FR2701316A1

FR2701316A1 - Bolometer network.

Info

Publication number: FR2701316A1
Application number: FR9401459A
Authority: FR
Inventors: Polturak Emil
Original assignee: Technion Research and Development Foundation Ltd
Current assignee: Technion Research and Development Foundation Ltd
Priority date: 1993-02-09
Filing date: 1994-02-09
Publication date: 1994-08-12
Also published as: IL104669A0; DE4403947A1

Abstract

Un réseau bolomètre pour imagerie infrarouge comprend un ensemble d'éléments thermosensibles disposés en au moins un réseau linéaire. Ces éléments, de préférence des films supraconducteurs, présentent une caractéristique Résistance - Température essentiellement linéaire sur une plage de travail prédéterminée définie par les points WRL et WRH , qui sont les points bas et haut de la plage de travail, et une variation de résistance relativement faible pour une variation de température relativement élevée au-dessus de la plage de travail. Ces éléments sont polarisés en un point commun de telle sorte qu'ils offrent tous la résistance R1 après avoir été ainsi polarisés, et la résistance R2 après avoir été exposés à la chaleur rayonnée à mesurer. Un film résistif pour chaque élément thermosensible peut être excité par une source de courant pour chauffer séparément les éléments thermosensibles en un troisième point WR3 situé dans la plage de travail à un niveau égal ou supérieur à celui du point WRH . Un circuit de mesure permet de mesurer les chutes de tension à travers les éléments thermosensiblesA bolometer array for infrared imaging comprises a set of thermosensitive elements arranged in at least one linear array. These elements, preferably superconducting films, exhibit an essentially linear Resistance-Temperature characteristic over a predetermined working range defined by the WRL and WRH points, which are the low and high points of the working range, and a change in resistance relatively low for a relatively high temperature variation above the working range. These elements are polarized at a common point such that they all offer resistance R1 after having been thus polarized, and resistance R2 after having been exposed to the radiated heat to be measured. A resistive film for each thermosensitive element can be excited by a current source to separately heat the thermosensitive elements at a third point WR3 located in the working range at a level equal to or greater than that of the WRH point. A measuring circuit allows voltage drops to be measured across temperature sensitive elements

Description

ii

RESEAU BOLOMETREBOLOMETER NETWORK

La présente invention concerne les réseaux bolomètres, en particulier ceux qui sont utilisés en imagerie infrarouge L'invention est particulièrement utile lorsqu'elle est réalisée dans des réseaux bolomètres en étoile mis en oeuvre dans un plan focal d'imagerie dans lesquels les éléments bolomètres thermosensibles sont des films supraconducteurs, et l'invention est donc décrite ci- dessous en regard de The present invention relates to bolometer networks, in particular those which are used in infrared imaging. The invention is particularly useful when it is carried out in star bolometer networks implemented in a focal imaging plane in which the thermosensitive bolometer elements are superconductive films, and the invention is therefore described below with reference to

cette application.this application.

Les réseaux bolomètres sont largement utilisés en imagerie infrarouge, dans laquelle sont mesurées les variations, induites par la radiation, de la résistance électrique des éléments bolomètres thermosensibles afin de permettre une mesure de la quantité de radiation absorbée par chaque élément Un type de réseau bolomètre comprend un réseau en étoile à deux Bolometer networks are widely used in infrared imaging, in which the variations, induced by radiation, of the electrical resistance of heat-sensitive bolometer elements are measured in order to allow a measurement of the amount of radiation absorbed by each element. One type of bolometer network includes a two-star network

dimensions constitué de tels éléments thermosensibles. dimensions made up of such heat-sensitive elements.

La température de chaque élément est mesurée en connectant l'élément à une source de courant et en lisant la tension à ses bornes au moyen d'un amplificateur de tension Un réseau constitué de N x N éléments nécessiterait N 2 amplificateurs et 4 N 2 contacts Typiquement, N vaut 256 Ceci rend un tel système très coûteux à la production, et la réalisation The temperature of each element is measured by connecting the element to a current source and reading the voltage across its terminals by means of a voltage amplifier. A network made up of N x N elements would require N 2 amplifiers and 4 N 2 contacts. Typically, N is equal to 256 This makes such a system very expensive to produce, and to produce

d'un nombre si élevé de contacts difficile à réaliser. such a high number of contacts difficult to achieve.

Selon la présente invention, on propose un réseau bolomètre pour imagerie infrarouge comprenant: une pluralité d'éléments thermosensibles disposée en au moins un réseau linéaire, les éléments thermosensibles présentant une caractéristique Résistance-Température essentiellement linéaire sur une plage de travail prédéterminée définie par les points WRL et WRH, qui sont respectivement les points bas et haut de la plage de travail, les éléments thermosensibles présentant en outre une variation de résistance relativement faible pour une variation de température relativement élevée au-dessus de la plage de travail; des moyens de polarisation pour tous les éléments thermosensibles en un point commun WR 1, de telle sorte qu'ils présentent tous la résistance R 1 après avoir été ainsi polarisés, et la résistance R 2 après avoir été exposés à la chaleur rayonnée à mesurer; un film résistif pour chaque élément sensible à la température pouvant être excité par une source de courant pour chauffer séparément les éléments thermosensibles en un troisième point WR 3; et un circuit de mesure permettant de mesurer les chutes de tension à travers les éléments thermosensibles. Comme indiqué ci-dessous, une telle chute de tension à travers un élément thermosensible varie essentiellement linéairement avec sa résistance R 2, et According to the present invention, there is provided a bolometer network for infrared imaging comprising: a plurality of heat-sensitive elements arranged in at least one linear network, the heat-sensitive elements having an essentially linear resistance-temperature characteristic over a predetermined working range defined by the points WRL and WRH, which are respectively the low and high points of the working range, the heat-sensitive elements furthermore presenting a relatively small variation in resistance for a relatively high temperature variation above the working range; polarization means for all the heat-sensitive elements at a common point WR 1, so that they all have the resistance R 1 after being thus polarized, and the resistance R 2 after being exposed to the radiated heat to be measured; a resistive film for each temperature-sensitive element which can be excited by a current source to heat the heat-sensitive elements separately at a third point WR 3; and a measurement circuit for measuring voltage drops across the heat sensitive elements. As indicated below, such a voltage drop across a thermosensitive element varies essentially linearly with its resistance R 2, and

donc avec sa température.so with its temperature.

Comme cela sera décrit également plus particulièrement ci- dessous, l'appareil de la présente invention ne nécessite qu'une seule source de courant, et un nombre d'amplificateurs et de contacts essentiellement inférieur à celui d'un système conventionnel Par exemple, dans un dispositif comprenant un réseau à deux dimensions d'éléments thermosensibles, un film résistif peut être disposé pour chaque rangée de tels éléments, un amplificateur pour chaque colonne de tels éléments, et un seul contact (à part le point commun à la terre) pour chaque As will also be described more particularly below, the apparatus of the present invention requires only a single current source, and a number of amplifiers and contacts essentially lower than that of a conventional system. a device comprising a two-dimensional network of heat-sensitive elements, a resistive film can be arranged for each row of such elements, an amplifier for each column of such elements, and a single contact (apart from the point common to earth) for each

couple rangée et colonne.row and column pair.

D'autres caractéristiques et avantages de Other features and benefits of

l'invention apparaîtront à partir la description ci- the invention will appear from the description below

dessous. L'invention est décrite ici, sur la base d'exemple seulement, en se référant aux dessins ci- joints dans lesquels: La Fig 1 représente un type de dispositif bolomètre comprenant un ensemble d'éléments thermosensibles pour imagerie infrarouge (IR) permettant de mesurer la radiation IR selon la présente invention; La Fig 2 représente le diagramme en coupe du dispositif de la Fig 1; La Fig 3 représente le diagramme de la caractéristique Résistance Température de chaque élément thermosensible du dispositif des Figs 1 et 2; La Fig 4 représente un diagramme de la tension de sortie de l'amplificateur dans le dispositif de la Fig 1 comme fonction de l'intensité de la chaleur rayonnée qui est mesurée; La Fig 5 représente un diagramme des éléments principaux d'un dispositif bolomètre comprenant un réseau à deux dimensions d'éléments thermosensibles réalisé selon la présente invention; et la Fig 6 représente un diagramme des contacts du below. The invention is described here, on the basis of example only, with reference to the accompanying drawings in which: FIG. 1 represents a type of bolometer device comprising a set of heat-sensitive elements for infrared imaging (IR) making it possible to measuring the IR radiation according to the present invention; Fig 2 shows the sectional diagram of the device of Fig 1; Fig 3 represents the diagram of the Temperature Resistance characteristic of each thermosensitive element of the device of Figs 1 and 2; FIG. 4 represents a diagram of the output voltage of the amplifier in the device of FIG. 1 as a function of the intensity of the radiated heat which is measured; FIG. 5 represents a diagram of the main elements of a bolometer device comprising a two-dimensional network of heat-sensitive elements produced according to the present invention; and Fig 6 shows a diagram of the contacts of the

dispositif bolomètre de la Fig 5.bolometer device of Fig 5.

En se reportant d'abord à la Fig 1, on représente un dispositif bolomètre comprenant un réseau linéaire d'éléments thermosensibles connectés en série 51 Sn disposés en colonne verticale (ou en rangée horizontale) La colonne d'éléments est polarisée en courant par une source de courant continu commune DCS, et est connectée à l'amplificateur A du circuit de Referring first to Fig 1, there is shown a bolometer device comprising a linear network of heat-sensitive elements connected in series 51 Sn arranged in a vertical column (or in a horizontal row) The column of elements is current polarized by a DCS common direct current source, and is connected to amplifier A of the circuit

mesure MS via un réseau R-C.MS measurement via an R-C network.

Le dispositif bolomètre représenté à la Fig 1 comprend en outre un ensemble de lignes de commande CL 1C Ln, avec une ligne pour chaque élément thermosensible Sl Sn Ces lignes de commande sont des films résistifs qui peuvent être excités séparément pour lire la température de leurs éléments respectifs The bolometer device shown in FIG. 1 further comprises a set of control lines CL 1C Ln, with a line for each thermosensitive element Sl Sn These control lines are resistive films which can be excited separately to read the temperature of their elements respective

51 Sn.51 Sn.

La Fig 2 représente le diagramme en coupe du dispositif bolomètre de la Fig l Les éléments thermosensibles Sl Sn sont donc des films supraconducteurs déposés sur un substrat SBT (par ex. Si ou Mg O) transparent à la radiation IR mesurée Une mince couche isolante INS (par ex Si O) est déposée sur les films supraconducteurs Sl Sn Les films résistifs (par ex du polysilicone) constituant les lignes de commande CL 1 C Ln sont déposés par dessus le film isolant INS pour être en relation d'échange Fig 2 shows the sectional diagram of the bolometer device in Fig l The Sl Sn heat-sensitive elements are therefore superconductive films deposited on an SBT substrate (eg Si or Mg O) transparent to the measured IR radiation A thin insulating layer INS (eg Si O) is deposited on the Sl Sn superconductive films The resistive films (eg polysilicon) constituting the control lines CL 1 C Ln are deposited on top of the insulating film INS to be in exchange relationship

thermique avec les films supraconducteurs Sî Sn. thermal with Sî Sn superconductive films.

La Fig 3 représente la caractéristique Résistance Température des films supraconducteurs utilisés comme éléments thermosensibles 51 Sn Particulièrement utiles pour de tels éléments, on trouve les bolomètres à film mince à couche épitaxiée YBCO (Y Ba 2 Cu 3 07) sur plaques Si qui ont été récemment développés De tels films supraconducteurs offrent une caractéristique Résistance Température essentiellement linéaire sur une plage de travail prédéterminée, définie par les points WRL et WRH sur la Fig 3, qui sont les points bas et haut de la plage de travail linéaire Au dessus de cette plage de travail, les films supraconducteurs présentent une variation de résistance relativement faible pour une variation de température relativement élevée, typiquement cinquante fois inférieure à celle Fig. 3 represents the Temperature Resistance characteristic of the superconductive films used as thermosensitive elements 51 Sn Particularly useful for such elements, there are bolometers with thin film with epitaxial layer YBCO (Y Ba 2 Cu 3 07) on Si plates which have been recently developed Such superconductive films offer an essentially linear Temperature Resistance characteristic over a predetermined working range, defined by the points WRL and WRH in FIG. 3, which are the low and high points of the linear working range Above this range of work, the superconductive films have a relatively small variation in resistance for a relatively high temperature variation, typically fifty times less than that

rencontrée dans la plage de travail. encountered in the working range.

Le dispositif représenté à la Fig 1 fonctionne de la manière suivante: La source de courant direct DCS de la Fig 1 polarise tous les films supraconducteurs 51 Sn de la colonne verticale au point WR 1 de la plage de travail, de telle sorte que tous les films supraconducteurs présentent la même résistance R 1 Lorsque les éléments supraconducteurs 51 Sn sont exposés à la radiation IR à mesurer, la température de chaque élément s'élève au point WR 2 de la plage de travail, correspondant à la The device represented in FIG. 1 works in the following way: The direct current source DCS of FIG. 1 polarizes all the superconductive films 51 Sn of the vertical column at the point WR 1 of the working range, so that all the superconductive films have the same resistance R 1 When the 51 Sn superconductive elements are exposed to the IR radiation to be measured, the temperature of each element rises to the point WR 2 of the working range, corresponding to the

quantité de radiation absorbée par l'élément considéré. amount of radiation absorbed by the element under consideration.

Chaque film supraconducteur 51 Sn présente donc une résistance (R 2) correspondant à sa température, soit à Each superconductive film 51 Sn therefore has a resistance (R 2) corresponding to its temperature, ie at

la quantité de radiation IR qu'il a absorbée. the amount of IR radiation it has absorbed.

Cet état persiste pendant une période de temps relativement longue puisque la radiation varie très lentement (plusieurs millisecondes) La capacité C de la Fig l est choisie de telle sorte que le réseau de filtres R-C élimine les composantes basse fréquence de la tension à travers les éléments 51 Sn correspondants aux variations lentes de l'intensité de radiation externe, et ne transfert pas ces variations à l'amplificateur A. Lorsque l'on souhaite lire la température des éléments supraconducteurs Sl Sn respectifs, on applique une impulsion de courant rapide (d'environ une microseconde) sur la ligne de commande CL de l'élément dont on veut lire la température L'impulsion de commande chauffe rapidement (dans le délai rapide indiqué précédemment) l'élément supraconducteur S au point WR 3 du diagramme de la Fig 3, c'est-à-dire à un niveau égal ou supérieur à celui du point WRH (qui est This state persists for a relatively long period of time since the radiation varies very slowly (several milliseconds) The capacitance C of Fig l is chosen so that the network of RC filters eliminates the low frequency components of the voltage across the elements 51 Sn corresponding to the slow variations in the intensity of external radiation, and do not transfer these variations to the amplifier A. When one wishes to read the temperature of the respective superconducting elements Sl Sn, a fast current pulse is applied (d '' about a microsecond) on the control line CL of the element whose temperature is to be read The control pulse rapidly heats (within the rapid delay indicated above) the superconducting element S at point WR 3 of the diagram in FIG 3, i.e. at a level equal to or higher than that of the WRH point (which is

le point le plus haut de la plage de travail linéaire). the highest point of the linear working range).

Comme la variation de résistance est relativement faible au dessus de la plage de travail linéaire, la résistance de l'élément actif au point 3 est effectivement la même qu'au point WRH, désigné comme point 4 sur la Fig 3 Comme la résistance (R 4) est essentiellement la même pour tous les éléments supraconducteurs 51 Sn au point 4 de la Fig 3, on voit que les chutes de tension à travers les éléments supraconducteurs varient directement avec leur résistance (R 2) au point WR 2 dans la plage de travail As the variation in resistance is relatively small above the linear working range, the resistance of the active element at point 3 is effectively the same as at point WRH, designated as point 4 in Fig 3 As the resistance (R 4) is essentially the same for all the 51 Sn superconducting elements at point 4 of FIG. 3, it can be seen that the voltage drops across the superconducting elements vary directly with their resistance (R 2) at point WR 2 in the range of job

représentée à la Fig 3.shown in Fig 3.

Le signal à variation rapide émis par les éléments bolomètres est transféré par le réseau RC à l'amplificateur A La sortie de l'amplificateur A est donc une fonction essentiellement linéaire de l'intensité de la radiation IR externe, comme indiqué à The rapidly varying signal emitted by the bolometer elements is transferred by the RC network to amplifier A The output of amplifier A is therefore an essentially linear function of the intensity of external IR radiation, as indicated in

la Fig 4.Fig 4.

Le dispositif bolomètre représenté sur les figures 1 et 2 utilise donc les éléments suivants: ( 1) la constante de temps des éléments supraconducteurs 51 Sn pour atteindre l'équilibre thermique avec le substrat SBT est relativement longue (de l'ordre de la milliseconde); ( 2) la constante de temps pour que l'élément supraconducteur atteigne son propre équilibre thermique est beaucoup plus faible, de l'ordre de la microseconde; et ( 3) les variations de la radiation IR externe sont relativement lentes (de l'ordre de plusieurs millisecondes) En conséquence, on utilise la faible constante de temps nécessaire pour que le film supraconducteur atteigne son propre équilibre thermique pour lire la température de l'élément supraconducteur Sî Sn en émettant des impulsions sur ses lignes de commande CL 1 C Ln; en revanche, la constante de temps relativement élevée nécessaire aux éléments supraconducteurs pour atteindre l'équilibre thermique avec leur substrat pendant les variations de la radiation IR externe est utilisée pour permettre à un seul amplificateur A de lire la température de tous les The bolometer device represented in FIGS. 1 and 2 therefore uses the following elements: (1) the time constant of the superconducting elements 51 Sn to reach thermal equilibrium with the substrate SBT is relatively long (of the order of a millisecond) ; (2) the time constant for the superconducting element to reach its own thermal equilibrium is much lower, on the order of a microsecond; and (3) the variations of the external IR radiation are relatively slow (of the order of several milliseconds) Consequently, the low time constant necessary for the superconductive film to reach its own thermal equilibrium is used to read the temperature of the 'superconducting element Sî Sn by emitting pulses on its control lines CL 1 C Ln; on the other hand, the relatively high time constant necessary for the superconducting elements to reach thermal equilibrium with their substrate during the variations of the external IR radiation is used to allow a single amplifier A to read the temperature of all the

éléments supraconducteurs 51 Sn.superconducting elements 51 Sn.

La Fig 5 représente un dispositif bolomètre comprenant un réseau à deux dimensions d'éléments thermosensibles produit par un film prédéfini de matériau supraconducteur qui définit un ensemble de rangées horizontales et de colonnes verticales d'éléments supraconducteurs thermosensibles Tous ces éléments sont polarisés par une source 4 de courant commune DC connectée en parallèle sur toutes les colonnes à travers des résistances élevées de façon à polariser en continu les éléments supraconducteurs au FIG. 5 represents a bolometer device comprising a two-dimensional network of heat-sensitive elements produced by a predefined film of superconductive material which defines a set of horizontal rows and vertical columns of heat-sensitive superconductive elements All these elements are polarized by a source 4 DC common current connected in parallel on all columns through high resistances so as to continuously polarize the superconducting elements at

point WR 1 de la Fig 3.point WR 1 of Fig 3.

Le dispositif représenté sur la Fig 5 comprend en outre un ensemble de lignes de commandes, désignées en général par 6, réalisées sous forme de films résistifs (correspondants aux CL 1 C Ln des Figs 1 et 2) en relation d'échange thermique avec les éléments supraconducteurs Il y a une ligne de commande pour The device shown in FIG. 5 further comprises a set of control lines, generally designated by 6, produced in the form of resistive films (corresponding to the CL 1 C Ln of FIGS. 1 and 2) in heat exchange relationship with the superconducting elements there is a command line for

chaque rangée horizontale d'éléments supraconducteurs. each horizontal row of superconductive elements.

Les lignes de commande 6 sont commandées par un multiplexeur 8 permettant d'appliquer des impulsions de courant séquentiellement aux lignes de commande, comme indiqué précédemment On dispose d'un ensemble d'amplificateurs 10, un par colonne verticale d'éléments supraconducteurs 2 Chaque amplificateur 10 représenté sur la Fig 5 comprend l'amplificateur A et The control lines 6 are controlled by a multiplexer 8 making it possible to apply current pulses sequentially to the control lines, as indicated above. There is a set of amplifiers 10, one per vertical column of superconducting elements 2 Each amplifier 10 shown in FIG. 5 comprises the amplifier A and

également la capacité C représentée sur la Fig l. also the capacity C shown in FIG.

Le multiplexeur de commande 8 applique séquentiellement des impulsions de courant aux lignes de commandes 6 pour lire la température des éléments supraconducteurs à raison d'une rangée à la fois Le déclenchement séquentiel des lignes de commande permet l'acquisition des données de température de tout le réseau Un multiplexeur de signal 12 reçoit les données de température de tous les amplificateurs 10 en parallèle. On voit donc que dans le dispositif représenté sur la Fig 5, un amplificateur séparé (et une capacité) n'est nécessaire que pour chaque colonne verticale d'éléments supraconducteurs de la matrice à deux dimensions plutôt que pour chacun des éléments supraconducteurs Une telle réalisation permet aussi d'effectuer les connections sur les rangées et colonnes au bord de la matrice Ceci est montré sur la Fig 6 dans laquelle on fournit un seul contact ou pastille de contact Pl pour chaque colonne d'éléments supraconducteurs 51 Sn et un seul contact ou pastille de contact P 2 pour chaque rangée des éléments résistif S CL 1 C Ln, le second contact de chaque rangée et colonne étant réalisé par le point commun à la terre (non représenté) Une telle réalisation simplifie beaucoup l'intégration du système puisque les techniques standard d'interconnexion filaire peuvent être utilisées au lieu d'avoir à disposer un circuit séparé à l'arrière du réseau L'ensemble du circuit intégré comprenant les N- amplificateurs, les multiplexeurs, etc peut être contenu tout entier dans The control multiplexer 8 sequentially applies current pulses to the control lines 6 to read the temperature of the superconducting elements one row at a time. The sequential triggering of the control lines allows the acquisition of temperature data from all network A signal multiplexer 12 receives the temperature data from all the amplifiers 10 in parallel. It can therefore be seen that in the device shown in FIG. 5, a separate amplifier (and a capacitor) is only necessary for each vertical column of superconductive elements of the two-dimensional matrix rather than for each of the superconductive elements. also allows connections to be made on the rows and columns at the edge of the matrix. This is shown in FIG. 6 in which a single contact or contact pad P1 is provided for each column of superconductive elements 51 Sn and a single contact or contact pad P 2 for each row of resistive elements S CL 1 C Ln, the second contact in each row and column being made by the point common to the ground (not shown) Such an embodiment greatly simplifies the integration of the system since the standard wired interconnection techniques can be used instead of having to have a separate circuit at the back of the network of the integrated circuit comprising the N-amplifiers, the multiplexers, etc. can be entirely contained in

le plan focal comme indiqué sur la Fig 5. the focal plane as shown in Fig 5.

Comme on a décrit l'invention en se référant à plusieurs réalisations préférées telles que représentées sur les dessins ci- joints, on peut comprendre que celles-ci sont fournies simplement à titre d'exemple et que de nombreuses variations peuvent être effectuées Par exemple, on peut utiliser l'invention avec un réseau linéaire d'éléments thermosensibles De même, de tels éléments peuvent être disposés en rangées horizontales et les films résistifs des lignes de commande disposés en colonnes verticales. En outre, l'invention peut être utilisée en mettant en5 oeuvre d'autres éléments thermosensibles offrant les caractéristiques Résistance Température décrites As the invention has been described with reference to several preferred embodiments as shown in the attached drawings, it can be understood that these are provided simply by way of example and that numerous variations can be made. For example, the invention can be used with a linear network of heat-sensitive elements. Similarly, such elements can be arranged in horizontal rows and the resistive films of the control lines arranged in vertical columns. In addition, the invention can be used by using other heat-sensitive elements offering the temperature resistance characteristics described.

précédemment De nombreuses autres variations, modifications et applications de cette invention deviendront apparentes. previously Many other variations, modifications and applications of this invention will become apparent.

Claims

CLAIMS:

1 bolometer for infrared imaging comprising: a set of heat-sensitive elements arranged in at least one linear network, said heat-sensitive elements offering an essentially linear temperature resistance characteristic over a predetermined working range defined by the points WRL and WRH, which are respectively the points bottom and top of said working range, said heat-sensitive elements also having a relatively small variation in resistance for a relatively high temperature variation beyond said working range; polarization means for all of said heat-sensitive elements at a common point WR 1, so that they all have the resistance R1 after having been thus polarized, and the resistance R 2 after having been exposed to the radiated heat to be measured; a resistive film for each of said temperature-sensitive elements which can be excited by a current source to separately heat the heat-sensitive elements at a third point WR 3 located in the working range at a level equal to or greater than that of the point WRH; and a measurement circuit for measuring voltage drops across said heat-sensitive elements.

2 Bolometer network according to Claim 1,

further comprising the means for sequentially energizing said resistive films by short current pulses, and a capacitance coupling said heat-sensitive elements to said measurement circuit so that the measurement circuit receives only the outputs of the heat-sensitive elements when momentum on their respective resistive films. 3 bolometer network according to claim 1 or 2, in which said heat-sensitive elements are arranged in a two-dimensional network of rows and columns, and comprising a resistive film for each of said rows and an amplifier for each of said columns 4 bolometer network according to Claim 3, wherein said biasing means comprises a common direct current source connected in

parallel to all columns.

Bolometer network according to Claim 3 or 4, in which a single contact is arranged for each column of heat-sensitive elements and a single contact

is arranged for each row of resistive films.

6 Bolometer network according to any one of

Claims 1-4, wherein said elements

thermosensitive are superconductive films on a

common substrate.

7 bolometer network according to claim 5, in which said substrate is transparent to infrared radiation, said superconductive films are applied to the mentioned substrate and said resistive films are applied to said superconductive films.