depositing "ALD" a Al 2 O 3 film having a thickness of between 0.5 nm and 100 nm and photolithography deposited on this second additional barrier film 14 with a pigmented resin forming this third filter B which corresponds, for example, to a blue sub-pixel. adjacent to the second filter R. The preferential encapsulation 101 according to the invention illustrated in FIG. 2 differs only from that of FIG. 1, in that it is obtained successively, following the deposition of the planarizing resin layer 30. on the inner barrier film 10, by: 2 9 9005 8 12 - deposit on the outer face of the layer 11 (ie in contact with it) of the first color filter V 'for each pixel by photolithography of a pigmented resin (corresponding for example to a green sub-pixel), - deposit on the first filter V' and on the rest of the face external 5 of the resin layer 11 of an outer barrier film 112 which covers the first filter V ', preferably by "ALD" deposition of a film of A1203, Hf02 or Zr02 of thickness preferably between 10 nm and 100 nm, photolithography deposition on this outer barrier film 112 of a pigmented resin forming the second color filter R 'which corresponds, for example, to a red sub-pixel adjacent to the first filter V' and which is separate therefrom by this film 112, - depositing on this second filter R 'an additional inorganic barrier film 113, which extends from the outer barrier film 112 by covering the film 112 at the right of the first filter V' and which separates this second filter R 'of a third filter B' to be deposited in a manner e consecutive, this deposition of the film 113 is preferably made by deposition "ALD" of a film Al203 of thickness for example between 1 nm and 5 nm, and - deposition by photolithography on this additional barrier film 113 of a pigmented resin forming the third filter B 'which corresponds for example to a blue subpixel adjacent the second filter R'. It will be noted that the encapsulation 101 according to this variant of the invention thus advantageously integrates a color point (the green sub-pixel in this example) at the level of the planarizing resin layer 11. With reference to the two examples of FIGS. 2, the planar resin is preferably a SU8-type negative resin available from MicroChem and Gersteltec. It will be noted that the resin "SU8" makes it possible to produce layers compatible with the thicknesses used in "OLED" micro-displays, and that this planarizing resin greatly improves the adhesion of the colored resins deposited thereon with respect to a standard neutral resin at low temperature annealing filters compatible with "OLED".
Concernant l'exemple de la figure 2, on notera qu'une fois insolée et réticulée, cette résine « SU8 » est très difficilement « strippable » (i.e. ne peut être que très difficilement enlevée ou altérée) quel que soit le moyen utilisé, par voie sèche ou humide. Il est donc possible d'étaler la résine pigmentée du premier filtre coloré V' directement sur cette résine « SU8 » de la couche planarisante 11 sans risque de la dissoudre ou de l'attaquer chimiquement en surface avec le solvant de cette résine pigmentée. Dans cet exemple de la figure 2, on notera également qu'afin de jouer son rôle de barrière à la fois atmosphérique et chimique, le film barrière externe 112 qui sépare les deux premiers niveaux de sous-pixels V' et R' entre eux doit nécessairement présenter une épaisseur d'au moins 10 nm, préférentiellement comprise entre 20 nm et 30 nm. L'épaisseur du ou des films barrières additionnels 113 recouvrant les niveaux de photolithographie supérieurs (e.g. dépôt au moins sur le filtre de sous-pixel rouge R' à l'exemple de la figure 2), est moins critique et l'on se satisfait d'un film plus fin par exemple d'épaisseur comprise entre 1 nm et 5 nm, car ce film 113 est essentiellement destiné à prévenir l'attaque chimique par le niveau de filtre B' subséquent plus qu'à jouer une rôle de barrière atmosphérique, du fait que l'empilement sous-jacent de couches minces 10, 11, 112 présente à lui seul une excellente tenue à des atmosphères humides contrôlées. Il en résulte d'une manière générale que le filtre B, B' du dernier niveau de sous-pixel n'a pas besoin d'être recouvert d'un film barrière, sauf si l'on souhaite améliorer encore la qualité barrière atmosphérique de l'ensemble de l'encapsulation 1, 101, ou si les filtres recuits à la basse température précitée devaient être protégés de l'atmosphère respirable dans le cas où ils seraient moins bien stabilisés que les filtres équivalents par exemple recuits à 230° C dans le cas des imageurs. A titre d'exemple, on a indiqué ci-après les caractéristiques de l'unité électroluminescente 4 et de l'ensemble des couches minces déposées 30 10,11, 112, 113 pour obtenir l'encapsulation 101 préférentielle de la figure 2 : a) Pour l'unité "OLED" 4: AlCufTiN/films organiques/Ag/sous-couche («capping layer») avec émission « pleine surface blanche » et structure « PIN ». b) Pour l'encapsulation 101 : - film 10 d'A1203 de 20 nm à 30 nm d'épaisseur, déposé par « ALD » à une température comprise entre 85° C et 100° C; - couche de résine planarisante 11 photolithographiée de 100 nm à 1000 nm d'épaisseur, de dénomination « FujiFilm CT3052L » ou préférentiellement « SU8 » ; - filtre coloré V' (niveau de sous-pixel vert) : résine pigmentée photolithographiée d'épaisseur 1,2 pm « FujiFilm Electronic Materials Color Mosaïc SG-5000L » ; - film 112 d'A1203 de 20 nm à 30 nm d'épaisseur, déposé par « ALD » à une température comprise entre 85° C et 100° C; - filtre coloré R' (niveau de sous-pixel rouge): résine pigmentée photolithographiée d'épaisseur 1,2 pm « FujiFilm Electronic Materials Color Mosaïc SR-5000L » ; - film 113 d'A1203 de 1 nm à 5 nm d'épaisseur, déposé par « ALD » à une température comprise entre 85° C et 100° C ; et - filtre coloré B' (niveau de sous-pixel bleu): résine pigmentée photolithographiée d'épaisseur 1,2 pm « FujiFilm Electronic Materials Color Mosaïc SB-5000L ». c) Pour la couche sommitale de protection 8 (« hard coat »): résine de série « Gersteltec GLM2050 », à base d'une résine 25 « SU& » chargée avec des nanoparticules de silice afin d'améliorer sa dureté et de protéger ainsi mécaniquement le microafficheur 2. Regarding the example of Figure 2, it will be noted that once insolated and crosslinked, this resin "SU8" is very difficult "strippable" (ie can be very difficult to remove or altered) regardless of the means used, by dry or wet. It is therefore possible to spread the pigmented resin of the first color filter V 'directly on this resin "SU8" of the planarizing layer 11 without the risk of dissolving it or attacking it chemically on the surface with the solvent of this pigmented resin. In this example of FIG. 2, it will also be noted that in order to play its role of barrier both atmospheric and chemical, the outer barrier film 112 which separates the first two levels of subpixels V 'and R' between them must necessarily have a thickness of at least 10 nm, preferably between 20 nm and 30 nm. The thickness of the additional barrier film or films 113 covering the higher photolithography levels (eg deposit at least on the red subpixel filter R 'in the example of FIG. 2), is less critical and one is satisfied with a thinner film for example with a thickness of between 1 nm and 5 nm, since this film 113 is essentially intended to prevent chemical attack by the subsequent filter level B 'more than to play a role of atmospheric barrier because the underlying stack of thin layers 10, 11, 112 alone exhibits excellent resistance to controlled humid atmospheres. As a general result, the filter B, B 'of the last sub-pixel level need not be covered with a barrier film, unless it is desired to further improve the atmospheric barrier quality of the entire encapsulation 1, 101, or if the annealed filters at the aforementioned low temperature had to be protected from the breathable atmosphere in the case where they would be less stabilized than the equivalent filters, for example annealed at 230 ° C. in the case of imagers. By way of example, the characteristics of the electroluminescent unit 4 and of all the deposited thin layers 10, 11, 112, 113 have been indicated below in order to obtain the preferential encapsulation 101 of FIG. ) For the unit "OLED" 4: AlCufTiN / organic films / Ag / sublayer ("capping layer") with emission "full white surface" and structure "PIN". b) For encapsulation 101: - film 10 of A1203 from 20 nm to 30 nm thick, deposited by "ALD" at a temperature between 85 ° C and 100 ° C; photolithographed planarizing resin layer 11 of 100 nm to 1000 nm thick, with the designation "FujiFilm CT3052L" or preferentially "SU8"; color filter V '(green subpixel level): photolithographed pigment of thickness 1.2 μm "FujiFilm Electronic Materials Color Mosaic SG-5000L"; - A1203 film 112 from 20 nm to 30 nm thick, deposited by "ALD" at a temperature between 85 ° C and 100 ° C; colored filter R '(red subpixel level): photolithographed pigmented resin 1.2 μm thick "FujiFilm Electronic Materials Color Mosaïc SR-5000L"; A1203 film 113 from 1 nm to 5 nm thick, deposited by "ALD" at a temperature between 85 ° C and 100 ° C; and B '(blue subpixel level) color filter: 1.2 μm thick photolithographed pigmented resin "FujiFilm Electronic Materials Color Mosaic SB-5000L". c) For the top protection layer 8 ("hard coat"): "Gersteltec GLM2050" series resin, based on a "SU &" resin loaded with silica nanoparticles in order to improve its hardness and thus protect mechanically the micro-display 2.