FR2600219A1 - Circuit for protection against electrostatic discharges, in particular for integrated circuits - Google Patents
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Abstract
L'INVENTION CONCERNE UN CIRCUIT DE PROTECTION POUR CIRCUITS INTEGRES. LE CIRCUIT DE PROTECTION EST CARACTERISE EN CE QU'IL COMPREND UNE PAIRE DE RAILS D'ALIMENTATION 12, 14, UNE PLURALITE DE BROCHES OU DE BORNES DE SIGNAL 16, 18, UNE PREMIERE PLURALITE DE CIRCUITS 20 CONNECTES ENTRE LESDITS RAILS D'ALIMENTATION ET UNE SECONDE PLURALITE DE CIRCUITS 22 MONTES ADJACENTS AUXDITES BROCHES DE SIGNAL, RESPECTIVEMENT ET CONNECTES RESPECTIVEMENT ENTRE LESDITES BROCHES DE SIGNAL ET RESPECTIVEMENT LADITE PREMIERE PLURALITE DE CIRCUITS 20, POUR PROTEGER LADITE PREMIERE PLURALITE DE CIRCUITS RESPECTIVEMENT CONTRE DES PHENOMENES TRANSITOIRES DESTRUCTEURS, CHACUN DES CIRCUITS DE LADITE SECONDE PLURALITE COMPRENANT UNE PREMIERE DIODE A RECUPERATION OU RETOUR RAPIDE 64 CONNECTEE ENTRE LESDITS RAILS. L'INVENTION EST UTILISABLE POUR PROTEGER LES CIRCUITS INTEGRES CONTRE DES DECHARGES ELECTROSTATIQUES.THE INVENTION RELATES TO A PROTECTION CIRCUIT FOR INTEGRATED CIRCUITS. THE PROTECTION CIRCUIT IS CHARACTERIZED IN THAT IT CONSISTS OF A PAIR OF FEED TRACKS 12, 14, A PLURALITY OF PINS OR SIGNAL TERMINALS 16, 18, A FIRST PLURALITY OF CIRCUITS 20 CONNECTED BETWEEN SAID FEED TRACKS AND A SECOND PLURALITY OF CIRCUITS 22 MOUNTS ADJACENT TO THE SAID SIGNAL PINS, RESPECTIVELY AND RESPECTIVELY CONNECTED BETWEEN THE SAID SIGNAL PINS AND RESPECTIVELY THE FIRST PLURALITY OF CIRCUITS 20, TO PROTECT THE SAID FIRST PLURALITY OF THE CIRCUITS FROM THE PHYSICAL TRANSMISSIONS, RESPECTIVELY, CONTROLLING THE CIRCUITS FROM THE TRANSMISSIONS SECOND PLURALITY INCLUDING A FIRST FAST RECOVERY OR RETURN DIODE 64 CONNECTED BETWEEN THE SAID RAILS. THE INVENTION CAN BE USED FOR PROTECTING INTEGRATED CIRCUITS AGAINST ELECTROSTATIC DISCHARGE.
Description
i La présente invention a pour objet un circuit de protection et plusThe subject of the present invention is a protective circuit and more
particulièrement un circuit qui est especially a circuit that is
approprié à des circuits intégrés. suitable for integrated circuits.
La décharge électrostatique est une menace sérieuse pour la sûreté de fonctionnement des circuits intégrés, notamment de la famille des métaloxyde-semiconducteurs (MOS) en raison des impédences élevées impliquées qui ne permettent pas des courants de fuite assez appréciables pour dissiper Electrostatic discharge is a serious threat to the operational safety of integrated circuits, particularly the family of metal-semiconductor (MOS) because of the high impedances involved which do not allow enough leakage currents to dissipate
sûrement les tensions électrostatiques. surely electrostatic voltages.
Un type de circuit de protection contre des charges électrostatiques utilise une pluralité de résistances de limitation de courant, reliées en série, qui sont montées en série entre l'électrode de grille d'un transistor à effet de champ du type MOS (MOSFET) et une broche d'entrée de signal et 15 une pluralité de diodes montées entre ces résistances ou la broche et les rails d'alimentation en puissance pour le MOSFET. Ce circuit de protection fonctionne bien lorsque le circuit intégré est introduit dans une plaque de circuit et soit la plaque a des capacités de découplage d'alimentation en 20 puissance, soit la plaque est reliée à une alimentation en puissance. En particulier, au moins l'une des diodes conduira au mode direct et un condensateur filtre d'alimentation en puissance d'une valeur relativement importante ou le condensateur de découplage de plaque fournit un retour à faible impédence pour le courant de diode-transitoire si bien que la décharge électrostatique soit bloquée à une des tensions de rail respectives selon sa polarité. Cependant, lorsque le circuit intégré n'est pas inséré ou câblé dans la plaque ou le circuit intégré est relié à la plaque mais celle-ci n'est pas introduite dans l'alimentation en puissance et aucun condensateur de découpIage n'est présent sur la plaque ou le tableau, alors des diodes parasites inhérents et, pour des MOSFET complémentaires (CMOS), de redresseurs contr8lés à semiconducteurs parasites (SCR) ayant des tensions 35 de rupture typiques de 40 à 80 volts doivent être prévus pour One type of electrostatic charge protection circuit uses a plurality of series-connected current limiting resistors which are connected in series between the gate electrode of a MOSFET and a signal input pin and a plurality of diodes mounted between these resistors or the pin and the power supply rails for the MOSFET. This protection circuit works well when the integrated circuit is fed into a circuit board and either the board has power supply decoupling capabilities, or the board is connected to a power supply. In particular, at least one of the diodes will lead to the direct mode and a power supply filter capacitor of a relatively large value or the plate decoupling capacitor will provide a low impedance return for the transient diode current if although the electrostatic discharge is blocked at one of the respective rail voltages according to its polarity. However, when the integrated circuit is not inserted or wired in the plate or the integrated circuit is connected to the plate but it is not introduced into the power supply and no cut capacitor is present on the plate or board, then inherent parasitic diodes and, for complementary MOSFETs (CMOS), parasitic semiconductor controlled (SCR) rectifiers with typical 40 to 80 volt breaking voltages should be provided for
compléter la voie de retour pour la charge électrostatique. complete the return path for the electrostatic charge.
Ceci s'est avéré être approprié pour des dispositifs MOS ayant une taille minimum (longueur de grille) d'au moins 5 This has been found to be suitable for MOS devices having a minimum size (gate length) of at least 5
micromètres (/.).micrometers (/.).
Cependant, récemment des efforts ont été faits pour réaliser des circuits intégrés avec un 1get des longueurs de grille encore plus faibles, qui ont des tensions de rupture drain-source typiques de 6 à 7 volts. Les dispositifs parasites ont des tensions de rupture qui sont trop élevées 10 pour protéger ces dispositifs de circuits intégrés du type MOS. De plus, des techniques de traitement modernes, telles que l'isolation diélectrique et la fabrication épitaxiale sur les substrats fortement dopés éliminent souvent complètement Recently, however, efforts have been made to provide integrated circuits with even lower gate lengths, which have typical drain-source breakoff voltages of 6 to 7 volts. The parasitic devices have breaking voltages that are too high to protect these MOS type integrated circuit devices. In addition, modern processing techniques, such as dielectric isolation and epitaxial fabrication on heavily doped substrates, often eliminate completely
les redresseurs contrôlés à semiconducteurs (SCR). controlled semiconductor rectifiers (SCRs).
Une diode intentionnelle ayant une faible tension de rupture (par exemple 10 volts pour un faible courant) mais présentant une caractéristique de récupération de retour à des An intentional diode having a low breakdown voltage (for example 10 volts for a low current) but having a recovery characteristic of return to
niveaux plus élevés de courant, peut être réalisée et reliée entre les rails de puissance du circuit intégré pour fournir 20 un trajet de retour pour la décharge électrostatique. Higher levels of current can be realized and connected between the power rails of the integrated circuit to provide a return path for the electrostatic discharge.
Cependant, le résistance et l'inductance de perte ou dispersives des rails de puissance peuvent réduire l'efficacité de la diode pendant la décharge électrostatique, ce qui peut entraîner un mauvais fonctionnement du circuit intégré en raison de l'injection de courant depuis le substrat dans la zone active sur le circuit intégré. En outre, une grande décharge électrostatique peut même détruire des However, the resistance and the loss or dissipative inductance of the power rails can reduce the efficiency of the diode during the electrostatic discharge, which can cause a malfunction of the integrated circuit due to the injection of current from the substrate. in the active area on the integrated circuit. In addition, a large electrostatic discharge can even destroy
conducteurs de circuit intégré.integrated circuit drivers.
Il est par conséquent souhaitable d'avoir un circuit 30 qui procure une meilleure protection contre des décharges électrostatiques pour un circuit intégré avec une moindre probabilité d'injection de courant de substrat et de It is therefore desirable to have a circuit 30 which provides better protection against electrostatic discharges for an integrated circuit with a lower probability of substrate current injection and
destruction des conducteurs.destruction of drivers.
Pour atteindre ce but, un circuit intégré selon l'invention comprend une paire de rails d'alimentation, une 35 -3 pluralité de broches ou de bornes de signaux, une première pluralité de circuits montés entre lesdits rails d'alimentation, et une seconde pluralité de circuits montés adjacents auxdites broches de signaux, respectivement, et reliés entre lesdites broches de signaux respectivement, et ladite première pluralité de circuits, respectivement, pour protéger ladite première pluralité de circuits, To achieve this goal, an integrated circuit according to the invention comprises a pair of power rails, a plurality of pins or signal terminals, a first plurality of circuits mounted between said power rails, and a second plurality of power supply rails. a plurality of circuits mounted adjacent to said signal pins, respectively, and connected between said signal pins respectively, and said first plurality of circuits, respectively, for protecting said first plurality of circuits,
respectivement, contre des transitions destructrices, chacun de ladite seconde pluralité de circuits comprenant une diode 10 de récupération de retour connectée entre lesdits rails. respectively, against destructive transitions, each of said second plurality of circuits including a return recovery diode 10 connected between said rails.
L'invention sera mieux comprise, et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci The invention will be better understood, and other purposes, features, details and advantages thereof
apparattront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en référence à la figure 15 unique annexée donnée uniquement à'titre d'exemple et will appear more clearly in the following explanatory description made with reference to the single appended FIGURE given solely for example and
illustrant un mode de réalisation de l'invention: La figure montre un circuit intégré 10 comprenant une paire de rails d'alimentation 12, 14 qui sont reliés respectivement à des bornes ou broches de puissance 16 et 18, 20 du circuit intégré 10. Le rail 12 possède typiquement une tension d'environ 5 volts, tandis que la rail 14 présente environ O volt (terre). Une première pluralité de circuits 20 est connectée entre les rails d'alimentation 12 et 14 et comprend des circuits 20a et 20b. De façon similaire, une seconde pluralité de circuits 22 est également connectée entre les rails d'alimentation 12 et 14 et comprend les circuits 22a et 22b qui protègent respectivement les circuits 20a et 20b, contre des décharges électrostatiques. Bien que les circuits 22a et 22b soient représentés comme étant identiques, cela 30 n'est cependant pas nécessaire. En outre, bien que seulement deux circuits 20a et 20b soient montés pour la pluralité 20, illustrating an embodiment of the invention: The figure shows an integrated circuit 10 comprising a pair of supply rails 12, 14 which are respectively connected to power terminals or pins 16 and 18, 20 of the integrated circuit 10. Rail 12 typically has a voltage of about 5 volts, while rail 14 has about 0 volts (ground). A first plurality of circuits 20 is connected between the supply rails 12 and 14 and includes circuits 20a and 20b. Similarly, a second plurality of circuits 22 is also connected between the supply rails 12 and 14 and includes the circuits 22a and 22b which respectively protect the circuits 20a and 20b against electrostatic discharges. Although the circuits 22a and 22b are shown as being identical, this is not necessary. In addition, although only two circuits 20a and 20b are mounted for plurality 20,
dans la pratique, il y aura plusieurs de tels circuits. in practice, there will be several such circuits.
Le circuit 20a comprend une paire de CMOS (MOSFETs complémentaires) de transistors à effet de champ (FET) 24 et 26 de canal du type P (PMOS) et de canal du type N (NMOS), respectivement. Le FET 24 est relié par sa source 28 au rail 12, sa porte 30 est reliée à la porte 32 du FET 26, tandis que son drain 34 est relié, au drain 36 du FET 26. Les portes ou grilles 30 et 32 reçoivent un signal d'entrée d'une broche de signal 40 à travers le circuit 22a, tandis que les drains 34 et 36 fournissent un signal de sortie sur une ligne 42 à d'autres circuits (non représenté) à l'intérieur du circuit The circuit 20a comprises a pair of CMOSs (complementary MOSFETs) of P-type (PMOS) and N-channel (NMOS) type field effect transistors (FETs) 24 and 26, respectively. The FET 24 is connected by its source 28 to the rail 12, its gate 30 is connected to the gate 32 of the FET 26, while its drain 34 is connected to the drain 36 of the FET 26. The doors or gates 30 and 32 receive a an input signal of a signal pin 40 through the circuit 22a, while the drains 34 and 36 provide an output signal on a line 42 to other circuits (not shown) within the circuit
intégré 10. La source 38 du FET 26 est reliée au rail 14. 10. The source 38 of the FET 26 is connected to the rail 14.
Le circuit 20b comprend une paire de FET 44 et 46 du 10 type NMOS. Le FET 46 est monté de façon à agir comme une charge d'épuisement pour le transistor FET 44. En particulier, le FET 46 est relié par son drain 48 au rail 12 tandis que sa grille 50 est connectée à sa source 52 et au drain 54 du FET 46, et également à une ligne 60 pour fournir un signal de sortie à d'autres circuits (non représenté) à l'intérieur du circuit intégré 10. La grille 56 du FET 44 reçoit un signal d'entrée de la broche ou borne de signal 62 via le circuit Circuit 20b includes a pair of NMOS FETs 44 and 46. The FET 46 is mounted to act as a depletion load for the FET transistor 44. In particular, the FET 46 is connected by its drain 48 to the rail 12 while its gate 50 is connected to its source 52 and the drain 54 of the FET 46, and also at a line 60 to provide an output signal to other circuits (not shown) within the integrated circuit 10. The gate 56 of the FET 44 receives an input signal from the spindle or signal terminal 62 via the circuit
22b. La source 58 du FET 44 est reliée au rail 14. 22b. The source 58 of the FET 44 is connected to the rail 14.
Le circuit 22a est situé à proximité de la broche 40, 20 typiquement à une distance de 500 microns et comprend une première diode 64 à récupération de retour à ionisation d'impact, dont les cathodes et anodes sont reliées respectivement aux rails 12 et 14. Sous "diode de récupération de retour à ionisation d'impact" on entend une diode qui présente deux tensions de rupture stable, une à des niveaux de faible courant et une plus faible tension de soutien à des The circuit 22a is located near the pin 40, typically at a distance of 500 microns and includes a first impact ionization return recovery diode 64, whose cathodes and anodes are respectively connected to the rails 12 and 14. Under the "impact ionization return recovery diode" is meant a diode which has two stable breaking voltages, one at low current levels and a lower support voltage for
niveaux de courant élevés en raison de l'ionisation d'impact. high current levels due to impact ionization.
Une telle diode peut comprendre des régions semiconductrices Such a diode may include semiconductor regions
du type de conductivité positif-intrinsèque-négatif (PIN). positive-intrinsic-negative conductivity type (PIN).
3e Cependant, de telles diodes sont difficiles à fabriquer dans un circuit intégré. De ce fait, une région du type de conductivité P ou N légèrement dopée est fréquemment mise à la place de la région du type de conductivité I. De telles diodes présentent des caractéristiques de récupération retour similaires aux diodes PIN et sont habituellement connues sous le terme diodes de "lecture". Une seconde diode à récupération retour 66 est reliée par sa cathode au rail 12 et par son anode à la broche 40. Une troisième diode à récupération 68 est reliée par sa cathode à la broche ou borne 40 et par son anode au rail 14. Une première résistance 70 est connectée par une extrémité à la broche 40 et par son autre extrémité à une extrémité d'une seconde résistance 72 et la cathode d'une quatrième diode à récupération 74. L'autre extrémité de la résistance 72 est connectée à la cathode d'une cinquième diode 10 à récupération 76 et aux grilles 30 et 32. Les anodes des However, such diodes are difficult to manufacture in an integrated circuit. As a result, a region of the slightly doped P or N conductivity type is frequently substituted for the region of the conductivity type I. Such diodes exhibit return recovery characteristics similar to the PIN diodes and are usually known by the term diodes for "reading". A second recovery diode 66 is connected by its cathode to the rail 12 and its anode to the pin 40. A third recovery diode 68 is connected by its cathode to the pin or terminal 40 and by its anode to the rail 14. A first resistor 70 is connected at one end to the pin 40 and at its other end to one end of a second resistor 72 and the cathode of a fourth recovery diode 74. The other end of the resistor 72 is connected to the cathode of a fifth recovery diode 10 and grids 30 and 32. The anodes of the
diodes 74 et 76 sont reliées au rail 14. diodes 74 and 76 are connected to the rail 14.
Bien que cela ne soit pas nécessaire, le circuit 22b est identique à celui du circuit 22a et est situé à proximité ou adjacent à la broche 62 et ne sera donc pas décrit séparément. Des éléments correspondants ont été pourvus de numéros de référence correspondants, auxquels on a ajouté le Although it is not necessary, the circuit 22b is identical to that of the circuit 22a and is located near or adjacent to the pin 62 and will not be described separately. Corresponding elements have been provided with corresponding reference numbers, to which the
symbole "a".symbol "a".
La tension de rupture initiale pour toutes les diodes à récupération peut être adaptée aux exigences de circuit en sélectionnant la largeur des régions I ou des zones légèrement dopées et est, par exemple, d'environ 10 volts, ce qui est légèrement inférieur à la tension de rupture d'environ 12 à 14 volts de deux transitors FET montés en série, par exemple 24 The initial breakdown voltage for all recovery diodes can be adapted to the circuit requirements by selecting the width of the regions I or lightly doped areas and is, for example, about 10 volts, which is slightly less than the voltage. about 12 to 14 volts breaking of two FET transistors connected in series, for example 24
et 26 ou 24 et 46, ayant une longueur de grille de l/. and 26 or 24 and 46, having a gate length of 1 /.
En général, plus la longueur de grille est faible, plus la tension de rupture des transistors FET est petite. Pour procurer une protection, les diodes à récupération devraient avoir des tensions de rupture à la fois de haut et de faible In general, the smaller the gate length, the smaller the breaking voltage of the FET transistors. To provide protection, recovery diodes should have both high and low breaking voltages
courant inférieures à la tension de rupture des FETs montés en 30 série. current below the breaking voltage of the series-mounted FETs.
En régime de fonctionnement, on suppose que le circuit intégré 10 n'est ni inséré ni câblé dans le tableau ou la plaque de circuit ou, si cela est le cas, il n'y a pas de condensateur de découplage sur le tableau et, par conséquent, 35 une tension électrostatique transitoire peut apparaître et produire un courant transitoire dQ par exemple à une manipulation, entre les broches 40 ou 62-et les rails Under operating conditions, it is assumed that the integrated circuit 10 is neither inserted nor wired in the switchboard or circuit board or, if this is the case, there is no decoupling capacitor on the switchboard and, therefore, a transient electrostatic voltage can occur and produce a transient current dQ for example at a manipulation, between the pins 40 or 62-and the rails
d'alimentation 12 ou 14.12 or 14 power supply.
On considère alors qu'une tension positive croissante apparaît à la broche 40 (appelée ci-après "V.") par rapport au rail 12. Lorsque V. atteint 0,7 volts, la diode 66 devient i conductrice dans sa direction avant, verrouillant V. à 0,7 m It is then considered that an increasing positive voltage appears at the pin 40 (hereinafter referred to as "V.") with respect to the rail 12. When V. reaches 0.7 volts, the diode 66 becomes conductive in its forward direction, locking V. at 0.7 m
volts et protégeant donc le circuit 20a. volts and thus protecting the circuit 20a.
Si V. évolue dans le sens négatif par rapport au rail i 12 et cette différence de tension atteind 10 volts, la diode 66 atteindra sa valeur de rupture et commence à conduire dans le sens inverse. Lorsque 10,7 volts sont atteints en raison de la résistance inhérente de la diode 66, la diode 64 atteindra If V. evolves in the negative direction relative to the rail i 12 and this voltage difference reaches 10 volts, the diode 66 will reach its breaking value and begin to drive in the opposite direction. When 10.7 volts are reached due to the inherent resistance of the diode 66, the diode 64 will reach
sa valeur de rupture et conduira dans le sens inverse et les 15 diodes 68, 74 et 76 conduiront dans la direction directe. its breaking value and will drive in the opposite direction and the diodes 68, 74 and 76 will lead in the direct direction.
Comme le courant transitoire augmente, l'ionisation d'impact se manifeste dans les diodes à récupération et la tension de rupture revient à une plus faible valeur. Ainsi, les diodes et les résistances 70 et 72 absorberont le courant produit par V. As the transient current increases, the impact ionization is manifested in the recovery diodes and the breakdown voltage returns to a lower value. Thus, the diodes and the resistors 70 and 72 will absorb the current produced by V.
et protègent ainsi le circuit 20a.and thus protect the circuit 20a.
Quand V. devient positif par rapport au rail 14 et cette différence de tension atteind 10 volts, les diodes 68, 74 et 76 atteindront leur valeur de rupture et conduiront dans le sens inverse. Lorsque V4 atteind lo,7 volts en raison de la 25 résistance inhérente de la diode 68, alors la diode 66 conduira dans le sens direct et la diode 64 atteindra sa valeur de rupture et conduira dans le sens inverse, en When V. becomes positive with respect to the rail 14 and this voltage difference reaches 10 volts, the diodes 68, 74 and 76 will reach their breaking value and drive in the opposite direction. When V4 reaches lo, 7 volts due to the inherent resistance of the diode 68, then the diode 66 will lead in the forward direction and the diode 64 will reach its break value and drive in the opposite direction,
protégeant ainsi le circuit 20a.thus protecting the circuit 20a.
Quand V. évolue dans le sens négatif par rapport au rail 14, alors la diode 68 est conductrice dans le sens direct à 0,7 volts et verrouille V. à cette tension, en protégeant i When V. evolves in the negative direction with respect to the rail 14, then the diode 68 is conducting in the forward direction at 0.7 volts and locks V. at this voltage, protecting i
ainsi le circuit 20a.thus the circuit 20a.
Quand la tension au rail 12 évolue dans le sens positif par rapport au rail 14 et atteind 10 volts, la diode 64 deviendra conductrice dans le sens inverse en verrouillant la tension. Quand la tension-au rail 12 évolue dans le sens négatif par rapport au rail 14 et atteind 0,7 volts, la diode 64 devient conductrice dans le sens direct en verrouillant la When the voltage on the rail 12 changes in the positive direction relative to the rail 14 and reaches 10 volts, the diode 64 will become conductive in the opposite direction by locking the voltage. When the voltage-rail 12 moves in the negative direction relative to the rail 14 and reaches 0.7 volts, the diode 64 becomes conductive in the forward direction by locking the
tension. Dans chaque cas, le circuit 20a est protégé. voltage. In each case, the circuit 20a is protected.
- Le fonctionnement du circuit 22b pour la protection du circuit 20b est identique à celui qui vient d'être décrit et - The operation of the circuit 22b for the protection of the circuit 20b is identical to that just described and
ne sera donc pas décrit.will not be described.
On constate ainsi qu'en préyoyant une diode telle que les diodes 64 et 64a respectivement dans les circuits 20a et 10 20b et en plaçant les circuits 20a et 20b près respectivement des broches de signal 40 et 64, un haut degré de protection est assuré pour le circuit 20a et 20b, respectivement, en créant un court trajet de retour pour les charges électrostatiques ou autres phénomènes transitoires détériorants similaires, par exemple, sur une ligne de puissance, indépendamment de l'inductance ou de la résistance de perte des rails 12 et 14. En outre, en réalisant toutes les diodes sous forme de diodes à récupération ou à retour rapide, une plus faible tension transitoire pour un courant élevé transitoire est imposée aux circuits protégés, en comparaison It can thus be seen that by preying a diode such as diodes 64 and 64a respectively in the circuits 20a and 20b and placing the circuits 20a and 20b near respectively the signal pins 40 and 64, a high degree of protection is ensured for the circuit 20a and 20b, respectively, creating a short return path for electrostatic charges or other similar deteriorating transient phenomena, for example, on a power line, regardless of the inductance or loss resistance of the rails 12 and 14. Furthermore, by realizing all the diodes in the form of recovery diodes or fast return diodes, a lower transient voltage for a transient high current is imposed on the protected circuits, in comparison
à des diodes Zener ou à avalanche normales. normal Zener or avalanche diodes.
Claims (9)
Applications Claiming Priority (2)
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Citations (1)
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Patent Citations (1)
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| US10617250B2 (en) | 2013-12-20 | 2020-04-14 | Inter Ikea Systems B.V. | Kit of a hanging system |
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