FR2758655A1 - A large size radiographic detector is produced by sticking at least two photosensitive plates side by side onto a common substrate - Google Patents
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Abstract
Description
PROCEDE DE REALISATION D'UN DETECTEUR DE
RADIOGRAPHIE PAR ASSEMBLAGE DE DALLES ELEMENTAIRES
ET DETECTEUR AINSI OBTENU
La présente invention concerne un procédé de réalisation d'un détecteur de radiographie du type comprenant un assemblage de dalles élémentaires unitaires photosensibles.METHOD FOR PRODUCING A DETECTOR OF
RADIOGRAPHY BY ASSEMBLY OF ELEMENTARY SLABS
AND DETECTOR THUS OBTAINED
The present invention relates to a method for producing a radiography detector of the type comprising an assembly of unitary photosensitive slabs.
L'invention concerne également un détecteur réalisé selon le procédé. The invention also relates to a detector produced according to the method.
Un scintillateur selon l'art connu est décrit, à titre d'exemple non limitatif, dans la demande de brevet français FR-A-2 636 800 (THOMSON-CSF). A scintillator according to the known art is described, by way of nonlimiting example, in French patent application FR-A-2,636,800 (THOMSON-CSF).
Le fonctionnement et la structure générale d'un détecteur de rayonnement X à l'état solide vont être maintenant rappelés en regard de la description des figures la à le annexées à la présente description. The operation and the general structure of an X-ray detector in the solid state will now be recalled with reference to the description of Figures la to le annexed to this description.
Selon la technologie actuelle, les détecteurs de rayonnement sont réalisés à base d'une ou plusieurs matrices d'éléments photosensibles à l'état solide. Les éléments photosensibles à l'état solide connus ne sont pas sensibles directement aux rayons de longueurs d'onde très courtes, comme le sont les rayons X. I1 est nécessaire de les associer à un organe scintillateur. Celui-ci est réalisé en une substance qui a la propriété, lorsqu'elle est excitée par des rayons X, d'émettre une lumière dans une gamme de longueurs d'onde plus grandes : dans le visible (ou le proche visible). La longueur d'onde précise dépend de la substance utilisée. Le scintillateur agit donc comme un convertisseur de longueurs d'onde. La lumière visible ainsi générée est transmise aux éléments photosensibles qui effectue une conversion photoélectrique de l'énergie lumineuse reçue en signaux électriques exploitables par des circuits électroniques appropriés. According to current technology, the radiation detectors are produced on the basis of one or more arrays of photosensitive elements in the solid state. Known photosensitive elements in the solid state are not directly sensitive to rays of very short wavelengths, as are X-rays. It is necessary to associate them with a scintillator organ. This is made of a substance which has the property, when excited by X-rays, of emitting light in a range of longer wavelengths: in the visible (or near visible). The precise wavelength depends on the substance used. The scintillator therefore acts as a wavelength converter. The visible light thus generated is transmitted to the photosensitive elements which performs a photoelectric conversion of the light energy received into electrical signals which can be exploited by appropriate electronic circuits.
Les figures la et lb représentent deux coupes latérales, orthogonales l'une à l'autre, d'une matrice d'éléments photosensibles associée classiquement à une feuille d'une substance scintillatrice. FIGS. 1 a and 1 b represent two lateral sections, orthogonal to one another, of a matrix of photosensitive elements conventionally associated with a sheet of a scintillating substance.
Chaque élément photosensible comporte une photodiode ou un phototransistor, sensible aux photons, dans le visible ou le proche visible. A titre d'exemple, comme illustré sur les figures la à ld, chaque élément photosensible est constitué, par exemple, de deux diodes, Dmnl et Dmn2 disposées tête-bêche et le réseau matriciel RM comporte des conducteurs de colonnes, Cc1 à Ccx, et des conducteurs de lignes, Cl1 à Cly. Chacune des diodes, Dmni et Dmn2, constitue de manière connue, une capacité quand elle est polarisée en inverse. La première diode, Dmni, a une capacité typiquement dix fois moins importante que la capacité de le seconde diode, Dmn2. Elle joue principalement le rôle de commutateur, alors que la seconde diode est préférentiellement photodétectrice. Each photosensitive element comprises a photodiode or a phototransistor, sensitive to photons, in the visible or near visible. By way of example, as illustrated in FIGS. 1a to 1d, each photosensitive element consists, for example, of two diodes, Dmnl and Dmn2 arranged head to tail and the matrix network RM comprises column conductors, Cc1 to Ccx, and line conductors, Cl1 to Cly. Each of the diodes, Dmni and Dmn2, constitutes in a known manner, a capacitor when it is reverse biased. The first diode, Dmni, has a capacity typically ten times less than the capacity of the second diode, Dmn2. It mainly plays the role of switch, while the second diode is preferably photodetector.
A chaque croisement d'une ligne et d'une colonne, par exemple de la ligne Cl et de la colonne Cc (voir
Figure ld), on dispose un tel ensemble de deux diodes têtebêche, Dmnl et Dmn2. Les diodes peuvent être remplacées par des transistors réalisés en technologie "TFT", de l'anglosaxon "Thin Film Transistor" ou "transistor en couches minces".At each crossing of a line and a column, for example of the line Cl and the column Cc (see
Figure ld), there is such a set of two head-to-tail diodes, Dmnl and Dmn2. The diodes can be replaced by transistors produced in "TFT" technology, of the Anglo-Saxon "Thin Film Transistor" or "thin film transistor".
Les conducteurs 12 (figures la et lb) sont constitués par un dépôt de métal sur un substrat isolant 10, de préférence du verre. Le dépôt est suivi d'une opération de photogravure, pour obtenir des pistes conductrices parallèles de largeur appropriée. Les diodes (par exemple, Dmnl et Dmn2) sont formées par dépôt, sur les pistes conductrices de colonnes 12, puis gravure, des couches de silicium amorphe (Sia), intrinsèque ou dopé à l'aide de matériaux semi-conducteurs de type P ou N. Une couche très fine de matériau conducteur, de préférence transparent, est déposée sur la couche isolante 20, de manière à former, après gravure, les pistes conductrices de lignes 22 du réseau matriciel RM. The conductors 12 (FIGS. 1a and 1b) consist of a deposit of metal on an insulating substrate 10, preferably glass. The deposition is followed by a photogravure operation, in order to obtain parallel conductive tracks of appropriate width. The diodes (for example, Dmnl and Dmn2) are formed by depositing, on the conductive tracks of columns 12, then etching, layers of amorphous silicon (Sia), intrinsic or doped using P-type semiconductor materials or N. A very thin layer of conductive material, preferably transparent, is deposited on the insulating layer 20, so as to form, after etching, the conductive tracks of lines 22 of the matrix network RM.
L'ensemble précédemment décrit forme ce qui est généralement appelé une "dalle de silicium amorphe" élémentaire unitaire. The assembly described above forms what is generally called a unitary "amorphous silicon slab".
Les conducteurs de lignes, CliClx, et les conducteurs de colonnes, Ccl-Ccy, constituent les électrodes de polarisations des condensateurs de diodes. Ces derniers stockent des charges électriques lorsqu'elles sont soumises à un rayonnement lumineux et délivrent un signal électrique, proportionnel à la charge stockée, lorsqu'elles sont polarisées électriquement. L'adressage des conducteurs de lignes, Cll-Clxv et des conducteurs de colonnes, Ccl-Ccy, s'effectue selon une chronologie appropriée, de manière à ce que tous les pixels p,, soient polarisés séquentiellement dans un ordre prédéterminé. Le signal délivré par chaque pixel p,, est ainsi récupéré et traité par des circuits électroniques externes (non représentés), de façon à reconstituer (point par point) l'image stockée sous forme de charges électriques. The line conductors, CliClx, and the column conductors, Ccl-Ccy, constitute the bias electrodes of the diode capacitors. The latter store electric charges when they are subjected to light radiation and deliver an electric signal, proportional to the stored charge, when they are electrically polarized. The addressing of the row conductors, Cll-Clxv and of the column conductors, Ccl-Ccy, takes place according to an appropriate chronology, so that all the pixels p 1 are polarized sequentially in a predetermined order. The signal delivered by each pixel p ,, is thus recovered and processed by external electronic circuits (not shown), so as to reconstruct (point by point) the image stored in the form of electrical charges.
Les signaux sont récupérés dans des zones de connectique respectives, 3 et 4, pour les lignes, Cll-Clxw et les colonnes, Ccl-Ccy. Les connexions avec les circuits électroniques externes peuvent être réalisées à l'aide de câbles souples multiconducteurs, 30 et 40, respectivement. The signals are recovered in respective connection zones, 3 and 4, for the lines, Cll-Clxw and the columns, Ccl-Ccy. Connections to external electronic circuits can be made using flexible multicore cables, 30 and 40, respectively.
On doit généralement prévoir des séquences dites de "remise à niveau optique" des pixels p,,, une fois que les signaux ont été délivrés par ceux-ci. La chronologie des signaux d'adressage est adaptée en conséquence. On insère, entre les signaux de lecture des séquences de remise à niveau optique. Elles consistent à effectuer un éclairement généralisé des pixels p,,, après lecture. Ces séquences ont pour objet de rétablir un état de référence électrique sur les pixels p,, qui ont été perturbés au cours des phases de stockage et de lecture des charges. Generally, so-called "optical leveling" sequences of the pixels p ,, must be provided once the signals have been delivered by them. The timing of the addressing signals is adapted accordingly. Between the read signals, optical resetting sequences are inserted. They consist in carrying out a generalized illumination of the pixels p ,,, after reading. The purpose of these sequences is to restore an electrical reference state on the pixels p i, which have been disturbed during the phases of storage and reading of the charges.
Cet éclairement généralisé est effectué par la face arrière de la dalle de verre 10, laquelle doit être suffisamment transparente aux longueurs d'onde de la lumière utilisée. This generalized illumination is carried out by the rear face of the glass slab 10, which must be sufficiently transparent to the wavelengths of the light used.
Comme il a été indiqué, les éléments photosensibles doivent être illuminés par de la lumière visible (ou dans une gamme proche de la lumière visible). il est nécessaire de disposer d'un scintillateur qui convertit les rayons X en énergie lumineuse, dans le spectre des longueurs d'onde visibles. Pour ce faire, il suffit de recouvrir la dalle silicium amorphe, précédemment décrite, d'une couche de substance scintillatrice 24. A titre d'exemple, pour un détecteur sensible aux rayons X de l'ordre de 60 KeV, on utilise comme substance scintillatrice de l'iodure de césium (CsI) dopé à l'iodure de sodium (NaI) ou de thallium (TiI), selon que l'on souhaite obtenir un signal lumineux de longueur d'onde 390 nm ou 550 nm, respectivement. As indicated, the photosensitive elements must be illuminated with visible light (or in a range close to visible light). it is necessary to have a scintillator which converts X-rays into light energy, in the spectrum of visible wavelengths. To do this, it suffices to cover the amorphous silicon slab, previously described, with a layer of scintillating substance 24. For example, for an X-ray sensitive detector of the order of 60 KeV, the substance used is scintillator of cesium iodide (CsI) doped with sodium iodide (NaI) or thallium (TiI), depending on whether it is desired to obtain a light signal of wavelength 390 nm or 550 nm, respectively.
La dalle de silicium amorphe qui vient d'être décrite est réalisée par évaporation sous vide de couches minces de matériaux sur la dalle de verre. Les dimensions de la dalle de verre doivent être compatibles avec les capacités dimensionnelles actuelles des machines de réalisation du dépôt. The amorphous silicon slab which has just been described is produced by vacuum evaporation of thin layers of materials on the glass slab. The dimensions of the glass slab must be compatible with the current dimensional capacities of the machines for producing the deposit.
Or, le besoin s'est fait sentir de disposer de dalles de grandes dimensions, ces dimensions étant incompatibles avec les machines de dépôt précitées. Aussi, il est nécessaire d'avoir recours à des dalles élémentaires unitaires, de plus petites dimensions, qui sont assemblées par juxtaposition les unes par rapport aux autres. À titre d'exemple non limitatif, on assemble damier de quatre dalles unitaires élémentaires pour former une dalle composite de grande dimension. Un tel procédé d'assemblage est décrit, par exemple, dans la demande de brevet français FR-A-2 687 494 (THOMSON TUBES ELECTRONIQUES). Les dalles unitaires conservent leur autonomie en ce qui concerne l'adressage de leurs propres pixels p. However, the need has arisen to have large slabs, these dimensions being incompatible with the aforementioned deposition machines. Also, it is necessary to use unitary elementary slabs, of smaller dimensions, which are assembled by juxtaposition relative to each other. By way of nonlimiting example, a checkerboard of four elementary unitary tiles is assembled to form a large composite tile. Such an assembly process is described, for example, in French patent application FR-A-2 687 494 (THOMSON TUBES ELECTRONIQUES). Unit tiles retain their autonomy with regard to the addressing of their own pixels p.
Selon l'art connu, illustré par la demande de brevet français ci-dessus, l'assemblage des dalles est réalisé par juxtaposition et collages de dalles unitaires standards sur un support rigide commun. According to known art, illustrated by the above French patent application, the assembly of the tiles is carried out by juxtaposition and bonding of standard unit tiles on a common rigid support.
Les dalles unitaires sont découpées précisément sur deux côtés de leur périphérie libres de la zone de connectique, afin que les zones actives de pixels affleurent au bord de la dalle découpée. Les dalles découpées sont ensuite positionnées les unes par rapport aux autres afin de préserver la continuité de la zone active de pixels et leur pas, d'une dalle à l'autre. The unit slabs are cut precisely on two sides of their free periphery of the connection zone, so that the active pixel zones are flush with the edge of the cut slab. The cut tiles are then positioned relative to each other in order to preserve the continuity of the active pixel area and their pitch, from one tile to another.
L'assemblage est réalisé par collage d'un support commun sur les dalles découpées et positionnées. Ce support doit être également suffisamment transparent à la lumière visible afin d'autoriser la remise à niveau optique des pixels de l'ensemble des dalles unitaires ainsi assemblées. The assembly is carried out by gluing a common support on the cut and positioned slabs. This support must also be sufficiently transparent to visible light in order to authorize the optical leveling of the pixels of all of the unitary slabs thus assembled.
La méthode la plus simple de réalisation du scintillateur est de déposer une couche d'iodure de césium (CsI) dopée sur un substrat quelconque, de recuire ce substrat afin d'obtenir les propriétés de luminescence désirée et de rapporter cet ensemble, scintillateur contre l'ensemble collé. Le scintillateur peut être rapporté ou couplé optiquement sur la dalle par collage. The simplest method of producing the scintillator is to deposit a layer of doped cesium iodide (CsI) on any substrate, to anneal this substrate in order to obtain the desired luminescence properties and to bring this set together, scintillator against the 'glued together. The scintillator can be attached or optically coupled to the slab by gluing.
La protection du scintillateur contre l'humidité peut être assurée ensuite par un scellement étanche de la périphérie de son substrat sur l'ensemble collé. The protection of the scintillator against humidity can then be ensured by a sealed sealing of the periphery of its substrate on the bonded assembly.
Un détecteur, selon l'art connu, du type décrit, est représenté en coupe par la figure le annexée à la présente description. A detector, according to known art, of the type described, is shown in section in the figure annexed to this description.
Le détecteur comprend plusieurs dalles élémentaires unitaires, dont deux sont visibles, 10a et 10b. Ces dalles élémentaires unitaires, 10a et 10b, sont assemblées et collées sur un support commun 7, à l'aide d'un film de colle 6. Les réseaux matriciels de pixels, RMa et RMb, ont été déposés au préalable sur les dalles, 10a et 10b. Le scintillateur 24 et son substrat 26 sont disposés au-dessus des dalles, 10a et 10b, et les recouvrent entièrement, le substrat 26 étant tournés vers l'extérieur de façon à protéger le scintillateur 24. De façon optionnelle, on peut insérer une couche 8 de matériau de couplage optique entre le scintillateur 24 et les réseaux matriciels de pixels, RMa et RMb. Le scellement étanche est obtenu par un cordon de colle périphérique 5. Pour simplifier les dessins, on n'a pas représenté, sur la figure le, les zones de connectique ni les câbles sortants. The detector comprises several unitary elementary slabs, two of which are visible, 10a and 10b. These unitary elementary slabs, 10a and 10b, are assembled and glued to a common support 7, using an adhesive film 6. The matrix arrays of pixels, RMa and RMb, have been deposited beforehand on the slabs, 10a and 10b. The scintillator 24 and its substrate 26 are arranged above the slabs, 10a and 10b, and completely cover them, the substrate 26 being turned outwards so as to protect the scintillator 24. Optionally, a layer can be inserted 8 of optical coupling material between the scintillator 24 and the matrix arrays of pixels, RMa and RMb. The watertight seal is obtained by a bead of peripheral adhesive 5. To simplify the drawings, the connection zones and the outgoing cables have not been shown in FIG.
Les performances obtenues avec un scintillateur ainsi réalisé sont toutefois moyennes, notamment en terme de résolution. On observe en effet une réfraction de la lumière visible issue du scintillateur, soit dans l'épaisseur de la colle dans le cas du couplage sur la dalle, soit dans l'épaisseur de la lame d'air difficile à maîtriser dans le cas du plaquage sur la dalle. The performances obtained with a scintillator thus produced are however average, in particular in terms of resolution. There is indeed a refraction of visible light from the scintillator, either in the thickness of the glue in the case of coupling on the slab, or in the thickness of the air gap difficult to control in the case of plating on the slab.
L'invention se fixe pour but de pallier les inconvénients dus au procédé de réalisation de détecteurs selon l'art connu. The invention sets itself the aim of overcoming the drawbacks due to the method of producing detectors according to the known art.
Pour ce faire, le scintillateur selon l'invention est réalisé par évaporation directe sur les dalles élémentaires unitaires assemblées. Le scintillateur est alors en contact direct et intime avec la dalle, sans matériau intermédiaire. La diffusion de lumière à l'interface dalle/scintillateur et la perte de résolution qui en résulte sont ainsi minimisées. To do this, the scintillator according to the invention is produced by direct evaporation on the unitary unitary slabs assembled. The scintillator is then in direct and intimate contact with the slab, without any intermediate material. Light scattering at the slab / scintillator interface and the resulting loss of resolution are thus minimized.
Cependant, ce procédé de réalisation entraine des contraintes sur l'assemblage collé et qui seront explicités ci-après. However, this production process involves constraints on the bonded assembly and which will be explained below.
Aussi, un second but que se fixe l'invention est de pallier ces difficultés en proposant un mode particulier de collage. Also, a second goal that the invention sets itself is to overcome these difficulties by proposing a particular method of bonding.
L'invention a donc pour objet un procédé de réali
sation d'un détecteur de radiographie constitué par
l'association d'un organe photosensible et d'un
scintillateur, ledit organe photosensible étant constitué
d'au moins deux dalles élémentaires unitaires, chaque
dalle élémentaire unitaire comportant une pluralité
d'éléments actifs ou pixels, le procédé comprenant les
étapes suivantes
a/ formation de ladite pluralité d'éléments actifs ou pixels sur chaque dalle élémentaire unitaire
b/ juxtaposition desdites dalles élémentaires unitaires pour former une dalle composite de plus grande dimension
c/ collage sur un support commun
caractérisé en ce qu'il comprend en outre au moins l'étape suivante
dl réalisation dudit scintillateur par évaporation directe, sur ladite dalle composite, d'une substance à propriétés scintillatrices.The subject of the invention is therefore a process for carrying out
sation of an X-ray detector consisting of
the association of a photosensitive organ and a
scintillator, said photosensitive member being constituted
at least two elementary individual tiles, each
unitary elementary slab comprising a plurality
active elements or pixels, the method comprising
following steps
a / formation of said plurality of active elements or pixels on each unitary elementary slab
b / juxtaposition of said unitary unit slabs to form a larger composite slab
c / bonding on a common support
characterized in that it further comprises at least the following step
dl production of said scintillator by direct evaporation, on said composite slab, of a substance with scintillating properties.
L'invention a encore pour objet un détecteur de radiographie ainsi réalise. The invention also relates to an X-ray detector thus produced.
L'invention sera mieux comprise et d'autres caractéristiques et avantages apparaîtront à la lecture de la description qui suit en référence aux figures annexées, et parmi lesquelles
- les figures la à le illustrent schématiquement le
fonctionnement et la structure d'un détecteur de radio
graphie selon l'art connu;
- la figure 2 illustre un exemple de réalisation d'un
détecteur radiographie conforme à l'invention.The invention will be better understood and other characteristics and advantages will appear on reading the description which follows with reference to the appended figures, and among which
- Figures la to schematically illustrate the
operation and structure of a radio detector
written according to known art;
- Figure 2 illustrates an exemplary embodiment of a
X-ray detector according to the invention.
On va décrire le procédé selon l'invention par référence à un mode de réalisation du détecteur selon l'invention. The method according to the invention will be described with reference to an embodiment of the detector according to the invention.
La figure 2 illustre, en coupe, un exemple de réalisation d'un détecteur de radiographie selon l'invention. FIG. 2 illustrates, in section, an exemplary embodiment of a radiography detector according to the invention.
La structure générale d'un détecteur de radiographie, telle qu'elle a été rappelée en regard des figures la à le, est conservée. Les éléments communs avec le détecteur de la figure le portent les mêmes références et ne seront redécrits qu'en tant que de besoin. The general structure of an X-ray detector, as it has been recalled with reference to FIGS. The elements common with the detector in the figure bear the same references and will only be re-described as necessary.
Selon une caractéristique importante de l'invention, la couche de substance scintillatrice 24 est réalisée par évaporation directe sur les dalles assemblées, 10a et 10b. According to an important characteristic of the invention, the layer of scintillating substance 24 is produced by direct evaporation on the assembled slabs, 10a and 10b.
L'iodure de césium (CsI) est évaporée par chauffage et se redépose directement sur le substrat constitué par l'ensemble collé lui-même.Cesium iodide (CsI) is evaporated by heating and is redeposited directly on the substrate constituted by the bonded assembly itself.
Pour ce faire, on utilise un creuset porté à une température d'environ 800 OC. La substance scintillatrice s'évapore et, ensuite après refroidissement, se condense, occasionnant le dépôt d'une couche typiquement d'épaisseur 500 pm. To do this, we use a crucible brought to a temperature of about 800 OC. The scintillating substance evaporates and, after cooling, condenses, causing the deposition of a layer typically 500 μm thick.
Cette solution présente l'avantage d'obtenir un scintillateur en contact direct et intime avec la dalle sous-jacente, sans matériau intermédiaire. La diffusion de lumière à l'interface dalle, lOa~RMa et lOb-RMb, et scintillateur 24, et la perte de résolution qui en découlent sont ainsi minimisées. This solution has the advantage of obtaining a scintillator in direct and intimate contact with the underlying slab, without any intermediate material. The light scattering at the slab interface, lOa ~ RMa and lOb-RMb, and scintillator 24, and the loss of resolution which result therefrom are thus minimized.
La protection du scintillateur 24 contre l'humidité peut ensuite être réalisée en posant au-dessus une feuille 27 en matériau étanche à l'humidité, comme de l'aluminium. The protection of the scintillator 24 against humidity can then be achieved by placing a sheet 27 of moisture-tight material, such as aluminum, above it.
Cette feuille doit par ailleurs être transparente au rayonnement X. On peut utiliser, à titre d'exemple de l'aluminium, un matériau plastique ou du verre. La feuille 28 forme une "fenêtre d'entrée" pour le rayonnement X.This sheet must also be transparent to X-ray. It is possible, for example, to use aluminum, a plastic material or glass. Sheet 28 forms an "entry window" for X-rays.
On réalise ensuite l'étanchéité de l'ensemble par scellement, par exemple à l'aide d'un cordon de colle 5, recouvrant, à la fois, la périphérie des dalles, 10a et 10b, et la feuille 28. The assembly is then sealed by sealing, for example using a bead of glue 5, covering both the periphery of the slabs, 10a and 10b, and the sheet 28.
Cependant, bien qu'apportant une grande amélioration de la résolution, pour les raisons indiquées, le procédé de réalisation selon l'invention entraîne des contraintes sur l'assemblage collé. However, although providing a great improvement in resolution, for the reasons indicated, the production method according to the invention involves constraints on the bonded assembly.
Pour la réalisation d'un détecteur de radiographie de grande dimension et de performances en résolution satisfaisantes, l'assemblage doit être compatible avec le procédé selon l'invention d'évaporation directe sur dalle. For the production of a large radiography detector and satisfactory resolution performance, the assembly must be compatible with the method according to the invention of direct evaporation on a slab.
D'une part, afin de permettre la réalisation de la remise à niveau optique des pixels (figure ld : pin) par la face arrière, le collage doit être suffisamment transparent à la lumière visible. On the one hand, in order to allow the optical leveling of the pixels (FIG. 1d: pin) to be achieved by the rear face, the collage must be sufficiently transparent to visible light.
D'autre part, afin de permettre la réalisation du scintillateur 24 par évaporation directe, le film de colle, ici référencé 6', doit supporter le recuit de luminescence de la couche d'iodure de césium (CsI), soit typiquement de 300 OC + 50 OC. Il doit être suffisamment souple pour supporter les différences de coefficients de dilatation des matériaux à coller, dalles unitaires, 10a et 10b, et support commun 7, qui ne sont pas, a priori, identiques. On the other hand, in order to allow the scintillator 24 to be produced by direct evaporation, the adhesive film, here referenced 6 ′, must support the luminescence annealing of the cesium iodide (CsI) layer, ie typically 300 OC + 50 OC. It must be flexible enough to support the differences in expansion coefficients of the materials to be bonded, unitary slabs, 10a and 10b, and common support 7, which are not, a priori, identical.
Enfin, l'assemblage collé (dalles unitaires, 10a et 10b, et support 7) doit subir des contraintes environnementales et mécaniques. il doit résister aux chocs, vibrations et secousses. Le film de colle 6' doit posséder des caractéristiques de souplesse suffisante pour résister à ces contraintes mécaniques. Finally, the bonded assembly (unit slabs, 10a and 10b, and support 7) must be subjected to environmental and mechanical constraints. it must resist shocks, vibrations and jolts. The adhesive film 6 'must have sufficient flexibility characteristics to resist these mechanical stresses.
Selon une autre caractéristique importante du procédé de l'invention, l'opération de collage est effectuée en ayant recours à une résine silicone bicomposant. Cette résine se polymérise par polyaddition. Elle satisfait, après polymérisation, les exigences énoncées ci-dessus, à savoir transparence optique suffisante, résistance à la température de recuit et souplesse mécanique. According to another important characteristic of the process of the invention, the bonding operation is carried out using a two-component silicone resin. This resin polymerizes by polyaddition. After polymerization, it satisfies the requirements set out above, namely sufficient optical transparency, resistance to annealing temperature and mechanical flexibility.
A la lecture de ce qui précède, on constate aisément que l'invention atteint bien les buts qu'elle s'est fixés. On reading the above, it is easy to see that the invention achieves the goals it has set for itself.
Elle permet tout à la fois une résolution améliorée, par le mode de réalisation (évaporation sous vide) du scintillateur, et un collage des dalles sur leur support commun à l'aide d'une résine silicone bicomposant polymérisable par polyaddition. It allows both improved resolution, by the embodiment (evaporation under vacuum) of the scintillator, and bonding of the slabs on their common support using a two-component silicone resin polymerizable by polyaddition.
Claims (9)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9700593A FR2758655B1 (en) | 1997-01-21 | 1997-01-21 | METHOD FOR PRODUCING A RADIOGRAPHY DETECTOR BY ASSEMBLY OF ELEMENTARY SLABS AND DETECTOR THUS OBTAINED |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2758655B1 (en) | 1999-04-09 |
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