FR2707399A1 - Device for simulating an intense electromagnetic field in free space. - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne un dispositif de simulation de champ électromagnétique intense en espace libre, de type cellule GTEM, comprenant une cellule (10) de forme pyramidale à section rectangulaire et à parois métalliques reliées à la terre, reposant sur l'une de ses parois latérales (18), une plaque métallique ou septum (12) située dans un plan intermédiaire passant par le sommet de la pyramide et chargée en son extrémité par une charge de 50 OMEGA, une paroi absorbante (14, 15) fermant cette cellule, et une source (11), située au sommet de la pyramide, connectée à la plaque intermédiaire (12). La plaque intermédiaire (12) comporte, dans le sens transverse, une partie médiane plane (22) et des parties latérales (23) inclinées vers le bas d'un angle alpha par rapport à cette partie médiane (22) de telle façon que l'impédance vue de la source soit une impédance de 50 OMEGA.The invention relates to a device for simulating an intense electromagnetic field in free space, of the GTEM cell type, comprising a cell (10) of pyramidal shape with rectangular section and with metal walls connected to the earth, resting on one of its walls. lateral (18), a metal plate or septum (12) situated in an intermediate plane passing through the top of the pyramid and charged at its end by a load of 50 OMEGA, an absorbent wall (14, 15) closing this cell, and a source (11), located at the top of the pyramid, connected to the intermediate plate (12). The intermediate plate (12) comprises, in the transverse direction, a flat central part (22) and lateral parts (23) inclined downward at an angle alpha with respect to this central part (22) so that the 'impedance seen from the source is an impedance of 50 OMEGA.
Description
"Dispositif de simulation de champ électromagnétique intense en espace"Device for simulating an intense electromagnetic field in space
libre"free"
DESCRIPTIONDESCRIPTION
DOMAINE TECHNIQUETECHNICAL AREA
La présente invention concerne un dispositif de simulation de champ électromagnétique intense en espace libre, du type cellule GTEM ("gigahertz The present invention relates to a device for simulating an intense electromagnetic field in free space, of the GTEM cell type ("gigahertz
transverse électromagnetic").electromagnetic transverse ").
ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURESTATE OF THE PRIOR ART
On demande souvent aux laboratoires d'essais de simuler des champs électromagnétiques dus par exemple à des présences de radars, de sources naturelles telles que la foudre ou de sources Testing laboratories are often asked to simulate electromagnetic fields due, for example, to the presence of radars, natural sources such as lightning, or sources
artificielles telles que les explosions nucléaires. such as nuclear explosions.
Ces laboratoires doivent alors mettre en oeuvre des systèmes simulant cet environnement sous tous ses aspects: forme du signal, bande passante, homogénéité du champ simulé. Ils sont, ainsi, amenés à simuler des champs électromagnétiques forts sur les équipements d'un avion, ou d'une fusée, pour reproduire la situation que connaîtrait un tel mobile soumis à un These laboratories must then implement systems simulating this environment in all its aspects: signal form, bandwidth, homogeneity of the simulated field. They are thus led to simulate strong electromagnetic fields on the equipment of an airplane, or of a rocket, to reproduce the situation that such a mobile subject to a
faisceau radar.radar beam.
Pour simuler un champ électromagnétique en espace libre, on utilise en général une ligne, parcourue par un courant, tendue au-dessus d'un plan de masse au potentiel zéro. Entre cette ligne et ce plan de masse se développe un champ électromagnétique dont l'homogénéité dépend de la forme de la ligne. Les lignes les plus connues sont de type "strip line" ou des cellules TEM, mais ces moyens ont des limitations To simulate an electromagnetic field in free space, we generally use a line, crossed by a current, stretched above a ground plane at zero potential. Between this line and this ground plane develops an electromagnetic field whose homogeneity depends on the shape of the line. The best known lines are of the strip line or TEM cell type, but these means have limitations
en fréquence, dues à leur forme, à environ 150 MHz. in frequency, due to their shape, to around 150 MHz.
Depuis quelques années, est commercialisée une nouvelle famille de cellules TEM appelées GTEM (cellule "giga transverse électromagnetic") présentant de bonnes performances sur toute la gamme de For a few years now, a new family of TEM cells has been marketed called GTEM ("transverse electromagnetic giga" cell) exhibiting good performance over the whole range of
fréquences allant du continu aux Gigahertz. frequencies ranging from continuous to Gigahertz.
De nombreux documents de l'art connu décrivent les caractéristiques des cellules TEM, et celles des cellules GTEM, et par exemple les documents suivants: - un article intitulé: Many documents of the known art describe the characteristics of TEM cells, and those of GTEM cells, and for example the following documents: - an article entitled:
"Electromagnetic susceptibility measure- "Electromagnetic susceptibility measure-
ments of vehicle components using TEM cells 14 kHz - 200 MHz" (SAE Information report, J 1448, Janvier 1984), - un article intitulé: "A new family of TEM-cells with enlarged bandwidth and optimized working volume" de D. Kônigstein et D. Hansen (Proc. 7th Int. Zurich Symp. and Tech. Exh on EMC, pages 127-132, Mars 1987), - un article intitulé: "Simulating open area test site emission measurements based on data obtained in a novel broadband TEM-cell" de P. Wilson, D. Hansen et D. Kônigstein (1989, IEEE, pages elements of vehicle components using TEM cells 14 kHz - 200 MHz "(SAE Information report, J 1448, January 1984), - an article entitled:" A new family of TEM-cells with enlarged bandwidth and optimized working volume "by D. Kônigstein and D. Hansen (Proc. 7th Int. Zurich Symp. and Tech. Exh on EMC, pages 127-132, March 1987), - an article entitled: "Simulating open area test site emission measurements based on data obtained in a novel broadband TEM-cell "by P. Wilson, D. Hansen and D. Kônigstein (1989, IEEE, pages
171-177),171-177),
- un article intitulé: "Vehicle electromagnetic radiated susceptibility testing using a large TEM-cells" (SAE Information Report, J 1407, Mars 1988), - un article intitulé: "The GTEM-cell concept; application of this new EMC test environment to radiated emission and susceptibility measurements" de H. Garbe, D. Hansen (pages 152 à 156), - les brevets CH-670 174 et US-4 837 581. Un article intitulé:"Comparison of analysis of a WTEM cell with standard TEM cells for generating EM fields" de Lorenzo Carbonini (IEEE Transactions on Electronic Compatibility, volume 35, numéro 2, mai 1993) décrit une cellule WTEM qui utilise un réseau de fils parallèles (dans le sens longitudinal) et arrondi (dans le sens transverse) à la place du septum - an article entitled: "Vehicle electromagnetic radiated susceptibility testing using a large TEM-cells" (SAE Information Report, J 1407, March 1988), - an article entitled: "The GTEM-cell concept; application of this new EMC test environment to radiated emission and susceptibility measurements "by H. Garbe, D. Hansen (pages 152 to 156), - Patents CH-670 174 and US-4 837 581. An article entitled:" Comparison of analysis of a WTEM cell with standard TEM cells for generating EM fields "by Lorenzo Carbonini (IEEE Transactions on Electronic Compatibility, volume 35, number 2, May 1993) describes a WTEM cell which uses a network of wires that are parallel (in the longitudinal direction) and rounded (in the transverse direction) in place of the septum
métallique plat des cellules TEM et GTEM. flat metal of TEM and GTEM cells.
Un article intitulé: "Conformal mapping analysis of a modified TEM- cell de Changhua Wan (IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, volume , numéro 1, février 1993) décrit une cellule TEM modifiée, qui comprend un conducteur central (septum) entouré d'un blindage de forme rectangulaire, dans lequel le septum est remplacé par un conducteur ayant la forme d'un H pour produire un champ uniforme juste au-dessus et au-dessous de la surface interne du blindage de la cellule et non dans la partie centrale entre le septum et le blindage comme dans les cellules TEM classiques. Une telle modification peut également être réalisée dans une cellule GTEM, mais des cellules TEM ou GTEM de ce type ne peuvent pas passer des hautes tensions: En effet, pour de telles tensions, il y a apparition de pointes de champs locales pouvant An article entitled: "Conformal mapping analysis of a modified TEM cell by Changhua Wan (IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, volume, number 1, February 1993) describes a modified TEM cell, which includes a central conductor (septum) surrounded by a rectangular shielding, in which the septum is replaced by an H-shaped conductor to produce a uniform field just above and below the inner surface of the cell shielding and not in the central part between the septum and the shielding as in conventional TEM cells. Such a modification can also be carried out in a GTEM cell, but TEM or GTEM cells of this type cannot pass high voltages: Indeed, for such voltages, it there are local spikes that can
entraîner un claquage.cause a breakdown.
La présente invention a pour objet d'améliorer le rendement de telles cellules GTEM en proposant une zone utile de plus grande dimension dans laquelle le champ électrique est constant et peut être plus intense. Exposé de l'invention L'invention propose un dispositif de simulation de champ électromagnétique intense en espace libre, de type cellule GTEM, comprenant une cellule de forme pyramidale à section rectangulaire et à parois latérales métalliques reliées à la terre, reposant sur l'une de ses parois latérales, une plaque métallique ou septum située dans un plan intermédiaire passant par le sommet de la pyramide et chargée en son extrémité par une charge de 50 Q, une paroi absorbante fermant cette cellule, et une source, située au sommet de la pyramide, connectée à la plaque intermédiaire, permettant de générer un champ électromagnétique entre la plaque intermédiaire et les parois latérales de la cellule, caractérisé en ce que la plaque intermédiaire comporte, dans le sens transverse, une partie médiane plane et des parties latérales inclinées vers le bas d'un angle a par rapport à cette partie médiane de telle façon que l'impédance vue de la source soit une impédance de 50 Q. Avantageusement, cet angle a est de l'ordre de . L'angle au sommet de la pyramide 0 est tel que: The object of the present invention is to improve the efficiency of such GTEM cells by providing a larger useful area in which the electric field is constant and can be more intense. SUMMARY OF THE INVENTION The invention proposes a device for simulating an intense electromagnetic field in free space, of the GTEM cell type, comprising a pyramid-shaped cell with rectangular section and metal side walls connected to the earth, resting on one from its side walls, a metal plate or septum located in an intermediate plane passing through the top of the pyramid and charged at its end by a load of 50 Q, an absorbent wall closing this cell, and a source, located at the top of the pyramid, connected to the intermediate plate, making it possible to generate an electromagnetic field between the intermediate plate and the side walls of the cell, characterized in that the intermediate plate comprises, in the transverse direction, a flat central part and lateral parts inclined towards the bottom of an angle a with respect to this middle part so that the impedance seen from the source is an impedance of 50 Q. Advantageously, this angle a is of the order of. The angle at the top of pyramid 0 is such that:
0<20 .0 <20.
Dans une réalisation particulièrement avantageuse, la partie médiane et les deux parties latérales de la plaque intermédiaire sont séparées par des zones intermédiaires incurvées. Les extrémités libres des parties latérales se terminent par des éléments arrondis, qui sont des cylindres ou des cônes. La source de tension délivre un signal entretenu ou un signal impulsionnel. Le plan médian entre la plaque intermédiaire et la paroi inférieure de la cellule est un plan horizontal. La porte d'accès In a particularly advantageous embodiment, the middle part and the two lateral parts of the intermediate plate are separated by curved intermediate zones. The free ends of the side parts end in rounded elements, which are cylinders or cones. The voltage source delivers a sustained signal or a pulse signal. The median plane between the intermediate plate and the bottom wall of the cell is a horizontal plane. The access door
dans la cellule est placée dans le fond de la cellule. in the cell is placed at the bottom of the cell.
Une telle invention présente de nombreux avantages: - la modification de forme du septum permet d'obtenir une zone homogène de champ électrique constant plus grande dans le sens transverse: on obtient un rendement élevé de la cellule en agrandissant la zone de champ; - la modification de la position de la cellule de l'invention, par rapport à celle des cellules de l'art antérieur, permet d'obtenir une meilleure homogénéité dans le sens longitudinal; - l'adjonction d'éléments arrondis permet d'utiliser ce dispositif en haute tension pulsée; - l'amélioration de la géométrie de ce dispositif permet d'avoir une zone de champ électrique Such an invention has many advantages: - the modification of the shape of the septum makes it possible to obtain a homogeneous area of greater constant electric field in the transverse direction: a high efficiency of the cell is obtained by enlarging the field area; the modification of the position of the cell of the invention, relative to that of the cells of the prior art, makes it possible to obtain better homogeneity in the longitudinal direction; - the addition of rounded elements allows this device to be used in high pulsed voltage; - the improvement of the geometry of this device makes it possible to have an electric field area
constant et plus grand.constant and bigger.
Brève description des dessinsBrief description of the drawings
- Les figures 1 et 2 illustrent une cellule GTEM de l'art connu respectivement dans une vue en perspective partiellement arrachée et une vue en coupe transversale, avec représentation des lignes isoniveaux de champ électrique; - la figure 3 illustre le dispositif de l'invention dans une vue en coupe transversale, avec représentation des lignes isoniveaux de champ électrique; - les figures 4 à 6 illustrent différentes variantes de réalisation du dispositif de l'invention respectivement dans des vues en coupe transversale, avec représentation des lignes isoniveaux de champ électrique. Exposé détaillé de modes de réalisation La figure 1 illustre une cellule GTEM 10 de l'art connu qui a une forme pyramidale à section rectangulaire, une source 11 est placée au sommet de la pyramide, une connexion permettant d'établir en ce point le passage du courant entre cette source et une - Figures 1 and 2 illustrate a GTEM cell of the known art respectively in a partially cutaway perspective view and a cross-sectional view, with representation of the isonilevel lines of electric field; - Figure 3 illustrates the device of the invention in a cross-sectional view, with representation of the isoniveaux lines of electric field; - Figures 4 to 6 illustrate different embodiments of the device of the invention respectively in cross-sectional views, with representation of the isoniveaux lines of electric field. Detailed description of embodiments FIG. 1 illustrates a GTEM 10 cell of the known art which has a pyramidal shape with rectangular section, a source 11 is placed at the top of the pyramid, a connection making it possible to establish at this point the passage of current between this source and a
plaque métallique 12 dite "septum". metal plate 12 called "septum".
Le champ se développe entre cette plaque 12 et The field develops between this plate 12 and
la structure rectangulaire de la cellule 10. the rectangular structure of cell 10.
L'ensemble a une impédance caractéristique de 50 Q. Cette cellule GTEM est fermée par une paroi 15 recouverte sur sa face interne par des absorbeurs haute fréquence ayant la forme de pyramides contiguës qui forment entre elles une paroi absorbante pour éviter la transmission d'une onde réfléchie dans le volume de la cellule. Cette paroi absorbante est incurvée à la manière d'un segment sphérique dont le centre serait situé dans la région du sommet de la pyramide. La nécessité d'effectuer les essais dans une zone de champ homogène (plus ou moins 10 %) limite la zone de travail au rectangle 17 représenté sur la figure 2, qui est une vue en coupe selon le plan P du dispositif de l'invention, avec représentation des lignes isoniveaux de champ électrique dont les valeurs en volts/mètre correspondent à une tension de 1 volt The assembly has a characteristic impedance of 50 Q. This GTEM cell is closed by a wall 15 covered on its internal face by high-frequency absorbers in the form of contiguous pyramids which form between them an absorbent wall to prevent the transmission of a wave reflected in the volume of the cell. This absorbent wall is curved in the manner of a spherical segment whose center would be located in the region of the top of the pyramid. The need to carry out the tests in a homogeneous field area (more or less 10%) limits the working area to the rectangle 17 shown in FIG. 2, which is a sectional view along the plane P of the device of the invention , with representation of the isonelectric field lines whose values in volts / meter correspond to a voltage of 1 volt
sur le septum.on the septum.
Pour cette zone de travail 17 on a une différence maximum de 0,30 volts/mètre. En absence d'objet on arrive à obtenir une impédance For this work area 17 there is a maximum difference of 0.30 volts / meter. In the absence of an object we manage to obtain an impedance
caractéristique de 47,3 f.characteristic of 47.3 f.
On constate que la zone utile est petite devant les dimensions de la cellule: environ le tiers de la hauteur et le cinquième de la largeur. Sachant que ces cellules peuvent atteindre huit mètres de longueur, on mesure l'intérêt d'agrandir cette zone utile: on pourra ainsi tester des objets de plus grandes dimensions dans une cellule de taille plus It can be seen that the useful area is small compared to the dimensions of the cell: approximately one third of the height and one fifth of the width. Knowing that these cells can reach eight meters in length, we can measure the interest of enlarging this useful area: we will thus be able to test larger objects in a larger cell.
petite pour un coût inférieur.small for a lower cost.
Sur la figure 1 sont également représentées l'entrée 20 et la sortie 21 d'air servant au In FIG. 1 are also shown the inlet 20 and the outlet 21 of air used for
refroidissement de la cellule.cell cooling.
Une telle cellule GTEM présente des caractéristiques de très grande largeur de bande dans une gamme de fréquences d'utilisation allant du continu au GHz. Le mode TEM est utilisé pour simuler une onde plane incidente pour des tests de susceptibilité. Les données d'émission rayonnée dans la cellule peuvent être utilisées pour simuler des sites de test en zone ouverte ou des mesures en espace Such a GTEM cell has characteristics of very wide bandwidth in a range of operating frequencies going from continuous to GHz. TEM mode is used to simulate an incident plane wave for susceptibility testing. The emission data radiated in the cell can be used to simulate open area test sites or space measurements
libre.free.
L'idée de base de la propagation des ondes dans une telle cellule GTEM est de propager une onde légèrement sphérique émise par une source dans une ligne de transmission coaxiale rectangulaire et son extrémité hybride distribuée sans distorsions géométriques de l'onde TEM. Comme l'angle d'ouverture du guide d'onde est petite (< 20 degrés), l'onde sphérique non distordue peut être considérée comme se The basic idea of wave propagation in such a GTEM cell is to propagate a slightly spherical wave emitted by a source in a rectangular coaxial transmission line and its hybrid end distributed without geometric distortions of the TEM wave. As the opening angle of the waveguide is small (<20 degrees), the undistorted spherical wave can be considered to be
rapprochant d'une onde plane.approaching a plane wave.
Comme représenté sur la figure 1, le volume principal de la cellule GTEM est un tronçon de ligne de forme pyramidale d'une ligne de transmission 50 Q rectangulaire. La cellule commence avec une pointe dans laquelle la transition d'un connecteur coaxial 50 Q standard vers un guide d'onde rectangulaire asymétrique prend place. Le tronçon de charge distribuée utilise du matériau absorbant 14 pour l'extinction des ondes électromagnétiques (comme dans une chambre achénoïque) et une charge distribuée 13 comprenant, par exemple, une série de résistances 19 As shown in FIG. 1, the main volume of the GTEM cell is a section of line of pyramidal shape of a rectangular 50 Q transmission line. The cell begins with a tip in which the transition from a standard 50 Q coaxial connector to an asymmetrical rectangular waveguide takes place. The distributed charge section uses absorbent material 14 for quenching the electromagnetic waves (as in an achenoic chamber) and a distributed charge 13 comprising, for example, a series of resistors 19
pour l'extinction du courant.for switching off the current.
L'invention consiste à modifier la géométrie d'une telle cellule GTEM pour améliorer la qualité du The invention consists in modifying the geometry of such a GTEM cell to improve the quality of the
champ obtenu.field obtained.
Dans le dispositif de l'invention, la forme de la plaque 12, ou septum a été modifiée, comme représenté sur la figure 3, de manière à obtenir un champ électrique plus homogène, tout en ayant une plaque industriellement réalisable. Les autres In the device of the invention, the shape of the plate 12, or septum has been modified, as shown in FIG. 3, so as to obtain a more homogeneous electric field, while having an industrially feasible plate. Others
éléments de la cellule 10 sont conservés. elements of cell 10 are preserved.
Cette plaque 12 comporte, dans le sens transverse, une partie médiane 22 plane et des parties latérales 23 inclinées vers le bas d'un angle a de l'ordre de 135 par rapport à cette partie médiane de telle façon que l'impédance vue de la source reste Q, l'angle au sommet de la pyramide étant inférieur à 20 Sur la figure 3, la partie médiane 22 et les parties latérales 23 sont séparées par des zones This plate 12 comprises, in the transverse direction, a planar middle part 22 and lateral parts 23 inclined downwards at an angle a of the order of 135 relative to this middle part so that the impedance seen from the source remains Q, the angle at the top of the pyramid being less than 20 In FIG. 3, the middle part 22 and the side parts 23 are separated by zones
intermédiaires incurvées 24.curved intermediaries 24.
Pour permettre le passage des hautes tensions, des éléments arrondis anticorona 25, par exemple des cylindres ou des cônes, sont disposés aux extrémités To allow the passage of high voltages, rounded anticorona 25 elements, for example cylinders or cones, are arranged at the ends
respectives des parties latérales 23. respective sides 23.
Les valeurs en volts/mètre des lignes isoniveaux de champ électrique sont rapportées sur The values in volts / meter of the electric field level lines are reported on
cette figure comme si on avait 1 volt sur le septum. this figure as if we had 1 volt on the septum.
On obtient une zone de champ homogène représentée par le rectangle 17, pour laquelle on a une différence maximum de 0,09 volts/mètre (zone comprise entre 1,09 volts/m et 1,18 volts/mètre). En absence d'objet on We obtain a homogeneous field area represented by the rectangle 17, for which there is a maximum difference of 0.09 volts / meter (area between 1.09 volts / m and 1.18 volts / meter). If there is no object,
arrive à obtenir une impédance caractéristique de 50. achieves a characteristic impedance of 50.
Pour ne pas perturber le champ et ne pas être gêné par la forme du septum pour l'introduction d'objets dans la cellule, la porte d'accès est placée dans le fond de la cellule, alors que, dans les dispositifs de l'art connu, cette porte était placée sur un côté. Ainsi, on peut avoir les bords du septum plus bas sans pénaliser l'accessibilité à la zone de In order not to disturb the field and not to be obstructed by the shape of the septum for the introduction of objects into the cell, the access door is placed in the bottom of the cell, while, in the devices of the known art, this door was placed on one side. Thus, one can have the edges of the septum lower without penalizing the accessibility to the zone of
test.test.
Le dispositif de l'invention, de plus, est tel que le plan médian entre la plaque intermédiaire 12 ou septum et la paroi inférieure 18 de la pyramide 10 est situé dans un plan horizontal, alors que, dans les dispositifs de l'art connu, cette paroi 18 était située dans un plan horizontal, ce qui entraînait une différence d'amplitude de champ électrique entre le The device of the invention, moreover, is such that the median plane between the intermediate plate 12 or septum and the bottom wall 18 of the pyramid 10 is located in a horizontal plane, whereas, in the devices of the known art , this wall 18 was located in a horizontal plane, which resulted in a difference in electric field amplitude between the
haut et le bas d'une paroi verticale d'un même objet. top and bottom of a vertical wall of the same object.
Dans l'invention, un objet, disposé sur cette paroi 18, est perpendiculaire à la direction de propagation et le champ électrique, dans un même plan vertical, In the invention, an object, placed on this wall 18, is perpendicular to the direction of propagation and the electric field, in the same vertical plane,
reste homogène.remains homogeneous.
Dans un exemple de réalisation pour une cellule pyramidale de 8 m de longueur on a, à l'endroit o la pyramide forme une section de 2 m de largeur: - largeur de la section: 2 m In an exemplary embodiment for a pyramid cell 8 m long, we have, at the place where the pyramid forms a section 2 m wide: - width of the section: 2 m
- épaisseur du septum: 5 mm.- thickness of the septum: 5 mm.
- hauteur de la section: 1,36 m - hauteur au-dessus du septum: 45,5 cm hauteur au-dessous du septum: 90 cm - largeur de la partie médiane 22: 30 cm - largeur du septum: 159,6 cm - rayon de courbure de chaque zone intermédiaire incurvée 24: 66,4 cm - rayon des éléments anticorona 25: 4 cm - section height: 1.36 m - height above the septum: 45.5 cm height below the septum: 90 cm - width of the middle part 22: 30 cm - width of the septum: 159.6 cm - radius of curvature of each curved intermediate zone 24: 66.4 cm - radius of the anticorona elements 25: 4 cm
- angle a = 135 .- angle a = 135.
On peut alors obtenir un champ d'environ We can then obtain a field of approximately
kV/m.kV / m.
Les figures 4 à 6 représentent différentes variantes de réalisation du septum 22, dans des vues en coupe transversale, avec représentation des lignes isoniveaux de champ électrique. Des éléments arrondis anticorona peuvent, bien évidemment, être ajoutés à ce septum 22 comme sur la figure 3. Comme représenté sur les figures 4 et 5, on peut également tronquer les Figures 4 to 6 show different embodiments of the septum 22, in cross-sectional views, with representation of the isoniveaux lines of electric field. Rounded anticorona elements can, of course, be added to this septum 22 as in FIG. 3. As shown in FIGS. 4 and 5, the
angles inférieurs de la cellule.lower corners of the cell.
Le dispositif de l'invention, tel que représenté sur l'une des figures 3 à 6 est réalisé pour répondre aux critères d'optimisation suivants: l'impédance caractéristique de la cellule à vide vaut 50 Q. On admet une tolérance de 1, ce qui correspond tout de même à une excellente adaptation; - la zone d'homogénéité du champ est la plus large possible. Sauf indication contraire, cette zone correspond par la suite à la zone dans laquelle le module du champ électrique est compris entre -2dB et +2dB de sa valeur à mi- hauteur sous septum; - le champ a une polarisation verticale à l'intérieur de la zone de test; - on minimise la présence de pointes de champ qui pourraient entraîner un claquage dans le cas d'une utilisation de la cellule en champ pulsé à très haut niveau; - la facilité de réalisation mécanique ainsi que d'autres aspects pratiques (poids du septum, il accessibilité à la zone de test..) ont été pris en compte. The device of the invention, as shown in one of FIGS. 3 to 6, is designed to meet the following optimization criteria: the characteristic impedance of the vacuum cell is 50 Q. We accept a tolerance of 1, which still corresponds to an excellent adaptation; - the homogeneity of the field is as wide as possible. Unless otherwise indicated, this zone subsequently corresponds to the zone in which the module of the electric field is between -2dB and + 2dB of its value at mid-height under the septum; - the field has a vertical polarization inside the test area; - the presence of field spikes is minimized which could cause breakdown in the case of using the cell in a very high level pulsed field; - the ease of mechanical production as well as other practical aspects (weight of the septum, accessibility to the test area, etc.) have been taken into account.
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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FR2707399B1 (en) | 1995-08-11 |
DE4423544A1 (en) | 1995-01-12 |
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