FR2586510A1 - SEMICONDUCTOR MODULE HAVING HIGH COOLING ABILITY AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF - Google Patents

SEMICONDUCTOR MODULE HAVING HIGH COOLING ABILITY AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF Download PDF

Info

Publication number
FR2586510A1
FR2586510A1 FR8611948A FR8611948A FR2586510A1 FR 2586510 A1 FR2586510 A1 FR 2586510A1 FR 8611948 A FR8611948 A FR 8611948A FR 8611948 A FR8611948 A FR 8611948A FR 2586510 A1 FR2586510 A1 FR 2586510A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
chamber
thermally conductive
substrate
support member
substrate support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR8611948A
Other languages
French (fr)
Other versions
FR2586510B1 (en
Inventor
Takashi Hagihara
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Publication of FR2586510A1 publication Critical patent/FR2586510A1/en
Application granted granted Critical
Publication of FR2586510B1 publication Critical patent/FR2586510B1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49144—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. by metal fusion

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

LE MODULE A SEMI-CONDUCTEURS COMPREND UNE CHAMBRE DE REFROIDISSEMENT 1 CONTENANT UNE MATIERE THERMOCONDUCTRICE 2 QUI SE CONTRACTE PAR SOLIDIFICATION, UNE PLURALITE DE PUCES A SEMI-CONDUCTEURS 3, MONTEES SUR LA SURFACE INFERIEURE D'UN SUBSTRAT 4 ET PLONGEES DANS LA MATIERE THERMOCONDUCTRICE 2, AINSI QU'UN CADRE SUPPORT DE SUBSTRAT 5 MONTE SUR LA CHAMBRE DE REFROIDISSEMENT POUR MAINTENIR LE SUBSTRAT 4. UN PETIT INTERVALLE DE LARGEUR H EST FORME ENTRE LES PUCES 3 ET LA SURFACE DE LA MATIERE THERMOCONDUCTRICE 2, APRES SOLIDIFICATION. LE MODULE EST ASSEMBLE AVEC UNE PIECE D'ESPACEMENT 6, D'EPAISSEUR T INTERCALEE ENTRE LA CHAMBRE DE REFROIDISSEMENT 1 ET LE CADRE SUPPORT DE SUBSTRAT 5. IL Y A AINSI UN INTERVALLE 9 DE LARGEUR H (H T) ENTRE LES PUCES 3 ET LA MATIERE THERMOCONDUCTRICE 2. ON PEUT REDUIRE LA LARGEUR DE L'INTERVALLE H CE QUI ABAISSE LA RESISTANCE THERMIQUE.THE SEMICONDUCTOR MODULE INCLUDES A COOLING CHAMBER 1 CONTAINING A THERMOCONDUCTOR MATERIAL 2 WHICH CONTRACTS BY SOLIDIFICATION, A PLURALITY OF SEMICONDUCTOR CHIPS 3, MOUNTED ON THE LOWER SURFACE OF A SUBSTRATE 4 AND THERMOCONDUCTOR 2 , AS WELL AS A SUBSTRATE SUPPORT FRAME 5 MOUNTED ON THE COOLING CHAMBER TO HOLD THE SUBSTRATE 4. A SMALL INTERVAL OF WIDTH H IS FORMED BETWEEN THE CHIPS 3 AND THE SURFACE OF THE THERMOCONDUCTOR MATERIAL 2, AFTER SOLIDIFICATION. THE MODULE IS ASSEMBLED WITH A PART OF SPACING 6, THICKNESS T INTERCALED BETWEEN THE COOLING CHAMBER 1 AND THE SUBSTRATE SUPPORT FRAME 5. THERE IS AN INTERVAL 9 OF WIDTH H (HT) BETWEEN THE CHIPS 3 AND THE THERMOCONDUCTIVE MATERIAL 2. THE WIDTH OF THE INTERVAL H CAN BE REDUCED, WHICH LOWERS THE THERMAL RESISTANCE.

Description

1. La présente invention concerne un module à1. The present invention relates to a module with

semiconducteurs ayant une grande aptitude au refroidisse-  semiconductors with great cooling ability

ment ainsi qu'un procédé pour sa fabrication.  as well as a process for its manufacture.

Selon la pratique antérieure normale, on a pro-  According to normal prior practice, it has been pro-

posé diverses techniques de refroidissement pour module à semiconducteurs, plus particulièrement pour les modules à  posed various cooling techniques for semiconductor module, more particularly for modules with

semiconducteurs du type LSI (Large Scale Integration = in-  semiconductors of type LSI (Large Scale Integration = in-

tégration à grande échelle). Par exemple, une technique de ce genre est décrite dans un article intitulé "New Internal  large-scale integration). For example, a technique like this is described in an article titled "New Internal

And External Cooling Enhancements For The Air Cooled IBM -  And External Cooling Enhancements For The Air Cooled IBM -

4381 Module" (Nouvelles améliorations du refroidissement interne et externe pour le module IBM 4381 refroidi à l'air)  4381 Module "(New improvements to internal and external cooling for the air-cooled IBM 4381 module)

dans les compte-rendus du Congrès intitulé Il IEEE Interna-  in Congress proceedings titled Il IEEE Interna-

tional Conference on Computer Design", 1983. Dans ce genre de technique, il y a un petit intervalle entre une puce à semiconducteurs (qui sera désignée par la suite par le terme  tional Conference on Computer Design ", 1983. In this kind of technique, there is a small gap between a semiconductor chip (which will be designated hereinafter by the term

"puce") montée sur un substrat et un capuchon placé en re-  "chip") mounted on a substrate and a cap placed in

gard de la puce. L'aptitude au refroidissement du capuchon pour la puce dépend dans une large mesure des dimensions du petit intervalle. Plus précisément, lorsque le petit intervalle est réduit, la résistance thermique diminue ce qui améliore l'aptitude au refroidissement. Dans l'article susmentionné, on a rapporté que, lorsque la valeur du petit intervalle est maintenue à 0,2 mm et que l'on emplit le  gard de la puce. The cooling ability of the chip cap depends to a large extent on the dimensions of the small gap. More specifically, when the small interval is reduced, the thermal resistance decreases which improves the cooling ability. In the aforementioned article, it was reported that when the value of the small interval is kept at 0.2 mm and the filling is done

capuchon d'un composé thermoconducteur ou d'une pâte ther-  cap of a thermally conductive compound or a thermal paste

2. mnique, la résistance thermique entre la puce et le capuchon  2. mnique, the thermal resistance between the chip and the cap

était de 9 C/W.was 9 C / W.

Toutefois, dans un tel module à semiconducteurs du type LSI, le substrat, la puce, le capuchon et les autres parties constitutives du module à semiconducteurs compren- nent des tolérances de dimensions dont le total, ajouté à celui des tolérances d'assemblages s'élève à une valeur de à 200 ym. Si le petit intervalle est conçu pour être inférieur à la valeur de tolérance de dimensionstotale, la puce est mise en contact, de manière indésirable, avec le capuchon et elle peut être endommagée. En conséquence, dans le module à semiconducteurs de type usuel, il est difficile de réduire le petit intervalle à une valeur inférieure aux tolérances de dimensions totales de façon à réduire la résistance thermique et, en conséquence, le module présente  However, in such a semiconductor module of the LSI type, the substrate, the chip, the cap and the other constituent parts of the semiconductor module include dimensional tolerances whose total, added to that of the assembly tolerances s' raises to a value of 200 ym. If the small gap is designed to be less than the total dimension tolerance value, the chip is undesirably contacted with the cap and can be damaged. As a result, in the usual type semiconductor module, it is difficult to reduce the small gap to a value less than the total dimension tolerances so as to reduce the thermal resistance and, consequently, the module has

une faible aptitude au refroidissement pour la puce.  poor cooling ability for the chip.

La présente invention a pour objet de fournir un procédé de fabrication d'un module à semiconducteurs exempt des inconvénients susmentionnés des modules de type usuel et permettant de réduire l'intervalle à une valeur  The object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor module free from the abovementioned drawbacks of modules of the usual type and making it possible to reduce the interval to a value

inférieure aux tolérances de dimensions totales des organes-.  lower than the tolerances of total dimensions of the organs.

constitutifs du module à semiconducteurs, ainsi qu'un module  components of the semiconductor module, as well as a module

à semiconducteurs produit par ce procédé.  semiconductor produced by this process.

A cet effet, le procédé de fabrication d'un mo-  To this end, the process for manufacturing a mo-

dule à semiconducteurs selon l'invention est caractérisé en ce qu'il comprend es-opérations consistant à: fixer un substrat, sur une surface inférieure duquel sont montés une pluralité de puces à semiconducteurs, sur un organe support de substrat pour maintenir ce substrat à sa périphérie; introduire un bain liquide d'une matière thermoconductrice  semiconductor dule according to the invention is characterized in that it comprises es-operations consisting in: fixing a substrate, on a lower surface of which are mounted a plurality of semiconductor chips, on a substrate support member to maintain this substrate at its periphery; introduce a liquid bath of a thermally conductive material

dans une chambre en forme de cuvette ayant une surface pé-  in a bowl-shaped chamber with a small surface

riphérique extérieure supérieure, placée en regard de la  upper external device, placed opposite the

surface inférieure dudit organe support de substrat; as-  lower surface of said substrate support member; as-

sembler ledit substrat et ladite chambre de façon telle que la surface inférieure dudit organe support de substrat soit mise en contact avec la surface périphérique extérieure, 3. supérieure, de cette chambre, en plongeant ainsi une partie inférieure de chacune des puces à semiconducteurs dans la matière thermoconductrice; solidifier le bain de matière thermoconductrice, de façon à le contracter en formant un petit intervalle entre la surface de la matière thermo-  appear to be said substrate and said chamber such that the lower surface of said substrate supporting member is brought into contact with the outer peripheral surface, 3. upper, of this chamber, thereby immersing a lower part of each of the semiconductor chips in the thermally conductive material; solidify the bath of thermally conductive material, so as to contract it by forming a small gap between the surface of the thermally conductive material

conductrice et la surface inférieure de chacune desdites pu-  conductive and the lower surface of each of said pu-

ces à semiconducteurs; séparer de ladite chambre un ensem-  these semiconductor; separate from said chamber a set

ble constitué dudit organe support de substrat et dudit  ble consisting of said substrate support member and said

substrat et insérer une pièce d'espacement ayant une épais-  substrate and insert a spacer having a thick-

seur prédéterminée entre la surface inférieure dudit organe support de substrat et la surface périphérique extérieure, supérieure, de ladite chambre; et assembler ledit ensemble  predetermined sor between the lower surface of said substrate support member and the outer peripheral surface, upper, of said chamber; and assemble said set

et ladite chambre par l'intermédiaire de cette pièce d'espa-  and said chamber through this piece of space

cement. Le module à semiconducteurs selon l'invention est caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat sur une surface inférieure duquel sont montés une pluralité de puces à semiconducteurs; un organe support de substrat fixé sur  cement. The semiconductor module according to the invention is characterized in that it comprises: a substrate on a lower surface of which are mounted a plurality of semiconductor chips; a substrate support member fixed on

la périphérie de ce substrat, une chambre, en forme de cu-  the periphery of this substrate, a chamber, cu-shaped

vette, ayant une surface périphérique placée en regard de  vette, having a peripheral surface placed opposite

cet organe support de substrat; une matière thermoconduc-  this substrate support member; a thermally conductive material

trice contractée par refroidissement et solidification, cette matière thermoconductrice étant initialement à l'état fondu dans cette chambre, ledit organe support de substrat et ladite chambre étant assemblés de façon telle que la surface inférieure de cet organe support de substrat et la surface périphérique extérieure, supérieure de cette chambre soient mises en contact l'une avec l'autre, en plongeant ainsi la partie inférieure de chacune des puces à semiconducteurs dans ladite matière thermoconductrice fondue, et ladite matière thermoconductrice étant refroidie  contracted by cooling and solidification, this thermally conductive material being initially in the molten state in this chamber, said substrate support member and said chamber being assembled in such a way that the lower surface of this substrate support member and the external peripheral surface, upper part of this chamber are brought into contact with each other, thereby immersing the lower part of each of the semiconductor chips in said molten thermoconductive material, and said thermoconductive material being cooled

de façon à être solidifiée et contractée en formant un in-  so as to be solidified and contracted by forming an in-

tervalle (h1) entre la surface de chacune des puces à semi-  tervalle (h1) between the surface of each of the semi- chips

conducteurs et la surface de la matière thermoconductrice  conductors and the surface of the thermally conductive material

2586S102586S10

4. solidifiée; et une pièce d'espacement ayant une épaisseur  4. solidified; and a spacer having a thickness

(t), insérée entre la surface inférieure dudit organe sup-  (t), inserted between the lower surface of said upper member

port de substrat et la surface périphérique extérieure, su-  substrate port and the outer peripheral surface,

périeure de ladite chambre, ce module à semiconducteurs étant assemblé de façon à avoir, finalement, un intervalle de (h1 + t) entre les surfaces inférieures desdites puces  of said chamber, this semiconductor module being assembled so as to have, finally, an interval of (h1 + t) between the lower surfaces of said chips

à semiconducteurs et la surface supérieure de ladite ma-  semiconductor and the upper surface of said ma-

tière thermoconductrice.thermally conductive.

L'invention sera mieux comprise en se référant  The invention will be better understood by referring

à la description détaillée qui va suivre d'un exemple, non  to the detailed description which follows of an example, no

limitatif, de mise en oeuvre de l'invention, en se référant au dessin annexé dans lequel: Les figures 1 à 5, sont des vues latérales en coupe explicitant les opérations du procédé de fabrication d'un module à semiconducteurs, conformément à un exemple de mise en oeuvre de l'invention; et La figure 6 est une vue latérale en coupe d'un module à semiconducteurs conformément à une forme d'exécution particulière du module à semiconducteurs selon  limiting, of implementation of the invention, with reference to the appended drawing in which: FIGS. 1 to 5 are side views in section explaining the operations of the process for manufacturing a semiconductor module, according to an example implementation of the invention; and FIG. 6 is a side view in section of a semiconductor module according to a particular embodiment of the semiconductor module according to

l'invention.the invention.

On va maintenant décrire le procédé de fabri-  We will now describe the manufacturing process.

cation du module à semiconducteurs selon l'invention en  cation of the semiconductor module according to the invention in

se référant au: dessin.referring to: drawing.

Les figures 1 à 5 sont des vues latérales en coupe illustrant de manière séquentielle les opérations  Figures 1 to 5 are side sectional views sequentially illustrating the operations

successives de fabrication du module à semiconducteurs.  of the semiconductor module manufacturing.

Comme on le voit à la figure 1, un cadre de substrat 5, ayant, en coupe, une forme générale en L, est fixé sur la périphérie extérieure d'un substrat 4. Une pluralité de puces à semiconducteurs LSI 3 sont montées sur la surface inférieure du substrat 4.Lecadre-desubstrat et le substrat 4 sur lequel sont montées les puces à semiconducteurs 3 peuvent ainsi être déplacés. d'un seul tenant. Une matière thermoconductrice 2 (constituée 5. dans la forme d'exécution décrite, par de la matière de soudure) qui est mise en fusion par chauffage et solidifiée et contractée au refroidissement, est mise en fusion par chauffage et introduite, en quantité prédéterminée (comme décrit ci-dessous) dans:3 une chambre 1 en forme de cuvette ayant une périphérie extérieure placée en regard d'une  As seen in Figure 1, a substrate frame 5, having, in section, a general L shape, is fixed on the outer periphery of a substrate 4. A plurality of LSI semiconductor chips 3 are mounted on the lower surface of the substrate 4. The substructure and the substrate 4 on which the semiconductor chips 3 are mounted can thus be moved. in one piece. A thermally conductive material 2 (constituted 5. in the embodiment described, by solder material) which is melted by heating and solidified and contracted on cooling, is melted by heating and introduced, in predetermined quantity ( as described below) in: 3 a chamber 1 in the form of a bowl having an external periphery placed opposite a

surface inférieure Sa du cadre de substrat 5.  Sa surface of the substrate frame 5.

Comme représenté à la figure 3, le cadre de substrat 5 est monté sur la chambre de refroidissement 1 et fixé sur celle-ci, de sorte qu'une surface inférieure a du cadre 5 vient buter sur une surface périphérique extérieure, supérieure, la de la chambre 1. La quantité de soudure fondue 2 est prédéterminée de sorte que les surfaces des puces 3 sont suffisamment mises en contact avec la surface de la soudure fondue 2 lorsque le cadre de substrat vient buter contre la chambre de refroidissement 1. Avant la réalisation de l'assemblage qui vient d'être mentionné, chacune des puces 3 est soumise à un procédé permettant d'empêcher le mouillage par la soudure. Toutefois, si  As shown in Figure 3, the substrate frame 5 is mounted on the cooling chamber 1 and fixed thereon, so that a lower surface of the frame 5 abuts on an outer peripheral surface, upper, the de the chamber 1. The quantity of molten solder 2 is predetermined so that the surfaces of the chips 3 are sufficiently brought into contact with the surface of the molten solder 2 when the substrate frame abuts against the cooling chamber 1. Before making of the assembly which has just been mentioned, each of the chips 3 is subjected to a process making it possible to prevent wetting by welding. However, if

chaque puce 3 est logée dans un bottier en matière céra-  each chip 3 is housed in a case made of ceramic material

mique, le procédé destiné à empêcher le mouillage par la  mique, the process for preventing wetting by

soudure n'est pas nécessaire.soldering is not necessary.

Le chauffage de la soudure fondue 2 est inter-  The heating of the molten weld 2 is inter-

rompu dans l'état illustré à la figure 3. Apres inter-  broken in the state illustrated in figure 3. After inter-

ruption du chauffage, la température de la soudure fondue 2 décrott progressivement et la soudure fondue est solidifiée tout en se contractant par suite de la diminution de la température. Du fait que chaque puce 3 est soumise à un procédé permettant d'éviter le mouillage par la soudure, un petit intervalle 10 ayant une valeur h est formé entre la surface de la soudure solidifiée 2 et les puces 3, par  heating failure, the temperature of the molten solder 2 gradually decreases and the molten solder is solidified while contracting as a result of the decrease in temperature. Because each chip 3 is subjected to a method making it possible to avoid wetting by soldering, a small gap 10 having a value h is formed between the surface of the solidified solder 2 and the chips 3, by

suite de-la contraction de la soudure fondue 2, comme re-  following the contraction of the molten weld 2, as re-

présenté à la figure 4.shown in Figure 4.

Le cadre de substrat 5 est temporairement séparé de la chambre de refroidissement 1, ce qui provoque la  The substrate frame 5 is temporarily separated from the cooling chamber 1, which causes the

séparation des puces 3 de la soudure 2. Du fait que la sou-  separation of the chips 3 from the solder 2. Because the sou-

6. dure 2 s'est solidifiée elle conserve la forme en coupe  6.hard 2 solidifies it retains the cross-sectional shape

représentée à la figure 4.shown in Figure 4.

Les partie supérieure et inférieure séparées sont lavées pour enlever les matières étrangères, par exemple le fondant. Apres lavage, une pièce d'espacement ou entretoise 6, ayant une épaisseur t est insérée entre la surface inférieure 5a du cadre de substrat 5 et la surface périphérique extérieure, supérieure, la de la chambre de refroidissement 1 et la structure résultante est ensuite assemblée. Un intervalle ayant la valeur h = h + t est obtenu entre la surface de la soudure 2 et les surfaces  The separate upper and lower parts are washed to remove foreign matter, for example fondant. After washing, a spacer or spacer 6, having a thickness t is inserted between the lower surface 5a of the substrate frame 5 and the outer peripheral surface, upper, of the cooling chamber 1 and the resulting structure is then assembled. . An interval with the value h = h + t is obtained between the surface of the weld 2 and the surfaces

inférieures des puces 3. L'épaisseur de la pièce d'espace-  lower chips 3. The thickness of the space piece-

ment 6 peut être choisie arbitrairement.  ment 6 can be chosen arbitrarily.

Dans cette forme d'exécution, la soudure fondue  In this embodiment, the molten weld

est introduite dans la chambre de refroidissement 1.  is introduced into the cooling chamber 1.

Toutefois, une quantité prédéterminée de soudure peut être fixée à l'avance sur la chambre de refroidissement 1, et l'on peut chauffer la soudure ainsi fixée, de manière à la mettre en fusion. Dans cette forme d'exécution, on utilise la soudure 2. Toutefois, l'invention n'est pas limitée à l'utilisation de matière de soudure et l'on peut utiliser d'autres matières, à savoir des matières thermoconductrices qui se contractent par solidification. On peut même utiliser non seulement des matières qui sont mises en fusion par chauffage et solidifées au refroidissement, mais également  However, a predetermined quantity of solder can be fixed in advance on the cooling chamber 1, and the solder thus fixed can be heated, so as to melt it. In this embodiment, solder 2 is used. However, the invention is not limited to the use of solder material and other materials can be used, namely thermally conductive materials which contract by solidification. It is even possible to use not only materials which are melted by heating and solidified on cooling, but also

des matières telles que la pate EPO-TEK H 35-175 (fabri-  materials such as paste EPO-TEK H 35-175 (manufacturer

quée par la société Epoxy Technology Inc.) qui est à l'état fluide à la température ambiante mais se solidifie et se  quée by the company Epoxy Technology Inc.) which is in the fluid state at room temperature but solidifies and

contracte à une température supérieure à 1800C.  contracts at a temperature above 1800C.

La figure 6 est une vue latérale en coupe d'une forme d'exécution d'un module à semiconducteurs fabriqué par le procédé qui vient d'être décrit. A la figure 6, les parties identiques à celles qui sont représentées aux figures 1 à 5 sont désignées par les mêmes chiffres de référence. Le chiffre de référence 7 désigne une vis d'assemblage qui s'étend à travers le cadre de substrat 5, la 7.  Figure 6 is a side sectional view of an embodiment of a semiconductor module manufactured by the method which has just been described. In FIG. 6, the parts identical to those which are represented in FIGS. 1 to 5 are designated by the same reference numbers. The reference numeral 7 designates a connecting screw which extends through the substrate frame 5, la 7.

pièce d'espacement 6 et la chambre de refroidissement 1.  spacer 6 and the cooling chamber 1.

Le chiffre de référence 8 désigne une chemise refroidie & l'eau qui est fixée sur la chambre de refroidissement 1 et présente une partie creuse 8a dans laquelle circule de l'eau afin de réaliser un refroidissement par eau. Dans le cas o un composé thermoconducteur peut être introduit dans un petit intervalle 9, on peut obtenir des caractéristiques de refroidissement encore améliorées. La forme d'exécution qui vient d*tre décrite fait appel à un dispositif de refroidissement à l'eau mais  The reference numeral 8 designates a water-cooled jacket which is fixed to the cooling chamber 1 and has a hollow part 8a in which water circulates in order to carry out water cooling. In the case where a thermally conductive compound can be introduced in a small interval 9, it is possible to obtain further improved cooling characteristics. The embodiment which has just been described uses a water cooling device but

elle pourrait également utiliser un dispositif de refroidis-  it could also use a cooling device

sement à l'air, au moyen d'une ailette montée sur la chambre  air, by means of a fin mounted on the chamber

de refroidissement 1.cooling 1.

Selon le procédé de fabrication d'un module à semiconducteurs conforme à l'invention, tel que décrit ci-dessus, après formation d'un petit intervalle h1 entre les puces et une surface d'une matière thermoconductrice  According to the method for manufacturing a semiconductor module according to the invention, as described above, after forming a small gap h1 between the chips and a surface of a thermally conductive material

solidifiée par refroidissement et solidification d'une ma-  solidified by cooling and solidification of a material

tière thermoconductrice fondue, une pièce d'espacement ayant une épaisseur prédéterminée t est insérée entre une chambre de refroidissement et un organe support de substrat et la structure résultante est assemblée. En conséquence, si l'on choisit convenablement l'épaisseur t de la pièce d'espacement, on peut obtenir un petit intervalle (h1 + t) de valeur optimale entre les puces et la surface de la matière thermoconductrice. Ce petit intervalle peut être réduit à une valeur inférieure au total des tolérances de dimensions et des tolérances d'assemblage des parties constitutives du module,ce qui réduit considérablement la résistance thermique en comparaison avec le cas d'un module à semiconducteurs de type usuel. En outre, on peut améliorer  thermally conductive melt, a spacer having a predetermined thickness t is inserted between a cooling chamber and a substrate support member and the resulting structure is assembled. Consequently, if the thickness t of the spacer is properly chosen, a small interval (h1 + t) of optimum value can be obtained between the chips and the surface of the thermally conductive material. This small interval can be reduced to a value lower than the total of the dimensional tolerances and the assembly tolerances of the component parts of the module, which considerably reduces the thermal resistance in comparison with the case of a semiconductor module of the usual type. In addition, we can improve

de façon notable l'aptitude au refroidissement.  notably the ability to cool.

8. 25865108. 2586510

Claims (10)

REVENDICATIONS 1 - Procédé de fabrication d'un module à semi-  1 - Process for manufacturing a semi-module conducteurs caractérisé en ce qu'il comprend les opérations  conductors characterized in that it includes the operations consistant à: fixer un substrat (4), sur une surface infé-  consisting in: fixing a substrate (4), on a lower surface rieure duquel sont montés une pluralité de puces à semi-  of which are mounted a plurality of semi-microchips conducteurs (3), sur un organe support de substrat (5), pour maintenir ce substrat à sa périphérie; introduire un bain liquide d'une matière thermoconductrice (2) dans une chambre  conductors (3), on a substrate support member (5), for holding this substrate at its periphery; introducing a liquid bath of a thermally conductive material (2) into a chamber en forme de cuvette (1) ayant une surface périphérique exté-  bowl-shaped (1) having an outer peripheral surface rieure supérieure (la), placée en regard de la surface infé-  upper superior (la), placed opposite the lower surface rieure (Sa) dudit organe support de substrat (5); assembler  lower (Sa) of said substrate support member (5); to assemble ledit substrat et ladite chambre de façon telle que la sur-  said substrate and said chamber so that the surface face inférieure dudit organe support de substrat (5) soit mise en contract avec la surface périphérique extérieure, supérieure (la), de cette chambre (1), en plongeant ainsi une partie inférieure de chacune des puces à semiconducteurs (3) dans la matière thermoconductrice (2); solidifier le bain de matière thermoconductrice, de façon à le-contracter en formant  underside of said substrate support member (5) is contracted with the upper outer peripheral surface (la) of this chamber (1), thereby immersing a lower part of each of the semiconductor chips (3) in the material thermally conductive (2); solidify the bath of thermally conductive material, so as to contract it by forming un petit intervalle (10) entre la surface de la matière ther-  a small gap (10) between the surface of the thermal material moconductrice (2) et la surface inférieure de chacune desdites puces à semiconducteurs (3); séparer de ladite chambre un ensemble constitué dudit organe support de substrat (5) et dudit substrat (4) et insérer une pièce d'espacement (6)  conductive (2) and the bottom surface of each of said semiconductor chips (3); separating from said chamber an assembly consisting of said substrate support member (5) and said substrate (4) and inserting a spacer (6) ayant une épaisseur prédéterminée (t) entre la surface infé-  having a predetermined thickness (t) between the lower surface rieure (5a) dudit organe support de substrat (5) et la sur-  lower (5a) of said substrate support member (5) and the face périphérique extérieure, supérieure (la), de ladite chambre (1); et assembler ledit ensemble et ladite chambre  upper outer peripheral face (la) of said chamber (1); and assemble said assembly and said chamber par l'intermédiaire de cette pièce d'espacement.  through this spacer. 2 - Procédé selon la revendication 1, caractéri-  2 - Method according to claim 1, character- sé en ce qu'il comprend, en outre, l'opération consistant à laver ledit organe support de substrat (5) et ladite chambre  se in that it further comprises the step of washing said substrate support member (5) and said chamber (1) après leur séparation.(1) after their separation. 3 - Procédé selon la revendication 1, caractéri-  3 - Method according to claim 1, character- sé en ce que ladite matière thermoconductrice (2) est mise en fusion par chauffage et solidifiée par refroidissement,  se in that said thermally conductive material (2) is melted by heating and solidified by cooling, 25865 1025865 10 9. ladite opération d'introduction du bain liquide comprenant la mise en fusion de la matière thermoconductrice (2) dans ladite chambre (1) et ladite opération de solidification  9. said operation of introducing the liquid bath comprising the melting of the thermally conductive material (2) in said chamber (1) and said solidification operation comprenant le refroidissement du bain.  including cooling the bath. 4 - Procédé selon la revendication 3, caracté-  4 - Method according to claim 3, character- risé en ce que le refroidissement de ladite matière thermo-  laughed in that the cooling of said thermo-material conductrice (2) est réalisé par arrêt de chauffage.  conductive (2) is achieved by heating shutdown. - Procédé selon la revendication 1, caracté- risé en ce que ladite matière thermoconductrice (2) est fluide à la température ambiante et solidifiée par chauffage, ladite opération d'introduction de bain liquide comprenant le déversement de la matière thermoconductrice (2), à la  - Method according to claim 1, characterized in that said thermally conductive material (2) is fluid at room temperature and solidified by heating, said operation of introduction of liquid bath comprising the pouring of the thermally conductive material (2), the température ambiante, dans ladite chambre (1) et ladite opé-  ambient temperature, in said chamber (1) and said operating ration de solidification comprenant le chauffage de la ma-  solidification ration including heating the ma- tière (1).third (1). 6 - Module à semiconducteurs caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat (4) sur une surface inférieure duquel sont montés une pluralité de puces à semiconducteurs  6 - Semiconductor module characterized in that it comprises: a substrate (4) on a lower surface of which are mounted a plurality of semiconductor chips (3); un organe support de substrat (5) fixé sur la périphé-  (3); a substrate support member (5) fixed on the periphery rie de ce substrat (4), une chambre (1), en forme de cuvette, ayant une surface périphérique (la) placée en regard de cet  of this substrate (4), a chamber (1), in the form of a bowl, having a peripheral surface (la) placed opposite this organe support de substrat (5); une matière thermoconductri-  substrate support member (5); a thermally conductive material ce (2) contractée par refroidissement et solidification, cette matière thermoconductrice (2) étant initialement à l'état fondu dans cette chambre (1), ledit organe support de substrat (5) et ladite chambre (1) étant assemblés de façon telle que la surface inférieure (5a) de cet organe  this (2) contracted by cooling and solidification, this thermally conductive material (2) being initially in the molten state in this chamber (1), said substrate support member (5) and said chamber (1) being assembled in such a way that the lower surface (5a) of this organ support de substrat (5) et la surface périphérique extérieu-  substrate support (5) and the outer peripheral surface re, supérieure (la), de cette chambre (1) soient mises en contact l'une avec l'autre, en plongeant ainsi la partie inférieure de chacune des puces à semiconducteurs (3) dans  re, upper (la), of this chamber (1) are brought into contact with each other, thus immersing the lower part of each of the semiconductor chips (3) in ladite matière thermoconductrice (2) fondue, et ladite ma-  said molten thermoconductive material (2), and said material tière thermoconductrice étant refroidie de façon à être solidifiée et contractée en formant un intervalle (h1) entre la surface de chacune des puces à semiconducteurs (3) et la surface de la matière thermoconductrice (2) solidifiée; et  thermally conductive being cooled so as to be solidified and contracted by forming an interval (h1) between the surface of each of the semiconductor chips (3) and the surface of the solidified thermoconductive material (2); and 10. 258651010. 2586510 une pièce d'espacement (6), ayant une épaisseur (t), insé-  a spacer (6), having a thickness (t), inserted rée entre la surface inférieure (5a) dudit organe support  between the lower surface (5a) of said support member de substrat (5) et la surface périphérique extérieure, supé-  substrate (5) and the outer peripheral surface, upper rieure, de ladite chambre (1), ce module à semiconducteurs étant assemblé de façon à avoir, finalement, un intervalle de (hl + t) entre les surfaces inférieures desdites puces à  lower, of said chamber (1), this semiconductor module being assembled so as to have, finally, an interval of (hl + t) between the lower surfaces of said chips to semiconducteurs (3) et la surface supérieure de ladite ma-  semiconductors (3) and the upper surface of said ma- tière thermoconductrice (2).thermally conductive (2). 7 - Module selon la revendication 6, caractéri-  7 - Module according to claim 6, character- sé en ce que ladite matière thermoconductrice (2) contient  se in that said thermally conductive material (2) contains de la soudure.of the solder. 8 - Module selon la revendication 6, caractéri-  8 - Module according to claim 6, character- sé en ce qu'une vis (7) s'étend à travers ledit organe support de substrat (5), ladite pièce d'espacement (6) et  in that a screw (7) extends through said substrate support member (5), said spacer (6) and la périphérie extérieure (la) de ladite chambre (1), de fa-  the outer periphery (la) of said chamber (1), so çon à les assembler.lesson in assembling them. 9 - Module selon la revendication 6, caractéri-  9 - Module according to claim 6, character- sé en ce qu'un dispositif d'évacuation de chaleur est monté  se in that a heat removal device is mounted sur la partie inférieure de ladite chambre (1).  on the lower part of said chamber (1). 10 - Module selon la revendication 9, caracté-  10 - Module according to claim 9, character- risé en ce que ledit dispositif d'évacuation de chaleur  laughed in that said heat removal device présente une chemise (8) munie d'une conduite de circula-  has a jacket (8) provided with a circulation pipe tion d'eau de refroidissement pour son refroidissement par eau.  tion of cooling water for water cooling. 11 - Module selon la revendication 9, caracté-  11 - Module according to claim 9, character- risé en ce que ledit dispositif d'évacuation de chaleur  laughed in that said heat removal device présente une ailette pour son refroidissement à l'air.  has a fin for air cooling.
FR8611948A 1985-08-23 1986-08-21 SEMICONDUCTOR MODULE HAVING HIGH COOLING ABILITY AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF Expired - Fee Related FR2586510B1 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18388985 1985-08-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2586510A1 true FR2586510A1 (en) 1987-02-27
FR2586510B1 FR2586510B1 (en) 1990-06-15

Family

ID=16143585

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8611948A Expired - Fee Related FR2586510B1 (en) 1985-08-23 1986-08-21 SEMICONDUCTOR MODULE HAVING HIGH COOLING ABILITY AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4724611A (en)
JP (1) JPS62122156A (en)
FR (1) FR2586510B1 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0516875A1 (en) * 1991-06-06 1992-12-09 International Business Machines Corporation Module for electronic package
EP0538818A1 (en) * 1991-10-21 1993-04-28 Nec Corporation Cooling unit capable of speedily cooling an integrated circuit chip
FR2766967A1 (en) * 1997-07-31 1999-02-05 Scps Heat sink and electromagnetic protection device for pcb
DE102007041419A1 (en) * 2007-08-31 2009-03-12 Sew-Eurodrive Gmbh & Co. Kg Device, particularly electrical device, comprises printed circuit board, where three-dimensionally shaped breaker is provided between power semiconductors and heat sink or cooling plate for heat dissipation

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0320198B1 (en) * 1987-12-07 1995-03-01 Nec Corporation Cooling system for IC package
US5023695A (en) * 1988-05-09 1991-06-11 Nec Corporation Flat cooling structure of integrated circuit
US4975766A (en) * 1988-08-26 1990-12-04 Nec Corporation Structure for temperature detection in a package
JPH06100408B2 (en) * 1988-09-09 1994-12-12 日本電気株式会社 Cooling system
US5014777A (en) * 1988-09-20 1991-05-14 Nec Corporation Cooling structure
US5263245A (en) * 1992-01-27 1993-11-23 International Business Machines Corporation Method of making an electronic package with enhanced heat sinking
US5731633A (en) * 1992-09-16 1998-03-24 Gary W. Hamilton Thin multichip module
US5484959A (en) * 1992-12-11 1996-01-16 Staktek Corporation High density lead-on-package fabrication method and apparatus
US5604978A (en) * 1994-12-05 1997-02-25 International Business Machines Corporation Method for cooling of chips using a plurality of materials
US5517753A (en) * 1995-04-06 1996-05-21 International Business Machines Corporation Adjustable spacer for flat plate cooling applications
DE19643717A1 (en) * 1996-10-23 1998-04-30 Asea Brown Boveri Liquid cooling device for a high-performance semiconductor module
US7026708B2 (en) * 2001-10-26 2006-04-11 Staktek Group L.P. Low profile chip scale stacking system and method
US20060255446A1 (en) * 2001-10-26 2006-11-16 Staktek Group, L.P. Stacked modules and method
US6956284B2 (en) * 2001-10-26 2005-10-18 Staktek Group L.P. Integrated circuit stacking system and method
US7485951B2 (en) * 2001-10-26 2009-02-03 Entorian Technologies, Lp Modularized die stacking system and method
US7371609B2 (en) * 2001-10-26 2008-05-13 Staktek Group L.P. Stacked module systems and methods
US7656678B2 (en) * 2001-10-26 2010-02-02 Entorian Technologies, Lp Stacked module systems
US6576992B1 (en) * 2001-10-26 2003-06-10 Staktek Group L.P. Chip scale stacking system and method
US7202555B2 (en) * 2001-10-26 2007-04-10 Staktek Group L.P. Pitch change and chip scale stacking system and method
US7081373B2 (en) 2001-12-14 2006-07-25 Staktek Group, L.P. CSP chip stack with flex circuit
US7760513B2 (en) * 2004-09-03 2010-07-20 Entorian Technologies Lp Modified core for circuit module system and method
US7468893B2 (en) * 2004-09-03 2008-12-23 Entorian Technologies, Lp Thin module system and method
US7606050B2 (en) * 2004-09-03 2009-10-20 Entorian Technologies, Lp Compact module system and method
US7606049B2 (en) 2004-09-03 2009-10-20 Entorian Technologies, Lp Module thermal management system and method
US7522421B2 (en) * 2004-09-03 2009-04-21 Entorian Technologies, Lp Split core circuit module
US7443023B2 (en) 2004-09-03 2008-10-28 Entorian Technologies, Lp High capacity thin module system
US7511968B2 (en) * 2004-09-03 2009-03-31 Entorian Technologies, Lp Buffered thin module system and method
US7616452B2 (en) 2004-09-03 2009-11-10 Entorian Technologies, Lp Flex circuit constructions for high capacity circuit module systems and methods
US7446410B2 (en) 2004-09-03 2008-11-04 Entorian Technologies, Lp Circuit module with thermal casing systems
US7542297B2 (en) 2004-09-03 2009-06-02 Entorian Technologies, Lp Optimized mounting area circuit module system and method
US20060050492A1 (en) * 2004-09-03 2006-03-09 Staktek Group, L.P. Thin module system and method
US20060261449A1 (en) * 2005-05-18 2006-11-23 Staktek Group L.P. Memory module system and method
US7579687B2 (en) 2004-09-03 2009-08-25 Entorian Technologies, Lp Circuit module turbulence enhancement systems and methods
US7606040B2 (en) * 2004-09-03 2009-10-20 Entorian Technologies, Lp Memory module system and method
US7324352B2 (en) * 2004-09-03 2008-01-29 Staktek Group L.P. High capacity thin module system and method
US7423885B2 (en) * 2004-09-03 2008-09-09 Entorian Technologies, Lp Die module system
US20060049513A1 (en) * 2004-09-03 2006-03-09 Staktek Group L.P. Thin module system and method with thermal management
US7289327B2 (en) * 2006-02-27 2007-10-30 Stakick Group L.P. Active cooling methods and apparatus for modules
US20060055024A1 (en) * 2004-09-14 2006-03-16 Staktek Group, L.P. Adapted leaded integrated circuit module
US20060072297A1 (en) * 2004-10-01 2006-04-06 Staktek Group L.P. Circuit Module Access System and Method
US20060118936A1 (en) * 2004-12-03 2006-06-08 Staktek Group L.P. Circuit module component mounting system and method
US20060175693A1 (en) * 2005-02-04 2006-08-10 Staktek Group, L.P. Systems, methods, and apparatus for generating ball-out matrix configuration output for a flex circuit
US20060244114A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 Staktek Group L.P. Systems, methods, and apparatus for connecting a set of contacts on an integrated circuit to a flex circuit via a contact beam
US20060250780A1 (en) * 2005-05-06 2006-11-09 Staktek Group L.P. System component interposer
US7033861B1 (en) 2005-05-18 2006-04-25 Staktek Group L.P. Stacked module systems and method
US7511969B2 (en) * 2006-02-02 2009-03-31 Entorian Technologies, Lp Composite core circuit module system and method
CN113645799A (en) * 2020-04-27 2021-11-12 富泰华工业（深圳）有限公司 Heat dissipation structure for electronic device and electronic device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2999034A (en) * 1960-10-21 1961-09-05 Wenczler & Heidenhain Method of manufacture of line plates, scales, and the like
JPS5586130A (en) * 1978-12-25 1980-06-28 Hitachi Ltd Connection of semiconductor element
US4439918A (en) * 1979-03-12 1984-04-03 Western Electric Co., Inc. Methods of packaging an electronic device
JPS5670655A (en) * 1979-11-15 1981-06-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of electronic circuit mounting device
IT1218271B (en) * 1981-04-13 1990-04-12 Ates Componenti Elettron PROCEDURE FOR THE MANUFACTURE OF PLASTIC CONTAINERS WITH THERMAL DISSIPATOR FOR INTEGRATED CIRCUITS AND COMBINATION OF MOLD AND DISSIPATORS USABLE WITH SUCH PROCEDURE

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0516875A1 (en) * 1991-06-06 1992-12-09 International Business Machines Corporation Module for electronic package
US5306866A (en) * 1991-06-06 1994-04-26 International Business Machines Corporation Module for electronic package
EP0538818A1 (en) * 1991-10-21 1993-04-28 Nec Corporation Cooling unit capable of speedily cooling an integrated circuit chip
FR2766967A1 (en) * 1997-07-31 1999-02-05 Scps Heat sink and electromagnetic protection device for pcb
DE102007041419A1 (en) * 2007-08-31 2009-03-12 Sew-Eurodrive Gmbh & Co. Kg Device, particularly electrical device, comprises printed circuit board, where three-dimensionally shaped breaker is provided between power semiconductors and heat sink or cooling plate for heat dissipation
DE102007041419B4 (en) 2007-08-31 2022-03-31 Sew-Eurodrive Gmbh & Co Kg Arrangement for cooling electrical components and converter and compact drive with it

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0573263B2 (en) 1993-10-14
US4724611A (en) 1988-02-16
FR2586510B1 (en) 1990-06-15
JPS62122156A (en) 1987-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2586510A1 (en) SEMICONDUCTOR MODULE HAVING HIGH COOLING ABILITY AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
EP1243169B1 (en) Electronic module with high cooling power
FR3040778A1 (en) THERMAL MANAGEMENT SYSTEM
EP1142460B1 (en) Electronic module containing cooling elements for electronic components
FR2686765A1 (en) Fixing device, especially for fixing an electronic component on a wall of a thermal dissipator
FR2688629A1 (en) Method and device for three-dimensional encapsulation of semiconductor chips
EP2653021B1 (en) Cooling an electronic device
EP0197817A1 (en) Printed-circuit board with a heat exchanger, and process for manufacturing it
WO2006032611A1 (en) Electronic device provided with an integrated heat spreader
FR2696871A1 (en) 3D interconnection method of electronic component housings, and 3D components resulting therefrom.
WO2012046161A1 (en) Heat-sink device intended for at least one electronic component and corresponding method
EP3584620B1 (en) Optical device for vehicle comprising a heating element
EP0228119A1 (en) Centering device for the realization of the pin insertion of a multipin case
FR2733354A1 (en) WELDING APPARATUS FOR INTERIOR CONNECTIONS HAVING HEAT DISSIPATION MEANS, AND WELDING METHOD USING THE SAME
FR2857890A1 (en) LARGE SIZE METAL MOLD
FR2793990A1 (en) ELECTRONIC HOUSING ON PLATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A HOUSING
FR2769100A1 (en) Casing for photosemiconductor device
FR3094102A1 (en) THERMAL SINK FOR SEVERAL MEMORY STRIPS
FR2500215A1 (en) Heat sink for encapsulated power semiconductor device - has finned high thermal conductivity base plate with cover, channels and deflector for coolant circulation
FR2782440A1 (en) Large scale integrated circuit assembly structure having first frame LSI attached and soldered onto second substrate based frame
EP0920789B1 (en) Method for manufacturing a device for dissipating thermal energy produced by electronic components embedded in a printed circuit card, and resulting device
EP3966850B1 (en) Method for manufacturing a power electronic module
FR2514601A1 (en) Thermal contacts to dissipate printed circuit board component heat - has water-cooled, base-plate heat-sink metal heat drain layers adjacent to components
EP0244302B1 (en) Housing to ensure the thermal stabilization of equipment such as electronic components contained therein
FR2781924A1 (en) Procedure for assembly of integrated circuits including a stage of soldering under mechanical pressure with initial spacing of components determined by the diameter of balls of solder

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse