FR2569049A1 - Producing electronic unit by coating and laminating surface - Google Patents
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Abstract
Description
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un composant électronique et plus particulièrement un procédé perfectionné en rapport avec le nettoyage de la surface lors du procédé de fabrication d'un composant électronique, qui possède la structure d'une couche mince. The present invention relates to a method of manufacturing an electronic component and more particularly to an improved method related to cleaning the surface during the process of manufacturing an electronic component, which has the structure of a thin layer.
D'une manière générale, certains composants électroniques possédant une structure a couches minces forment une structure du type à contact bloquant, par exemple une hétérojonction ou jonction hétérogène, au niveau de l'interface entre les deux couches minces. En ce qui concerne la formation de cette interface entre les couches minces, le degré de propreté de l'interface détermine souvent les propriétés caractéristiques électriques de cette dernière et a une influence sur le rendement de fabrication. Cette qualité de propreté peut être subdivisée grossièrement en deux catégories : l'une de ces catégories concerne l'adsorption superficielle en termes de chimie physique et l'autre concerne l'adhérence locale de substances étrangères. La présente invention concerne ce dernier cas. In general, certain electronic components having a thin film structure form a structure of the blocking contact type, for example a heterojunction or heterogeneous junction, at the interface between the two thin layers. With regard to the formation of this interface between the thin layers, the degree of cleanliness of the interface often determines the electrical characteristic properties of the latter and has an influence on the manufacturing yield. This quality of cleanliness can be roughly divided into two categories: one of these categories relates to surface adsorption in terms of physical chemistry and the other relates to the local adhesion of foreign substances. The present invention relates to the latter case.
I1 existe une probabilité générale pour que de très petites substances étrangères, comme par exemple de la poussière ou analogue, viennent adhérer aux couches minces pendant chaque phase opératoire de fabrication de ces dernières. Cependant les substances étrangères, qui affectent de la manière la plus nuisible les propriétés caractéristiques du composant sont celles qui existent au niveau de l'interface, certaines de ces substances crégnant par exemple une rupture locale de la structure du type à contact bloquant ou de blocage.Des tentatives visant à obtenir une fabrication, exempte de poussière, au niveau de toutes les phases opératoires ont été faites en vue d'éliminer l'adhérence de substances étrangères au niveau de l'interface, tandis que par ailleurs il peut également s'avérer efficace d'éliminer les substances étran- gères qui adhéraient déjà à l'interface. A cet effet, on met en oeuvre certains procédés de nettoyage de surface, lors desquels il ne se produit aucune contamination ou pollution de l'interface. Parmi les procédés de nettoyage de surface mentionnés ci-dessus, le nettoyage aux ultrasons et le nettoyage à la vapeur sont connus de façon universelle, ces procédés de nettoyage utilisant par exemple de l'eau distillée d'une très grande pureté, du fréon ou de l'alcool isopropylique, ou une combinaison de ces produits. There is a general probability that very small foreign substances, such as, for example, dust or the like, will adhere to the thin layers during each operational phase of the manufacture of the latter. However, foreign substances, which most adversely affect the characteristic properties of the component, are those which exist at the interface, some of these substances creeping, for example, a local breakdown of the structure of the blocking or blocking contact type. . Attempts to obtain a dust-free manufacturing at all operating stages have been made with a view to eliminating the adhesion of foreign substances at the interface, while otherwise it may also prove effective in eliminating foreign substances which already adhere to the interface. To this end, certain surface cleaning methods are used, in which there is no contamination or pollution of the interface. Among the surface cleaning methods mentioned above, ultrasonic cleaning and steam cleaning are universally known, these cleaning methods using for example very high purity distilled water, freon or isopropyl alcohol, or a combination of these.
Cependant, dans le cas de l'utilisation de ces procédés, le taux d'élimination diminue dans le cas de particules extrêmement petites de substances étrangères, qui possèdent un diamètre de l'ordre de un dixième de micron jusqu'à quelques microns. C'est pourquoi on prend maintenant certaines dispositions visant à améliorer cette situation et impliquant la pulvérisation puissante d'un détergent, le frottement à l'aide d'une brosse et le procédé de nettoyage ultrasonique, mais ces procédés se sont avérés être peu satisfaisants. En outre on connaît par ailleurs un autre procédé visant à éliminer des substances étrangères moyennant l'utilisation d'une bande adhésive, et selon lequel on applique la bande adhésive sur la surface devant être nettoyée, puis on l'écarte de cette surface en même temps que les substances étrangères.On peut aisément se procurer la bande adhésive, mais elle présente un défaut. De façon spécifique sa couche adhésive contient certains type d'additifs destinés à être appliqués sur le substrat d'une bande ou en vue de la conservation d'une bande elle-même et, lorsqu'ils sont placés contre la surface devant être nettoyée, de tels additifs sont malheureusement transférés à cette surface même si les substances étrangères sont éliminées, ce qui fournit une interface encore plus contaminée ou polluée. However, in the case of the use of these methods, the elimination rate decreases in the case of extremely small particles of foreign substances, which have a diameter of the order of a tenth of a micron up to a few microns. This is why some measures are now being taken to improve this situation and involving the powerful spraying of a detergent, the friction using a brush and the ultrasonic cleaning process, but these processes have been found to be unsatisfactory. . In addition, another method is known which is aimed at removing foreign substances by means of the use of an adhesive strip, and in which the adhesive strip is applied to the surface to be cleaned, then it is removed from this surface at the same time. time for foreign substances. Adhesive tape is readily available, but has a defect. Specifically, its adhesive layer contains certain types of additives intended to be applied to the substrate of a strip or for the purpose of preserving a strip itself and, when they are placed against the surface to be cleaned, such additives are unfortunately transferred to this surface even if the foreign substances are eliminated, which provides an even more contaminated or polluted interface.
En outre un autre procédé d'élimination a été proposé (demande de brevet japonais publiée nO 13081/1977), selon lequel on forme sur la surface devant être nettoyée une pellicule organique constituée par un haut polymère et ensuite les substances étrangères sont éliminées en même temps que la pellicule organique. Mais, simplement sur la base d'un concept fondamental de la proposition indiquée précédemment, la pellicule organique de haut polymère est arrachée au moment de son enlèvement et on peut voir au niveau de la surface devant être nettoyée une contamination nouvellement produite, ce qui est indésirable, ce phénomène étant considéré comme étant dû à la séparation des composants de revêtement sur la pellicule.En outre un autre procédé a été décrit dans la demande de brevet japonais publié n" 80 471/1980, dans laquelle il est suggéré que la force d'adhérence du polymère du type a chlorure de vinyle soit réglée par rapport a son support au moyen d'un rayonnement ionisant. In addition, another removal method has been proposed (published Japanese patent application No. 13081/1977), according to which an organic film consisting of a high polymer is formed on the surface to be cleaned and then the foreign substances are eliminated at the same time. as organic film. But, simply on the basis of a fundamental concept of the proposal indicated above, the organic high polymer film is torn off at the time of its removal and one can see at the level of the surface to be cleaned a newly produced contamination, which is undesirable, this phenomenon being considered to be due to the separation of the coating components on the film. In addition, another method has been described in the published Japanese patent application No. 80,471 / 1,980, in which it is suggested that the force of adhesion of the vinyl chloride type polymer is adjusted with respect to its support by means of ionizing radiation.
La technique décrite dans la demande de brevet japonais publiée n" 80 476/1980 est caractérisée par un agencement, selon lequel une composition de revêtement, dont le composant principal est un copolymère du typeàchlo- rure de vinyle est formé sur la surface, un tel polymère étant utilisé en tant qu'élément de remplacement d'une résine photosensible classique, et la force d'adhérence par rapport au support est affaiblie par irradiation avec une lumière ou un rayonnement ionisant, de sorte que seules les zones du copolymère, qui sont irradiées par la lumière ou par le rayonnement ionisant, peuvent être ais6- ment détachées moyennant l'application, sur ces zones, d'une bande adhésive ou analogue et l'enlèvement ultérieur de cette bande par "pelage" ou décollement.Ceci supprime les inconvénients liés a l'utilisation de la résine photosensible classique et qui concernent le maintien de la stabilité du liquide constituant la résine photosensible cui nécessite un stockage soigneux du liquide formé par la résine de photocomposition et concernent son traitement, et résoud le problème selon lequel, après l'exposition de structuration ou de configuration d'une couche de résine photosensible, la technique classique est limitée à un developpement par voie humide avec un révélateur ou développeur liquide spécifié. The technique described in published Japanese patent application no. 80,476 / 1,980 is characterized by an arrangement, in which a coating composition, the main component of which is a copolymer of vinyl chloride type is formed on the surface, such polymer being used as a replacement for a conventional photosensitive resin, and the adhesive strength with respect to the support is weakened by irradiation with light or ionizing radiation, so that only the areas of the copolymer, which are irradiated by light or by ionizing radiation, can be easily detached by applying, on these areas, an adhesive strip or the like and the subsequent removal of this strip by "peeling" or detachment. disadvantages linked to the use of conventional photosensitive resin and which relate to maintaining the stability of the liquid constituting the photosensitive resin which requires careful storage of the liquid formed by photocomposition resin and relate to its treatment, and solves the problem according to which, after the exposure of structuring or configuration of a layer of photosensitive resin, the conventional technique is limited to a wet development with a developer or specified liquid developer.
Par conséquent le but de la technique décrite ci-dessus n'est pas d'éliminer des substances étrangères, qui adhérent à la surface devant être nettoyée - cette élimination fait ltobjet de la présente invention -, mais de fournir une composition de revêtement qui n'est pas limitée à un traitement par voie humide spécifié lors de l'élimination sélective de la couche, une telle technique insistant sur la stabilité et les bonnes caractéristiques de stockage d'un liquide et d'une couche. Dans cette technique bien connue indiquée précédemment, l'irradiation par une lumière et par un rayonnement ionisant est mise en oeuvre de manière à réaliser une élimination sélective. Therefore the aim of the technique described above is not to remove foreign substances, which adhere to the surface to be cleaned - this removal is the object of the present invention -, but to provide a coating composition which does not is not limited to a wet treatment specified during the selective elimination of the layer, such a technique emphasizing the stability and the good storage characteristics of a liquid and of a layer. In this well-known technique indicated above, irradiation with light and with ionizing radiation is carried out so as to achieve selective elimination.
A titre de variante de mise en oeuvre de cette technique, on indique le procédé utilisant le rayonnement ultraviolet et le procédé utilisant un faisceau d'electrons. Cependant une contamination, nouvellement produite, sur la surface d'un substrat devant être traité, subsiste encore sur ce substrat lorsque la couche de revêtement est éliminée de façon sélective, ce phénomène étant considéré comme tenant son origine de la nature des composants du revêtement. C'est pourquoi le procédé mentionné précédem- ment ne peut pas être appliqué à la présente invention.As an implementation variant of this technique, the method using ultraviolet radiation and the method using an electron beam are indicated. However, newly produced contamination on the surface of a substrate to be treated still subsists on this substrate when the coating layer is selectively removed, this phenomenon being considered to originate from the nature of the coating components. This is why the method mentioned above cannot be applied to the present invention.
La technique bien connue décrite ci-dessus est applicable, à ce quril semble, dans le but de former un modèle ou une structure en utilisant un développement du type a sec.The well-known technique described above is applicable, it seems, for the purpose of forming a model or structure using a dry type development.
Cependant il est impossible d'éliminer des substances étrangères très petites de la surface d'un substrat recouvert, sans qu'il se produise une contamination ou une pol lution sur la surface du substrat, lors du décollement ou de l'enlèvement d'une couche de revêtement par pelage. However, it is impossible to remove very small foreign substances from the surface of a covered substrate, without contamination or pollution occurring on the surface of the substrate, during peeling or removal of a coating layer by peeling.
C'est pourquoi un but essentiel de la présente invention est de fournir un procédé pour fabriquer un composant électronique, qui élimine les défauts décrits précédemment de l'art antérieur et soit apte a éliminer aisé- ment des substances étrangères très petites existant au niveau de la surface devant être nettoyée, lors du procédé de fabrication d'un composant électronique qui possède une structure à couches minces. This is why an essential object of the present invention is to provide a method for manufacturing an electronic component, which eliminates the defects described above from the prior art and is capable of easily eliminating very small foreign substances existing at the level of the surface to be cleaned, during the manufacturing process of an electronic component which has a thin film structure.
A cet effet, conformément a un aspect de la présente invention, il est prévu un procédé de fabrication d'un composant électronique selon lequel une pellicule appliquée possédant une force d'adhérence appropriée et des propriétés de décollement favorables est formée sur la surface devant être nettoyée d'une manière tout à fait différente de l'une quelconque des techniques de l'art antérieur, les substances étrangères situées sur cette surface pouvant être aisément éliminées par décollement ou pelage de la pellicule précédente appliquée, sans entraînée aucune contamination de la surface. For this purpose, in accordance with an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an electronic component in which an applied film having an appropriate adhesive strength and favorable release properties is formed on the surface to be cleaned in a completely different manner from any of the techniques of the prior art, the foreign substances located on this surface being able to be easily removed by peeling or peeling from the previous film applied, without causing any contamination of the surface .
Afin d'atteindre les objectifs mentionnés plus haut, un procédé de fabrication d'un composant électronique conforme à l'invention met en oeuvre la phase opératoire consistent à appliquer une solution contenant une résine du type à chlorure de vinyle sur la surface devant être nettoyée, puis à sécher cette résine, ce qui a pour effet que les substances étrangères très petites, qui adhéraient à l'origine a la surface devant être nettoyée, sont noyées dans la pellicule appliquée et sont ainsi éliminées par décollement de cette dernière à partir de la surface. In order to achieve the objectives mentioned above, a method of manufacturing an electronic component in accordance with the invention implements the operating phase consisting in applying a solution containing a resin of the vinyl chloride type to the surface to be cleaned , then drying this resin, which has the effect that very small foreign substances, which originally adhered to the surface to be cleaned, are embedded in the applied film and are thus removed by detachment of the latter from the surface.
La surface décrite ci-desssus, qui doit être nettoyée, est définie comme étant une surface d'un substrat, sur laquelle une couche mince doit être déposée, et/ou une surface d'une couche mince qui est déjà formée sur un substrat. En outre des pellicules minces sont formées sur la surface après le nettoyage, ce qui entraîne la formation de pellicules superposées ou stratifiées qui incluent une pluralité de pellicules minces différentes les unes des autres du point de vue de leurs propriétés électriques. The surface described above, which is to be cleaned, is defined as a surface of a substrate, on which a thin layer is to be deposited, and / or a surface of a thin layer which is already formed on a substrate. In addition, thin films are formed on the surface after cleaning, which results in the formation of superimposed or laminated films which include a plurality of different thin films from each other in terms of their electrical properties.
Un copolymère de chlorure de vinyle et d'acétate de vinyle est la substance la plus préférable à utiliser en tant que matériau en forme de résine mentionné ci-dessus du type à base de chlorure de vinyle. Dans ce cas la quantité du composant correspondant au chlorure de vinyle dans le copolymère est égale à 95-70 % en poids, tandis que la quantité du composant correspondant à l'acétate de vinyle dans le copolymère est comprise entre 5 et 30 % en poids, ces valeurs étant appropriées pour la présente invention. A copolymer of vinyl chloride and vinyl acetate is the most preferable substance to be used as the above-mentioned resin-like material of the vinyl chloride type. In this case the amount of the component corresponding to vinyl chloride in the copolymer is equal to 95-70% by weight, while the amount of the component corresponding to vinyl acetate in the copolymer is between 5 and 30% by weight , these values being suitable for the present invention.
Si le composant correspondant au chlorure de vinyle est présent en une quantité dépassant la plage de valeurs indiquées, la couche formée est relativement dure et sa capacité de décollement est amoindrie, tandis quesilaquanti- té de ce même composant est inférieure à la gamme des valeurs indiquées ci-dessus, la couche possède une souplesse trop importante et par conséquent des fragments arrachés de la pellicule peuvent aisément subsister sur la surface devant être nettoyée, lorsque la pellicule est éliminée par décollement. C'est pourquoi aucun de ces extrêmes n'est souhaitable.If the component corresponding to vinyl chloride is present in an amount exceeding the range of values indicated, the layer formed is relatively hard and its release capacity is reduced, while the quantity of this same component is less than the range of values indicated above, the layer has too much flexibility and therefore fragments torn from the film can easily remain on the surface to be cleaned, when the film is removed by delamination. Therefore, neither of these extremes is desirable.
Comme solvant pour la résine indiquée précédemment du type à base de chlorure de vinyle, on utilise de la méthyléthylcétone et de la méthylisobutylcétone, qui sont toutes deux des substances volatiles. Afin d'améliorer les propriétés de décollement ou de détachement, on peut mélanger des solvants mentionnés ci-dessus à un autre solvant tel que de la cyclohexanone, de la disobutylcétone et de l'acétate de méthylcellosolve, qui présente une vo latilité comparativement faible, ce mélange étant effectué avecunateneur de 1 à 20 % en poids des derniers solvants possédant une faible volatilité. As the solvent for the above-mentioned resin of the vinyl chloride type, methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone are used, both of which are volatile substances. In order to improve the release or detachment properties, it is possible to mix the solvents mentioned above with another solvent such as cyclohexanone, disobutyl ketone and methylcellosolve acetate, which has a comparatively low volatility, this mixture being carried out with a content of 1 to 20% by weight of the last solvents having low volatility.
En outre afin d'empêcher la rupture de la pellicule appliquée lorsqu'elle est détachée ou décollée, on peut mélanger a la solution mentionnée ci-dessus un plastifiant formé par un haut polymère, en une proportion de 5 a 40 % en poids par rapport à la masse solide de la résine. In addition, in order to prevent the breaking of the applied film when it is detached or peeled off, a plasticizer formed by a high polymer may be mixed with the above-mentioned solution, in a proportion of 5 to 40% by weight relative to to the solid mass of the resin.
Une fois que la pellicule appliquée précédente a été éliminée par décollement, on peut identifier la présence de carbone résiduel au niveau de la surface devant être nettoyée. Dans un tel cas on peut éliminer tout le carbone résiduel, compte tenu d'une dispersion due à la volatilité, par la mise en oeuvre d'un traitement thermique et/ou d'un traitement sous vide. Once the previous applied film has been removed by delamination, the presence of residual carbon can be identified at the surface to be cleaned. In such a case, all of the residual carbon can be removed, taking into account a dispersion due to volatility, by the use of a heat treatment and / or a vacuum treatment.
D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description donnée ciaprès prise en référence aux dessins annexés, sur lesquels:
- les figures 1 a 4 sont des vues en coupe, qui illustrent, dans leur ensemble, les phases opératoires d'élimination de substances étrangères présentes au niveau de la surface devant être nettoyée, selon un mode d'ex6- cution d'un procédé pour fabriquer un composant électronique conforme à la présente invention.Other characteristics and advantages of the present invention will emerge from the description given below taken with reference to the appended drawings, in which:
- Figures 1 to 4 are sectional views, which illustrate, as a whole, the operating phases of elimination of foreign substances present at the surface to be cleaned, according to an embodiment of a process for manufacturing an electronic component according to the present invention.
On va décrire ci-aprbs la présente invention en référence aux dessins annexés, en indiquant à titre d'exemple un certain nombre de modes d'exécution du procédé. The present invention will be described below with reference to the accompanying drawings, indicating by way of example a certain number of modes of carrying out the method.
Les figures 1 à 4 sont des vues en coupe du subs trait, qui illustrent les phases opiratoires d1élimination de substances étrangères et servent également à expliquer un procédé de fabrication d'un composant électronique con formément aux modes d'execution. Figures 1 to 4 are sectional views of the subscript, which illustrate the operative phases of removal of foreign substances and also serve to explain a process for manufacturing an electronic component according to the embodiments.
Initialement, comme cela est représenté sur la figure 1, une surface 2 devant être nettoyée représente la surface d'un substrat 1, sur laquelle on doit former une couche mince, et est constituée par exemple par une couche mince, un substrat en verre transparent ou analogue (dans le cas d'une couche mince, le substrat sur lequel la couche est formée, n'est pas représenté), et, à l'endroit où une particule de substance étrangère très petite 3 adhère à la surface 2 devant être nettoyée, on applique au niveau de la surface 2 du substrat, comme cela est repprésenté sur la figure 2, une solution de revêtement 4 qui est constituée essentiellement par un matériau formé d'une résine du type à base de chlorure de vinyle.Alors la solution de revêtement 4 s'écoule de manière à enrober la substance étrangère 3 en raison de sa grande fluidité, et la configuration obtenue est -telle que la substance étrangère 3 est noyée ou enrobée, comme cela est représente sur la figure 3, par une pellicule appliquée 5 qui est formée par séchage. Ensuite on replie par enroulement la pellicule appliquée 5 à partir de l'une de ses extrémités de manière la séparer du substrat 1 suivant la direction indiquée par une flèche A, comme illustré sur la figure 4. Lors de cette phase opératoire, la substance étrangère 3 peut être aisément retirée de la surface 2 devant être nettoyée, par décollement de la pellicule appliquée qui retient en l'enrobant la substance étrangère 3. Dans ce cas la force ou la caractéristique de liaison de la pellicule appliquée 5 par rapport à la surface 2 est rela tivement.faible. En outre il est essentiel qu'aucune contamination de la surface devant être nettoyée ne se produise, une telle contamination étant considérée comme étant probablement due à la séparation des phases (qui désigne le comportement selon lequel le plastifiant à bas point moléculaire contenu dans la solution se sépare de cette dernière et se dépose sur la surface du substrat lors du processus de séchage) des composants de la solution 4, oui se produit lors du processus de la formation de la pellicule appliquée 5, par séchage. En outre la pellicule appliquée 5 doit présenter une certaine plasticité eL une certaine résistance, avec une qualité telle qu'elle con vienne pour l'opération de décollement.Compte tenu de ces facteurs, il est extrêmement souhaitable d'utiliser un copolymère de chlorure de vinyle et d'acétate de vinyle en tant que résine, qui constitue la solution 4. En outre il est impossible d'introduire en mélange un plastifiant de bas poids moléculaire, utilisé en tant qu'additif, étant donné qu'un tel plastifiant se déposera en partie sur la surface 2 et qu'une partie de ce plastifiant subsisterait sur cette surface après le décollement de la pellicule. Initially, as shown in FIG. 1, a surface 2 to be cleaned represents the surface of a substrate 1, on which a thin layer must be formed, and is constituted for example by a thin layer, a transparent glass substrate or the like (in the case of a thin layer, the substrate on which the layer is formed, is not shown), and, at the place where a particle of very small foreign substance 3 adheres to the surface 2 to be cleaned, is applied to the surface 2 of the substrate, as shown in Figure 2, a coating solution 4 which consists essentially of a material formed of a resin of the type based on vinyl chloride. coating solution 4 flows so as to coat the foreign substance 3 due to its great fluidity, and the configuration obtained is such that the foreign substance 3 is embedded or coated, as shown in FIG. 3, by a wrap app quée 5 which is formed by drying. Then the applied film 5 is folded up by winding from one of its ends so as to separate it from the substrate 1 in the direction indicated by an arrow A, as illustrated in FIG. 4. During this operating phase, the foreign substance 3 can be easily removed from the surface 2 to be cleaned, by detachment of the applied film which retains by coating the foreign substance 3. In this case the strength or the bonding characteristic of the applied film 5 relative to the surface 2 is relatively low. Furthermore, it is essential that no contamination of the surface to be cleaned occurs, such contamination being considered to be probably due to phase separation (which denotes the behavior according to which the low molecular point plasticizer contained in the solution separates from the latter and is deposited on the surface of the substrate during the drying process) of the components of the solution 4, yes occurs during the process of the formation of the applied film 5, by drying. In addition, the applied film 5 must have a certain plasticity and a certain resistance, with a quality such that it is suitable for the peeling operation. In view of these factors, it is highly desirable to use a copolymer of chloride of vinyl and vinyl acetate as resin, which constitutes solution 4. In addition, it is impossible to introduce a mixture of a low molecular weight plasticizer, used as an additive, since such a plasticizer will partially deposit on the surface 2 and that part of this plasticizer would remain on this surface after the peeling of the film.
D'une manière générale, il est possible d'utiliser la solution 4 sans y faire aucune adjonction d'un plastifiant. Cependant, conformément a la nature de la surface 2 et des conditions relatives à cette surface, la force de liaison de la pellicule appliquée obtenue 5 par rapport à la surface 2 peut être accrue, ceci conduisant quelquefois à une rupture de la pellicule appliquée lorsqu'elle est décollée. Dans un tel cas, il est préférable d'utiliser un plastifiant formé par un haut polymère en une quantité comprise entre environ 5 et 40 % du contenu solide de résine devant être ajouté. Des exemples d'un tel plastifiant formé par un haut polymère inclut le type à base de polyester, le type à base de polyéthylèneglycol et le type à base d'oxyde de polyéthylène. In general, it is possible to use solution 4 without adding any plasticizer to it. However, in accordance with the nature of the surface 2 and the conditions relating to this surface, the bonding force of the applied film obtained 5 with respect to the surface 2 can be increased, this sometimes leading to rupture of the film applied when it is unstuck. In such a case, it is preferable to use a plasticizer formed by a high polymer in an amount between about 5 and 40% of the solid content of resin to be added. Examples of such a plasticizer formed by a high polymer include the polyester-based type, the polyethylene glycol-based type and the polyethylene oxide-based type.
La contamination mentionnée précédemment peut être provoquée par un additif tel qu'un agent stabilisant, un agent antimuse, un colorant ou analogue, et la nécessité d'une telle addition est comparativement limitée du point de vue des objectifs à atteindre lors de cette opération, ce qui rend l'introduction en mélange de ces éléments inutile. En ce qui concerne l'adoption d'un procédé pouvant agir à titre de remplacement de l'adjonction du plastifiant mentionné plus haut, il est possible de décoller la pellicule appliquée 5, sans aucun préjudice en ce qui concerne cette opération, avant que la pellicule 5 ait nécessairement atteint son état totalement sec. C'est pour quoi il est avantageux de mélanger des composants relativement faiblement volatils en tant que solvant. The contamination mentioned above can be caused by an additive such as a stabilizing agent, an anti-foaming agent, a dye or the like, and the need for such an addition is comparatively limited from the point of view of the objectives to be achieved during this operation, which makes the introduction in mixture of these elements unnecessary. As regards the adoption of a process which can act as a replacement for the addition of the plasticizer mentioned above, it is possible to peel off the applied film 5, without any prejudice as regards this operation, before the film 5 has necessarily reached its completely dry state. This is why it is advantageous to mix relatively low volatile components as a solvent.
Compte tenu de cette disposition, le solvant de faible volatilité, qui subsiste sur la pellicule appliquée 5, agit, virtuellement en tant que plastifiant, et la pellicule appliquée 5, qui convient pour l'opération de décollement ou de pelage, peut être egalement obtenue. Par conséquent, on va expliquer de la manière indiquée ciaprès des exemples concernant la composition préférable de la solution 4 : il s'agit de préparations d'une solution 4 qui est constituée de telle manière qu'une substance solide formée d'un copolymère de chlorure de vinyle et d'acétate de vinyle de 10-25 w en poids - le rapport du chlorure de vinyle à l'acétate de vinyle étant égal à 9:1 en poids - est dissous dans la méthyléthylcétone ou dans une solution contenant de la méthyléthylcétone en tant que constituant principal une une solution 4, qui est cons- tituée de telle sorte que la substance solide ainsi composée soit dissoute dans de la méthylisobutylcétone ou une solution contenant de la méthylisobutylcétone en tant que composant-principal ;une solution 4, qui est un mélange de la première solution et de la dernière solution ; une solution 4 qui est constituée de telle manière que le solvant constituant 1:20 % en poids des solutions décrites précédemment ou la solution du mélange est remplacée par des composants possédant une faible pression de vapeur égale à environ quelques mm Hg à la température ambiante ordinaire, comme par exemple de la cyclohexanone, de la disobutylcétone et de l'acétate de methylcellosolve. In view of this arrangement, the solvent of low volatility, which remains on the applied film 5, acts, virtually as a plasticizer, and the applied film 5, which is suitable for the peeling or peeling operation, can also be obtained. . Therefore, the following will be explained as examples for the preferable composition of solution 4: these are preparations of a solution 4 which is formed such that a solid substance formed from a copolymer of vinyl chloride and vinyl acetate of 10-25 w by weight - the ratio of vinyl chloride to vinyl acetate being equal to 9: 1 by weight - is dissolved in methyl ethyl ketone or in a solution containing methyl ethyl ketone as the main constituent a solution 4, which is constituted so that the solid substance thus composed is dissolved in methyl isobutyl ketone or a solution containing methyl isobutyl ketone as main constituent; a solution 4, which is a mixture of the first solution and the last solution; a solution 4 which is constituted in such a way that the solvent constituting 1:20% by weight of the solutions described above or the solution of the mixture is replaced by components having a low vapor pressure equal to about a few mm Hg at ordinary room temperature , such as, for example, cyclohexanone, disobutylketone and methylcellosolve acetate.
La solution mentionnée ci-dessus contenant une cétone est réalisée de telle sorte que le plastifiant formé d'un haut polymère soit dissous. The above-mentioned solution containing a ketone is made in such a way that the plasticizer formed from a high polymer is dissolved.
On va indiquer ci-après des exemples réels. We will indicate real examples below.
Exemple 1
On applique les solutions décrites ci-dessus par exemple sur une plaque de verre transparente, qui est ne toyée au moyen du procédé de nettoyage ultrasonique et au moyen du procédé de nettoyage dans un bain de vapeur, à l'aide d'eau ordinaire ou d'un solvant, cet état subsistant pendant un intervalle de temps compris entre 1/2 et 24 heures, de manière a former une pellicule appliquée.Example 1
The solutions described above are applied for example to a transparent glass plate, which is cleaned by means of the ultrasonic cleaning method and by means of the method of cleaning in a steam bath, using ordinary water or of a solvent, this state remaining for an interval of time between 1/2 and 24 hours, so as to form an applied film.
Ensuite, lorsque la couche ainsi formée est décollée de la plaque, il est manifestement possible de réduire la quantité des substances étrangères que l'on peut identifier en tant que légers défauts, en utilisant un microscope présentant un grossissement égal a environ 400, dans le cas d'un éclairement à fond noir. Les solutions sont appliquées grâce à l'utilisation d'un dispositif centrifuge qui fait tourner le verre transparent a 30 t/mn (tours par minute) et sont injectées au moyen d"un dispositif distributeur.La pellicule appliquée possède dans ce cas une épaisseur égale à environ 0,1 mm On dégage la pellicule appliquée de la plaque de verre à la manière d'une opération de pelage ou de décollement0 en commençant par l'une de ces extrémités, dont chacune est définie sous la forme d'un élément de dégagement tel qu'un fil qui est fixé à la pellicule.Then, when the layer thus formed is detached from the plate, it is obviously possible to reduce the quantity of foreign substances which can be identified as slight defects, by using a microscope having a magnification equal to approximately 400, in the case of black background illumination. The solutions are applied by the use of a centrifugal device which rotates the transparent glass at 30 rpm (revolutions per minute) and are injected by means of a dispensing device. The applied film has in this case a thickness equal to approximately 0.1 mm The applied film is released from the glass plate in the manner of a peeling or peeling operation 0 starting with one of these ends, each of which is defined in the form of an element such as a wire that is attached to the film.
Exemple 2
A titre d'exemple de fabrication d'un composant électronique, lors de l'application du procédé a la formation d'une couche photoconductrice d'un tube d'une caméra de télévision qui est équipée d'une couche photoconductrice du type a contact bloquant, comme cela est décrit dans le brevet US n" 3.890.525, il est possible de réduire fortement les défauts apparaissant sous la forme de taches blanches sur l'image fournie par le tube de la caméra, de tels défauts étant imputés à une imperfection locale de la structure du type à contact bloquant En outre, même lorsque l'on augmente l'intensité de champ électrique à l'intérieur de la couche photoconductrice en appliquant, à cette couche photoconductrice, une tension supérieure à celle appliquée dans un cas classique, il s'est avéré que l'apparition des défauts provoqués par l'imperfection de structures mentionnées ci-dessus, est réduite à un degré élevé. Dans ce cas, la structure du type a contact bloquant est formée entre une couche conductrice transparente bien connue et une couche multiple photoconductrice connue d'une manière générale, la première couche étant constituée par une couche d'oxyde d'indium et d'une couche d'oxyde d'étain ou une combinaison de ces deux composants, qui sont déposés sur le filtrat en verre transparent, tandis que les couches indiquées en second lieu sont constituées par du Se, du As, du Te ou analogue contenant du
Se en tant que constituant principal et sont formez directement sur la couche conductrice transparente ou sont forméesmoyennant l'interposition d'une couche intermédiaire entre ces couches. Un procédé permettant d'éliminer des substances étrangères très petites conformément à la présente invention est efficace en vue d'éliminer les substances étrangères existant sur le substrat en verre transparent avant la formation d'une couche conductrice transparente et/ou les substances étrangères existant sur la couche conductrice transparente qui est formée sur ce même substrat. Un exemple, qui confirme ce résultat, est décrit ci-après.Lors de la fabrication d'un tube d'une caméra de télévision du type photoconducteur qui inclut les couches multiples photoconductrices de Se, As et Te sur les couches multiples conductrices transparentes mentionnées précédemment d'oxyde d'indium et d'oxyde d'étain, avec interposition d'une couche mince d'oxyde de cérium utilisée en tant que pellicule intermédiaire entre ces couches multiples, en vue d'établir une comparaison entre un groupe dans lequel on emploie un procédé de nettoyage utilisant des liquides ordinaires tels- que de l'eau de très grande pureté, du fréon et de l'alcool isopropylique, etun autre groupe , pour lequel l'élimination des substances étrangères est effectuée conformément à la présente invention, un taux d'apparition concernant les défauts observés sur l'appareil ou le moniteur de télévision se révèle être égal a environ 30 % dans le cas ou l'intensité de champ électrique dans la couche photoconductrice est égale à 1000 V/m dans le premier cas, tandis qu'il est possible de limiter le taux, pour lequel les défauts apparaissent, de manière qu'il ne dépasse pas le taux précédent, même dans le cas où une intensité de champ électrique de 150 V/m lui est appliquée, dans le second cas.En outre si l'on évalue le premier cas lorsque l'intensité de champ électrique est égale à 150 V/pm, le taux d'apparitions de défauts est égal a environ 45 %, et c'est pourquoi la présente invention contribue à accroître la sensibilité du tube de la caméra, ce qui peut être obtenu grâce au fonctionnement de la couche photoconductrice avec l'application d'un champ électrique intense, et contribue en outre à améliorer la fiabilité de ce tube.Example 2
As an example of manufacturing an electronic component, during the application of the method to the formation of a photoconductive layer of a tube of a television camera which is equipped with a photoconductive layer of the contact type. blocking, as described in US Patent No. 3,890,525, it is possible to greatly reduce the defects appearing in the form of white spots on the image supplied by the camera tube, such defects being attributed to a local imperfection of the blocking contact type structure In addition, even when the electric field intensity inside the photoconductive layer is increased by applying, to this photoconductive layer, a voltage greater than that applied in a case conventional, it has been found that the appearance of the defects caused by the imperfection of the above-mentioned structures is reduced to a high degree, in which case the structure of the blocking contact type is formed between a conductive layer. this well-known transparent and a generally known photoconductive multiple layer, the first layer consisting of a layer of indium oxide and a layer of tin oxide or a combination of these two components, which are deposited on the filtrate in transparent glass, while the layers indicated in the second place consist of Se, As, Te or the like containing
As a main constituent and are formed directly on the transparent conductive layer or are formed by the interposition of an intermediate layer between these layers. A method for removing very small foreign substances in accordance with the present invention is effective for removing foreign substances existing on the transparent glass substrate before the formation of a transparent conductive layer and / or foreign substances existing on the transparent conductive layer which is formed on this same substrate. An example, which confirms this result, is described below. When manufacturing a tube of a photoconductive television camera which includes the multiple photoconductive layers of Se, As and Te on the transparent multiple conductive layers mentioned previously of indium oxide and tin oxide, with the interposition of a thin layer of cerium oxide used as an intermediate film between these multiple layers, in order to establish a comparison between a group in which a cleaning process using ordinary liquids such as very high purity water, freon and isopropyl alcohol is employed, and another group, for which removal of foreign substances is carried out in accordance with the present invention , a rate of appearance concerning the defects observed on the apparatus or the television monitor turns out to be equal to approximately 30% in the case where the electric field intensity in the photoconductive layer is equal to 1000 V / m in the first case, while it is possible to limit the rate, for which the faults appear, so that it does not exceed the previous rate, even in the case where a field strength electric voltage of 150 V / m is applied to it, in the second case.Also if we evaluate the first case when the electric field intensity is equal to 150 V / pm, the rate of appearance of faults is equal to about 45%, and this is why the present invention contributes to increasing the sensitivity of the camera tube, which can be obtained by the operation of the photoconductive layer with the application of an intense electric field, and further contributes to improve the reliability of this tube.
Dans les exemples décrits ci-dessus, la solution qui est appliquée à la surface devant être nettoyée est constituée par une résine d'un copolymère, comptant pour 17 % en poids, de 90 % en poids de chlorure de vinyle et de 10 % en poids d'acétate de vinyle ; un plastifiant polymère intervenant pour 10 % en poids ; et de la méthyéthyl- cétone intervenant pour 73% en poids.Dans ce cas la vis cousit8 de ce mélange est de 150 cP (centipoises) à une température de 25"C. A titre de comparaison, lorsque l'on prépare une solution qui est constituée grâce au fait que l'on ajoute un plastifiant à bas point moléculaire à la résine formée d'un copolymère de chlorure de vinyle et d'acétate de vinyle, un tel plastifiant à bas poids moléculaire incluant du phtalate de dibutyle, du phosphote de tricrésyle et du phtalate de dioctyle, qui sont souvent utilisés pour la résine considérée, la qualité de la pel licule est extrêmement superieure et l'on peut obtenir des conditions favorables pour le décollement de la pellicule.Cependant, une fois que la pellicule a été décollée, on peut identifier des substances résiduaires situées dans la couche. Dans le cas d'utilisation uniquement d'un solvant de l'acétate de méthylcellosolve possédant un bas point d'ebullition, sans aucune adjonction d'un plastifiant et dans le cas où la solution est constituée par de l'acétate de méthylcellosolve intervenant pour 8 % en poids, par une résine formée d'un copolymère de chlorure de vinyle et d'acétate de vinyle intervenant pour 16 W en poids, et d'une méthyléthylcétone intervenant pour 76 % en poids, après que la solution a été appliquée, on la laisse reposer pendant un intervalle de temps d'environ 10 jours, puis on effectue une opération appropriée de séchage et on enlève ensuite par décollement la pellicule, la pellicule obtenue étant arrachée compte tenu de la force de liaison excessive et de sa faiblesse. Par conséquent on ne peut pas obtenir de bonnes propriétés de dégagement ou d'enlèvement. Dans ces exemples conformes à la présente invention, les conditions présentes lors du séchage de la pellicule appliquée sont essentielles, mais une solution, qui met en oeuvre un solvant possédant un point d'ébullition relativement élevé et une faible volatilité, fournit une situation favorable pour le décollement de la pellicule appliquée et l'on ne remarque aucune pollution visible. In the examples described above, the solution which is applied to the surface to be cleaned consists of a resin of a copolymer, accounting for 17% by weight, 90% by weight of vinyl chloride and 10% by weight. weight of vinyl acetate; a polymeric plasticizer involved for 10% by weight; and 73% by weight of methyl ethyl ketone. In this case, the screw sewn of this mixture is 150 cP (centipoises) at a temperature of 25 "C. For comparison, when preparing a solution which is constituted by the fact that a low molecular point plasticizer is added to the resin formed from a copolymer of vinyl chloride and vinyl acetate, such a low molecular weight plasticizer including dibutyl phthalate, phosphote tricresyl and dioctyl phthalate, which are often used for the resin in question, the quality of the pelicle is extremely superior and favorable conditions can be obtained for peeling off the film. However, once the film has been removed, residual substances located in the layer can be identified. When using only a solvent of methylcellosolve acetate having a low boiling point, without any addition of a plasticizer and in the c as where the solution is constituted by methylcellosolve acetate intervening for 8% by weight, by a resin formed by a copolymer of vinyl chloride and vinyl acetate intervening for 16 W by weight, and a methyl ethyl ketone intervening for 76% by weight, after the solution has been applied, it is left to stand for a time interval of approximately 10 days, then an appropriate drying operation is carried out and the film obtained is then peeled off, the film obtained being torn off due to the excessive bonding strength and its weakness. Therefore, good release or removal properties cannot be obtained. In these examples according to the present invention, the conditions present during the drying of the applied film are essential, but a solution, which uses a solvent having a relatively high boiling point and low volatility, provides a favorable situation for the detachment of the applied film and there is no visible pollution.
Néanmoins, une fois que la pellicule a été détachée, on observe la surface devant être nettoyée, par exemple à l'aide d'un micro-analyseur ionique IMA ou avec un spectroscope Auger, et l'on remarque quelquefois que du carbone subsiste sur la surface. Le carbone résiduel, qui provient du résidu d'un solvant, est indésirable dans cet exemple étant donné qu'il affaiblit la structure de contact bloquant de la surface. Une fois que la pellicule appliquée a été décollée, on met en oeuvre un traitement thermique à une température de 50"C pendant un intervalle de 1030 minutes de manière a volatiliser le solvant, ce qui aboutit à ce que l'on ne note plus aucune présence de carbone résiduel.On utilise un traitement avec un vide de 3 x 10 6 tores, que l'on adopte à titre de remplacement du traitement thermique ou d'un procédé combiné, le traitement thermique dans un état de vide étant supposé fournir presque le même effet que dans le cas précédent.However, once the film has been peeled off, the surface to be cleaned is observed, for example using an ionic micro-analyzer IMA or with an Auger spectroscope, and it is sometimes noticed that carbon remains on the surface. Residual carbon, which comes from the residue of a solvent, is undesirable in this example since it weakens the blocking contact structure of the surface. Once the applied film has been peeled off, a heat treatment is carried out at a temperature of 50 ° C. for an interval of 1030 minutes so as to volatilize the solvent, which results in no more notes being noted. presence of residual carbon. A treatment with a vacuum of 3 × 10 6 tori is used, which is adopted as a replacement for the heat treatment or a combined process, the heat treatment in a vacuum state being assumed to provide almost the same effect as in the previous case.
Un procédé de fabrication d'un composant électronique conforme a la présente invention est par conséquent extrêmement efficace pour l'6limination de substances étrangères existant au niveau de la surface sur laquelle une couche mince des composants électroniques est formée, le composant électronique formant une jonction du type bloquant entre les couches minces qui sont ainsi formées de manière à être déposées en superposition sur la jonction ; en outre ce même procédé contribue fortement à améliorer le rendement, le niveau de qualité, la fiabilité et les, propriétés du composant électronique. A method of manufacturing an electronic component according to the present invention is therefore extremely efficient for the removal of foreign substances existing at the surface on which a thin layer of the electronic components is formed, the electronic component forming a junction of the blocking type between the thin layers which are thus formed so as to be deposited in superposition on the junction; in addition, this same process greatly contributes to improving the yield, the level of quality, the reliability and the properties of the electronic component.
Comme cela a été décrit précédemment, conformément à la présente invention, il est possible d'éliminer de façon aisée et sûre des substances étrangères très petites adhérant à la surface d'un matériau devant être nettoyé c 'est pourquoi on est en présence d'un effet très supérieur permettant d'obtenir une structure à couches minces de haute qualité présentant une grande fiabilité, an combinaison avec une productivité souhaitable d'une telle structure. As described above, in accordance with the present invention, it is possible to easily and safely remove very small foreign substances adhering to the surface of a material to be cleaned, which is why we are in the presence of a very superior effect making it possible to obtain a structure with high quality thin layers having a high reliability, in combination with a desirable productivity of such a structure.
Claims (11)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59166339A JPS6145513A (en) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | Method of producing electronic element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2569049A1 true FR2569049A1 (en) | 1986-02-14 |
Family
ID=15829531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8512221A Withdrawn FR2569049A1 (en) | 1984-08-10 | 1985-08-09 | Producing electronic unit by coating and laminating surface |
Country Status (4)
| Country | Link |
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Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020113389A (en) * | 2019-01-09 | 2020-07-27 | 株式会社東海理化電機製作所 | Method for manufacturing organic EL device |
-
1984
- 1984-08-10 JP JP59166339A patent/JPS6145513A/en active Pending
-
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- 1985-08-03 KR KR1019850005596A patent/KR860001768A/en not_active Application Discontinuation
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- 1985-08-09 FR FR8512221A patent/FR2569049A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6145513A (en) | 1986-03-05 |
| DE3528541A1 (en) | 1986-02-13 |
| KR860001768A (en) | 1986-03-22 |
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