FR2772499A1

FR2772499A1 - IMPROVEMENT ON MATRIX SCREENS

Info

Publication number: FR2772499A1
Application number: FR9715864A
Authority: FR
Inventors: Thierry Kretz; Hugues Lebrun
Original assignee: Thomson-LCD
Current assignee: Thomson-LCD
Priority date: 1997-12-15
Filing date: 1997-12-15
Publication date: 1999-06-18
Also published as: WO1999031548A1

Abstract

The invention concerns a matrix liquid crystal display consisting of an assembly of cells arranged in lines and columns, each cell (1) forming a picture element or pixel and electrically connected to a cross grating of data lines (3) arranged along one first direction and selection lines (4) arranged along a second direction, each data line (3) having, at the level of each cell, a projecting portion (5) arranged along the second direction and positioned between the pixels of two consecutive lines. The invention is applicable to liquid crystal flat displays.

Description

PERFECTIONNEMENT AUX ECRANS MATRICIELS
La présente invention concerne un perfectionnement aux écrans matriciels, plus particuliérement aux écrans matriciels à cristaux liquides constitués d'un ensemble de cellules disposées en lignes et en colonnes. chaque cellule formant un élément image ou pixel et étant reliée électriquement à un réseau croisé de lignes de données disposées selon une première direction et de lignes de sélection disposées selon une seconde direction.IMPROVEMENT ON MATRIX SCREENS
The present invention relates to an improvement to matrix screens, more particularly to liquid crystal matrix screens consisting of a set of cells arranged in rows and columns. each cell forming an image or pixel element and being electrically connected to a crossed network of data lines arranged in a first direction and selection lines arranged in a second direction.

Ainsi, lorsque la cellule à cristal liquide est reliée électriquement audit réseau croisé par l'intermédiaire d'un composant de commande du type élément actif qui peut être, de manière connue, soit un transistor soit une diode, cet élément actif permet un adressage des cellules lignes par lignes. Cet élément actif sert donc d'interrupteur entre la cellule et la ligne de données correspondante qui apporte l'information image et qui, dans le cas d'un transistor, correspond au drain. Cet interrupteur commandé par la ligne de sélection qui, dans le cas d'un transistor, correspond à la grille, est tout d'abord fermé pendant la durée d'un balayage ligne de l'image, afin de mettre en contact électrique la cellule et la ligne de données correspondante. Ensuite, cet interrupteur est ouvert dés que la ligne suivante doit être adressée, afin d'isoler la cellule de la ligne de données correspondante, ceci pour que la cellule mémorise fidèlement la tension qui lui a été appliquée. Thus, when the liquid crystal cell is electrically connected to said crossed network by means of a control component of the active element type which can be, in known manner, either a transistor or a diode, this active element allows addressing of the cells line by line. This active element therefore serves as a switch between the cell and the corresponding data line which provides the image information and which, in the case of a transistor, corresponds to the drain. This switch controlled by the selection line which, in the case of a transistor, corresponds to the gate, is firstly closed for the duration of a line scan of the image, in order to put the cell in electrical contact. and the corresponding data line. Then, this switch is opened as soon as the next line must be addressed, in order to isolate the cell from the corresponding data line, so that the cell faithfully memorizes the voltage which has been applied to it.

Toutefois, les champs électriques existant entre les électrodes-pixels adjacentes, les lignes et les colonnes génèrent des défauts optiques tels que des disclinaisons dynamiques voire statiques ou des murs d'inversion qui peuvent nuire au contraste des cellules dans le cas de non masquage des fuites de lumière à l'aide d'un masque opaque ou black matrix déposé sous le réseau de lignes et de colonnes. However, the electric fields existing between the adjacent pixel electrodes, the lines and the columns generate optical defects such as dynamic or even static disclinations or inversion walls which can affect the contrast of the cells in the case of non-masking of the leaks. of light using an opaque mask or black matrix deposited under the network of rows and columns.

Pour des écrans de projection de haute définition, à savoir ceux qui comportent au moins cent lignes par centimètre, les éléments opaques de l'écran (black matrix, ligne, colonne et transistor) utilisés pour masquer les fuites de lumière peuvent occuper plus de 70 % de la surface totale de la zone active laissant seulement une surface transparente de l'ordre de 30 %. II en résulte une forte perte de luminosité et donc une détérioration notable de la qualité de l'image. For high definition projection screens, i.e. those with at least one hundred lines per centimeter, the opaque elements of the screen (black matrix, line, column and transistor) used to mask light leaks can occupy more than 70 % of the total area of the active area leaving only a transparent area of the order of 30%. This results in a strong loss of brightness and therefore a significant deterioration in the quality of the image.

Pour remédier à ces inconvénients, une solution parmi d'autres a été proposée dans un article IEDM 93, page 401 dans laquelle une électrode transparente est rajoutée entre la ligne de données et la cellule, plus particulièrement l'électrode de pixel, cette électrode transparente écrantant le couplage capacitif entre la ligne de données et l'électrode de pixel, et réduisant les effets provoqués par le champ électrique transversal. Néanmoins l'utilisation de cette électrode transparente ne permet pas l'emploi d'une technologie standard de matrice active et nécessite des niveaux de fabrication technologique supplémentaires entraînant des chutes de rendement de production. To remedy these drawbacks, one solution among others has been proposed in an IEDM article 93, page 401 in which a transparent electrode is added between the data line and the cell, more particularly the pixel electrode, this transparent electrode. screen the capacitive coupling between the data line and the pixel electrode, and reducing the effects caused by the transverse electric field. However, the use of this transparent electrode does not allow the use of a standard active matrix technology and requires additional technological manufacturing levels resulting in falls in production yield.

La présente invention a donc pour but de remédier aux inconvénients cidessus en utilisant une structure simple, ne demandant aucun niveau technologique supplémentaire. The present invention therefore aims to remedy the above drawbacks by using a simple structure, requiring no additional technological level.

En conséquence, la présente invention a pour objet un écran matriciel à cristaux liquides constitué d'un ensemble de cellules disposées en lignes et en colonnes, chaque cellule formant un élément image ou pixel et étant reliée électriquement à un réseau croisé de lignes de données disposées selon une première direction et de lignes de sélection disposées selon une seconde direction, caractérisé en ce que chaque ligne de données présente, au niveau de chaque cellule, une excroissance disposée selon la seconde direction et positionnée entre les pixels de deux lignes consécutives. Consequently, the subject of the present invention is a liquid crystal matrix screen consisting of a set of cells arranged in rows and columns, each cell forming an image or pixel element and being electrically connected to a crossed network of arranged data lines. in a first direction and selection lines arranged in a second direction, characterized in that each data line has, at the level of each cell, a protrusion arranged in the second direction and positioned between the pixels of two consecutive lines.

Selon cette disposition, le pixel est entouré par les lignes de données qui servent à écranter les champs électriques entre les pixels adjacents aussi bien selon la direction horizontale que verticale. En effet, des mesures expérimentales ont montré qu'il était plus favorable d'un point de vue extension des défauts optiques d'avoir un champ électrique oscillant à une certaine fréquence qu'un champ électrique continu entre deux pixels adjacents. La dimension du black matrix est donc réduite et en conséquence, I'OAR pour Open Aperture Ratio en langue anglaise plus important. According to this arrangement, the pixel is surrounded by the data lines which serve to screen the electric fields between the adjacent pixels in both the horizontal and vertical directions. Indeed, experimental measurements have shown that it was more favorable from an extension point of view of optical defects to have an electric field oscillating at a certain frequency than a continuous electric field between two adjacent pixels. The size of the black matrix is therefore reduced and, consequently, the OAR for Open Aperture Ratio in English more important.

De plus, puisqu'aucun niveau technologique supplémentaire n'est nécessaire pour écranter les champs électriques entre les lignes de sélection et les électrodes de pixels, le temps de cycle des écrans est conservé. In addition, since no additional technological level is necessary to screen the electric fields between the selection lines and the pixel electrodes, the cycle time of the screens is preserved.

De ce fait aussi, la largeur des lignes de sélection et la résolution du système d'insolation utilisé pour la photolithographie définissent l'espacement entre pixels qui peut être le plus faible possible. Also because of this, the width of the selection lines and the resolution of the exposure system used for photolithography define the spacing between pixels which may be as small as possible.

Selon une autre caractéristique de la présente invention, les lignes de sélection sont disposées sous les pixels de la ligne suivante. De préférence, les lignes de sélection sont commandées de telle sorte que l'écran fonctionne en inversion-ligne ou en inversion-points. En effet, dans ce cas, les pixels d'une même ligne sont de polarité identique alors qu'entre lignes directement voisines, les polarités sont inversées. Puisque l'adressage est en inversion ligne, le champ électrique engendré par les lignes de données oscillent à la fréquence ligne, ce qui permet d'écranter les couplages pixel-plan de masse et pixel-pixel. Par conséquent, les défauts optiques sont réduits. According to another characteristic of the present invention, the selection lines are arranged under the pixels of the next line. Preferably, the selection lines are controlled so that the screen operates in line inversion or point inversion. Indeed, in this case, the pixels of the same line are of identical polarity whereas between directly adjacent lines, the polarities are reversed. Since the addressing is in line inversion, the electric field generated by the data lines oscillates at the line frequency, which makes it possible to screen the pixel-ground plane and pixel-pixel couplings. Consequently, optical defects are reduced.

Selon une caractéristique supplémentaire, lorsque la cellule est une cellule à cristal liquide de forme polygonale munie de couches d'alignement frottées selon une direction spécifique partant d'un des sommets de la cellule, I'excroissance se trouve du côté dudit sommet. According to an additional characteristic, when the cell is a liquid crystal cell of polygonal shape provided with alignment layers rubbed in a specific direction starting from one of the vertices of the cell, the protrusion is on the side of said vertex.

Pour des cellules disposées en delta, cette disposition particulière permet de réduire les dimensions de l'excroissance tout en donnant de bons résultats. D'autre part, lorsque l'écran est un écran à cristal liquide du type matrice active dans lequel chaque pixel comporte une électrode de pixel reliée au réseau de lignes de sélection et de lignes de données par un circuit de commutation du type élément actif, l'électrode de pixel est réalisée par une couche déposée au dessus des couches permettant la réalisation des lignes de sélection, des lignes de données et des éléments actifs. De ce fait, on utilise un procédé de fabrication standard pour réaliser l'écran matriciel. For cells arranged in a delta, this particular arrangement makes it possible to reduce the dimensions of the protuberance while giving good results. On the other hand, when the screen is a liquid crystal screen of the active matrix type in which each pixel comprises a pixel electrode connected to the network of selection lines and data lines by a switching circuit of the active element type, the pixel electrode is produced by a layer deposited above the layers allowing the production of selection lines, data lines and active elements. Therefore, a standard manufacturing process is used to make the matrix screen.

D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de différents mode de réalisation d'un écran matriciel du type écran à cristal liquide à matrice active conforme à la présente invention, cette description étant faite avec référence aux dessins ci-annexés dans lesquels:
la figure i représente une vue en plan de dessus d'un écran à cristal liquide
du type à matrice active mettant en oeuvre la présente invention
la figure 2 est une vue en coupe selon A1-A2-A3 de figure 1
la figure 3 représente une autre vue en plan de dessus d'un écran à cristal
liquide du type matrice active selon une disposition en delta.Other characteristics and advantages of the present invention will appear on reading various embodiments of a matrix screen of the liquid crystal screen type with active matrix according to the present invention, this description being made with reference to the attached drawings. wherein:
Figure i shows a top plan view of a liquid crystal screen
of the active matrix type implementing the present invention
Figure 2 is a sectional view along A1-A2-A3 of Figure 1
Figure 3 shows another top plan view of a crystal screen
liquid of the active matrix type according to a delta arrangement.

Dans les figures, pour simplifier la description, les mêmes éléments portent les mêmes références. In the figures, to simplify the description, the same elements have the same references.

La présente invention a été décrite en se référant à un écran à cristal liquide du type matrice active fonctionnant en transmission. Toutefois, cette invention peut également s'appliquer à d'autres types d'écrans matriciels à cristaux liquides comportant une cellule reliée électriquement à un réseau croisé de lignes de données et de lignes de sélection dans lequel des perturbations dus au champ électrique sont observées (cellules fonctionnant en réflexion par exemple). The present invention has been described with reference to a liquid crystal screen of the active matrix type operating in transmission. However, this invention can also be applied to other types of liquid crystal matrix screens comprising a cell electrically connected to a crossed network of data lines and selection lines in which disturbances due to the electric field are observed ( cells functioning in reflection for example).

Sur la figure 1, on a donc représenté un écran à cristal liquide du type matrice active comportant des cellules 1 disposées en lignes LO, Li, L2 et en colonnes CO, Cl, C2. Chaque cellule 1 forme un élément image ou pixel et sa structure sera décrite de manière plus approfondie lorsque l'on se référera à la coupe A1-A3 de la figure 2. Chaque cellule 1 est connectée par l'intermédiaire d'un élément actif 2 qui dans le mode de réalisation représenté est un transistor, aux lignes de données 3 appelées aussi colonnes et aux lignes de sélection 4 appelées généralement lignes. In FIG. 1, a liquid crystal screen of the active matrix type is therefore represented, comprising cells 1 arranged in rows LO, Li, L2 and in columns CO, Cl, C2. Each cell 1 forms an image or pixel element and its structure will be described in more detail when reference is made to section A1-A3 in FIG. 2. Each cell 1 is connected via an active element 2 which in the embodiment shown is a transistor, with data lines 3 also called columns and selection lines 4 generally called lines.

Les lignes de données sont disposées selon une première direction et les lignes de sélection selon une seconde direction généralement perpendiculaire à la première direction. The data lines are arranged in a first direction and the selection lines in a second direction generally perpendicular to the first direction.

Conformément à la présente invention et comme représenté sur la figure 1, la colonne 3 présente une excroissance 5 parallèle à la ligne de sélection 4, à savoir selon la seconde direction. Cette excroissance se trouve dans la direction opposée à l'électrode connectant la colonne 3 au transistor en couches minces référencé généralement 2. In accordance with the present invention and as shown in FIG. 1, the column 3 has a protrusion 5 parallel to the selection line 4, namely in the second direction. This protuberance is in the direction opposite to the electrode connecting the column 3 to the thin film transistor generally referenced 2.

L'utilisation d'une excroissance 5 de colonne dans un écran matriciel tel que celui représenté à la figure 1, est particuliérement intéressante lorsque l'écran est commandé en mode inversion de ligne. Dans ce cas, les pixels de ligne LO sont à une première polarité, par exemple une polarité positive et reçoivent des informations vidéos comprises par exemple entre + 2V et + 6V tandis que les pixels de la ligne L1 sont à la polarité opposée et reçoivent des informations vidéos comprises entre par exemple - 2V et - 6V. The use of a column protrusion 5 in a matrix screen such as that shown in FIG. 1 is particularly advantageous when the screen is controlled in line inversion mode. In this case, the line pixels LO are at a first polarity, for example a positive polarity and receive video information comprised for example between + 2V and + 6V while the pixels of the line L1 are at the opposite polarity and receive video information between for example - 2V and - 6V.

De ce fait, les champs électriques engendrés par les lignes de données ou colonnes 3 oscillent à la fréquence ligne et permet d'écranter les couplages pixelplan de masse et pixel-pixel qui présentent des champs électriques continus. Le temps de réponse des molécules de cristal liquide peut éventuellement expliquer ce phénomène visualisé expérimentalement. En effet, il semblerait que, en présence d'un champ oscillant, les molécules de cristal liquide ne répondent pas à la tension
RMS appliquée mais essaient de suivre la fréquence d'oscillation contrairement à ce que l'on pouvait penser. Par conséquent, le défaut optique n'a pas le temps de s'étendre suffisamment loin dans le pixel contrairement à une perturbation introduite par un champ continu. L'extension de la fuite dans le pixel est donc atténuée et par conséquent le black matrix nécessaire pour la masquer est réduit en conséquence.As a result, the electric fields generated by the data lines or columns 3 oscillate at the line frequency and makes it possible to screen the pixelplan mass and pixel-pixel couplings which have continuous electric fields. The response time of the liquid crystal molecules can possibly explain this phenomenon visualized experimentally. Indeed, it would seem that, in the presence of an oscillating field, the liquid crystal molecules do not respond to the voltage
RMS applied but try to follow the oscillation frequency contrary to what one might think. Consequently, the optical defect does not have time to extend far enough into the pixel, unlike a disturbance introduced by a continuous field. The extension of the leak in the pixel is therefore attenuated and consequently the black matrix necessary to mask it is reduced accordingly.

On décrira maintenant avec référence à la figure 2, un mode de réalisation préférentiel de l'écran de la figure 1 permettant de mettre en oeuvre les avantages de la réalisation d'une telle structure par rapport aux autres solutions d'écrantage du champ électrique. We will now describe with reference to Figure 2, a preferred embodiment of the screen of Figure 1 for implementing the advantages of the realization of such a structure compared to other shielding solutions of the electric field.

Comme représenté sur la figure 2, sur un substrat 10, qui est réalisé de manière connue en un matériau transparent tel que du verre, a été déposée une première couche d'un matériau opaque permettant de réaliser un masque optique ou light shield en langue anglaise. Le matériau utilisé est par exemple du titane. As shown in FIG. 2, on a substrate 10, which is produced in a known manner from a transparent material such as glass, a first layer of an opaque material has been deposited allowing an optical mask or light shield to be produced in English. . The material used is for example titanium.

Cette couche a été gravée de manière à délimiter une ouverture au niveau des cellules ou pixels permettant la transmission de la lumière. Sur cette couche 11 a été déposée une couche 12 d'un matériau conducteur transparent, à titre d'exemple, une couche d'lTO (oxyde d'indium et titane). Cette couche 12 recouvre toute la surface du substrat et forme ce que l'on appelle un plan de masse ou ground plane en langue anglaise. Cette couche est utilisée pour réaliser une capacité de stockage supplémentaire. Sur la couche 12 a été déposée une couche isolante 13, par exemple, une couche d'oxyde de silicium. Sur la couche 13 a été déposée et gravée une couche conductrice 14 constituée par un mélange de titane et de molybdène. Cette couche a été gravée de manière à réaliser les lignes de sélection 4 de la figure 1. Sur la couche 14, on dépose sur toute la surface du substrat une double couche formée premièrement de nitrure de silicium 15 SiN et de silicium amorphe î6aSi. Cette couche est déposée et gravée de manière à réaliser le canal du transistor. Sur cette couche est déposée une couche métallique conductrice 17.This layer has been etched so as to define an opening at the level of the cells or pixels allowing the transmission of light. On this layer 11 has been deposited a layer 12 of a transparent conductive material, for example, a layer of lTO (indium and titanium oxide). This layer 12 covers the entire surface of the substrate and forms what is called a ground plane or ground plane in English. This layer is used to achieve additional storage capacity. On the layer 12 has been deposited an insulating layer 13, for example, a layer of silicon oxide. On the layer 13 has been deposited and etched a conductive layer 14 consisting of a mixture of titanium and molybdenum. This layer has been etched so as to produce the selection lines 4 in FIG. 1. On layer 14, a double layer is deposited over the entire surface of the substrate, formed firstly of silicon nitride 15 SiN and of amorphous silicon î6aSi. This layer is deposited and etched so as to produce the transistor channel. A conductive metallic layer 17 is deposited on this layer.

Cette couche 17 est gravée de manière à réaliser les électrodes de drain et de source ainsi que les colonnes et les excroissances 5. la couche conductrice est, par exemple, une couche de molybdène. Sur la figure 2, la colonne est référencée 17 et l'excroissance 17a. D'autre part, un doigt de contact 17b est aussi réalisé dans la couche en molybdène pour permettre la connexion du transistor TFT à l'électrode de pixel. Sur cet ensemble est déposée une couche 18 de passivation en un matériau isolant tel que le nitrure de silicium. Comme représenté sur la figure 2, sur cette couche de passivation est déposée une couche conductrice transparente 19, plus particulièrement une couche en ITO qui est gravée de manière connue pour réaliser l'électrode de pixel. This layer 17 is etched so as to produce the drain and source electrodes as well as the columns and the protuberances 5. the conductive layer is, for example, a layer of molybdenum. In FIG. 2, the column is referenced 17 and the protrusion 17a. On the other hand, a contact finger 17b is also produced in the molybdenum layer to allow the connection of the TFT transistor to the pixel electrode. On this assembly is deposited a passivation layer 18 of an insulating material such as silicon nitride. As shown in FIG. 2, on this passivation layer is deposited a transparent conductive layer 19, more particularly an ITO layer which is etched in a known manner to produce the pixel electrode.

On a donc réalisé un écran à matrice active utilisant comme élément actif un transistor TFT du type grille dessous dans lequel l'électrode de pixel est réalisée sur le dessus comme décrit dans la demande de brevet français n" 95 09262 déposée au nom de THOMSON-LCD. Comme on le voit clairement sur la figure 2, dans ce cas, les lignes de sélection 14 sont positionnées sous l'électrode de pixel 19 de la ligne suivante formant ainsi une capacité de stockage supplémentaire. D'autre part, dans le mode de réalisation représenté, une doigt de contact 17b a été réalisé permettant de connecter l'électrode de pixel 19 au transistor de commutation, comme on le voit clairement sur la figure 1. An active matrix screen was therefore produced using as an active element a TFT transistor of the gate type below in which the pixel electrode is produced on the top as described in French patent application No. 95 09262 filed in the name of THOMSON- As can be clearly seen in FIG. 2, in this case, the selection lines 14 are positioned under the pixel electrode 19 of the next line, thus forming an additional storage capacity. of the embodiment shown, a contact finger 17b has been made making it possible to connect the pixel electrode 19 to the switching transistor, as can be clearly seen in FIG. 1.

La présente invention est particulièrement intéressante à mettre en oeuvre dans le cas des écrans matriciels dit delta. Dans ce cas, et comme représenté sur la figure 3, les colonnes CO, C1, C2 sont décalées d'un demi-pixel d'une ligne sur deux
LO, L1, L2. De ce fait, les lignes de données 3 ne sont pas complètement verticales comme dans le mode de réalisation de la figure 1 mais présentent un décalage d'un demi-pixel d'un côté ou de l'autre référencé 3'. En conséquence, I'excroissance 5 réalisée du côté opposé au décalage présente une dimension plus limitée. L'écart entre l'excroissance 5 et les éléments du transistor 2 n'est pas critique mais dépend uniquement des contraintes du procédé de fabrication utilisé.The present invention is particularly advantageous to implement in the case of so-called delta matrix screens. In this case, and as shown in FIG. 3, the columns CO, C1, C2 are offset by half a pixel by one line out of two
LO, L1, L2. Therefore, the data lines 3 are not completely vertical as in the embodiment of Figure 1 but have an offset of half a pixel on one side or the other referenced 3 '. Consequently, the protuberance 5 produced on the side opposite the offset has a more limited dimension. The difference between the protrusion 5 and the elements of the transistor 2 is not critical but depends solely on the constraints of the manufacturing process used.

Dans les modes de réalisation décrits ci-dessus, on obtient une structure particulièrement intéressante dans le cas des petits écrans, puisqu'on ne rajoute aucun bus supplémentaire pour réaliser l'écrantage du champ électrique. D'autre part, cette structure permet de garder une ouverture optique élevée et d'utiliser une technologie standard sans rajouter d'étapes de dépôt et de gravure supplémentaires. In the embodiments described above, a particularly advantageous structure is obtained in the case of small screens, since no additional bus is added to screen the electric field. On the other hand, this structure makes it possible to keep a high optical aperture and to use standard technology without adding additional deposition and etching steps.

Claims

direction and positioned between the pixels of two consecutive lines.

at the level of each cell, a protuberance (5) arranged according to the second

second direction, characterized in that each line (3) of data presents,

in a first direction and selection lines (4) arranged in a

being electrically connected to a cross network of arranged data lines (3)

in rows and columns, each cell (1) forming an image or pixel element and

CLAIMS 1. Liquid crystal matrix screen consisting of a set of cells arranged

2. Screen according to claim 1, characterized in that, when the cell is connected

electrically to the data line through an electrode of a

active element, the protuberance (5) is produced in the opposite direction to that of

the electrode of the active element.

3. Screen according to claims 1 and 2, characterized in that the lines (3) of

selection are arranged under the pixels of the next line.

4. Screen according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the

selection lines are controlled so that the screen operates in

line inversion or point inversion.

5. Screen according to any one of claims 1 to 4, characterized in that,

when the cell is a liquid crystal cell of polygonal shape provided with

alignment layers rubbed in a specific direction starting from one of

vertices of the cell, the outgrowth is on the side of said vertex.

6. Screen according to any one of claims 1 to 5, characterized in that the

cells are arranged in a delta.

7. Screen according to any one of claims 1 to 6, characterized in that

the outgrowth is produced between the pixel and the line.