FR2983641A1

FR2983641A1 - Capteur d'image

Info

Publication number: FR2983641A1
Application number: FR1161015A
Authority: FR
Inventors: Flavien Hirigoyen
Original assignee: STMicroelectronics SA
Current assignee: STMicroelectronics SA
Priority date: 2011-12-01
Filing date: 2011-12-01
Publication date: 2013-06-07

Abstract

L'invention concerne un capteur d'image recevant un signal lumineux (46) et comportant un substrat (30) d'un matériau semiconducteur dans lequel des charges sont susceptibles d'être générées par le signal lumineux et une couche isolante (40) recouvrant le substrat. Le capteur d'image comporte, en outre, une matrice de pixels (25), chaque pixel comprenant une zone de collecte (32) des charges disposée dans le substrat et au moins un dispositif de focalisation et de filtrage (50) du signal lumineux réalisé par des pistes conductrices (52) disposées dans la couche isolante au moins en partie en regard de la zone de charge selon des courbes concentriques choisies parmi des portions de spirales, des cercles, des ellipses ou des polygones réguliers d'ordre supérieur ou égal à 5.

Description

B11372 - 11-GR1-0671 1 CAPTEUR D'IMAGE Domaine de l'invention La présente invention concerne un capteur d'image comprenant une matrice de pixels formés dans un substrat semiconducteur et plus particulièrement la structure des pixels 5 du capteur d'image. Exposé de l'art antérieur Un exemple d'application d'un capteur d'image concerne la détermination de la distance à un objet. De nombreux dispositifs de détermination de la distance à des objets et/ou 10 de la proximité d'objets sont connus. Actuellement, l'un des procédés les plus utilisés est connu sous l'appellation "Temps de Vol" (de l'anglais Time of Flight). Ce procédé consiste à envoyer un signal lumineux en direction de l'objet et à mesurer le temps d'aller-retour de ce signal. Généralement, le calcul du 15 temps d'aller-retour du signal est obtenu en mesurant le déphasage entre le signal issu de la source lumineuse et le signal réfléchi sur l'objet et détecté par le capteur d'image. En connaissant ce déphasage et la vitesse de la lumière, on détermine la distance à l'objet. 20 De façon générale, un pixel de capteur d'image comprend une zone de collecte des charges photogénérées dans le substrat et des éléments actifs de transfert des charges B11372 - 11-GR1-0671 2 collectées vers un circuit électronique adapté. Un empilement d'interconnexion est formé au-dessus du substrat de façon à connecter les éléments de transfert des charges collectées au reste du circuit électronique du capteur d'image. Les régions 5 conductrices de l'empilement d'interconnexion sont disposées à la périphérie du pixel pour gêner le moins possible la propagation du signal lumineux jusqu'à la zone de collecte du pixel. Néanmoins, une partie du signal lumineux incident peut se réfléchir sur les régions conductrices de l'empilement 10 d'interconnexion et ne pas atteindre la zone de collecte. Pour améliorer la détection du signal lumineux incident, on peut prévoir, pour chaque pixel, de concentrer le signal lumineux vers la zone de collecte du pixel au moyen d'une microlentille définie en regard du pixel, sur l'empilement 15 d'interconnexion. Toutefois, il peut ne pas être possible de réaliser en surface du pixel une microlentille avec un rayon de courbure suffisant pour focaliser la totalité du signal lumineux sur le centre de la zone de photodétection notamment lorsque le pixel a 20 en surface du substrat des dimensions importantes par rapport à l'épaisseur de l'empilement d'interconnexion. En outre, pour certaines applications, il peut être nécessaire de prévoir un capot recouvrant les pixels. Toutefois, la mise en place d'un capot peut ne pas être compatible avec la non-planéité de la 25 surface du capteur due à la présence des microlentilles. De plus, le coût de fabrication de microlentilles en surface du capteur d'image est important. Il peut être nécessaire de réaliser un filtrage du signal lumineux reçu par le capteur d'image pour ne détecter que 30 les ondes lumineuses dont les longueurs d'onde sont dans une plage de longueurs d'onde déterminées. C'est le cas notamment pour les dispositifs de détermination de la distance à un objet mettant en oeuvre un procédé du type "Temps de Vol" dans lesquels seules les ondes lumineuses dont les longueurs d'onde 35 sont proches de la longueur d'onde du signal lumineux envoyé en B11372 - 11-GR1-0671 3 direction de l'objet sont à détecter. Dans ce but, on peut prévoir le dépôt d'une couche filtrante sur l'empilement d'interconnexion. Toutefois, ceci augmente le coût de fabrication du capteur d'image.

Il peut, en outre, être souhaitable que seuls les rayons lumineux faiblement inclinés par rapport à une direction privilégiée par rapport à la face éclairée du capteur d'image soient détectés. Ceci correspond à un pixel ayant un angle d'acceptance réduit. C'est le cas notamment pour les dispositifs de détermination de la distance à un objet mettant en oeuvre un procédé du type "Temps de Vol" pour lesquels un angle d'acceptance trop important peut entraîner la détection, par le capteur d'image, de rayons lumineux parasites et donc entraîner des erreurs de détermination de la distance à l'objet.

Ainsi, un besoin existe d'un capteur d'image palliant tout ou au moins certains des inconvénients des structures de l'art antérieur. Résumé Un objet d'un mode de réalisation de la présente invention est de prévoir un capteur d'image permettant, pour chaque pixel du capteur d'image, simultanément d'obtenir une focalisation des rayons lumineux incidents vers la zone de collecte du pixel et un filtrage du signal lumineux incident en fonction de la longueur d'onde des ondes lumineuses et de l'angle d'incidence des rayons lumineux par rapport à la face éclairée du capteur d'image. Un autre objet d'un mode de réalisation de la présente invention est que le capteur d'image peut être réalisé sans ajouter de nouvelles étapes au procédé de fabrication du capteur 30 d'image. Un autre objet d'un mode de réalisation de la présente invention est que l'impact sur le coût de fabrication du capteur d'image est réduit. Ainsi, un mode de réalisation de la présente invention 35 prévoit un capteur d'image recevant un signal lumineux et B11372 - 11-GR1-0671 4 comportant un substrat d'un matériau semiconducteur dans lequel des charges sont susceptibles d'être générées par le signal lumineux et une couche isolante recouvrant le substrat. Le capteur d'image comporte, en outre, une matrice de pixels, chaque pixel comprenant une zone de collecte des charges disposée dans le substrat et au moins un dispositif de focalisation et de filtrage du signal lumineux réalisé par des pistes conductrices disposées dans la couche isolante au moins en partie en regard de la zone de charge selon des courbes concentriques choisies parmi des portions de spirales, des cercles, des ellipses ou des polygones réguliers d'ordre supérieur ou égal à 5. Selon un exemple de réalisation, le capteur d'image comprend, en outre, un circuit de polarisation des pistes 15 conductrices. Selon un exemple de réalisation, le capteur d'image comprend, pour chaque pixel, une piste conductrice supplémentaire connectée à chaque piste conductrice du dispositif de focalisation et de filtrage. 20 Selon un exemple de réalisation, chaque pixel comprend une diode comportant une cathode et une anode, la piste conductrice supplémentaire étant reliée à la cathode ou à l'anode. Selon un exemple de réalisation, le capteur d'image 25 comporte des pistes métalliques dans la couche isolante sur plusieurs niveaux de métallisation et les pistes conductrices correspondent à des pistes métalliques de l'un des niveaux de métallisation. Selon un exemple de réalisation, le dispositif de 30 focalisation et de filtrage comprend des pistes conductrices disposées selon 10 à 30 courbes fermées concentriques. Selon un exemple de réalisation, chaque piste conductrice a une largeur qui varie de 100 nm à 300 nm.

B11372 - 11-GR1-0671 Selon un exemple de réalisation, les pistes conduc- trices de chaque paire de pistes conductrices adjacentes sont espacées d'un écart qui varie de 300 nm à 500 nm. Selon un exemple de réalisation, chaque piste 5 conductrice a une épaisseur qui varie de 50 nm à 600 nm. Brève description des dessins Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif 10 en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 illustre le principe du procédé de détermination de distance à un objet de type "temps de vol" ; la figure 2 est une coupe schématique d'un exemple de réalisation d'un pixel de capteur d'image comprenant un 15 dispositif de focalisation et de filtrage ; la figure 3 est une coupe schématique du pixel de la figure 2 selon la ligne ; la figure 4 représente l'évolution de la proportion du signal lumineux incident atteignant une région déterminée du 20 capteur d'image en fonction de la longueur d'onde du signal lumineux pour le capteur d'image de la figure 2 et un capteur d'image ne comprenant pas de dispositif de focalisation et de filtrage ; la figure 5 représente l'évolution de la proportion du 25 signal lumineux incident atteignant une région déterminée du capteur d'image en fonction de l'angle d'inclinaison des rayons lumineux par rapport à la direction perpendiculaire à la face éclairée du capteur d'image pour le capteur d'image de la figure 2 et un capteur d'image ne comprenant pas de dispositif de 30 focalisation et de filtrage ; la figure 6 est une coupe schématique d'un autre exemple de réalisation d'un pixel de capteur d'image ; et la figure 7 est une coupe schématique du pixel de la figure 6 selon la ligne VII-VII.

B11372 - 11-GR1-0671 6 Description détaillée Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, comme cela est habituel dans la représentation des circuits intégrés, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. La figure 1 illustre le principe général du procédé "Temps de Vol". Un générateur 10 (PULSE) fournit un signal électrique périodique présentant par exemple une forme de créneaux. Ce signal alimente une source lumineuse 12. A titre d'exemple, la source lumineuse 12 peut être une diode électroluminescente, ou tout dispositif d'éclairement connu, par exemple un laser. Le signal provenant de la source lumineuse 12 est transmis en direction d'un objet 16 et est réfléchi sur cet objet 16 pour être détecté par un capteur d'image 18 (CAPT). Le signal sur le capteur 18 (CAPT) est donc déphasé du signal fourni par le générateur d'une durée proportionnelle à deux fois la distance à l'objet 16. Des moyens de calcul 20 (DIFF) reçoivent les signaux générés par le générateur 10 et par le capteur 18 et calculent le déphasage entre ces signaux pour obtenir la distance à l'objet 16. Les figures 2 et 3 représentent un exemple de réalisation d'un pixel 25 d'un capteur d'image éclairé par la face avant, comprenant une matrice de pixels formés en surface d'un substrat semiconducteur 30 comprenant une face supérieure 31. Il s'agit, par exemple, d'un capteur d'image pouvant être utilisé pour la mise en oeuvre d'un procédé "Temps de Vol". Un seul pixel 25 est représenté aux figures 2 et 3. Les régions dopées formées dans le substrat 30 ne sont pas représentées en détail. Le pixel 25 comprend une zone de collecte 32 des charges photogénérées. Le pixel 25 comprend, en outre, des éléments actifs, non représentés, de transfert des charges collectées vers un circuit électronique adapté. En figure 3, les limites du pixel 25 sont représentées par un trait interrompu 33. En outre, la limite de la zone de collecte 32 est également représentée B11372 - 11-GR1-0671 7 par un trait interrompu. Un empilement d'interconnexion 36, comprenant des pistes conductrices 38 et des vias conducteurs 39 séparés par un empilement 40 de matériaux isolants et transparents, est formé au-dessus de la face 31 du substrat 30 de façon à connecter les éléments de transfert des charges collectées au reste du circuit électronique du capteur d'image. En figure 2, on a représenté des pistes 38 de deux niveaux de métallisation ainsi qu'une piste d'un troisième niveau de métallisation 50. De préférence, la majorité des pistes et vias conducteurs 38, 39 s'étendent en regard de la périphérie des zones de collecte 32 pour ne pas gêner le passage des rayons lumineux. Chaque pixel 35 est isolé des pixels voisins par des régions isolantes enterrées 42 formées dans le substrat 30. Le pixel 25 comprend une face éclairée 44 recevant un signal lumineux, deux rayons lumineux 46 étant représentés. Dans le présent exemple de réalisation, le pixel 25 comprend un dispositif de focalisation et de filtrage 50. Le dispositif de focalisation et de filtrage 50 comprend des anneaux 52 réalisés par des pistes du troisième niveau de métallisation, par exemple en cuivre. Les anneaux 52 sont concentriques et centrés sur un axe D, perpendiculaire à la face 44. L'axe D est, par exemple, un axe de symétrie de révolution de la zone de collecte 32. L'axe D peut être excentré par rapport au centre du pixel 25. La largeur d'un anneau 52 est désignée par la référence W. Les largeurs W des anneaux 52 peuvent être identiques. L'écart entre deux anneaux 52 adjacents est désigné par la référence S. L'écart S entre deux anneaux 52 adjacents peut être identique pour chaque paire d'anneaux 52 adjacents. A titre de variante, l'écart S peut varier selon la paire d'anneaux adjacents 52 considérée. En outre, la largeur W peut varier selon l'anneau 52 considéré. A titre d'exemple, l'écart S peut prendre des valeurs qui suivent une loi d'évolution sinusoïdale. De façon schématique, en figure 3, seuls cinq anneaux 52 ont été représentés. Toutefois, le nombre d'anneaux 52 peut être plus important. A titre d'exemple, le B11372 - 11-GR1-0671 8 dispositif de focalisation et de filtrage 50 peut comprendre environ de 5 à 30 anneaux, de préférence de 10 à 30 anneaux, par exemple environ 20 anneaux. Les dimensions du dispositif de focalisation et de 5 filtrage 50 dépendent des techniques mises en oeuvre pour la réalisation du capteur d'image. A titre d'exemple : - l'épaisseur des anneaux 52 varie de 50 nm à 600 nm, de préférence de 200 nm à 400 nm ; - la largeur W varie de 50 nm à 300 nm, de préférence 10 de 100 nm à 300 nm ; et - l'écart S varie de 150 nm à 700 nm, de préférence de 300 nm à 500 nm. Le dispositif de focalisation et de filtrage 50 fonctionne comme une plaque zonale de Fresnel plasmonique et 15 agit sur le signal lumineux incident. Trois effets ont été observés : - une focalisation des rayons lumineux incidents 46 vers la zone de collecte 32 du pixel 25 ; - un filtrage du signal lumineux incident pour 20 transmettre principalement les ondes lumineuses dont la longueur d'onde est proche d'une longueur d'onde privilégiée ; et - un filtrage du signal lumineux incident pour transmettre principalement les rayons lumineux 46 dont l'angle d'incidence est proche d'une direction privilégiée. 25 La figure 4 représente des courbes T1 et T2 d'évolution de la proportion, exprimée en pourcentage, du signal lumineux par rapport à la totalité du signal lumineux reçu par la face 44 qui atteint une portion de la face 31 en fonction de la longueur d'onde des ondes lumineuses. La portion de la face 30 31 correspond à un disque centré sur l'axe D et dont le rayon est égal au rayon maximal de la zone de collecte 32 du capteur d'image. La courbe T2 correspond au capteur d'image représenté en figure 2 et la courbe T1 correspond à un capteur d'image identique au capteur d'image représenté en figure 2 mais ne 35 comprenant pas le dispositif de focalisation et de filtrage 50.

B11372 - 11-GR1-0671 9 Les courbes Ti et T2 ont été obtenues avec les dimensions suivantes : - le pixel 25 a, vue de dessus, une surface carrée dont le côté mesure 24 fun ; - la zone de collecte 32 correspond, vue de dessus, à un disque dont le rayon mesure 8 pm ; - l'épaisseur des anneaux 52 est de 300 nm ; - la largeur W est identique pour tous les anneaux 52 et est de 200 nm ; - l'écart S est identique pour toutes les paires d'anneaux adjacents et est de 400 nm ; - le nombre d'anneaux est égal à 20. La courbe 12 montre une augmentation de la transmission du signal lumineux pour les longueurs d'onde de 830 nm à 870 nm environ par rapport à la courbe Ti. Ceci correspond à une focalisation de rayons lumineux vers les zones de collecte des pixels. Il est également observé une diminution de la transmission du signal lumineux incident dont les longueurs d'onde sont inférieures à 830 nm environ ou supérieures à 870 nm environ. Ceci correspond à un filtrage du signal lumineux incident selon la longueur d'onde. La figure 5 représente des courbes Si et S2 d'évolution de la proportion, exprimée en pourcentage, du signal lumineux par rapport à l'ensemble du signal lumineux incident reçu par la face 44 qui atteint la portion définie précédemment de la face 31 en fonction de l'inclinaison des rayons lumineux par rapport à une direction perpendiculaire à la face 44. La courbe S2 correspond au capteur d'image représenté en figure 2 et la courbe Si correspond à un capteur d'image identique au capteur d'image représenté en figure 2 mais ne comprenant pas le dispositif de focalisation et de filtrage 50. Les courbes S1 et S2 ont été obtenues avec un dispositif de focalisation et de filtrage 50 ayant les mêmes dimensions que celui utilisé pour l'obtention des courbes Ti et 12.

B11372 - 11-GR1-0671 10 La courbe S2 comprend un pic 54 pour un angle d'inclinaison d'environ 00. Ceci correspond à une amélioration de la sélectivité angulaire autour de l'angle d'inclinaison de 00 du capteur d'image et donc à une diminution de l'angle d'acceptance du capteur d'image. Les figures 6 et 7 sont des figures analogues respectivement aux figures 2 et 3 pour un autre exemple de réalisation d'un pixel 55 de capteur d'image. En figure 6, on a représenté la structure des couches dans le substrat 30 avec plus de détails par rapport à la figure 2. Le pixel 55 peut comprendre une diode à avalanche de photon unique, ou SPAD, acronyme anglais pour Single Photon Avalanche Diode. A titre d'exemple, le substrat 30 correspond à une couche épitaxiée de type P faiblement dopée (Pl. Le pixel comprend un caisson 62 de type N, qui forme la cathode de la diode. L'anode correspond à une couche 64 de type P fortement dopée (Pl formée dans un caisson 66 de type P formé dans le caisson 62. Le caisson 66 est entouré par un anneau de sécurité 68 correspondant à une portion du caisson 62. Pour fournir un bon contact ohmique à la cathode, des régions 72 (N1 de type N sont prévues, plus fortement dopées que le caisson 62. Des régions isolantes 74, par exemple des régions STI (acronyme anglais pour Shallow Trench Isolation), isolent le pixel 45 des autres pixels sur un même circuit intégré. En fonctionnement, la zone de collecte du pixel 55 correspond à la zone déplétée qui résulte de la jonction PN entre le caisson 66 de type P et le caisson 62 de type N. Le caisson est par exemple à symétrie de révolution autour de l'axe D. En figure 7, les limites du pixel 55 sont représentées par le trait interrompu 75. En outre, la limite de la région 66 est également représentée par un trait interrompu 84. Des pistes 76 du premier niveau de métallisation ont été représentées. En particulier, une piste 76 du premier niveau de métallisation est située sensiblement au niveau de l'axe D et 35 est connectée à la couche 64 par un via conducteur 77. Dans le B11372 - 11-GR1-0671 11 second niveau de métallisation, le capteur comprend une piste métallique 78 qui est connectée à la piste 76 par un via conducteur 79. La piste 78 est destinée à être connectée à un composant électronique, par exemple un transistor MOS.

Dans le présent exemple de réalisation, le pixel 55 comprend un dispositif de focalisation et de filtrage 80. Le dispositif de focalisation et de filtrage 80 comprend des anneaux concentriques 86, réalisés par des pistes du deuxième niveau de métallisation du capteur d'image. Les anneaux 86 sont centrés sur l'axe D qui est, par exemple, un axe de symétrie de révolution de la région 66. L'axe D peut être excentré par rapport au centre du pixel 55. Tous les anneaux 86 sont connectés à la piste 78. La largeur d'un anneau 86 est désignée par la référence W'. Les largeurs W' des anneaux concentriques 86 peuvent être identiques. L'écart S' entre deux anneaux 86 adjacents est désigné par la référence S'. L'écart S' entre deux anneaux 86 adjacents peut être identique pour chaque paire d'anneaux 86 adjacents. A titre de variante, l'écart S' peut varier selon les paires d'anneaux adjacentes 86. En outre, la largeur W' peut varier selon l'anneau 86 considéré. A titre d'exemple, l'écart S' peut prendre des valeurs qui suivent une loi d'évolution sinusoïdale. De façon schématique, en figure 6, seuls cinq anneaux 86 ont été représentés. Toutefois, le nombre d'anneaux 86 peut être plus important. A titre d'exemple, le dispositif de focalisation et de filtrage 80 peut comprendre environ de 5 à 30 anneaux, de préférence de 10 à 30 anneaux, par exemple environ 20 anneaux. Les dimensions du dispositif de focalisation et de 30 filtrage 80 dépendent des techniques mises en oeuvre pour la réalisation du capteur d'image. A titre d'exemple : - l'épaisseur des anneaux 86 varie de 200 nm à 400 rua ; - la largeur W' varie de 100 nm à 300 nm ; et 35 - l'écart S' varie de 300 nm à 500 nm.

B11372 - 11-GR1-0671 12 Selon le présent exemple de réalisation, les anneaux 86 sont au potentiel de la piste métallique 78. La piste métallique 78 est elle-même connectée à l'anode du pixel 55. Le capteur d'image comprend un circuit de polarisation 5 des anneaux concentriques 86. Le circuit de polarisation n'est pas représenté en détail en figure 6 et comprend la piste métallique 78. Les inventeurs ont mis en évidence que la polarisation des anneaux concentriques 86 modifie les performances du 10 dispositif de focalisation et de filtrage 80 par rapport au dispositif de focalisation et de filtrage 50 représenté en figure 2 et qui n'est pas polarisé. En particulier, les inventeurs ont mis en évidence que la polarisation des anneaux 86 modifiait au moins l'une des 15 propriétés suivantes du dispositif de focalisation et de filtrage 80 par rapport à ce qui a été décrit précédemment pour le dispositif de focalisation et de filtrage 50 : - la focalisation des rayons lumineux incidents ; - le filtrage du signal lumineux en fonction de la 20 longueur d'onde ; et - le filtrage du signal lumineux en fonction de l'angle d'inclinaison des rayons lumineux par rapport à la face éclairée du capteur d'image. Des modes de réalisation particuliers de la présente 25 invention ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, les pistes métalliques du dispositif de focalisation et de filtrage peuvent avoir une forme autre qu'annulaire. Le dispositif de focalisation et de filtrage peut 30 comprendre des pistes métalliques qui suivent, en vue de dessus, la forme générale des courbes concentriques choisies parmi des portions de spirale, des ellipses ou des polygones réguliers d'ordre supérieur ou égal à 5. En outre, bien que dans les exemples de réalisation 35 décrits précédemment, chaque piste métallique forme un cordon B11372 - 11-GR1-0671 13 ininterrompu, le dispositif de focalisation et de filtrage peut comprendre des plots métalliques espacés disposés selon des courbes concentriques choisies parmi des portions de spirale, des cercles, des ellipses ou des polygones réguliers d'ordre supérieur ou égal à 5. De plus, plusieurs dispositifs de focalisation et de filtrage peuvent être superposés et réalisés par des pistes métalliques de différents niveaux de métallisation. En outre, bien que dans les exemples de réalisation décrits précédemment les pistes formant le dispositif de focalisation et de filtrage soient des pistes métalliques, il est clair que les pistes peuvent être formées par n'importe quel matériau conducteur, par exemple du polysilicium. En outre, on notera que l'homme de l'art pourra combiner divers éléments de ces divers modes de réalisation et variantes sans faire preuve d'activité inventive. Ainsi, le dispositif de focalisation et de filtrage polarisé 80 peut être réalisé par des pistes du troisième niveau de métallisation comme le dispositif de focalisation et de filtrage 50 ou d'un niveau de métallisation supérieur.

Claims

REVENDICATIONS1. Capteur d'image recevant un signal lumineux (46) et comportant un substrat (30) d'un matériau semiconducteur dans lequel des charges sont susceptibles d'être générées par le signal lumineux et une couche isolante (40) recouvrant le 5 substrat, le capteur d'image comportant, en outre, une matrice de pixels (25 ; 55), chaque pixel comprenant une zone de collecte (32) des charges disposée dans le substrat et au moins un dispositif de focalisation et de filtrage (50 ; 80) du signal lumineux réalisé par des pistes conductrices (52 ; 86) disposées 10 dans la couche isolante au moins en partie en regard de la zone de charge selon des courbes concentriques choisies parmi des portions de spirales, des cercles, des ellipses ou des polygones réguliers d'ordre supérieur ou égal à 5.
2. Capteur d'image selon la revendication 1, 15 comprenant, en outre, un circuit de polarisation (78) des pistes conductrices (52 ; 86).
3. Capteur d'image selon la revendication 1 ou 2, comprenant, pour chaque pixel (55), une piste conductrice supplémentaire (78) connectée à chaque piste conductrice (86) du 20 dispositif de focalisation et de filtrage (80).
4. Capteur d'image selon la revendication 3, dans lequel chaque pixel (55) comprend une diode comportant une cathode (62) et une anode (66), la piste conductrice supplémentaire (78) étant reliée à la cathode ou à l'anode. 25
5. Capteur d'image selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, comportant des pistes métalliques dans la couche isolante (40) sur plusieurs niveaux de métallisation et dans lequel les pistes conductrices (52 ; 86) correspondent à des pistes métalliques de l'un des niveaux de métallisation. 30
6. Capteur d'image selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le dispositif de focalisation et de filtrage (50 ; 80) comprend des pistes conductrices (52 ; 86) disposées selon 10 à 30 courbes fermées concentriques.B11372 - 11-GR1-0671 15
7. Capteur d'image selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel chaque piste conductrice (52 ; 86) a une largeur (W ; W') qui varie de 100 nm à 300 nm.
8. Capteur d'image selon l'une quelconque des 5 revendications 1 à 7, dans lequel les pistes conductrices (52 ; 86) de chaque paire de pistes conductrices adjacentes sont espacées d'un écart (S ; S') qui varie de 300 nm à 500 nm.
9. Capteur d'image selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel chaque piste conductrice (52 ; 10 86) a une épaisseur qui varie de 50 nm à 600 nm.