FR2606554A1 - Procede de fabrication de composants electro-optiques integres ne necessitant qu'une seule operation de masquage et les composants issus dudit procede - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 title claims abstract description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 16
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 159000000002 lithium salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/134—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms
- G02B6/1345—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms using ion exchange
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- G02—OPTICS
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F2201/06—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 integrated waveguide
- G02F2201/066—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 integrated waveguide channel; buried
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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Abstract
L'INVENTION A POUR OBJET UN PROCEDE DE FABRICATION DE COMPOSANTS ELECTRO-OPTIQUES INTEGRES NE NECESSITANT QU'UNE SEULE OPERATION DE MASQUAGE ET LES COMPOSANTS ISSUS DUDIT PROCEDE. L'ELEMENT NIOBATE DE LITHIUM 14 OU ANALOGUE EST RECOUVERT D'ALUMINIUM 15 PUIS, D'UNE COUCHE DE RESINE PHOTOSENSIBLE 16; UN SEUL ET UNIQUE MASQUE 17 EST MIS EN PLACE; L'ENSEMBLE SUBIT UNE INSOLATION AUX ULTRA-VIOLETS 18 AU TRAVERS DU MASQUE 17; PUIS, ON PROCEDE AU DEVELOPPEMENT EN 19 EN ENLEVANT LA RESINE RESIDUELLE 16, PUIS A LA GRAVURE, EN 20, PAR ATTAQUE CHIMIQUE OU BOMBARDEMENT IONIQUE, CE QUI PERMET D'OBTENIR DES ELECTRODES 23 ET 24; ENFIN, ON CREE UN GUIDE D'ONDE OPTIQUE 22 PAR UN ECHANGE PROTONIQUE 21; IL SUFFIT ALORS DE SOUDER LES CONTACTS DES ELECTRODES 23, 24. L'INVENTION S'APPLIQUE A TOUS LES COMPOSANTS OPTIQUES INTEGRES UTILISANT LA DEFLEXION, LA MODULATION OU LA COMMUTATION DE LA LUMIERE PAR EFFET ELECTRO-OPTIQUE.
Description
L'invention a pour objet un procédé de fabrication de composants électro-optiques intégrés ne nécessitant qu'une seule opération de masquage et les composants issus dudit procédé.
Le procédé selon l'invention est remarquable dans la mesure où la fabrication s'effectue sans superposition de masques. Le procédé porte notamment sur la réalisation de composants électro-optiques intégrés sur niobate de lithium ne nécessitant qu'une seule opération de masquage.
L'état de la technique peut être défini par le brevet FR.A.2.399.736.
Dans ce brevet THOMPSON CSF, il est décrit une fabrication de guides de lumière intégrés dans une structure dont le matériau de base est du niobate ou du tantalate de lithium dopé localement.
Dans une structure traitée selon l'invention, on limite le nombre d'électrodes et on crée un plan de masse à la partie inférieure du substrat, ce qui permet d'obtenir une configuration plus efficace des lignes de force du champ électrique agissant sur le guide de lumière. A cet effet, on réalise une couche très mince 12 de niobate de lithium comportant un guide de lumière 3, le reste 11 du substrat étant rendu conducteur par réduction préalable du matériau suivi d'une réoxydation partielle à partir de la face supérieure 120.
FR.A.2.309.890 : dans ce brevet, il est décrit que l'on constitue un coupleur directionnel en disposant, en contact avec un substrat, deux guides d'ondes rectilignes et parallèles. Deux électrodes, respectivement disposées sur chacun des guides, permettent, par l'application d'une tension, de créer des lignes de champs électriques qui se forment à travers le substrat, traversent les deux guides suivant des directions sensiblement opposées et engendrant ainsi, dans les deux guides, des variations d'indice, égales en valeur absolue et de signes contraires, qui modifient la longueur de couplage.
Jusqu'à présent, les composants électro-optiques intégrés sur niobate de lithium (LiNbO3) qu'il s'agisse de modulateurs, de commutateurs ou d'interferromètres, sont réalisés par diffusion de titane. Cette réalisation comprend deux étapes
- fabrication de circuit optique
- superposition des électrodes de commande
Chacune de ces étapes comprend entre autre une opération de masquage, onéreuse et délicate donc, quelle que soit la technique de transfert de masque retenue, gravure ionique ou chimique ou décollement sous attaque (lift off), on ne peut éviter l'étape critique de la superposition des deux masques, les électrodes devant être soigneusement positionnées par rapport aux guides d'onde déjà réalisés sur le substrat.Le processus complet comprend donc, par exemple:
- fabrication de circuit optique
- superposition des électrodes de commande
Chacune de ces étapes comprend entre autre une opération de masquage, onéreuse et délicate donc, quelle que soit la technique de transfert de masque retenue, gravure ionique ou chimique ou décollement sous attaque (lift off), on ne peut éviter l'étape critique de la superposition des deux masques, les électrodes devant être soigneusement positionnées par rapport aux guides d'onde déjà réalisés sur le substrat.Le processus complet comprend donc, par exemple:
<tb> <SEP> Dépot <SEP> de <SEP> titane
<tb> <SEP> Masquage <SEP> 1 <SEP> Dépôt <SEP> de <SEP> résine <SEP> photosensible <SEP> I
<tb> CIRCUIT <SEP> I <SEP> insolation <SEP> de <SEP> la <SEP> résine <SEP> au
<tb> <SEP> travers <SEP> du <SEP> masque
<tb> <SEP> I <SEP> Développement
<tb> OPTIQUE <SEP> Gravure <SEP> chimique <SEP> ou <SEP> bombardement <SEP> I <SEP> GRAVURE
<tb> <SEP> ionique
<tb> <SEP> I <SEP> Enlèvement <SEP> de <SEP> la <SEP> résine <SEP> résiduelle
<tb> <SEP> après <SEP> la <SEP> gravure
<tb> <SEP> Diffusion <SEP>
<tb> <SEP> Masquage <SEP> 2 <SEP> dépôt <SEP> de <SEP> résine <SEP> photosensible <SEP> I <SEP>
<tb> <SEP> I <SEP> superposition <SEP> du <SEP> 2eme <SEP> masque <SEP> I
<tb> ELEC- <SEP> I <SEP> insolation <SEP> de <SEP> la <SEP> résine <SEP> au
<tb> <SEP> I <SEP> travers <SEP> du <SEP> masque <SEP> I <SEP> LIFT <SEP> OFF
<tb> <SEP> I <SEP> développement
<tb> TRODES <SEP> I <SEP> Dépôt <SEP> d'aluminium <SEP> ou <SEP> d'or
<tb> <SEP> I <SEP> enlèvement <SEP> de <SEP> la <SEP> résine <SEP> résiduelle <SEP> I
<tb> <SEP> I <SEP> soudure <SEP> des <SEP> contacts <SEP> ~ <SEP>
<tb>
Depuis quelques années, l'étude d'un nouveau procédé de fabrication des guides d'ondes dans le niobate de lithium a fait son apparition : c'est l'échange protonique.Ce procédé a soulevé un grand intérêt en raison de sa relative simplicité et de la très forte variation d'indice qu'il produit en surface du cristal, ce qui ouvre la porte à de nombreuses autres applications, mais en aucun cas, elles n'ont permis d'aboutir à un procédé de fabrication utilisant une seule opération de masquage.
<tb> <SEP> Masquage <SEP> 1 <SEP> Dépôt <SEP> de <SEP> résine <SEP> photosensible <SEP> I
<tb> CIRCUIT <SEP> I <SEP> insolation <SEP> de <SEP> la <SEP> résine <SEP> au
<tb> <SEP> travers <SEP> du <SEP> masque
<tb> <SEP> I <SEP> Développement
<tb> OPTIQUE <SEP> Gravure <SEP> chimique <SEP> ou <SEP> bombardement <SEP> I <SEP> GRAVURE
<tb> <SEP> ionique
<tb> <SEP> I <SEP> Enlèvement <SEP> de <SEP> la <SEP> résine <SEP> résiduelle
<tb> <SEP> après <SEP> la <SEP> gravure
<tb> <SEP> Diffusion <SEP>
<tb> <SEP> Masquage <SEP> 2 <SEP> dépôt <SEP> de <SEP> résine <SEP> photosensible <SEP> I <SEP>
<tb> <SEP> I <SEP> superposition <SEP> du <SEP> 2eme <SEP> masque <SEP> I
<tb> ELEC- <SEP> I <SEP> insolation <SEP> de <SEP> la <SEP> résine <SEP> au
<tb> <SEP> I <SEP> travers <SEP> du <SEP> masque <SEP> I <SEP> LIFT <SEP> OFF
<tb> <SEP> I <SEP> développement
<tb> TRODES <SEP> I <SEP> Dépôt <SEP> d'aluminium <SEP> ou <SEP> d'or
<tb> <SEP> I <SEP> enlèvement <SEP> de <SEP> la <SEP> résine <SEP> résiduelle <SEP> I
<tb> <SEP> I <SEP> soudure <SEP> des <SEP> contacts <SEP> ~ <SEP>
<tb>
Depuis quelques années, l'étude d'un nouveau procédé de fabrication des guides d'ondes dans le niobate de lithium a fait son apparition : c'est l'échange protonique.Ce procédé a soulevé un grand intérêt en raison de sa relative simplicité et de la très forte variation d'indice qu'il produit en surface du cristal, ce qui ouvre la porte à de nombreuses autres applications, mais en aucun cas, elles n'ont permis d'aboutir à un procédé de fabrication utilisant une seule opération de masquage.
Le procédé de fabrication selon l'invention utilise, de manière spécifique, l'échange protonique à la réalisation de composants électro-optiques sur niobate de lithium ou analogue tel du tantalate de lithium.
En modifiant la source de protons par dilution d'un sel de lithium, il est possible de créer des guides et de choisir les caractéristiques optiques, profil d'indice et pertes des guides et de les rendre, par exemple, très voisines de celles obtenues par diffusion de titane. De plus, par échange protonique, le circuit optique est réalisé par réaction chimique à travers un seul et unique masque métallique. Ledit masque peut être dessiné de manière à définir d'une part, le circuit optique et d'autre part, à faire office d'électrode.
<tb> I <SEP> 1) <SEP> Masquage <SEP> 1.1. <SEP> dépôt <SEP> de <SEP> résine <SEP> photosensible
<tb> I <SEP> par <SEP> décollement <SEP> sous <SEP> attaque <SEP> (lift <SEP> off)
<tb> 1.2. <SEP> insolation <SEP> de <SEP> la <SEP> résine <SEP> au <SEP> travers <SEP> du
<tb> <SEP> masque
<tb> 1 <SEP> 1.3. <SEP> développement
<tb> 1.4. <SEP> dépôt <SEP> d'aluminium <SEP> ou <SEP> d'or <SEP> 1 <SEP> <SEP> 1.5.
<tb>
<tb> I <SEP> par <SEP> décollement <SEP> sous <SEP> attaque <SEP> (lift <SEP> off)
<tb> 1.2. <SEP> insolation <SEP> de <SEP> la <SEP> résine <SEP> au <SEP> travers <SEP> du
<tb> <SEP> masque
<tb> 1 <SEP> 1.3. <SEP> développement
<tb> 1.4. <SEP> dépôt <SEP> d'aluminium <SEP> ou <SEP> d'or <SEP> 1 <SEP> <SEP> 1.5.
<tb>
enlèvement <SEP> de <SEP> la <SEP> résine <SEP> résiduelle
<tb> I
<tb> 1 <SEP> 2) <SEP> Echange <SEP> protonique
<tb> 1 <SEP> 3) <SEP> Soudure <SEP> des <SEP> contacts
<tb>
Selon un autre procédé, le transfert de masque utilisé peut ne pas être le procédé décollement sous attaque (lift off) mais une gravure chimique ou ionique. Le procédé est alors le suivant
1) Masquage 1.1. dépôt de métal
1.2. dépôt de résine photosensible
1.3. insolation de la résine au travers du
masque
1.4. développement
1.5. gravure (ionique ou chimique)
1.6. enlèvement de la résine résiduelle
2) Echange protonique
3) Soudure des contacts.
<tb> I
<tb> 1 <SEP> 2) <SEP> Echange <SEP> protonique
<tb> 1 <SEP> 3) <SEP> Soudure <SEP> des <SEP> contacts
<tb>
Selon un autre procédé, le transfert de masque utilisé peut ne pas être le procédé décollement sous attaque (lift off) mais une gravure chimique ou ionique. Le procédé est alors le suivant
1) Masquage 1.1. dépôt de métal
1.2. dépôt de résine photosensible
1.3. insolation de la résine au travers du
masque
1.4. développement
1.5. gravure (ionique ou chimique)
1.6. enlèvement de la résine résiduelle
2) Echange protonique
3) Soudure des contacts.
L'ensemble circuit optique et électrodes est donc réalisé en une seule opération de masquage.
Cette simplification permet de réduire sensiblement les coûts de fabrication et présente un gros intérêt dans le cas des modulateurs et commutateurs implantés dans des réseaux locaux ou dans des capteurs, c'est-à-dire, des applications ne nécessitant pas des vitesses de modulation supérieure à 1 MHz. En effet, cette simplification limite les possibilités de jouer sur la forme des électrodes ce qui est indispensable dans les applications nécessitant des vitesses de l'ordre ou supérieurs au MHz.
Les dessins ci-joint sont donnés à titre d'exemple indicatif et non limitatif. Ils représentent un mode de réalisation préféré selon l'invention. Ils permettront de comprendre aisément l'invention.
La figure 1 est une vue schématique des différentes étapes du procédé de fabrication actuel utilisant la diffusion de titane et un premier masque pour la réalisation du guide. Le transfert de ce premier masque étant réalisé par gravure.
La figure 2 est une vue schématique des différentes étapes du procédé de fabrication actuel utilisant la diffusion du titane et un second masque pour la réalisation des électrodes. Le transfert de ce second masque étant réalisé par décollement sous attaque (lift off).
La figure 3 est une vue schématique des différentes étapes du procédé de fabrication selon l'invention utilisant l'échange protonique et un seul masque.
La figure 1 représente schématiquement la réalisation du guide, réalisé par diffusion de titane.
Le substrat de niobate de lithium 1 est recouvert d'une couche de titane 2, elle-même recouverte d!une résine photosensible 3.
Un premier masque 4 est mis en place ; puis, l'ensemble subit une insolation aux ultra-violets 5. Le transfert de ce premier masque 4 est réalisé par gravure.
Après cette insolation aux ultra-violets, c'est la phase de développement 6 ; on développe l'ensemble ; puis, on procède à la gravure 7 par une attaque chimique ou un bombardement ionique, ce qui laisse apparaitre une gravure.
Le procédé de diffusion 8 est ensuite utilisé (à 10000C, pendant dix heures) pour former un guide d'onde optique 9.
La figure 2 permet de visualiser les différentes étapes pour la réalisation des électrodes avec la mise en place d'un second masque dont le transfert est réalisé par décollement sous attaque (lift off).
Le niobate de lithium 1 et son guide d'onde optique 9 sont recouverts d'une couche de résine photosensible 10.
Un second masque 11 est mis en place ; puis, l'ensemble subit une nouvelle insolation aux ultra-violets, au travers du second masque 11.
Après insolation, on développe (phase 25).
On dépose alors une couche d'aluminium ou d'or 12 ; puis, on enlève la résine résiduelle 10, les éléments d'aluminium ou d'or 12 en contact avec le niobate de lithium 1 restant en place. Ces deux éléments vont faire office d'électrodes 13. I1 ne reste qu'à souder les contacts.
Le procédé selon l'invention utilise l'échange protonique. Le transfert de ce masque est dans cet exemple réalisé par gravure. I1 pourrait tout aussi bien être réalisé par décollement sous attaque (lift off).
L'élément niobate de lithium 14 ou analogue est recouvert d'aluminium 15 (ou autres métaux possibles) puis, d'une couche de résine photosensible 16.
Un seul et unique masque 17 est mis en place.
L'ensemble subit une insolation aux ultra-violets 18 au travers du masque 17.
Puis, on procède au développement en 19, puis à la gravure en 20 par attaque chimique ou bombardement ionique. On enlève ensuite la résine résiduelle 16, ce qui permet d'obtenir des électrodes 23 et 24.
Le procédé est alors le suivant
1) Masquage 1.1. dépôt de métal
1.2. dépôt de résine photosensible
1.3. insolation de la résine au travers du
masque
1.4. développement
1.5. gravure (ionique ou chimique)
1.6. enlèvement de la résine résiduelle
2) Echange protonique
3) Soudure des contacts.
1) Masquage 1.1. dépôt de métal
1.2. dépôt de résine photosensible
1.3. insolation de la résine au travers du
masque
1.4. développement
1.5. gravure (ionique ou chimique)
1.6. enlèvement de la résine résiduelle
2) Echange protonique
3) Soudure des contacts.
Enfin, on crée un guide d'onde optique 22 par un échange protonique 21.
I1 suffit alors de souder les contacts des électrodes 23,24.
Selon un autre procédé, le substrat, par exemple, le niobate de lithium peut être préparé par une diffusion de titane sur toute la surface qui protège le substrat en vue de échange protonique ultérieur.
Claims (7)
1. Procédé de fabrication de composants électro-optiques intégrés dans une structure dont le matériau de base est du niobate de lithium ou du tantalate de lithium dopé localement caractérisé par le fait
que l'on utilise une seule opération de masquage (17), pour réaliser le ou les guides optiques (22) par échange protonique et les électrodes (23,24).
2. Procédé selon la revendication 1 caractérisé par le fait
que le transfert de masque peut être réalisé par gravure.
3. Procédé selon la revendication 1 caractérisé par le fait
que le transfert de masque peut être réalisé par décollement sous attaque (lift off).
4. Procédé selon l'une quelconque des revendication 1 ou 2 caractérisé par le fait
- que l'élément niobate de lithium (14) ou analogue est recouvert d'un métal (15)
- puis, d'une couche de résine photosensible (16) ; un seul et unique masque (17) est mis en place
- l'ensemble subit une insolation au travers du masque (17)
- puis, l'on procède au développement (19),
- puis à la gravure des électrodes (23 et 24),
- puis à la création du guide d'onde optique (22) par un échange protonique (21),
- puis l'on soude les contacts électriques.
5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 ou 3 caractérisé par le fait
que l'on dépose une couche de résine photosensible (16) sur le substrat (14),
- on insole à travers le masque (17)
- on développe
- on dépose le métal (15)
- et on enlève la résine résiduelle, ce qui crée simultanément le masque pour l'échange protonique et les futurs électrodes
- on soude les contacts électriques.
6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1, 2, 3, 4 ou 5 caractérisé par le fait
que le substrat, par exemple, le niobate de lithium peut être préparé par une diffusion de titane sur toute la surface qui protège le substrat en vue de l'échange protonique ultérieur.
7. Composants électro-optiques intégrés réalisés selon l'une quelconque des revendications 1, 2, 3, 4, 5 ou 6.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8615817A FR2606554A1 (fr) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | Procede de fabrication de composants electro-optiques integres ne necessitant qu'une seule operation de masquage et les composants issus dudit procede |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8615817A FR2606554A1 (fr) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | Procede de fabrication de composants electro-optiques integres ne necessitant qu'une seule operation de masquage et les composants issus dudit procede |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2606554A1 true FR2606554A1 (fr) | 1988-05-13 |
Family
ID=9340791
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR8615817A Pending FR2606554A1 (fr) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | Procede de fabrication de composants electro-optiques integres ne necessitant qu'une seule operation de masquage et les composants issus dudit procede |
Country Status (1)
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---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6060334A (en) * | 1996-10-28 | 2000-05-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Electrode for optical waveguide element and method of forming the same |
Citations (2)
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FR2570516A1 (fr) * | 1984-09-14 | 1986-03-21 | Canon Kk | Element optique a couche mince et son procede de fabrication |
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1986
- 1986-11-10 FR FR8615817A patent/FR2606554A1/fr active Pending
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Non-Patent Citations (1)
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