FR2936965A1 - Via realization method for fabrication of e.g. optical device, involves permitting localized projection of immiscible liquid material with forming material used for forming organic thin layer - Google Patents
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Abstract
Description
FORMATION DE VIA TRAVERSANT DES COUCHES MINCES PAR EJECTION LOCALISEE DE LIQUIDE IMMISCIBLE TRAINING VIA THROUGH THIN LAYERS BY LOCALIZED EJECTION OF IMMISCIBLE LIQUID
DOMAINE DE L'INVENTION Le domaine de l'invention concerne la structuration de couches minces organiques, liquides ou gélifiées, dans leur entière épaisseur, et plus précisément la réalisation de via ou trous d'interconnexion traversant ces couches minces. FIELD OF THE INVENTION The field of the invention relates to the structuring of thin organic layers, liquid or gelled, in their entire thickness, and more specifically the production of via or interconnection holes passing through these thin layers.
10 Ainsi, la présente invention repose sur l'utilisation de techniques d'impression permettant d'éjecter localement un matériau immiscible avec le matériau constitutif de la couche mince, capable de creuser un trou dans celui-ci. Thus, the present invention relies on the use of printing techniques for locally ejecting an immiscible material with the material constituting the thin layer, capable of digging a hole therein.
Il existe de nombreuses applications, notamment dans la fabrication des composants 15 électroniques et/ou optiques. There are many applications, especially in the manufacture of electronic and / or optical components.
ETAT ANTERIEUR DE LA TECHNIQUE PRIOR STATE OF THE TECHNIQUE
Pour réaliser des dispositifs en électronique organique (transistors, diodes, capacités, 20 thermistors, ...), il est impératif que les différentes couches qui composent les composants soient localisées et structurées pour éviter notamment les court-circuits ou les fuites de courants électriques. De plus, pour être intégrés dans un circuit, les différents dispositifs de base doivent pouvoir communiquer les uns avec les autres, par le biais d'interconnexions. 25 Par ailleurs, pour réaliser des composants optiques par impression, il est nécessaire de pouvoir juxtaposer, sur un substrat, des matériaux présentant des indices optiques réels et imaginaires différents. Il est donc nécessaire de localiser proprement les matériaux les uns par rapport aux autres sans que ceux-ci se mélangent. Dans le domaine de l'électronique organique, la réalisation de motifs géométriques et des via dans une couche peut se faire à l'aide de méthodes classiques de la microélectronique, c'est-à-dire des étapes de photolithographie. Cependant, ces méthodes restent coûteuses et leur compatibilité avec les matériaux organiques 30 habituellement utilisés reste limitée. En outre, lors de l'étape de dérésinage, il arrive bien souvent que les différentes couches de matériaux organiques se décollent les unes des autres. To produce devices in organic electronics (transistors, diodes, capacitors, thermistors, ...), it is imperative that the various layers that make up the components are localized and structured to avoid, in particular, short circuit or leakage of electric currents. . In addition, to be integrated in a circuit, the different basic devices must be able to communicate with each other, through interconnections. Furthermore, to make optical components by printing, it is necessary to be able to juxtapose, on a substrate, materials having different real and imaginary optical indices. It is therefore necessary to properly locate the materials relative to each other without them mixing. In the field of organic electronics, the realization of geometric patterns and via in a layer can be done using conventional methods of microelectronics, that is to say, photolithography steps. However, these methods remain expensive and their compatibility with commonly used organic materials remains limited. In addition, during the step of derisking, it often happens that the different layers of organic materials are peeled from each other.
Une technique particulière est décrite dans le document Mâ,ntysalo et al. (Electronic Components and Technology Conference, 89-94, 2001). Cette méthode est basée sur l'utilisation de matériaux photoréticulables. Les couches sont déposées les unes après les autres, et ainsi le via est formé par dépôt localisé des matériaux. Ce procédé est limité aux matériaux photoréticulables. En outre, la résolution des motifs reste limitée par la taille des gouttes éjectées, et est au mieux de 80 micromètres. A particular technique is described in the document Ma, ntysalo et al. (Electronic Components and Technology Conference, 89-94, 2001). This method is based on the use of photocurable materials. The layers are deposited one after the other, and thus the via is formed by localized deposition of the materials. This process is limited to photocurable materials. In addition, the resolution of the patterns is limited by the size of the drops ejected, and is at best 80 micrometers.
La publication de Kawase et al. (Adv. Mater. 13(21), 1601-05, 2001) décrit une méthode alternative qui utilise la technologie d'impression jet d'encre. Le matériau organique est déposé par voie liquide, puis préférablement recuit. Le via est créé par éjection contrôlée de gouttes de solvant. Ce solvant est choisi pour son efficacité à dissoudre localement le matériau organique. En éjectant les gouttes de solvant exactement au même endroit, un via se creuse peu à peu et simultanément, un bourrelet se crée autour du via. Ce bourrelet est préjudiciable à la qualité du passage de marche. De plus, cette méthode est limitée à des matériaux qui sont exempts de réticulation. The publication of Kawase et al. (Adv., Mater 13 (21), 1601-05, 2001) describes an alternative method that uses inkjet printing technology. The organic material is deposited by liquid and then preferably annealed. The via is created by controlled ejection of solvent drops. This solvent is chosen for its effectiveness in dissolving the organic material locally. By ejecting the drops of solvent exactly in the same place, a via is digging little by little and simultaneously, a bead is created around the via. This bead is detrimental to the quality of the walk. In addition, this method is limited to materials that are free of crosslinking.
Une dernière méthode recensée dans le domaine de l'électronique organique est celle décrite dans la publication de Sirringhaus et al. (Science 290(5499), 2123-26, 2000). Le substrat est recouvert de zones hydrophiles ou hydrophobes, obtenues à partir de couches minces. Suivant la nature de l'encre, celle-ci se localise préférentiellement sur l'une des deux zones. Cette méthode fait donc appel à un dépôt d'une couche mince de matière hydrophile ou hydrophobe sur le substrat, suivi d'un patterning réalisé par des techniques de photolithographie. Elle est donc peu compatible avec les techniques d'impression. A last method identified in the field of organic electronics is that described in the publication of Sirringhaus et al. (Science 290 (5499), 2123-26, 2000). The substrate is covered with hydrophilic or hydrophobic zones, obtained from thin layers. Depending on the nature of the ink, it is preferentially located on one of the two zones. This method therefore uses a deposition of a thin layer of hydrophilic or hydrophobic material on the substrate, followed by patterning performed by photolithography techniques. It is therefore not very compatible with printing techniques.
Dans le domaine des composants optiques, le document US 2004/0008319 a exposé la possibilité de moduler des indices optiques en juxtaposant des gouttes de matériaux photopolymérisables présentant des indices optiques différents. Toutefois, la difficulté pour contrôler les interactions entre les gouttes et le substrat rend le procédé hasardeux, les gouttes ayant tendance à coalescer les unes avec les autres. In the field of optical components, document US 2004/0008319 exposed the possibility of modulating optical indices by juxtaposing drops of photopolymerizable materials having different optical indices. However, the difficulty of controlling the interactions between the drops and the substrate makes the process hazardous, the drops having a tendency to coalesce with each other.
Le document WO 2006/013250 explique comment obtenir des composants optiques en remplissant des cellules de taille micrométrique avec des liquides à propriétés optiques données. Cependant, le remplissage précis de ces cellules et leur scellement restent délicats du fait des pollutions générées lors de la fabrication de tels composants. EXPOSE DE L'INVENTION WO 2006/013250 explains how to obtain optical components by filling micrometer sized cells with liquids with given optical properties. However, the precise filling of these cells and their sealing remain delicate because of the pollution generated during the manufacture of such components. SUMMARY OF THE INVENTION
Il existe donc un besoin évident de développer des méthodes aisées et peu coûteuses permettant de créer, de manière contrôlée, des via traversant des couches minces de 10 nature très diverse. There is therefore a clear need to develop easy and inexpensive methods for creating, in a controlled manner, via via thin films of a very diverse nature.
Dans la suite de la description, on entend par via un trou ou passage traversant entièrement la couche mince dans laquelle il est réalisé. En pratique, ce via permet d'atteindre le support sur lequel la couche mince est déposée et ainsi d'établir une 15 éventuelle interconnexion entre le support et un matériau situé au dessus de la couche mince ou déposé dans le via. In the remainder of the description, via is meant a hole or passage entirely traversing the thin layer in which it is made. In practice, this via makes it possible to reach the support on which the thin layer is deposited and thus to establish a possible interconnection between the support and a material situated above the thin layer or deposited in the via.
Ainsi, l'invention concerne un procédé de réalisation de via traversant une couche mince organique comprenant une étape de projection localisée d'un matériau liquide non 20 miscible avec le matériau constituant la couche mince. Thus, the invention relates to a method for producing via via an organic thin layer comprising a localized projection step of a non-immiscible liquid material with the material constituting the thin layer.
La traversée de la couche mince peut se faire grâce à une projection unique. Toutefois, il peut être nécessaire de répéter l'étape de projection à la même localisation plus d'une fois, et plus précisément le nombre de fois nécessaire à la traversée de la couche mince. 25 Le procédé selon l'invention repose sur le principe physique de la séparation de phases, aussi appelé démixtion. L'incompatibilité de mélange entre le matériau liquide éjecté, appelé par la suite phase II, et le matériau constitutif de la couche mince, appelée par la suite phase I, se traduit par leur immiscibilité. En raison des forces physiques associées à 30 la séparation de phases, cette seconde phase (II) repousse le matériau constitutif de la phase I. Ainsi, la couche mince constituée par le matériau de la phase I se déforme. A noter que le matériau de la phase II n'est pas un solvant de la phase I.5 La présente invention se concentre sur la formation de via dans les couches minces. Ceci implique que la projection doit être répétée au même endroit pour induire le creusement de la couche mince jusqu'à la traverser. En d'autres termes et dans un mode de réalisation privilégié selon lequel la couche mince repose sur un support avantageusement un substrat, le via formé à l'issue du procédé selon l'invention permet d'atteindre ce support ou substrat. The crossing of the thin layer can be done through a single projection. However, it may be necessary to repeat the projection step at the same location more than once, and more precisely the number of times required to cross the thin layer. The process according to the invention is based on the physical principle of phase separation, also known as demixing. The mixing incompatibility between the ejected liquid material, hereinafter called phase II, and the constituent material of the thin layer, hereinafter called phase I, results in their immiscibility. Due to the physical forces associated with phase separation, this second phase (II) repels the constituent material of phase I. Thus, the thin layer formed by the material of phase I is deformed. It should be noted that the material of phase II is not a solvent of phase I.5. The present invention focuses on the formation of via in thin films. This implies that the projection must be repeated at the same place to induce the digging of the thin layer to cross it. In other words and in a preferred embodiment according to which the thin layer rests on a support advantageously a substrate, the via formed at the end of the process according to the invention makes it possible to reach this support or substrate.
Comme déjà dit, la couche mince visée est de nature organique. En pratique, ce matériau constituant la phase I se trouve sous forme liquide ou avantageusement gélifiée. Elle est en outre avantageusement réalisée par impression par voie liquide, notamment par jet d'encre, microdispense, sérigraphie, flexographie ou héliographie sur un support, par exemple un substrat massif ou un support recouvert lui-même d'au moins une autre couche d'intérêt.. As already said, the thin film is organic in nature. In practice, this material constituting phase I is in liquid or advantageously gelled form. It is also advantageously produced by liquid printing, in particular by ink jet, microdispense, screen printing, flexography or heliography on a support, for example a solid substrate or a support itself covered with at least one other layer of ink. 'interest..
Ainsi, les matériaux couramment utilisés pour la réalisation de couches minces par impression et visés par la présente invention sont avantageusement des polymères, des molécules, ou des dispersions de nanoparticules, plus précisément choisis dans le groupe suivant : - monomères ou molécules en solution ; - molécules liquides à température et à pression ambiantes ; - polymères en solution ; - gels de polymères avantageusement obtenus par photopolymérisation ou thermopolymérisation ; - oligomères en solution ; - monomères liquides ; - solutions chargées en nanoparticules, notamment métalliques. Thus, the materials commonly used for the production of thin films by printing and targeted by the present invention are advantageously polymers, molecules, or dispersions of nanoparticles, more precisely chosen from the following group: monomers or molecules in solution; liquid molecules at ambient temperature and pressure; - polymers in solution; polymer gels advantageously obtained by photopolymerization or thermopolymerization; oligomers in solution; - liquid monomers; - charged solutions in nanoparticles, in particular metallic.
Une couche mince visée par l'invention présente avantageusement une épaisseur comprise entre 50 nanomètres et 200 micromètres dans son état liquide ou gélifié, c'est à dire au moment de la projection. Ceci implique que les via formés à l'issue du procédé possèdent une profondeur comprise dans cette même fourchette. A thin film targeted by the invention advantageously has a thickness of between 50 nanometers and 200 micrometers in its liquid or gelled state, ie at the time of projection. This implies that the via formed after the process have a depth within this range.
Par ailleurs et de manière avantageuse, le matériau constitutif de la couche mince présente une viscosité inférieure à 300 cps. Les valeurs de viscosité mentionnées dans la présente demande sont déterminées à l'aide de la technique Brookfield bien connue de l'homme du métier (T ambiante ; P = 1 atm). Concernant le matériau mis en oeuvre pour réaliser les via dans la couche mince, il présente la propriété essentielle d'être non miscible avec le matériau de la couche mince. En d'autres termes, il présente une incompatibilité de mélange avec le matériau constitutif de la couche mince. 10 En outre, la projection localisée du matériau constituant la phase II se fait avantageusement à l'aide d'une tête de microdispense ou d'une tête d'impression jet d'encre. De manière préférée, celui-ci est un liquide éjecté de la tête sous forme de gouttes. Ainsi, la projection du matériau immiscible sur la couche mince, 15 avantageusement sous forme de gouttes, entraîne la formation d'alvéoles qui se creusent pour former un via traversant. Furthermore and advantageously, the material constituting the thin layer has a viscosity of less than 300 cps. The viscosity values mentioned in the present application are determined using the Brookfield technique well known to those skilled in the art (ambient T, P = 1 atm). Regarding the material used to make the via in the thin layer, it has the essential property of being immiscible with the material of the thin layer. In other words, it has a mixing incompatibility with the constituent material of the thin layer. In addition, the localized projection of the material constituting the phase II is advantageously made using a microdispense head or an inkjet printing head. Preferably, this is a liquid ejected from the head in the form of drops. Thus, the projection of the immiscible material on the thin layer, preferably in the form of drops, causes the formation of cells which are hollow to form a via via.
Par ailleurs, la viscosité des matériaux en présence, le degré de gélification des polymères constitutifs de la phase I, ainsi que le volume de la phase II sont autant de 20 paramètres qui permettent de contrôler la résolution des motifs obtenus. Moreover, the viscosity of the materials in the presence, the degree of gelation of the constituent polymers of phase I, as well as the volume of phase II are as many as 20 parameters which make it possible to control the resolution of the patterns obtained.
En déplaçant la couche et/ou le dispositif de projection, il est possible de créer des via à différents endroits de la couche mince. La structure (notamment le diamètre) et la fréquence des via créés dans la couche mince peuvent donc être choisies et contrôlées. 25 Ainsi, notamment en fonction du pas d'éjection des gouttes, il est possible de juxtaposer les zones de déformation et de réaliser des topologies variées. Dans un cas particulier, il est possible de juxtaposer les projections de manière à creuser une tranchée dans la couche mince. Ce cas trouve notamment une application dans la formation de la source et du drain d'un transistor, la tranchée correspondant alors au canal du transistor. 30 Si le liquide non miscible de la phase II possède une forte valeur de tension de vapeur (supérieure ou égale à 1 mm Hg à Patm et Tambiante), il s'évapore rapidement et laisse par la suite un vide. Il s'en suit la création d'un via qui présente une topologie caractérisée par l'absence de redépôt sur la partie supérieure du via. La partie supérieure5 du via présente un léger épaulement. Celui-ci peut autoriser le passage de marche de la couche métallique qui sera éventuellement déposée par la suite dans et autour du via. By moving the layer and / or the projection device, it is possible to create via at different locations of the thin layer. The structure (especially the diameter) and the frequency of the via created in the thin layer can therefore be chosen and controlled. Thus, particularly as a function of the drop ejection step, it is possible to juxtapose the deformation zones and to produce various topologies. In a particular case, it is possible to juxtapose the projections so as to dig a trench in the thin layer. This case finds particular application in the formation of the source and drain of a transistor, the trench then corresponding to the transistor channel. If the immiscible liquid of phase II has a high value of vapor pressure (greater than or equal to 1 mmHg at Patm and Tambiante), it evaporates rapidly and then leaves a vacuum. It follows the creation of a via which has a topology characterized by the absence of redeposition on the upper part of the via. The upper part5 of the via has a slight shoulder. This can allow the passage of march of the metal layer which will eventually be deposited thereafter in and around the via.
Alternativement, si le liquide éjecté contient des nanoparticules métalliques (par exemple le liquide encre Cabot AG-IJ-100-S1) ou des polymères conducteurs du type Baytron (Pedot/Pss, HC Stark), il apparaît, dans le via, un dépôt conducteur. Celui-ci favorise alors la reprise du contact entre l'électrode supérieure et électrode inférieure. Alternatively, if the ejected liquid contains metal nanoparticles (for example the Cabot ink ink AG-IJ-100-S1) or conducting polymers of the Baytron type (Pedot / Pss, HC Stark), it appears in the via, a deposit driver. This then promotes the resumption of contact between the upper electrode and lower electrode.
Si le liquide constitutif de la phase II, doté d'une faible valeur de tension de vapeur (inférieure ou égale à 1 mm Hg à pression atmosphérique et température ambiante), ne s'évapore pas et si l'opération d'éjection est régulièrement répétée sur le support, les via sont alors remplis par le matériau constitutif de la phase II. Dans ce mode de réalisation et afin d'éviter la coalescence des gouttes éjectées, le matériau constitutif de la phase I se présente avantageusement sous la forme d'un gel. If the constituent liquid of phase II, with a low vapor pressure value (less than or equal to 1 mm Hg at atmospheric pressure and ambient temperature), does not evaporate and if the ejection operation is regularly carried out repeated on the support, the via are then filled by the constituent material of phase II. In this embodiment and in order to avoid the coalescence of the ejected drops, the constituent material of phase I is advantageously in the form of a gel.
De manière appropriée, il est possible d'éjecter à différentes localisations des matériaux liquides non miscibles de nature différente, ayant notamment des indices optiques réels et imaginaires différents. As appropriate, it is possible to eject at different locations immiscible liquid materials of different nature, in particular having different real and imaginary optical indices.
Dans un mode de réalisation particulier, le liquide de la phase II est éjecté sur une couche mince contenant des dispersions de nanoparticules ou sur une solution de polymères conducteurs du type Baytron (PEDOT/PSS, HC Stark). En outre, l'éjection est réalisée en juxtaposant des séries de gouttes. Il est alors possible de créer la source et le drain d'un transistor. Les gouttes qui peuvent avoisiner 5 micromètres délimitent la taille du canal du transistor, ce qui constitue une résolution bien supérieure à celle couramment obtenue lors de l'impression de pistes conductrices par jet d'encre (environ 50 micromètres). Ce procédé particulier est aussi utilisable pour structurer des couches minces contenant les matériaux nécessaires à la formation du diélectrique de grille ou du semi conducteur. In a particular embodiment, the phase II liquid is ejected onto a thin layer containing nanoparticle dispersions or onto a solution of Baytron type conductive polymers (PEDOT / PSS, HC Stark). In addition, the ejection is performed by juxtaposing series of drops. It is then possible to create the source and drain of a transistor. Drops which can be around 5 micrometers delimit the size of the channel of the transistor, which is a resolution much higher than that commonly obtained when printing conductive tracks by ink jet (about 50 micrometers). This particular method is also useful for structuring thin layers containing the materials necessary for forming the gate dielectric or the semiconductor.
Plus généralement, le procédé objet de la présente invention trouve des applications dans la réalisation : - des dispositifs électriques comprenant une couche mince traversée par des via recouverts ou remplis d'un matériau conducteur électrique ; - des dispositifs optiques comprenant une couche mince traversée par des via remplis d'un matériau présentant des propriétés optiques d'intérêt. More generally, the method which is the subject of the present invention finds applications in the realization of: electrical devices comprising a thin layer traversed by means covered by or filled with an electrically conductive material; optical devices comprising a thin layer traversed by via filled with a material having optical properties of interest.
EXEMPLE DE REALISATION DE L'INVENTION La manière dont l'invention peut être réalisée et les avantages qui en découlent, ressortiront mieux des exemples de réalisation qui suivent, donnés à titre indicatif et non limitatif, à l'appui des figures annexées. La figure 1 représente schématiquement une vue en section d'une couche mince 10 constituée d'un diélectrique et reposant sur un substrat, traversée par un via obtenu à l'aide du procédé selon l'invention. La figure 2 représente schématiquement une vue en section d'une couche mince constituée d'un diélectrique et reposant sur un substrat, traversée par un via selon l'invention rempli d'un dépôt conducteur favorisant la reprise du contact entre l'électrode 15 supérieure et l'électrode inférieure. La figure 3 représente schématiquement une vue en section d'une couche mince constituée d'un premier matériau et reposant sur un substrat, traversée par un via selon l'invention rempli du second matériau ayant servi à la projection localisée. La figure 4 schématise la création de la source et du drain d'un transistor : le canal est 20 formé par la projection de gouttes juxtaposées d'un matériau non miscible (A) qui est ensuite évaporé (B). EXEMPLARY EMBODIMENT OF THE INVENTION The manner in which the invention may be implemented and the advantages which result therefrom will emerge more clearly from the following exemplary embodiments, given by way of non-limiting indication, in support of the appended figures. FIG. 1 schematically represents a sectional view of a thin layer 10 consisting of a dielectric and resting on a substrate, crossed by a via obtained by means of the method according to the invention. 2 schematically represents a sectional view of a thin layer consisting of a dielectric and resting on a substrate, through which a via according to the invention filled with a conductive deposit promoting the resumption of contact between the upper electrode 15; and the lower electrode. 3 schematically represents a sectional view of a thin layer consisting of a first material and resting on a substrate, through which a via according to the invention filled with the second material used for the localized projection. FIG. 4 schematizes the creation of the source and the drain of a transistor: the channel is formed by the projection of juxtaposed drops of an immiscible material (A) which is then evaporated (B).
Exemple 1 : Une solution commerciale de fluoropolymère Low-K apolaire CYTOP est déposée par 25 flexographie sur un substrat souple de type polyéthylène naphtalate (Teonex Q65 Dupont Teijin film, 3). L'épaisseur de la couche est de 20 micromètres avant recuit et la viscosité des matériaux qui la compose est de 100 cps. L'échantillon est amené à la machine jet d'encre dimatix DMP 2818 équipée d'une tête d'impression de 10 picolitres. Example 1: A commercial solution of CYTOP apolar low-K fluoropolymer is flexographically deposited on a flexible polyethylene naphthalate substrate (Teonex Q65 Dupont Teijin film, 3). The thickness of the layer is 20 microns before annealing and the viscosity of the materials that compose it is 100 cps. The sample is fed to the DMP 2818 dimatix inkjet machine equipped with a 10 picoliter printhead.
30 Les gouttes de 1-butanol (1 à 50 gouttes) sont éjectées localement, par localisation de via. Après évaporation du liquide éjecté et recuit de la couche (1), on observe la formation de via (4), dont la taille, en l'occurrence le diamètre, varie de 4 à 300 micromètres (Fig. 1). Celui-ci est d'autant plus important que le nombre de gouttes déposées par localisation est élevé. The drops of 1-butanol (1 to 50 drops) are ejected locally, by localization of via. After evaporation of the ejected and annealed liquid from the layer (1), we observe the formation of via (4), whose size, in this case the diameter, varies from 4 to 300 micrometers (Fig. 1). This is all the more important as the number of drops deposited per location is high.
Exemple 2 : Example 2
Une solution commerciale de fluoropolymère Low-K apolaire CYTOP est déposée par flexographie sur un substrat souple de type polyéthylène naphtalate (Teonex Q65 Dupont Teijin film, 3). L'épaisseur de la couche est de 20 micromètres avant recuit et la viscosité des matériaux qui la compose est de 100 cps. L'échantillon est amené à la machine Asymtek équipée d'une tête de microdispense. A commercial solution of CYTOP apolar low-K fluoropolymer is flexographically deposited on a flexible polyethylene naphthalate substrate (Teonex Q65 Dupont Teijin film, 3). The thickness of the layer is 20 microns before annealing and the viscosity of the materials that compose it is 100 cps. The sample is fed to the Asymtek machine equipped with a microdispense head.
Une goutte d'eau est éjectée par chaque localisation de via. Après évaporation des gouttes d'eau et recuit de la couche (1), on observe la formation de via (4) dont la taille ou diamètre est de 300 micromètres (Fig. 1). A drop of water is ejected by each location of via. After evaporation of the drops of water and annealing of the layer (1), we observe the formation of via (4) whose size or diameter is 300 micrometers (Fig. 1).
Exemple 3 : Une solution commerciale de fluoropolymère Low-K apolaire CYTOP est déposée par flexographie sur un substrat souple de type polyéthylène naphtalate (Teonex Q65 Dupont Teijin film, 3). L'épaisseur de la couche est de 15 micromètres et la viscosité des matériaux qui la compose est de 100 cps. Sans être recuit, l'échantillon est amené à la machine jet d'encre dimatix DMP 2818 équipée d'une tête d'impression de 10 picolitres. 10 à 100 gouttes d'encre Cabot AG-II-G-100-Si, chargées de nanoparticules d'argent, sont éjectées localement pour chaque localisation de via. Les gouttes d'encre Cabot AGIl-G-100-51 démixtent avec les matériaux constitutifs de la couche mince de fluoropolymère Cytop. Example 3: A commercial solution of CYTOP apolar low-K fluoropolymer is flexographically deposited on a flexible polyethylene naphthalate substrate (Teonex Q65 Dupont Teijin film, 3). The thickness of the layer is 15 microns and the viscosity of the materials that compose it is 100 cps. Without being annealed, the sample is fed to the dimatix inkjet machine DMP 2818 equipped with a 10 picoliter printhead. 10 to 100 drops of Cabot AG-II-G-100-Si ink, loaded with silver nanoparticles, are ejected locally for each via location. The Cabot AGIl-G-100-51 ink drops demix with the constituent materials of the Cytop fluoropolymer thin film.
Après recuit de la couche (1), on observe la formation de via (4) dont la taille ou diamètre varie de 10 à 300 micromètres. Celui-ci est d'autant plus important que le nombre de gouttes déposées par localisation est élevé. L'intérieur du via contient un dépôt métallique (2) qui facilite la reprise de contact entre les électrodes supérieures (6) et les électrodes inférieures (5) (Fig. 2). 8 Exemple 4 : After annealing the layer (1), we observe the formation of via (4) whose size or diameter varies from 10 to 300 micrometers. This is all the more important as the number of drops deposited per location is high. The inside of the via contains a metal deposit (2) which facilitates the resumption of contact between the upper electrodes (6) and the lower electrodes (5) (Fig. 2). Example 4
Une solution commerciale de polyimide Nissan Sunever SE-5291 est déposée par flexographie sur un substrat souple de type polyéthylène naphtalate (Teonex Q65 Dupont Teijin film, 3). Son épaisseur est de 25 micromètres et la viscosité des matériaux qui la compose est de 75 cps. Sans être recuit, l'échantillon est amené à la machine jet d'encre Dimatix DMP 2818 équipée d'une tête d'impression de 10 picolitres. A commercial solution of Nissan Sunever polyimide SE-5291 is deposited by flexography on a flexible substrate of polyethylene naphthalate type (Teonex Q65 Dupont Teijin film, 3). Its thickness is 25 micrometers and the viscosity of the materials that compose it is 75 cps. Without being annealed, the sample is fed to the Dimatix DMP 2818 inkjet machine equipped with a 10 picoliter printhead.
1 à 20 gouttes d'un mélange en masse de 99,5% d'eau et de 0,5% surfinol 480 (Air Product) sont éjectées localement. Les gouttes d'eau démixtent avec la couche de polyimide. Apres recuit de la couche (1), on observe la formation de via (4) dans la couche (Fig. 1). La taille ou diamètre de ces via varie de 5 à 300 micromètres. Celui-ci est d'autant plus important que le nombre de gouttes déposées par localisation est élevé. 1 to 20 drops of a mass mixture of 99.5% water and 0.5% Surfinol 480 (Air Product) are ejected locally. The drops of water demix with the polyimide layer. After annealing the layer (1), the formation of via (4) in the layer is observed (Fig. 1). The size or diameter of these via varies from 5 to 300 micrometers. This is all the more important as the number of drops deposited per location is high.
Exemple 5 : Example 5
Une solution commerciale de polyimide Nissan Sunever SE-5291 est déposée par flexographie sur un substrat souple de type polyéthylène naphtalate (Teonex Q65 Dupont Teijin film, 3). Son épaisseur est de 25 micromètres et la viscosité des matériaux qui la compose est de 75 cps. L'échantillon est immédiatement amené, sans étape de recuit intermédiaire, à la machine jet d'encre Altadrop (Altatech). L'imprimante est équipée d'une tête microfab de 60 micromètres. A commercial solution of Nissan Sunever polyimide SE-5291 is deposited by flexography on a flexible substrate of polyethylene naphthalate type (Teonex Q65 Dupont Teijin film, 3). Its thickness is 25 micrometers and the viscosity of the materials that compose it is 75 cps. The sample is immediately fed, without intermediate annealing step, to the Altadrop inkjet machine (Altatech). The printer is equipped with a 60-micron microfab head.
1 à 20 gouttes d'un dérivé de fluoropentane CT-Solv.100 (Asahi Glass) sont éjectées localement. Les gouttes de fluoropentane démixtent avec le mélange de monomères. Après évaporation du fluoropentane et après recuit de la couche à 120°C pendant 60 minutes, on observe la formation de via (4) dans la couche (1) (Fig. 1). La taille ou diamètre de ces via varie de 10 à 100 micromètres. Celui-ci est d'autant plus important que le nombre de gouttes déposées par localisation est élevé. 930 Exemple 6 : 1 to 20 drops of a fluoropentane derivative CT-Solv.100 (Asahi Glass) are ejected locally. The drops of fluoropentane demix with the monomer mixture. After evaporation of the fluoropentane and after annealing the layer at 120 ° C. for 60 minutes, the formation of via (4) in the layer (1) (Fig. 1) is observed. The size or diameter of these via varies from 10 to 100 micrometers. This is all the more important as the number of drops deposited per location is high. 930 Example 6:
La couche mince est réalisée à partir du mélange suivant : - éthyl hexyl acrylate 30% + nonylacrylate 69% (mélange de monomères) ; - 1 % irgacure 651 (Ciba) (initiateur radicalaire). The thin layer is made from the following mixture: ethyl hexyl acrylate 30% + nonyl acrylate 69% (monomer mixture); - 1% irgacure 651 (Ciba) (radical initiator).
La solution du mélange est flexoprintée sur du polyéthylène naphtalate PEN (Teonex Q65 Dupont Teijin film, 3). L'épaisseur de la couche ainsi obtenue est de 15 micromètres et la viscosité des matériaux qui la compose est de 25 cps. L'échantillon est immédiatement amené, sans étape de recuit intermédiaire, à la machine jet d'encre Altadrop (Altatech). L'imprimante est équipée d'une tête microfab de 30 micromètres. The solution of the mixture is flexoprinted on polyethylene naphthalate PEN (Teonex Q65 Dupont Teijin film, 3). The thickness of the layer thus obtained is 15 microns and the viscosity of the materials that compose it is 25 cps. The sample is immediately fed, without intermediate annealing step, to the Altadrop inkjet machine (Altatech). The printer is equipped with a microfab head of 30 micrometers.
Des gouttes d'un mélange en poids de 99,5% d'eau et de 0,5% de surfinol 480 (Air Product) sont éjectées localement. Les gouttes d'eau démixtent avec le mélange de monomères. Après insolation UV à 365 nanomètres pendant 200 secondes à une énergie de 7 mW/cm2 et après évaporation de l'eau par recuit, on observe la formation de via (4) dans la couche (1) (Fig. 1). Leur taille ou diamètre varie de 30 à 200 micromètres. Celui-ci est d'autant plus important que le nombre de gouttes déposées par localisation est élevé. Drops of a mixture by weight of 99.5% water and 0.5% Surfinol 480 (Air Product) are ejected locally. The drops of water demix with the monomer mixture. After UV irradiation at 365 nanometers for 200 seconds at an energy of 7 mW / cm2 and after evaporation of the water by annealing, the formation of via (4) in the layer (1) (Fig. 1) is observed. Their size or diameter varies from 30 to 200 micrometers. This is all the more important as the number of drops deposited per location is high.
Exemple 7: Example 7
La couche mince est réalisée à partir du mélange suivant : - éthyl hexyl acrylate 30% + nonylacrylate 69% (mélange de monomères) ; - 1 % Irgacure 651 (Ciba) (initiateur radicalaire). The thin layer is made from the following mixture: ethyl hexyl acrylate 30% + nonyl acrylate 69% (monomer mixture); - 1% Irgacure 651 (Ciba) (radical initiator).
La solution de ce mélange de monomère est flexoprintée sur un substrat de polyéthylène naphtalate PEN (Teonex Dupont Teijin film, 3). La couche est gélifiée par une insolation en lumière ultraviolet à 365 nanomètres pendant 5 secondes à une énergie de 2 mW/cm2. L'épaisseur de la couche ainsi obtenue est de 12 micromètres. Le substrat est immédiatement amené à la machine d'impression jet d'encre Altadrop (Altatech). L'imprimante est équipée d'une tête Microfab de 30 micromètres. 10 1 à 20 gouttes d'un dérivé du fluoropentane CT-Solv.100 (Asahi Glass) sont éjectées localement. Les gouttes de fluoropentane démixtent avec les matériaux constitutifs de la couche. Après évaporation du solvant fluoré CT-Solv.100 et après insolation ultraviolette à 365 nanomètres pendant 200 secondes à une énergie de 7 mW/cm2, on observe la formation de via (4) dans la couche (1) (Fig. 1). Leur taille ou diamètre varie de 50 à 100 micromètres. Celui-ci est d'autant plus important que le nombre de gouttes déposées par localisation est élevé. The solution of this monomer mixture is flexoprinted on a polyethylene naphthalate PEN substrate (Teonex Dupont Teijin film, 3). The layer is gelled by ultraviolet light irradiation at 365 nanometers for 5 seconds at an energy of 2 mW / cm 2. The thickness of the layer thus obtained is 12 micrometers. The substrate is immediately fed to the Altadrop Inkjet Printing Machine (Altatech). The printer is equipped with a 30 micrometer Microfab head. From 1 to 20 drops of a fluoropentane derivative CT-Solv.100 (Asahi Glass) are ejected locally. The drops of fluoropentane demix with the constituent materials of the layer. After evaporation of the fluorinated solvent CT-Solv.100 and after UV irradiation at 365 nanometers for 200 seconds at an energy of 7 mW / cm 2, the formation of via (4) in the layer (1) is observed (Fig. 1). Their size or diameter varies from 50 to 100 micrometers. This is all the more important as the number of drops deposited per location is high.
Exemple 8 : Une expérience a été réalisée sur une couche mince de 10 micromètres d'épaisseur constituée de : - éthylhexyl acrylate 30% + nonylacrylate 65% + éthylèneglycol diméthacrylate 4% (mélange de monomères) ; - 1 % Irgacure 651 (Ciba) (initiateur radicalaire). EXAMPLE 8 An experiment was carried out on a thin layer of 10 microns thick consisting of: 30% ethylhexyl acrylate + 65% nonylacrylate + 4% ethyleneglycol dimethacrylate (monomer mixture); - 1% Irgacure 651 (Ciba) (radical initiator).
La solution de ce mélange de monomères est flexoprintée sur un substrat de PEN (Teonex Dupont Teijin film, 3), préalablement revêtu d'une couche polymère d'alignement tel que le produit Nissan Sunever . La couche est gélifiée par une insolation en lumière ultraviolet à 365 nanomètres pendant 5 secondes à une énergie de 2 mW/cm2. L'échantillon est amené, sans étape de recuit intermédiaire, à l'imprimante Jet d'encre Dimatix DMP 2818. L'imprimante est équipée d'une tête de 10 picolitres. The solution of this monomer mixture is flexoprinted on a PEN substrate (Teonex Dupont Teijin film, 3), previously coated with a polymer alignment layer such as the product Nissan Sunever. The layer is gelled by ultraviolet light irradiation at 365 nanometers for 5 seconds at an energy of 2 mW / cm 2. The sample is fed to the Dimatix DMP 2818 inkjet printer without an intermediate annealing step. The printer is equipped with a 10 picoliter head.
20 gouttes de cristal liquide TL205 (Merck) sont éjectées pour la création de chaque via. 20 drops of liquid crystal TL205 (Merck) are ejected for the creation of each via.
Après photopolymérisation de la couche (1), on observe une structure qui présente une juxtaposition de via (4) remplis de cristal liquide (2) (Fig. 3). Le diamètre des via est de 100 micromètres. Ce composant peut avoir des applications dans le domaine optique et dans celui de l'affichage. After photopolymerization of the layer (1), a structure is observed which has a juxtaposition of via (4) filled with liquid crystal (2) (FIG 3). The diameter of the via is 100 micrometers. This component may have applications in the optical field and in that of the display.
Exemple 9 : Example 9
Une expérience a été réalisée sur une couche mince liquide d'encre d'argent AG-IJ-G-100-S1 (CABOT) contenant des nanoparticules d'argent. La couche est imprimée par jet d'encre sur un substrat de polyéthylène naphtalate PEN (Teonex Q65 Dupont Teijin film, 3). L'équipement d'impression utilisé est une machine jet d'encre dimatix DMP 2818, équipée d'une tête d'impression de 10 picolitres. L'épaisseur de la couche avant recuit est de 5 micromètres et la viscosité des matériaux qui la compose est de 3 cps. L'échantillon est immédiatement amené à la machine d'impression jet d'encre ALTADROP, équipée d'une tête Microfab de 30 micromètres. An experiment was performed on an AG-IJ-G-100-S1 silver ink thin film (CABOT) containing silver nanoparticles. The layer is ink-jet printed on a polyethylene naphthalate PEN substrate (Teonex Q65 Dupont Teijin film, 3). The printing equipment used is a dimatix inkjet machine DMP 2818, equipped with a 10 picoliter printhead. The thickness of the annealed front layer is 5 micrometers and the viscosity of the materials that compose it is 3 cps. The sample is immediately taken to the ALTADROP inkjet printing machine, equipped with a 30 micrometer Microfab head.
Des gouttes d'un dérivé du fluoropentane CT-Solv.100 (Asahi Glass) sont éjectées de façon à ce qu'elles se juxtaposent lorsqu'elles se déposent sur le substrat. Les gouttes de fluoropentane démixtent avec les matériaux constitutifs de l'encre argent AG-IJ-G-100-SI (1). Après évaporation du fluoropentane (2), et après recuit de la couche à 120°C pendant 60 minutes, on observe la formation de deux lignes parallèles conductrices. Elles correspondent à la source (7) et au drain (8) du transistor (Fig. 4). L'espace entre la source et le drain, correspondant au canal (9) varie entre 5 à 50 micromètres. La distance inter-électrodes est d'autant plus importante que le nombre de gouttes déposées par localisation est élevé. Drops of a derivative of fluoropentane CT-Solv.100 (Asahi Glass) are ejected so that they juxtapose when they are deposited on the substrate. The drops of fluoropentane demix with the constituent materials of silver ink AG-IJ-G-100-SI (1). After evaporation of the fluoropentane (2), and after annealing the layer at 120 ° C for 60 minutes, the formation of two parallel conductive lines is observed. They correspond to the source (7) and the drain (8) of the transistor (Figure 4). The space between the source and the drain corresponding to the channel (9) varies between 5 and 50 micrometers. The inter-electrode distance is all the more important as the number of drops deposited per location is high.
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