FR2584524A1 - Dispositif hybride de memoire magnetique a bulles - Google Patents
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Abstract
DISPOSITIF HYBRIDE DE MEMOIRE MAGNETIQUE A BULLES COMPRENANT DES PISTES DE PROPAGATION DES BULLES MAGNETIQUES FORMEES DE PISTES PARTIELLES A IMPLANTATION D'IONS ET DE PISTES A PROPAGATION DE BULLES FORMEES D'UNE CONFIGURATION EN MATERIAU MAGNETIQUE DOUX. AU MOINS UNE DES JONCTIONS 20, 21 ENTRE LES DEUX TYPES DE PISTES EST SITUEE DANS UN ANGLE DE LA CONFIGURATION EN MATERIAU MAGNETIQUE DOUX 5 A L'ENDROIT OU LA DIRECTION DE PROPAGATION DES BULLES EST MODIFIEE, ET UN CONDUCTEUR EN EPINGLE A CHEVEU 6 EST SUPERPOSE SUR LA PARTIE DE LA CONFIGURATION D'ANGLE 5 SOUS LAQUELLE LE MATERIAU MAGNETIQUE EST SANS IMPLANTATION D'IONS POUR FORMER DES PISTES DE PROPAGATION PAR IONS IMPLANTES.
Description
DISPOSITIF HYBRIDE DE MEMOIRE MAGNETIQUE A BULLES
La présente invention concerne un dispositif hybride de mémoire magnétique à bulles dans lequel des pistes de propagation des bulles magnétiques formées d'une couche & implantation d'ions et des pistes de propagation de bulles magnétiques formées par une pellicule en matériau magnétique doux (par exemple une pellicule d'alliage nickel-fer tel qu'une pellicule de permalloy) sont toutes réalisées sur une seule puce o10 comprenant un milieu magnétique pour supporter une bulle magnétique, et plus particulièrement les jonctions de
deux pistes de propagation des bulles magnétiques.
Le dispositif hybride de mémoire magnétique à bulles a été décrit dans une demande de brevet japonais No. 40971/1982, publiée le 6 mai 1982, déposée au nom de Fujitsu, Ltd et une demande déposée aux Etats-Unis sous le No. 375.344 (Brevet des Etats- Unis No. 4 528 645 déposé le 5 mai 1982 (date de priorité le 11 mai 1981)), au nom de Hitachi, Ltd. Dans le dispositif hybride de mémoire magnétique à bulles, des pistes à implantation d'ions sont utilisées dans la zone de stockage des données pour augmenter la densité d'enregistrement et des pistes en matériau magnétique doux sont employées dans les parties fonctionnelles telles que les générateurs, les portes de duplication, les portes de transfert, les lignes principales de lecture et les lignes principales d'écriture afin d'obtenir des opérations fonctionnelles stables. L'architecture hybride est applicable à des dispositifs de mémoire magnétique à bulles dans lesquels le diamètre des bulles est supérieur à 0,6 pm et pour lesquels les pistes en matériau magnétique doux ont de bonnes caractéristiques de propagation des bulles. L'architecture réalise des dispositifs de mémoire magnétique à bulles de 4 à 16 Mb/cm2 ayant se bonnes caractéristiques fonctionnelles
de lecture/écriture.
Dans les dispositifs hybrides de mémoire magnétique à bulles, des pistes à implantation d'ions sont superposées à des pistes en matériau magnétique -doux en petites boucles pour former des jonctions dans lesquelles les bulles sont transférées des pistes à implantation d'ions à des pistes en matériau magnétique doux et des pistes en matériau magnétique doux aux pistes à implantation d'ions. Des formes classiques de jonctions sont représentées sur les figures 2 et 3. Les pistes de propagation des bulles à proximité de l'angle d'une porte de duplication dans des petites boucles sont représentées sur la figure 2. Des pistes à implantation
d'ions 2 sont formées à la limite de la région d'implan-
tation d'ions 1 et de la région sans implantation.
Dans la description qui va suivre et dans la
phrase précédente, on entend par région sans implantation d'ions la région dans laquelle l'implantation d'ions destinée à former des pistes d'implantation d'ions n'est pas effectuée. Un masque à implantation d'ions est utilisé pour former une région sans implantation d'ions au cours du processus d'implantation. Des ions tels que H2+, He et Ne+ sont implantés sur toute la surface du dispositif de mémoire
magnétique pour supprimer la génération de bulles fixes.
Dans la région sans implantation d'ions, des ions sont implantés pour supprimer les bulles fixes. Les bulles se propagent le long de la direction supérieure 3 sur les pistes à implantation d'ions 2 et sont transférées sur la configuration 4 en matériau magnétique doux et se propagent le long des configurations en matériau magnétique doux dans la direction 3. Une configuration 5 en matériau magnétique doux et une configuration de
conduction 6 forment une porte de duplication.
Une porte de duplication a pour objet de séparer une bulle en deux bulles par le courant de commande
pulsé de la configuration de conduction 6.
Apres la propagation sur la configuration d'angle , les bulles se propagent le long de la direction 7 pour atteindre l'autre jonction 8 dans laquelle des pistes à implantation d'ions 9 sont superposées à une
configuration en matériau magnétique doux 8.
Dans la jonction 21, les bulles se propagent des pistes en matériau magnétique doux vers les pistes à
implantation d'ions.
Après cela, la configuration en matériau magnétique doux 4 et la piste à implantation d'ions 2 forment la jonction 20 de type I dans laquelle les bulles se propagent depuis les pistes à implantation d'ions jusqu'aux pistes en matériau magnétique doux. La configuration en matériau magnétique doux 8 et la piste à implantation d'ions 9 forment la jonction 21 de type II dans laquelle les bulles se propagent depuis les pistes en matériau magnétique doux jusqu'aux pistes à
implantation d'ions.
Les pistes de propagation des bulles à proximité de l'angle de la porte de transfert de la petite boucle sont représentées sur la figure 3. La jonction de type I et la jonction de type II sont disposées en sens inverse. Des bulles se propagent sur les pistes à implantation d'ions 2 dans la direction 10 et sont transférées vers la configuration en matériau magnétique doux 4 dans la jonction 20 de type I. Elles se propagent ensuite le long des pistes en matériau magnétique doux pour atteindre la configuration d'angle de la porte de transfert 12. La configuration de conduction 13, la configuration d'angle 12 et plusieurs autres configurations en matériau magnétique doux 18, 22, 24, et 26 constituent la porte de transfert. Un courant de commande pulsé de la configuration de conduction 13 commande la bulle dans la petite boucle pour la faire se propager le long de la direction 14 vers la ligne principale d'écriture 19. En même temps, la bulle se trouvant sur la ligne principale d'écriture se propage le long de la direction 15 vers la petite boucle. Des bulles qui se propagent sur la configuration d'angle de la porte de transfert 12 ou qui sont transférées depuis la ligne principale d'écriture 19 jusqu'à la petite boucle, se propagent ensuite sur les pistes en matériau magnétique doux telles que 16, dans la direction 17 et atteignent la configuration en matériau magnétique doux 8 qui est un composant de la jonction 21 de type II. Sur la configuration en matériau magnétique doux 8, des bulles sont transférées depuis la piste en matériau magnétique doux jusqu'à la piste à implantation d'ions 9. La période des pistes à implantation d'ions dans la petite boucle, telles que représentées sur les figures 2 et 3, correspond à trois ou quatre fois le diamètre de la bulle. La période des configurations en matériau magnétique doux qui forment les jonctions, les configurations d'angles et les configurations de propagation dans le matériau magnétique doux, est dix à vingt fois supérieure au diamètre des bulles. De telles configurations ayant une période aussi grande servent à augmenter la force d'entraînement due au champ tournant Hr des bulles de petit diamètre qui ont une forte induction de saturation Ms. L'aimantation des configurations en matériau magnétique doux est due au champ réparti des grosses bulles dont la valeur est linéairement proportionnelle à la valeur de Ms. Plus le diamètre des bulles est petit, plus la valeur de Ms est grande, ce qui montre la nécessité d'un champ tournant de grande amplitude pour entrainer des bulles de petit diamètre. La période accrue de la configuration en matériau magnétique doux permet d'augmenter la force d'entraînement des bulles ce qui conduit à une propagation des bulles sous l'effet d'un champ d'entraînement de faible amplitude. La longueur de petite boucle est augmentée en utilisant 10 à 20 configurations de matériau magnétique doux ayant une grande période de ce type. La densité d'enregistrement des mémoires magnétiques à bulles utilisant des pistes à implantation d'ions est réduite par l'emploi de ces configurations en matériau magnétique doux ainsi agrandies. Par conséquent, un dispositif de mémoire magnétique à bulles magnétiques de forte densité est obtenu en réduisant le nombre des configurations en matériau magnétique doux ayant la
période augmentée.
Un autre problème posé par les dispositifs hybrides classiques de mémoire magnétique à bulles magnétiques vient du fait que la force d'entraînement des bulles des configurations en matériau magnétique doux n'est pas suffisamment grande pour que les bulles puissent se propager en travers des bords à implantation d'ions des jonctions pour le champ d'entraînement inférieur. Par conséquent, la période des configurations en matériau magnétique doux dans la portion de jonction est fixée à une valeur supérieure à celle des configurations en matériau magnétique doux d'une autre portion. Pour des champs d'entraînement supérieurs à 60 Oe, la largeur de la marge de polarisation de la jonction est supérieure à 10 % du champ de polarisation en fonctionnement. La valeur diminue quand le champ d'entraînement devient plus faible. Pour un champ d'entraînement de 50 Oe, la marge de polarisation est inférieure à 7 - 8 %
du champ de polarisation de fonctionnement.
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L'augmentation de la période des configurations en matériau'magnétique doux permet d'augmenter la force d'entraînement des bulles et de porter l'extrémité supérieure de la marge de polarisation à une valeur supérieure. Cependant, un trop grand élargissement des configurations en matériau magnétique doux induit des erreurs de propagation des bulles pour le bord inférieur
du champ de polarisation.
Le pôle d'attraction généré par le champ d'entraînement sur les configurations en matériau magnétique doux de grande période a une surface plus grande que celui des configurations en matériau
magnétique doux de faible période.
Par conséquent, les bulles sur les configurations en matériau magnétique doux de grande période s'étirent et constituent des domaines en forme de bandes à un champ de polarisation supérieur à celui des configurations en matériau magnétique doux de faible période. L'extrémité inférieure de la marge de polarisation augmente avec la période des configurations en matériau
magnétique doux.
Par conséquent, l'augmentation de la période des configurations en matériau magnétique doux dans les jonctions n'est pas la solution pour améliorer les
caractéristiques de propagation de bulles des jonctions.
Un objet de la présente invention consiste à proposer un dispositif hybride de mémoire magnétique à bulles qui comprend des pistes de propagation de bulles magnétiques formées des pistes à implantation d'ions et de pistes de propagation des bulles magnétiques formées par des configurations en matériau magnétique doux, et dont le nombre des configurations en matériau magnétique doux ayant une grande période pour augmenter la densité d'enregistrement du dispositif hybride de mémoire
magnétique à bulles est plus faible.
L'autre objet de la présente invention consiste à proposer un dispositif hybride de mémoire magnétique à bulles qui comprend des pistes de propagation de bulles magnétiques formées des pistes à implantation d'ions et de pistes de propagation de bulles magnétiques formées de configurations en matériau magnétique doux et qui comprend des jonctions composées de grandes configurations en matériau magnétique doux ayant une grande force d'entraînement des bulles et ayant de bonnes caractéristiques de propagation des bulles pour
un champ de polarisation inférieur.
Dans le but d'atteindre les objets mentionnés ci-dessus selon la présente invention, il est proposé un dispositif hybride de mémoire magnétique à bulles comprenant des pistes de propagation des bulles magnétiques formées par implantation d'ions et des pistes de propagation des bulles magnétiques formées de configurations en matériau magnétique doux dans lequel un au moins des angles de petite boucle comprend au moins une configuration d'angle en matériau magnétique doux qui est superposée sur les pistes à implantation d'ions, et dans lequel au moins une configuration de conduction en épingle à cheveu est superposée sur/sous ladite configuration d'angle en matériau magnétique doux sous laquelle ladite pellicule à bulles magnétiques n'est pas implantée d'ions pour former des pistes de
propagation de bulles.
En formant la jonction sur la configuration d'angle en matériau magnétique doux superposée à la piste à implantation d'ions, le nombre des configurations en matériau magnétique doux de l'angle de la petite boucle est réduit comparativement à l'angle de la petite boucle tel que représenté sur les figures 2 et 3, ce qui réduit la longueur de la petite boucle et réalise un dispositif hybride de mémoire magnétique à
bulles de grande densité.
Un autre perfectionnement de la présente invention porte sur la caractéristique de propagation des bulles dans les jonctions pour un champ de commande inférieur. Dans la configuration d'angle en matériau magnétique doux, le rayon de courbure de la configuration en matériau magnétique doux qui se trouve au voisinage de la jonction est réduit pour permettre à la surface des pôles d'attraction des bulles au voisinage de la jonction d'être plus petite que la surface des pôles d'attraction des bulles correspondants au voisinage des jonctions classiques représentées sur
les figures 2 ou 3.
- En conséquence, un fonctionnement erroné pour un champ de polarisation inférieur qui est attribuable à l'étirement des bulles au voisinage des jonctions sur les configurations en matériau magnétique doux peut être évité. En utilisant la grande configuration d'angle en matériau magnétique doux ayant un petit rayon de courbure des configurations en matériau magnétique doux au voisinage de la jonction, la force de commande des bulles de la configuration en matériau magnétique doux au voisinage des jonctions est plus grande sans induire de fonctionnement erroné dans la région du champ de
polarisation faible.
Comme cela apparait clairement d'après ce qui précède, si la présente invention est utilisée dans un dispositif hybride de mémoire magnétique à bulles, les caractéristiques des jonctions peuvent être
considérablement perfectionnées.
La figure 1 illustre un premier mode de réalisation des jonctions des pistes à implantation d'ions et des pistes à matériau magnétique doux sur la configuration d'angle d'une porte de duplication; la figure 2 est une vue schématique de la configuration d'angle d'une porte de duplication classique, des jonctions, de plusieurs configurations en matériau magnétique doux et des pistes à implantation d'ions dans des petites boucles; la figure 3 est une vue schématique de la configuration d'angle d'une porte de transfert classique, des jonctions, de plusieurs configurations en matériau magnétique doux et des pistes à implantation d'ions dans des petites boucles; la figure 4 est un graphe représentant la marge de polarisation de propagation des bulles en fonction de la force du champ de commande pour les jonctions classiques et les jonctions de la présente invention; la figure 5 illustre un second mode de réalisation des jonctions des pistes à implantation d'ions et des pistes en matériau magnétique doux sur la configuration d'angle d'une porte de duplication; la figure 6 illustre un troisième mode de réalisation des jonctions des pistes à implantation d'ions et des pistes en matériau magnétique doux sur la configuration d'angle d'une porte de duplication; la figure 7 illustre un quatrième mode de réalisation des jonctions des pistes à implantation d'ions et des pistes en matériau magnétique doux de la configuration d'angle d'une porte de transfert; la figure 8 illustre un cinquième mode de réalisation des jonctions de la configuration d'angle de la porte de transfert; la figure 9 illustre un sixième mode de réalisation des jonctions de la configuration d'angle d'une porte de transfert; la figure 10 illustre un septième mode de réalisation des jonctions de la configuration d'angle d'une porte de transfert; et la figure 11 illustre un huitième mode de réalisation des jonctions de la configuration d'angle
d'une porte de transfert.
Description d'un mode préféré de réalisation.
Exemple 1
La figure 1 représente un premier mode de réalisation des jonctions prévues dans un dispositif hybride de mémoire magnétique à bulles dans lequel des pistes de propagation de bulles magnétiques sont formées d'une couche & implantation d'ions et des pistes à propagation de bulles magnétiques sont formées de configurations en matériau magnétique doux. Sur la figure, la référence 2 désigne les pistes à implantation d'ions qui composent la plus grande partie de la petite boucle. Dans la région 1, des ions tels que H2+, He ou Ne+ sont implantés pour former une couche magnétique dans le plan et qui entraine des bulles. Sur la configuration d'angle en matériau magnétique doux 5, est superposée une configuration de conduction en épingle à cheveu 6 pour composer une porte de duplication. Dans les régions qui ne comprennent pas les jonctions 20, 21, une configuration de matériau magnétique doux est prévue sur une région sans implantation d'ions. Dans les jonctions 20, 21 la configuration en matériau magnétique doux 5 et les régions à implantation d'ions sont constituées pour se chevaucher. Un conducteur en épingle à cheveu 6 est posé pour empiéter sur la région à implantation d'ions 1 et la région sans implantation d'ions. Les configurations en matériau magnétique doux 29, 30 ont pour fonction de transférer les bulles qui sont divisées par la porte de
duplication, vers une ligne principale de lecture.
La bulle magnétique transférée par un passage de transfert à implantation d'ions d'une petite boucle dans la direction 32 pénètre dans la configuration en matériau magnétique doux 5 dans une jonction 20 de type I qui est formée par le recouvrement des portions du passage de transfert à implantation d'ions 2 et de la configuration en matériau magnétique doux 5. Cette bulle magnétique est étirée dans la partie supérieure de la configuration en matériau magnétique doux 5 en un
domaine allongé comme représenté sur la figure 1.
Pendant ce temps, un courant pulsé est appliqué de façon à générer un champ magnétique à l'intérieur du conducteur en épingle à cheveu 6 dans la direction dans laquelle un champ magnétique de polarisation est augmenté. Le champ pulsé divise la bulle magnétique en deux bulles. L'une des bulles se propage dans la ligne principale de lecture à travers les configurations 29,
en matériau magnétique doux et arrive à un détecteur.
L'autre bulle se propage dans une piste à implantation d'ions 33 sur une jonction de type II du côté gauche de la configuration 5 en matériau magnétique doux pour se
propager dans une petite boucle.
Comme indiqué précédemment, la jonction de type I et la jonction de type II sont disposées aux deux extrémités de la configuration d'angle en matériau magnétique doux de la porte de duplication. Ceci permet de réduire le nombre des configurations en matériau magnétique doux au voisinage de l'angle de la porte de duplication de dix à un comparativement au cas de la petite boucle représentée sur la figure 2. La réduction du nombre des configurations en matériau magnétique doux correspond à la réduction de la longueur de la petite boucle d'environ 144 jm puisque la période des configurations en matériau magnétique doux est d'environ 16 pm. Ainsi, si une petite boucle repliée trois fois est utilisée avec le nombre de bits de la petite boucle et le passage de de transfert à implantation d'ions réglés respectivement à 2049 et à 3pm, on obtient une
augmentation de 7 % de la densité d'enregistrement.
Dans les dispositifs hybrides de mémoire magnétique magnétique & bulles, les pistes à implantation d'ions dans une petite boucle se composent d'une structure repliée comme celle qui est décrite dans la demande de brevet japonais publiée No. 54981/1985 afin d'augmenter le volume et la période des configurations en matériau magnétique doux dans les
angles et les jonctions.
Les caractéristiques de propagation des bulles dans les jonctions de types I et II sont également perfectionnées grâce & l'invention. les configurations en matériau magnétique doux des jonctions classiques représentées sur les figures 2 et 3 sont formées en superposant des configurations en matériau magnétique doux pour assurer la propagation rectiligne des bulles
et des pistes à implantation d'ions.
par conséquent, la forme des configurations en matériau magnétique doux est limitée afin d'améliorer les caractéristiques de propagation des bulles d'un espace entre des configurations adjacentes en matériau
magnétique doux.
Les constructions des jonctions sur les configurations d'angle en matériau magnétique doux n'ont aucun espace entre elles si bien qu'il n'y a pas de limitation à la forme des configurations en matériau magnétique doux dans le but de favoriser les
caractéristiques de propagation dans l'intrevalle.
Le rayon de courbure d'un pôle dans lequel une bulle se propage, généré à partir d'une configuration d'angle en matériau magnétique doux peut être fixé à une dimension inférieure à celle des configurations en matériau magnétique doux des jonctions classiques de types I et II. Par conséquent, puisque la surface de la portion dans laquelle le pôle d'attraction est généré peut être plus petite, l'extrémité inférieure du champ magnétique de polarisation de la propagation de la bulle sur les jonctions et les configurations en matériau magnétique doux dans la présente invention ont des valeurs inférieures à celles des jonctions classiques et des configurations de propagation de bulles en matériau magnétique doux. Une comparaison entre les caractéristiques de propagation d'une bulle de 0,9 pm de diamètre dans les jonctions avec celles de la même bulle dans des configurations d'angle en matériau magnétique doux est représentée sur la figure 4. Selon une courbe 36 obtenue dans le système de la présente invention comparativement à une courbe 37 obtenue dans un système classique, l'extrémité inférieure de la marge du champ magnétique de polarisation de propagation des bulles est inférieure d'environ 10 Oe. L'extrémité supérieure de la marge est supérieure de 5 à 10 Oe pour un champ
d'entraînement de 50 Oe.
Exemple 2
La figure 5 est une vue schématique représentant la struture d'un second mode de réalisation des
jonctions selon la présente invention.
Dans le second mode de réalisation, la configuration d'angle 5 en matériau magnétique doux du type pioche, ayant une queue 25, sert à perfectionner les caractéristiques de propagation des bulles et les
caractéristiques de la porte de duplication.
Exemple 3 La figure 6 est une vue schématique représentant la structure d'un troisième mode de réalisation des
jonctions selon la présente invention.
Dans le troisième mode de réalisation, la forme de la configuration en matériau magnétique doux et la forme de la piste à implantation d'ions sont presque les mêmes
que dans le premier mode de réalisation.
Sur les jonctions, la configuration en matériau magnétique doux n'est pas superposée aux régions d'implantation d'ions, comme représenté sur la figure 6. La distance entre le bord de la configuration en matériau magnétique doux et le bord de la zone d'implantation d'ions n'est pas inférieure & 0,5 pm et n'est pas supérieure à 2 pm pour obtenir de bonnes
caractéristiques de propagation des bulles.
Exemple 4
La figure 7 est une vue schématique représentant la structure d'un quatrième mode de réalisation des
jonctions selon la présente invention.
Dans le quatrième mode de réalisation, la présente invention est appliquée & l'angle d'une porte de transfert dans la petite boucle. Sur la figure, la référence 2 représente les pistes à implantation d'ions
qui composent la majeure partie de la petite boucle.
Dans la région 1, des ions tels que Hz+, He ou Ne sont implantés pour former une couche magnétique dans le plan plan qui entraîne les bulles. Dans les régions autres que les jonctions 20, 21, les configurations en matériau magnétique doux sont disposées dans la région sans implantation. Dans les jonctions 20, 21, la configuration en matériau magnétique doux 12 qui compose un angle de porte de transfert est superposée sur la région à implantation d'ions 1. D'autres configurations en matériau magnétique doux 18, 19, 24, 25, 26 avec la configuration d'angle 12 et une configuration conductrice 13 en épingle à cheveu composent la porte de transfert. Des configurations en matériau magnétique doux 18, 19 et 25 composent également la ligne
principale d'écriture à propagation de bulles.
Les bulles qui se sont propagées le long des pistes & implantation d'ions 35 sont transférées vers la configuration d'angle 12 en matériau magnétique doux sur la jonction 20 de type I composée par la superposition de la piste à implantation d'ions 2 et de la configuration d'angle 12 en matériau magnétique doux. Les bulles se propagent sur la configuration d'angle pour atteindre la jonction 21 de type II o les bulles sotn transférées vers les pistes & implantation d'ions 2 à partir de la configuration en matériau magnétique doux 12. Le courant pulsé de commande du conducteur en épingle à cheveu 13, lorsque la bulle est sur la configuration d'angle 12 effectue l'opération de transfert dans laquelle la bulle de la petite boucle est transférée vers la ligne principale d'écriture et la boucle qui se trouve sur la ligne principale d'écriture est transférée vers la petite boucle en même temps. La bulle de la petite boucle se propage depuis la configuration d'angle 12 jusqu'à la ligne principale d'écriture par l'intermédiaire de la configuration en barre 24 et la configuration 25 par le courant pulsé de commande du conducteur en épingle à cheveu 13. La bulle qui se trouve sur la ligne principale se propage depuis la configuration en matériau magnétique 19 jusqu'à la configuration d'angle 12 par la configuration 18 en forme de pioche et la configuration 26 en forme de barre grâce au courant de commande pulsé du conducteur en
épingle à cheveu 13.
Comme cela été mentionné ci-dessus, aux deux extrémités de la configuration d'angle de porte de transfert 12 en matériau magnétique doux, la jonction de type I et la jonction de type II sont placées pour réaliser la réduction du nombre des configurations en matériau magnétique doux de 9 à 1. L'effet de réduction de la longueur de la petite boucle dans le mode dde réalisation est presque le même que dans les modes de
réalisation 1 à 3 qui ont été décrits ci-dessus.
Les caractéristiques de propagation dans les jonctions 20 et 21 de types I et II sont également
améliorées dans le mode de réalisation.
Le motif et l'effet du perfectionnement sont presque les mêmes qu'avec le mode de réalisation 1 comme représenté ci-dessus et sur la figure 4
Exemple 5
La figure 8 est une vue schématique représentant la structure d'un cinquième mode de réalisation des
jonctions selon la présente invention.
Dans le cinquième mode de réalisation, la présente invention est appliquée à un angle de porte de transfert d'un type différent de celui du quatrième mode de réalisation. La ligne principale d'écriture est composée de configurations en matériau magnétique doux 27 et 28
du type à chevrons asymétriques.
D'autres configurations en matériau magnétique doux 12, 24 et 26 et despistes à implantation d'ions 2 sont presque les mêmes que dans le cas du quatrième mode de réalisation. La forme du conducteur en épingle à cheveu 13 est modifiée par rapport à celle du conducteur du quatrième mode de réalisation. Les caractéristiques de propagation des bulles et le fonctionnement de la porte de transfert sont presque les mêmes que dans le
cas du quatrième mode de réalisation.
Exemple 6
La figure 9 est une vue schématique représentant la structure du sixième mode de réalisation des jonctions selon la présente invention. Dans le sixième mode de réalisation, la période des configurations en matériau magnétique doux est presque deux fois plus grande que celle du quatrième mode de réalisation. Dans le sixième mode de réalisation, les bulles se propagent sur toutes les positions de bits de la ligne principale d'écriture, ce qui permet une opération d'écriture des bulles sur le générateur, & chaque cycle pour obtenir une opérations d'écriture de données à très grande vitesse. Exemple 7 La figure 10 est une vue schématique représentant la structure d'un septième mode de réalisation des jonctions selon la présente invention. Dans le septième mode de réalisation, la jonction 20 de type I est réalisée sur une configuration d'angle en matériau magnétique doux 12 de porte de transfert et la jonction 21 de type II se trouve sur une autre configuration en matériau magnétique doux 8. Les configurations en matériau magnétique doux 22, 23, 24, 25, 18 et 19 et la configuration du conducteur en épingle à cheveu 13 sont presque les mêmes que dans le mode de réalisation représenté sur la figure 3. Dans le septième mode de réalisation, la variation des caractéristiques de la porte de transfert par rapport à celle de la porte de transfert classique telle que représenté sur la figure 3 est inférieure à la différence les quatrième et sixième
modes de réalisation.
Exemple 8
La figure 11 est une vue schématique représentant la structure d'un huitième mode de réalisation des jonctions selon la présente invention. Dans le huitième mode de réalisation, les jonctions 20, 21 de type I et de type II et les configurations d'angle en matériau magnétique doux 12 et 8 sont presque les mêmes que dans le septième mode de réalisation. Les configurations 27 et 28 en matériau magnétique doux sont différentes de celles du septième mode de réalisation. Les configurations en chevrons asymétriques 27 et 28 et le conducteur en épingle à cheveu 13 utilisés ont des configurations proches de celles du cinquième mode de réalisation. Comme cela ressort de l'explication précédente, selon la présente invention, un dispositif hybride de mémoire magnétique & bulles de grande densité est obtenu avec des pistes & implantation d'ions ayant des domaines de faible dimension et des jonctions composées de configurations en matériau magnétique doux et de conduction en épingle & cheveu ayant de bonnes caractéristiques de propagation des bulles. De telles caractéristiques avantageuses sont basées sur la présente invention dans laquelle au moins une des jonctions de type I ou de type II a la forme d'une configuration d'angle en matériau magnétique doux. Les jonctions permettent également de réduire les dimensions
de la puce.
Claims (13)
1. Dispositif de mémoire magnétique magnétique à bulles comprenant Un circuit de propagation de bulles magnétiques pour former une petite boucle, ledit circuit de propagation des bulles magnétiques étant formé par implantation d'ions dans une portion désirée d'une pellicule magnétique pour bulles magnétiques; une ligne principale ou grande boucle, dont une partie au moins ets formée de ladite pellicule en matériau magnétique doux, une partie de la portion de liaison entre ladite petite boucle et ladite ligne principale ou grande boucle étant formée de ladite pellicule en matériau magnétique doux, caractérisé par le fait qu'il comprend configuration d'angle en matériau magnétique doux (5; 12), sur laquelle une direction de propagation des bulles est modifiée, et ayant au moins une superposition (20, 21) sur ledit circuit de propagation (1) des bulles magnétiques, et au moins une configuration de conduction en épingle à cheveu (6; 13) superposée sur/sous ladite configuration d'angle (5; 12) en matériau magnétique doux et disposée sur une région sans implantation d'ions.
2. Dispositif de mémoire magnétique magnétique à bulles selon la revendication 1, dans lequel ladite configuration d'angle en matériau magnétique doux fait
partie d'une porte de duplication de blocs.
3. Dispositif de mémoire magnétique à bulles selon la revendication 1, dans lequel ladite configuration d'angle en matériau magnétique doux fait partie d'une
porte de transfert.
4. Dispositif de mémoire magnétique à bulles selon la revendication 1, dans lequel ladite configuration d'angle (5) en matériau magnétique doux est partiellement superposée à une région & implantation
d'ions (1).
5. Dispositif de mémoire magnétique & bulle selon la revendication 1, dans lequel ladite configuration d'angle en matériau magnétique doux a la forme d'une pioche.
6. Dispositif de mémoire magnétique à bulles comprenant un circuit de propagation de bulles magnétiques pour former une petite boucle, ledit circuit de propagation des bulles étant formé par implantation d'ions dans une portion désirée d'une pellicule magnétique pour bulles magnétiques, une ligne principale, ou grande boucle, dont une partie au moins est formée d'une pellicule en matériau magnétique doux, une partie de la portion de liaison entre ladite petite boucle et ladite ligne principale ou grande boucle étant formée de ladite pellicule en matériau magnétique doux, caractérisé par le fait qu'il comprend une configuration d'angle en matériau magnétique doux (5; 12), sur laquelle une direction de propagation des bulles est modifiée, ayant deux superpositions (20, 21) sur ledit circuit de propagation (1) des bulles magnétiques, et au moins une configuration de conduction en épingle à cheveu (6; 13) superposée sur/sous ladite configuration d'angle (5; 12) en.matériau magnétique doux et
disposée sur une région sans implantation d'ions.
7. Dispositif de mémoire magnétique à bulles selon la revendication 6, dans lequel ladite configuration d'angle en matériau magnétique doux fait partie d'une
porte de duplication de blocs.
8. Dispositif de mémoire magnétique à bulles selon la revendication 6, dans lequel ladite configuration d'angle en matériau magnétique doux fait partie d'une
porte de transfert.
9. Dispositif de mémoire magnétique à bulles selon la revendication 6, dans lequel ladite configuration d'angle en matériau magnétique doux est partiellement
superposée à une région d'implantation d'ions.
10. Dispositif de mémoire magnétique & bulles selon la revendication 6, dans lequel ladite configuration d'angle en matériau magnétique doux a la forme d'une pioche.
11. Dispositif de mémoire magnétique à bulles comprenant un circuit de propagation de bulles magnétiques pour former une petite boucle, ledit circuit de propagation des bulles magnétiques étant formé par implantation d'ions dans une portion désirée d'une pellicule magnétique pour bulles magnétiques, une ligne principale ou grande boucle, dont une partie au moins est formée d'une pellicule en matériau magnétique doux, une partie de la portion de liaison entre ladite petite boucle et ladite ligne principale ou grande boucle étant formée de ladite pellicule en matériau magnétique doux, caractérisé par le fait qu'il comprend une configuration d'angle (5) en matériau magnétique doux, sur laquelle une direction de propagation des bulles est modifiée, placée avec un espace prédéterminé à proximité dudit circuit de propagation (1) des bulles magnétiques, et au moins une configuration de conduction en épingle à cheveu (6) superposée sur/sous ladite configuration d'angle en matériau magnétique doux et étant disposée
sur une région sans implantation d'ions.
12. Dispositif de mémoire magéntique à bulles selon la revendication 11, dans lequel ladite valeur de l'espace prédéterminé est supérieure à 0,5 jm et
inférieure à 2,0 jm.
13. Dispositif de mémoire magnétique à bulles selon la revendication 11, dans lequel ladite configuration d'angle en matériau magnétique doux fait
partie d'une porte de duplication de blocs.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60144599A JPS626485A (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | 複合型磁気バブルメモリ素子 |
| JP61030836A JPS62189691A (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | ハイブリツド磁気バブルメモリ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2584524A1 true FR2584524A1 (fr) | 1987-01-09 |
| FR2584524B1 FR2584524B1 (fr) | 1991-10-31 |
Family
ID=26369249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR868609675A Expired - Lifetime FR2584524B1 (fr) | 1985-07-03 | 1986-07-03 | Dispositif hybride de memoire magnetique a bulles |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4744052A (fr) |
| FR (1) | FR2584524B1 (fr) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2587823A1 (fr) * | 1985-09-20 | 1987-03-27 | Hitachi Ltd | Dispositif de memoire a bulles magnetiques |
Citations (2)
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| DE3217533A1 (de) * | 1981-05-11 | 1982-12-09 | Hitachi, Ltd., Tokyo | Magnetblasenspeicher-bauelement |
| EP0081215A2 (fr) * | 1981-12-04 | 1983-06-15 | Hitachi, Ltd. | Mémoire à bulles magnétiques |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58164082A (ja) * | 1982-03-23 | 1983-09-28 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ素子の製造方法 |
| CA1197924A (fr) * | 1982-06-23 | 1985-12-10 | Yoshio Satoh | Memoire a bulles magnetiques |
| JPS59175088A (ja) * | 1983-03-25 | 1984-10-03 | Hitachi Ltd | 複合型磁気バブルメモリ素子 |
| JPS60117483A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-24 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリデバイス |
-
1986
- 1986-06-25 US US06/878,248 patent/US4744052A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-07-03 FR FR868609675A patent/FR2584524B1/fr not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| FR2587823A1 (fr) * | 1985-09-20 | 1987-03-27 | Hitachi Ltd | Dispositif de memoire a bulles magnetiques |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2584524B1 (fr) | 1991-10-31 |
| US4744052A (en) | 1988-05-10 |
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|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |