FR2545278A1 - Circuit enabling the resonant frequency of a dielectric microwave cavity to be varied - Google Patents
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Abstract
Description
La présente invention a pour objet un circuit permettant de faire varierThe present invention relates to a circuit for varying
la fréquence de résonance d'une cavité hyperfréquence diélectrique Elle trouve the resonant frequency of a dielectric microwave cavity It finds
une application en télécommunications;. an application in telecommunications ;.
Une cavité diélectrique est généra Iement- constituée d'un cylindre en matériau diélectrique de A dielectric cavity is generally made up of a cylinder of dielectric material of
faible perte et de haute permittivité Un matériau uti- low loss and high permittivity A material used
lisable à cette fin est Zr Sn Ti O 4 Les caractéristiq ues d'une cavité diélectrique sont comparables à celles readable for this purpose is Zr Sn Ti O 4 The characteristics of a dielectric cavity are comparable to those
d'une cavité à parois métalliques, mais ses faibles di- of a metal-walled cavity, but its small di-
mensions la rendent particulièrement bien adaptée aux mensions make it particularly well suited to
circuits hyperfréquences à microrubans Une cavité dié- microstrip microwave circuits A dedicated cavity
lec Erique de 5 mm de diamètre et de 3 mm de hauteur possède une fréquence de résonance située à environ 11 G Hz, ce qui correspond à la fr 6 quence moyenne de lec Erique, 5 mm in diameter and 3 mm in height, has a resonant frequency of around 11 G Hz, which corresponds to the average fr 6 quence
travail de certaines liaisons bidirectionnelles. work of certain bidirectional links.
Pour réaliser un accord, ou un changement de fréquence avec une telle cavité, on a eu recours, dans le passé, à plusieurs techniques = en disposant près de la cavité un disque métallique ou diélectrique et en faisant varier mécaniquement la distance de ce disque à la cavité, en plaçant à proximité de la cavité un ferrite et en To achieve a tuning, or a frequency change with such a cavity, we have used, in the past, several techniques = by placing near the cavity a metallic or dielectric disc and by mechanically varying the distance from this disc to the cavity, by placing a ferrite near the cavity and
taisant varier le flux magnétique auquel il est sou- quietly varying the magnetic flux to which it is subjected
mis à l'aide d'un générateur de courant, en disposant une boucle conductrice à proximité de la cavité et en insérant, dans cette boucle, une diode varactor dont on fait varier la capacité à l'aide put using a current generator, by placing a conductive loop near the cavity and inserting, in this loop, a varactor diode whose capacity is varied using
d'un générateur de tension.of a voltage generator.
a La présente invention reprend ce dernier principe de la boucle de couplage disposée à proximité de la cavité, boucle dont on fait varier la réactance au moyen d'un élément approprié, mais elle renonce à a The present invention incorporates this last principle of the coupling loop arranged near the cavity, loop whose reactance is varied by means of an appropriate element, but it renounces
l'utilisation d'une diode varactor En effet, ce compo- the use of a varactor diode Indeed, this compound
sant nécessite un générateur de tension extérieur, ce sant requires an external voltage generator, this
qui alourdit le système L'invention propose, au con- which weighs down the system The invention proposes, at the
traire, d'utiliser un élamnçnt qui ne nécesas-ite pas une telle source d'énergie extérieuree Cet élément est constitué par une diode Schot tky (ou plusieurs) Une telle diode se trouve autopolarisée par la sion: hyperfréquence développée dans lia boucle et qui résulte milk, to use an element which does not require such an external source of energy This element is constituted by a Schot tky diode (or several) Such a diode is self-polarized by the ion: microwave developed in the loop and which results
de l'énergie hyperfréquence prélevée dans la cavité. microwave energy taken from the cavity.
Par ailleurs,-pour faire variae la réactance de-la bou- In addition, -to vary the reactance of -the bou-
cle, on charge la diode par un élément équivalenzt à une. key, the diode is charged by an element equivalent to one.
t Q résistance et on agit sur la valeur de cette résistan- t Q resistance and we act on the value of this resistance
ce. Un premier avantage de l'invention tient à ce qu'il est beaucoup plus simple de modifier la valeur d'une résistance que d'agir sur la capacité d'une diode varactor En effet, l élément resistif peut être un transistor (bipolaire ou à effet de champ) dont on fait this. A first advantage of the invention is that it is much simpler to modify the value of a resistor than to act on the capacity of a varactor diode. In fact, the resistive element can be a transistor (bipolar or field effect) which we do
varier la résistance équivalente par une tension appli- vary the equivalent resistance by an applied voltage
quée sur la base ou le drain, ce qui est très simple Un second avantage de l'invention est qu'elle permet des quée on the base or the drain, which is very simple A second advantage of the invention is that it allows
développements qui étaient peu compatibles avec l'uti- developments which were hardly compatible with the utility
lisation d'une diode varactor: par exemple, l'élément résistif peut être constitué par une thermistance, ce qui permet de stabiliser la fréquence de la cavité par rapport à la température On peut également utiliser un reading of a varactor diode: for example, the resistive element can be constituted by a thermistor, which makes it possible to stabilize the frequency of the cavity compared to the temperature One can also use a
phototransistor, ce qui permet une modulation optoélec- phototransistor, which allows optoelect modulation
tronique.tronic.
Les caractéristiques de l'invention apparal- The characteristics of the invention appear-
tront mieux après la description qui suit, d'exemples will be better after the following description, examples
de réalisation donnés à titre explicatif et nullement of realization given for explanatory purposes and in no way
limitatif Cette description se réfère à des dessins limiting This description refers to drawings
annexés sur lesquels:annexed on which:
la figure 1 représente un schéma d'un mode particu- FIG. 1 represents a diagram of a particular mode
lier de réalisation de l'invention, la figure 2 illustre, en coupe, le montage du circuit de l'invention, link of embodiment of the invention, FIG. 2 illustrates, in section, the mounting of the circuit of the invention,
la figure 3 est un diagramme représentant les diver- FIG. 3 is a diagram representing the various
ses phases d'une liaison bidirectionnelle, la figure 4 montre les tensions de commande qu'il its phases of a bidirectional link, Figure 4 shows the control voltages it
faut appliquer à deux oscillateurs utilisant l'inven- must be applied to two oscillators using the invention
tion.tion.
La figure 1 montre une cavité diélectri- Figure 1 shows a dielectric cavity
que 10 couplée à une boucle 12 dans laquelle sont insé- that 10 coupled to a loop 12 into which are inserted
rées deux diodes Schottky 13 et 14 Une connexion 16 relie la boucle à un transistor 18 dont la base est connectée à une résistance 20 recevant un signal 21 en two Schottky diodes 13 and 14 A connection 16 connects the loop to a transistor 18 whose base is connected to a resistor 20 receiving a signal 21 in
forme d'impulsions rectangulaires.form of rectangular pulses.
La figure 2 montre la disposition pratique de Figure 2 shows the practical layout of
ces éléments La cavité 10 repose sur un substrat hy- these elements The cavity 10 rests on a hy-
perfréquence 22, lui-meme supporté par un plan de masse 24 La boucle 12 est constituée par un anneau 15 gravé dans un disque 17, lequel est supporté par une colonne 26 tenue dans un couvercle 28 La cavité diélectrique frequency 22, itself supported by a ground plane 24 The loop 12 is constituted by a ring 15 etched in a disc 17, which is supported by a column 26 held in a cover 28 The dielectric cavity
est reliée par ailleurs à des circuits hyperfréquen- is also connected to microwave circuits
ces non représentés, comme un oscillateur par exemple, these not shown, like an oscillator for example,
par une ligne de transmission hyperfréquence 30. by a microwave transmission line 30.
Le principe de fonctionnement de ce circuit est le suivant Du point de vue courant continu, le montage est équivalent à une diode en série avec une résistance En alternatif, chaque diode redresse une The principle of operation of this circuit is as follows From the point of view of direct current, the assembly is equivalent to a diode in series with a resistance In alternating, each diode rectifies a
alternance du signal hyperfréquence Selon que la ré- alternation of the microwave signal Depending on whether the
sistance connectée aux diodes est grande ou faible, le point de fonctionnement de la diode se déplace et la réactance offerte par la boucle change La fréquence de l'ensemble boucle-cavité et le signal de commande du sistance connected to the diodes is high or low, the operating point of the diode moves and the reactance offered by the loop changes The frequency of the loop-cavity assembly and the control signal of the
transistor varient donc en concommittance. transistor therefore vary in concommittance.
A titre explicatif, il peut être indiqué qu'avec un anneau réalisé sur du verre époxy ayant un rayon moyen de 4,5 mm et une largeur de 1 mm et placé à By way of explanation, it may be indicated that with a ring produced on epoxy glass having an average radius of 4.5 mm and a width of 1 mm and placed at
une distance de 3 mm au-dessus d'un résonateur-diélec- a distance of 3 mm above a resonator-dielect
trique stabilisant un oscillateur à transistor à effet de champ à 11 G Hz, on obtient un saut de fréquence de 2 % avec une variation de puissance inférieure à 1 d B. plate stabilizing a field effect transistor oscillator at 11 G Hz, a frequency jump of 2% is obtained with a power variation of less than 1 d B.
Les caractéristiques de construction déter- The construction characteristics determine
minent en partie les performances du cîrcuit Par exem- partially undermine the performance of the circuit For example
ple, l'écart de fréquence croit lorsque: le rayon moyen de l'anneau augmente, la largeur de la ligne constituant l'anneau augmente pour un rayon donné, ple, the frequency difference increases when: the mean radius of the ring increases, the width of the line constituting the ring increases for a given radius,
la distance de l'anneau à la cavité diélectrique di- the distance from the ring to the dielectric cavity di-
minue.minue.
Dans le schéma de la figure 1, le transistor 18 reçoit, sur sa base, un signal rectangulaire qui le In the diagram of FIG. 1, the transistor 18 receives, on its base, a rectangular signal which
place alternativement dans un état bloqué ou passant. alternately places in a blocked or passing state.
La fréquence de résonance de l'ensemble prend donc deux The resonant frequency of the set therefore takes two
valeurs distinctes Mais natrellement, on peut dispo- distinct values But naturally, we can
ser un élément résistif présentant toute une gamme de valeurs pour obtenir une modulation de fréquence sur ser a resistive element having a whole range of values to obtain a frequency modulation on
une plage et non plus des sauts de celle-ci. a range and no longer jumps from it.
L'invention trouve une application privilé- The invention finds a special application.
giée dans la réalisation de liaisons bidirectionnelles linked in the realization of bidirectional links
fonctionnant à l'alternat De telles liaisons compren- operating in the alternation Such links include
nent deux stations d'extrémité A et B, identiques et two end stations A and B, identical and
travaillant alternativement en émission et en récep- working alternately in transmission and in reception
-tion, comme indiqué sur le diagramme de la figure 3. -tion, as shown in the diagram in Figure 3.
Dans ce diagramme: E désigne la phase d'émission, R la phase de réception, tt représente la durée de la transmission d'un bloc de données, tp le temps de propagation d'une extrémité à l'autre, t 9 le temps de garde, t le temps d'attente, a In this diagram: E indicates the transmission phase, R the reception phase, tt represents the duration of the transmission of a data block, tp the propagation time from one end to the other, t 9 the time on call, t waiting time, a
tc le temps de cycle.tc cycle time.
Dans une telle liaison, chaque station tra- In such a link, each station travels
vaille sur deux fréquences différentes, l'une servant à l'émission (fe) et l'autre à la réception (fr) Avec le works on two different frequencies, one used for transmission (fe) and the other for reception (fr) With the
circuit de l'invention on peut réaliser deux oscilla- circuit of the invention two oscillations can be made
teurs identiques à deux états de fréquence, ces oscil- identical to two frequency states, these oscillations
lateurs étant disposés à chacune des, extrémités A, et B de la liaison Le schéma de la figure 1 cov-itent alors,- readers being arranged at each of the ends A and B of the link The diagram in FIG. 1 then cov-itent, -
le signal rectangulaire 21 définissant les deux fré- the rectangular signal 21 defining the two frequencies
quences fe et fr d'émission et de réception Les si- transmission and reception frequencies fe and fr The si-
gnaux 21 A et 21 B à appliquer aux transistors des deux circuits des stations A et B sont lies comme l'indique general 21 A and 21 B to be applied to the transistors of the two circuits of stations A and B are linked as indicated
le schéma dë la figure 4.the diagram of figure 4.
RE.VENDICATI O NSRE.VENDICATI O NS
1 Circuit permettant de faire varier la fré- 1 circuit for varying the frequency
quence de résonance d'une cavité hyperfréquenace diélec- resonance quence of a dielect hyperfrequency cavity
trique ( 10), ce circuit' comprenant une boucle de cou- stick (10), this circuit 'comprising a loop
plage ( 12) disposée au voisinage de I cavité et préle vant une partie de l'énergie établie dans celle-ci et un moyen inséré dans cette boucle apte à faire varier la réactance de la bouce 1 S caracti:s e queî c -c: moyen est constitué par au moins une diode Schottky range (12) disposed in the vicinity of the cavity and taking part of the energy established therein and a means inserted in this loop capable of varying the reactance of the bouce 1 S caracti: se queî c -c: medium consists of at least one Schottky diode
( 13, 14) chargée par un élément équivalent à une résis- (13, 14) charged by an element equivalent to a resistor
tance, dont la valeur e St réglable. tance, whose value e St adjustable.
2 Circuit selon la revendication 1, carac- 2 Circuit according to claim 1, charac-
térisé en ce que l élément équivalent à une résistance est un transistor ( 18) dont l'émetteur et le collecteur sônt reliés à travers les diodes Schottky et la base terized in that the element equivalent to a resistor is a transistor (18), the emitter and collector of which are connected through the Schottky diodes and the base
reçoit un signal de comwande déterminant la valeur ré- receives a control signal determining the value
sistive équivalente du transistor.equivalent sistive of the transistor.
3 Circuit selon la revendication 2, carac- 3 Circuit according to claim 2, charac-
térisé en ce que le signal de coniande ( 21) est rectan- terized in that the control signal (21) is rectan-
gulaire et détermine un 'état passant ou bloqué du tran- gular and determines a passing or blocked state of the tran
sistor ( 18).sistor (18).
4 Circuit selon la revendication 1, carac- 4 Circuit according to claim 1, charac-
térisé en ce que l'élément équivalent à une résistance terized in that the element equivalent to a resistance
est un phototransistor.is a phototransistor.
5 Circuit selon la revendication 1, carac- 5 Circuit according to claim 1, charac-
térisé en ce que l'élément équivalent à une résistance terized in that the element equivalent to a resistance
est une thermistance.is a thermistor.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8307167A FR2545278B1 (en) | 1983-04-29 | 1983-04-29 | CIRCUIT FOR VARYING THE RESONANCE FREQUENCY OF A DIELECTRIC HYPERFREQUENCY CAVITY |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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FR8307167A FR2545278B1 (en) | 1983-04-29 | 1983-04-29 | CIRCUIT FOR VARYING THE RESONANCE FREQUENCY OF A DIELECTRIC HYPERFREQUENCY CAVITY |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2545278A1 true FR2545278A1 (en) | 1984-11-02 |
FR2545278B1 FR2545278B1 (en) | 1986-01-10 |
Family
ID=9288406
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR8307167A Expired FR2545278B1 (en) | 1983-04-29 | 1983-04-29 | CIRCUIT FOR VARYING THE RESONANCE FREQUENCY OF A DIELECTRIC HYPERFREQUENCY CAVITY |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
FR (1) | FR2545278B1 (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1055514A (en) * | 1965-02-23 | 1967-01-18 | Mullard Ltd | Method for varying the capacitance of a circuit |
US3503010A (en) * | 1966-08-16 | 1970-03-24 | Int Standard Electric Corp | Temperature compensating unit for crystal oscillators |
FR2438937A1 (en) * | 1978-10-11 | 1980-05-09 | Thomson Csf | Negative resistance oscillator working in ghz range - has dielectric resonator connected to negative resistance element and mounted on dielectric substrate |
-
1983
- 1983-04-29 FR FR8307167A patent/FR2545278B1/en not_active Expired
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1055514A (en) * | 1965-02-23 | 1967-01-18 | Mullard Ltd | Method for varying the capacitance of a circuit |
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FR2438937A1 (en) * | 1978-10-11 | 1980-05-09 | Thomson Csf | Negative resistance oscillator working in ghz range - has dielectric resonator connected to negative resistance element and mounted on dielectric substrate |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS IN JAPAN, vol. 58-C, no. 2, février 1975, pages 123-130, Tokyo (JP); * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2545278B1 (en) | 1986-01-10 |
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