FR2792089A1 - PHOTOSENSITIVE DEVICE, ESPECIALLY FOR USE IN FINGERPRINT SENSORS OR IMAGING DEVICES - Google Patents
PHOTOSENSITIVE DEVICE, ESPECIALLY FOR USE IN FINGERPRINT SENSORS OR IMAGING DEVICES Download PDFInfo
- Publication number
- FR2792089A1 FR2792089A1 FR9904249A FR9904249A FR2792089A1 FR 2792089 A1 FR2792089 A1 FR 2792089A1 FR 9904249 A FR9904249 A FR 9904249A FR 9904249 A FR9904249 A FR 9904249A FR 2792089 A1 FR2792089 A1 FR 2792089A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- substrate
- photodetector
- transparent
- photodetector element
- matrix
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
- G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Image Input (AREA)
Abstract
La présente invention concerne un dispositif photosensible tel qu'un détecteur d'empreintes. Ce dispositif est constitué par un substrat transparent 10, une matrice bidimensionnelle 11 déposée sur le substrat et comportant au moins un point-image formé d'une zone opaque 13 comportant un élément photodétecteur 14 associé à une fenêtre optique, des moyens d'éclairage 17, 18 du substrat sous un angle permettant la réflexion totale interne et une couche transparente 12 déposée sur la matrice et renvoyant par réflexion totale interne la lumière émise par les moyens d'éclairage vers l'élément photodétecteur.The present invention relates to a photosensitive device such as a fingerprint detector. This device consists of a transparent substrate 10, a two-dimensional matrix 11 deposited on the substrate and comprising at least one image point formed of an opaque zone 13 comprising a photodetector element 14 associated with an optical window, lighting means 17 , 18 of the substrate at an angle allowing total internal reflection and a transparent layer 12 deposited on the matrix and returning by total internal reflection the light emitted by the lighting means towards the photodetector element.
Description
La présente invention concerne les dispositifs ou rétines photosensibles.The present invention relates to photosensitive devices or retinas.
Les dispositifs photosensibles sont utilisés dans de nombreux domaines, notamment l'imagerie ou la reconnaissance d'empreintes. Dans le cas de la reconnaissance d'empreintes, différentes méthodes de détection d'empreintes sont utilisées. On connaît, en particulier, des méthodes de détection optique. Une méthode généralement utilisée est représentée sur la figure 1. Elle consiste en un prisme 1 en verre fonctionnant en réflexion totale interne. Ce prisme est associé à une source lumineuse comportant une lampe 2 et un réflecteur 3 dirigeant les rayons lumineux vers une face a du prisme. Les rayons lumineux viennent se réfléchir sur la grande face b du prisme et sont renvoyés à travers la face c vers une optique 4 ou système de lentilles et une rétine photosensible 5. Si l'on pose un doigt 6 sur la grande face b du prisme 1, les zones du doigt en contact avec le prisme rompent la réflexion totale de la lumière qui entre alors dans la peau o elle est absorbée. Une zone sombre est alors imagée sur la rétine 5 alors que les zones hors-contact permettent de réfléchir totalement la lumière créant des zones images claires sur la rétine 5. Ce dispositif de détection d'empreintes selon l'art antérieur présente l'inconvénient d'être Photosensitive devices are used in many fields, including imaging or fingerprint recognition. In the case of fingerprint recognition, different methods of fingerprint detection are used. In particular, optical detection methods are known. A generally used method is shown in Figure 1. It consists of a glass prism 1 operating in total internal reflection. This prism is associated with a light source comprising a lamp 2 and a reflector 3 directing the light rays towards a face a of the prism. The light rays are reflected on the large side b of the prism and are returned through the side c to an optic 4 or system of lenses and a photosensitive retina 5. If a finger 6 is placed on the large side b of the prism 1, the areas of the finger in contact with the prism break the total reflection of the light which then enters the skin where it is absorbed. A dark zone is then imaged on the retina 5 while the non-contact zones make it possible to totally reflect the light creating clear image zones on the retina 5. This fingerprint detection device according to the prior art has the drawback of 'to be
particulièrement encombrant.particularly bulky.
En conséquence, la présente invention a pour but de fournir un dispositif photosensible amélioré présentant l'avantage d'être compact et de pouvoir être réalisé en utilisant des techniques de dépôt en couches Consequently, the aim of the present invention is to provide an improved photosensitive device having the advantage of being compact and able to be produced using layered deposition techniques.
minces, bien connues de l'homme de l'art. thin, well known to those skilled in the art.
La présente invention a donc pour objet un dispositif photosensible, caractérisé en ce qu'il est constitué par - un substrat transparent, - une matrice bidimensionnelle déposée sur le substrat et comportant au moins un point-image formé d'une zone opaque comportant un élément photodétecteur, associé à une fenêtre optique, - des moyens d'éclairage du substrat sous un angle permettant la réflexion totale interne, The present invention therefore relates to a photosensitive device, characterized in that it consists of - a transparent substrate, - a two-dimensional matrix deposited on the substrate and comprising at least one image point formed by an opaque zone comprising an element photodetector, associated with an optical window, - means for illuminating the substrate at an angle allowing total internal reflection,
2 27920892 2792089
- une couche transparente déposée sur la matrice et renvoyant par réflexion totale interne la lumière émise par les moyens d'éclairage - a transparent layer deposited on the matrix and reflecting by internal total reflection the light emitted by the lighting means
vers l'élément photodétecteur.towards the photodetector element.
Selon un mode de réalisation préférentiel, le substrat transparent est réalisé en un matériau transparent tel que le verre ou le quartz. La matrice est réalisée en un matériau tel que le silicium amorphe, le silicium polycristallin basse température avec un substrat en verre, le silicium polycristallin haute température avec un substrat en quartz, ou du silicium monocristallin. De préférence, l'élément photodétecteur est choisi parmi les photodiodes ou les phototransistors. De plus, la couche transparente déposée sur la matrice est constituée par une plaque de verre ou un matériau plastique et présente une épaisseur inférieure ou According to a preferred embodiment, the transparent substrate is made of a transparent material such as glass or quartz. The matrix is made of a material such as amorphous silicon, low temperature polycrystalline silicon with a glass substrate, high temperature polycrystalline silicon with a quartz substrate, or monocrystalline silicon. Preferably, the photodetector element is chosen from photodiodes or phototransistors. In addition, the transparent layer deposited on the matrix consists of a glass plate or a plastic material and has a thickness less than or
égale à l'espacement entre éléments photodétecteurs. equal to the spacing between photodetector elements.
Selon une autre caractéristique de la présente invention, la couche transparente peut être revêtue d'une couche conductrice According to another characteristic of the present invention, the transparent layer can be coated with a conductive layer
transparente servant à écranter les champs électriques externes. transparent used to screen external electric fields.
Selon encore une autre caractéristique de la présente invention, le moyen d'éclairage du substrat comporte une lampe, un réflecteur envoyant la lumière émise par la lampe vers le substrat et un moyen permettant à la lumière d'entrer dans le substrat sous un angle According to yet another characteristic of the present invention, the means for illuminating the substrate comprises a lamp, a reflector sending the light emitted by the lamp towards the substrate and means allowing the light to enter the substrate at an angle.
permettant la réflexion totale.allowing total reflection.
Selon un premier mode de réalisation, le moyen permettant à la lumière d'entrer sous un angle permettant la réflexion totale interne est According to a first embodiment, the means allowing the light to enter at an angle allowing the total internal reflection is
constitué par un réseau de prismes ou un réseau de Fresnel. consisting of a network of prisms or a Fresnel network.
Selon un second mode de réalisation, le moyen d'éclairage du substrat est positionné de manière à utiliser ledit substrat comme guide d'ondes dirigeant la lumière vers la matrice bidimensionnelle et les zones opaques de la matrice bidimensionnelle sont revêtues côté substrat d'une couche réfléchissante. Cela permet d'obtenir un système plus compact According to a second embodiment, the means for illuminating the substrate is positioned so as to use said substrate as a waveguide directing the light towards the two-dimensional matrix and the opaque areas of the two-dimensional matrix are coated on the substrate side with a layer. reflective. This results in a more compact system
évitant l'utilisation d'un réseau de Fresnel ou d'un réseau de prismes. avoiding the use of a Fresnel network or a network of prisms.
3 27920893 2792089
De préférence, les points-image de la matrice bidimensionnelle sont disposés en lignes et en colonnes, l'élément photodétecteur de chaque point-image étant connecté par un circuit de commutation à une ligne de sélection et à une ligne de données. Les lignes de sélection sont connectées à un circuit de commande sélectionnant séquentiellement chaque ligne de sélection et les lignes de données sont connectées à un circuit de détection susceptible de lire le signal émis par l'élément Preferably, the image points of the two-dimensional matrix are arranged in rows and columns, the photodetector element of each image point being connected by a switching circuit to a selection line and to a data line. The selection lines are connected to a control circuit sequentially selecting each selection line and the data lines are connected to a detection circuit capable of reading the signal emitted by the element.
photodétecteur sélectionné.photodetector selected.
Ainsi, le dispositif photosensible décrit ci-dessus peut être utilisé dans des appareils tels que les capteurs d'empreintes, les Thus, the photosensitive device described above can be used in devices such as fingerprint sensors,
dispositifs d'imagerie classiques ou par contact. conventional or contact imaging devices.
D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention 1 5 apparaîtront à la lecture de différents modes de réalisation décrits ciaprès avec référence aux dessins ci-annexés, dans lesquels: La figure 1 déjà décrite est une vue schématique d'un Other characteristics and advantages of the present invention will become apparent on reading the various embodiments described below with reference to the attached drawings, in which: FIG. 1 already described is a schematic view of a
détecteur d'empreintes selon l'art antérieur. fingerprint detector according to the prior art.
La figure 2 est une vue en coupe schématique d'un dispositif photosensible utilisé comme détecteur d'empreintes selon un mode de Figure 2 is a schematic sectional view of a photosensitive device used as a fingerprint detector according to a mode of
réalisation de la présente invention. realization of the present invention.
La figure 3 est une vue en coupe schématique d'un autre mode de réalisation du dispositif photosensible conforme à la présente invention. Les figures 4a et 4b représentent respectivement une cellule de Figure 3 is a schematic sectional view of another embodiment of the photosensitive device according to the present invention. Figures 4a and 4b respectively represent a
la matrice bidimensionnelle ainsi que son circuit électrique associé. the two-dimensional matrix and its associated electrical circuit.
Les figures 5a et 5b représentent schématiquement un autre mode de réalisation d'une cellule de la matrice bidimensionnelle avec son FIGS. 5a and 5b schematically represent another embodiment of a cell of the two-dimensional matrix with its
circuit électrique associé.associated electrical circuit.
Pour simplifier la description, notamment dans les figures 2 et To simplify the description, in particular in FIGS. 2 and
3, les mêmes éléments portent les mêmes références. D'autre part, par cellule dans les figures 4 et 5, on entend le point-image de la matrice 3, the same elements have the same references. On the other hand, by cell in Figures 4 and 5 is meant the image point of the matrix
bidimensionnelle et son circuit de commutation associé. two-dimensional and its associated switching circuit.
Un premier mode de réalisation d'un dispositif photosensible conforme à la présente invention est représenté sur la figure 2. Ce A first embodiment of a photosensitive device according to the present invention is shown in Figure 2. This
4 27920894 2792089
dispositif photosensible comporte essentiellement un substrat 10 en un matériau transparent tel que du verre ou du quartz. Sur ce substrat est réalisée une matrice bidimensionnelle 11 portant des zones opaques 13 dans lesquelles sont réalisés des éléments photodétecteurs 14 tels que des photodiodes ou des phototransistors et des fenêtres 15 associées à chaque photodétecteur. La matrice bidimensionnelle est réalisée par des techniques de couches minces en utilisant du silicium amorphe, du silicium polycristallin basse température, du silicium polycristallin haute température, du silicium monocristallin. Toutefois, si le silicium utilisé est du silicium polycristallin basse température, le substrat transparent 1 0 est réalisé en verre; si le silicium est du silicium polycristallin haute température, le substrat transparent 10 est réalisé en quartz et si le silicium est du silicium monocristallin, il est déposé sur un isolant transparent, qui peut être du verre ou du quartz. Sur cette matrice 1 5 bidimensionnelle dont la structure complète sera décrite de manière plus détaillée ci-après, est déposée une couche transparente 12 dont l'épaisseur est sensiblement égale ou inférieure à l'espacement entre les éléments photodétecteurs 14. Cette couche est réalisée soit par une plaque de verre soit par une couche en matériau plastique. Elle peut être réalisée directement sur la matrice bidimensionnelle ou collée sur cette dite matrice. Selon une caractéristique supplémentaire non représentée, cette couche 12 peut être recouverte d'une couche conductrice transparente telle qu'une couche d'lTO (oxyde d'indium et d'étain) photosensitive device essentially comprises a substrate 10 made of a transparent material such as glass or quartz. On this substrate is produced a two-dimensional matrix 11 carrying opaque zones 13 in which photodetector elements 14 are produced such as photodiodes or phototransistors and windows 15 associated with each photodetector. The two-dimensional matrix is produced by thin layer techniques using amorphous silicon, low temperature polycrystalline silicon, high temperature polycrystalline silicon, monocrystalline silicon. However, if the silicon used is low temperature polycrystalline silicon, the transparent substrate 1 0 is made of glass; if the silicon is high temperature polycrystalline silicon, the transparent substrate 10 is made of quartz and if the silicon is monocrystalline silicon, it is deposited on a transparent insulator, which can be glass or quartz. On this two-dimensional matrix 1 5, the complete structure of which will be described in more detail below, a transparent layer 12 is deposited, the thickness of which is substantially equal to or less than the spacing between the photodetector elements 14. This layer is produced either by a glass plate or by a layer of plastic material. It can be carried out directly on the two-dimensional matrix or bonded to this said matrix. According to an additional characteristic not shown, this layer 12 can be covered with a transparent conductive layer such as a layer of lTO (indium tin oxide)
servant à écranter les champs électriques externes. used to screen external electric fields.
Comme représenté sur la figure 2, le dispositif photosensible décrit cidessus est éclairé par un système d'éclairage comportant de manière connue une lampe 17 et un réflecteur 18 renvoyant les rayons lumineux rl, r'l sur la face externe du substrat 10. Le système d'éclairage est positionné de manière à permettre aux rayons lumineux d'entrer dans le dispositif photosensible selon un angle supérieur ou égal à celui de la réflexion totale interne au niveau des faces parallèles du substrat 10 et de la couche 12. De ce fait, sur la face externe côté système d'éclairage du substrat 10 est donc prévu un moyen permettant à la lumière d'entrer dans ledit substrat sous un angle permettant la réflexion totale interne. Ce moyen 16 est, de préférence, constitué par un réseau de prismes ou un réseau de Fresnel. Dans ce cas, si un doigt 19 As shown in FIG. 2, the photosensitive device described above is illuminated by a lighting system comprising in a known manner a lamp 17 and a reflector 18 returning the light rays rl, r'l to the external face of the substrate 10. The system lighting is positioned so as to allow the light rays to enter the photosensitive device at an angle greater than or equal to that of the total internal reflection at the parallel faces of the substrate 10 and of the layer 12. Therefore on the external face on the lighting system side of the substrate 10 is therefore provided a means allowing the light to enter said substrate at an angle allowing the total internal reflection. This means 16 is preferably formed by an array of prisms or a Fresnel array. In this case, if a finger 19
27920892792089
est posé sur la face externe de la couche 12, les rayons lumineux rl, r'1 qui sont passés à travers le substrat 10 et sont passés à travers les fenêtres 15 de la matrice bidimensionnelle viennent se réfléchir par réflexion totale sur la face externe de la couche 12. Si le doigt 19 est posé sur la couche 12, la lumière r'l rentre dans les zones du doigt au contact et n'éclaire plus les éléments photodétecteurs 14 correspondant, tandis que dans les zones o il n'y a pas de contact, la lumière rl se is placed on the external face of the layer 12, the light rays rl, r'1 which have passed through the substrate 10 and have passed through the windows 15 of the two-dimensional matrix come to be reflected by total reflection on the external face of the layer 12. If the finger 19 is placed on the layer 12, the light r'l enters the areas of the finger in contact and no longer illuminates the corresponding photodetector elements 14, while in the areas where there is no no contact, the light rl is
réfléchit par réflexion totale et est détectée par les photodétecteurs 14. reflects by total reflection and is detected by the photodetectors 14.
On décrira maintenant avec référence à la figure 3 un autre mode de réalisation d'un dispositif photosensible conforme à la présente invention. Dans ce cas, pour limiter l'encombrement du dispositif total, le système d'éclairage est positionné sur le côté de l'ensemble formé par le substrat 10, la matrice bidimensionnelle 11 et la couche 12, comme représenté sur la figure 3. Le système d'éclairage comporte de manière connue une lampe 17' et un réflecteur 18'. La lampe est positionnée de manière à envoyer les rayons lumineux r2, r'2 vers la face externe 10a du substrat 10 qui, dans ce cas, fonctionne comme un guide d'ondes. Pour permettre le fonctionnement du dispositif photosensible, la face côté substrat 10 des zones opaques 13 de la matrice bidimensionnelle est recouverte d'une couche réfléchissante 13' telle qu'une couche métallique. Ainsi, comme représenté sur la figure 3, les rayons r2, r'2 après s'être réfléchis sur la face 10a du substrat 10, sont réfléchis soit sur les surfaces 13' soit passent à travers les fenêtres 15. Les rayons r'2 ayant traversés les fenêtres 15 sont réfléchis par réflexion totale interne sur la face externe de la couche 12 pour être renvoyés vers les photodétecteurs 14 s'il n'y a pas d'empreintes en contact avec la face externe de la couche 12. Le dispositif décrit ci-dessus fonctionne de Another embodiment of a photosensitive device according to the present invention will now be described with reference to FIG. 3. In this case, to limit the overall size of the device, the lighting system is positioned on the side of the assembly formed by the substrate 10, the two-dimensional matrix 11 and the layer 12, as shown in FIG. 3. The lighting system comprises in known manner a lamp 17 'and a reflector 18'. The lamp is positioned so as to send the light rays r2, r'2 to the external face 10a of the substrate 10 which, in this case, functions as a waveguide. To allow the photosensitive device to operate, the surface on the substrate side 10 of the opaque zones 13 of the two-dimensional matrix is covered with a reflective layer 13 ′ such as a metallic layer. Thus, as shown in FIG. 3, the rays r2, r'2 after being reflected on the face 10a of the substrate 10, are reflected either on the surfaces 13 'or pass through the windows 15. The rays r'2 having passed through the windows 15 are reflected by total internal reflection on the external face of the layer 12 to be returned to the photodetectors 14 if there are no fingerprints in contact with the external face of the layer 12. The device described above works from
manière équivalente au dispositif de la figure 2. equivalent to the device in Figure 2.
On décrira maintenant avec référence aux figures 4 et 5 différents modes de réalisation de la matrice bidimensionnelle dans lesquels les pointsimage comportant chacun au moins une zone opaque 13, une fenêtre 15 et un photodétecteur 14 sont disposés en lignes et en colonnes et sont connectés chacun par l'intermédiaire d'un circuit de We will now describe with reference to FIGS. 4 and 5 different embodiments of the two-dimensional matrix in which the image points each comprising at least one opaque zone 13, a window 15 and a photodetector 14 are arranged in rows and columns and are each connected by through a circuit
commutation à des lignes de sélection et des lignes de données, elles- switching to selection lines and data lines, they
mêmes connectées à des dispositifs de commande de sélection de lignes same connected to line selection control devices
6 27920896 2792089
et à des dispositifs de lecture des données fournies par les and to devices for reading the data supplied by the
photodétecteurs 14 sur les lignes de données. photodetectors 14 on the data lines.
Comme représenté sur les figures 4a et 4b, le photodétecteur 14 des figures 2 et 3 est constitué par un phototransistor TP1 dont la grille est connectée à une ligne de polarisation LC et dont la source est connectée à la masse tandis que le drain est connecté à une capacité de stockage Ca1 montée en parallèle sur le phototransistor TP1. Le drain du phototransistor TPl1 est aussi connecté à la source d'un dispositif de commutation constitué par un transistor T1 du type TFT par exemple, dont la grille est connectée à une ligne de sélection L1 et dont l'autre électrode, à savoir le drain, est connectée à une ligne de données ou colonnes C1. La cellule, immédiatement adjacente selon la direction des As shown in FIGS. 4a and 4b, the photodetector 14 of FIGS. 2 and 3 is constituted by a phototransistor TP1 whose gate is connected to a polarization line LC and whose source is connected to ground while the drain is connected to a storage capacity Ca1 mounted in parallel on the phototransistor TP1. The drain of the phototransistor TPl1 is also connected to the source of a switching device constituted by a transistor T1 of the TFT type for example, the gate of which is connected to a selection line L1 and the other electrode of which, namely the drain , is connected to a data line or columns C1. The cell, immediately adjacent in the direction of
colonnes, présente une structure identique à la cellule décrite cidessus. columns, has a structure identical to the cell described above.
Elle est constituée, comme représenté sur la figure 4b, d'un phototransistor TP2 dont la grille est connectée à une ligne de polarisation LC commune à la ligne de polarisation LC du phototransistor TP1. La source du transistor TP2 est connectée à la masse. L'autre électrode, à savoir "le drain" dans le mode de réalisation représenté, est connectée à une borne d'une capacité de stockage Ca2 dont l'autre borne est connectée à la masse et à une des électrodes du transistor de It consists, as shown in FIG. 4b, of a phototransistor TP2, the grid of which is connected to a line of polarization LC common to the line of polarization LC of the phototransistor TP1. The source of transistor TP2 is connected to ground. The other electrode, namely "the drain" in the embodiment shown, is connected to a terminal of a storage capacity Ca2 the other terminal of which is connected to ground and to one of the electrodes of the transistor.
commutation T2 dont l'autre électrode est connectée à la colonne C1. switching T2, the other electrode of which is connected to column C1.
D'autre part, comme représenté sur la figure 4b, la colonne Cl1 est connectée par l'intermédiaire d'un commutateur S soit à un potentiel de référence V, soit à un circuit de lecture de charge comportant essentiellement au niveau de chaque colonne C1 un l'amplificateur A, dont la sortie est connectée par l'intermédiaire d'une capacité C sur Il'entrée. On expliquera maintenant le fonctionnement du dispositif des figures 4a et 4b. On réalise tout d'abord une précharge des colonnes Cl... en positionnant le commutateur S de chaque colonne sur le On the other hand, as shown in FIG. 4b, the column Cl1 is connected via a switch S either to a reference potential V, or to a load reading circuit comprising essentially at each column C1 an amplifier A, the output of which is connected via a capacitor C on the input. The operation of the device in FIGS. 4a and 4b will now be explained. First of all, the columns Cl ... are preloaded by positioning the switch S of each column on the
potentiel de référence V. Si l'on adresse l'ensemble des lignes L1, L2,.. . reference potential V. If all the lines L1, L2, etc. are addressed.
de la matrice bidimensionnelle, les transistors de commutation T1, T2 sont rendus passant et l'on charge les capacités Ca1, Ca2,... au potentiel V. Les transistors TP1 et TP2 sont à l'état bloqué (tension de of the two-dimensional matrix, the switching transistors T1, T2 are turned on and the capacitors Ca1, Ca2, ... are loaded at potential V. The transistors TP1 and TP2 are in the off state (voltage of
7 27920897 2792089
LC négative) et déchargent partiellement les capacités Cal1 et Ca2 Negative LC) and partially discharge the capacities Cal1 and Ca2
proportionnellement au flux de lumière que reçoit chacun d'eux. in proportion to the light flux that each of them receives.
Lors d'une opération de lecture, le commutateur S est commuté vers un circuit de lecture de charge constitué, comme mentionné ci-dessus, d'un amplificateur A dont la sortie est reliée à l'entrée par l'intermédiaire d'une capacité C. Lors de la sélection successive des lignes L1, L2,..., les transistors T1, T2 sont successivement rendus passants et les charges résiduelles stockées sur les condensateurs Ca1, Ca2 sont lues par les circuits de lecture donnant During a read operation, the switch S is switched to a load read circuit consisting, as mentioned above, of an amplifier A whose output is connected to the input via a capacitor C. During the successive selection of the lines L1, L2, ..., the transistors T1, T2 are successively turned on and the residual charges stored on the capacitors Ca1, Ca2 are read by the reading circuits giving
une information sur la présence ou non d'une empreinte à détecter. information on the presence or absence of a fingerprint to be detected.
On décrira maintenant, avec référence aux figures 5a et 5b, un autre mode de réalisation d'une matrice bidimensionnelle conforme à la présente invention. Dans ce cas, le transistor photosensible TP'l d'une cellule à sa grille connectée à la ligne de sélection L'2 de la cellule suivante. Sa source est connectée à une tension de référence, tandis que son drain est connecté à une des électrodes d'une capacité de stockage de charge Ca'1 et à la source d'un transistor de commutation T'1 dont la grille est connectée à la ligne L'l et dont le drain est connecté à la colonne C'1. Comme décrit préalablement, chaque colonne ou ligne de données C'1... est connectée par l'intermédiaire d'un commutateur S', soit à une tension de référence V' positive, soit à un lecteur de charge Le constitué de manière connue d'un amplificateur et d'une capacité montée entre la sortie de l'amplificateur et son entrée. D'autre part, comme représenté sur la figure 5a, la capacité C'al comporte une seconde We will now describe, with reference to FIGS. 5a and 5b, another embodiment of a two-dimensional matrix according to the present invention. In this case, the photosensitive transistor TP'1 of a cell at its gate connected to the selection line L'2 of the next cell. Its source is connected to a reference voltage, while its drain is connected to one of the electrodes with a charge storage capacity Ca'1 and to the source of a switching transistor T'1 whose gate is connected to the line L'l and the drain of which is connected to the column C'1. As previously described, each column or data line C'1 ... is connected via a switch S ', either to a positive reference voltage V', or to a charge reader Le constituted in known manner an amplifier and a capacitor mounted between the output of the amplifier and its input. On the other hand, as shown in Figure 5a, the capacity C'al has a second
électrode connectée à la tension de référence V'. electrode connected to the reference voltage V '.
Le dispositif décrit ci-dessus fonctionne lui aussi en deux passes. Lors d'une première passe, les lignes de données ou colonnes C'1 sont chargées au potentiel de référence V'. Chaque ligne de sélection L'2, L'1...est activée en partant du bas et en remontant vers le haut du dispositif. Lorsque la ligne L'2 est activée, le transistor T'P1 est passant et la capacité C'al est déchargée. Lorsque la ligne L'1 est activée, le transistor T'1 devient passant et la capacité C'al est chargée au The device described above also operates in two passes. During a first pass, the data lines or columns C'1 are loaded at the reference potential V '. Each selection line L'2, L'1 ... is activated from the bottom and up to the top of the device. When the line L'2 is activated, the transistor T'P1 is on and the capacitor C'al is discharged. When the line L'1 is activated, the transistor T'1 turns on and the capacitor C'al is charged to the
potentiel V'.potential V '.
8 27920898 2792089
Lors de la deuxième passe, on réalise la lecture des charges dans les capacités C'al.... Dans ce cas le dispositif de commutation S' est positionné de sorte que l'amplificateur de lecture Le soit connecté aux colonnes C'1.... Lors de la sélection des différentes lignes de sélection L'l1, L'2, les transistors T'1,... sont successivement passant et on lit successivement les charges des condensateurs C'al, C'a2 à l'aide des amplificateurs Le. Les valeurs des charges lues dépendent du courant de fuite des transistors T'P1, eux-mêmes proportionnels à l'éclairement qu'ils reçoivent à travers les fenêtres 5 et après réflexion totale During the second pass, the charges are read in the capacitors C'al .... In this case the switching device S 'is positioned so that the read amplifier Le is connected to the columns C'1. ... When selecting the different selection lines L'l1, L'2, the transistors T'1, ... are successively on and the charges of the capacitors C'al, C'a2 are successively read using Le amplifiers. The values of the charges read depend on the leakage current of the transistors T'P1, themselves proportional to the illumination that they receive through the windows 5 and after total reflection
éventuelle sur la face de sortie des lames 12. possible on the outlet face of the blades 12.
Les circuits de balayage des lignes peuvent être réalisés sur le verre en utilisant la même technologie de transistors que celle de la Line scanning circuits can be made on glass using the same transistor technology as that of the
matrice (Tl, TP1, T'1, T'P1).matrix (Tl, TP1, T'1, T'P1).
De la même façon, I'extrémité d'un paquet de colonnes peut être multiplexée vers un amplificateur unique à l'aide de registres et d'interrupteurs réalisés sur le substrat isolant à l'aide de la technologie de In the same way, the end of a packet of columns can be multiplexed towards a single amplifier using registers and switches made on the insulating substrate using the technology of
transistors de la matrice.matrix transistors.
Il est évident pour l'homme de l'art que les modes de réalisation décrits ci-dessus ne sont que des exemples et peuvent être It is obvious to those skilled in the art that the embodiments described above are only examples and can be
modifiés de nombreuses manières.changed in many ways.
9 27920899 2792089
Claims (19)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9904249A FR2792089A1 (en) | 1999-04-06 | 1999-04-06 | PHOTOSENSITIVE DEVICE, ESPECIALLY FOR USE IN FINGERPRINT SENSORS OR IMAGING DEVICES |
PCT/FR2000/000855 WO2000060528A1 (en) | 1999-04-06 | 2000-04-05 | Photosensitive device used in particular in print sensors or imaging devices |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9904249A FR2792089A1 (en) | 1999-04-06 | 1999-04-06 | PHOTOSENSITIVE DEVICE, ESPECIALLY FOR USE IN FINGERPRINT SENSORS OR IMAGING DEVICES |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2792089A1 true FR2792089A1 (en) | 2000-10-13 |
Family
ID=9544040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR9904249A Withdrawn FR2792089A1 (en) | 1999-04-06 | 1999-04-06 | PHOTOSENSITIVE DEVICE, ESPECIALLY FOR USE IN FINGERPRINT SENSORS OR IMAGING DEVICES |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
FR (1) | FR2792089A1 (en) |
WO (1) | WO2000060528A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2710582A1 (en) * | 2011-05-17 | 2014-03-26 | Cross Match Technologies, Inc. | Fingerprint sensors |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017024438A1 (en) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | Shanghai Oxi Technology Co., Ltd | Optical assembly and fingerprint imaging system |
WO2017024437A1 (en) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | Shanghai Oxi Technology Co., Ltd | Optical fingerprint imaging system and optical assembly thereof |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0359554A2 (en) * | 1988-09-16 | 1990-03-21 | Fujitsu Limited | Biological object detecting system and fingerprint collating system employing same |
US5635723A (en) * | 1994-12-26 | 1997-06-03 | Nec Corporation | Fingerprint image input apparatus |
FR2746627A1 (en) * | 1996-03-28 | 1997-10-03 | Sagem | FINGERPRINT SENSOR DEVICE |
-
1999
- 1999-04-06 FR FR9904249A patent/FR2792089A1/en not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-04-05 WO PCT/FR2000/000855 patent/WO2000060528A1/en active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0359554A2 (en) * | 1988-09-16 | 1990-03-21 | Fujitsu Limited | Biological object detecting system and fingerprint collating system employing same |
US5635723A (en) * | 1994-12-26 | 1997-06-03 | Nec Corporation | Fingerprint image input apparatus |
FR2746627A1 (en) * | 1996-03-28 | 1997-10-03 | Sagem | FINGERPRINT SENSOR DEVICE |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2710582A1 (en) * | 2011-05-17 | 2014-03-26 | Cross Match Technologies, Inc. | Fingerprint sensors |
EP2710582A4 (en) * | 2011-05-17 | 2014-12-31 | Cross Match Technologies Inc | Fingerprint sensors |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2000060528A1 (en) | 2000-10-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP3201832B1 (en) | Fingerprint or palmprint sensor | |
EP0362352B1 (en) | Document scanner | |
KR100706280B1 (en) | Image reading apparatus and drive control method therefor | |
EP3376544B1 (en) | Optical imaging device | |
US20150369661A1 (en) | Multi-purpose Thin Film Optoelectric Sensor | |
EP0245147A1 (en) | Radiological image reception panel, and method for its production | |
EP3210162A1 (en) | Device for acquiring digital fingerprints | |
EP0364314A1 (en) | Photosensitive-cell reading method with two diodes serially coupled and with opposite conducting directions | |
FR2504334A1 (en) | SUCCESSIVE LINE IMAGE ANALYSIS DEVICE USING ELECTRIC LOAD TRANSFER, COMPONENT OF LINE MEMORY, AND TELEVISION CAMERA COMPRISING SUCH A DEVICE | |
FR2503391A1 (en) | OPTICAL SCANNING SYSTEM | |
EP0331546B1 (en) | Photosensitive matrix with two diodes at each point, without any specific reset lead | |
EP0060752B1 (en) | Two-dimensional photosensitive solid-state device and imager, using transfer of electrical charges, comprising such a device | |
FR2605166A1 (en) | Solid-state photosensitive device, method of reading and method of manufacture | |
FR2792089A1 (en) | PHOTOSENSITIVE DEVICE, ESPECIALLY FOR USE IN FINGERPRINT SENSORS OR IMAGING DEVICES | |
FR2667471A1 (en) | DEVICE FOR SHOOTING. | |
EP3931875B1 (en) | Image-sensor matrix-array device comprising thin-film transistors and organic photodiodes | |
EP1314202A1 (en) | Polarimetric optical detector | |
EP0149948B1 (en) | Solid state photosensitive devices | |
EP0357468B1 (en) | Photosensitive matrix with two diodes of the same polarity and a capacitor at each photosensitive point | |
FR2663465A1 (en) | Thermal imagery device | |
WO2014072595A1 (en) | Polarising photovoltaic surface | |
FR2548499A1 (en) | SOLID STATE PHOTOSENSITIVE DEVICE | |
EP0654945B1 (en) | Injection circuit for thermal imaging | |
FR2561802A1 (en) | OPTICAL READER OPERATING A TELEVISION SCREEN READER AND A BAR CODE READER | |
JPS6111505B2 (en) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
ST | Notification of lapse |