FR2827425A1 - Structure empilee d'un detecteur d'image et procede pour fabriquer celle-ci - Google Patents

Structure empilee d'un detecteur d'image et procede pour fabriquer celle-ci Download PDF

Info

Publication number
FR2827425A1
FR2827425A1 FR0109394A FR0109394A FR2827425A1 FR 2827425 A1 FR2827425 A1 FR 2827425A1 FR 0109394 A FR0109394 A FR 0109394A FR 0109394 A FR0109394 A FR 0109394A FR 2827425 A1 FR2827425 A1 FR 2827425A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
integrated circuit
substrate
image
stacked structure
image detection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR0109394A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2827425B1 (fr
Inventor
Hsiu Wen Tu
Wen Chuan Chen
Mon Nan Ho
Li Huan Chen
Jichen Wu
Meng Ru Tsai
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kingpak Technology Inc
Original Assignee
Kingpak Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kingpak Technology Inc filed Critical Kingpak Technology Inc
Priority to FR0109394A priority Critical patent/FR2827425B1/fr
Publication of FR2827425A1 publication Critical patent/FR2827425A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2827425B1 publication Critical patent/FR2827425B1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H01L23/3128—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/0651—Wire or wire-like electrical connections from device to substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06555—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
    • H01L2225/06565—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking the devices having the same size and there being no auxiliary carrier between the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

Une structure empilée d'un détecteur d'image comprend un substrat (10), un circuit intégré (12), une couche d'encapsulage (14), une couche de détection d'image (16) et une couche transparente (20). Le circuit intégré (12) est formé sur le substrat (10) et est électriquement connecté au substrat (10). La couche d'encapsulage (14) recouvre le circuit intégré (12). La pastille de détection d'image (16) est disposée sur la couche d'encapsulage (14) pour former la structure empilée avec le circuit intégré (12) et est électriquement connectée au substrat (10). La couche transparente (20) est disposée au-dessus de la pastille de détection d'image (16) pour que la pastille de détection d'image (16) reçoive des signaux d'image par l'intermédiaire de la couche transparente (20). Selon cette structure, la pastille de détection d'image (16) et le circuit intégré (12) peuvent être facilement empilés de façon intégrée.

Description

<Desc/Clms Page number 1>
STRUCTURE EMPILEE D'UN DETECTEUR D'IMAGE ET PROCEDE POUR
FABRIQUER CELLE-CI
L'invention concerne une structure empilée d'un détecteur d'image et le procédé pour fabriquer celle-ci, et, en particulier, une structure et un procédé dans lesquels des pastilles de détection d'image et des circuits intégrés ayant des fonctions différentes sont encapsulés dans un corps de boîtier, de façon à diminuer le nombre de substrats de boîtier et à encapsuler de façon intégrée la pastille de détection d'image et les unités de traitement ayant des fonctions différentes.
Un détecteur général est utilisé pour détecter des signaux qui peuvent être des signaux optiques ou des signaux audio. Le détecteur selon l'invention est utilisé pour recevoir des signaux d'image et convertir les signaux d'image en signaux électriques qui doivent être transmis à la carte de circuits imprimés.
Un détecteur d'image général est utilisé pour recevoir des signaux d'image et pour convertir les signaux d'image en signaux électriques qui doivent être transmis à la carte de circuits imprimés. Le détecteur d'image est de plus électriquement connecté à d'autres circuits intégrés pour assurer différentes fonctions. Par exemple, le détecteur d'image peut être électriquement connecté à un processeur de signal numérique qui est utilisé pour traiter les signaux générés par le détecteur d'image. De plus, le détecteur d'image peut être électriquement connecté à un micro-dispositif de commande ou à une unité de traitement centrale pour assurer différentes fonctions.
Toutefois, un détecteur d'image classique est encapsulé individuellement. Par conséquent, différents circuits intégrés adaptés au détecteur d'image doivent être encapsulés individuellement avec le détecteur d'image. Le détecteur d'image encapsulé et différents circuits intégrés sont ensuite électriquement connectés à la carte de circuits imprimés par l'intermédiaire d'une pluralité de connexions. Dans cette structure, un substrat et un corps de boîtier doivent être utilisés
<Desc/Clms Page number 2>
lorsque l'on encapsule individuellement chacun des circuits intégrés et le détecteur d'image, ce qui fait que les coûts de fabrication ne peuvent pas être diminués efficacement. De plus, lorsque l'on monte chacun des circuits intégrés sur la carte de circuits imprimés, la surface requise pour la carte de circuits imprimés est relativement importante. Par conséquent, les produits ne peuvent pas être rendus minces, petits et légers.
Pour résoudre les problèmes mentionnés ci-dessus, il est nécessaire pour l'inventeur de procurer une structure empilée d'un détecteur d'image et un procédé pour fabriquer celleci.
Par conséquent, un objet de l'invention est de procurer une structure empilée d'un détecteur d'image et un procédé pour fabriquer celle-ci, de façon à diminuer le nombre d'éléments de boîtier et à diminuer les coûts d'encapsulage.
Par conséquent, un autre objet de l'invention est de procurer une structure empilée d'un détecteur d'image et un procédé pour fabriquer celle-ci, de façon à simplifier et à faciliter les processus de fabrication.
Un autre objet de l'invention est encore de procurer une structure empilée d'un détecteur d'image et un procédé pour fabriquer celle-ci, qui soit susceptible de réduire la surface d'un produit de détection d'image.
Un autre objet de l'invention est encore de procurer une structure empilée d'un détecteur d'image et un procédé pour fabriquer celle-ci, qui soit susceptible de diminuer les coûts d'encapsulage et les coûts de test des produits de détection d'image.
Selon un aspect de l'invention, une structure empilée d'un détecteur d'image qui est électriquement connecté à une carte de circuits imprimés comprend un substrat, un circuit intégré, une couche d'encapsulage, une pastille de détection d'image et une couche transparente. Le substrat comporte une surface supérieure et une surface inférieure opposée à la surface supérieure. La surface supérieure est formée avec une plu-
<Desc/Clms Page number 3>
ralité de bornes d'entrée de signal, tandis que la surface inférieure est formée avec une pluralité de bornes de sortie de signal pour la connexion électrique à la carte de circuits imprimés. Le circuit intégré est disposé sur la surface supérieure du substrat et est électriquement connecté aux bornes d'entrée de signal. La couche d'encapsulage recouvre le circuit intégré de façon à encapsuler le circuit intégré. La pastille de détection d'image est disposée sur la couche d'encapsulage de façon à être empilée au-dessus du circuit intégré, et est électriquement connectée aux bornes d'entrée de signal du substrat. La couche transparente recouvre la pastille de détection d'image, les signaux d'image traversant la couche transparente étant reçus par la pastille de détection d'image. Un procédé pour fabriquer le détecteur d'image est également décrit. Selon cette structure, la pastille de détection d'image et le circuit intégré peuvent être facilement empilés de façon intégrée.
La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée qui suit, faite en référence aux dessins joints, dans lesquels : la figure 1 est une vue en coupe transversale montrant une structure empilée du détecteur d'image selon la première réalisation de l'invention.
La figure 2 est une première illustration schématique montrant la structure de la figure 1.
La figure 3 est une deuxième illustration schématique montrant la structure de la figure 1.
La figure 4 est une troisième illustration schématique montrant la structure de la figure 1.
La figure 5 est une illustration schématique montrant la structure empilée du détecteur d'image selon la deuxième réalisation de l'invention.
La figure 6 est une illustration schématique montrant la structure empilée du détecteur d'image selon la troisième réalisation de l'invention.
Si l'on se réfère à la figure 1, la structure em-
<Desc/Clms Page number 4>
pilée du détecteur d'image comprend un substrat 10, un circuit intégré 12, une couche d'encapsulage 14, une pastille de détection d'image 16, un cadre 18, une couche transparente 20 et une pluralité de connexions 22.
Le substrat 10 comprend une surface supérieure 24 et une surface inférieure 26 opposée à la surface supérieure 24. Une pluralité de bornes d'entrée de signal 28 sont formées sur la surface supérieure 24, tandis qu'une pluralité de borne de sortie de signal 30 sont formées sur la surface inférieure 26. Les bornes de sortie de signal 30 sont utilisées pour la connexion électrique à une carte de circuits imprimés (non représentée), et peuvent être des billes métalliques disposées sous la forme d'un groupement de billes à grille.
Le circuit intégré 12 peut être un processeur de signal numérique, un microprocesseur, ou une unité de traitement centrale. Le circuit intégré 12 est disposé sur la surface supérieure 24 du substrat 10 et est électriquement connecté aux bornes d'entrée de signal 28 par l'intermédiaire d'une pluralité de connexions 22. Par conséquent, les signaux venant du circuit intégré 12 peuvent être transmis au substrat 10.
La couche d'encapsulage 14 recouvre le circuit intégré 12 grâce à un moulage sous pression. La couche d'encapsulage 14 est utilisée pour encapsuler et protéger le circuit intégré 12 et la pluralité de connexions 22. Par conséquent, les connexions 22 sont libres d'être pressées et endommagées par la pastille de détection d'image 16 lorsque la pastille de détection d'image 16 est empilée au-dessus du circuit intégré 12.
La pastille de détection d'image 16 est disposée sur la couche d'encapsulage 14 de façon à former une structure empilée avec le circuit intégré 12. La pastille de détection d'image 16 est électriquement connectée aux bornes d'entrée de signal 28 du substrat 10 par l'intermédiaire des connexions 22.
La couche transparente 20, qui peut être un morceau verre transparent, est disposée au-dessus de la pastille de
<Desc/Clms Page number 5>
détection d'image 16 et recouvre celle-ci, de telle sorte que la pastille de détection d'image 16 puisse recevoir les signaux d'image traversant la couche transparente 20. Dans cette réalisation, un cadre 18 est disposé sur la périphérie de la surface supérieure 24 du substrat 10, et la couche transparente 20 est disposée sur le cadre 18 de façon à recouvrir la pastille de détection d'image 16.
Les processus de fabrication de la structure mentionnés ci-dessus seront décrits ci-dessous.
Si l'on se réfère à la figure 2, tout d'abord, le circuit intégré 12 est monté sur la surface supérieure 24 du substrat 10. Ensuite, la pluralité de connexions 22 est utilisée pour connecter électriquement le circuit intégré 12 aux bornes d'entrée de signal 28 du substrat 10. Ensuite, la couche d'encapsulage 14 est utilisée pour recouvrir le circuit intégré 12 afin de protéger le circuit intégré 12 et les connexions 22.
Ensuite, le cadre 18 est disposé sur la périphérie de la surface supérieure 24 du substrat 10 pour supporter la couche transparente 20 qui recouvre la pastille de détection d'image 16, comme montré en figure 1.
Si l'on se réfère à la figure 3, après que le circuit intégré 12 ait été disposé sur la surface supérieure 24 du substrat 10 et que le substrat 10 ait été électriquement connecté au circuit intégré 12 par l'intermédiaire des connexions 22, la couche d'encapsulage 14 et le cadre 18 peuvent être simultanément formés sur la surface supérieure 24 du substrat 10 à l'aide d'un moulage sous pression. La couche d'encapsulage 14 recouvre le circuit intégré 12 et les connexions 22, et le cadre 18 est disposé sur la périphérie du substrat 10 pour supporter la couche transparente 20. Par conséquent, les processus de fabrication peuvent être simplifiés, et les coûts de fabrication peuvent être diminués.
Si l'on se réfère à la figure 4, la pastille de détection d'image 16 est disposée sur la couche d'encapsulage 14, et les connexions 22 sont électriquement connectées aux bor-
<Desc/Clms Page number 6>
nés d'entrée de signal 28 du substrat 10. Par conséquent, la pastille de détection d'image 16 est empilée au-dessus du circuit intégré 12. Si l'on se réfère à nouveau à la figure 1, la couche transparente 20 est montée sur le cadre 18 pour recouvrir la pastille de détection d'image 16, de telle sorte que la pastille de détection d'image 16 puisse recevoir les signaux d'image traversant la couche transparente 20.
Si l'on se réfère à la figure 5, la couche transparente 20 peut être une colle transparente. Après que le circuit intégré 12 et la pastille de détection d'image 16 aient été empilés au-dessus de la surface supérieure 24 du substrat 10 et électriquement connectés au substrat 10, la couche transparente 20 est disposée de façon à recouvrir directement la pastille de détection d'image 16, le circuit intégré 12 et les connexions 22. Par conséquent, la pastille de détection d'image 16 peut recevoir des signaux d'image par l'intermédiaire de la couche transparente 20.
Si l'on se réfère à la figure 6, la couche transparente 20 peut également être une colle transparente en forme de n, qui recouvre la surface supérieure 24 du substrat 10, la pastille de détection d'image 16, le circuit intégré 12 et les connexions 22. Du fait de la meilleure transparence de la colle transparente en forme de n, des signaux d'image avec de meilleures qualités peuvent être reçus par la pastille de détection d'image 16.
La structure empilée et le procédé de fabrication selon les réalisations de l'invention présentent les avantages suivants.
1. Comme le circuit intégré 12 est recouvert par la couche d'encapsulage 14, la pastille de détection d'image 16 peut être directement disposée sur la couche d'encapsulage 14 de façon à former une structure empilée avec le circuit intégré 12. Par conséquent, la pastille de détection d'image 16 peut être empilée au-dessus d'un autre circuit intégré 12 avec une taille arbitraire.
<Desc/Clms Page number 7>
2. Comme la couche d'encapsulage 14 et le cadre 18 selon l'invention peuvent être simultanément formés sur le substrat 10, les processus d'encapsulage peuvent être encore davantage simplifiés.
Bien que l'invention ait été décrite à l'aide d'exemples et en relation avec des réalisations préférées, on doit comprendre que l'invention n'est pas limitée aux réalisations décrites. Au contraire, elle vise à couvrir différentes modifications. Par conséquent, on devrait accorder à l'étendue de l'applicabilité des revendications jointes la plus large interprétation de façon à englober toutes ces modifications.

Claims (10)

REVENDICATIONS
1. Structure empilée d'un détecteur d'image qui est électriquement connecté à une carte de circuits imprimés, caractérisée en ce qu'elle comprend : un substrat (10) comportant une surface supérieure (24) et une surface inférieure (26) opposée à la surface supérieure (24), la surface supérieure (24) étant formée avec une pluralité de bornes d'entrée de signal (28), la surface inférieure (26) étant formée avec une pluralité de bornes de sortie de signal (30) pour la connexion électrique à la carte de circuits imprimés ; un circuit intégré (12) disposé sur la surface supérieure (24) du substrat (10) et électriquement connecté aux bornes d'entrée de signal (28) ; une couche d'encapsulage (14) recouvrant le circuit intégré (12) pour encapsuler le circuit intégré (12) ; une pastille de détection d'image (16) disposée sur la couche d'encapsulage (14) pour être empilée au-dessus du circuit intégré (12) et électriquement connectée aux bornes d'entrée de signal (28) du substrat (10) ; et une couche transparente (20) recouvrant la pastille de détection d'image (16), les signaux d'image traversant la couche transparente (20) étant reçus par la pastille de détection d'image (16).
2. Structure empilée d'un détecteur d'image selon la revendication 1, caractérisée en ce que la couche d'encapsulage (14) recouvre le circuit intégré (12) grâce à un moulage sous pression.
3. Structure empilée d'un détecteur d'image selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'un cadre (18) est formé sur la périphérie de la surface supérieure (24) du substrat (10) pour entourer le circuit intégré (12), la couche d'encapsulage (14) et la pastille de détection d'image (16), et en ce que la couche transparente (20) est disposée sur le cadre (18).
<Desc/Clms Page number 9>
4. Structure empilée d'un détecteur d'image selon la revendication 1, caractérisée en ce que la couche transparente (20) est une colle transparente pour recouvrir le circuit intégré (12), la couche d'encapsulage (14) et la pastille de détection d'image (16).
5. Structure empilée d'un détecteur d'image selon la revendication 4, caractérisée en ce que la colle transparente est en forme de n.
6. Structure empilée d'un détecteur d'image selon la revendication 3, caractérisée en ce que le cadre (18) et la couche d'encapsulage (14) sont simultanément formés sur la surface supérieure (24) du substrat (10).
7. Procédé pour fabriquer une structure empilée d'un détecteur d'image, caractérisé en ce qu'il comprend : la disposition d'un circuit intégré (12) sur un substrat (10) et la connexion électrique du circuit intégré (12) au substrat (10) ; le recouvrement du circuit intégré (12) par une couche d'encapsulage (14) ; la mise en place d'une pastille de détection d'image (16) sur la couche d'encapsulage (14) de façon à former la structure empilée avec le circuit intégré (12) ; et la disposition d'une couche transparente (20) audessus de la pastille de détection d'image (16) pour que la pastille de détection d'image (16) reçoive les signaux d'image traversant la couche transparente (20).
8. Procédé pour fabriquer la structure empilée du détecteur d'image selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'un cadre (18) est formé sur la périphérie du substrat (10) et en ce que la couche transparente (20) est disposée sur le cadre (18).
9. Procédé pour fabriquer la structure empilée du détecteur d'image selon la revendication 8, caractérisé en ce que la couche d'encapsulage (14) et le cadre (18) sont simultanément formés sur le substrat (10).
<Desc/Clms Page number 10>
10. Procédé pour fabriquer la structure empilée du détecteur d'image selon la revendication 8, caractérisé en ce que la couche transparente (20) est une colle transparente.
FR0109394A 2001-07-13 2001-07-13 Structure empilee d'un detecteur d'image et procede pour fabriquer celle-ci Expired - Fee Related FR2827425B1 (fr)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0109394A FR2827425B1 (fr) 2001-07-13 2001-07-13 Structure empilee d'un detecteur d'image et procede pour fabriquer celle-ci

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0109394A FR2827425B1 (fr) 2001-07-13 2001-07-13 Structure empilee d'un detecteur d'image et procede pour fabriquer celle-ci

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2827425A1 true FR2827425A1 (fr) 2003-01-17
FR2827425B1 FR2827425B1 (fr) 2004-07-02

Family

ID=8865503

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR0109394A Expired - Fee Related FR2827425B1 (fr) 2001-07-13 2001-07-13 Structure empilee d'un detecteur d'image et procede pour fabriquer celle-ci

Country Status (1)

Country Link
FR (1) FR2827425B1 (fr)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59172266A (ja) * 1983-03-19 1984-09-28 Olympus Optical Co Ltd 混成集積回路およびその製造方法
US5281820A (en) * 1988-07-12 1994-01-25 Hoechst Aktiengesellschaft Radiation detector
JPH08107167A (ja) * 1994-10-04 1996-04-23 Sony Corp 半導体装置
JPH11261044A (ja) * 1998-03-11 1999-09-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像素子付半導体装置及び該半導体装置の製造方法
US6242274B1 (en) * 1995-11-29 2001-06-05 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Method of mounting a chip on a flexible foil substrate for positioning on a capsule

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59172266A (ja) * 1983-03-19 1984-09-28 Olympus Optical Co Ltd 混成集積回路およびその製造方法
US5281820A (en) * 1988-07-12 1994-01-25 Hoechst Aktiengesellschaft Radiation detector
JPH08107167A (ja) * 1994-10-04 1996-04-23 Sony Corp 半導体装置
US6242274B1 (en) * 1995-11-29 2001-06-05 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Method of mounting a chip on a flexible foil substrate for positioning on a capsule
JPH11261044A (ja) * 1998-03-11 1999-09-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像素子付半導体装置及び該半導体装置の製造方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 009, no. 027 (E - 294) 6 February 1985 (1985-02-06) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1996, no. 08 30 August 1996 (1996-08-30) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1999, no. 14 22 December 1999 (1999-12-22) *

Also Published As

Publication number Publication date
FR2827425B1 (fr) 2004-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6521881B2 (en) Stacked structure of an image sensor and method for manufacturing the same
US20020096729A1 (en) Stacked package structure of image sensor
US20020096753A1 (en) Stacked package structure of image sensor
US7679167B2 (en) Electronic assembly for image sensor device and fabrication method thereof
US6559539B2 (en) Stacked package structure of image sensor
TWI411295B (zh) 影像感測元件之電子裝置、晶圓級透鏡組
TW200405772A (en) Camera module
US6172361B1 (en) Methods for mounting an imager to a support structure and circuitry and systems embodying the same
JP4720120B2 (ja) 半導体イメージセンサ・モジュール
US20030010425A1 (en) Method for integrating image sensors with optical components
FR2827425A1 (fr) Structure empilee d&#39;un detecteur d&#39;image et procede pour fabriquer celle-ci
JP3502061B2 (ja) イメージセンサのスタックパッケージ構造
TW201001682A (en) Backside illuminated imaging sensor having a carrier substrate and a redistribution layer
JP2009049290A (ja) 撮像装置及びその製造方法
JP3424360B2 (ja) 固体撮像装置
US20110228151A1 (en) Photoelectric conversion film-stacked solid-state imaging device without microlenses, its manufacturing method, and imaging apparatus
FR2827468A1 (fr) Strucrure de boitier empilee de detecteur d&#39;image
JP3502063B2 (ja) イメージセンサのスタックパッケージ構造
FR2827467A1 (fr) Structure de boitier empilee de detecteur d&#39;image
US20050205898A1 (en) Electronic imaging device
JP2005528791A (ja) 電子撮像装置
US20240038800A1 (en) Image Sensor with a Bond Pad
US20240121527A1 (en) Reference pixel column readout
TWI338364B (en) Image sensor chip package structure and method thereof
JP2009111130A (ja) 撮像装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse

Effective date: 20070330