FR2764034A1

FR2764034A1 - Explosive charge-actuated miniature valve

Info

Publication number: FR2764034A1
Application number: FR9706613A
Authority: FR
Inventors: Carole Rossi; Daniel Esteve; Philippe Millot; Claude Mikler; Eric Teillaud
Original assignee: Laboratoires dHygiene et de Dietetique SA
Current assignee: Laboratoires dHygiene et de Dietetique SA
Priority date: 1997-05-29
Filing date: 1997-05-29
Publication date: 1998-12-04
Anticipated expiration: 2003-05-29
Also published as: FR2764034B3

Abstract

A miniature valve has a charge (5) of combustible material (preferably nitrocellulose or propergol) which is provided on a substrate (1), preferably a semiconductor chip, and which is in contact with a resistor (2) so that a predetermined energy supply (preferably of less than 10 J) to the resistor causes ignition of the charge for locally rupturing the substrate to open a substrate passageway. Also claimed are: (a) a reservoir filling device; (b) transdermal medical agent administration equipment comprising the above valve; (c) a process for manufacturing the above valve.

Description

La présente invention est relative à une vanne miniature et à son procédé de fabrication. The present invention relates to a miniature valve and its method of manufacture.

On décrit dans la demande de brevet français 96 14230, déposée le 21 novembre 1996 par la demanderesse, une vanne miniature représentée schématiquement à la figure 1 du dessin annexé. Cette vanne comprend essentiellement un substrat 1 présentant typiquement une surface de quelques mm2, une charge 5 d'un matériau combustible, disposée sur le substrat en regard d'un passage à ouvrir à travers celui-ci, une résistance électrique 2 placée sur une zone amincie 8 du substrat 1 au contact de la charge combustible 5 de manière que l'alimentation de ladite résistance 2 avec une énergie électrique prédéterminée assure la combustion de la charge 5 et l'ouverture dudit passage, par rupture locale de la zone amincie 8 du substrat 1 sous la pression des gaz de combustion de la charge 5. La résistance 2, filiforme, est raccordée par des contacts métalliques 3,4 à un circuit imprimé 7 sur lequel elle est fixée, ce circuit étant percé d'un trou 9 obturé par une couche 10 d'un produit qui, dans l'application décrite dans la demande de brevet précitée à l'administration transdermique de médicament, peut être un hydrogel à charger avec une solution d'un principe actif contenu dans une poche communiquant avec un cratère 6 traversant le substrat 1. French patent application 96 14230, filed November 21, 1996 by the applicant, describes a miniature valve shown schematically in Figure 1 of the accompanying drawing. This valve essentially comprises a substrate 1 typically having a surface of a few mm 2, a charge 5 of a combustible material, disposed on the substrate opposite a passage to be opened therethrough, an electrical resistance 2 placed on a zone thinning 8 of the substrate 1 in contact with the combustible charge 5 so that the supply of said resistor 2 with a predetermined electrical energy ensures the combustion of the charge 5 and the opening of said passage, by local failure of the thinned zone 8 of the substrate 1 under the pressure of the combustion gases of the charge 5. The filamentary resistor 2 is connected by metal contacts 3, 4 to a printed circuit board 7 on which it is fixed, this circuit being pierced with a closed hole 9 by a layer 10 of a product which, in the application described in the aforementioned patent application to transdermal drug delivery, may be a hydrogel to be loaded with a solution of a p active principle contained in a pocket communicating with a crater 6 passing through the substrate 1.

Un joint 11 entoure le substrat 1 pour assurer, à la fois, la fixation de ce substrat sur le circuit 7 et l'étanchéité de l'espace dans lequel est contenue la charge 5.A seal 11 surrounds the substrate 1 to ensure both the attachment of this substrate to the circuit 7 and the sealing of the space in which the charge 5 is contained.

Le passage d'un courant électrique dans la résistance provoque, par effet Joule, un dégagement de chaleur qui enflamme la charge 5, de la nitrocellulose par exemple. La combustion de la nitrocellulose provoque un dégagement de gaz qui accroît la pression subie par la zone amincie 8, qui prend la forme d'une membrane de quelques um d'épaisseur. Cette membrane se brise alors en ouvrant un passage entre la poche contenant la solution de principe actif et la couche 10 d'hydrogel qui se charge alors avec cette solution pour constituer un "réservoir" de cette solution, dans un appareil d'administration transdermique de médicament comprenant des moyens permettant de déclencher sélectivement "1 'hydratation" dudit réservoir. The passage of an electric current in the resistance causes, by the Joule effect, a release of heat which ignites the charge 5, nitrocellulose for example. The combustion of the nitrocellulose causes a release of gas which increases the pressure experienced by the thinned zone 8, which takes the form of a membrane of a few μm thick. This membrane then breaks open by opening a passage between the bag containing the active principle solution and the hydrogel layer which is then loaded with this solution to form a "reservoir" of this solution, in a transdermal delivery device. medicament comprising means for selectively triggering "hydration" of said reservoir.

Suivant un mode de réalisation de la vanne décrite dans la demande de brevet français précitée, le substrat prend la forme d'une puce de silicium et la zone amincie 8, ou membrane, de support de la résistance 2, est essentiellement constituée de silice, obtenue par oxydation du silicium du substrat, la silice présentant les propriétés diélectriques nécessaires à l'isolation électrique de la résistance. According to one embodiment of the valve described in the aforementioned French patent application, the substrate takes the form of a silicon chip and the thinned zone 8, or membrane, of support of the resistor 2, essentially consists of silica, obtained by oxidation of the substrate silicon, the silica having the dielectric properties necessary for the electrical insulation of the resistor.

La zone amincie, ou membrane, ainsi constituée, doit assurer un bon confinement dans la charge combustible de la chaleur dégagée par la résistance 1, de manière à minimiser l'énergie requise pour enflammer cette charge. The thinned area, or membrane, thus formed, must ensure a good confinement in the combustible load of the heat released by the resistor 1, so as to minimize the energy required to ignite this load.

La puce dont fait partie cette membrane doit aussi pouvoir être fabriquée industriellement en grande quantité, par des techniques de microphotolithographie bien connues dans la fabrication des circuits intégrés par exemple, avec un faible taux de malfaçon pour assurer la validité économique d'une telle fabrication.The chip of which this membrane is part must also be able to be manufactured industrially in large quantities, by microphotolithography techniques well known in the manufacture of integrated circuits for example, with a low rate of defect to ensure the economic validity of such manufacture.

A cet égard, on a rencontré des difficultés avec une membrane en silice. On a pu observer l'existence, dans une telle membrane, d'une contrainte de compression supérieure à 0,1 GPa. Une telle contrainte peut provoquer une forte déformation de la membrane. A titre d'exemple, on a pu observer et mesurer une flèche de 40 um sur une membrane de 1 um d'épaisseur. Une telle déformation peut provoquer une rupture de la membrane. Il s'ensuit un fort taux de malfaçon dans une fabrication industrielle de masse. In this regard, difficulties have been encountered with a silica membrane. It has been possible to observe the existence, in such a membrane, of a compressive stress greater than 0.1 GPa. Such a stress can cause a strong deformation of the membrane. By way of example, it has been possible to observe and measure a 40 μm deflection on a membrane 1 μm thick. Such deformation can cause rupture of the membrane. This results in a high rate of defect in mass industrial manufacturing.

La présente invention a pour but de réaliser une vanne miniature du type décrit en préambule de la présente description, qui puisse être fabriquée industriellement avec un taux de malfaçon très faible, voire nul. The object of the present invention is to provide a miniature valve of the type described in the preamble of the present description, which can be manufactured industrially with a very low or even zero defect rate.

La présente invention a aussi pour but de réaliser une telle vanne miniature qui fonctionne avec une faible consommation d'énergie. Another object of the present invention is to provide such a miniature valve which operates with low energy consumption.

La présente invention a encore pour but de fournir un procédé de fabrication de telles vannes miniatures. The present invention also aims to provide a method of manufacturing such miniature valves.

On atteint ces buts de l'invention ainsi que d'autres qui apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, avec une vanne miniature du type comprenant a) un substrat, b) une charge d'un matériau combustible disposée sur le substrat en regard d'un passage à ouvrir à travers celui-ci, c) une résistance électrique placée sur une zone amincie du substrat au contact de la charge combustible de manière que l'alimentation de ladite résistance avec une énergie électrique prédéterminée assure la combustion de la charge et l'ouverture dudit passage, par rupture locale de ladite zone amincie dudit substrat sous la pression des gaz de combustion de la charge, cette vanne miniature étant remarquable en ce que ladite zone amincie dudit substrat qui porte ladite résistance électrique est constituée au moins d'une première couche en silice et d'une deuxième couche, superposée à la première, en nitrure de silicium. These aims of the invention and others which will become apparent from reading the description which follows, are achieved with a miniature valve of the type comprising a) a substrate, b) a charge of a combustible material disposed on the substrate facing a passage to be opened therethrough, c) an electrical resistance placed on a thinned area of the substrate in contact with the combustible charge so that the supply of said resistor with a predetermined electrical energy ensures the combustion of the charge and the opening of said passage, by local rupture of said thinned zone of said substrate under the pressure of the combustion gases of the charge, this miniature valve being remarkable in that said thinned zone of said substrate which carries said electrical resistance is constituted by less than a first layer of silica and a second layer, superimposed on the first, of silicon nitride.

Suivant un mode de réalisation préféré de la présente invention, la deuxième couche est constituée de nitrure de silicium enrichi en silicium. Comme on le verra plus loin, le couplage d'une couche de silice et d'une couche de nitrure de silicium enrichi en silicium abaisse très considérablement le taux de malfaçon évoqué ci-dessus par rapport à ceux observés lorsque la zone amincie est constituée seulement d'une couche de silice. According to a preferred embodiment of the present invention, the second layer consists of silicon nitride enriched in silicon. As will be seen below, the coupling of a silica layer and a silicon-enriched silicon nitride layer considerably lowers the rate of defect mentioned above compared to those observed when the thinned area is formed only. a layer of silica.

Pour réaliser une telle vanne miniature, l'invention fournit un procédé de fabrication suivant lequel a) on recouvre une face sensiblement plane d'un substrat en matériau semi-conducteur avec une couche de silice, b) on recouvre ladite couche de silice avec une couche de nitrure de silicium, c) on forme sur ladite couche de nitrure de silicium une résistance électrique, d) on creuse le substrat par gravure à partir de la face du substrat opposée à celle qui porte ladite résistance, jusqu'à ladite couche de silice et, e) on dépose une charge combustible par dessus la résistance électrique. To realize such a miniature valve, the invention provides a manufacturing method according to which a) a substantially planar surface of a substrate of semiconductor material is covered with a layer of silica, b) said silica layer is covered with a silicon nitride layer, c) forming on said silicon nitride layer an electrical resistance, d) etching the substrate from the face of the substrate opposite to that carrying said resistance, to said layer of silicon nitride; silica and e) a combustible charge is deposited over the electrical resistance.

De préférence, à l'étape b) précitée, on forme une couche de nitrure de silicium enrichi en silicium, par dépôt en phase vapeur à basse pression à partir d'hydrure de silicium et d'ammoniac, à 750 C environ.Preferably, in the above-mentioned step b), a silicon-enriched silicon nitride layer is formed by low-pressure vapor deposition from silicon hydride and ammonia at about 750 ° C.

Au dessin annexé donné seulement à titre d'exemple
- la figure 1 est une représentation schématique de la vanne miniature décrite à la demande de brevet précitée, déjà évoquée en préambule de la présente description, et
- les figures 2A à 2E illustrent un procédé de fabrication de la vanne miniature suivant la présente invention.In the attached drawing given only as an example
FIG. 1 is a schematic representation of the miniature valve described in the abovementioned patent application, already mentioned in the preamble of the present description, and
FIGS. 2A to 2E illustrate a method of manufacturing the miniature valve according to the present invention.

On se réfère à la figure 2 du dessin annexé pour décrire ce procédé de fabrication. La structure de la vanne suivant l'invention est très semblable à celle de la vanne miniature décrite dans la demande de brevet précitée, à l'exception de la structure de la zone amincie 2, comme cela ressortira de la description qui va suivre des diverses étapes du procédé de fabrication illustrées par les figures 2A à 2E. Referring to Figure 2 of the accompanying drawing to describe this manufacturing process. The structure of the valve according to the invention is very similar to that of the miniature valve described in the aforementioned patent application, with the exception of the structure of the thinned zone 2, as will be apparent from the following description of the various manufacturing process steps illustrated in Figures 2A-2E.

Suivant ce procédé, on part d'une puce de silicium, généralement plane, constituant le substrat 1. On forme sur chacune des deux faces opposées de la puce une couche de silice 221,222 respectivement (voir figure 2A), par exemple par oxydation thermique du silicium à 1150 C en atmosphère humide. L'épaisseur de la couche de silice est typiquement comprise entre 0,5 et 1,5 um. According to this method, one starts from a silicon chip, generally flat, constituting the substrate 1. On each of the two opposite faces of the chip, a silica layer 221, 222 is formed respectively (see FIG. 2A), for example by thermal oxidation of the silicon at 1150 C in a humid atmosphere. The thickness of the silica layer is typically between 0.5 and 1.5 μm.

Comme on l'a vu plus haut, on observe dans une telle couche de silice déposée sur un substrat de silicium une contrainte de compression (de l'ordre de 0,27 GPa) susceptible de déformer et de briser la couche, là où celle-ci est privée de son support de silicium comme c'est le cas dans la zone amincie 8 (voir figure 1). As seen above, in such a layer of silica deposited on a silicon substrate, a compressive stress (of the order of 0.27 GPa) is observed which can deform and break the layer, where the it is deprived of its silicon support as is the case in the thinned zone 8 (see Figure 1).

Suivant la présente invention, on compense sensiblement les effets de l'existence de cette contrainte de compression en couvrant la couche de silice avec une couche de nitrure de silicium dans laquelle on observe la présence d'une contrainte de tension. En combinant les effets de ces contraintes contraires, on peut abaisser la contrainte résiduelle s'exerçant dans la zone amincie 8, jusqu'à un niveau de contrainte non susceptible de déformer ou de rompre cette zone pendant la fabrication de la vanne miniature, ce niveau étant typiquement inférieur à + 0,1 GPa, les signes + et étant attachés à des contraintes de tension et de compression respectivement. Ce résultat peut être obtenu en ajustant convenablement les épaisseurs des deux couches à l'aide de la relation
#r = eox # #ox + enit # #nit
eex + enit où #r, #ox, #nit sont, respectivement, la contraite résiduelle dans la zone amincie, la contrainte compression dans la couche de silice et la contrainte de tension dans la couche de nitrure de silicium, et e,, et les épaisseurs respectives des couches de silice et de nitrure de silicium.According to the present invention, the effects of the existence of this compression stress are substantially compensated by covering the silica layer with a silicon nitride layer in which the presence of a voltage stress is observed. By combining the effects of these contrary constraints, it is possible to lower the residual stress exerted in the thinned zone 8 to a level of stress that is not likely to deform or break this zone during the manufacture of the miniature valve. typically being less than + 0.1 GPa, the + signs being attached to voltage and compression stresses respectively. This result can be obtained by suitably adjusting the thicknesses of the two layers using the relationship
#r = eox # #ox + enit # #nit
eex + enit where #r, #ox, #nit are, respectively, the residual stress in the thinned zone, the compressive stress in the silica layer and the stress stress in the silicon nitride layer, and e ,, and the respective thicknesses of the silica and silicon nitride layers.

Les contraintes mentionnées ci-dessus peuvent être mesurées à partir des déformations subies par une plaquette de silicium de 7,5 x 7,5 cm du fait du dépôt sur celle-ci d'une des couches mises en jeu. The constraints mentioned above can be measured from the deformations experienced by a silicon wafer of 7.5 × 7.5 cm due to the deposit on it of one of the layers involved.

A l'étape du procédé selon l'invention illustrée à la figure 2B, on forme donc sur les couches 221,222 de silice, des couches 231,232 respectivement de nitrure de silicium. At the stage of the process according to the invention illustrated in FIG. 2B, the layers 221, 222 and 221.232 of silicon nitride are thus formed on the silica layers 221.222.

Celui-ci peut être du nitrure de silicium stoechiométrique Si3N4. La couche de Si3N4 peut être formée par dépôt en phase vapeur à basse pression à 7500C environ à partir de dichlorosilane SiH2Cl2 et d'ammoniac. This may be stoichiometric silicon nitride Si3N4. The Si3N4 layer can be formed by low pressure vapor deposition at about 7500C from dichlorosilane SiH2Cl2 and ammonia.

On a relevé dans une telle couche des contraintes de tension de l'ordre de 1,2 GPa propres à compenser la contrainte de compression régnant dans la couche de silice adjacente. Cependant, le niveau élevé de cette contrainte est responsable d'une adhérence médiocre de la couche de Si3N4 sur la couche de silice, qui affecte défavorablement le taux de malfaçon observé sur une fabrication de masse.In such a layer, tension stresses of the order of 1.2 GPa have been identified, capable of compensating for the compressive stress in the adjacent silica layer. However, the high level of this stress is responsible for a poor adhesion of the Si3N4 layer on the silica layer, which adversely affects the rate of defect observed on a mass production.

Suivant la présente invention, on améliore considérablement le taux de malfaçon observé en remplacement la couche de nitrure de silicium stoechiométrique par une couche de nitrure de silicium SiN1 dopée en silicium, x étant inférieur à 1,33. La contrainte de tension (0,6
GPa) observée dans une telle couche est plus faible que celle observée dans le nitrure de silicium stoechiométrique, ce qui permet d'éliminer le problème d'adhérence évoqué ci-dessus et de porter le taux de malfaçon à un niveau très faible, voire nul.According to the present invention, the rate of failure observed is substantially improved by replacing the stoichiometric silicon nitride layer with a silicon doped SiN1 silicon nitride layer, x being less than 1.33. The stress of tension (0.6
GPa) observed in such a layer is lower than that observed in the stoichiometric silicon nitride, which makes it possible to eliminate the adhesion problem mentioned above and to raise the level of defect to a very low level, or even zero .

La formation d'une telle couche de nitrure de silicium enrichi en silicium peut être obtenue par dépôt en phase vapeur à basse pression, à 7500C environ, à partir d'hydrure de silicium SiH4 et d'ammoniac. The formation of such a layer of silicon-enriched silicon nitride can be obtained by low-pressure vapor phase deposition, at about 75 ° C., from silicon hydride SiH 4 and ammonia.

Suivant un mode de réalisation préféré de la présente invention, on choisi x = 1,2 environ. La composition de SiN1,2 peut être déduite d'une mesure de l'indice de réfraction de la couche par ellipsométrie, à 830 nm. According to a preferred embodiment of the present invention, x = about 1.2 is chosen. The composition of SiN1,2 can be deduced from a measurement of the refractive index of the layer by ellipsometry at 830 nm.

Après avoir ainsi déposé sur chacune des faces du substrat une couche de silice et une couche de nitrure de silicium, préférablement enrichi en silicium, présentant des épaisseurs prédéterminées à la lumière des considérations présentées ci-dessus, le procédé de fabrication suivant l'invention se poursuit par la formation, sur l'une des faces du substrat, d'une résistance filiforme 24 (voir figure 2C) réalisée classiquement par dépôt d'une couche de silicium polycristallin, puis gravure de cette couche pour délimiter ladite résistance. Celle-ci présente typiquement une section droite de 0,5 x 100 um et une longueur de 1,5 mm. Des contacts métalliques (non représentés) sont formés aux extrémités de la résistance pour permettre l'alimentation électrique de celle-ci, tout comme les contacts 3,4 de la vanne représentée à la figure 1. La résistance 24 ainsi formée est bien isolée par son support, la couche de nitrure de silicium, qui est un matériau diélectrique. After having deposited on each of the faces of the substrate a silica layer and a silicon nitride layer, preferably enriched in silicon, having predetermined thicknesses in the light of the considerations presented above, the manufacturing method according to the invention is continues by forming, on one of the faces of the substrate, a filiform resistor 24 (see FIG. 2C) conventionally produced by deposition of a polycrystalline silicon layer, then etching of this layer to delimit said resistor. This typically has a cross-section of 0.5 x 100 μm and a length of 1.5 mm. Metal contacts (not shown) are formed at the ends of the resistor to allow power supply thereof, as are the contacts 3,4 of the valve shown in FIG. 1. The resistor 24 thus formed is well insulated by its support, the silicon nitride layer, which is a dielectric material.

On forme ensuite sur l'autre face du substrat une fenêtre 25 dans les couches 222 et 232, par le procédé classique de masquage et de gravure au plasma de CF4 gazeux. Un cratère 6 analogue à celui représenté à la figure 1 est ensuite creusé à travers la fenêtre 25 à l'aide d'un produit de gravure anisotropique approprié, tel qu'un hydroxyde de tétraméthylammonium, voir figure 2D. La gravure est arrêtée par la couche de silice 221. A window 25 in the layers 222 and 232 is then formed on the other side of the substrate by the conventional method of masking and plasma etching CF4 gas. A crater 6 similar to that shown in FIG. 1 is then dug through the window 25 with a suitable anisotropic etching product, such as a tetramethylammonium hydroxide, see FIG. 2D. The etching is stopped by the silica layer 221.

La résistance 24 est alors portée par une zone amincie, ou membrane, bi-couche suivant la présente invention (voir figure 2E).The resistor 24 is then carried by a thinned area, or membrane, two-layer according to the present invention (see Figure 2E).

La vanne miniature est ensuite complétée par le dépôt d'une charge de matériau combustible sur la résistance 24 puis montée sur un circuit imprimé, tout comme la vanne représentée à la figure 1. The miniature valve is then completed by the deposition of a charge of combustible material on the resistor 24 and then mounted on a printed circuit, just like the valve shown in FIG.

On a réalisé des vannes à membrane bi-couche suivant l'invention selon trois configurations différentes, à savoir
1) une couche de silice de 1 um d'épaisseur, associée à une couche de Si3N4 de 0,22 um
2) une couche de silice de 0,5 um d'épaisseur associée à une couche de SiN1,2 de 0,22 um ;
3) une couche de silice de 1,4 um d'épaisseur associée, à une couche de SiN1,2 de 0,6 um ;
Si le taux de malfaçon observé avec la configuration 1 était encore substantiel, ce taux est tombé à 5 % et 0 % avec les configurations 2) et 3), respectivement.Two-layer membrane valves according to the invention were made in three different configurations, namely
1) a silica layer 1 μm thick, associated with a layer of Si3N4 of 0.22 μm
2) a 0.5 μm thick silica layer associated with a 0.22 μm SiN1.2 layer;
3) a silica layer 1.4 μm thick associated with a layer of SiN1.2 0.6 μm;
If the failure rate observed with configuration 1 was still substantial, this rate fell to 5% and 0% with configurations 2) and 3), respectively.

Il apparaît ainsi que l'association d'une couche de silice et d'une couche de SiN1,2 permet bien d'atteindre le but essentiel de la présente invention, à savoir une production de vannes miniatures comportant une résistance miniature portée par une membrane de très faible épaisseur, par exemple comprise entre 0,7 et 2 um, la fabrication de cette membrane pouvant être pratiquée avec un taux de malfaçon très faible, voire nul. It thus appears that the combination of a silica layer and a SiN1.2 layer makes it possible to achieve the essential object of the present invention, namely a production of miniature valves comprising a miniature resistance carried by a membrane. very thin, for example between 0.7 and 2 microns, the manufacture of this membrane can be practiced with a very low rate of defect or even zero.

Par ailleurs, les mesures opérées ont montré que les caractéristiques thermiques de la résistance ainsi montée sont très bonnes, celle-ci étant capable de faire monter la température de la charge combustible à 2500 avec une puissance électrique de seulement 50 mW pendant quelques minutes seulement, conformément à un autre but poursuivi par la présente invention. Moreover, the measurements carried out have shown that the thermal characteristics of the resistance thus mounted are very good, it being able to raise the temperature of the combustible load to 2500 with an electric power of only 50 mW for only a few minutes, according to another object pursued by the present invention.

Claims

1. Miniature valve comprising a) a substrate (1), b) a charge (5) of a combustible material disposed on the substrate facing a passage to be opened therethrough, c) an electrical resistance (2) placed on a thinned zone (8) of the substrate (1) in contact with the combustible charge (5) so that the supply of said resistor (2) with a predetermined electrical energy ensures the combustion of the charge and the opening of said passage by locally breaking said thinned zone (8) of said substrate (1) under the pressure of the combustion gases of the charge (5), characterized in that said thinned zone (8) of said substrate (1) which carries said electrical resistance (2) consists of at least a first layer of silica and a second layer, superimposed on the first layer, of silicon nitride.

2. Miniature valve, characterized in that the second layer consists of silicon nitride enriched in silicon SiN1 with x <1.33.

3. Valve according to claim 2, characterized in that x = about 1.2.

Valve according to claim 1, characterized in that the first and second layers of SiO2 and

Si3N4 respectively, have thicknesses of about 1um and 0.22 μm, respectively.

5. Valve according to claim 3, characterized in that the first and second layers of SiO2 and SiN1,2, respectively, have thicknesses of about 0.5 μm and 0.22 μm, respectively.

Valve according to claim 3, characterized in that the first and second layers of SiO2 and SiN1,2, respectively, have thicknesses of about 1.4 μm and 0.6 μm, respectively.

7. A method of manufacturing a valve according to any one of claims 1 to 6, characterized by the following steps

a) covering a substantially flat face of a substrate (1) made of semiconductor material with a layer of silica (221),

b) covering the silica layer with a layer of silicon nitride (231),

c) forming on said silicon nitride layer (231) an electrical resistance (24),

d) etching the substrate (1) by etching from the face of the substrate opposite to that carrying said resistor (24), to said silica layer (221) and,

e) a combustible charge (5) is deposited over the electrical resistance (24).

8. Process according to claim 7, characterized in that, in step b), a layer (231) of stoichiometric silicon nitride Si 3 N 4 is formed by low-pressure vapor phase deposition, from dichlorosilane and from ammonia at about 750 ° C.

9. Process according to claim 7, characterized in that, in step b), a layer (231) of silicon-enriched SiN1 silicon nitride is formed by low-pressure vapor phase deposition, starting from silicon hydride and ammonia at about 750 ° C.