FR2666458A1 - Emetteur laser a faible largeur spectracle utilisant un laser maitre et un laser esclave. - Google Patents
Emetteur laser a faible largeur spectracle utilisant un laser maitre et un laser esclave. Download PDFInfo
- Publication number
- FR2666458A1 FR2666458A1 FR9010889A FR9010889A FR2666458A1 FR 2666458 A1 FR2666458 A1 FR 2666458A1 FR 9010889 A FR9010889 A FR 9010889A FR 9010889 A FR9010889 A FR 9010889A FR 2666458 A1 FR2666458 A1 FR 2666458A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- laser
- slave
- radiation
- master
- semiconductor structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 title claims abstract description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
- 238000006757 chemical reactions by type Methods 0.000 claims 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- YWVCYGLMOFNBMY-UHFFFAOYSA-N 5-amino-3-[(3-chloro-2-hydroxy-5-nitrophenyl)diazenyl]-4-hydroxynaphthalene-2,7-disulfonic acid Chemical compound Nc1cc(cc2cc(c(N=Nc3cc(cc(Cl)c3O)[N+]([O-])=O)c(O)c12)S(O)(=O)=O)S(O)(=O)=O YWVCYGLMOFNBMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000282342 Martes americana Species 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/105—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
- H01S3/1055—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length one of the reflectors being constituted by a diffraction grating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4006—Injection locking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
La cavité du laser maître (M) comprend un réseau de diffraction (16) extérieur et une face réfléchissante (12). Le laser esclave (E) peut être du type DFB. L'ensemble délivre une forte puissance optique avec une faible largeur spectrale. Application aux télécommunications optiques.
Description
EMETTEUR LASER A FAIBLE LARGEUR SPECTRALE
UTILISANT UN LASER MAITRE ET UN LASER ESCLAVE
DESCRIPTION
La présente invention a pour objet un émetteur laser à faible largeur spectraLe utilisant un laser martre et un laser esclave.
UTILISANT UN LASER MAITRE ET UN LASER ESCLAVE
DESCRIPTION
La présente invention a pour objet un émetteur laser à faible largeur spectraLe utilisant un laser martre et un laser esclave.
ELLe trouve une application en télécommunications optiques.
Les composants lasers actuels utilisés en télécommunications optiques sont le plus souvent à réaction distribuée (ou DFB en abrégé pour "Distributed Feed Back"). Ils possèdent une largeur spectrale de plusieurs dizaines de Mégahertz, ce qui limite leur utilisation dans ce domaine, principalement dans
Les techniques de modulation par déplacement de fréquence ou de phase.
Les techniques de modulation par déplacement de fréquence ou de phase.
La présente invention a pour but de remédier à cet inconvénient en proposant un émetteur laser à largeur spectrale réduite.
A cette fin, L'invention applique une technique generale connue, qui est celle du verrouillage par injection optique locking"). Cette technique est décrite notamment dans l'article de P. GALLION, H. NAKAJIMA, G. DEBARGE et C. CHABRAN, intitulé "Contribution of spontaneous emission to the Linewidth of an injection locked semiconductor Laser11, publié dans La revue Electronics
Letters, juillet 1985, vol. 21, n014 ainsi que dans
L'article de S. KOBAYASHI et T. KITAMURA, intitulé "Injection locking in AlGaAs semiconductor Laser11, publié dans La revue IEEE Journal of Quantum
Electronics, voL. QE-17, nO 5, mai 1981.
Letters, juillet 1985, vol. 21, n014 ainsi que dans
L'article de S. KOBAYASHI et T. KITAMURA, intitulé "Injection locking in AlGaAs semiconductor Laser11, publié dans La revue IEEE Journal of Quantum
Electronics, voL. QE-17, nO 5, mai 1981.
Cette technique consiste à injecter dans la cavité d'un laser (dit laser esclave) un rayonnement lumineux émis par un autre laser (dit Laser maître). Une synchronisation se produit lorsque la longueur d'onde du laser esclave se cale sur celle du Laser maître. Ainsi, toute variation de fréquence du laser maître entraîne une même variation de fréquence du laser esclave, et ceci sur une certaine plage de frequence appelée plage d'accrochage.
La largeur de cette plage d'accrochage dépend de la puissance lumineuse injectée dans la cavité du laser esclave. Elle atteint en général plusieurs
GigaHertz. Cette puissance injectée est de quelques microWatts.
GigaHertz. Cette puissance injectée est de quelques microWatts.
La présente invention préconise d'appliquer cette technique avec, comme laser maître, un laser semiconducteur de très haute pureté spectrale (mais d'assez faible puissance) et un laser esclave de moins bonne pureté spectrale mais de forte puissance, par exemple de type DFB. Le laser esclave se voit ainsi conféré à la fois une bonne finesse spectrale et une accordabilité en longueur d'onde, qualités qu 'il n'avait pas intrinsèquement, tout en conservant sa puissance optique.
De façon plus précise, l'invention a pour objet un émetteur laser comprenant un premier Laser, dit laser maître, formé d'une première structure semiconductrice et émettant un premier rayonnement à une certaine frequence, un second Laser, dit laser esclave, formé d'une seconde structure semiconductrice, des moyens optiques pour injecter le premier rayonnement dans la seconde structure semiconductrice du
Laser esclave, celui-ci émettant alors un second rayonnement à ladite fréquence du premier rayonnement, cet émetteur étant caractérisé par le fait que le laser maître est à faible largeur spectrale et est accordable en longueur d'onde et le laser esclave est d'un type forte puissance, par exemple à réaction distribuée.
Laser esclave, celui-ci émettant alors un second rayonnement à ladite fréquence du premier rayonnement, cet émetteur étant caractérisé par le fait que le laser maître est à faible largeur spectrale et est accordable en longueur d'onde et le laser esclave est d'un type forte puissance, par exemple à réaction distribuée.
De préférence, le laser maître comprend une cavité résonante formée par une face réfléchissante de la première structure semiconductrice (l'autre face étant transparente), et par un moyen réfléchissant extérieur à la première structure semiconductrice.
De manière avantageuse, le moyen réfléchissant extérieur à la première structure semiconductrice est un réseau de diffraction.
Le laser maître utilisé dans L'invention peut présenter une largeur spectrale de 50kHz et il peut être accordable en longueur d'onde sur plusieurs dizaines de nanomètres en mode discontinu (par réglage manuel de l'orientation du réseau de diffraction) et sur 0,4 nanomètre en mode continu à l'aide d'une cale piézo-électrique.
De toute façon, les caractéristiques et avantages de L'invention apparaîtront mieux à la lumière de la description qui va suivre. Cette description porte sur des exemples de réalisation donnés à titre explicatif et nullement limitatif et elle se réfère à des dessins annexés, sur lesquels
- La figure 1 montre une première varian
te à laser DFB accessible par deux faces ;
- la figure 2 montre une seconde variante
à laser DFB accessible par une seule face ;
- la figure 3 montre la largeur spectrale
du Laser en fonction de la puissance
optique émise.
- La figure 1 montre une première varian
te à laser DFB accessible par deux faces ;
- la figure 2 montre une seconde variante
à laser DFB accessible par une seule face ;
- la figure 3 montre la largeur spectrale
du Laser en fonction de la puissance
optique émise.
Le dispositif représenté sur la figure 1 comprend un laser maître M et un laser esclave E.
Le laser maître M comprend une structure semicondutrice 10 (par exemple en GaALAs) avec deux faces 12, 14, un réseau de diffraction 16 monté pivotant autour d'un axe et pouvant être déplacé autour de cet axe au moyen d'un support piezoélectrique 18. Une lentille 20 est disposée entre la structure semiconductrice et le réseau. La face 12 est réfléchissante (soit par clivage naturel, soit, au besoin, par dépôt de couches réfléchissantes). La face 14 n'est pas ou est peu réfléchissante. Elle peut être recouverte d'une couche anti-reflet.
Le laser maître émet un rayonnement RM.
Ce rayonnement est dirigé sur une lentille 22, traverse un isolateur 34, une lame demi-onde 36 et enfin une lentille 33.
Le laser esclave E comprend une structure semi-conductrice 30, par exemple de type DFB (c'est-à-dire que sa couche active comprend un réseau longitudinal provoquant une contre-reaction optique distribuée tout le long de la couche active). Les faces de cette structure sont referencees ré 31 et 32.
Le laser esclave E émet un rayonnement RE.
Le fonctionnement de ce dispositif est le suivant. Du fait de la nature de sa cavité resonan- te, qui est très surtendue, le laser maître présente une largeur spectrale très faible, de L'ordre de 50kHz.
Cette largeur est imposée au Laser esclave, lequel, par son type (DFB), présenterait une largeur beaucoup plus grande (de L'ordre de plusieurs dizaines de Mega- hertz) s'il était utilisé seul. Par l'effet de verrouillage, la largeur spectrale du laser esclave va se trouver réduite à celle du laser maître. Mais celui-ci, s'il est très pur spectralement, délivre peu de puissance. C'est le laser esclave qui suppleera à cette carence, en fournissant la puissance requise.
L'ensemble présentera donc les deux qualités requises pour un émetteur optique adapté aux télécommunications : finesse spectrale et puissance optique.
L'injection optique dans le laser esclave peut se faire, soit par L'intermédiaire d'un objectif de microscope (comme illustré avec la lentille symbolique 33), soit par une fibre Lentille.
Les champs des rayonnements optiques du laser maître et du laser esclave devant être polarisés selon la même direction, il est nécessaire d'ajuster L'état de polarisation du rayonnement optique après l'isolateur 34. Dans le cas d'une injection en propagation libre, c'est le rôle de la lame demi-onde 36 qui rétablit la polarisation dans le plan horizontal qui est ce lui de la couche active du laser esclave.
Dans le cas d'une injection en propagation guidée, on utilisera une fibre à maintien de polarisation munie de connecteurs tournants pour ajuster la polarisation. Les portions de fibres classiques utilisées dans le dispositif seront les plus courtes possibles.
En régime de synchronisation, le laser esclave peut être accordé sur une plage de fréquence correspondant à la bande d'accrochage en faisant varier la tension de la cale piézo-électrique 18 du laser maître M. Le réseau pivote alors autour de son axe ce qui modifie L'angle d'incidence et la longueur d'onde pour laquelle la condition dite de BRAGG est satisfaite. Le laser DFB devient ainsi accordabLe sur quelques Gigahertz.
Par ailleurs, en régime libre, les réflexions de Lumières parasites perturbent le fonctionnement du laser et un isolateur optique tel que 34 est indispensable si l'on veut conserver un spectre en longueur d'onde stable et monomode.
En revanche, en régime de synchronisation, la fréquence du laser esclave reste verrouillée sur celle du laser maître et le Laser devient donc insensible aux réflexions parasites, à condition toutefois que les sauts de mode normalement occasionnes par ces réflexions restent dans les limites de la bande d'accrochage. Ainsi, L'isolateur optique n'est plus indispensable, ce qui permet d'éviter les pertes (3dB) introduites par ce dernier.
La variante de la figure 1 correspond au cas où le laser esclave E est accessible par ses deux faces 31 et 32. Mais ce laser peut n'être accessible que par L'une de ses faces, ce qui est generalement le cas pour les lasers du commerce. L'injection et
L'émission doivent alors s'effectuer par la face avant 31. Cette variante est illustré sur la figure 2. Le dispositif représenté comprend des moyens déjà représentés sur la figure 1 et qui portent les mêmes références. La différence est que la face 32 est totalement réfléchissante. Il comprend en outre un coupleur optique 40 disposé entre l'isolateur 34 et l'objectif 33 d'injection dans le laser esclave E.
L'émission doivent alors s'effectuer par la face avant 31. Cette variante est illustré sur la figure 2. Le dispositif représenté comprend des moyens déjà représentés sur la figure 1 et qui portent les mêmes références. La différence est que la face 32 est totalement réfléchissante. Il comprend en outre un coupleur optique 40 disposé entre l'isolateur 34 et l'objectif 33 d'injection dans le laser esclave E.
Le coup Leur 40 possède une première extrémité
El qui reçoit le rayonnement émis par le Laser maître
M, une deuxième extrémité E2, qui délivre ce rayonnement au laser esclave et qui recueille, de celui-ci, le rayonnement émis en retour, une troisième extrémité E3, qui délivre le rayonnement RE provenant du laser esclave et une quatrième extrémité E4 non utilisée.
El qui reçoit le rayonnement émis par le Laser maître
M, une deuxième extrémité E2, qui délivre ce rayonnement au laser esclave et qui recueille, de celui-ci, le rayonnement émis en retour, une troisième extrémité E3, qui délivre le rayonnement RE provenant du laser esclave et une quatrième extrémité E4 non utilisée.
La figure 3, enfin, représente l'évolution de la largeur spectrale F du laser DFB en fonction de la puissance optique P délivrée. et ce dans deux cas : avec injection optique, c'est-à-dire selon l'invention (courbe 42) et sans injection optique (courbe 44) (c'est-à-dire sans laser maître). On voit que La puissance dé livrée varie de 2,5 à 8mW et que la largeur spectrale demeure proche de 50kHz dans le cas de L'invention.
Le dispositif qui vient d'être décrit comprend un seul laser esclave. Mais il entre dans le cadre de L'invention d'utiliser plusieurs lasers esclaves verrouillés à partir du même laser maître.
Le faisceau émis par celui-ci doit alors être divisé en autant de faisceaux qu'il y a de lasers esclaves.
Eventuellement, si le laser maître émet sur pLusieurs modes longitudinaux, chacun des Lasers esclaves peut être verrouillé sur l'un de ces modes.
Les structures semiconductrices 10 et 30 peuvent être de tout type connu (heterostructures, doubles hétérostructures, etc...) et les materiaux semiconducteurs de tout type connu (composés binaires, ternaires, quaternaires, etc...).
Claims (8)
1. Emetteur laser comprenant un premier laser (M), dit laser maître, formé d'une première structure semiconductrice (10) émettant un premier rayonnement (RM) à une certaine fréquence, un second laser (E), dit laser esclave, formé d'une seconde structure semiconductrice (30), des moyens optiques (22, 34, 36, 33) pour injecter ce premier rayonnement (RM) dans la seconde structure semiconductrice (30) du laser esclave (E), celui-ci émettant alors un second rayonnement (RE) à Ladite fréquence du premier rayonnement, cet emetteur étant caractérisé par le fait que le laser maître (M) est à faible largeur spectrale et est accordable en longueur d'onde et le laser esclave (E) est du type à forte puissance.
2. Emetteur laser selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le laser esclave (E) est du type à réaction distribuée (DFB).
3. Emetteur laser selon La revendication 1, caractérisé par le fait que le Laser maître (M) comprend une cavité résonante formée par une face réfléchissante (12) de la première structure semiconductrice (l'autre face (14) étant transparente), et par un moyen réfléchissant (16) extérieur à la première structure semiconductrice.
4. Emetteur laser selon la revendication 3, caractérise par le fait que le moyen réfléchissant extérieur à la première structure semiconductrice est un réseau de diffraction (16).
5. Emetteur laser selon la revendication 4, caractérisé par le fait que Le réseau de diffraction (18) est orientable.
ô. Emetteur laser selon la revendication
S, caractérisé par le fait que le réseau de diffraction a une orientation commandée par un support piézo-électrique (18).
7. Emetteur laser selon L'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé par le fait que le laser esclave (E) n'étant accessible que par une face (31) de la seconde structure semiconductrice, L'metteur comprend en outre un coup Leur optique (40) recevant, sur une première extrémité (El), le premier rayonnement émis par le laser esclave et le transmettant par une seconde extrémité (E2) au laser esclave, ce coup Leur recevant par ailleurs, par cette seconde extrémité (E2), le second rayonnement émis par le laser esclave (E) et délivrant ce rayonnement (RE) par une troisième extrémité (E3).
8. Emetteur laser selon L'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé par le fait qu'il comprend un isolateur optique (34) entre le laser maître (M) et le laser esclave (E).
9. Emetteur laser selon la revendication 1, caractérise par le fait qu'il comprend un seul laser maître et plusieurs lasers esclaves (E) recevant chacun une partie de rayonnement (RM) émis par le laser maître.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9010889A FR2666458B1 (fr) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | Emetteur laser a faible largeur spectracle utilisant un laser maitre et un laser esclave. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9010889A FR2666458B1 (fr) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | Emetteur laser a faible largeur spectracle utilisant un laser maitre et un laser esclave. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2666458A1 true FR2666458A1 (fr) | 1992-03-06 |
| FR2666458B1 FR2666458B1 (fr) | 1995-03-10 |
Family
ID=9400002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR9010889A Expired - Fee Related FR2666458B1 (fr) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | Emetteur laser a faible largeur spectracle utilisant un laser maitre et un laser esclave. |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| FR (1) | FR2666458B1 (fr) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2182801A (en) * | 1985-11-06 | 1987-05-20 | American Telephone & Telegraph | Coherent lightwave transmitter |
-
1990
- 1990-08-31 FR FR9010889A patent/FR2666458B1/fr not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2182801A (en) * | 1985-11-06 | 1987-05-20 | American Telephone & Telegraph | Coherent lightwave transmitter |
Non-Patent Citations (5)
| Title |
|---|
| APPLIED OPTICS, vol. 28, no. 9, 1 mai 1989, pages 1618-1623; S.-Q. SHANG et al.: "Narrowband, high power light from diode lasers" * |
| APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 52, no. 1, 4th January 1988, pages 10-12, New York, NY, US; M. OHTSU et al.: "Correlated spontaneous emission between two longitudinal modes in an extended-cavity semiconductor laser" * |
| ELECTRONICS LETTERS, vol. 21, no. 14, 4 juillet 1985, pages 626-628; P. GALLION et al.: "Contribution of spontaneous emission to the linewidth of an injection-locked semiconductor laser" * |
| ELECTRONICS LETTERS, vol. 23, no. 9, avril 1987, pages 437-439; K. KIKUCHI et al.: "Spectral, phase noise and phase modulation characteristics of AM sideband injection-locked semiconductor" * |
| IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, vol. QE-17, no. 5, May 1981, pages 681-689, IEEE, New York, US; S. KOBAYASHI et al.: "Injection locking in AlGaAs semiconductor laser" * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2666458B1 (fr) | 1995-03-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0575227B1 (fr) | Procédé et dispositif de modulation et d'amplification de faisceaux lumineux | |
| US5349602A (en) | Broad-area MOPA device with leaky waveguide beam expander | |
| EP0735635B1 (fr) | Appareil optique semi-conducteur, sa méthode de commande, appareil source lumineuse et système de communication optique utilisant celui-ci | |
| US4852108A (en) | Wavelength tunable semiconductor laser with narrow band-pass active filter region | |
| EP0006372A1 (fr) | Laser à réflecteur distribué | |
| US7382817B2 (en) | V-coupled-cavity semiconductor laser | |
| EP0639876A1 (fr) | Amplificateur optique à semi-conducteur, présentant une non-linéarité réduite | |
| EP0786843B1 (fr) | Composant d'émission laser multilongueur d'onde | |
| EP0762576A1 (fr) | Composant opto-électronique intégré | |
| US6810067B2 (en) | Single mode grating-outcoupled surface emitting laser with broadband and narrow-band DBR reflectors | |
| FR2739502A1 (fr) | Amplificateur de lumiere | |
| US6888874B2 (en) | Single-wavelength, unequal-length-multi-cavity grating-outcoupled surface emitting laser with staggered tuned distributed Bragg reflectors | |
| JP2017103455A (ja) | 波長可変レーザ装置および波長可変レーザの制御方法 | |
| EP1125347A1 (fr) | Filtres auto-adaptes pour l'affinement de l'emission laser | |
| EP0553029B1 (fr) | Photorécepteur pour signaux optiques modulés en fréquence, émetteur-récepteur et liaison optique correspondants | |
| FR2666458A1 (fr) | Emetteur laser a faible largeur spectracle utilisant un laser maitre et un laser esclave. | |
| FR2770938A1 (fr) | Amplificateur optique semi-conducteur et source laser integree l'incorporant | |
| US7313158B2 (en) | Integrated high speed modulator for grating-outcoupled surface emitting lasers | |
| EP3469668A1 (fr) | Module d'affinement spectral, dispositif à raie spectrale affinée et procédé afférent | |
| FR2654524A1 (fr) | Dispositif permettant d'accorder de facon continue une source de lumiere coherente et polarisee rectilignement. | |
| EP0561706B1 (fr) | Emetteur-récepteur à détection cohérente | |
| Numai | 1.5 µm Semiconductor Wavelength Tunable Optical Filter Using a λ/4-Shifted Passive Waveguide Grating Resonator | |
| WO1999026312A1 (fr) | Realisation d'emetteurs hyperfrequences et applications aux radars et aux telecommunications | |
| EP0795910A1 (fr) | Dispositif semiconducteur d'émission-réception à faible diaphotie | |
| FR2664439A1 (fr) | Laser semi-conducteur a reflecteur externe. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TP | Transmission of property | ||
| ST | Notification of lapse |