FR2533776A1 - Low-noise standard microwave generator. - Google Patents
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Abstract
Description
Générateur hyperfréquence étalon à faible bruit
La présente invention concerne un générateur hyperfréquence étant ion à faible bruit et notamment un générateur à ondes déoimétriques comportant un résonateur à quartz disposé dans le circuit d'un transistor oscillateur, ledit générateur étant d'une grande stabilité de fréquence et d'une grande pureté spectrale.Low noise standard microwave generator
The present invention relates to a microwave generator being a low noise ion and in particular a deoimetric wave generator comprising a quartz resonator arranged in the circuit of an oscillator transistor, said generator being of high frequency stability and high purity. spectral.
On sait que la stabilité de fréquence à moyen et court termes d'un oscillateur à quartz est conditionnée par la présence de bruits aléatoires. Ceux-ci peuvent entre 9 soit le bruit thermique ou bruit blanc qui apparat dans les éléments résistifs du circuit, soit le bruit de scintillation généré dans les éléments actifs de ltoscilla- teur et qui comprend le bruit additif et le bruit paramétrique. Le bruit additif stajoute au signal de ltoscillateur et donne naissance5 soit à des fluctuations de phase, soit à des fluctuation de fréquence. We know that the medium and short term frequency stability of a quartz oscillator is conditioned by the presence of random noises. These can range from 9 either the thermal noise or white noise which appears in the resistive elements of the circuit, or the scintillation noise generated in the active elements of the oscillator and which includes the additive noise and the parametric noise. Additive noise adds to the oscillator signal and gives rise to either phase fluctuations or frequency fluctuations.
Il donne également naissance à un bruit d'amplitude. Le bruit paramé~ trique provient des éléments qui déterminent la fréquence d'oscil lation tels les éléments capacitifs du montage.It also gives rise to a noise of amplitude. The parametric noise comes from the elements which determine the frequency of oscillation such as the capacitive elements of the assembly.
Les générateurs ultra-stables classiques en ondes-decimetriques produisent des signaux obtenus à partir d'un oscillateur à quartz de fréquences basses (généralement autour de 5 Még#ahertz). Une multiplication de fréquence est nécessaire pour travailler entre 1100 Mégahertz et 4000 Mégahertz. Conventional ultra-stable decimetric wave generators produce signals obtained from a quartz oscillator of low frequencies (generally around 5 Megahertz). A frequency multiplication is necessary to work between 1100 Megahertz and 4000 Megahertz.
Cependant cette multiplication de fréquence entratne une multiplication de tous les bruits parasites dans un même facteur, et sachant que la puissance de bruit est proportionnelle au carré de l'amplitude9 c'est donc par le carré du facteur de multiplication qu'est augmentée la puissance des parasites en sortie du générateur.
Le niveau de bruit est d'autant plus important que la source d'alimentation en tension de l'oscillateur est éloignée de celui-ci et que les amplificateurs de sortie sont alimentés par la même source.However, this multiplication of frequency leads to a multiplication of all the parasitic noises in the same factor, and knowing that the noise power is proportional to the square of the amplitude9 it is therefore by the square of the multiplication factor that the power is increased interference at the generator output.
The noise level is all the more important that the voltage supply source of the oscillator is distant from it and that the output amplifiers are supplied by the same source.
Le générateur selon la présente invention a pour but de remédier à cet inconvénient. flans celui-oi en effet le rapport signal sur bruit est plus grand que dans le cas d'une réalisation obtenue à partir des générateurs classiques à multiplication de fréquence et utilisant des connexions longues entre la source d'alimentation et l'oscillateur ainsi qu'avec les amplificateurs de sortie. The generator according to the present invention aims to remedy this drawback. blanks this indeed the signal to noise ratio is greater than in the case of an embodiment obtained from conventional generators with frequency multiplication and using long connections between the power source and the oscillator as well as with output amplifiers.
La présente invention a pour objet un générateur hyperfréquence étalon à faible bruit disposé dans un boîtier métallique unique, caractérisé en ce qu'il comporte dans eelui-cig un oscillateur à quartz fonctionnant sur un harmonique de quartz, une alimentation stabilisée, alimentant ledit oscillateur seulement et un amplificateur séparateur dont le rôle est de découpler ledit oscillateur des organes d'utilisation disposés à la sortie du générateur. The present invention relates to a standard low noise microwave generator arranged in a single metal case, characterized in that it comprises in eelui-cig a quartz oscillator operating on a quartz harmonic, a stabilized power supply, supplying said oscillator only and a separating amplifier whose role is to decouple said oscillator from the operating members arranged at the output of the generator.
Selon une particularité de l'invention chacune des plus grandes dimensions dudit boîtier est inférieure au tiers de la longueur d'onde minimale de fonctionnement des signaux dudit générateur et inférieure au quinzième de la longueur d'onde maximale de fonctionnement des signaux dudit générateur. According to a feature of the invention, each of the largest dimensions of said housing is less than one third of the minimum operating wavelength of the signals from said generator and less than one fifteenth of the maximum operating wavelength of signals from said generator.
Selon une autre particularité de l'invention, les composants actifs, le quartz et les condensateurs sont des éléments discrets rapportés, dits localisés et les liaisons, les résistances et certaines inductances sont obtenues par technique lithographique dite "couches minces", tous les composants actifs et passifs étant disposés sur un meme substrat. According to another particularity of the invention, the active components, the quartz and the capacitors are discrete added elements, said to be localized and the connections, the resistances and certain inductances are obtained by lithographic technique called "thin layers", all the active components and passive being arranged on the same substrate.
Selon une autre particularité de l'invention ledit oscillateur à quartz est apte à fonctionner sur une des harmoniques de la fréquence de la fréquence fondamentale du quartz par construction de quartz, cette harmonique étant de plus privilégiée par un circuit résonant série à inductance-capacité dont la fréquence de résonance est sensiblement celle de l'harmonique du quartz, ledit circuit résonant en série avec le quartz étant disposés aux bornes de l'émetteur et du collecteur du transistor oscillateur, lesdites bornes étant réunies par une capacité, la base étant à la masse et le point commun audit circuit résonant et au quartz étant relié a la masse par une régis tance. According to another feature of the invention, said quartz oscillator is capable of operating on one of the harmonics of the frequency of the fundamental frequency of quartz by construction of quartz, this harmonic being more preferred by a series resonant circuit with inductance-capacitance of which the resonant frequency is substantially that of the harmonic of the quartz, said circuit resonating in series with the quartz being arranged at the terminals of the emitter and of the collector of the oscillating transistor, said terminals being joined by a capacitor, the base being at the ground and the point common to said resonant and quartz circuit being connected to ground by a regulator.
Selon une autre particularité de l'invention ledit amplificateur séparateur est constitué d'un transistor amplificateur hyperfréquence, dont la base est alimentée par les signaux hyperfréquence au travers de filtres passe-haut et passe-bas en provenance d'une bande disposée à proximité de l'inductance dudit circuit résonant série, le couplage inductif réalisé étant un couplage lâche, dont l'émetteur est à la masse et dont le collecteur est polarisé en courant au moyen de circuits constitués principalement d'un transistor BF et d'une diode de compensation de température, ledit collecteur du transistor ampli ficateur hyperfréquence étant relié en outre à la prise de sortie du générateur au travers d'un condensateur de découplage. According to another particular feature of the invention, said separating amplifier consists of a microwave amplifier transistor, the base of which is supplied by the microwave signals through high-pass and low-pass filters coming from a strip arranged close to the inductance of said series resonant circuit, the inductive coupling produced being a loose coupling, the emitter of which is grounded and the collector of which is current biased by means of circuits mainly consisting of a LF transistor and a diode temperature compensation, said microwave amplifier transistor collector being further connected to the generator output socket through a decoupling capacitor.
Selon une autre particularité de l'invention ladite alimentation stabilisée alimente à travers des filtres en une tension positive stabilisée, le collecteur dudit oscillateur RIS à quartz et en une tension négative stabilisée l'émetteur du même oscillateur les tensions positives et négatives stabilisées étant produites à partir de tensions positives et négatives extérieures au moyen de deux amplificateurs opérationnels et d'une diode ZENER de référence. According to another feature of the invention, said stabilized power supply supplies, through filters, a stabilized positive voltage, the collector of said quartz oscillator RIS and a stabilized negative voltage the emitter of the same oscillator, the stabilized positive and negative voltages being produced at from positive and negative external voltages by means of two operational amplifiers and a ZENER reference diode.
Un exemple de mise en oeuvre de la présente invention, donné à titre purement illustratif et nullement limitatif, va entre décrit en référence à la figure unique que représente un schéma de principe d'exemple du générateur hyperfréquence avec ses trois constituants intégrés sur une même puce. An example of implementation of the present invention, given purely by way of illustration and in no way limiting, goes between described with reference to the single figure represented by a schematic diagram of example of the microwave generator with its three constituents integrated on the same chip .
Comme on le voit sur la figure les trois constituants du générateur sont une alimentation stabilisée 1, un oscillateur à quartz 2 et un amplificateur séparateur 3. Les constituants 1, 2, 3 sont disposés dans un même plan tel que celui de la figure et enfermés dans un boîtier 4 métallique, par exemple, en or, dont les dimensions ne dépassent pas 5x5x0,7 centimètres. Le bottier 4 est entièrement clos et ne possède que les orifices 5 (tension Vc de commande de fréquence, par exemplé, entre 0 et 10 volts) ; 6 (tension positive +V par exemple +15 volts ; 7 (tension négative -V par exemple -15 volts) et 8 (sortie des signaux VHF ou UHF). As can be seen in the figure, the three components of the generator are a stabilized power supply 1, a quartz oscillator 2 and a separating amplifier 3. The components 1, 2, 3 are arranged in the same plane as that of the figure and enclosed in a metal case 4, for example, made of gold, the dimensions of which do not exceed 5 × 5 × 0.7 centimeters. The case 4 is fully closed and has only the orifices 5 (frequency control voltage Vc, for example, between 0 and 10 volts); 6 (positive voltage + V for example +15 volts; 7 (negative voltage -V for example -15 volts) and 8 (output of VHF or UHF signals).
Les orifices 5, 6, 7 comportent des filtres intégrés tels que 9 dont l'enveloppe est encastrée dans le bottier 4 et qui servent à empêcher que les signaux hyperfréquence ne rayonnent à l'extérieur du boîtier 4 par les connexions d'alimentation. L'orifice 8 reçoit un connecteur normalisé hyperfréquence d'impédance 50 ohms et sert de sortie aux signaux VHF ou UHF. The orifices 5, 6, 7 have integrated filters such as 9, the envelope of which is embedded in the case 4 and which serve to prevent the microwave signals from radiating outside the housing 4 via the power connections. Port 8 receives a standardized 50 ohm impedance microwave connector and serves as an output for VHF or UHF signals.
La fréquence des signaux de ltoscillateur 2 à quartz peut être comprise entre 400 MHZ et 2 GHZ ou plus selon le modèle du quartz, sa taille et son harmonique employés ainsi que par les circuits résonants inductance-capacité réglés sensiblement sur la même fréquence. The frequency of the quartz oscillator 2 signals can be between 400 MHZ and 2 GHZ or more depending on the model of the quartz, its size and its harmonic employed as well as by the resonant inductance-capacitance circuits set substantially on the same frequency.
Selon l'exemple préférentiel, il est avantageux d'utiliser un quartz, Y1, de type UHF de la Compagnie d'Electronique et de Piézoélectricité (CEPE) dont la fréquence fondamentale est de 200 MHZ. Ce résonateur à ondes de volume taillé en coupe BT est prévu pour fonctionner en mode partiel 5 soit 1 GHZ environ lorsqu'il est monté en résonance série. According to the preferred example, it is advantageous to use a quartz, Y1, of the UHF type from the Company of Electronics and Piezoelectricity (CEPE) whose fundamental frequency is 200 MHZ. This volume wave resonator cut in LV section is designed to operate in partial mode 5, ie approximately 1 GHZ when it is mounted in series resonance.
Le transistor oscillateur Q1, bipolaire, faible bruit du type
NPN, à base commune est un transistor amplificateur hyperfréquence à fréquence de transition fT supérieure à 3 GHZ dont le montage est tel que le déphasage est nul entre émetteur et collecteur et le gain en courant important.The oscillator transistor Q1, bipolar, low noise of the type
NPN, based on a common base, is a microwave amplifier transistor with a transition frequency fT greater than 3 GHZ, the mounting of which is such that the phase shift is zero between the emitter and the collector and the significant current gain.
Aux bornes de la base et de l'émetteur sont disposés d'une part, un condensateur C6 de faible capacité et d'autre part, deux circuits résonants série, l'un constitué par le quartz Y1 de très grand coefficient de surtension (par exemple 20000) et l'autre par un circuit résonant série à inductance L2 et condensateurs C9, C10 et une diode
VARACTOR CR2 dont l'ensemble est accordé sur la fréquence de 1 GHZ environ afin de favoriser la fréquence harmonique 5 du quartz Y1 tout en se- protégeant de la fréquence fondamentale à 200 MHZ ainsi que l'harmonique 3 à 600 MHZ dont les amplitudes pourraient piloter le quartz.Le coefficient de surtension du circuit résonant à inductance-capacité est beaucoup plus faible que celui du quartz. le point commun 10 du circuit résonant inductance-capacité et celui de l'une des lamelles du quartz est relié à la masse au travers de la résistance R9. L'ensemble de l'oscillateur s'assimile à un montage du type
CLAPP. Des condensateurs C7-et C8 servent à bloquer la composante du courant continu en provenance des sources d'alimentation. L'oscillateur 2 fonctionne à la fréquence correspondante à la réactance nulle du dipole con#stitué par le quartz Y1 et le circuit résonant série L2, C9,
C10 et CR2 ce qui traduit une condition de phase nulle dans la boucle entre émetteur et collecteur du transistor Q1.Ainsi l'annulation de réactance se produit à une fréquence voisine de la fréquence du résonateur à quartz permettant ainsi l"'accrochage" du dispositif. On the terminals of the base and the transmitter are arranged on the one hand, a capacitor C6 of low capacity and on the other hand, two series resonant circuits, one constituted by the quartz Y1 of very large coefficient of overvoltage (by example 20000) and the other by a series resonant circuit with inductance L2 and capacitors C9, C10 and a diode
VARACTOR CR2, the whole of which is tuned to the frequency of approximately 1 GHZ in order to favor the harmonic frequency 5 of the quartz Y1 while protecting itself from the fundamental frequency at 200 MHZ as well as the harmonic 3 at 600 MHZ whose amplitudes could drive the quartz. The overvoltage coefficient of the resonant-capacitance circuit is much lower than that of quartz. the common point 10 of the inductance-capacitance resonant circuit and that of one of the quartz lamellae is connected to ground through the resistor R9. The entire oscillator is similar to an assembly of the type
CLAPP. Capacitors C7- and C8 are used to block the DC component from the power sources. Oscillator 2 operates at the frequency corresponding to the zero reactance of the dipole formed by quartz Y1 and the series resonant circuit L2, C9,
C10 and CR2 which translates a zero phase condition in the loop between emitter and collector of transistor Q1.Thus cancellation of reactance occurs at a frequency close to the frequency of the quartz resonator thus allowing the "hooking" of the device .
L'alimentation du transistor Q1 par une source +V3 pouvant être de 10 volts s'effectue d'une part par son collecteur à travers un filtre passe-bas L1 Cil, par exemple en "L" servant à bloquer les oscillations UHF susceptibles de se propager vers l'alimentation exté-- rieure. The supply of the transistor Q1 by a source + V3 which can be 10 volts is carried out on the one hand by its collector through a low-pass filter L1 Cil, for example in "L" serving to block the UHF oscillations likely to spread to outside food.
Le transistor Q1 est alimenté en outre par une source -V3 pouvant être de -10 volts. La polarisation en courant du transistor Qî -est assurée par les résistances R7, R8 avantageusement réalisées en technologie couche mince sur le substrat porte-circuit comme il sera décrit plus loin. La technologie et la conception utilisées garantissent un bruit minimal pour la polarisation. La cellule en "L#, R8, C5 permet de bloquer les oscillations UHF vers l'alimentation négative. The transistor Q1 is further supplied by a source -V3 which may be -10 volts. The current bias of the transistor Q-is provided by the resistors R7, R8 advantageously produced in thin film technology on the circuit-carrying substrate as will be described later. The technology and design used ensures minimal noise for polarization. The cell in "L #, R8, C5 makes it possible to block the UHF oscillations towards the negative supply.
L'oscillateur 2 peut avoir une fréquence réglable en de faibles proportions à partir de la fréquence centrale qui est de 1,60750 gigahertz à titre d'exemple, dans les limites de 1,060600 à 12060900 gigahertz Ceci est obtenu par une commande en tension continue Vc comprise, par exemple, entre 0 et 10 volts (orifice 5) et faisant varier la capacité de la diode VARACTOR, CR2 entre 3 picofarads et 5 picofarads. En parallèle sur la diode VARACTOR CR2 est disposé un condensateur C10 permettant d'augmenter la valeur de la capacité série dans le circuit résonant série. La résistance R9 permet de polariser la tension de commande Vc qui comporte sur son parcours un filtre passe-bas L3, L11, permettant de bloquer les fréquences UHF vers la commande extérieure de fréquence. Oscillator 2 can have a frequency adjustable in small proportions from the central frequency which is 1.60750 gigahertz for example, within the limits of 1.060600 to 12060900 gigahertz This is obtained by a voltage command continuous Vc included, for example, between 0 and 10 volts (orifice 5) and varying the capacity of the VARACTOR diode, CR2 between 3 picofarads and 5 picofarads. In parallel on the VARACTOR CR2 diode, there is a capacitor C10 allowing the value of the series capacitance to be increased in the series resonant circuit. The resistor R9 makes it possible to polarize the control voltage Vc which comprises on its path a low-pass filter L3, L11, making it possible to block the UHF frequencies towards the external frequency control.
L'alimentation stabilisée 1 est intégrée dans l'ensemble du dis positif. De plus les alimentations nécessaires a la fonction oscillateur à quartz sont séparées de celles utilisées par l'étage séparateur puisque l'alimentation régulée +V3, -V3 est particulière à ltoscilla- teur. Il en découle que l'alimentation permet de délivrer des tensions avec de très faibles niveaux de bruit. The stabilized power supply 1 is integrated into the entire positive device. In addition, the power supplies required for the quartz oscillator function are separate from those used by the separator stage since the regulated power supply + V3, -V3 is specific to the oscillator. It follows that the power supply makes it possible to deliver voltages with very low noise levels.
L'alimentation stabilisée 1 comporte deux amplificateurs opéra tionnels li et 12 branchés de telle sorte qu'ils fournissent respectivement une tension positive V3 et une tension négative -V3. Les amplificateurs opérationnels HA909, par exemple, fabriqués par HARRIS ayant pour caractéristique un bruit faible reçoivent des tension +Vî et -V2 pouvant etre de 15 volts en provenance des orifices 6 et-7. Une diole de référence ZENESS 1 fournit une tension très stable. Des résistances R1, R2, R3, R4, RS et R6 sont réalisées par évaporation sous vide selon le procédé décrit plus loin pour garantir le minimum de bruit. The stabilized power supply 1 comprises two operational amplifiers li and 12 connected so that they respectively supply a positive voltage V3 and a negative voltage -V3. Operational amplifiers HA909, for example, manufactured by HARRIS having the characteristic of low noise receive voltages + Vî and -V2 which can be 15 volts coming from orifices 6 and -7. A ZENESS 1 reference diole provides a very stable voltage. Resistors R1, R2, R3, R4, RS and R6 are produced by vacuum evaporation according to the process described below to guarantee the minimum noise.
L'amplificateur séparateur 3 prélève une partie des signaux de l'oscillateur, présents dans l'inductance L2 au moyen d'un couplage inductif "lâche" réalisé grâce à la proximité d'une boucle L4 et une résistance d'entrée R10 d'entrée de l'amplificateur séparateur 3. The separating amplifier 3 takes part of the signals from the oscillator, present in the inductor L2 by means of a "loose" inductive coupling produced thanks to the proximity of a loop L4 and an input resistance R10 of Separator amplifier input 3.
Cette boucle L4 peut etre réalisée simplement eomme une bande conduc- trice dIsposée à proximité de l'inductance 2 laquelle présente, par exemple des spires en spirale. Ainsi l'amplificateur séparateur 3 n'utilise pas de liaison directe par conduction avec la sortie de l'oscillateur 2 ce qui permet d'éviter de modifier la fréquence de l'oscillateur 2 par des circuits disposés à la sortie 8 de l'amplifi- cateur sdéparateur 3.This loop L4 can be produced simply as a conductive strip arranged near the inductor 2 which has, for example spiral turns. Thus the separating amplifier 3 does not use a direct connection by conduction with the output of oscillator 2 which makes it possible to avoid modifying the frequency of oscillator 2 by circuits arranged at the output 8 of the amplifier. - separator cator 3.
L'amplificateur séparateur 3 comporte une impédance d'entrée et de sortie de 50 ohms à la fréquence désirée obtenue par les réseaux d'adaptation. Coté entrée, le réseau d'adaptation est constitué par une cellule de 50 ohms par exemple comme celle en T constituée par des condensateurs L12, L13, et une inductance L8. Coté sortie 8 terminée par un connecteur UHF, il peut être utilisé une cellule par exemple en avec des condensateurs C17, C16 et l'inductance L6. The splitter amplifier 3 has an input and output impedance of 50 ohms at the desired frequency obtained by the matching networks. On the input side, the adaptation network is constituted by a 50 ohm cell for example like that in T constituted by capacitors L12, L13, and an inductance L8. On output side 8 terminated by a UHF connector, it can be used a cell for example with capacitors C17, C16 and the inductance L6.
Un transistor Q3 hyperfréquence monté en émetteur à la masse est un transistor amplificateur à faible bruit. A microwave Q3 transistor mounted as a ground emitter is a low noise amplifier transistor.
La polarisation du transitor Q3 est assurée par une source de courant ayant pour but de stabiliser le point de fonctionnement du transistor Q3 hyperfréquence. Cette source de courant est constituée par exemple par le transistor basse fréquence Q2 isole par des inductances de choc bloquant les signaux UHF vers la source de courant et qui sont l'inductance de choc L7 côté collecteur du Q2 et l'inductance de choc L5 côté émetteur de Q2. La polarisatIon de la source de courant est réalisée avec les résistances R11 et R12 et la diode de compensation en température CR3 dans le but d'éviter la dérive du fonctionnement en basse fréquence. La tension +V1 alimentant l'amplificateur séparateur 3 provient directement par conducteur disposé dans l'espace à partir de l'orifice 6 relié à la tension extérieure-+V. The polarization of the Q3 transitor is ensured by a current source intended to stabilize the operating point of the microwave Q3 transistor. This current source is constituted for example by the low frequency transistor Q2 isolated by shock inductors blocking the UHF signals to the current source and which are the shock inductance L7 on the collector side of Q2 and the shock inductance L5 on the side transmitter of Q2. The polarization of the current source is carried out with the resistors R11 and R12 and the temperature compensation diode CR3 in order to avoid the drift of the operation at low frequency. The voltage + V1 supplying the separating amplifier 3 comes directly from a conductor arranged in space from the orifice 6 connected to the external voltage - + V.
Ainsi, malgré la présence dans un seul boîtier 4 de l'amplifi- cateur séparateur 3 et de l'oscillateur 2 il ne peut exister que le minimum d'interaction entre les étages. De plus la charge d'utilisation coté sortie 8 de l'amplificateur 3 ne perturbe pas la stabilité de l'oscillateur 2. Thus, despite the presence in a single housing 4 of the separating amplifier 3 and the oscillator 2 there can only be the minimum of interaction between the stages. In addition, the load on the output side 8 of the amplifier 3 does not disturb the stability of the oscillator 2.
La réalisation de l'invention a pu être mise en oeuvre grâce aux techniques hybrides dites "couches minces" en intégrant tous les composants précédemment cités dans un boîtier métallique unique. The realization of the invention could be implemented using hybrid techniques called "thin layers" by integrating all the components previously mentioned in a single metal housing.
La technologie développée peut se résumer en deux couches minces, respectivement résistive (nickel-chrome) et conductrice (or). The technology developed can be summarized in two thin layers, respectively resistive (nickel-chromium) and conductive (gold).
Ces couches sont déposées sur un substrat isolant (verre ou céramique) par évaporation sous vide. These layers are deposited on an insulating substrate (glass or ceramic) by vacuum evaporation.
Par photogravure sélective de ces couches il est possible d'obtenir des résistances qui sont ajustées au laser, si nécessaire, ou dès connexions ou encore certaines inductances. By selective photogravure of these layers it is possible to obtain resistors which are adjusted by laser, if necessary, or from connections or even certain inductances.
Les éléments actifs, type semi conducteurs, ou passifs, type condensateur ou quartz, sont alors rapportés sur le circuit puis placés dans un boîtier métallique hermétique. The active elements, semi-conductor type, or passive elements, capacitor or quartz type, are then attached to the circuit and then placed in an airtight metal case.
Il a été réalisé ainsi un générateur étalon à ondes décimé- triques de bonne stabilité et de très#haute pureté spectrale, par exemple de l'ordre de -16#0 décibels à 25 kilohertz de la porteuse à 1 gigahertz. A standard generator with decimeter waves of good stability and very high spectral purity was thus produced, for example of the order of -16 # 0 decibels at 25 kilohertz from the carrier at 1 gigahertz.
Les applications sont du domaine des télécommunications. The applications are in the telecommunications field.
Claims (8)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8216189A FR2533776B1 (en) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | LOW NOISE CALIBRATION MICROWAVE GENERATOR |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8216189A FR2533776B1 (en) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | LOW NOISE CALIBRATION MICROWAVE GENERATOR |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2533776A1 true FR2533776A1 (en) | 1984-03-30 |
| FR2533776B1 FR2533776B1 (en) | 1988-03-04 |
Family
ID=9277746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8216189A Expired FR2533776B1 (en) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | LOW NOISE CALIBRATION MICROWAVE GENERATOR |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| FR (1) | FR2533776B1 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3109082A (en) * | 1961-06-01 | 1963-10-29 | Avco Corp | Electronic clock |
| GB964031A (en) * | 1961-03-07 | 1964-07-15 | Christopher Arthur Henn Collin | Improvements in and relating to oscillators |
| FR1393574A (en) * | 1964-02-14 | 1965-03-26 | Cepe | Improvements to assemblies constituting quartz oscillators |
| DE2534275A1 (en) * | 1975-07-31 | 1977-02-03 | Siemens Ag | Quartz Colpitts oscillator with varactor diode - is able to pull frequency over wide range and oscillates at higher harmonic |
-
1982
- 1982-09-27 FR FR8216189A patent/FR2533776B1/en not_active Expired
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| ELEKTOR, volume 4, no. 7/8, juillet/août 1978 "288MHz generator", pages 7-04 et 7-05 * |
| JOURNAL OF THE INSTITUTION OF ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATION ENGINEERS, volume 20, no. 3-4, mars/avril 1974 (NEW DELHI, IN) G.C. DUBEY et al. "Thin film hybrid crystal oscillator", pages 119-121 * |
| TOUTE L'ELECTRONIQUE, no. 450, janvier 1980 (PARIS, FR) G. MOURIER "Les oscillateurs "pilotes" modulaires", pages 13-26 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2533776B1 (en) | 1988-03-04 |
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