FR2634566A1 - Method and device for fixing the image of an electric field in a material - Google Patents

Method and device for fixing the image of an electric field in a material Download PDF

Info

Publication number
FR2634566A1
FR2634566A1 FR8809916A FR8809916A FR2634566A1 FR 2634566 A1 FR2634566 A1 FR 2634566A1 FR 8809916 A FR8809916 A FR 8809916A FR 8809916 A FR8809916 A FR 8809916A FR 2634566 A1 FR2634566 A1 FR 2634566A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
electric field
anisotropy
reading
field
support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR8809916A
Other languages
French (fr)
Other versions
FR2634566B1 (en
Inventor
Paul Meyrueix
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Schlumberger SA
Original Assignee
Schlumberger SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Schlumberger SA filed Critical Schlumberger SA
Priority to FR8809916A priority Critical patent/FR2634566B1/en
Priority to FR8902106A priority patent/FR2643470A2/en
Priority to EP89402076A priority patent/EP0352194A1/en
Priority to JP19122689A priority patent/JPH02154345A/en
Publication of FR2634566A1 publication Critical patent/FR2634566A1/en
Application granted granted Critical
Publication of FR2634566B1 publication Critical patent/FR2634566B1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B9/00Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R15/00Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
    • G01R15/14Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
    • G01R15/24Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices
    • G01R15/241Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices using electro-optical modulators, e.g. electro-absorption
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/12Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by optical means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

Method for fixing the image of an electric field in a material comprising molecules endowed with electrooptic activity, characterised by the following steps: a) the temperature is raised, in at least one zone of this material, beyond a transition level above which the orientation of these molecules inside the support can be modified by the action of an electric field; b) in this zone, an orienting or writing electric field is applied, the direction and/or strength of which are determined as a function of optical anisotropy characteristics which are desired to be obtained; and c) during the operation b, the temperature of the said zone is lowered below the transition temperature in order to fix the characteristics of the applied field in the material.

Description

PROCEDE ET DISPOSITIF POUR FIGER
L'IMAGE D'UN CHAMP ELECTRIOUE DANS UN MATERIAU
La présente invention concerne un procédé et un dispositif permettant de figer l'image d'un champ électrique dans un matériau et les produits et applications qui en résultent.
METHOD AND DEVICE FOR FREEZING
THE IMAGE OF AN ELECTRIC FIELD IN A MATERIAL
The present invention relates to a method and a device for freezing the image of an electric field in a material and to the products and applications which result therefrom.

Elle est basée sur l'observation des propriétés de certains matériaux polymères électro-optiques.It is based on the observation of the properties of certain electro-optical polymer materials.

On connait depuis longtemps des cristaux dont les propriétés optiques sont susceptibles d'être modifiées en faisant apparaîtra une anisotropie en présence d'un champ électrique. Ces matériaux sont en général rassemblés sous l'appellation de matériaux optiques non linéaires. En pratique, l'anisotropie produite dans de tels matériaux en présence d'un champ électrique se manifeste par le changement de l'indice de réfraction du matériau dans au moins une direction. Deux types d'effet sont classiquement distingués à cet égard. Dans le premier, le retard de phase créé entre les composantes du champ électrique selon deux axes d'une lumière incidente polarisée en fonction du champ électrique auquel est soumis le matériau varie linéairement avec l'intensité du champ. Cet effet est appelé effet Pockels.Dans l'autre type d'effet, le retard de phase varie en fonction du carré de l'intensité du champ électrique. Cet effet est connu sous le nom d'effet
Kerr.
Crystals have long been known, the optical properties of which are liable to be modified by making an anisotropy appear in the presence of an electric field. These materials are generally gathered under the name of non-linear optical materials. In practice, the anisotropy produced in such materials in the presence of an electric field is manifested by the change in the refractive index of the material in at least one direction. Two types of effect are classically distinguished in this regard. In the first, the phase delay created between the components of the electric field along two axes of incident light polarized as a function of the electric field to which the material is subjected varies linearly with the intensity of the field. This effect is called the Pockels effect. In the other type of effect, the phase delay varies according to the square of the intensity of the electric field. This effect is known as an effect
Kerr.

Différentes sortes de matériaux sont susceptibles de fournir des cristaux présentant les propriétés évoquées précédemment. Ces cristaux toutefois ne sont pas toujours faciles à mettre en oeuvre ou peuvent n'être disponibles que dans des dimensions relativement réduites. Or, on a vu apparaître depuis quelque temps des matériaux électro-optiques permettant de surmonter ces difficultés, dans lesquels les molécules actives élactrô-optiquement sont des molécules organiques. Ces molécules peuvent être mises en oeuvre dans des films, fibres, couches minces ou épaisses déposées ou non sur des substrats. Il existe notamment des polymères, dans lesquels des molécules élactrooptiquement actives sont incorporées dans des proportions convenables à une matrice d'un matériau de support lui-même dépourvu de ces propriétés.Different kinds of materials are capable of providing crystals having the properties mentioned above. These crystals, however, are not always easy to use or may be available only in relatively small dimensions. Now, we have seen the appearance for some time of electro-optic materials making it possible to overcome these difficulties, in which the electro-optically active molecules are organic molecules. These molecules can be used in films, fibers, thin or thick layers deposited or not on substrates. There are in particular polymers in which elactrooptically active molecules are incorporated in suitable proportions into a matrix of a support material itself lacking these properties.

En pratique, en l'absence de dispositions particulières, de tels matériaux sont amorphes et ne présentant aucun effet électro-optique, Aucune modification d'indice ne peut être constatée-lorsqu'un champ électrique est appliqué à l'intérieur de ces matériaux. L'invention part du fait que pour obtenir la manifestation d'un tel phénomène, il convient de conférer au matériau une anisotropie qui peut être obtenue lorsque, après l'avoir chauffé, on le soumet à un champ électrique et on le refroidit.L'invention utilise la constatation que la direction du champ électrique utilisé influe sur la direction dans laquelle les molécules électro-optiques tendent à s'orienter dans le matériau (et donc sur les caractéristiques directionnelles de l'anisotropie résultante) et que l'intensité du champ électrique appliqué pendant cette opération modifie également le niveau d'activité électro-optique du matériau.In practice, in the absence of special provisions, such materials are amorphous and having no electro-optical effect. No change in index can be observed when an electric field is applied inside these materials. The invention starts from the fact that in order to obtain the manifestation of such a phenomenon, the material should be given an anisotropy which can be obtained when, after having heated it, it is subjected to an electric field and it is cooled. The invention uses the observation that the direction of the electric field used influences the direction in which the electro-optical molecules tend to orient in the material (and therefore on the directional characteristics of the resulting anisotropy) and that the intensity of the electric field applied during this operation also modifies the level of electro-optical activity of the material.

L'invention met à profit ces constatations pour figer l'image d'un champ électrique auquel on soumet un tel matériau en vue d'applications telles que 5'enregistrement de données ou de signaux, ou l'imagerie de certains paramètres ou grandeurs physiques. The invention takes advantage of these observations to freeze the image of an electric field to which such a material is subjected with a view to applications such as the recording of data or signals, or the imaging of certain parameters or physical quantities. .

L'invention vise notamment un procédé dans lequel on élève la température en au moins une zone d'un tel matériau au-delà d'un niveau de transition à partir duquel l'orientation des molécules douées d'activité électro-optique de ce matériau peut être modifiée par une action extérieure ; on applique en cette zone un champ électrique dont la direction et/ou l'intensité sont déterminées en fonction de caractéristiques d'anisotropie optique du matériau que l'on souhaite obtenir et, pendant l'application dudit champ, on abaisse la température dans ladite zone en dessous de la température de transition pour figer les caractéristiques du champ appliqué dans le matériau. On fera fréquemment référence à ce champ électrique sous l'appellation de champ orientateur ou polarisateur.The invention relates in particular to a method in which the temperature is raised in at least one zone of such a material beyond a transition level from which the orientation of the molecules endowed with electro-optical activity of this material can be modified by an external action; an electric field is applied in this zone, the direction and / or intensity of which are determined as a function of optical anisotropy characteristics of the material which it is desired to obtain and, during the application of said field, the temperature in said field is lowered area below the transition temperature to freeze the characteristics of the field applied in the material. This electric field will frequently be referred to as the orienting or polarizing field.

Selon un aspect de la mise en oeuvre de l'invention, l'intensité du champ électrique appliqué au matériau est modulée dans au moins une direction de l'espace de façon à faire varier une caractéristique d'anisotropie optique de ce matériau le long de cette direction. A cet effet, on peut notamment créer un déplacement relatif, selon cette direction, du matériau et de la source du champ électrique. Si la modulation du champ électrique est produite par un signal ou des données à enregistrer, les variations de la caractéristique d'anisotropie optique résultante dans le matériau le long de cette direction constituent un enregistrement de ce signal ou de ces données en fonction d'un paramètre qui peut être représenté par la variation de distance dans cette direction.According to one aspect of the implementation of the invention, the intensity of the electric field applied to the material is modulated in at least one direction of space so as to vary an optical anisotropy characteristic of this material along this direction. To this end, it is possible in particular to create a relative displacement, in this direction, of the material and of the source of the electric field. If the modulation of the electric field is produced by a signal or data to be recorded, the variations in the characteristic of optical anisotropy resulting in the material along this direction constitute a recording of this signal or these data according to a parameter which can be represented by the variation of distance in this direction.

Pour lire un tel enregistrement, un champ électrique est nécessaire pour mettre en évidence les variations de ladite caractéristique d'anisotropie du matériau le long de la direction considérée. On peut, à cet effet, soumettre le matériau à un champ électrique, dit ci-après détecteur, révélateur ou de lecture, dont l'intensité reste essentiellement constante le long de la direction dans laquelle on cherche à révéler l'anisotropie. Un dispositif de détection optique mesure les variations de l'activité électro-optique du matériau le long de ladite direction pour lire les informations ou le signal ayant modulé initialement le champ électrique orientateur. Bien entendu, la modulation des caractéristiques d'anisotropie par ce moyen peut être réalisée dans plusieurs directions de l'espace à l'intérieur du matériau. On obtient ainsi un enregistrement multidimensionnel.Il faut noter ici que cette technique permet en chaque zone élémentaire du matériau d'effectuer soit un enregistrement de type binaire, par tout ou rien, soit un enregistrement de niveau en fonction du niveau d'intensité du champ orientateur.To read such a recording, an electric field is necessary to highlight the variations of said anisotropy characteristic of the material along the direction considered. One can, for this purpose, subject the material to an electric field, hereinafter called detector, developer or reading, the intensity of which remains essentially constant along the direction in which one seeks to reveal the anisotropy. An optical detection device measures the variations in the electro-optical activity of the material along said direction to read the information or the signal that initially modulated the orienting electric field. Of course, the modulation of the anisotropy characteristics by this means can be carried out in several directions of the space inside the material. We thus obtain a multidimensional recording. It should be noted here that this technique allows in each elementary zone of the material to carry out either a binary type recording, by all or nothing, or a level recording according to the level of intensity of the field. counselor.

La création et la modulation de l'anisotropie destinées à réaliser l'écriture sur le matériau, peuvent être effectuées selon deux modes différents. Le premier mode consiste à chauffer localement et appliquer un champ électrique global. Le second mode consiste à chauffer globalement et appliquer un champ électrique local ; selon ledit second mode, le procédé permet d'enregistrer des données de type analogique ou quasi-analogique, en chauffant globalement le matériau et en appliquant des champs électriques locaux de valeurs différentes ; ces derniers peuvent avantageusement être créés par dépôt local de charges ou mise à des potentiels donnés.The creation and the modulation of the anisotropy intended to carry out the writing on the material, can be carried out according to two different modes. The first mode consists of heating locally and applying a global electric field. The second mode consists in heating overall and applying a local electric field; according to said second mode, the method makes it possible to record data of analog or quasi-analog type, by globally heating the material and by applying local electric fields of different values; the latter can advantageously be created by local deposition of charges or setting to given potentials.

Le procédé de l'invention peut être mis en oeuvre de deux manières. En effet, soit les molécules du matériau sont préalablement et globalement pré-orientées, par application simultanée de chaleur et d'un champ électrique excitateur et refroidissement sous champ, puis le matériau est soumis à l'application locale de chaleur sous champ électrique nul, soit on oriente localement les molécules du matériau par application locale simultanée d'un champ électrique excitateur et de chaleur.The method of the invention can be implemented in two ways. Indeed, either the molecules of the material are previously and generally pre-oriented, by simultaneous application of heat and an excitatory electric field and cooling under field, then the material is subjected to the local application of heat under zero electric field, or the molecules of the material are oriented locally by the simultaneous local application of an excitatory electric field and heat.

Dans le premier cas, l'écriture équivaut à supprimer localement l'orientation globale préalable des molécules du matériau ; dans le second cas, on écrit sur le matériau en orientant localement les molécules; les molécules du dopant s'orientent dans le champ électrique et conservent leur orientation dès que la température du matériau devient inférieure à la température critique nécessaire à l'orientation.In the first case, writing is equivalent to locally suppressing the prior global orientation of the molecules of the material; in the second case, we write on the material by locally orienting the molecules; the dopant molecules orient themselves in the electric field and keep their orientation as soon as the material temperature becomes lower than the critical temperature necessary for orientation.

Selon l'une ou l'autre des deux mises en oeuvre visées ci-dessus, le matériau présente une succession de zones non orientées et orientées, qui constituent les données sous forme de bits à deux états O ou 1. According to either of the two implementations referred to above, the material has a succession of non-oriented and oriented zones, which constitute the data in the form of bits with two states O or 1.

En outre, le procédé permet d'écrire à des niveaux différents dans l'épaisseur d'un support du type en feuille ou en bande. En effet, il est possible de chauffer localement chaque niveau donné sous un champ orientateur uniforme. On réalise ainsi un enregistrement de l'information en volume, selon les trois dimensions du support.In addition, the method makes it possible to write at different levels in the thickness of a support of the sheet or strip type. Indeed, it is possible to locally heat each given level under a uniform orienting field. A recording of the information in volume is thus carried out, according to the three dimensions of the medium.

Pour la lecture des informations portées sur le support, on réalise l'analyse d'un faisceau lumineux traversant le support (placé sous un champ électrique de lecture) et dont certaines caractéristiques ont été modifiées par l'anisotropie du matériau (telle que la biréfringence).For the reading of the information carried on the support, one carries out the analysis of a light beam crossing the support (placed under an electric field of reading) and of which certain characteristics were modified by the anisotropy of the material (such as birefringence ).

Compte tenu de l'importance quantitative du phénomène optique mis en jeu, on obtient, toute chose égale par ailleurs, un niveau élevé du signal optique de sortie, ce qui permet de faire appel à des moyens de lecture très simples
L'invention concerne également l'utilisation d'un matériau polymère à propriétés électro-optiques comme support d'enregistrement d'informations.
Given the quantitative importance of the optical phenomenon involved, all else being equal, a high level of the optical output signal is obtained, which makes it possible to use very simple reading means.
The invention also relates to the use of a polymer material with electro-optical properties as an information recording medium.

L'invention, appliquée à l'enregistrement/lecture de données, présente des avantages par rapport à l'art antérieur.The invention, applied to recording / reading data, has advantages over the prior art.

En effet, les étapes d'écriture et de lecture peuvent être réalisées sans contact avec le film ou la bande, ce qui élimine les problèmes d'usure. En outre, le coût du support est faible car aucun dépôt n'est à réaliser. De plus, la lecture est rendue plus simple, du fait qu'elle est mise en oeuvre par transmission d'un faisceau lumineux, donc sans que la planéité du support soit un point critique, et surtout du fait que les valeurs de la biréfringence électro-optique peuvent être élevées, de dix à plusieurs dizaines de degrés. La lecture peut également être effectuée par réflexion de la lumière sur une des faces du support, après transmission dans le matériau.En outre, la densité d'informations peut être élevée puisque, d'une part la taille des bits n'est fonction que des dimensions de la zone soumise au champ local ou chauffée localement, et d'autre part le matériau n'est pas conducteur. Enfin, la stabilité chimique des polymères rend possible la réalisation d'un grand nombre de cycles écriture/lecture. Indeed, the writing and reading steps can be carried out without contact with the film or the tape, which eliminates the problems of wear. In addition, the cost of the support is low because no deposit is to be made. In addition, reading is made simpler, because it is implemented by transmission of a light beam, therefore without the flatness of the support being a critical point, and above all because the values of electro birefringence -optics can be raised, from ten to several tens of degrees. Reading can also be carried out by reflection of light on one of the faces of the support, after transmission in the material. In addition, the density of information can be high since, on the one hand the size of the bits is only a function dimensions of the area subjected to the local field or locally heated, and on the other hand the material is not conductive. Finally, the chemical stability of the polymers makes it possible to carry out a large number of write / read cycles.

Egalement, l'invention a pour but de proposer un dispositif pour la mise en oeuvre du procédé décrit ci-dessus, comprenant des moyens pour créer une anisotropie optique contrôlée du matériau et des moyens de modulation de celle-ci, et des moyens de déplacement relatif entre d'une part le support d'informations constitué dudit matériau, et d'autre part lesdits moyens de création et modulation de l'anisotropie.Also, the object of the invention is to propose a device for implementing the method described above, comprising means for creating a controlled optical anisotropy of the material and means for modulating it, and displacement means relative between on the one hand the information medium made up of said material, and on the other hand said means of creation and modulation of anisotropy.

Lesdits moyens de création et modulation de l'anisotropie comprennent des moyens de chauffage local et des moyens générateurs de champ électrique orientateur global dans lequel est susceptible d'être placé le support d'informations.Said means for creating and modulating the anisotropy include means for local heating and means for generating a general orienting electric field in which the information medium is capable of being placed.

En variante, lesdits moyens de création et modulation de l'anisotropie comprennent des moyens de chauffage global et des moyens d'engendrer un champ localement sur le support.As a variant, said means for creating and modulating the anisotropy include global heating means and means for generating a field locally on the support.

De préférence, les moyens de création et modulation de l'anisotropie sont fixes et les moyens de déplacement sont aptes à faire déplacer le support.Preferably, the means for creating and modulating the anisotropy are fixed and the displacement means are capable of causing the support to move.

Avantageusement, les moyens de chauffage local comprennent un émetteur de faisceau laser apte à être focalisé sur le support. Dans ce cas, on peut prévoir des électrodes de part et d'autre du support; les électrodes sont en un matériau à la fois conducteur et apte à laisser passer la lumière du faisceau laser. Les électrodes sont par exemple constituées de deux plaques présentant une différence de potentiel entre elles, au voisinage desquelles défile le support.Advantageously, the local heating means comprise a laser beam emitter capable of being focused on the support. In this case, it is possible to provide electrodes on either side of the support; the electrodes are made of a material which is both conductive and capable of letting the light of the laser beam pass. The electrodes are for example made up of two plates having a potential difference between them, in the vicinity of which the support passes.

Selon une variante, les moyens générateurs de champ électrique sont aptes à effectuer un dépôt de charges électrostatiques à la surface du support; par exemple, ils sont constitués d'une source d'électrons. According to a variant, the electric field generating means are capable of depositing electrostatic charges on the surface of the support; for example, they consist of a source of electrons.

Afin d'obtenir une densité élevée d'information, les moyens de création et modulation de l'anisotropie sont aptes à créer plusieurs pistes parallèles porteuses chacune d'une série de bits successifs. Dans le cas où les moyens de chauffage sont constitués de lasers, le dispositif comprend avantageusement soit une diode laser par piste, soit une seule diode associée à des moyens de commande de la direction du faisceau laser émis par la diode unique.In order to obtain a high density of information, the means of creation and modulation of the anisotropy are able to create several parallel tracks each carrying a series of successive bits. In the case where the heating means consist of lasers, the device advantageously comprises either a laser diode per track, or a single diode associated with means for controlling the direction of the laser beam emitted by the single diode.

Le support d'informations, constitués du matériau à propriété électro-optique, peut être réalisé sous forme de film, découpé par exemple pour constituer une bande ou un disque.The information carrier, made of material with electro-optical property, can be produced in the form of a film, cut for example to form a strip or a disc.

L'invention concerne également un dispositif de lecture de l'information enregistrée sur le support électro-optique, comportant des moyens générateurs de champ électrique de lecture, des moyens d'engendrer un faisceau lumineux apte à traverser le support et des moyens d'analyse optique dudit faisceau à la sortie du support. La lecture peut être réalisée soit par transmission du faisceau lumineux ou par réflexion de celui-ci.The invention also relates to a device for reading the information recorded on the electro-optical support, comprising means for generating an electric reading field, means for generating a light beam capable of passing through the support and means for analysis. optic of said beam at the exit of the support. Reading can be carried out either by transmission of the light beam or by reflection thereof.

Les moyens générateurs de faisceau lumineux de lecture peuvent être constitués d'un émetteur de faisceau laser.The reading light beam generating means may consist of a laser beam emitter.

Les moyens d'analyse optique sont par exemple du type polarimétrique et comprennent un ensemble polariseur et analyseur croisés et un détecteur. Lesdits moyens d'analyse optique peuvent, en variante, être du type interférométrique.The optical analysis means are for example of the polarimetric type and comprise a crossed polarizer and analyzer assembly and a detector. Said optical analysis means can, as a variant, be of the interferometric type.

Afin de préserver le film des conséquences de tension de claquage, le champ électrique excitateur (d'écriture) est inférieur au champ électrique de lecture. In order to protect the film from the consequences of breakdown voltage, the excitatory (writing) electric field is less than the reading electric field.

Pour éviter, à la lecture, de modifier de manière intempestive l'orientation des molécules, l'émetteur laser pour la lecture est de puissance inférieure à l'émetteur laser pour l'écriture (chauffage local).To avoid, when reading, inadvertently changing the orientation of the molecules, the laser transmitter for reading is of lower power than the laser transmitter for writing (local heating).

Avantageusement, le support est absorbant pour la longueur d'onde d'écriture (en vue de chauffer le plus possible) et peu absorbant (translucide ou transparent) pour la longueur d'onde de lecture (pour permettre une bonne transmission du faisceau lumineux de lecture).Advantageously, the support is absorbent for the write wavelength (in order to heat as much as possible) and poorly absorbent (translucent or transparent) for the read wavelength (to allow good transmission of the light beam from reading).

Afin de s'affranchir des conséquences de dérive temporelle des signaux de lecture, le dispositif comporte des moyens d'enregistrer sur le support des données de référence et des moyens de comparaison entre les signaux de référence et les signaux correspondant aux informations proprement dites. Ces données de référence ont également pour objet de guider les moyens de lecture.In order to overcome the consequences of temporal drift of the read signals, the device comprises means for recording on the medium reference data and means for comparing between the reference signals and the signals corresponding to the information proper. These reference data are also intended to guide the reading means.

Selon un deuxième aspect de mise en oeuvre de l'invention, la direction du champ électrique orientateur est déterminée pour imposer à la structure du matériau des caractéristiques d'anisotropie présélectionnées en direction. Ces caractéristiques d'anisotropie peuvent être notamment choisies pour faciliter l'utilisation ultérieure des propriétés électro-optiques du matériau dans des conditions opératoires déterminées. Cette utilisation peut concerner par exemple la détection ou la révélation d'une information portée par le matériau lui-même comme il a été exposé précédemment ; elle peut également avoir pour objet la détection de variations d'informations propres au champ électroque révélateur ou excitateur avec lequel le matériau est utilisé. Dans les deux cas, il peut être utile de prédéterminer la direction du champ orientateur qui se trouve figé dans le matériau en vue des conditions d'utilisation ultérieurement envisagées pour ce dernier. According to a second aspect of implementation of the invention, the direction of the orienting electric field is determined to impose on the structure of the material characteristics of anisotropy preselected in direction. These anisotropy characteristics can in particular be chosen to facilitate the subsequent use of the electro-optical properties of the material under determined operating conditions. This use may relate, for example, to the detection or the revelation of information carried by the material itself as it was previously exposed; it can also have as an object the detection of variations of information specific to the revealing or excitatory electric field with which the material is used. In both cases, it may be useful to predetermine the direction of the orienting field which is frozen in the material with a view to the conditions of use subsequently envisaged for the latter.

Pour mettre en évidence l'effet Pockels produit par un champ électrique excitateur dans un matériau optiquement anisotrope, on envoie dans ce matériau une lumière incidente polarisée et on détecte la lumière résultante après traversée de la zone examinée soumise au champ électrique. On a déterminé que la direction de la lumière incidente par rapport à la direction du champ excitateur ainsi que par rapport à la direction du champ orientateur initialement utilisé pour orienter le matériau n'était pas indifférente. On conçoit donc que la faculté de pouvoir déterminer et contrôler cette dernière offre un moyen intéressant d'optimiser les conditions opératoires à mettre en oeuvre.To demonstrate the Pockels effect produced by an excitatory electric field in an optically anisotropic material, an incident polarized light is sent into this material and the resulting light is detected after crossing the examined area subjected to the electric field. It has been determined that the direction of the incident light with respect to the direction of the excitation field as well as with respect to the direction of the orienting field initially used to orient the material was not indifferent. It is therefore understandable that the ability to determine and control the latter offers an interesting means of optimizing the operating conditions to be implemented.

Dans le cas d'un enregistrement, évoqué précédemment, d'un champ orientateur modulé en intensité, il peut ainsi être intéressant, en partant d'une bande d'enregistrement non orientée, d'effectuer l'enregistrement d'un champ orienté dans une direction non perpendiculaire au plan de cette bande et, par exemple, parallèle à celui-ci.- Il peut également être intéressant de partir d'une bande d'enregistrement dont les molécules actives ont été préalablement orientées dans une direction non perpendiculaire au plan de la bande et d'effectuer l'enregistrement de bits en chauffant localement cette bande en présence d'un champ électrique différent du champ orientateur initial ou d'un champ nul.In the case of a recording, mentioned above, of an orienting field modulated in intensity, it may thus be advantageous, starting from a non-oriented recording tape, to record a field oriented in a direction not perpendicular to the plane of this strip and, for example, parallel to it. It may also be advantageous to start from a recording tape whose active molecules have been previously oriented in a direction not perpendicular to the plane of the tape and perform the recording of bits by locally heating this tape in the presence of an electric field different from the initial orienting field or of a zero field.

Une autre utilisation type envisagée pour un tel matériau électro-optique est la détection d'un champ électrique excitateur, ou la mise en évidence d'une image de celui-ci dans le matériau, par un moyen de détection optique, par exemple par polarimétrie ou interférométrie. Les conditions opératoires, notamment la direction de l'incidence de la lumière qui peut être utilisée pour effectuer cette détection, dépendent de la direction relative du champ que l'on cherche à détecter ou à révéler par rapport à la direction initiale d'orientation des molécules électro-optiques du matériau.Another typical use envisaged for such an electro-optical material is the detection of an excitatory electric field, or the demonstration of an image of this in the material, by an optical detection means, for example by polarimetry. or interferometry. The operating conditions, in particular the direction of the incidence of the light which can be used to carry out this detection, depend on the relative direction of the field which it is sought to detect or reveal with respect to the initial direction of orientation of the electro-optical molecules of the material.

Ainsi, l'invention, selon ce deuxième aspect, peut être appliquée à l'imagerie de tensions et, notamment de tensions dans un circuit électrique en vue de la mesure de cette dernière ou du test fonctionnel ou dynamique de ce dernier. Pour ce type d'application, on utilise alors volontiers un matériau électro-optique sous forme d'un élément bidimensionnel, plaque, couche ou film, dont une face est disposée à proximité électrique des conducteurs ou des zones du circuit que l'on souhaite examiner. Si l'on choisit de munir l'autre face dudit élément sensible d'une électrode de référence, les tensions aux zones de test provoquent l'établissement d'un champ électrique en travers du matériau dans une direction sensiblement perpendiculaire au plan de l'élément sensible électro-optique.La détection des champs électriques apparaissant ainsi dans le matériau peut s'effectuer en envoyant une lumière incidente vers l'élément électro-optique et en recueillant une lumière correspondante réfléchie à proximité de la zone à tester.Thus, the invention, according to this second aspect, can be applied to the imaging of voltages and, in particular of voltages in an electrical circuit for the purpose of measuring the latter or of the functional or dynamic test of the latter. For this type of application, an electro-optical material is then readily used in the form of a two-dimensional element, plate, layer or film, one face of which is disposed in the electrical proximity of the conductors or of the zones of the circuit which it is desired. examine. If one chooses to provide the other face of said sensitive element with a reference electrode, the voltages at the test zones cause the establishment of an electric field across the material in a direction substantially perpendicular to the plane of the electro-optical sensitive element. The detection of the electric fields thus appearing in the material can be carried out by sending an incident light towards the electro-optical element and by collecting a corresponding light reflected near the zone to be tested.

Les études réalisées montrent qu'il peut être intéressant dans ces conditions de, disposer d'un élément électro-optique sensible dont les molécules actives sont orientées dans une direction non perpendiculaire à son plan, par exemple-parallèle au plan de l'organe sensible lui-même, notamment lorsqu'on souhaite opérer avec une incidence normale.The studies carried out show that it may be advantageous, under these conditions, to have a sensitive electro-optical element whose active molecules are oriented in a direction not perpendicular to its plane, for example-parallel to the plane of the sensitive organ. itself, especially when you want to operate with normal incidence.

L'invention sera bien comprise à la lumière de la description qui suit, en référence au dessin, dans lequel: La figure 1 est un schéma de principe, en vue de côté,
du dispositif selon l'invention pour l'écriture et la
lecture d'informations sur une bande La figure 2 montre une première forme de réalisation des
moyens de lecture du dipositif de la figure 1; La figure 2bis montre une courbe de variation de
l'intensité lumineuse du signal de sortie des moyens de
la figure 2; Les figures 3a et 3b illustrent l'anisotropie d'indice
d'un matériau électro-optique; La figure 4 montre une seconde forme de réalisation des
moyens de lecture du dispositif de la figure 1;; Les figures 5 et 6 représentent schématiquement une
variante des moyens d'écriture du dispositif de la
figure 1, respectivement en coupe et en vue de dessus Les figures Sbis, 6bis et 6ter représentant des
variantes de moyens d'orientation des molécules dans une
direction non orthogonale au plan du film La figure 7 montre une troisième forme de réalisation
des moyens de lecture du dispositif de la figure 1; La figure 8 montre de côté schématiquement des moyens
d'écriture permettant d'écrire à plusieurs niveaux dans
l'épaisseur de la bande ; La figure 9 est une vue de coté des moyens d'écriture
permettant l'application localisée de potentiel à la
surface de la bande ;; La figure 10 est une variante du dispositif de la figure
9 apte à réaliser l'écriture de plusieurs pistes en
parallèle La figure lcbis montre de dessus une variante de
l'ensemble-électrode de la figure 10; La figure 11 est une vue schématique de face d'une forme
de moyens de lecture aptes à permettre l'écriture de
plusieurs pistes parallèlles; La figure 12 montre les fluctuations du signal de
lecture en fonction du temps; et - La figure 13 montre une exemple d'application de
l'invention au test de circuit électroniques.
The invention will be clearly understood in the light of the following description, with reference to the drawing, in which: FIG. 1 is a block diagram, in side view,
of the device according to the invention for writing and
reading information on a tape Figure 2 shows a first embodiment of the
means for reading the device of FIG. 1; Figure 2bis shows a variation curve of
the light intensity of the output signal of the means of
Figure 2; Figures 3a and 3b illustrate the index anisotropy
an electro-optical material; Figure 4 shows a second embodiment of the
reading means of the device of Figure 1 ;; Figures 5 and 6 schematically represent a
variant of the writing means of the device of the
Figure 1, respectively in section and in top view Figures Sbis, 6bis and 6ter representing
variants of the orientation of molecules in a
direction not orthogonal to the film plane Figure 7 shows a third embodiment
reading means of the device of Figure 1; Figure 8 schematically shows side means
writing allowing to write on several levels in
the thickness of the strip; Figure 9 is a side view of the writing means
allowing the localized application of potential to the
strip surface; Figure 10 is a variant of the device of Figure
9 suitable for writing several tracks in
parallel Figure lcbis shows from above a variant of
the electrode assembly of FIG. 10; Figure 11 is a schematic front view of a shape
reading means capable of allowing the writing of
several parallel tracks; Figure 12 shows the fluctuations in the signal
reading as a function of time; and - Figure 13 shows an example of application of
the invention in the electronic circuit test.

On connait déjà des cristaux à propriétés électro-optiques; on a déjà proposé d'utiliser des matériaux organiques qui présentent une forte activité électro-optique tels que le MNA (2 methyl-4-nitroaniline) pour réaliser des cristaux utilisables pour mettre en oeuvre ce type de propriétés.We already know crystals with electro-optical properties; it has already been proposed to use organic materials which have a strong electro-optical activity such as MNA (2 methyl-4-nitroaniline) to produce crystals which can be used to implement this type of properties.

Les cristaux de MNA présentent un rapport rn3/e' élevé d'environ 50 dans lequel r est le coefficient électro-optique, n l'indice, et e' la constante diélectrique.The MNA crystals have a high rn3 / e 'ratio of about 50 in which r is the electro-optical coefficient, n the index, and e' the dielectric constant.

Or un tel corps peut être mis en oeuvre non seulement sous la forme de cristal, mais également sous une forme combinée à un matériau de support dans lequel des molécules d'un tel composé électro-optiquement actif sont incorporées. On peut ainsi par exemple utiliser comme matériau de support de poly (méthyl, méthacrylate) PMMA avec une densité de MNA de 15% environ. Le MNA est donc alors utilisé comme un dopant dont les molécules sont retenues dans la matrice de PMMA, afin de rendre la composition électro-optique. D'autres dopants possibles possédant des propriétés électro-optiques sont par exemple les suivants
DAN [ 4- (N,N-dimethylamino) -3- acetamidomitrobenzene ]
COANP [ 2-cyclo-octylamino -5- nitropyridine)
PAN (4-N-pyrrolydina -3- acetaminomitrobenzene ] MBANP (2- (alpha-methylbanzylanino) -5-nitropyridine)
Ce type de composé polymère fait actuellement l'objet de nombreux développements par plusieurs entreprises, universités et centres de recherche dans ce domaine tels que Lockheed Missiles and Space Company, Inc., Hoechst Celaneses Corporation et d'autres grandes entreprises dans le domaine chimique. (Voir par exemple la communication du symposium intitulé :NATO advanced work shop = "Polymer for non linear optics", Sophia Antipolis June 19-24, 1988).
However, such a body can be used not only in the form of a crystal, but also in a form combined with a support material in which molecules of such an electro-optically active compound are incorporated. It is thus possible, for example, to use PMMA poly (methyl, methacrylate) support material with an MNA density of approximately 15%. MNA is therefore used as a dopant, the molecules of which are retained in the PMMA matrix, in order to render the composition electro-optical. Other possible dopants having electro-optical properties are for example the following
DAN [4- (N, N-dimethylamino) -3- acetamidomitrobenzene]
COANP [2-cyclo-octylamino -5- nitropyridine)
PAN (4-N-pyrrolydina -3- acetaminomitrobenzene] MBANP (2- (alpha-methylbanzylanino) -5-nitropyridine)
This type of polymer compound is currently the subject of numerous developments by several companies, universities and research centers in this field such as Lockheed Missiles and Space Company, Inc., Hoechst Celaneses Corporation and other large companies in the chemical field. (See for example the communication from the symposium entitled: NATO advanced work shop = "Polymer for non linear optics", Sophia Antipolis June 19-24, 1988).

Les polymères obtenus peuvent être utilisés pour former des films, des fibres ou des couches minces ou épaisses sur substrat quelconque.The polymers obtained can be used to form films, fibers or thin or thick layers on any substrate.

Une caractéristique particulièrement intéressante de ces polymères est la possibilité de les mettre en oeuvre sous forme de films capables d'être produits en grandes quantités et à des coûts raisonnables. Ces films peuvent être mis en oeuvre soit en épaisseur de quelques microns (par exemple 10 microns) sur des supports transparents par exemple en verre. Ils peuvent être également délivrés directement sous forme de films souples composés par la juxtaposition de plusieurs épaisseurs de films élémentaires, (par exemple 500 microns d'épaisseur). Les valeurs pouvant aller de 10 à 50 pm/V peuvent être obtenues pour la constante électro-optique r de ces matériaux.A particularly interesting characteristic of these polymers is the possibility of using them in the form of films capable of being produced in large quantities and at reasonable costs. These films can be used either in a thickness of a few microns (for example 10 microns) on transparent supports, for example in glass. They can also be delivered directly in the form of flexible films composed by the juxtaposition of several thicknesses of elementary films, (for example 500 microns thick). Values ranging from 10 to 50 µm / V can be obtained for the electro-optical constant r of these materials.

Après séchage, les molécules de produits électro-optiquement actifs sont emprisonnées dans une matière de support à l'état amorphe, sans orientation particulière. Pour rendre le matériau électro-optique, il est nécessaire de le chauffer à une température suffisante pour permettre aux molécules actives de recouvrer une certaine mobilité à l'intérieur de la matrice. La valeur de cette température de transision peut varier suivant le polymère mais peut typiquement se situer aux environs de 100 à 120 C. Dans cet état, elles peuvent subir une orientation par rapport au support sous l'effet d'un champ électrique. Des molécules tendent à s'orienter dans la direction du champ orientateur, Plus le champ orientateur est fort, plus la proportion de molécules actives orientées dans la direction du champ est élevé.Des valeurs du champ de l'ordre de 10 à 100 kvolt/millimètre peuvent être mises en oeuvre.After drying, the molecules of electro-optically active products are trapped in a support material in the amorphous state, without any particular orientation. To make the material electro-optical, it is necessary to heat it to a temperature sufficient to allow the active molecules to recover a certain mobility inside the matrix. The value of this transition temperature can vary depending on the polymer but can typically be around 100 to 120 C. In this state, they can undergo an orientation relative to the support under the effect of an electric field. Molecules tend to orient in the direction of the orienting field, The stronger the orienting field, the higher the proportion of active molecules oriented in the direction of the field. Field values of the order of 10 to 100 kvolt / millimeter can be implemented.

Lorsque la température est abaissée à nouveau pendant que les molécules sont orientées sour l'effet d'un champ, elles conservent leur orientation. Le matériau conserve ainsi une structure orientée qui peut être révélée par un comportement optiquement anisotrope (effet Pockels) en présence d'un champ électrique (révélateur ou de lecture).When the temperature is lowered again while the molecules are oriented under the effect of a field, they keep their orientation. The material thus retains an oriented structure which can be revealed by an optically anisotropic behavior (Pockels effect) in the presence of an electric field (developer or reading).

Ainsi, lorsque le matériau est frappé par une lumière incidente polarisée linéairement en l'absence de champ électrique, la lumière transmise ou réfléchie par le matériau ne subit aucune modification de polarisation. Au contraire, en présence d'un champ électrique, la lumière transmise subit une polarisation elliptique reliée lineairement à l'intensité de champ appliqué.Thus, when the material is struck by an incident light linearly polarized in the absence of an electric field, the light transmitted or reflected by the material does not undergo any modification of polarization. On the contrary, in the presence of an electric field, the transmitted light undergoes an elliptical polarization linked linearly to the applied field intensity.

La description qui suit est faite en référence à un support d'enregistrement en forme de film ou bande, étant entendu que l'invention n'est pas limitée à ce type de support ; le support peut être également constitué d'un disque. La figure 1 montre de côté (vue dans son épaisseur) une bande 1 constituée d'une matrice polymère du type mentionnée ci-dessus. La bande présente à titre illustratif une épaisseur de 10 à 100 microns, et une largeur (transversalement au plan de la figure) de 5 à 300 mm.The following description is made with reference to a recording medium in the form of a film or tape, it being understood that the invention is not limited to this type of medium; the support can also consist of a disc. Figure 1 shows from the side (seen in its thickness) a strip 1 consisting of a polymer matrix of the type mentioned above. The strip has, by way of illustration, a thickness of 10 to 100 microns, and a width (transverse to the plane of the figure) of 5 to 300 mm.

Le dispositif représenté schématiquement sur la figure 1, comprend Ees moyens d'écriture 2 et des moyens de lecture 3. The device shown schematically in FIG. 1 comprises the writing means 2 and the reading means 3.

Selon l'exemple représenté, les moyens d'écriture 2 comportent d'une part des moyens générateurs de champ électrique global comprenant deux électrodes constituées dedeux plaques conductrices 4,5 susceptibles d'être reliées respectivement à la masse et à un potentiel continu Vécriture, et d'autre part des moyens de chauffage local constitués d'un émetteur 6 de faisceau laser 7 susceptible d'être focalisé sur une zone définie 8 (de 1 à quelques microns) de la bande 1 ; lesdites électrodes 4 et 5 sont en outre aptes à laisser passer la lumière du faisceau laser (par exemple face à une ouverture ou une fente non représentée) ; la direction du faisceau laser d'écriture 7 est orthogonale au plan du film.Les plaques 4 et 5, par exemple en oxyde d'étain (Sn 02), sont disposées en regard l'une de l'autre et sont séparées l'une de l'autre d'une distance légèrement supérieure à l'épaisseur de la bande, afin de permettre à la bande 1 de défiler entre elles. La bande est susceptible d'être animée d'un mouvement de translation, dans le sens longitudinal, indiqué par la flèche f, par des moyens d'entrainement connus en soi et non représentés ; de même, des moyens de défilement également connus en soi et non représentés, sont prévus pour amener la bande à suivre un trajet donné par rapport au dispositif d'écriture/lecture de l'invention.According to the example shown, the writing means 2 comprise, on the one hand, means for generating a global electric field comprising two electrodes made up of two conductive plates 4,5 capable of being connected respectively to ground and to a direct writing potential, and on the other hand local heating means consisting of a laser beam emitter 6 capable of being focused on a defined area 8 (from 1 to a few microns) of the strip 1; said electrodes 4 and 5 are further capable of letting the light of the laser beam pass (for example facing an opening or a slot not shown); the direction of the writing laser beam 7 is orthogonal to the plane of the film. The plates 4 and 5, for example of tin oxide (Sn 02), are arranged opposite one another and are separated from each other. one from the other by a distance slightly greater than the thickness of the strip, in order to allow the strip 1 to pass between them. The strip is capable of being driven in a translational movement, in the longitudinal direction, indicated by the arrow f, by drive means known per se and not shown; similarly, scrolling means also known per se and not shown, are provided to cause the strip to follow a given path relative to the writing / reading device of the invention.

Les moyens de lecture 3, disposés par exemple en aval des moyens d'écriture 2, comprennent des moyens générateurs de champ électrique comportant deux électrodes constituées de deux plaques conductrices transparentes 11,12 disposées face à face de manière à ménager un espace dans lequel la bande est susceptible de défiler, et susceptibles d'être reliées respectivement à la masse et à un potentiel
Vlecture Les moyens de lecture comprenant également un émetteur 13 de faisceau laser 14, focalisé sur une zone 15 donnée de la bande, et des moyens 16 d'analyse et de traitement du signal de sortie.
The reading means 3, arranged for example downstream of the writing means 2, comprise electric field generating means comprising two electrodes constituted by two transparent conductive plates 11, 12 arranged face to face so as to provide a space in which the strip is likely to pass, and likely to be connected to ground and to a potential respectively
Reading The reading means also comprising a laser beam emitter 13, focused on a given zone 15 of the strip, and means 16 for analyzing and processing the output signal.

Les zones 8 et 15 respectivement touchées par le faisceau laser 7 d'écriture et par le faisceau laser 14 de lecture, sont de dimensions (dans le sens longitudinal) sensiblement identiques (à savoir un à quelques microns).The areas 8 and 15 respectively affected by the writing laser beam 7 and by the reading laser beam 14, are of dimensions (in the longitudinal direction) substantially identical (namely one to a few microns).

Le fonctionnement de principe du dispositif de la figure 1 est décrit ci-après suivant une première forme de mise en oeuvre.The basic operation of the device in FIG. 1 is described below according to a first form of implementation.

La bande 1, amenée à défiler (à une vitesse constante de quelques dizaines de cm/s à quelques m/s) en regard des moyens d'écriture 2, ne présente aucune orientation particulère des molécules électro-actives. La plaque-électrode supérieure 5 est portée au potentiel positif Vécriture ; la bande est soumise entre les plaques-électrodes 4 et 5 à un champ électrique dit d'écriture t l'émetteur laser 6 émet une impulsion lumineuse 7 focalisée sur une zone 8 de la bande qui se trouve ainsi portée à une température donnée T supérieure à une température critique Tc définie comme la température limite nécessaire pour provoquer, en présence de champ électrique, une orientation donnée des molécules; la zone chauffée 8, par l'impulsion lumineuse de chauffage d'environ 10-6s, se déplace vers la droite de la figure, et reste à une température T supérieure à Tc pendant une durée comprise entre lms et O,lms, toujours en étant soumise au champ électrique d'écriture; pendant cette durée, s'effectue l'orientation des molécules de la zone 8, qui refroidit sous ledit champ électrique: la zone 8 présente ainsi une modification de l'orientation des molécules, alors que le reste de la bande ne présente aucune modification à cet égard; la zone 8 définit alors une information sous forme d'un bit affecté de l'état 1, la partie non électro-optique de la bande étant affecté de l'état 0. The strip 1, brought to pass (at a constant speed of a few tens of cm / s to a few m / s) opposite the writing means 2, has no particular orientation of the electro-active molecules. The upper electrode plate 5 is brought to the positive potential Vwriting; the strip is subjected between the electrode plates 4 and 5 to an electrical field called writing t the laser transmitter 6 emits a light pulse 7 focused on an area 8 of the strip which is thus brought to a given temperature T higher at a critical temperature Tc defined as the limit temperature necessary to cause, in the presence of an electric field, a given orientation of the molecules; the heated zone 8, by the heating light pulse of approximately 10-6s, moves to the right of the figure, and remains at a temperature T greater than Tc for a period of between lms and O, lms, always in being subjected to the electric writing field; during this period, the orientation of the molecules of zone 8 is effected, which cools under said electric field: zone 8 thus presents a modification of the orientation of the molecules, while the rest of the strip presents no modification to this regard; zone 8 then defines information in the form of a bit assigned to state 1, the non-electro-optical part of the strip being assigned to state 0.

L'information est ainsi enregistrée, ou écrite, sur la bande sous forme d'une succession de bits constitués de zones respectivement orientées et non-orientées.The information is thus recorded, or written, on the tape in the form of a succession of bits consisting of respectively oriented and non-oriented areas.

La puissance de l'émetteur laser d'écriture est par exemple comprise entre 10 et 50 mW. La durée de l'intervalle de temps pendant lequel la zone chauffée doit rester soumise au champ d'écriture, afin de figer l'orientation de molécules, est comprise par exemple entre 10-3s et 10-4s;-compte-tenu des valeurs de la vitesse de défilement de la bande (quelques m/s), la longueur "utile" des électrodes d'écriture, entre le faisceau d'écriture et le bord aval de celle-ci, est par exemple comprise entre 0,1 mm et 5 mm. En revanche, la détermination de la longueur des électrodes de lecture est moins critique, dans la mesure où la lecture est réalisée par analyse optique "instantanée" de l'état de la zone examinée, sans que celle-ci doive séjourner un temps donné sous le champ de lecture.The power of the write laser transmitter is for example between 10 and 50 mW. The duration of the time interval during which the heated zone must remain subject to the writing field, in order to freeze the orientation of molecules, is for example between 10-3s and 10-4s; -accounting for the values the tape running speed (a few m / s), the "useful" length of the writing electrodes, between the writing beam and the downstream edge thereof, is for example between 0.1 mm and 5 mm. On the other hand, the determination of the length of the reading electrodes is less critical, insofar as the reading is carried out by "instantaneous" optical analysis of the state of the zone examined, without the latter having to stay for a given time under the reading field.

La lecture de cette information peut être réalisée par les moyens 3 représentés sur la figure 2, disposés en aval des moyens d'écritre 2 décrits ci-dessus. Les moyens d'écriture comprennent des moyens d'analyse optique 16 du type interférométrique tel que basé sur l'utilisation d'un analyseur dit de Fabry-Perot. Le faisceau de lecture 14, orthogonal au plan du film, émis par l'émetteur 13, traverse en partie la bande et se réfléchit en partie sur des miroirs semi-transparents disposés de part et d'autre de la bande 1 t lesdits miroirs sont constitués de segments de films minces 24a, 24b, 24c, 25a, 25b, 25c déposés sur les faces inférieure et supérieure de la bande.Les segments de films formant les miroirs sont conducteurs et reliés respectivement, pour chaque face de la bande, à un potentiel Vlecture par une électrode 12 et à la masse par une électrode 11. Les films minces 24 et 25 sont interrompus régulièrement le long de la bande par des espaces 28,29 séparant deux segments de films consécutifs en effet, il convient d'éviter que la face supérieure (au potentiel Vlecture) soit électriquement en contact avec la face inférieure, lorsque la bande est enroulée sur une bobine par exemple.The reading of this information can be carried out by the means 3 shown in FIG. 2, arranged downstream of the writing means 2 described above. The writing means comprise optical analysis means 16 of the interferometric type as based on the use of a so-called Fabry-Perot analyzer. The reading beam 14, orthogonal to the plane of the film, emitted by the transmitter 13, partly crosses the strip and is partly reflected on semi-transparent mirrors arranged on either side of the strip 1 t said mirrors are consisting of thin film segments 24a, 24b, 24c, 25a, 25b, 25c deposited on the lower and upper sides of the strip. The film segments forming the mirrors are conductive and connected, respectively, for each side of the strip, to a potential Reading by an electrode 12 and to ground by an electrode 11. The thin films 24 and 25 are regularly interrupted along the strip by spaces 28, 29 separating two consecutive film segments in fact, it is necessary to avoid that the upper face (at the potential Vleading) is electrically in contact with the lower face, when the strip is wound on a reel for example.

Entre les couches 24 et 25 parallèles, s'établissent de part et d'autre du film des interférences ; le faisceau lumineux issu du film est dirigé vers les moyens d'analyse optique 26 aptes à mesurer l'intensité du signal lumineux 29. De façon connue, l'intensité de la lumière d'interférence est fonction de la distance séparant les miroirs, c'est-à-dire de l'épaisseur "e" du film, de la longueur d'onde "lambda" et de l'indice de réfraction "n" du matériau constituant le film. Or l'indice "n" varie en fonction de l'orientation des molécules du film.Between the layers 24 and 25 parallel, are established on either side of the film interference; the light beam coming from the film is directed towards the optical analysis means 26 able to measure the intensity of the light signal 29. In a known manner, the intensity of the interference light is a function of the distance separating the mirrors, c ie the thickness "e" of the film, the wavelength "lambda" and the refractive index "n" of the material constituting the film. However the index "n" varies according to the orientation of the molecules of the film.

L'intensité lumineuse réfléchie est modulée par la tension électrique appliquée au film électro-optique selon une loi dite d'Airy. La mesure de l'intensité du signal lumineux de sortie fournit une mesure du potentiel V.The reflected light intensity is modulated by the electric voltage applied to the electro-optical film according to a so-called Airy law. Measuring the intensity of the output light signal provides a measure of the V potential.

Afin de pallier les conséquences d'éventuelles différences d'épaisseur du film ou de la bande électro-optique, sur la partie recouverte des miroirs semi-transparents, on peut utiliser une source lumineuse apte à émettre un faisceau lumineux de longueur d'onde (lambda) variable ; ceci permet de déplacer le point de fonctionnement du dispositif sur la courbe caractéristique (figure 2bis) de l'intensité en fonction de PHI=(2PVlamb.dai n e, d'un point A situé sur une première partie de la courbe où
I=Imax quel que soit PHI (donc de sensibilité nulle) à un point B situé sur une seconde partie de la courbe où I (compris entre Imax et O) varie fortement en fonction de
PHI ; la sensibilité est fonction de cette variation de I autour du point B sur cette seconde partie de la courbe de préférence, le point B correspond à environ Imax/2.Une fois le point B déterminé, les mesures sont alors effectuées avec la longueur d'onde correspondant au point
B.
In order to overcome the consequences of possible differences in thickness of the film or of the electro-optical strip, on the part covered with semi-transparent mirrors, it is possible to use a light source capable of emitting a light beam of wavelength ( lambda) variable; this allows to move the operating point of the device on the characteristic curve (figure 2bis) of the intensity as a function of PHI = (2PVlamb.dai ne, from a point A located on a first part of the curve where
I = Imax whatever PHI (therefore of zero sensitivity) at a point B located on a second part of the curve where I (between Imax and O) varies strongly as a function of
PHI; the sensitivity is a function of this variation of I around the point B on this second part of the curve preferably, the point B corresponds to approximately Imax / 2. Once the point B determined, the measurements are then carried out with the length of wave corresponding to the point
B.

En variante, selon l'invention, les moyens de lecture sont du type polarimétrique.Alternatively, according to the invention, the reading means are of the polarimetric type.

Cependant, des moyens d'analyse polarimétrique ne sont pas utilisables sans quelques précautions dans le cas illustré à la figure 1 où les molécules actives sont orientées en écriture suivant un champ de direction orthogonale au plan du film et où le champ révélateur appliqué par les électrodes 11,12 est également orthogonal au plan du film.However, polarimetric analysis means cannot be used without some precautions in the case illustrated in FIG. 1 where the active molecules are oriented in writing according to a field of direction orthogonal to the plane of the film and where the revealing field applied by the electrodes 11,12 is also orthogonal to the film plane.

En effet, l'anisotropie du matériau est définie par l'ellipsoïde des indices de réfraction, comprenant plusieurs axes.Indeed, the anisotropy of the material is defined by the ellipsoid of the refractive indices, comprising several axes.

Sur la figure 3a, on a représenté la distribution des indices dans un film électro-optique 500 réalisé avec un polymère du type précédemment discuté, dont les molécules ont été orientées par l'application d'un champ électrique, dit orientateur, dans une direction normale à sa surface pendant que sa-température était abaissée en dessous de la température critique au delà de laquelle les molécules de dopant électro-optique perdent leur mobilité. En 502 on a représenté un ellipsoïde décrivant la distribution des indices de réfraction du matériau lorsqu'on lui applique un champ électrique (dit de lecture ou révélateur) perpendiculaire à son plan. Cet ellipsoïde décrit les variations de l'indice de réfraction du matériau suivant les directions de l'espace.Il possède une symétrie de révolution par rapport à la normale 504 au plan du film 500 qui traduit le fait que le matériau est optiquement isotrope parallèlement au plan du film.In FIG. 3a, the distribution of the indices has been represented in an electro-optical film 500 produced with a polymer of the type previously discussed, the molecules of which have been oriented by the application of an electric field, called the orientator, in one direction. normal to its surface while its temperature was lowered below the critical temperature above which the electro-optical dopant molecules lose their mobility. In 502 an ellipsoid has been represented describing the distribution of the refractive indices of the material when an electric field (called reading or revealing) is applied to it perpendicular to its plane. This ellipsoid describes the variations in the refractive index of the material in the directions of space. It has a symmetry of revolution with respect to the normal 504 in the plane of the film 500 which reflects the fact that the material is optically isotropic parallel to the shot of the film.

Si on éclaire le film 500 avec un faisceau polarisé 506 d'incidence normale au film, la lumière retransmise par le film (par transmission ou après réflexion sur la face opposée 508 du film) ne verra pas son état de polarisation modifié. Cela explique qu'onne puisse pas déterminer si les molécules sont orientées ou non. En revanche, un faisceau incident 510 oblique par rapport au plan du film verra son état de polarisation modifié.If the film 500 is illuminated with a polarized beam 506 of normal incidence to the film, the light retransmitted by the film (by transmission or after reflection on the opposite face 508 of the film) will not see its polarization state modified. This explains why we cannot determine whether the molecules are oriented or not. On the other hand, an incident beam 510 oblique to the plane of the film will see its polarization state modified.

Il convient donc, pour pouvoir mettre en oeuvre des moyens d'analyse polarimétrique, qu'à l'écriture les molécules soient orientées suivant une direction non parallèle par rapport à la direction du champ et/ou du faisceau laser de lecture. Ceci conduit à une alternative, à savoir ou bien écrire en orientant les molécules suivant une direction orthogonale au plan du film et lire à l'aide d'un faisceau laser oblique, ou bien écrire à l'aide d'un champ parallèle au plan du film et lire en utilisant un faisceau laser orthogonal au plan du film.In order to be able to use polarimetric analysis means, it is therefore necessary for the molecules to be oriented in writing in a direction which is not parallel to the direction of the field and / or of the reading laser beam. This leads to an alternative, namely either to write while orienting the molecules in a direction orthogonal to the plane of the film and to read using an oblique laser beam, or else to write using a field parallel to the plane of the film and read using a laser beam orthogonal to the plane of the film.

La figure 4 représente schématiquement des moyens de lecture polarimétrique, selon la première branche de l'alternative mentionnée ci-dessus, permettant de révéler l'anisotropie du matériau préalablement orienté à l'aide d'un champ et d'un faisceau laser d'écriture orthogonaux au plan du film (moyens d'écriture 2 de la figure 1). FIG. 4 schematically represents polarimetric reading means, according to the first branch of the alternative mentioned above, making it possible to reveal the anisotropy of the material previously oriented using a field and a laser beam of writing orthogonal to the film plane (writing means 2 in FIG. 1).

A cette fin, la bande 1 soumise au champ de lecture orthogonal au plan du film, est éclairée par un faisceau laser 14 de lecture émis par l'émetteur laser 131 et oblique par rapport à la normale au film 1; dans la position représentée, le faisceau incident est dirigé obligatoirement dans un plan parallèle à la direction longitudinale de la bande 1. On peut prévoir d'incliner ce faisceau obliquement dans un plan perpendiculaire à cette direction longitudinale, ce qui diminue l'encombrement du dispositif de lecture dans le sens longitunal. La plaque supérieure 12 est portée à un potentiel positif Vlecture de manière à placer la bande dans un champ électrique dit de lecture normal au plan de la bande.Le faisceau de lecture 14' après avoir traversé la bande, est reçu par les moyens d'analyse 16 du type polarimétrique et comprenant une lentille 17 focalisant le faisceau d'intensité Iot un séparateur de polarisation 18 (par exemple sous forme de prisme de Wollaston), deux photodétecteurs 19 et 20 (recevant des intensités respectives I2 et I1) dont les sorties sont reliées à un amplificateur différentiel 21 attaquant un circuit de traitement 22 des signaux électriques. Le faisceau 14' issu du film est oblique par rapport à la normale au film et de même pour l'axe optique des éléments optiques 17, 18, 19 et 20.To this end, the strip 1 subjected to the reading field orthogonal to the plane of the film, is illuminated by a laser beam 14 for reading emitted by the laser transmitter 131 and oblique with respect to the normal to the film 1; in the position shown, the incident beam is necessarily directed in a plane parallel to the longitudinal direction of the strip 1. It can be provided to incline this beam obliquely in a plane perpendicular to this longitudinal direction, which reduces the size of the device of reading in the longitudinal direction. The upper plate 12 is brought to a positive potential Vleading so as to place the strip in an electric field known as reading normal to the plane of the strip. The reading beam 14 ′ after having crossed the strip, is received by the means of analysis 16 of the polarimetric type and comprising a lens 17 focusing the intensity beam Iot a polarization splitter 18 (for example in the form of a Wollaston prism), two photodetectors 19 and 20 (receiving respective intensities I2 and I1) whose outputs are connected to a differential amplifier 21 driving a processing circuit 22 of the electrical signals. The beam 14 ′ coming from the film is oblique with respect to the normal to the film and likewise for the optical axis of the optical elements 17, 18, 19 and 20.

La lecture repose sur la détection et la mesure de la rotation de la polarisation de la lumière induite par l'effet électro-optique du matériau constituant la bande.Reading is based on the detection and measurement of the rotation of the polarization of the light induced by the electro-optical effect of the material constituting the strip.

Les moyens d'analyse 16 détectent donc une succession (et alternance) de zones dites orientées et non orientées telle que la zone hachurée 15. Le signal S détecté à la sortie de l'amplificateur 21 est
S = I1- I2 = 1o sin TETA, avec TETA l'angle de polarisation t on a
TETA = A Vlecture, avec
A = B Vécriture où B est une constante représentative des paramètres physiques de la bande.
The analysis means 16 therefore detect a succession (and alternation) of so-called oriented and non-oriented areas such as the hatched area 15. The signal S detected at the output of the amplifier 21 is
S = I1- I2 = 1o sin TETA, with TETA the angle of polarization t we have
TETA = A Vlecture, with
A = B Write where B is a constant representative of the physical parameters of the tape.

Selon la seconde branche de l'alternative énoncée précédemment1 en vue de permettre l'utilisation de moyens d'analyse polarimétrique, on utilise une bande dont les molécules sont orientées parallèlement au plan du film.According to the second branch of the alternative set out above1 in order to allow the use of polarimetric analysis means, a strip is used whose molecules are oriented parallel to the plane of the film.

Dans un premier mode d'exécution, cette bande est découpée dans un film dont les molécules ont été globalement préorientées, l'écriture étant effectuée en chauffant localement le film en l'absence de champ. Un procédé pour obtenir un tel film préorienté est décrit ci-après en référence aux figures 5 et 6, montrant respectivement en coupe et de dessus un dispositif permettant une telle pré-orientation.In a first embodiment, this strip is cut from a film, the molecules of which have been generally pre-oriented, the writing being carried out by locally heating the film in the absence of a field. A method for obtaining such a preoriented film is described below with reference to FIGS. 5 and 6, showing respectively in section and from above a device allowing such pre-orientation.

Une bande de film polymère 800 est admise dans un four tunnel 801 chauffé à une température T aux environs de 100-C (légèrement supérieure à la température critique évoquée précédemment). La bande est guidée dans l'entrefer entre deux plaques métalliques face à face 802 et 804 qui sont maintenues à un même potentiel électrique continu + V.A strip of polymer film 800 is admitted into a tunnel oven 801 heated to a temperature T around 100-C (slightly higher than the critical temperature mentioned above). The strip is guided in the air gap between two metal plates facing each other 802 and 804 which are maintained at the same continuous electrical potential + V.

A la sortie 805 du four tunnel, le film entre dans un second tunnel 810 délimité par deux plaques métalliques en regard 812 et 814 qui sont maintenues par exemple à un potentiel nul. Il en résulte que l'intervalle 815 entre la sortie tunnel de chauffage 801 et le second tunnel 810 est soumis à un champ électrique sensiblement uniforme et parallèle au plan de la bande 800 qui défile dans cet intervalle 815. Les molécules électro-optiquement actives du film tendent à s'orienter parallèlement à cette direction sous l'effet de ce champ immédiatement à la sortie 805 du tunnel 801. Deux séries de buses 818 et 819 de part et d'autre du film 800 débouchent dans l'intervalle 815 où elles délivrent un courant 820 de gaz inerte par exemple de l'argon ou un hexaflorure de soufre SF6 refroidi à -40-C sur les deux faces du film 800.Le gaz est aspiré entre les plaques du second tunnel par un dispositif non représenté. La température du film 800 descend en deçà de la température critique dans l'intervalle 815. Les molécules actives conservent une orientation préférentielle dans le plan du film qui achève de se refroidir dans le second tunnel.At the outlet 805 of the tunnel oven, the film enters a second tunnel 810 delimited by two facing metal plates 812 and 814 which are maintained for example at zero potential. As a result, the interval 815 between the heating tunnel outlet 801 and the second tunnel 810 is subjected to a substantially uniform electric field parallel to the plane of the band 800 which passes through this interval 815. The electro-optically active molecules of the film tend to orient themselves parallel to this direction under the effect of this field immediately at the exit 805 of the tunnel 801. Two series of nozzles 818 and 819 on either side of the film 800 open in the interval 815 where they deliver a current 820 of inert gas for example argon or a sulfur hexafloride SF6 cooled to -40-C on the two faces of the film 800. The gas is sucked between the plates of the second tunnel by a device not shown. The temperature of the film 800 drops below the critical temperature in the interval 815. The active molecules retain a preferential orientation in the plane of the film which finishes cooling in the second tunnel.

Sur la figure 3b, on a représenté en 512 l'ellipsoïde des indices obtenus dans le même matériau sous l'action d'un champ électrique détecteur, ou révélateur, normal au plan du film lorsque les molécules du film 500 ont été orientées au préalable parallèlement au plan de ce film par le champ électrique orientateur. Dans ce cas l'ellipsoïde des indices 512 présente une symétrie de révolution par rapport à un axe 513 dans le plan du film 500. Un faisceau incident normal 506 voit alors son angle de polarisation modifié en fonction de la différence des indices n2 et n3 suivant les axes principaux de l'ellipse dans le plan du film.Dans ces conditions, le montage de la figure 1 (c'est-à-dire avec incidence normale de'la lumière utilisée en lecture) avec des moyens de lecture du type polarimétrique, permet d'exploiter l'effet créé par le champ électrique et le faisceau laser de lecture dans le film polymère.In FIG. 3b, the ellipsoid of the indices obtained in the same material has been shown in 512 under the action of an electric detector field, or developer, normal to the plane of the film when the molecules of the film 500 have been oriented beforehand. parallel to the plane of this film by the orienting electric field. In this case the ellipsoid of the indices 512 has a symmetry of revolution with respect to an axis 513 in the plane of the film 500. A normal incident beam 506 then sees its angle of polarization modified as a function of the difference of the indices n2 and n3 according to the main axes of the ellipse in the film plane. Under these conditions, the assembly of FIG. 1 (that is to say with normal incidence of the light used in reading) with reading means of the polarimetric type , makes it possible to exploit the effect created by the electric field and the reading laser beam in the polymer film.

En écriture, la bande 1, découpée dans un film ayant subi préalablement une orientation des molécules parallèlement à son plan est amenée à défiler devant les moyens d'écriture 2 dans lesquels le champ électrique est nul, Vécriture = 0. Les zones localement soumises au faisceau laser 7 d'écriture voient l'orientation préalable des molécules supprimée après le passage de la température de transition, alors que le reste de la bande conserve l'orientation préalable. La lecture est effectuée avec des moyens d'analyse polarimétrique du type des moyens 16 de la figure 4. Toutefois, pour les raisons exposées en référence à la figure 3b, on utilise dans ce cas un faisceau de lecture polarisé d'incidence nulle (orthogonale au plan du film) et non plus oblique.Les bits d'écriture correspondant à un chauffage en écriture seront caractérisés par l'absence de modification de l'état de polarisation de la lumière qui les traverse.In writing, the strip 1, cut from a film having previously undergone an orientation of the molecules parallel to its plane, is brought to pass before the writing means 2 in which the electric field is zero, the writing = 0. The areas locally subjected to writing laser beam 7 see the prior orientation of the molecules removed after the transition temperature has passed, while the rest of the strip retains the prior orientation. Reading is carried out with polarimetric analysis means of the type of means 16 in FIG. 4. However, for the reasons explained with reference to FIG. 3b, in this case a polarized reading beam of zero incidence (orthogonal) is used. at the film plane) and no longer oblique. The write bits corresponding to a write heating will be characterized by the absence of modification of the polarization state of the light passing through them.

Dans cette forme de mise en oeuvre (les molécules étant préalablement et globalement "préorientées"), l'écriture consiste à supprimer localement l'orientation imposée.In this form of implementation (the molecules being previously and generally "preoriented"), the writing consists in locally suppressing the imposed orientation.

Selon un deuxième mode d'exécution, on utilise une bande dont les molécules ne sont pas orientées au départ l'écriture consiste à orienter localement les molécules parallèlement au plan du film. Des moyens d'écriture permettant d'atteindre ce but sont représentés sur la figure 5bis. Une bande 1 (dont l'épaisseur a été agrandie sur le dessin pour des raisons de clarté) défile d'une bobine débitrice 100 vers une bobine réceptrice 101, entre lesquelles sont disposés des moyens d'orientation locale des molécules, comprenant une première électrode 102, reliée à un potentiel V+, disposée en regard d'une face de la bande, et une seconde électrode 104 disposée en regard de l'autre face de la bande mais décalée par rapport à la première électrode 104; la seconde électrode 104 est reliée à la masse. Les électrodes sont distantes l'une de l'autre de manière à ménager un espace 106 où règne un champ électrique d'écriture sensiblement parallèle à l'axe longitudinal de la bande ou plus exactement légèrement oblique par rapport audit axe. En regard dudit espace 106 sont disposés d'une part un émetteur 6 de faisceau laser 7 focalisé sur une zone délimitée 8 de la bande 1, et d'autre part (en aval de l'émetteur 6) une buse 108 susceptible de délivrer un courant de gaz neutre (par exemple de l'argon) refroidi à une température très inférieure à la température critique Tc (par exemple -40#C). La zone 8 soumise au faisceau laser 7 est ainsi chauffée par celui-ci au-dessus de la température Tc, tout en étant soumise au champ électrique régnant entre les électrodes 102 et 104; la buse 108 est dirigée de manière à refroidir la zone 8 aussitôt après qu'elle ait été chauffée par le faisceau laser d'écriture 7, tout en assurant le refroidissement de la zone 8 sous champ électrique, pour figer l'orientation des molécules de la zone 8.According to a second embodiment, a strip is used whose molecules are not oriented at the start writing consists in locally orienting the molecules parallel to the plane of the film. Writing means making it possible to achieve this goal are shown in FIG. 5a. A strip 1 (whose thickness has been enlarged in the drawing for reasons of clarity) passes from a supply reel 100 to a take-up reel 101, between which are arranged means for local orientation of the molecules, comprising a first electrode 102, connected to a potential V +, disposed opposite one face of the strip, and a second electrode 104 disposed opposite the other face of the strip but offset with respect to the first electrode 104; the second electrode 104 is connected to ground. The electrodes are spaced from each other so as to provide a space 106 where an electric writing field prevails substantially parallel to the longitudinal axis of the strip or more exactly slightly oblique to said axis. Opposite said space 106 are arranged on the one hand a laser beam emitter 6 focused on a delimited area 8 of the strip 1, and on the other hand (downstream of the emitter 6) a nozzle 108 capable of delivering a stream of neutral gas (for example argon) cooled to a temperature much lower than the critical temperature Tc (for example -40 # C). The zone 8 subjected to the laser beam 7 is thus heated by the latter above the temperature Tc, while being subjected to the electric field prevailing between the electrodes 102 and 104; the nozzle 108 is directed so as to cool the area 8 immediately after it has been heated by the writing laser beam 7, while ensuring the cooling of the area 8 under electric field, to freeze the orientation of the molecules of zone 8.

Les figures 6bis et 6ter représentent schématiquement, respectivement de dessus et de face, une variante de moyens d'écriture, permettant d'orienter les molécules suivant une direction oblique par rapport à l'axe transversal de celle-ci. Le dispositif comprend deux électrodes latérales 110 et 111 placées de part et d'autre de la bande, l'une 110 en regard d'une face de la bande et l'autre 111 en regard de l'autre face de la bande mais décalée transversalement par rapport à la première électrode 110 de façon à ménager entre les électrodes un entrefer 113 allongé dans la direction longitudinale de la bande 1. Les électrodes 110 et 111 sont reliées respectivement à un potentiel positif V+ et à la masse.Les électrodes créent ainsi un champ électrique traversant en quelque sorte la bande de part en part dans son épaisseur et de direction inclinée par rapport au plan de la bande ou sensiblement dans le plan de celle-ci. Un émetteur laser 6 disposé au-dessus de la bande émet un faisceau 7 (orthogonal au plan de la figure) apte à chauffer une zone définie 8 de la bande, qui refroidit ensuite sous champ à l'intérieur de l'entrefer 113.Figures 6bis and 6ter show schematically, respectively from above and from the front, a variant of writing means, making it possible to orient the molecules in an oblique direction relative to the transverse axis thereof. The device comprises two lateral electrodes 110 and 111 placed on either side of the strip, one 110 facing one side of the strip and the other 111 facing the other side of the strip but offset transversely to the first electrode 110 so as to provide between the electrodes an air gap 113 elongated in the longitudinal direction of the strip 1. The electrodes 110 and 111 are connected respectively to a positive potential V + and to ground. The electrodes thus create an electric field somehow crossing the strip right through its thickness and in an inclined direction relative to the plane of the strip or substantially in the plane of the latter. A laser emitter 6 disposed above the strip emits a beam 7 (orthogonal to the plane of the figure) capable of heating a defined zone 8 of the strip, which then cools under field inside the air gap 113.

En référence à la figure 1, selon une forme avantageuse de réalisation, les moyens d'écriture et de lecture sont rassemblés en une seule unité; les électrodes d'écriture et de lecture sont alors constituées par les mêmes plaques inférieures 4,11 reliées à la masse et supérieures 5,12 portées à un potentiel soit Vécriture pour l'écriture, et
Vlecture pour la lecture.
With reference to FIG. 1, according to an advantageous embodiment, the writing and reading means are brought together in a single unit; the writing and reading electrodes are then constituted by the same lower plates 4.11 connected to ground and upper 5.12 brought to a potential, ie writing for writing, and
Reading for reading.

Dans la description qui précède (relative aux figures 1 à 6), les dispositifs décrits réalisent l'écriture, par chauffage local sous champ électrique appliqué uniformément et globalement. En variante, ces opérations respectives d'écriture peuvent être réalisées par chauffage uniforme (non plus par laser, mais par un four par exemple) et par application locale d'un champ électrique, par exemple par un dépôt de charges électrostatiques à la surface de la bande (grâce à un canon à électrons par exemple).In the foregoing description (relating to FIGS. 1 to 6), the devices described carry out the writing, by local heating under an electric field applied uniformly and globally. As a variant, these respective writing operations can be carried out by uniform heating (no longer by laser, but by an oven for example) and by local application of an electric field, for example by depositing electrostatic charges on the surface of the strip (thanks to an electron gun for example).

L'écriture est réalisée de préférence à une longueur d'onde où le matériau de la bande est relativement absorbant et la lecture à une longueur d'onde où le matériau de la bande est peu absorbant (pour permettre une transmission satisfaisante du faisceau de lecture). A titre d'exemple, des lasers He-Ne (633nm) et Krypton (647nm) peuvent être utilisés comme source de lumière (chaleur) focalisée.The writing is preferably carried out at a wavelength where the strip material is relatively absorbent and the reading at a wavelength where the strip material is not very absorbent (to allow satisfactory transmission of the reading beam ). For example, He-Ne (633nm) and Krypton (647nm) lasers can be used as a focused light (heat) source.

La figure 7 montre une troisième forme de réalisation des moyens de lecture, comprenant, outre des électrodes 11 et 12, des moyens d'analyse polarimétrique simplifiés par rapport aux moyens 16 montrés sur la figure 2 (compte tenu de l'importance quantitative du signal détecté). Les moyens d'analyse sont constitués d'un polariseur P disposé entre l'émetteur 13 de faisceau laser 14 et le support, et d'un analyseur A disposé du coté opposé du support, ainsi que d'un photo-détecteur unique 23. Le paramètre mesuré est l'intensité du signal lumineux de sortie. L'orientation des molécules dans la bande enregistrée est parallèle au plan de cette bande.FIG. 7 shows a third embodiment of the reading means, comprising, in addition to electrodes 11 and 12, polarimetric analysis means simplified compared to the means 16 shown in FIG. 2 (taking into account the quantitative importance of the signal detected). The analysis means consist of a polarizer P disposed between the emitter 13 of the laser beam 14 and the support, and of an analyzer A disposed on the opposite side of the support, as well as of a single photo-detector 23. The measured parameter is the intensity of the output light signal. The orientation of the molecules in the recorded band is parallel to the plane of this band.

La figure 8 montre un autre exemple de réalisation permettant d'écrire dans l'épaisseur de la bande à plusieurs niveaux. Pour des raisons de clarté, le dessin n'est pas à l'échelle en ce sens que la bande et les électrodes ont été représentées agrandies. FIG. 8 shows another exemplary embodiment making it possible to write in the thickness of the strip at several levels. For reasons of clarity, the drawing is not to scale in the sense that the strip and the electrodes have been shown enlarged.

La bande 1 défile entre les électrodes 4,5 reliées respectivement à la masse et au potentiel Vécriture et aptes à laisser passer la lumière d'un faisceau d'écriture.The strip 1 passes between the electrodes 4,5 connected respectively to the ground and to the writing potential and capable of letting the light of a writing beam pass.

Plusieurs émetteurs lasers, en l'occurence quatre, référencés 30,31,32,33, sont susceptibles d'émettra un faisceau respectivement 34,35,36,37; des miroirs semi-transparents (alignés selon un axe oblique par rapport à l'axe longitudinal de la bande) 38,39,40,41 renvoyant les quatre faisceaux respectifs selon une direction unique 42 oblique par rapport à l'axe longitudinal de la bande sur le trajet de laquelle se trouve une lentille 400 qui focalise le faisceau 43 traversant celle-ci en une zone 44 (hachurée sur la figure) de la bande située à un niveau donné (dans l'épaisseur de la bande, c'est-à-dire dans le plan de la figure 4. Les émetteurs 30,31,32,33 émettent des faisceaux lumineux à des longueurs d'onde respectives différentes, et telles que chaque faisceau soit focalisé à un niveau donné 44,45,46 ou 47.Le faisceau 43 focalisé par la lentille 400 chauffe une zone d'un niveau donné sous champ le électrique appliqué par les électrodes 4 et 5, ce qui modifie l'orientation des molécules de ladite zone. Les molécules actives des zones écrites sont donc orientées dans un champ électrique orthogonal au plan de la bande.Several laser transmitters, in this case four, referenced 30,31,32,33, are capable of emitting a beam respectively 34,35,36,37; semi-transparent mirrors (aligned along an oblique axis with respect to the longitudinal axis of the strip) 38,39,40,41 returning the four respective beams in a single direction 42 oblique with respect to the longitudinal axis of the strip on the path of which there is a lens 400 which focuses the beam 43 passing through it in a zone 44 (hatched in the figure) of the strip located at a given level (in the thickness of the strip, that is ie in the plane of FIG. 4. The emitters 30,31,32,33 emit light beams at different respective wavelengths, and such that each beam is focused at a given level 44,45,46 or 47. The beam 43 focused by the lens 400 heats an area of a given level under the electric field applied by the electrodes 4 and 5, which modifies the orientation of the molecules of said area. The active molecules of the written areas are therefore oriented in an electric field orthogonal to band plan.

La lecture s'effectue de la même manière, en focalisant successivement un faisceau de lecture oblique dans la direction d'alignement des zones de profondeur croissante enregistrées à l'écriture sur chacune des zones. Les moyens de lecture comportent alors les mêmes organe que ceux représentés sur la figure 2, à savoir deux électrodes de lecture et les moyens d'analyse optique 16 polarimétrique déjà décrits en référence avec la figure 2.Reading is carried out in the same way, by successively focusing an oblique reading beam in the direction of alignment of the zones of increasing depth recorded at the time of writing on each of the zones. The reading means then comprise the same members as those shown in FIG. 2, namely two reading electrodes and the polarimetric optical analysis means 16 already described with reference to FIG. 2.

De préférence, les bits d'une même oblique dans l'épaisseur de la bande sont suffisamment distants les uns des autres, pour que, lors de la lecture, l'influence des bits situés au-dessus et en dessous du bit sur lequel est focalisé le faisceau de lecture soit négligeable. A titre d'exemple illustratif, les bits ont une dimension en hauteur (dans le sens de l'épaisseur de la bande) de 1 à 5 microns ; le nombre de niveaux peut être compris entre cinq et dix.Preferably, the bits of the same oblique in the thickness of the strip are sufficiently distant from each other, so that, during reading, the influence of the bits located above and below the bit on which is focused the reading beam is negligible. By way of illustrative example, the bits have a height dimension (in the direction of the thickness of the strip) of 1 to 5 microns; the number of levels can be between five and ten.

Dans le cadre de la description de la figure 8, le même résultat, à savoir focaliser un faisceau à des profondeurs différentes dans l'épaisseur de la bande, peut être atteint, en variante, à l'aida d'un seul émetteur laser émettant un faisceau de longueur d'onde donné et une lentille à focale variable placée entre l'émetteur et la bande.In the context of the description of FIG. 8, the same result, namely focusing a beam at different depths in the thickness of the strip, can be achieved, as a variant, using a single emitting laser transmitter a beam of given wavelength and a lens with variable focal length placed between the emitter and the band.

La figure 9 représente un autre exemple de réalisation du dispositif permettant de créer un champ électrique local par dépôt de charges électriques localisées à la surface de la bande 1. Le champ électrique peut être modulé soit en tout ou rien soit de façon quasi-analogique ; dans le second cas, on enregistre des informations de façon analogique ou quasi-analogique, c'est-à-dire qu'en chaque zone d'enregistrement est appliqué un champ électrique dont la valeur peut varier en fonction de celle d'un signal analogique variable à enregistrer. Dans le mode quasi-analogique, la valeur du champ électrique d'écriture en chaque zone discrète d'enregistrement est sélectionnée parmi un nombre de valeurs discrètes dans une plage de variations de signal analogique à enregistrer. La lecture des informations enregistrées selon l'invention, met en jeu des phénomènes physiques qui sont, d'une part de grande amplitude, par exemple de l'ordre de dix à plusieurs dizaines de degrés de biréfringence, et d'autre part proportionnels à la tension d'écriture. Ainsi, il est possible de distinguer l'une de l'autre deux zones qui ont été orientées par des tensions d'écriture différentes. FIG. 9 shows another embodiment of the device making it possible to create a local electric field by depositing electric charges located on the surface of the strip 1. The electric field can be modulated either in all or nothing or in a quasi-analog manner; in the second case, information is recorded in an analog or quasi-analog manner, that is to say that in each recording area an electric field is applied, the value of which can vary as a function of that of a signal variable analog to record. In the quasi-analog mode, the value of the writing electric field in each discrete recording zone is selected from a number of discrete values in a range of variations of analog signal to be recorded. Reading the information recorded according to the invention involves physical phenomena which are, on the one hand of great amplitude, for example of the order of ten to several tens of degrees of birefringence, and on the other hand proportional to writing tension. Thus, it is possible to distinguish one from the other two zones which have been oriented by different writing voltages.

Le dispositif de la figure 9 comprend des moyens de chauffage global de la bande, connus en eux-mêmes, tels qu'un four tunnel 200. Des moyens d'écriture décrits ci-après, sont prévus en aval du four 200 pour porter localement la partie supérieure de la bande à un potentiel donné. La bande 1 comporte, sur une de ses faces, un film 50 conducteur et transparent constituant une électrode reliée à la masse, et sur l'autre face une couche 51 d'un matériau polymère présentant des propriétés photoconductrices, c'est-à-dire dont la conductivité dépend de l'éclairement. Face à la couche transparente photoconductrice 51 et en contact avec celle-ci, est disposée une électrode transparente 52 reliée à potentiel v, soit modulé en tout ou rien, soit du type analogique ou quasi-analogique.Est prévu un émetteur laser 53 susceptible d'émettre des faisceaux laser impulsionnels 54 focalisés sur une zone donnée 56 de la bande 1. Sous l'effet du faisceau 54, se crée un canal de conduction entre la zone 55 en partie supérieure de la couche photoconductrice portée au potentiel v, et la zone 56 en partie supérieure de la bande où est focalisé le faisceau de commande 54; la zone 56 se trouve donc alors au potentiel v et accumule des charges électriques qui se maintiennent dans la zone 56 du fait de la non conductivité du polymère constituant la bande 1 en créant un champ électrique dans l'épaisseur de la bande sous l'effet duquel les molécules électro-actives s'orientent.La bande est portée, en amont des moyens d'écriture, à une température telle qu'elle reste à une température supérieure à la température critique Tc pendant une durée suffisante après l'apparition du potentiel v sur la zone à polariser, pour que l'orientation des molécules s'effectue. Celle-ci est figée lors du refroidissement ultérieur de la bande. The device in FIG. 9 comprises means for overall heating of the strip, known in themselves, such as a tunnel oven 200. Writing means described below are provided downstream of the oven 200 for carrying locally the upper part of the strip at a given potential. The strip 1 comprises, on one of its faces, a conductive and transparent film 50 constituting an electrode connected to ground, and on the other face a layer 51 of a polymer material having photoconductive properties, that is to say say whose conductivity depends on the illumination. Opposite and in contact with the transparent photoconductive layer 51, is arranged a transparent electrode 52 connected to potential v, either all or nothing modulated, or of the analog or quasi-analog type. A laser emitter 53 capable of emitting pulsed laser beams 54 focused on a given area 56 of the strip 1. Under the effect of the beam 54, a conduction channel is created between the area 55 in the upper part of the photoconductive layer brought to the potential v, and the zone 56 in the upper part of the strip where the control beam 54 is focused; zone 56 is therefore then at potential v and accumulates electrical charges which are maintained in zone 56 due to the non-conductivity of the polymer constituting the strip 1 by creating an electric field in the thickness of the strip under the effect from which the electro-active molecules orient themselves. The strip is brought, upstream of the writing means, to a temperature such that it remains at a temperature above the critical temperature Tc for a sufficient time after the appearance of the potential. v on the zone to be polarized, so that the orientation of the molecules takes place. This is frozen during the subsequent cooling of the strip.

La lecture est réalisée à l'aide des moyens de lecture tels que ceux représentés sur la figure 2 ou ceux montrés sur la figure 4.Reading is carried out using reading means such as those shown in FIG. 2 or those shown in FIG. 4.

L'effet photoconducteur étant quasi instantané et sans rémanence, dès que le faisceau 54 a disparu, la couche photoconductrice n'est plus conductrice. Il est possible de faire varier le potentiel v selon des valeurs discrètes représentatives des variations d'un signal analogique.The photoconductive effect being almost instantaneous and without remanence, as soon as the beam 54 has disappeared, the photoconductive layer is no longer conductive. It is possible to vary the potential v according to discrete values representative of the variations of an analog signal.

La forme de mise en oeuvre décrite en référence à la figure 9 (permettant de porter localement la surface de la bande à un potentiel donné) présente l'avantage de faire appel à un émetteur laser de faible puissance.The form of implementation described with reference to FIG. 9 (making it possible to bring the surface of the strip locally to a given potential) has the advantage of using a low power laser transmitter.

La figure 10 montre une variante du dispositif de la figure 9, permettant d'écrire sur la bande des informations selon des pistes parallèles à l'axe longitudinal de la bande. Un ensemble 520 formant une première électrode est prévu, constitué d'une plaquette parallépipédique en matériau rigide et transparent (tel que du verre) disposé de façon que sa plus grande dimension soit orthogonale à l'axa longitudinal de la bande 1. La face inférieure de la plaquette électrode 520, est disposée à proximité électrique (quelques microns) de la face supérieure d'une couche photoconductrice 220 disposée elle-même sur la bande 1 ; la face de la bande opposée à la couche 220 est revêtue d'une couche 210 en matériau conducteur (transparent par exemple) constituant une seconde électrode, reliée à la masse.La face inférieure de la plaquette électrode 520 est pourvue de plots ou pastilles 538 à 541 carrées en un matériau conducteur et transparent (tel de l'oxyde d'Yttrium) reliée chacune à un potentiel donné (Vécriture ou la masse). Chaque plot constitue une électrode unitaire, de dimensions par exemple 0,5 mm x 0,5 mm, correspondant à un bit sur une piste donnée. FIG. 10 shows a variant of the device in FIG. 9, enabling information to be written on the strip along tracks parallel to the longitudinal axis of the strip. An assembly 520 forming a first electrode is provided, consisting of a parallelepiped plate in rigid and transparent material (such as glass) arranged so that its largest dimension is orthogonal to the longitudinal axis of the strip 1. The underside of the electrode plate 520, is arranged in electrical proximity (a few microns) to the upper face of a photoconductive layer 220 itself arranged on the strip 1; the face of the strip opposite layer 220 is coated with a layer 210 of conductive material (transparent for example) constituting a second electrode, connected to ground. The underside of electrode pad 520 is provided with pads or pads 538 541 square in a conductive and transparent material (such as Yttrium oxide) each connected to a given potential (writing or mass). Each pad constitutes a unitary electrode, of dimensions for example 0.5 mm × 0.5 mm, corresponding to a bit on a given track.

Un émetteur laser 530 est disposé à distance de l'ensemble électrode 520 et apte à émettre un faisceau laser 532 traversant une lentille 531 et frappant un réseau de diffraction 533. Ce dernier est susceptible d'engendrer ainsi une pluralité de faisceaux 534 à 537, en nombre égal au nombre d'électrodes unitaires 538 à 541, et respectivement focalisé sur chacune de ces dernières.A laser emitter 530 is placed at a distance from the electrode assembly 520 and capable of emitting a laser beam 532 passing through a lens 531 and striking a diffraction grating 533. The latter is thus capable of generating a plurality of beams 534 to 537, in number equal to the number of unit electrodes 538 to 541, and respectively focused on each of the latter.

La bande est préalablement chauffée par un four tunnel non représenté situé juste en amont de l'ensemble électrode 520 et des moyens optiques 530,531,533, par rapport au sens de défilement de la bande (flèche f). Chaque tronçon de bande arrivant à l'aplomb de l'ensemble électrode 520 est à une température supérieure à la température critique. Les faisceaux laser 534-537 traversent la couche photoconductrice à l'aplomb des électrodes 538-541, ce qui provoque la conduction de celle-ci, et donc crée une sorte de puits de conduction vers la base de la couche photoconductrice 220, où les charges se déposent à l'aplomb des électrodes unitaires.Sur la face de la couche électro-optique formant la bande 1, en contact avec la couche photoconductrice, se forment des dépôts de charges localisés, qui créent avec la seconde électrode inférieure, 210 reliée à la masse, des champs électriques localisés et de directions orthogonales au plan de la bande 1.The strip is previously heated by a tunnel furnace, not shown, located just upstream from the electrode assembly 520 and optical means 530,531,533, relative to the direction of travel of the strip (arrow f). Each strip section arriving at the base of the electrode assembly 520 is at a temperature above the critical temperature. The laser beams 534-537 pass through the photoconductive layer directly above the electrodes 538-541, which causes the conduction thereof, and therefore creates a kind of conduction well towards the base of the photoconductive layer 220, where the charges are deposited above the unit electrodes. On the face of the electro-optical layer forming the strip 1, in contact with the photoconductive layer, localized charge deposits are formed, which create with the second lower electrode, 210 connected to ground, localized electric fields and directions orthogonal to the plane of band 1.

La distance ~séparant deux électrodes unitaires doit être grande devant la distance séparant chaque électrode de la surface de la couche photoconductrice, afin d'éviter toute diaphonie entre les électrodes. La surface des électrodes est choisie suffisamment grande par rapport à la tache lumineuse des faisceaux focalisés 534-537, pour permettre à ceux-ci de focaliser sur les électrodes malgré l'éloignement relatif (dans la direction orthogonal au plan de la bande) des points de focalisation créés par le réseau 533 et disposés sur un cercle centré sur ce dernier. The distance ~ separating two unitary electrodes must be large compared to the distance separating each electrode from the surface of the photoconductive layer, in order to avoid any crosstalk between the electrodes. The surface of the electrodes is chosen to be large enough relative to the light spot of the focused beams 534-537, to allow them to focus on the electrodes despite the relative distance (in the direction orthogonal to the plane of the strip) from the points focusing created by the network 533 and arranged on a circle centered on the latter.

A l'aplomb de chaque électrode unitaire est créé un bit sur la bande 1. Les électrodes unitaires sont alimentées ou connectées à un potentiel Vécriture (bit 1) ou nul (bit 0). On écrit ainsi que la bande 1 une pluralité de bits alignés selon des pistes parallèles entre elles et à l'axe longitudinal de la bande.At the base of each unitary electrode, a bit is created on the strip 1. The unitary electrodes are supplied or connected to a write potential (bit 1) or zero (bit 0). It is thus written that the strip 1 a plurality of bits aligned along tracks parallel to each other and to the longitudinal axis of the strip.

L'exemple de réalisation décrit sur la figure 10 comprend pour des raisons de clarté quatre pistes parallèles. Il est bien entendu que le nombre de pistes peut être plus élevé.The example of embodiment described in FIG. 10 comprises for reasons of clarity four parallel tracks. It is understood that the number of tracks may be higher.

Cependant, compte tenu des limites inférieures mentionnées ci-dessus, les dimensions des électrodes et des distances entre électrodes, le nombre de pistes atteint des limites de l'ordre par exemple de quelques unités. Afin d'augmenter le nombre de pistes sans augmenter de façon rédhibitoire les dimensions de l'ensemble électrode 520, celui-ci est réalisé tel que représenté sur la figure 10bis montrant en vue de dessus la bande 1 et un ensemble électrode 550 de forme parallélépipédique dont le côté de la plus grande dimension est orthogonal à l'axe de la bande et de longueur égale à la largeur de la bande 1. L'ensemble 550 est constitué d'un bloc de verre portant sur sa face inférieure, à proximité de la bande 1, une pluralité de plots ou pastilles formées d'un film carré (de 0,5 mm x 0,5 mm par exemple), disposées en rangées parallèles et orthogonales à l'axe de la bande 1 ; chaque plot forme une électrode unitaire ; l'exemple représenté comprend trois rangées, la première rangée quatre électrodes unitaires (551 à 554), la seconde rangée trois (555 à 557) et la troisième rangée quatre (558 à 561), de façon que les centres des électrodes unitaires, correspondant aux bits d'écriture, soient décalés les uns des autres suivant une direction orthogonale à l'axe de la bande ; autrement dit les électrodes untaires sont décalées de manière à ce qu'elles ne soient pas strictement alignées suivant l'axe de la bande 1. However, taking into account the lower limits mentioned above, the dimensions of the electrodes and the distances between electrodes, the number of tracks reaches limits of the order of, for example, a few units. In order to increase the number of tracks without prohibitively increasing the dimensions of the electrode assembly 520, it is produced as shown in FIG. 10bis showing a top view of the strip 1 and an electrode assembly 550 of parallelepiped shape whose side of the largest dimension is orthogonal to the axis of the strip and of length equal to the width of the strip 1. The assembly 550 consists of a block of glass bearing on its underside, near strip 1, a plurality of pads or pads formed from a square film (0.5 mm × 0.5 mm for example), arranged in rows parallel and orthogonal to the axis of strip 1; each pad forms a unitary electrode; the example shown comprises three rows, the first row four unit electrodes (551 to 554), the second row three (555 to 557) and the third row four (558 to 561), so that the centers of the unit electrodes, corresponding at the write bits, are offset from each other in a direction orthogonal to the axis of the strip; in other words, the individual electrodes are offset so that they are not strictly aligned along the axis of the strip 1.

Chaque électrode unitaire 551-561 est reliée à un potentiel
Vécriture ou à la masse et correspond un bit et donc une piste ; les pistes a,b,c,d,e,f,g,h,i,j et k sont parallèles à l'axa longitudinal de la bande ; on obtient ainsi l'enregistrement de plusieurs pistes (en l'occurance onze) à l'aide d'un ensemble électrode 550 de dimensions relativement réduites.
Each 551-561 unit electrode is connected to a potential
Write or ground and corresponds to a bit and therefore a track; tracks a, b, c, d, e, f, g, h, i, j and k are parallel to the longitudinal axis of the strip; thus the recording of several tracks (in this case eleven) is obtained using an electrode assembly 550 of relatively small dimensions.

La figure 11 montre, en vue de face, la bande 1 étant représentée en coupe transversale, un dispositif de lecture des pistes enregistrées à l'aide du dispositif d'écriture montré sur la figure 10. Un émetteur laser 6 émet un faisceau d'écriture 7 traversant successivement une lentille 60, un polariseur 61, et un réseau optique 62 de diffraction (connu en lui-même) apte à engendrer plusieurs faisceaux parallèles 63,64 focalisés, par une lentille 67, en des zones 65,66 distinctes, alignées d'un bord à l'autre de la bande (c'est-à-dire transversalement à l'axe de la bande). Deux électrodes de lecture 4 et 5 sont disposées de part et d'autre de la bande 1 et à proximité de celle-ci, et respectivement reliées au potentiel Vlecture et à la masse.Les faisceaux respectifs issus du réseau 62 sont focalisés sur une succession de bits alignés transversalement à l'axe longitudinal de la bande. La lecture des bits est réalisée à l'aide des moyens d'analyse optique A et 23 tels que ceux représentés sur la figure 7, comprenant un photodétecteur pour chaque électrode d'écriture c'est-à-dire un photoconducteur par bit.FIG. 11 shows, in front view, the strip 1 being represented in cross section, a device for reading the tracks recorded using the writing device shown in FIG. 10. A laser transmitter 6 emits a beam of writing 7 successively passing through a lens 60, a polarizer 61, and an optical grating 62 of diffraction (known in itself) capable of generating several parallel beams 63,64 focused, by a lens 67, in distinct zones 65,66, aligned from one edge to the other of the strip (that is to say transversely to the axis of the strip). Two reading electrodes 4 and 5 are arranged on either side of the strip 1 and close to it, and respectively connected to the reading potential and to ground. The respective beams coming from the network 62 are focused on a succession bits aligned transversely to the longitudinal axis of the strip. The bits are read using optical analysis means A and 23 such as those shown in FIG. 7, comprising a photodetector for each write electrode, that is to say one photoconductor per bit.

Afin de pallier les conséquences de tout déplacement intempestif de la bande, le dispositif de lecture de la figure 11 peut comprendre des moyens (non représentés) de suivi de la position des bits sur la bande. Par exemple, lesdits moyens comportent un organe de détection de la position du bord de la bande et des moyens propres à déplacer le faisceau lumineux d'une valeur correspondant au déplacement intempestif de la bande. Si la bande venait à être translatée transversalement à son axe, les moyens de déplacement commandent la translation de l'émetteur 6 d'une même valeur. Dans l'hypothèse où la bande se dilate, les moyens de déplacement provoquent l'inclinaison des réseaux optiques 62 afin de permettre de retrouver la position des bits.In order to overcome the consequences of any untimely movement of the strip, the reading device of FIG. 11 may include means (not shown) for monitoring the position of the bits on the strip. For example, said means comprise a member for detecting the position of the edge of the strip and means suitable for moving the light beam by a value corresponding to the untimely movement of the strip. If the strip were to be translated transversely to its axis, the displacement means control the translation of the transmitter 6 by the same value. In the event that the strip expands, the displacement means cause the inclination of the optical networks 62 in order to enable the position of the bits to be found.

Par ailleurs, selon une forme de réalisation avantageuse (non représentée), le dispositif, conforme à l'une quelconque des formes de réalisation représentées et décrites ci-dessus, comprend, d'une part des moyens aptes à enregistrer sur la bande des bits de référence constitués de zones orientées et/ou non orientées à un niveau constant, et d'autre part, associés aux moyens de lecture, des moyens de comparaison des signaux issus respectivement des bits d'informations (courbe a, figure 12) et des bits de référence (courbe b, figure 12) de manière à délivrer un signal de sortie (courbe c) formé de "pics" au dessus d'un niveau moyen sensiblement égal à zéro. La courbe b est représentative des signaux de référence et donc des fluctuations dans le temps des signaux de sortie en l'absence de correction à l'aide de bits de référence.Furthermore, according to an advantageous embodiment (not shown), the device, in accordance with any of the embodiments shown and described above, comprises, on the one hand, means capable of recording on the bit tape of reference made up of zones directed and / or not oriented at a constant level, and on the other hand, associated with the means of reading, means of comparison of the signals resulting respectively from the bits of information (curve a, figure 12) and reference bits (curve b, FIG. 12) so as to deliver an output signal (curve c) formed of "peaks" above an average level substantially equal to zero. Curve b is representative of the reference signals and therefore of the fluctuations in time of the output signals in the absence of correction using reference bits.

La figure 13 représente un équipement de test automatique dans lequel est mis an oeuvre un aspect de l'invention.FIG. 13 represents an automatic test equipment in which an aspect of the invention is implemented.

Un équipement de test automatique qui met en oeuvre un aspect de l'invention comprend (figure 13) une couche d'un polymère électro-optique 350 de dimensions sensiblement égales à celles d'un circuit assemblé, tel qu'une carte de circuit imprimé 351 à testar,.l'ensemble étant combiné de façon telle que le milieu électro-optique soit électriquement à proximité de la surface 352 de la carte 351 qui porte le circuit électrique, ce dernier comprenant des composants tels que 355. La surface 352 porte des conducteurs tels que 354 et 357 qui connectent les composants les uns aux autres, et constituent de la sorte des noeuds électriques du circuit.An automatic test equipment which implements an aspect of the invention comprises (FIG. 13) a layer of an electro-optical polymer 350 of dimensions substantially equal to those of an assembled circuit, such as a printed circuit board 351 to testar, the assembly being combined in such a way that the electro-optical medium is electrically close to the surface 352 of the card 351 which carries the electric circuit, the latter comprising components such as 355. The surface 352 carries conductors such as 354 and 357 which connect the components to each other, and thus constitute the electrical nodes of the circuit.

La couche de polymère 350 est revêtue sur sa face destinée à venir se placer à proximité des conducteurs 356, 357 d'une couche réfléchissante 360 propre à renvoyer la lumière lui parvenant depuis l'autre face de cette couche polymère 350. Cette couche 350 est découpée et présente des ouvertures telles que 361 et 362 dans lequelles peuvent venir se loger les soudures telles que 363 aux extrémités de broches de composants ou des composants tels que 365 monté sur la face 352 de la carte 351. Pour le test, la couche réfléchissante 360 est placée en contact avec ou a proximité électrique de la surface des conducteurs 357 et 356. Elle est isolante. La surface réfléchissante.360 est essentiellement isolante, au moins en ce sens qu'un potentiel électrique appliqué en un point de cette surface n'est pas propagé à d'autres points de celle-ci.Elle peut être également réalisée par des pastilles conductrices réfléchissantes isolées ou séparées les unes des autres.The layer of polymer 350 is coated on its face intended to be placed near the conductors 356, 357 with a reflective layer 360 capable of returning light reaching it from the other face of this polymer layer 350. This layer 350 is cut out and has openings such as 361 and 362 in which the welds such as 363 can be accommodated at the ends of component pins or components such as 365 mounted on the face 352 of the card 351. For the test, the reflective layer 360 is placed in contact with or in the electrical vicinity of the surface of conductors 357 and 356. It is insulating. The reflecting surface. 360 is essentially insulating, at least in the sense that an electrical potential applied at a point on this surface is not propagated at other points on it. It can also be produced by conductive pads reflective isolated or separate from each other.

La lumière d'émission d'un laser 330 (par exemple un laser
HeNe de 633 nm de longueur d'onde) est polarisée linéairement par un polariseur 331 et acheminée, via une lentille 332, vers un déflecteur acousto-optique 333 de manière à être dirigée, via une lentille 334, vers un point d'inspection 335 de la surface réfléchissante 360 du film polymère 350. Le déflecteur acousto-optique 333, connu en soi, est commandé par un signal de tension continue émis par un organe de commande de 1'ATE (non représenté), de manière à défléchir 1a lumière qu'il reçoit sur tout point du milieu élactro--optique dont l'examen est désiré.
The emission light of a laser 330 (for example a laser
633 nm wavelength HeNe) is linearly polarized by a polarizer 331 and routed, via a lens 332, to an acousto-optic deflector 333 so as to be directed, via a lens 334, to an inspection point 335 of the reflecting surface 360 of the polymer film 350. The acousto-optical deflector 333, known per se, is controlled by a DC voltage signal emitted by an ATE control member (not shown), so as to deflect the light that it receives on any point from the electro-optical medium whose examination is desired.

Dans un mode de réalisation préféré, deux déflecteurs acousto-optiques peuvent être placés en séria. Un premier signal de tension contrôle alors la déflexion du faisceau selon une première direction, correspondant par exemple à l'une des deux dimensions de la carte à tester, et l'autre signal de tension commande la déflexion suivant une seconde direction, de préférence perpendiculaire à la première et correspondant par exemple à l'autre dimension de la carte.In a preferred embodiment, two acousto-optical deflectors can be placed in series. A first voltage signal then controls the deflection of the beam in a first direction, corresponding for example to one of the two dimensions of the card to be tested, and the other voltage signal controls the deflection in a second direction, preferably perpendicular to the first and corresponding for example to the other dimension of the map.

Une telle utilisation de deux déflecteurs permet de réduire le temps requis pour passer d'un point d'observation 335 à un autre à des temps de l'ordre de quelques microsecondes au maximum.Such use of two deflectors makes it possible to reduce the time required to pass from one observation point 335 to another at times of the order of a few microseconds at most.

Une électrode transparente 301, par exemple constituée par un dépôt d'or ou d'aluminium, est disposée en couche sur la première face, rencontrée par la lumière incidente du film polymère électro-optique 350 et cette électrode est maintenue au potentiel de la masse M qui constitue la référence des potentiels ; ainsi, si le potentiel électrique du point de test examiné diffère de cette référence, la polarisation de la lumière issue du film est, en raison du champ électrique appliqué suivant l'épaisseur du film polymère électro-optique 350, différente de celle de la lumière incidente, et cette différence est détectée.A transparent electrode 301, for example constituted by a deposit of gold or aluminum, is arranged in a layer on the first face, encountered by the incident light from the electro-optical polymer film 350 and this electrode is kept at ground potential. M which is the reference for potentials; thus, if the electrical potential of the test point examined differs from this reference, the polarization of the light coming from the film is, due to the electric field applied according to the thickness of the electro-optical polymer film 350, different from that of the light incident, and this difference is detected.

Dans le film 350, le retard de phase de la lumière dû à l'effet électro-optique subi est proportionnel à la différence de potentiel entre les faces du film 350 au point d'observation. In the film 350, the phase delay of the light due to the electro-optical effect undergone is proportional to the potential difference between the faces of the film 350 at the point of observation.

La lumière réfléchie est renvoyée vers la lame quart d'onde 302 Ear un séparateur 303 ; en aval de la lame 302, la lumière est acheminée, par une lentille 304, vers un analyseur de Wollaston 305, duquel émergent deux faisceaux atteignant des détecteurs photo-électriques respectifs 308 et 309, qui, sur leurs sorties 306 et 307, produisent des signaux électriques respectifs 11 et 12. The reflected light is returned to the quarter-wave plate 302 Ear a separator 303; downstream of the blade 302, the light is conveyed, by a lens 304, to a Wollaston analyzer 305, from which two beams reach the respective photoelectric detectors 308 and 309, which, on their outputs 306 and 307, produce respective electrical signals 11 and 12.

Ce type de détection polarimétrique conduit aux relations suivantes
Il = I. (l+m) et I2 = I. (l-m)., dans lesquelles I est une grandeur proportionnelle à l'intensité lumineuse du laser 330 et dans lesquelles m est le retard de phase détecté, exprimé en radians et supposé petit.
This type of polarimetric detection leads to the following relationships
Il = I. (l + m) and I2 = I. (lm)., In which I is a quantity proportional to the light intensity of the laser 330 and in which m is the detected phase delay, expressed in radians and assumed small.

Un amplificateur différentiel 310 recevant les signaux des sorties 306 et 307 produit sur sa sortie 311 un signal Il
I2, donc égal à 2.I.m. Dans la mesure où, au cours d'un test, les éventuelles variations d'intensité lumineuse du laser 30 correspondent à des fréquences beaucoup plus basses que les fréquences de variation de m, la grandeur m peut être directement obtenue par un filtrage adéquat du signal électrique disponible sur la sortie 311 de l'amplificateur 310. En variante, un signal Il + I2 peut être utilise pour asservir l'intensité lumineuse de la source.
A differential amplifier 310 receiving the signals from outputs 306 and 307 produces on its output 311 a signal Il
I2, therefore equal to 2.Im Insofar as, during a test, the possible variations in light intensity of the laser 30 correspond to frequencies much lower than the frequencies of variation of m, the quantity m can be directly obtained by adequate filtering of the electrical signal available on the output 311 of the amplifier 310. As a variant, a signal Il + I2 can be used to control the light intensity of the source.

Une configuration de signaux de test peut être appliquée à des noeuds externes de la carte 351 en vue d'exciter le circuit et de manière à faire apparaître une réponse du circuit au noeud conducteur tel que 357 qui est soumis à l'observation électro-optique, ce qui se traduit par l'apparation d'une image de cette réponse sur la sortie 311.A configuration of test signals can be applied to external nodes of the card 351 in order to excite the circuit and so as to cause a response from the circuit to the conductive node such as 357 which is subjected to electro-optical observation. , which results in the appearance of an image of this response on output 311.

Grâce à une analyse théorique préalable du circuit à tester, la signal de sortie théorique idéal, pour le circuit à tester et la configuration de signaux de test appliquée, peut être déterminé à l'avance comme cela est fait couramment avec les ATE de l'art antérieur, et le signal idéal attendu 378 peut être comparé, par un comparateur 379, au signal de sortie 311 réellement obtenu.Thanks to a preliminary theoretical analysis of the circuit to be tested, the ideal theoretical output signal, for the circuit to be tested and the configuration of test signals applied, can be determined in advance as is commonly done with ATEs of the prior art, and the expected ideal signal 378 can be compared, by a comparator 379, to the output signal 311 actually obtained.

Si cette comparaison révèle une différence, le comparateur 379 produit sur sa sortie 380 l'indication d'un défaut révélé par le test.If this comparison reveals a difference, the comparator 379 produces on its output 380 the indication of a fault revealed by the test.

La lentille 334 est une lentille de champ placée à proximité immédiate du film 350. Ses dimensions sont du même ordre que celle des cartes de circuit à tester. Elle a pour effet de rediriger le faisceau 339 en provenance du déflecteur 333 vers le film 350 sous une incidence pratiquement normale. De la sorte, le faisceau réfléchi par la face réfléchissante 360, dont l'état de polarisation est influencé par le champ électrique dans le film au point examiné 336, emprunte essentiellement le même trajet en retour que le faisceau incident, jusqu'au séparateur 303.The lens 334 is a field lens placed in the immediate vicinity of the film 350. Its dimensions are of the same order as that of the circuit boards to be tested. It has the effect of redirecting the beam 339 coming from the deflector 333 towards the film 350 under a practically normal incidence. In this way, the beam reflected by the reflecting face 360, the state of polarization of which is influenced by the electric field in the film at the point examined 336, essentially follows the same return path as the incident beam, up to the separator 303 .

Pour les raisons évoquées précédemment, en référence aux figures 3a et 3b le film 350 a été préalablement orienté parallèlement à son plan. A cet effet, il a subi un traitement par exemple par la méthode évoquée en référence aux figures 5 et 6.For the reasons mentioned above, with reference to FIGS. 3a and 3b, the film 350 has been previously oriented parallel to its plane. To this end, it has undergone a treatment for example by the method mentioned with reference to FIGS. 5 and 6.

Le champ excitateur créé par la différence de potentiel entre les faces du film électro-optique 350, c'est-à-dire entre le conducteur 357 face au point 335 et l'électrode de référence 301, est normal au plan du film 350. Grâce à l'orientation des molécules actives dans la plan film, l'état de polarisation du faisceau d'incidence perpendiculaire 339 est modifié par la tension apparaissant en cours de test sur le conducteur 357. Avec une orientation des molécules actives normale au plan du film 350, un faisceau de lumière d'incidence oblique peut être utilisé. Alternativement, une méthode d'interférométrie telle que décrite en référence à la figure 2 peut être employée.  The excitation field created by the potential difference between the faces of the electro-optical film 350, that is to say between the conductor 357 facing the point 335 and the reference electrode 301, is normal to the plane of the film 350. Thanks to the orientation of the active molecules in the film plane, the polarization state of the perpendicular incidence beam 339 is modified by the voltage appearing during the test on the conductor 357. With an orientation of the active molecules normal to the plane of the film 350, a beam of oblique incidence light can be used. Alternatively, an interferometry method as described with reference to Figure 2 can be used.

Claims (51)

REVENDICATIONS 1 - Procédé pour figer l'image d'un champ électrique dans1 - Method for freezing the image of an electric field in un matériau comprenant des molécules douées d'activité a material comprising molecules endowed with activity électrooptique, caractérisé par les étapes suivantes electrooptics, characterized by the following stages a) on élève la température en au moins une zone de ce a) the temperature is raised in at least one zone of this matériau au delà d'un niveau de transition à partir material beyond a transition level from duquel l'orientation de ces molécules à l'intérieur which orientation of these molecules inside du support peut être modifiée par l'action d'un of the support can be modified by the action of a champ électrique  electric field b) on applique en cette zone un champ électrique b) an electric field is applied in this zone orientateur ou d'écriture dont la direction et/ou counselor or writer whose direction and / or l'intensité sont déterminées en fonction de intensity are determined based on caractéristiques d'anisotropie optique que l'on  optical anisotropy characteristics that one souhaite obtenir ; et wishes to obtain; and c) pendant l'opération b) on abaisse la température de c) during the operation b) the temperature is lowered ladite zone en-dessous de la température de said area below the temperature of transition pour figer les caractéristiques du champ transition to freeze the characteristics of the field appliqué dans le matériau. applied in the material. 2 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce2 - Method according to claim 1, characterized in that qu'on module le champ électrique appliqué aux points du that we modulate the electric field applied to the points of the matériau selon au moins une direction de l'espace pour material in at least one direction of space for faire varier une caractéristique d'anisotropie optique varying an optical anisotropy characteristic du matériau dans cette direction. material in this direction. 3 - Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que3 - Method according to claim 2, characterized in that l'on module le champ en intensité. the field is modulated in intensity. 4 - Procédé selon l'une des revendications 2 ou 3,4 - Method according to one of claims 2 or 3, caractérisé en ce que la modulation est effectuée entre characterized in that the modulation is carried out between deux niveaux.  two levels. 5 - Procédé selon la revendication précédente, caractérisé5 - Method according to the preceding claim, characterized en ce que l'un desdits niveaux est zéro. in that one of said levels is zero. 6 - Procédé selon l'une des revendications 2 à 5,6 - Method according to one of claims 2 to 5, caractérisé en ce que la modulation est faite sur une characterized in that the modulation is made on a gamme de niveaux. range of levels. 7 - Procédé selon la revendication précédente, caractérisé7 - Method according to the preceding claim, characterized en ce que lesdits niveaux sont discontinus. in that said levels are discontinuous. 8 - Procédé selon l'une des revendications précédentes,8 - Method according to one of the preceding claims, caractérisé en ce que le matériau est conditionné sous characterized in that the material is packaged under la forme d'une couche ou d'un film. the shape of a layer or film. 9 - Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que9 - Method according to claim 8, characterized in that la modulation est réalisée dans deux dimensions modulation is performed in two dimensions parallèlement au plan de la couche. parallel to the layer plane. 10- Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que10- Method according to claim 8, characterized in that la modulation est réalisée au moins dans une dimension modulation is carried out at least in one dimension parallèlement au plan de la couche et dans l'épaisseur parallel to the layer plane and in the thickness de la couche. of the diaper. 11- Procédé selon l'une des revendications 8 à 10,11- Method according to one of claims 8 to 10, caractérisé en ce que l'on oriente les molécules à characterized in that the molecules are oriented at l'aide d'un champ électrique non perpendiculaire au using an electric field not perpendicular to the plan de la couche. layer plane. 12- Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce12- Method according to claim 11, characterized in that que l'on oriente les molécules sensiblement dans le that we orient the molecules substantially in the plan de la couche. layer plane. 13- Procédé pour lire l'enregistrement d'un champ13- Method for reading the record of a field électrique modulé, réalisé conformément au procédé modulated electric, produced according to the process selon l'une des revendications 8 à 12, caractérisé en  according to one of claims 8 to 12, characterized in ce que l'on soumet la couche ou le film à un champ what we subject the layer or film to a field électrique de lecture propre à révéler l'anisotropie electric reading device capable of revealing anisotropy optique du matériau et on détecte cette anisotropie par optics of the material and this anisotropy is detected by des moyens optiques. optical means. 14- Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce14- Method according to claim 13, characterized in that que l'on réalise l'analyse d'un faisceau lumineux that we perform the analysis of a light beam traversant le matériau (placé sous le champ électrique passing through the material (placed under the electric field de lecture) et dont certains paramètres sont modifiés of reading) and some parameters of which are modified par l'anisotropie. by anisotropy. 15- Procédé selon l'une des revendications précédentes,15- Method according to one of the preceding claims, caractérisé en ce que l'on crée une anisotropie locale characterized in that a local anisotropy is created par application de chaleur localement et du champ by applying heat locally and from the field électrique orientateur ou d'écriture global, puis electrical orienter or overall writing and then refroidissement sous ledit champ. cooling under said field. 16- Procédé selon l'une des revendications 1 à 14,16- Method according to one of claims 1 to 14, caractérisé en ce que l'on supprime globalement characterized in that globally removed l'anisotropie du matériau par application simultanée de the anisotropy of the material by simultaneous application of chaleur et d'un champ, puis on crée une anisotropie heat and a field, then we create an anisotropy locale sous champ électrique nul. local under zero electric field. 17- Procédé selon l'une des revendications 15 ou 16,17- Method according to one of claims 15 or 16, caractérisé en ce que le matériau est soumis à une characterized in that the material is subjected to a application locale de chaleur sous ledit champ local application of heat under said field électrique d'écriture global. electric writing system. 18- Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce18- Method according to claim 16, characterized in that que 1'anisotropie est créée par application globale de that anisotropy is created by global application of chaleur et d'un champ électrique local.  heat and a local electric field. 19- Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce19- Method according to claim 18, characterized in that que le matériau est soumis à un champ électrique local that the material is subjected to a local electric field par dépôt de charges on mise à un potentiel donné à la by deposition of charges, a potential given to the surface du matériau. material surface. 20- Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce20- Method according to claim 17, characterized in that que l'on chauffe le matériau en focalisant sur des that we heat the material by focusing on zones définies de ce dernier situées à des niveaux defined areas of the latter located at levels différents dans l'épaisseur du film ou de la couche. different in the thickness of the film or layer. 21- Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce21- Method according to claim 18, characterized in that que l'on chauffe globalement le matériau et on soumet that we heat the material globally and submit ce dernier à des champs électriques locaux de valeurs the latter to local electric fields of values différentes. different. 22- Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que22- Method according to claim 8, characterized in that le matériau est en forme de bande ou de disque. the material is in the form of a strip or disc. 23- Procédé selon l'une des revendications précédentes,23- Method according to one of the preceding claims, caractérisé en ce que le matériau est constitué d'une characterized in that the material consists of a matrice polymère dopée de molécules électro-actives. polymer matrix doped with electro-active molecules. 24- Procédé pour réaliser le transfert de charges24- Method for transferring charges électriques, sous I'effet d'un faisceau lumineux de electric, under the effect of a light beam of commande, entre la première face d'un élément en un command, between the first side of an element in one matériau photoconducteur reliée à une source de photoconductive material connected to a source of charges, et la seconde face dudit élément disposée à loads, and the second face of said element arranged at proximité électrique d'une face d'une couche de electrical proximity to one side of a layer of matériau diélectrique. dielectric material. 25- Procédé selon les revendications 19 et 22, caractérisé25- Method according to claims 19 and 22, characterized en ce que le dépôt de charges est réalisé par transfert in that the deposit of charges is carried out by transfer de charges entre une face d'une couche en un matériau of charges between a face of a layer of a material photoconducteur reliée à une source de charge et photoconductor connected to a charge source and l'autre face de ladite couche disposée à proximité the other side of said layer disposed close électrique d'une des faces de la bande.  of one side of the strip. 26- Dispositif pour la mise en oeuvre du procédé selon26- Device for implementing the method according to l'une des revendications précédentes, comprenant des one of the preceding claims, comprising moyens de création et de modulation de l'anisotropie du means of creation and modulation of the anisotropy of the matériau et des moyens de déplacement relatif entre le material and relative displacement means between the support formé du matériau d'une part et les moyens de support formed of the material on the one hand and the means of création et de modulation de l'anisotropie du matériau creation and modulation of the anisotropy of the material d'autre part. on the other hand. 27- Dispositif selon la revendication précédente,27- Device according to the preceding claim, caractérisé en ce que les moyens de création et de characterized in that the means of creation and modulation se l'anisotropie du matériau comprennent des modulation is the anisotropy of the material include moyens de chauffage et des moyens générateurs de champ heating means and field generating means électrique d'écriture dans lequel est susceptible de electric writing in which is likely to baigner le support. bathe the support. 28- Dispositif selon la revendication 25, caractérisé en ce 28- Device according to claim 25, characterized in that que les moyens de création et de modulation de that the means of creation and modulation of chauffage comprennent des moyens de chauffage local du heating include local heating means of the matériau. material. 29- Dispositif selon l'une des revendications 26 à 28,29- Device according to one of claims 26 to 28, caractérisé en ce que les moyens de création et de characterized in that the means of creation and modulation se 1'anisotropie du matériau sont fixes et modulation and the anisotropy of the material are fixed and les moyens de déplacement sont aptes à faire déplacer the displacement means are capable of causing displacement le support. the support. 30- Dispositif selon la revendication 28, caractérisé en ce30- Device according to claim 28, characterized in that que les moyens de chauffage local comprennent un that the local heating means include a émetteur de faisceau laser apte à être focalisé sur une laser beam emitter capable of being focused on a zone donnée du support. given area of the support. 31- Dispositif selon les revendications 27 et 30,31- Device according to claims 27 and 30, caractérisé en ce que les moyens générateurs de champ characterized in that the field generating means électrique comprennent des électrodes en matériau electrical include material electrodes conducteur et aptes à laisser passer le faisceau laser, conductive and able to pass the laser beam, disposées de part et d'autre du support, et portées à arranged on either side of the support, and brought to des potentiels différents.  different potentials. 32- Dispositif selon la revendication 27, caractérisé en ce32- Device according to claim 27, characterized in that que les moyens générateurs de champ électrique sont that the electric field generating means are aptes à effectuer un dépôt de charges électrostatiques suitable for depositing electrostatic charges à la surface du support. on the surface of the support. 33- Dispositif selon l'une des revendications 26 à 32,33- Device according to one of claims 26 to 32, caractérisé en ce que les moyens de création et de characterized in that the means of creation and modulation de 1'anisotropie sont aptes à créer modulation of the anisotropy are able to create plusieurs pistes parallèles porteuses chacune d'une multiple parallel tracks each carrying a série de bits successifs. series of successive bits. 34- Dispositif selon les revendications 30 et 33,34- Device according to claims 30 and 33, caractérisé en ce qu'il comprend soit une diode laser characterized in that it comprises either a laser diode par piste, soit une seule diode associée à des moyens per track, i.e. a single diode associated with means de modulation de la direction du faisceau laser émis for modulating the direction of the emitted laser beam par la diode unique. by the single diode. 35- Dispositif pour la mise en oeuvre du procédé selon35- Device for implementing the method according to l'une des revendications 1 à 23, caractérisé en ce one of claims 1 to 23, characterized in that qu'il comprend également des moyens de lecture de that it also includes means for reading l'information enregistrée sur le matériau information recorded on the material élactro-optique, comprenant des moyens générateurs de electro-optic, comprising means generating champ électrique de lecture, des moyens d'engendrer un electric field of reading, means of generating a faisceau lumineux apte à traverser le support et des light beam able to pass through the support and moyens d'analyse optique dudit faisceau, propres à means of optical analysis of said beam, suitable for réveler l'anisotropie optique du matériau reveal the optical anisotropy of the material représentative de l'information enregistrée. representative of the information recorded. 36- Dispositif selon la revendication 35, caractérisé en ce36- Device according to claim 35, characterized in that que les moyens générateurs de champ comprennent des that the field generating means include électrodes intégrées soit auxdits moyens soit au electrodes integrated either into said means or into support lui-même. support itself. 37- Dispositif selon la revendication 35, caractérisé en ce37- Device according to claim 35, characterized in that que les moyens générateurs de faisceau lumineux de that the light beam generating means of lecture sont constitués d'un émetteur de faisceau reading consist of a beam emitter laser.  laser. 38- Dispositif selon la revendication 35, caractérisé en ce38- Device according to claim 35, characterized in that que les moyens d'analyse optique sont du type that the optical analysis means are of the type polarimétrique et comprennent un ensemble polariseur et polarimetric and include a polarizer assembly and analyseur croisés et un photodétecteur. crossed analyzer and a photodetector. 39- Dispositif selon la revendication 35, caractérisé en ce39- Device according to claim 35, characterized in that que les moyens d'analyse optique sont du type that the optical analysis means are of the type interférométrique et comprennent un jeu de miroirs interferometric and include a set of mirrors semi-transparents en contact avec les faces respectives semi-transparent in contact with the respective faces du support, une source lumineuse et des moyens of the support, a light source and means d'analyse optique aptes à mesurer l'intensité du rayon optical analysis capable of measuring the intensity of the ray lumineux issu du support. bright from the support. 40- Dispositif selon les revendications 27 et 35,40- Device according to claims 27 and 35, caractérisé en ce que la valeur du champ électrique characterized in that the value of the electric field d'écriture est inférieure à la valeur du champ writing is less than the field value électrique de lecture. electric reading. 41- Dispositif selon les revendications 30 et 37,41- Device according to claims 30 and 37, caractérisé en ce que l'émetteur laser pour la lecture characterized in that the laser transmitter for reading est de puissance inférieure à l'émetteur laser pour is of lower power than the laser transmitter for 1 'écriture.  1 writing. 42- Dispositif selon les revendications 30 et 37,42- Device according to claims 30 and 37, caractérisé en ce que le support est absorbant pour la characterized in that the support is absorbent for the longueur d'onde du faisceau lumineux d'écriture et peu wavelength of the writing light beam and little absorbant (translucide ou transparent) pour la longueur absorbent (translucent or transparent) for the length d'onde du faisceau lumineux de lecture. of the reading light beam. 43- Dispositif selon les revendications 26 et 35,43- Device according to claims 26 and 35, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens characterized in that it comprises means d'enregistrer sur le support des données de référence to save reference data on the medium (correspondant à une modulation donnée d'anisotropie) (corresponding to a given modulation of anisotropy) et des moyens de comparaison entre les signaux de and means of comparison between the signals of référence et les signaux correspondant aux informations reference and the signals corresponding to the information proprement dites, issus de l'analyse optique de proper, resulting from the optical analysis of lecture.  reading. 44- Dispositif selon l'une des revendications 26 à 43,44- Device according to one of claims 26 to 43, caractérisé en ce que le support est en un matériau characterized in that the support is made of a material électro-optique, constitué d'une matrice polymère dopée electro-optical, consisting of a doped polymer matrix de molécules conductrices. conductive molecules. 45- Dispositif selon l'une des revendications 26 à 44,45- Device according to one of claims 26 to 44, caractérisé en ce que le support est en forme de bande characterized in that the support is in the form of a strip ou de disque. or disc. 46- Dispositif selon la revendication 32, caractérisé en ce46- Device according to claim 32, characterized in that qu'il comprend des moyens de transfert de charges entre that it includes means for transferring charges between une face d'une couche en un matériau photoconducteur one side of a layer of photoconductive material reliée à une source, de charge et l'autre face de ladite connected to a source, load and the other side of said couche disposée à proximité électrique d'une des faces layer placed in electrical proximity to one of the faces du support. support. 47- Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce47- A method according to claim 13, characterized in that que l'on fait défiler la couche ou film dans un champ that we scroll the layer or film in a field de lecture sensiblement constant et on détecte substantially constant reading and we detect optiquement les variations d'indice de la couche ou optically the variations in the layer index or film dans ce champ pour lire l'enregistrement du champ movie in this field to read the recording of the field d'écriture. writing. 48- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que48- Method according to claim 1, characterized in that la direction du champ électrique orientateur est the direction of the orienting electric field is déterminée pour imposer à la structure du matériau des determined to impose on the structure of the material caractéristiques d'anisotropie présélectionnées en characteristics of anisotropy preselected in direction. direction. 49- Procédé de fabrication d'un transducteur propre à49- Method of manufacturing a transducer specific to fournir une image de tensions dans un circuit provide a picture of voltages in a circuit électrique ct contenant une couche d'un matériau electric and containing a layer of material comprenant des molécules douées d'activité comprising molecules endowed with activity électro-optique, dont une face est destinée à être electro-optics, one side of which is intended to be placée à proximité électrique des zones du circuit dont  placed in electrical proximity to the circuit areas including on désire obtenir une image de tension, caractérisé en one wishes to obtain an image of tension, characterized in ce que l'on oriente lesdites molécules à l'aide du what we orient said molecules using procédé selon l'une des revendications 11 ou 12. method according to one of claims 11 or 12. 50- Dispositif selon la revendication 39, caractérisé en ce 50- Device according to claim 39, characterized in that que les miroirs semi-transparents sont constitués de that semi-transparent mirrors are made of couches de matériau transparent et conducteurs, layers of transparent and conductive material, déposées sur chaque face du support, et reliées deposited on each side of the support, and connected respectivement à un potentiel positif et à la masse. respectively to a positive potential and to ground. 51- Dispositif selon la revendication précédente,51- Device according to the preceding claim, caractérisé en ce que les couches formant miroirs sont characterized in that the mirror layers are constituées de segments de longueur donnée (dans la consisting of segments of given length (in the direction de défilement du support), deux segments support scrolling direction), two segments consécutifs étant séparés par un espace de longueur consecutive being separated by a length space petite devant celle desdits segments.  small in front of that of said segments.
FR8809916A 1988-07-22 1988-07-22 METHOD AND DEVICE FOR FIXING THE IMAGE OF AN ELECTRIC FIELD IN A MATERIAL Expired - Fee Related FR2634566B1 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8809916A FR2634566B1 (en) 1988-07-22 1988-07-22 METHOD AND DEVICE FOR FIXING THE IMAGE OF AN ELECTRIC FIELD IN A MATERIAL
FR8902106A FR2643470A2 (en) 1988-07-22 1989-02-17 Improvement to the recording and the reading of information in an electrooptical material
EP89402076A EP0352194A1 (en) 1988-07-22 1989-07-21 Methods, apparatus and media for recording information
JP19122689A JPH02154345A (en) 1988-07-22 1989-07-24 Method, apparatus and medium for recording information

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8809916A FR2634566B1 (en) 1988-07-22 1988-07-22 METHOD AND DEVICE FOR FIXING THE IMAGE OF AN ELECTRIC FIELD IN A MATERIAL

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2634566A1 true FR2634566A1 (en) 1990-01-26
FR2634566B1 FR2634566B1 (en) 1990-11-30

Family

ID=9368672

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8809916A Expired - Fee Related FR2634566B1 (en) 1988-07-22 1988-07-22 METHOD AND DEVICE FOR FIXING THE IMAGE OF AN ELECTRIC FIELD IN A MATERIAL

Country Status (1)

Country Link
FR (1) FR2634566B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1988000718A1 (en) * 1986-07-22 1988-01-28 Raychem Corporation Method for remotely detecting an electric field

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1988000718A1 (en) * 1986-07-22 1988-01-28 Raychem Corporation Method for remotely detecting an electric field

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BER. BUNSENGES. PHYS. CHEM., vol. 89, 1985, pages 1179-1190, VCH Verlagsgesellschaft mbH, Weinheim, DE; G. K[MF: "Polymere als Tr{ger und Speicher von Informationen" *
MOLECULAR CRYSTALS & LIQUID CRYSTALS, vol. 141, nos. 3-4, 1986, pages 229-235, Gordon and Breach Science Publishers S.A., Montreux, CH; S. SATO et al.: "Liquid-crystal electric and magnetic field sensors" *

Also Published As

Publication number Publication date
FR2634566B1 (en) 1990-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0575227B1 (en) Process and apparatus for the modulation and amplification of lightrays
EP0023868B1 (en) Optical device for access to an information carrier track and optical memory system comprising such a device
EP0527670B1 (en) Magneto-optical read head
EP0077693B1 (en) Optoelectronic device for reproducing information carried on a magnetic record carrier
EP0686298B1 (en) Optical method and system for reading/writing data on a recording medium
EP0022682B1 (en) Optical reading head with semi-conductor laser source and device for reading a record carrier by using reflexion, comprising such an optical head
FR2476892A1 (en) MAGNETO-OPTICAL STORAGE MEDIUM
EP0466598B1 (en) Method and apparatus for deposition of antireflection coatings and control of their thickness
EP0306359B1 (en) Device for testing a circuit
FR2575315A1 (en) LASER APPARATUS, IN PARTICULAR FOR RECORDING, AND METHOD OF SERVING A RECORD TRACK
FR2634566A1 (en) Method and device for fixing the image of an electric field in a material
EP0829870B1 (en) Apparatus for reproducing magnetically recorded data from multiple tracks
EP0889466B1 (en) Optical recording medium with two superimposed layers, and corresponding recording device and method of reproduction
JPH02154345A (en) Method, apparatus and medium for recording information
EP0772047B1 (en) Electric field measuring device
EP2145331A1 (en) Method and system for reading high density optical information
FR2879752A1 (en) Electric, magnetic and electromagnetic field measurement device, has polarization maintenance optical fiber placed between light source and sensor that has birefringent portion decomposing emitted beam into two waves
JPH065583B2 (en) Optical information processing device
CH636212A5 (en) Medium carrying recorded information
FR2562363A1 (en) Device for taking infrared pictures
FR2643492A1 (en) Process and systems for optical recording
FR3112605A1 (en) Device for polarimetric characterization of the anisotropy of a medium, and corresponding imaging system
FR2520885A1 (en) INFORMATION TRANSFER DEVICE IN A NON-LINEAR OPTICAL ENVIRONMENT
FR2643470A2 (en) Improvement to the recording and the reading of information in an electrooptical material
JPS61240448A (en) Optical information processor

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse