FR2500690A2 - Moteur generateur electrique a flux differentiel - Google Patents

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Abstract

LE DEUXIEME CERTIFICAT D'ADDITION CONCERNE DES DISPOSITIFS STATIQUES A FLUX DIFFERENTIEL ET RESONANCE ELECTRO-MAGNETIQUE GENERANT ET AMPLIFIANT D'UNE MANIERE COHERENTE DES VIBRATIONS ATOMIQUES MAGNETIQUES; POUR REALISER DES GENERATEURS DE COURANTS ELECTRIQUES, DES GENERATEURS DE PARTICULES ATOMIQUES LIBRES, DES GENERATEURS DE LUMIERE COHERENTE, DES MULTIPLICATEURS DE TENSION, DES MULTIPLICATEURS DE FREQUENCE, DES OSCILLATEURS DE COURANTS ELECTRIQUES, DES LIMITEURS D'INTENSITE DE COURANTS ELECTRIQUES ALTERNATIFS; CARACTERISE PAR L'UTILISATION DE COURANTS ELECTRIQUES ALTERNATIFS PARCOURANT DES SOLENOIDES ET DES CONDENSATEURS CONVENABLEMENT INTERCONNECTES, POUR DEPHASER CES COURANTS, LORSQU'ILS NE LE SONT PAS A L'ORIGINE ET PAR L'APPLICATION DES CHAMPS MAGNETIQUES DIFFERENTIELS, PRODUITS PAR CES COURANTS, DANS CES SOLENOIDES POUR AMORCER, AMPLIFIER ET ENTRETENIR DES OSCILLATIONS MAGNETIQUES COHERENTES A L'INTERIEUR D'UN NOYAU MATERIEL SE TROUVANT A L'INTERIEUR DE CES SOLENOIDES ET NE POUVANT RESTER NEUTRE MAGNETIQUEMENT SOUS L'EFFET DE CE CHAMP MAGNETIQUE DIFFERENTIEL.

Description

Ce deux certificat d'addition concerne de nouveaux dispositifs
et de nouvelles utilisations du flux magnétique différentiel pour réaliser
des générateurs de courants ou de lumières, des stabilisateurs de tension,
des multiplicateurs de tension, des variateurs et des multiplicateurs de
fréquence. Ces nouveaux dispositifs à induction ou auto-induction, tous sta
tiques, utilisent des matériaux magnétiques a partir d'un critère de choix
basé sur l'êvolution du flux différentiel, à une échelle microscopique et
au sein mwle du matériau inagnétique.
Ils permettent de réduire le coût et d'améliorer les performances
des dispositifs statiques similaires connus qui, n'utilisant pas de flux dif
férentiels sont de ce fait, avec le mauvais rendement en plus, très conples
très lourds, et donc très encombrants, peu pratiques à utiliser et peu fiable
parce qu'ils ne peuvent pas benéficier des effets caractéristiques des circui
magnétiques à flux différentiels,
Au sein d'un matériau magnétique, des groupements d'atomes ou n
nes" sont déjà préalablement aimantés, c'est- dire, ont un axe magnétique d
à l'orientation de certaines trajectoires électroniques du groupement et, bie
que le matériau dans son ensemble, du fait que les axes des divers groupement
ont des orientations quelconques, ne paraisse pas aimante.
Lorsqu'un matériau magnétique est placé dans un champ magnetique, les "domaines" ont tendance a s'orienter dans la direction du champ, successivement
et suivant l'intensité plus ou moins grande du champ et ou de la force magnat
motrice.
Tues " danaines " orientent dans le sens du champ en fonction des va
tions de ce dernier ( lorsqu'il est alternatif ) et a une vitesse plus ou moi
grande suivant la fonte du cycle d'hystérésis et aussi suivant la faiblesse p
ou moins grande du flux différentiel à l'intérieur de chaque"domaine".
En effet, chaque " domaine n qui a un axe magnétique legerement préda
nant peut être considéré comme un cercle déformé et représenté par la Fig.l.
Les orbites ELECTRONIÇUES de sens magnétique predorinant ( flèche en trait gr
ont tendance a s'orienter dans le sens du champ inducteur extérieur. Mais oe
champ magnétique preponderant à l'interieur du " domaine " a tendance à renfo:
cer le champ magnétique complémentaire et opposé du même"domaine" ( flèches en
traits fins Fig, 1).
Ce processus retarde la démagnétisation et la remagnétisation en sens
inverse du champ secondaire ( flèches en traits fins Fig.l ).
Or, il faut que ce champ secondaire s 'inverse pour que toutes les orb:
tes électroniques de totos les atomes des " domaines n s'orientent pareillement
dans la direction du champ magnétique inducteur ( flèche en trait double Fig.
Le renforcement, au début de la croissance du champ magnétique extériE
du sens magnétique predominant de chaque "domaine', est donc bien analogue au rôle jouté par le champ démagnétisant décrit dans le brevet principal, page 2 et illustré par la -ig.l;C , de ce même brevet principal.
Ces deux aspects d'un phénomène unique (flux différentiel) ont également le même résultat qui est de retarder le basculement de toutes les orbites électroniques du matériau soumis au champ magnétique inducteur.
L'hypothèse qui vient d'être envisagée à l'échelle microscopique pour décrire la répartition spatiale magnétique à l'intérieur d'un "domaine" n'est que la transposition dans l'infiniment petit de ce qui est réalisé à l'échelle macroscopique et décrit dans le brevet principal.
Lorsque la force magnétomotrice est suffisamment forte toutes les orbites magnétiques parallèles ont des axes de même direction magnétique et les derniers changements d'état à l'intérieur des "domaines" peuvent être quantitativement les plus importants et la vitesse de transition de ces derniers changements d'état peut aussi 8tre très grande.
Même si l'hypothèse du comportement magnétique interne des ma matériaux, illustré par la Fig.1 , n'est pas rigoureusement exact, il y a deux raisons supplémentaires pour justifier l'appartenance de ces nouveaux dispositifs à la famille des générateurs à flux différentiels et qui a commencé à être définie dans la description du brevet initial.
L'une de ces raisons supplémentaires c'est l'observation du cycle d'hystérésis des matériaux employés. I1 est plus ou moins rectangulaire même si les petits côtés de ce cycle rectangulaire sont parfois très obliques et feraient plutôt songer à un parallélogramme ou plutôt un rectangle déformable.
Ce qu'il importe d'observer c'est qu'au début de la croissance de l'alternance positive ou négative du courant inducteur, le flux dans le solénoïde, qui applique la force magnétomotrice au matériau magnétique du noyau, est dans un sens magnétique bien déterminé alors que l'aimantation du noyau est en sens inverse.
Les flux magnétiques sont différents en grandeur et en sens
à l'intérieur du solénoïde inducteur et ce, jusqu ce que la force magnétomotrice soit suffisante pour faire basculer l'aimantation du noyau dans son ensemble.
Ce basculement d'aimantation est toujours très rapide, beaucoup plus rapide que la vitesse de variation de la tension inductrice.
I1 y a donc bien variation différentielle au point de vue vitesse
de variation, entre le flux inducteur au voisinage des spires du
solénolde et le flux magnétique à l'intérieur du noyau.
L'inversion magnétique du matériau n'est donc pas toujours en
phase avec l'inversion du courant inducteur d'une part. D'autre part, la vitesse d'inversion de magnétisme du noyau est toujours plus rapide que la vitesse de variation du courant inducteur et c'est cette dernière différence (des vitesses de variations) qui justifie l'appellation: dispositif à flux différentiel, car il est conforme à-lå définition générale: Retarder l'inversion magnétique pour qu'elle soit la plus forte et la plus rapide possible.
La vitesse de variation d'un sens magnétique à un autre sens magnétique opposé peut même être telle qu'une véritable "vibration" ou "oscillation" magnétique peut se produire (sous forme d'harmonique du courant alternatif inducteur, où sous Ia forme d'une
véritable multiplication de fréquence de ce même courant inducteur.
Tous les matériaux magnétiques n'ont pas la même possibilité de changer brusquement d'état et de sens magnétique. Car, en effet cette variation cyclique se fait à une vitesse supérieure à la vitesse de variation du courant inducteur
Le dispositif inventé pour sélectionner et utiliser les meil
leurs matériaux magnétiques consiste en l'association en série d'un
condensateur et d'un solénolde électrique bobiné sur tout ou partie d'un circuit matériel magnétique fermé ou non sur lui-même. Ce dispositif est répertorié dans la présente invention: dispositif A.
Le circuit matériel magnétique, de ce premier dispositif, est formé par le matériau magnétique à tester ou à utiliser. I1 est désigné par la référence 1. sur la Fig.Jt .
Le solenolde est désigné par la référence 2.
Le condensateur est désigné par la référence 3.
La tension V 1, est la tension alternative d'alimentation du dispositif (fréquence 50 HZ, par exemple).
Ce dispositif n'est pas un dispositif à résonance électrique
bien que la réactance de self (L0) soit assez voisine de la réac
tance de capacité (C1D;) ). Ce n'est pas non plus un dispositif à
CD) résonance ferro-magnétique car le matériau matériel magnétique pourrait être un matériau para ou dia-magnétique (ainsi qu'il est
expliqué plus loin) et bien qu'il englobe la ferro résonance en ce
oui concerne l'accroissement subit d'intensité pour un certain
rapport self 1 capacité et matériau magnétique.
Ce dispositif apporte plus que la ferro résonance simple, car il combine à la fois et avec un matériau magnétique adapté, cette ferro résonance, et une approche de la résonance électrique,
Le montage pratique de ce premier dispositif du 2ème certificat d'addition consiste à choisir d'abord, en fonction de la tension d'alimentation V 1, une self à noyau matériel magnétique et de caractéristiques telles que le noyau magnétique à tester ou à utiliser soit saturé lorsque la tension V 1 est appliquée directement aux extrémités du solénode 2,. (tension V1 maximale) Fig.Z
Le condensateur 3, du montage de la Fig. 5L , doit avoir une capacité telle qu'il laisse passer, avec la tension totale V 1 à ses bornes1 un courant approximativement de même grandeur que celle du courant de saturation de la self. Les différences peuvent être de l'ordre de 10 à 50 % et davantage, en plus ou en moins.
C'est une manière tout à fait approximative, mais suffisante de faire que LS soit peu différent de C1~ Le fonctionnement dynamique du montage contribue également à faire que cette égalité ne soit jamais obtenue.
Dans ces conditions de montage terminé, on applique la tension
V 7 aux bornes indiquées par le symbole V 1, sur la Fig. mais en la faisant croire progressivement de zéro au maximum.
Pour les tôles magnétiques à grain orienté, les matériaux à cycle d'hystéresis rectangulaire et les ferrites douces en particulier, il se produit rapidement une surtension aux bornes de la self et du condensateur; bornes marquées du symbole V 2 et bornes mar V2 quées du symbole V 3 sur la Fiv.2 .1er coefficient de surtension K1=-V-l-.
Cette surtension qui se traduit par une très rapide montée de l'intensité n'est cependant pas la Résonance électrique car cette
VI intensité est bien inférieure au quotient-V-Rl-. La montée dtinten- sité relève plutôt de la ferro-résonance.
Cette surtension se produit souvent lorsque V 1 n'est qu'à 10, 20,30 ou 40 de sa valeur maximale.Elle est due à une cyclo-résonance.
Si la self a bien été calculée, comme expliqué, et si le matériau magnétique est convenable, la tension aux bornes de V 2 et V 3 est de trois à six fois plus élevée que la tension aux bornes V li
La tension aux bornes de V2 peut alors titre très voisine dela tension maximale de V1. Surtout elle est stable et ne varie plus que de quelques pour cent lorsque V 1 continue sa progression jusqu'à sa valeur maximale ou même lorsque V 1 décrit. Pour une valeur très faible de V 1, la tension V 2 décroche. Les changements d'état magnétique du matériau sont à nouveau en phase avec la tension d'; mentation.En résumé:Variations de V2+2% = Variations de V1+ 20 %
Lorsque, après la surtension constatée aux bornes de V2 et V3, tension V1 continue de croître, la tension V3, qui est toujours plus élevée que V2 (coefficient de surtension plus grand), continu de croître et peut atteindre plusieurs fois la tension maximale de 1. Toutefois, cette tension aux bornes de V3 est sensiblement é le à VI + V2. Le courant absorbé alors par la self, est capaciti; et indique que la réactance de self s'est annulée. Seule la tenir générée par auto-induction dans la self s'oppose à la tension de capacité et la fait croître pour satisfaire les égalitées déjà in.
diquées, exactement comme si une force contre électro-motrice s'é.
tait crée au lieu et place de la self.
Lorsqu'on fait décroître V1, la tension V3 diminue et lorsqu'elle devient inférieure à la valeur de V2, cette dernière tension V2''' croche" c'est-à-dire, qu'elle baisse brusquement,L # réapparaît.
Juste avant le"décrochage" de V2, le rapport entre la tension V; et la tension résiduelle VI est appelée dans l'invention présente: deuxième coefficient de & Ces deux coefficients de qualite:K2=1 qualité peuvent être différents pour un même matériau.
La surtension dans le dispositif inventé est due à la rapidité c changement de sens d'aimantation à l'intérieur du matériau magnétique, ainsi qu'il a été longuement expliqué au début de la descri tion et ainsi qu'en font foi les relevés d'oscilloscope représentés sur les Fig. 3 et 4 .Les ondes carrées de la Fig. 4 et les pointes de la Fig.3 indiquent bien que le champ magnétique s'ir verse brusquement lorsque la force magnéto-motrice est suffisante, et cette rapidité d'inversion à chaque cycle justifie l'appellatic de cyclo-surtension donnée à cette surtension particulière dans 1' vention et en rappel de la cause qui la provoque et qui explique sa stabilité (variations cycliques d'aimantation entre 2 maximums opposés, toujours représentés par des graphiques appelés cycles d'hystérésis). La cyclo-surtension est provoquée par une cyclorésonance magnétique. Certaines tôles magnétiques, qui ne sont pas à grain orienté, donnent une très faible cyclo-surtension car, la rapidité de changement de sens magnétique à l'intérieur du matériau n'est pas assez rapide et quelle que soit l'intensité de la force magnéto-motrice appliquée.
Certains matériaux magnétiques sont magnétiquement trop "mous" t "vibrent" très mal, alors que d'autres "vibrent" presque spontanén
Un autre moyen de vérifier l'aptitude à la vibration d'un matériau magnétique consiste à réaliser un transformateur avec ce matériau et à envoyer tant une seule alternance, toujours la même, et tantôt les deux redressées dans le primaire. La différence des tensions secondaires (quand on envoie une seule alternance d'un courant alternatif dans le primaire, après y avoir envoyé les deux redressées) est plus ou moins grande suivant la nature du noyau magnétique employé (aptitude plus ou moins grande à la "vibration't libre).
La cyclo-surtension stable de V2 peut être utilisée d'une ma nièce particulièrement simple et economique pour débiter à tension fixe sur un circuit intérieur. Le cosinus P du dispositif en est amélioré, comme pour un moteur.
Si le circuit du générateur à flux différentiel et à cyclosurtension stable, illustré par la Fig. X ; est bien ajusté en ce qui concerne capacité et self, le circuit d'utilisation, branché aux bornes désignées sur la Fig. par le symbole V2, peut absorber un courant bien supérieur en grandeur d'intensité, à la moitié de la grandeur du courant total absorbé par le dispositif. La puissance totale est moins réactive, si bien que P dans la charge = P absorbée - pertes "fer" et "cuivre". Si la cyclo-surtension disponible en V2 est convenable pour l'utilisation, ce premier dispositif du deuxième certificat d'invention, appelé stabilisateur de tension à cyclo-surtension,permet d'économiser les bobinages secondaires puisqu'il fonctionne en auto-transformateur.
C'est également un stabilisateur de tension avec sécurité puisque, si l'utilisation est en court circuit, la cyclo-surtension s'annule, l'intensité baisse et les appareillages délicats (semi-conducteurs en particulier) de l'utilisation sont protégés. il permet de ne pas employer de fusibles ultra rapides,coûteux et peu sûrs. C'est une économie certaine.
Une autre application particulièrement intéressante de la cyclosurtension est l'utilisation du dispositif inventé à l'amorçage des tubes et lampes à décharge électrique dans un gaz.
Ainsi que le montrent les Fig. y et 6 , les tubes fluorescents pour l'éclairage en particulier et tous les tubes à décharge en général, désignés par la référence 5, peuvent être montés en parallèle sur le condensateur3 (Fig. 5)où sur la self 2,Fig. 6 . L'avantage du contage de la Fiv. zest de pouvoir disposer d'une surtension plus élevée (V3 > V2)pour amorcer le tube et avec la sécurité de pouvoir limiter l'intensité (une fois le tube amorcé) grâce à la self2.Mais le montage de la Fig.6, permet une économie d'énergie de consommation du tube car, une fois ce dernier amorcé grâce à la surtension aux bornes de la self2, l'intensité dans le tube à décharge est sta bilisée et réglée par la capacité) qui ne consomme presque pas d'énergie.Alors que la consommation d'énergie dans une self ballast en série avec un tube fluorescent et traversée par l'intensité qui traverse aussi le tube, consomme de son côté une énergie égale à 30 ou 50 de la consommation propre d'énergie du tube. Pour ne pas surcharger les dessins, toutes les lampes et tubes à allumage ins tantané, ou à pré-chauffage, sont tous représentés dans la présente description de ce deuxième certificat d'addition, par la mtne forme rectangulaire avec un point dans le rectangle et cette forme référencée5,figurera la charge d'utilisation dans tous les dessins auss
Dans le cas de montage du tube à décharge conforme au dessin. due la Fig. 6 ,la self de très petite puissance, peut être mise hors service après l'amorçage du tube (courant dans le tube prévu très supérieur au courant dans la self et donc annulation de la sur-ten-, sion après l'amorçage) où être maintenue en service après l'amorçag du tube pour stabiliser, encore plus finement qu'avec le condensateur en série, la tension de décharge. Il faut prévoir un dispositi à cyclo-surtension plus puissant et en rapport avec la puissance du tube à décharge lorsque la self 2 est en série avec le tube 5.
Les générateurs à cyclo-surtension, en raison du coefficient élevé de surtension, sont particulièrement aptes à produire des tensions très élevées d'une manière économique et avec les meilleures garanties de sécurité et de rendement. En effet, il n'est plus nécessaire de rapprocher l'enroulement secondaire de l'enroulement primaire puisqu'il suffit d'un enroulement 2 ayant suffisamment de spires (avec un bon compromis entre la section du noyau et le nombres de spires) et l'on peut monter en série plusieurs générateurs à cyclo-surtension pour obtenir la haute tension désirée. La tension V2, du premier générateur, devenant la tension V1 du deuxième générateur, et ainsi de suite.La raison pour laquelle la surtensio se maintien aux bornes de V2, après l'amorçage de cette surtension et si on diminue alors la tension de V1, est que le matériau continu à "vibrer" spontanément puisque l'intensité dans la self, don-c la force magnéto-motrice, diminue. Alors qu'il faut une certaine valeur de force magnéto-motrice pour lancer la "vibration". Cette dernière se maintient jusqu'à ce que la force magnéto-motrice étant suffisamment basse, les champs.démagnétisants internes du noyau (et vraisemblablement en rapport avec la structure cristalline) prennent le dessus et redonnent un comportement passif au matériau, c'est-àdire, -variation de sens magnétique à la même vitesse que la vitesse de variation du courant inducteur.
Avant l'établissement de la cyclo-surtension, la tension V3 aux bornes de la capacité est plus faible que la tension V2 aux bornes de la self. La différence est presque égale à la tension VI, c'est- à-dire, qu'avant l'établissement de la cyclo-surtension V2NV1+V3.
C'est en sens contraire du rapport qui s'établit à la cycle-sur- tension ou3VI+V2.. Avec les. matériaux magnétiques qui ne donnent pas de cyclo-surtension, la croissance de V1 permet d'amener la tension aux bornes de la self et aux bornes de la capacité à une valeur sensiblement égale et, lorsque cette égalité est atteinte, le courant augmente rapidement. dans la self pour atteindre la valeur qu'il aurait dans la capacité sila tension de Y1,atteinte au moment de la constatation de l'égalité des tensions V2 et V3, était appliquée directement aux bornes de cette capacité. C'est la ferrorésonance classique.
La ferro-résonance classique est une démonstration supplémentaire mais moins évidente que dans les dispositifs à cyclo-surtension, que le matériau magnétique se met à "vibrer" en synchronisme avec les variations de la tension de capacité V3.
il n'y a pas dans la ferro-résonance classique de variations différentielles de flux comme dans les dispositifs à cyclo-surtension mais, cependant, annulation de la réactance de self. C'est ce qui explique le brusque accroissement d'intensité. Ce courant- est capacitif et prouve que les variations magnétiques du noyau et donc a tension aux bornes de la self sont en opposition de phase avec la tension aux bornes de la capacité. La tension V2, aux bornes de la self, est cependant déphasée de 900 en avant de la tension V1 puisqu'elle est synchrone mais "opposée" à la tension V3 aux bornes de la capacité. C'est une forme nouvelle en courant alternatif d'opposition de tension entre force-électro-motrice et
Torce-contre-électro-motrice, mais opposition s'exerçant dans un dispositif statique. Plus exactement, il y a opposition entre les tensions seulement car les variations d'intensité sont synchronisées et déphasées de 900 en avant de la tension d'alimentation.
Cela n'est pas Si étrange si l'on admet que les "vibrations" ou les variations d'aimantation du matériau magnétique deviennent synchrones avec les changements de sens de la tension inductric et différentiellement plus rapides que les variations de cette te sion inductrice. C'est bien là un phénomène "moteur-générateur" même si les "vibrations" magnétiques internes du noyau ne peuvent pas être mises en évidence d'une autre manière.
Le terme "vibration" mis entre guillements est un terme ainsi mis à part pour désigner les changements rapides de sens magnétique à l'intérieur des matériaux et pour ne pas confondre avec les vibrations mécaniques des tôles magnétiques assemblées. Ces t8les magnétiques parallèles, en se repoussant mutuellement du fait de leurs aimantations de mêmesens,causent des bruits très gênants qu faut réduire au minimum par un serrage très fort des t8les, et ce qui est mieux, par collage des tôles entre-elles.
La rapidité d'établissement de la cyclo-surtension est fonction comme il a déjà été dit, de la forme du cycle d'hystérésis du matériau. Plus la pente d'aimantation ou de désaimantation avant le coude de saturation est grande et plus l'inversion de sens magnétique est rapide. Elle est fonction aussi de la puissance magnétisante, car, plus la puissance magnétisante est grande pour une fréquence donnée, plus la rapidité de croissance de l'intensité es grande.La vitesse de basculement du magnétisme est donc une fonc tion complexe et qui lie pour une fréquence d'alimentation ou indu trice donnée caractéristiques du matériau et puissance magnétisan
En théorie, on peut dire, d'une manière grossièrement simplificatr que si 700.mA sont nécessaires pour faire basculer l'aimantation dans un matériau donné, il faudra 1A d'intensité magnétisante pour que la vitesse de variation du magnétisme du noyau soit dix fois plus rapide que la vitesse de variation de l'intensité inductrice.
Cette variation différentielle, entre variation du champ inducteur et variation de l'aimantation du noyau, n'est jamais utilisée à la différence maximale du quotient possible de ces deux vitesses, car les matériaux courants n'ont pas un cycle d'hystérésis parfaitemen rectangulaire et les pertes "fer" dans le matériau du noyau pour les inductions très élevées tendent à devenir très importantes et réduisent le rendement du dispositif Et d'autant plus qu'il n'y a pas de relation rigoureuse entre coefficient de qualité (rapport .Z1-) et rapport des vitesses d'inversion de sens magnétique (vitess VI et rapport de variation du courant inducteur dans le solénolde comparée à la vitesse de variation du sens magnétique dans le matériau du noyau.
Les dispositifs à résonance de cycle ou cyclo-résonance magnétiques sont tous destinés, dans la présente invention, à générer et amplifier des oscillations magnétiques inter-cristallines à l'intérieur d'un matériau matériel magnétique, -ferro1 para ou dia magnétique ou dans des alliages ou combinaisons de matériaux appartenant à ces différents groupes.
D'où également la désignation résumée de l t 11 invention
Générateur Amplificateur de Vibrations Atomiques Magnétiques
Cohérentes par Résonance Electro-agnétique
L'anisotropie magnéti-que du matériau facilite cette cyclo-réso nonce. Les tôles à grain orient ont un coefficient , de cyclo- surtension égal à 9 ou 10. Ce coefficient diminuant lorsqu'une charge est branchée, en parallèle, sur la self.
Les cristaux qui ne sont pas ferro-magnétiques, mais qui ont un axe magnétique préférentiel, ont besoin de fréquences élevées pour manifester la cyclo-résonance. Nais la fréquence seule ne suffit pas. Ce qui caractérise tous les dispositifs, objets de ce deuxième certificat d'addition, c'est qu'ils font agir dans un noyau matériel, et par l'intermédiaire d'un ou plusieurs bobinages,deux courants électriques et donc deux flux, déphasés l'un par rapport à l'autre.
Ces deux courants, produits ou non par la même tension, évoluent différentiellement à la même vitesse, ou à une vitesse différente de la vitesse de variation de la tension inductrice.
Ainsi. dans le dispositif de la Fig. t , le condensateur aurait pu être remplacé par une résistance. Le rendement diminuerait beaucoup, mais le dispositif fonctionnerait cependant.
Une variante du dispositif A, est le dispositif B, où la self 2 est placée entre deux condensateurs Fig. 7 . La stabilité de la cyclo-surtension est encore améliorée par ce dispositif B. Pour réaliser un auto-transformateur ou un transformateur à cyclo-réso- nance et à cyclo-surtension stabilisée, triphasée, trois dispositifs,
A ou B, sont utilisés. Les trois tensions VI étant déphasées entreelles de 1200. Lorsque trois solénoïdes sont bobinés sur les trois colonnes d'un transformateur triphasé, le branchement de ces enroulements est fait comme indiqué sur la Fig. 9 ,et à partir des trois phases 1,111 III. Ce troisième dispositif, de ce deuxième cer ti-icat d'addition, est appelé dispositif C.Sur la Fig. 8 , les groupes de quatre traits fins parallèles, figurent les colonnes du transformateur. Les culasses du transformateur triphasé ne sont pas représentées. Les condensateurs représentés en pointillé et disposés de autre côté des solénoïdes du transformateur triphasé sont mis en service lorsque les tensions aux bornes des enroulements primaires V4,V5,V6, ou aux bornes des enroulements secondaires
V7, V8, V9, ne sont pas suffisamment stables. Les circuits magnétiques des dispositifs A,B et C sont constitués préférentiellement pour les basses fréquences de ferro-silicium à grains orientés, en plaques ou en fils, et pour les fréquences supérieures au KHz ferrites, de ferro-nickel, ferro-cobalt, ou d'autres alliages ayant de bons coefficients de cyclo-surtension primaire ou secondaire.
La raison pour laquelle la cyclo-surtension V2 est stable, mtme lorsque la tension inductrice V7 augmente beaucoup et, malgré le ait que l'augmentation de courant magnétisant augmente la vitesse d'inversion de sens magnétique à l'intérieur du noyau; c'est que cette inversion, quel qu'en soit la vitesse différentielle, n'a lieu que deux fois par période. En effet, lorsque l'intensité magnétisante augmente,la pointe de tension plus forte ainsi générét par auto-induction est toujours étalée sur une demi période du courant inducteur. Autrement dit : plus forte tension générée en un temps X très court1 mais étalée dans un temps Z, est égale du point de vue effet tensionnel moyen sur une demi période (temps Z) à une tension plus faible générée dans un temps Y plus grand, mais étalée, elle aussi, dans le même temps Z (demi période).
Sur la Fig. 8 , trois autres enroulements secondaires sont représentés. Ils sont branchés en série, toujours de même sens, sur les trois colonnes du transformateur triphasé. Entre les bornes extrêmes, la tension V10, qui est mesurée, est aussi une tension à fréquence triple de la fréquence des tensions V4,V5,V6. -Ce dispositif C, est aussi un dispositif stabilisateur de tension. il peut être utilisé pour l'une ou l'autre de ces fonctions, ou pour les deux à la fois.
Une caractéristique très importante du dispositif inventé consiste à obtenir une baisse de tension, tant aux bornes de la self que de la capacité, lorsque l'intensité absorbée par l'utilisation (en parallèle sur self ou capacité augmente beaucoup et "shunte" en quelques sorte soit la self, soit la capacité). En effet, ainsi que montré sur les Fig.5j6 , . ce dispositif d'utilisation (représenté par une lampe sur ces figures) peut être branché aux bornes de la self, ou aux bornes de la capacité.
Cependant, l'effet de stabilisation existant seulement aux bornes de la self et avec un noyau précédemment caractérisé, il faut que les variations de la tension d'alimentation soient relativement
faibles pour que l'utilisation puisse être branchée aux bornes du
condensateur. En contrepartie, l'utilisation branchée aux bornes
du condensateur permet de bénéficier d'une tension plus importante
à la cyclo-surtension (V3#VI+V2). Un autre avantage du dispositif
à cyclo-surtension inventé, est d'obtenir au moment-du "shuntage"
de la self ou du condensateur, (faible résistance d'utilisation aux
bornes de la self ou du condensateur) une inversion de surtension.
En effet, on a à la cyclo-surtension : V3 ~ V1+V2 et, au moment du
"shuntage", comme avant l'établissement de la cyclo-surtension
V2#V1sV3. Ces deux avantages: disparition de la surtension et in
version des rapports de tension, lorsque l'intensité débitée en pa
rallèle sur la self, ou le condensateur, augmente beaucoup, permet
d'adapter aux bornes de la self ou de la capacité du dispositif A ou B ou C, les dispositifs appelés D,F et.E, dans le présent certi
ficat d'addition, et illustrés par les Fig. 10, et 11 et 12. Les Fig4O
et 11,représentent à partir d'un redresseur 6 (Fig.9 ) dont les entrées alternatives sont, comme vient d'entre dit, branchées aux bor -nes V2 ou V3, deux dispositifs différents d'oscillateurs électri
ques et sous forme de schémas représentant les différents compo
sants utilisés. Ces oscillateurs, à triple sécurité d'automatisme, sont caractérisés par l'utilisation de composants (thyristors et
transistors en particulier) particulièrement économiques et par le
fait qu'ils sont à oscillations controlées. Le blocage des thyris
tors est automatique (première sécurité) lorsque les conditions
d'oscillation ne sont plus réalisées et lorsque le courant débité augmente au-delà de la valeur maximale prévue (chute de tension aux bornes V2 et V3). A ce moment là, sur la Fig. 9 , la tension alternative réduite allant au redresseur 6, n'est plus capable de traverser le dispositif 7, qui génère la tension de commande d'ouverture des thyristors 8 et 9.Le thyristor 8, est déjà désamorcé
depuis la baisse de la tension redressée et le thyristor 9, se blo
que à son tour lorsque le condensateur est déchargé. Le condensa
teur 10 ne venant plus combler les vides entre les alternances re
dressées du courant d'alimentation, les thyristors Il et 12 de la
Fig.10, ou les thyristors 13 et 14 de la Fig.ç, se bloquent lors
que la tension passe à zéro. il s'agit du cas fréquent des deux
thyristors en série se trouvant, ou continuant, d'être accidentel
lement amorcés en même temps.Après ce blocage, la tension remonte,
et quel que soit le dispositif, celui de la Fig.- 10 ou celui de la nig.ff , le condensateur 17 ou le condensateur 19, peuvent se re-
charger grâce aux résistances 16 pour le condensateur 17,et 18 pour
le condensateur 19.
Le condensateur 10, Fig. 9 , se recharge aussi pour les mêmes rai
Les dispositifs à Zener et seuil de tension qui permettent l'amorçage des thyristors, ou la commande des transistors, sont re présentés sur les dessins par un losange avec un point au milieu.
La Fig.13 , représente une variante possible de ces dispositifs d commande avec un transistor uni-jonction, une Zener et un condensateur qui en se déchargeant dans le primaire d'un transforea- teur1 induira au secondaire ou aux secondaires de ce même transfc mateur, une tension suffisante pour permettre l'amorçage d'un thg ristor ou l'ouverture d'un transistor. Pour avoir une ouverture fermeture plus franche des transistors, ces derniers, sont alimen à partir d'une bascule dite"Trigger de Schmitt". De même que les thyristors sont déclenchés par un autre thyristor plus sensible" plus petit modèle et branché entre gachette et cathode du thyrist principal.Les transistors secondaires constituant la Trigger-d
Schmitt, de même que les thyristors auxiliaires, ne sont pas repr sentés sur les figures de la description. Les composants de la Fig. 13. sont représentés par des symboles normalisés et n'ont pa reçu de numéro spécial car le fonctionnement de ce dispositif, av transistor uni-jonction, est tout à fait classique.
Par contre, le fonctionnement des oscillateurs des Fig.iQet est le suivant : lorsque après le blocage des thyristors (de la manière qui vient d'être expliquée) les tensions V2 et V3 remonte les résistances 16 ou 18, suivant le cas, permettent la recharge des condensateurs 17 ou 19.
Ces condensateurs sont les condensateurs d'oscillation. Leur recharge lente, après incident, constitue la deuxième sécurité d' tomatisme et comme la première, elle est directement liée aux caractéristiques du dispositif A. Lorsque les condensateurs d'osci lation des dispositifs D (Fig.1D) ou E (Fig.11) sont presque en f de charge, les dispositifs à seuil de tension 20 et 23 qui sont placés en parallèle sur eux, alimentent les circuits d'amorçage d thyristor 12 sur la Fig.10, et du thyristor 14 pour la Fig.ii
Les dispositifs 20 et 23, commandent également la base du tra sistor 26 pour la Fig.iO, et du transistor 27 pour la Fig.1i
Cette commande se faisant, comme il a été dit, par l'intermédiair d'un Trigger de Schmitt.Le condensateur 19, se décharge dans la self 28, et le condensateur 17 dans la self 29.
Lorsque les condensateurs sont presque complètement déchargés la tension à baissé aux bornes de ces derniers, l'intensité à généralement fait de m8me et les dispositifs à seuil de tension 22 pour la Fig. 7o, et 31 pour la Fig. Il . peuvent alors délivrer une impulsion qui bloque les transistors (26 & 27). Ce blocage des transistors amène l'intensité de fin de décharge à presque zéro en un temps très court.Les thyristors 12 et 14 sè bloquent alor et la tension aux bornes des transistors eux-mêmes déjà bloqués, et en série avec les thyristors, n'est cependant pas élevée puisque en fin de décharge, comme en fin de charge, la coupure du circuit oscillant n'a lieu que lorsque la tension aux bornes du condensateur est presque égale et opposée à la tension d'alimentation ou lorsque la tension aux bornes du condensateur est devenue très basse (condensateur déchargé). Les dispositifs à seuil de tension qui commandent le blocage des transistors, et donc des thyristors en série, sont représentés sur les dessins par deux losanges concentriques avec toujours un point au milieu.Ceci pour les distinguer du dispositif qui commande la mise en conduction des transistors ou l'amorçage des thyristors; cependant seul le dispositif 22 est a basse tension et une
realwsatiors possible de ces montages a basse tension avec transistor unijonC
tion est dessine FIG 14
Les Fig. 13 et |+ ,sont des schémas possibles de dispositifs créa- teurs d'impulsion pour la commande de gachettes de thyristors ou de bases de transistors. Mais tous les autres dispositifs classiques (diac, SUS, SBS, néon, etc.) peuvent convenir.C'est pourquoi il n'y a pas de numéro de référence pour les composants de ces Fig.1çet 4 ,Sur la Fig. , et à cause de la symétrie des condensateurs 15 et 17, lorsque la tension est presque nulle aux bornes du condensa- teur 17, la tension est maximale aux bornes du condensateur 15 et vice-versa. Le dispositif à seuil de tension 31, délivre une impulsion pour bloquer le transistor 27. De la m8me manière, lorsque c'est le condensateur 15 qui se déchargera, le dispositif 24 délivrera une impulsion de blocage pour le transistor 33.
Les dispositifs 24 et 31 sur la Fig.a, sont des dispositifs à seuil de tension mais réglés pour fonctionner à une tension inférieure à la tension de-fonctionnement des dispositifs 23 et 30.
Ces dispositifs intermédiaires sont nécessaires et constituent avec les selfs oscillatrices 28 pour la Fig.jO, , et 29 pour la Fig.1t , la troisième sécurité d'automatisme des oscillateurs à flux différentiel et semi-conducteurs. Le dispositif 21 Fig. 10 fonc
tionne a une tension inferieure a la tension de fonctionneeentddi;spositf 20
COMME LFS AUTRES DISPOSITIFS 24 & 1 Eg. 11
En effet, il est d'abord nécessaire de bloquer le courant électrique entre le ou les condensateurs de contrôle d'oscillation et les selfs principales.Condensateur 19 pour l'oscillateur P, Fig.10 et condensateur 15 ou 17 pour l'oscillateur E , Figil , et avant de recharger ces condensateurs de contrôle d'oscillation.
Lorsque les transistors 26, Fiv.10 , et 27, Fig.ll , se sont bloqués, les selfs 28 & 29 ont été le siège d'un extra courant de rupture qui a chargé les condensateurs 36 pour la Fig.lO , et 37 pour la Fig.l 1 . Ceci pendant que les transistors se bloquaient en toute sécurité puisqu'il y a, branché entre Collecteur et Emetteur, un circuit constitué par une Zener 40 et une résistance 41.
Si la tension directe aux bornes EqC, du transistor, dépassait la valeur VCE0 recommandée, le courant résultant traverserait la Zener 40 et la résistance 41. En sens inverse, l'effet de protection serait encore plus grand puisque le transistor serait pratiquement court-circuité.
C'est d'ailleur l'efficacité de cette protection qui conduit au dispositif F, qui peut être intégré à l'oscillateur B ou C, en remplacement des thyristors lorsqu'il est nécessaire de produire des oscillations très rapides de l'ordre du M Hz, ou davantage. Il s'agit d'un nombre non limité de transistors ayant un VCE0 très faible1 donc des transistors très économiques,et qui sont branchés en série. Les commandes des courants de base de ces transistors sont tcutes synchroniséev de manière à bloquer1 ou rendre passant, tous les transistors en même temps. Les circuits de protection placés en parallèle sur eux sont toujours l'association d'une diode Zener 40 et d'une résistance 41.Si l'un des transistors ne se bloque pas, pour une raison quelconque, la tension aux bornes de chacun des autres transistors augmente et un dispositif de sécurité quelconque, peut à partir de cette information (augmentation d'intensité dans les résistances 41) arrêter l'oscillation. Il en est de même lorsqu'un transistor ne se débloque pas. Le courant passe dans la
Zenner 40 et la résistance 41 qui sont en parallèle à ses bornes
Collecteur-Emetteur et il est alors possible, de la même manière que précédemment de bloquer l'oscillation.
Les condensateurs 36 (Fig.lO ) et 37 (Fig.ii ), vont se décharger dans le seul primaire des transformateurs 43, Fig.l O , et 45 Fig.ii . En effet, lors de la charge de ces condensateurs 36 et 37 les résistances 42, Fig.lO , et 44, Fig.11 , ont limité le courant dans les transformateur 43, Fig.l0 , et 45, Fig.11 , afin que les condensateurs 36 et 37 puissent se charger suffisamment. Les diodes Zener 32 pour le condensateur 36 et 35 pour le condensateur 37 évitent la charge de ces condensateurs par des impulsions parasites.
es secondaires des transformateurs 43, Fig. 10, et 45, Fig.11, sont nis en opposition avec les secondaires des transformateurs 54 Fig.10, et 53, Fig.11 . Secondaires de 43, en opposition avec un secondaire de 54. Secondaire de 45 opposition avec un secondaire de 53. Les obinages de ces transformateurs sont étudiés de telle manière qu'il 'y ait pas d'impulsion de commande générée à partir de ces couplages me transformateurs tant qu'un courant circule dans la self 28, pour la ig.iO ,et dans la self 29 pour la Fig.11 .Lorsqu'il n'y a plus de courant dans 28 et 29 et que les condensateurs 36 Fig.10 ,et 37
Fig.11 , continuent à Ee décharger dans 43, Fig.10 ,et 45 Figli es impulsions de courant sont remises et pénètrent dans les gâchet- tes des thyristors 11 Fig30 ,et 13 Fig.11 . Dans le même temps, une autre impulsion, issue d'un autre secondaire de ces même trans orateurs, pénètre dans la base des transistors 46 pour la Fig. 10 et 33 pour la Fig.11
Les condensateurs 19(Fig.lO ) et 17 vont commencer -a se rechar er, tandis que le condensateur 15(Fig 11)commence à se décharger,
Un courant recircule dans les selfs 28 Fig.1O ,et 29 Fig.11 , et lors de la rediminution du courant dans les selfs principales 28 Fig.10 O et 29 Fig. 11, suite au blocage extrêmement brûtal des transistors 46, ig.10,et 33 Fig.11 . L'extra-courant de rupture très brusque et important chargera les condensateurs auxiliaires 38 FiglO, et 39
Fig.11 , au travers des diodes Zener 34 Fig.1O,et 52 Figil .Les résistances 47 Fig.10, et 50 Fig. 11, limitent le courant dans les primaires des transformateurs 48 FiglO , et 51 Fig.11
Comme pour les couplages des transformateurs 43-54 FiglO ,et 45-53 Figli ,le couplage des secondaires des transformateurs 48-54
Fig.10 ,et 51-53 Fig. 11 ,sont réglés de manière que la commande de -ise en conduction des thyristors et des transistors 12-26 Fig.l0 et 14-27 Fig. 11 ,ne se produise que lorsqu'il n'y a plus de courant dans les selfs 28 Fig.l0 ,et 29 Fig.11 . Sur la Figil ,seulement a été représenté, le secondaire 55 qui débitera la tension induite V16 fréquence réglable par la valeur des condensateurs d'oscillation.
lorsque ces dispositifs D ou E sont employés -au contrôle de vitesse os moteurs a induction, suivant l'alimentation diphasée ou triphasée
Se ces moteurs, il est utilisé deux ou trois des dispositifs D ou E; -ais les selfs principales d'oscillation sont remplacées par les oroulemen.- du moteur à controler.
Le noyau magnétique des selfs principales , lorsqu'elles en so pourvues, peut être réalisé en matériau à grain orienté, ou en fer rite douce, et suivant la technique des dispositifs G1 explicités plus avant, de manière à réaliser une multiplication de fréquence et une limitation automatique du courant induit.
D'autres dispositifs multiplicateurs de fréquence peuvent être obtenus à partir des montages à flux différentiels et sans utilisation de semi-conducteur. Ce sont les dispositifs G,H,J,L,M,N et'
Les dispositifsG,H,J,-L, utilisent du courant alternatif monophasé, les dispositifs M,N etW des courants alternatifs triphasés.
Les noyaux magnétiques de ces derniers dispositifs sont toujou des matériaux sélectionnés par le dispositif A. D'une manière générale, et sauf indication contraire, ce sont les matériaux ferromagnétiques à cristaux à grains orientés qui sont les plus performants et qui sont utilisés dans les montages de ce deuxième certificat d'addition.
Le dispositif de la Fig.15 , est un dispositif G. Il se compose d'un circuit magnétique à cristaux à grain orienté 56, en deu parties, en forme de C. Ce circuit magnétique est constitué de tô les minces, épaisseur comprise entre 0,1 et 0,35 millimètres, et isolées entre-elles. Il peut être également constitué par des fi isolés de fer silicum, ou d'autres alliages magnétiques à cristaux à grain orienté. Ces fils ont un diamètre compris entre 0,1 et O, millimètre pour diminuer les "pertes fer" toujours importantes dan ces dispositifs
Les solénoldes inducteurs du dispositif G, Fig4S , sont repérées 57 et 58.Ils sont représentés à côté et de part et d'autre du circuit magnétique 56 pour la clarté du dessin et la facilité de l'explication, bien qu'en fait ils soient bobinés sur le circui magnétioue. En pratique, les bobinages sont réalisés à part.
Les noyaux en C du circuit magnétique qui ont une section constant sont introduits dans les bobines creuses, un noyau en C par les ex trémités de deux bobines. L'autre noyau en C, par les autres ex trématés des deux mêmes bobines. Ces noyaux sont enfoncés jusqu' ce qu'ils se trouvent au contact l'un de l'autre et ils sont maintenus en contact, et serrés pour bien fermer le circuit magnétique avec le minimum d'entrefer, par le moyen classique d'un ou plusien colliers qui font extérieurement le tour des noyaux magnétiques.
Le solénoïde 57 Figes , placé sur un côté du noyau plus de spires que le solénoïde 58 placé sur l'autre côté du noyau. Comme il a été dit dans la description du brevet d'invention initial et dans la description du premier certificat d'addition, le solénoïde 58 n'a, en nombre de spires, que les deux tiers du nombre de spires du solénolde 57. Cette différence peut varier de 10 à 90 d sui suant le type de matériau magnétique du noyau. Avec les noyaux en ferro-silicium à grain orienté, le solénoide 58, a un nombre de spi res qui est compris entrera 0O ss du nombre de spires de l'en- roulement 57.Ce pourcentage n'est pas rigoureux et il doit être ajusté en fonction du matériau, comme il vient d'être dit, mais aussi en fonction du rendement, car si la différence entre les nombres de spires est très faibla,la courant ma & étisant est plus important.
En effet, ,ces solénoldes 57 et 58 sont connectés en série mais de telle manière que, parcourus par un courant alternatif monophasé ils produisent dans le noyau 56, qui leur est commun, deux flux magnétiques inégaux et opposés.
La réalisation pratique d'un tel montage consiste à inverser le sens d'enroulement d'un solénolde au suivant.
Cette disposition d'enroulements inégaux et de sens opposés sur un même circuit magnétique n'est pas nouvelle et elle est connue depuis longtemps puisque cette disposition produit un certain déphasage d'aimantation entre les deux cotés du noyau 56. Déphasage de 900 dans le meilleur des cas.
Tout se passe comme si le déphasage constaté à l'intérieur du noyau magnétique dans le dispositif A, et produit par la mise en série d'un condensateur ou d'une résistance avec le bobinage peu résistant d'une self bobinée sur ce noyau, se produisait également sans condensateur ou self intercalaire, mais seulement du fait de ces deux bobinages inégaux en série et aimantant en sens inverse le même noyau magnétique.
Ce qui fait l'originalité du dispositif inventé c'est qu'un condensateur est connecté en parallèle sur l'un des solénoldes en série. Sur la Fig.15 , un condensateur est connecté en paral- vièle sur 57. C'est le solénoïde qui a le plus de spires. Un condensateur 6V, pourrait être connecté en parallèle sur le solé noise 58, mais les résultats, au point de vue de stabilité de fréquence, sont parfois moins bons. C'est pourquoi ce condensateur 60 est représenté seulement en pointillé sur la Fig.15 . On ne peut mettre en même temps un condensateur en parallèle sur le solé noide 57 et un condensateur en parallèle sur le solénoide 58.Il faut choisir en fonction du matériau magnétique du noyau.
La capacité du condensateur en parallèle sur l'un des deux so- lénoides est fonction de la self du solénolde aux bornes duquel il est fixé. Il est aussi fonction du rapport des nombres de spires des deux enroulements. Cette capacité est ajustée pour ne produire ni interférences,ni battements entre la fréquence d'alimentation et la fréquence supérieure produite dans le noyau magnétique par le montage qui vient d'être décrit. Par contre1 pour réaliser un générateur de parasites, un mauvais rapport self-capacité, produit une tension induite dont l'amplitude et la fréquence varient constamment.
Cette fréquence supérieure produite dans le noyau magnétique devra donc pour- être stable, être un multiple entier de la fréquence du courant alternatif d'ali-mentation. Elle sera donc 2,3,4,5,7,9,11,13,15,17,21 fois plus grande. Avec une nette tendanse pour les multiples impairs.
Pour faire varier la fréquence induite produite dans le noyau il faut changer la valeur de la capacité 59. Plus grande capacité pour fréquence plus faible, plus faible capacité pour fréquence plus grande.
Cette fréquence supérieur e induite dans le noyell se traduit par l'apparition, par induction toujours, d'une tension à cette même fréquence dans des bobinages qui sont concentriques aux solénoldes inducteurs 57 et 58 de la Fig 5 ; ce sont les solénoïdes 61 et 62 qui peuvent avoir chacun le même nombre de spires, ou des nombres de spires sensiblement équivalents. Ils sont connectés en série de manière à additionner les tensions induites ou de manière inverse pour que la tension V1) soit la différence entre la tension induite dans le solénode 62 et la tension induite dans le solé noise 61. En effet, et à cause à la fois des nombres de spires différents des solénoïdes inducteurs 57 et 58 d'une part, et d'autre part, à cause de la présence de la capacité en parallèle sur le solénorde 57 ôu 58, les tensions induites à droite et à gauche, sont le reflet des flux différentiels à l'intérieur du noyau et sont donc inégales.
Si les solénoïdes 61 et 62 sont connectés en série de manière a additionner les tensions induites, la tensionV11 est importante, mais si le courant débité doit être important, la tension baisse beaucoup, la multiplication de fréquence disparait et il n'y a plus qu'un courant alternatif de la même fréquence que la fréquence de la tension V1 d'alimentation du dispositif.
Par contre, si les solénoïdes 6t et 62 sont connectés en série
de manière à soustraire leurs tensions induites1 la tension résultante est de trois à cinq fois plus faible que dans le montage des enroulements induits en série "additive", mais l'intensité induite beaucoup plus importante, est cependant limitée en charge à la valeur désirée.Et ce qui est plus important, ce que dans le montage des enroulements induits en série "soustractive" les bornes d'extrémités de VII peuvent être mises en court-circuit, l'intensité aximale débitée est toujours produite à la même fréquence que l'on avait constatée à circuit ouvert et qui est un nultiple entier de a fréquence VI. La puissance utile que peut fournir ce dispositif à multiplication de fréquence est presque égale à celle que pourrait fournir un transformateur classique qui aurait le même poids de fer et de cuivre. Toutefois, pour un type G donné, le rendement est maximum pour une fréquence multiple bien définie.
Ce qui est très avantageux dans le dispositif inventé, c'est qu'il peut fonctionner comme un auto-transformateur. En effet, si on intercale entre les deux enroulements inducteurs 57 et 58, une self 63 ou une charge 5, on constate, lorsque le dispositif est sous la tension VI, l'apparition d'une tension V12 et la circulation dans la self 63, ou dans le condensateur 64, ou dans la charge 5, ou l'ensemble de deux de ces éléments, ou les trois ensemble, d'un courant qui est à une fréquence multiple de la fréquence dela tension d'alimentation V1. La forme d'onde des courant alternatifs recueillis en VII ou V12 , n'est pas parfaitement sinusoidale. Mais elle peut être améliorée par résonance, en branchant une capacité en parallele ou en série avec l'utilisation. Sans capacité elle ressemble au graphique Fig.16
Le rendement des dispositifs à flux différentiels G et H, n'est pas aussi bon que celui des transformateurs classiques et pas aussi bon, non plus, que le rendement des autres dispositifs, objet de ce deux sème certificat d'addition.
Le plus mauvais rendement est dû essentiellement aux "pertes fer" oui peuvent être réduites considérablement en remplaçant les tôles planes en ruban, ordinairement utilisés, par des fils de même alliage et de diamètre comparable ou légèrement supérieur à l'épaisseur des tôles à grain oriente courantes.
La Fig.15 , montre avec des lignes en pointillé avec flèches que les flux magnétiques s'opposent hors des bobinages et ont tendance à sortir du noyau magnétique pour se fermer dans l'air. En sortant du noyau les lignes de force du champ traversent dans tox les sens les t8les du noyau. Les lignes de force qui travereent perpendiculairement les tôles constitutives du noyau y induisent des courants de Foucault très intenses puisque la surface offerte à ces courants est un multiple de la largeur des t8les du noyau.
Le montage en auto-transformateur du dispositif G Fig.15 , et l'utilisation de la tension V12 est particulièrement intéressant,
Car, en choisissant une capacité 64 convenable, il est possible d faire que V12 soit trois à quatre fois plus grand que V7. C'est comme le dispositif A, un dispositif multiplicateur de tension ma il est en plus, multiplicateur de fréquence.
Cette possibilité d'avoir V12 oV1 permet d'utiliser le disposi tif G à l'allumage des tubes d'éclairages sans danger et en toute sécurité car1 lorsque le tube amorcé peut laisser passer une intensité importante, la tension V12 baisse et l'intensité est limi tée à une valeur inférieure à celle qu'elle aurait dans le dispositif sans la présence de la charge 5. Aux deux fonctions précédentes: multiplication de tension et de fréquence, s'ajoute la limitation automatique d'intensité en charge ce qui permet d'utiliser les dispositifs G au démarrage des moteurs électriques de grande puissance.
Le processus de la multiplication de fréquence dans le dispositif G Fig.lS , se rapporte toujours à la cyclo-résonance magnétique car1 il y a aussi une cyclo-surtension aux bornes des solé nordets 57 et 58.
Le mécanisme générant les oscillations dans le dispositif G Figes ,peut s'expliquer en considérant le début de pénétration dt la tension dans le dispositif. Le condensateur 59 se charge en même temps que l'intensité correspondant à cette charge parcourt le solénoïde 58. La cyclo-résonance s'amorce presque instantanément dans cette fraction de circuit. Dès que le courant parcourt le solénoïde 58, il génère par induction dans le solénoïde 57 une tension opposée à la tension inductrice V7. Hais cette tension et inférieure au coefficient de cyclo-surtension aux bornes du condensateur 59.
Ce condensateur 59, se décharge en même temps que s'inverse le sens d'aimantation dans le solénoïde 58. Le courant inducteur de même sens que le courant de décharge du condensateur 59, parcourt les deux solénoTdes 57 et 58 en série et empêche, de ce fait, l'isochronisme des oscillations magnétiques dans le dispositif.
C'est ce que montre la Fig.1 6 . Le matériau magnétique du circuit 56
est cependant dans les conditions de "vibration", puisque les deux
champs magnétiques créés dans le matériau par le courant inducteur
sont en opposition, ainsi que le montrent les lignes en pointillé
avec flèches, qui sortent en haut et en bas du circuit magnétique 56,
Le champ magnétique de la portion de noyau se trouvant dans le
solénoïde 57 s'inverse et la tension, induite de ce fait dans le
solénoïde, commence à charger le condensateur 59 en même temps qu'
elle réduit l'intensité du courant inducteur qui traverse le solé
nove. Cette tension dans le solénoide 57, est, comme au-début du
fonctionnement du système, en opposition avec la tension VI.
Le condensateur qui à commencé à se recharger poursuit et accé
lère sa recharge du fait de la cyclo-résonance qui se manifeste, à
nouveau1 dans le solénoïde 58. Ces alternances de charge et de dé
charge du condensateur 59 ( ou du condensateur 60, lorsqu'il est
utilisé) se poursuit à une fréquence qui dépend des valeurs res
pectives des selfs 57,58 et du condensateur 59 (ou 60).
La fréquence dépend aussi du matériau constituant le circuit ma
gnétique 56. Comme déjà dit, les noyaux en fils de ferro-silicium
à grain orienté permettent de multiplier la fréquence par 3,4,5,7
ou 9, avec un rendement convenable.
A défaut de noyaux en fils, les tôles minces conviennent et, en
ce qui concerne la forme de ce circuit magnétique, il peut avoir
des formes diverses différentes de celle qu'il a sur la Fig.15 . Il
peut être en quatre parties comme montré sur la Fig.7
Sur cette Fig.7 , les culasses référencées 67, sont faites de
tôles assemblées à plat, mais croisées à angle droit avec les tôles
des colonnes. Sur la Fig.19 , le circuit magnétique en deux par
ties est constitué de fils élémentaires assemblés. Les deux ensem
bles magnétiques 1, courbés en forme de L, sont terminés par des
colliers8,qb.U emooutE, d'où les fils affleurent, et ces embouts per
mettront de fermer le circuit magnétique par des vis, ou autres
dispositifs de serrage.
Lorsque le circuit magnétique est constitué comme sur les Fig.7
ou'19 ,en deux parties latérales réunies par le haut, à l'extérieur
des bobinages, les solénoldes inducteurs ne sont plus au nombre de
deux, mais au nombre de quatre. Il faut en effet que le flux dif
férentiel soit appliqué à un noyau de section et de texture cris
talline homogène. C'est pourquoi, sur chaque branche du circuit -magnétique Fig19 ,il y a deux bobines à nombres de spires différents.
Si les flux différentiels étaient opposés, de part et d'autre d'un entrefer, le rendement serait beaucoup moins bon.
Sur la Fig.15 ,les solénoldes 57 et 58 peuvent être considérés chacun comme la réunion de deux solénoides qui agissent, l'un sur la partie supérieure du circuit magnétique 56(C supérieur) et l'autre sur la partie inférieure de ce même circuit magnétique 56(C inférieur). Il s'agit li (Fig.lS ) d'un circuit magnétique en deux parties transverses et réunies par le milieu à l'intérieur des bobines inductrices.
Une variante de ce dispositif G consiste à associer trois dispositifs en parailèie et a ies alimenter par un courant triphasé, la sortie des selfs 58 est réunie à un point commun. On obtient, aux bornes des secondaires en.série/ une tension alternative et à fréquence triple de la fréquence du primaire. Il n'y a pas de condensateurs pour ce montage.
Une autre variante du transformateur générateur, objet de ce deuxième certificat d'addition, est le dispositif H, schématisé par la Fig.20 . Sur cette Fig.20 , le circuit magnétique semblable à ceux du dispositif précédent G n'est pas représenté pour ne pas surcharger le dessin. Les bobinages à flux différentiel 57 et 58 sont représentés. Ils sont semblables à ceux du dispositif G. Entreeux sont représentés les enroulements des induits 61 et 62 qui ont, comme sur la Fig.iS , des nombres de spires semblables.
Le fonctionnement du dispositif H s'apparente au fonctionnement des dispositifs A et G. Le courant produit par la tension V1 traverse le condensateur 3 et l'enroulement 58 qui a la plus faible réactance de self. La cyclo-résonance magnétique s'amorce si les rapports self et capacité ont bien été établis, comme expliqué au début de la descriptionune partie du circuîtniagnetique 56 est en pointille
L'ensemble de la self 57 et du condensateur 69, se trouve en parallèle sur la self 58, dont la tension vient d'être amplifiée et stabilisée (cyclo-résonance magnétique et surtension).Mais, cette self 57 a le même circuit magnétique que la self 58 (voir Fig.I S et la tension induite dans cet enroulement s'oppose à la tension aux bornes de 58. En même temps, il y a par construction un montage multiplicateur de tension en cascade, puisque la tension V13 devient la tension VI d'un nouveau dispositif A, constitué par le condensateur 69 et la self 57.
Une deuxième cyclo-résonance et cyclo-surtension s'établit aux bornes de 57 et de 69. Le résultat de ce montage en cascade avec circuit magnétique pour deux, est que le condensateur 69 se décharge -ians les selfs 57 et 58 après le premier changement d'état magnétique du circuit 56. L'état magnétique de56 bascule à nouveau et une "ribra-tion" s'établit.
Une oscillation électrique, reflet de la "vibration" magnétique du matériau du noyau 56 parcourt la self 57 car, le deuxième changement d'état de 56a généré dans 57 une tension qui décharge et charge en sens inverse (ai la résistance du circuit n'est pas trop grande) le condensateur 69. La valeur des condensateurs 3 et 69, doivent toujours, comme sur les montages précédents, etre étudiés en fonction des valeurs des selfs et de manière à obtenir une multiplier caution par un nombre entier de la fréquence de la tension inductrice VI. Le condensateur 71, est facultatif et sert à stabiliser, dans certains cas, l'oscillation.
Les solénoldes secondaires 67 et 62, bobinés concentriquement à 57 et 58, sont branchés en série ou indépendamment aux bornes d'un ou plusieurs condensateurs , ce ou ces circuits sont ajustés pour être en phase avec le courant induit à fréquence multiple de la fréquence de latension VI. La forme du courant à fréquence multiple ressemble au dessin de la Fig.16 . L'isochronisme est meilleur qu'avec le dispositif G.
La tension utile V1), relativement bien stabilisée, est disponible aux bornes de'la self 57. La charge 5 peut être une autre self, un primaire de transformateur, un moteur, un dispositif d'éclairage, un arc électrique, une résistance, un -autre dispositif A, ou plusieurs des organes d'utilisation qui viennent d'être décrits.
Comme les dispositifs précédents, l'intensité en charge, ou en court-circuit, est automatiquement limitée à une valeur non destructive pour le matériel. Lorsque le circuit matériel magnétique au lieu d'être fermé, c' est-à-dire, homogène sur toute sa longueur, est ouvert ou hétérogène, c'est-à-dire, avec un entrefer, le dispositif inventé correspondant est désigné par la référence L et illustré par la Fig 17 Le noyau magnétique droit est référencé 81 , pour le distinguer des autres- noyaux , qui sont fermés sur eux-mêmes.
wn ce qui concerne les bobinages, ce sont ceux du dispositif G, et ce peut être aussi pareillement ceux du dispositif H.
La longueur du barreau magnétique doit être très long par rapport au diamètre intérieur des solénoldes 57 et 58 qui l'aimantent dif - érentiellement.
Lorsque le rapport -ffi- n'est égal qu a quatre ou cinq, la forme
ies tensions V11 ou V12 ressemble au dessin de la Fig. 18
Pour que la forme des tensions se rapproche des dessins des Fig 16ou26 , il faut porter au moins à huit le quotient - > . Plus
ce rapport est grand, meilleure est la forme. Un condensateur 66
en parallèle sur une petite partie des enroulements du solénoïde 5
améliore la forme du courant.
La forme droite du noyau magnétique est surtout utilisée dans
les dispositifs à magnéto-striction avec matériaux appropriés et
fréquences ultra-sonores. Elle est également utilisée, toujours à
fréquences inductrices élevées et avec des matériaux para ou diamagnétiques ou des alliages cristallins divers, en vue de réaliser
de cette manière des Masers ou des Lasers.En effet, le flux dif
férentiel, tel qu'il vient d'être décrit-dans les dispositifs G,H
et L en particulier, produit dans les grenats de fer Yttrium par
exemple, dans les cristaux ayant une anisotropie magnétique, même
très légèrement, marquée, dans certains semi-conducteurs, et cristau:
ayant un axe magnétique ou présentant l'effet Hall, une vibration à très haute fréquence et qui est analogue à une véritableievemion de population à l'échelle atomatique. Dansl'-axe du noyau ouperpendiculairemer
Flèche n 49. Un autre disposititàflux différentiel, le dispositif J, uti lise un noyau toroldal constitué de fil isolé enroulé sur lui-même avec une entrée 71 et une sortie 72.Le fil 73 peut être ferro,
ferri, para ou dia-magnétique, ou être un alliage. Deux enroulements, toujours référencés 57 et 58 sur les dessins, lorsqu'ils créent des flux différentiels produisent, dans certains matériaux constituant le fil, une circulation électronique différentielle.
Cette circulation différentielle se traduit par l'apparition d'une
tension alternative entre 71 et 72.
Cette tension qui ressemble à une piezo-électricité dans laquelle
la pression mécanique aurait été remplacée par une "pression" ma
gnétique,peut être mise en évidence dans ce dispositif s et surtout
dans le dispositif L En effet, dans le dispositif L le barreau 8
soumis au flux magnétique différentiel des enroulements 57 et 58,
e contracte et s'allonge alternativement, s'il est réalisé en ma
tériau ferro-magnétique ayant un bon coefficient de magnéto-stricti
Dans le domaine de la radio-activé, et toujours avec le dispo
sitif L, un barreau de cobalt irradié et présentant le phénomène dt
l'émission P d'une manière désordonné peut être placé dans les en
roulements 57 et 58 en série soustractive.Si l'intensité et la fréquence de V1 sont suffisantes, il y aura apparition aux extrémités du barreau d'une très haute tension. ^ Le dispositif à flux différentiel, type L, transforme certaines substances radioactives à émission p en piles électriques.
Il peut même susciter une émission ss dans certaines Substances si l'intensité du courant inducteur et la fréquence de la tension V1 sont suffisamment élevés.
Lorsque le barreau 81 n'est plus une substance solide mais un gaz qu un liquide comme dans un laser, cette substance, pour être soumise au flux différentiel des bobines 57 et 58, est enfermée dans un tube droit scellé.
Lorsque ce n'est pas la production du faisceau laser qui est recherchée, mais la production d'un courant électrique dans un plasma ou dans un gaz ou dans un liquide, le dispositif à flux différentiel , type J, convient à la condition de remplacer la bobine de fil ?3 par un tube isolant plié en cercle ou tout simplement par un tore creux, ou par un bac circulaire, pouvant contenir un anneau liquide fermé sur lui-même.
Les dispositifs J et L, représentés par les Fig.21 et17 , ressemblent beaucoup au point de vue circuits électriques inducteurs au dispositif G. Nais, bien que non représentés sur les dessins, les selfs 57 et 58 des dispositifs K et L peuvent être branchés comme sur la-Fig.20 , avec les condensateurs 3,69 et 70. Ce qui différencie les dispositifs J et L des dispositifs G et H, c'est seulement le circuit magnétique, droit et ouvert dans le disposi tif L, toroldal et formé de fils ou de rubans isolés et traversés euxmême par un courant électrique de polarisation dans le dispositif .
En résumé, Les dispositifs G et H sont des dispositifs de branchements et d'arrangements des circuits électriques inducteurs qui peuvent être montés sur les noyaux magnétiques de tous les dispositifs précédents. Les dispositifs J et L concernent des noyaux magnétiques spéciaux qui peuvent être disposés dans les selfs et arrangements électriques inducteurs des dispositifs G ou H.
La plus grande partie des dispositifs précédents, c'est-à-dire
A,B,G,H, Jet L sont conçus pour des courants électriques monophasés.
Pour être utilisés avec des courants électriques triphasés, il est nécessaire d'associer physiquement trois dispositifs A,B,G,H,J ou L.
Cette association est même nécessaire pour obtenir des courants alternatifs triphasés induits d'une fréquence supérieure à la fréquence des courants alternatifs triphasés inducteurs. Les tensions Vil ou V13 de trois dispositifs G ou H peuvent alimenter chacune séparément, les trois enroulements d'un moteur à induction triphasé.
Suivant le réglage des selfs et des condeqsateurs des dispositifs G ou H, ce moteur pourra tourner jusqu'à près de 30.000 révolutions par minute.
Pour alimenter les dispositifs D,E,F, et toutes sortes d'autres appareillages, sans déséquilibrer les phases d'une distribution électrique à courants triphasés il y a le dispositif C, mais lui aussi est fait avec un solénoïde sur chaque colonne d'un transformateur triphasé à trois colonnes. Or, la présente invention concerne aussi des dispositifs spécialement étudiés pour multiplier par trois ou par neuf la fréquence de courants alternatifs triphasés.
Cette multiplication par trois, en particulier, est obtenue sans rglage et sans condensateur par le seul fait de mélanger, suivant les indications de la présente description, à chaque fois et sur un meme noyau les solénoïdes parcourus par les courants inducteurs triphasés.
Le dispositif M, utilise trois transformateurs monophasés à ciruit magnétique à grain orienté. Ces circuits magnétiques à grain orienté ont une forme classique en E ou en U ou sont à culasses rapportées, ainsi que le montrent les Fig.24 ,23 et 25. Ce qui est essentiel au niveau magnétique et pour l'obtention, avec un bon rendement, de la multiplication de fréquence c'est que les solénoldes inducteurs et induits soient engagés sur une colonne de tôles magné tiques homogènes, c'est-à-dire, que ces tôles ne doivent pas avoir été coupées en travers de la longueur. S'il y avait un entrefer, même très faible, au milieu du solénolde il y aurait discontinuité dans la structure cristalline des tôles et la "vibration" magnétique y perdrait en intensité.Les tôles du ou des noyaux principaux (ceux qui pénètrent dans les solénoldes) doivent dépasser suffisamment des carcasses portant les bobinages et afin de permettre la réalisation d'un bon joint magnétique, Fig.23 ,2set 25. En ce qui concerne les tôles standard à grain orienté en Z ou en T, ii n'y a pas à intervenir au niveau des dimensions des tôles, il faut simplement enchevetrer ces tôles.Pour ces tôles en E ou en U, de m?me que pour les circuits magnétiques des Fig.24 et23 , il faut bien serrer, ensemble, les tôles de chaque paquet et ensuite les culasses et les colonnes afin que les vibrations mécaniques des tô es, entre elles, soient très peu amplifiées. A saturation magnétique le bruit provoqué par les tôles qui vibrent est toujours un inconvénient qu'il faut réduire par un bon serrage.
Sur les Fig.23 , 24et25 , les tiges filetées de serrage des éléments du circuit magnétique sont désignées par la référence 65
Sur Les Fig.24 et 25 , les profils en tube inox coupé et qui contiennent les tales des culasses désignés par la référence?2 - Ces profils réalisés par tronçonnage d'un tube inoxydable a-magnétique enserrent parfaitement les tôles rectangulaires des culasses et c'est un complément du dispositif inventé pour en réduire le prix de revient. En effet, les tôle à grain orienté découpées en E ou en U sont très chères (outils spéciaux de découpage) alors que les tôles à grain orienté rectangulaires découpées avec une cisaille simple, dans un ruban de tôle à grain orienté, sont d'un prix de revient presque moitié moindre.Les profils réalisés à partir des tubes inox pourraient également être réalisés à partir de tubes acier standard du commerce, moins chers. Il en résulterait quelques pertes supplémentaires. Ce qui est important au niveau de la présente invention, c'est la rainure, référence 83 1 pratiquée par sciage dans les tronçons de tubes acier ordiraire, ou inox.- Cette rainure évite de créer un circuit électrique parasite autour des tôles de la culasse et ce qui est plus intéressant, c'est que cette rainure n'altère pas la rigidité du profil ainsi réalisé. Au contraire, il y a un effet de serrage inattendu et bénéfique qui fait que les lèvres de la fente ont tendance à se rapprocher, ce qui maintient fermement, sans besoin de serrage supplémentaire (colliers) les tôles des culasses.
Les cornières métalliques référencées 84 , sur la Fig.25 , permettent avec les tiges filetées 65 de serrer les blocs de culasses entre les colonnes. Ces cornières n'ont pas été représentées sur la Fig.24 , qui est une vue en coupe schématique du mme transf
Figure img00280001

que la Fig.25 , mais tourné de 90C par rapport à la vue de la Fig25
Les solénoïdes bobinés sur carcasse forment un bloc que l'ont ne peut pas éclater au niveau des dessins des Fig.23 > 24 et25
Ils sont représentés, sur les figures de la description, lorsqu'on ne veut pas éclater leur constitution interne, par un rectangle avec deux diagonales internes et qui se croisent au centre du rectangle. odeur numéro de référence est alors 10.
Les rondelles sont référencées sur toutes les figures par le Nu 86 , les écrous par le NO 87 . pXeprésentées déplacées, pour la clarté du dessin, sur la Fig. 24 , Les cornières de serrage de t8l magnétiques en bout des colonnes principales des transformateurs sont référencées 85. Les toles des colonnes sont 88 les toles des culasses Le circuit magnétique représenté schématiquement à la Fig. , est un circuit magnétique du commerce,qui ne fait pas partie de la présente invention, mais qui peut être utilisé comme tous les circuits standard en E ou en U du commerce à la réalisation de multiplicateurs de fréquence à flux différentiel, et à la condition qu'i soient constitués de tôles à grain orienté, ou en tôles ayant donn un bon coefficient de cyclo-surtension aux tests du dispositif A.
Chacun des trois transformateurs monophasés du dispositif H, comprend outre le circuit magnétique fermé, au moins quatre solénoSde concentriques. Trois de ces solénoïdes constituant le primaire so: rigoureusement semblables entre eux en ce qui concerne le nombre d spires. Accessoirement, mais c'est plus simple pour la réalisatio les sections des fils de bobinage et les matières constituant ces fils sont semblables. Le quatrième solénoide concentrique aux tro: autres, constitue le secondaire et peut avoir, suivant la tension désirée au secondaire, nombre de spires et sections de fils diffé- rents du primaire.
Toutefois, les trois solénoide575 des secondaires des trois transformateurs monophasés sont branchés en série et doivent être semblables entre eux, au moins au point de vue du nombre de spires.
De la même manière, les neuf solénoides des trois primaires, doi vent être semblables entre eux, au point de vue nombre de spires.
Le schéma de branchement des solénoTdes de ces trois transformateurs est représenté Fig.22 . Ce schéma commence par les bornes d'arrivée du courant triphasé qui sont référencées en chiffre romain I,II,III.
Les circuits magnétiques 7, sont schématisés, comme sur tous les dessins du présent certificat d'addition, par quatre traits fin par lèles,référenceI. Lorsquelen0n'estpasl,le circuit magnétique est spéci
Lorsque, à partir des entrées I,II et III, le sens d'enroulement des bobinages sur les noyaux change et donc s'inverse, par rapport aux autres roulements du même noyau, le trait qui raccorde les so lénoides descend parallèlement au quadruple trait représentant le noyau 1, afin de traverser, en sens inverse, les solénoides7s, représentés, comme toujours sur les dessins de la présente descriptio par quelques segments de cercle assemblés en opposition.
Pour ne pas surcharger ce dessin, et pour une plus grande clarté, les solénoïdes concentriques de chaque transformateur monophasé sont représentés à gauche du quadruple trait fin figurant -le noyau.
es solénoïdes 74 des trois phases du primaire ont un point com --un et réalisent un couplage étoile entre les trois transformateurs monophases. Les solênoides 75 des secondaires des trois transformateurs sont connectés en série. Ils ont même sens d'un transformateur à l'autre et leurs bornes d'utilisation aboutissent, de part et d'autre, du symbole VIS.
Ce dispositif N prévoit, en variante, l'utilisation destrois colonne et du circuit magnétiques d'un transformateur, genre triphasés trois colonnes. C'est toujours comme le type N,un dispositif à flux différenciel et quelesboMinesdestrois phases soient branchées en y oued9.
Pour ne pas surcharger les dessins, les bobinages des dispositifs tripleurs de fréquence à flux différentiel et courants triphasés type N, de même que ceux de la variante type W, mais donnant des courants induits à fréquence neuf fois plus grande que la fréquence des courants triphas-és inducteurs; seront représentés par des rectangles avec deux traits en diagonale et joignant les sommets.
Le fonctionnement du dispositif M, est explicité en partant du graphique de la Fig.27 , et qui représente les variations relatives dans le temps des trois tensions d'une distribution électrique à courant triphasé. A chaqué maximum de tension d'une phase correspond, en sens opposé, les deux autres tensions mais avec, pour chaque tension opposée, une valeur moitié moins grande que la valeur de tension qui est maximale à l'instant t . Les phases ont été ar jitrairemen numérotées en partant de la gauche.
La Fig.28 , indique les sens relatifs des bobinages des solénol- des sur les trois noyaux du ou des dispositifs H. Ces sens sont indiqués par des flèches en traits fins pour les enroulements in inducteurs, en double trait pour l'enroulement induit. Bien qu'il y ait un enroulement induit concentrique à chaque groupe de trois enroulements inducteurs, il n'y a qu'une grosse flèche à droite puisque tous les enroulements induits sont de même sens.
La Fig.29 , indique d'après la numérotation de la Fig.27, à l'instant t, du premier maximum numéroté de la phase I, la répartition des sens des courants triphasés, solénolde par solénolde.
orsque le courant parcourt l'enroulement en sens opposé du sens de l'enroulement, le sens de la flèche est inversé. Les enroule mentis parcourus par le courant correspondant à la phase ou la tension est maximale sont représentés par une flèche en trait fin.
Les enroulements parcourus par les courants correspondants aux phases dont la tension n'est pas maximale sont représentés par des flèches en pointillé.
On ne ait pas dans chaque groupe de trois flèches le produit al ébrique des intensités car, le noyau est saturé par construction et l'intensité est automatiquement limitée par induction, puisque chaque enroulement de phase est tantôt mis en opposition, tantôt en parallèle, avec les enroulements des autres phases. On considère seulement dans chaque groupe de trois enroulements quel est le sens du flux différentiel résultant du conflit des flux générés dans ces bobines, et dans les noyaux magnétiques, par le passage des courants triphasés et au moment du maximum d'une phase. Lorsqu'il n'y a pas de conflit mais flux de même sens, ce sens commun compte pour 1
Ainsi dans le premier groupe, à gauche de la Fig.2 9 , les flux sont concourants et le flux résultant compte pour une fois un sens.
Dans le groupe du milieu de cette même figure, il y a opposition de flux et la résultante flèche en trait plein (courant maxi) est opposée à la flèche résultante du groupe de gauche. C'est donc le groupe de droite qui va faire la décision. Dans ce dernier groupe il y a aussi conflit et la résultante (toujours en trait plein) donne le sens de la circulation du courant induit. C'est la flèche en double trait tout à fait à gauche du diagramme constituant la Fig.29, qui indique ce sens de circulation du courant induit.
Les Fig.30 ,31 ,32, ,32, 33et 34,représentent, suivant les mêmes con- ventions que précédemment, le flux différentiel résultant et le sens de circulation du courant induit dans les enroulements secondaires.
C'est bien une multiplication par trois de la fréquence des cou rants triphasés inducteurs qui est obtenue, et la forme du courant monophasé à fréquence triple qui circule dans les enroulements secondaires est représenté par le graphique de la Fig.26
Ce qui est remarquable, c'est que les courants circulants dans les trois phases du primaire sont rigoureusement équilibrées et que le secondaire soit à circuit ouvert, ou en court-circuit.
Ce dispositif ne déséquilibre donc pas le réseau et l'intensité réactive absorbée peut être compensée, comme dans les autres dispositifs de l'invention qui absorbent une forte intensité réactive (dispositifs G et Par des condensateurs branchés en parallèle sur alimentation.
te dispositif M est utilisé pour faire du soudage à l'arc car l'arc, aux bornes du secondaire à 150 périodes, s'amorce très facilement et il est stable.
Le dispositif M est utilisé pour faire tourner, en toute sécurité, ies moteurs à induction, avec phase auxiliaire à condensateurs, à une vitesse trois fois plus élevée que la vitesse maximale (5.000 tours/ minutes) autorisée par le secteur à 50 périodes. Les-moteurs diphasés à induction peuvent tourneroavec ce dispositif, à 9000 tours.
Cela représente, à puissance égale1 une économie de poids et donc de prix de revient pour le moteur. Le rendement énergétique est également amélioré, car, l'économie des pertes "fer" et "cuivre" en moins dans le moteur-n'est pas entièrement annulée par les nouvelles pertes "fer" et "cuivre" dans le dispositif M qui produit le triplement de fréquence.
Le dispositif M est utilisé pour faire de la soudure par réss- tance en basse tension et 150 périodes car, comme déjà dit, il ne déséquilibre absolument pas le réseau. C'est un dispositif beaucoup plus économique par rapport aux dispositifs existants, car, l'intensité secondaire en court-circuit n'est que deux à trois trois l'intensité en charge à tension nominale. Cette caractéristique, du dispositif inventé, permet de se passer des dispositifs de protection, toujours très coûteux.
Il évite de dimensionner trop largement les thyristors d'alimentation du primaire et les diodes de redressement au secondaire.- Les diodes au secondaire ne sont pas toujours nécessaires, mais, lorsqu'elles le sont, des dispositifs M de puissance appropriées peuvent être mis en parallèle avec des diodes de moyenne puissance aux sorties de chaque secon "aire. Il est ainsi possible, de cette manière, grace aux dispositifs M robustes, rustiques et bon marché, de ne pas employer des thyristors et des diodes de très grande puissance, très coûteux, parce que fabriqués en petite série. Pour toutes les raisons précédentes, le dispositif M permet de faire des transformateurs de sécurité qui ne brûlent jamais.
Il est possible de brancher en série autant de groupes de trois transformateurs à flux différentiel et courants triphasés, type M, que l'on désire, mais le montage en série de deux groupes de trois transformateurs illustré par la Fig. 43 ,est particulierement in teressant. Il est désigné, dans la présente invention, sous le nom de dispositif type W. Les groupes de trois enroulements con centriques de chaque colonne magnétique sont désignés par le N 78
Ces enroulements vont en série d'une bobine 78 à la suivante et ne sont réunis entre-eux par un point commun qu'après être sortis de la sixième bobine.
En réunissant trois condensateurs semblables et convenablement calculés en fonction de la valeur des selfs, entre le point commun des enroulements et les fils de bobinage qui sortent de la troiaiè bobine et avant d'entrer dans la quatrième, de la manière indiquée sur la figure, c'est-à-dire, une sortie debchaque condensateur à chaque fil de phase, le matériau magnétique à grain orienté du nog vibre spontanément et la tension Vî7, recueillie aux bornes des en roulements secondaires des trois derniers transformateurs à flux différentiel, est à une fréquence neuf fois plus grande que la fré quence des courants triphasés inducteurs à 50 périodes et qui ren trent aux bornes marquées I,II et III.
La stabilité de la tension secondaire V15, aux bornes du secondaire des dispositifs, type M, est améliorée par un condensateur 80 de capacité appropriée, branché à ses bornes. Il est aussi possibl de prévoir un ou plusieurs contacteurs qui branchent un ou plusieu condensateurs 80, au fur et à mesure que l'intensité débitée augmente. De cette manière la tension se conserve toujours à peu prè stable.
Le dispositif type N, ressemble beaucoup au point de vue triple ment de fréquence, au dispositif M. Il a été étudié, dans la présente invention, pour utiliser les circuits en C à grain orienté.
Contrairement au dispositif M, les bobines du dispositif N n'ont pas toujours le même nombre d'enroulements. Les solénordes inducteurs ont cependant tous le même nombre de spires et ce qui est important, à l'intérieur d'une même bobine et pour les six solénol de chaque dispositif N, les enroulements sont toujours de même sen
Fig.36 . Les flux différentiels sont produits par les sens des co rants inducteurs qui eux, par définition, s'opposent presque conti nuellement au cours d'une période.
Ce dispositif est illustré par la Fig.35 . Les bobines 76 ont deux enroulements inducteurs, les bobines 77 un seul enroulement inducteur. L'enroulement induit de chaque bobine est raccordé,tou jours dans le même sens, à l'enroulement induit de l'autre bobine,
Le diagramme des flux différentiels de ce dispositif N, est représenté sur les Fig.371 39, 60,41r s 42. La bobine à deux enroulements est représentée par un rectangle dont les grands côtés sont horizontaux, la bobine à un enroulement est représentée par un rectangle dont les grands côtés sont verticaux.
Lorsque le flux différentiel, résultant des antagonismes où des conjonctions de champ de la bobine représentée par le rectangle horizontal, est confronté avec le champ magnétique généré par la bobine à simple enroulement (rectangle vertical), il faut inverser ce sens mentalement car le champ magnétique s'inverse le long du circuit magnétique lorsqu'il passe d'une bobine à la suivante. Dans le cas des figures citées, lorsqu'il passe du rectangle horizontal dans le rectangle vertical. Comme dans les diagrammes du dispositif M, c'est la flèche à double trait, du côté droit des figures, qui représente le champ résultant qui produit le courant induit dans les bobines de l'enroulement secondaire. Il y a bien triplement de fréquence. Les diagrammes du dispositif N font référence à la Fig.2 comme les diagrammes du dispositif M.Les utxlisations du dispositif N, sont les mêmes que celles du dispositif M.
Lorsque le dispositif M, utilise des circuits magnétiques à grain orienté semblables à celui des Fig. 24 ,2S i9 ou 7 ,il peut y avoir deux bobines par circuit magnétique, soit au total six bobines, comme dans le dispositif , à cette différence près que le circuit magnétique n'est pas un circuit en C coupé et que les bobines du dispositif M, sont différentes de celles du dispositif N.
Ces deux dispositifs, M et N, permettent de faire, comme les autres dispositifs, des transformateurs de sécurité pour tous usages, car ils limitent automatiquement, et à une valeur non dangereuse, l'intensité dans les enroulements induits en court-circuit. Par la multiplication de fréquence, comme les dispositifs G,E,J et L, ils assurent une excitation plus efficace des substances é)s'tro-luminescentes.
Pour augmenter encore la fréquence, les dispositifs G ou H, sont montés en cascade. Ainsi, dans le dispositif G, Fig.15 , la tension VII ou V12 devient la tension V1 d'un deuxième dispositif G. Dans le dispositif H, Fig. 0,la tension V13 devient la tension V1 d'un deuxième dispositif H. Il n'y a de limite à la multiplication de fréquence que les possibilités de vibration magnétique du matériau utilisé pour faire le circuit magnétique. Pour les mêmes besoins de multiplication de fréquence, les dispositifs M ou N, peuvent être branchés en série. Il n'y a de limitation, au nombre de dispositifs M ou N en série, que la fréquence plus ou moins élevée à laquelle peut vibrer le matériau du noyau magnétique.Mais l'ensemble des dispositifs M ou N montés en série s'appelle dispositif W, et quel que soit le nombre de trois circuits N ou N en série, car les condensateurs d'accord ne sont branchés qu'en parallèle sur le dernier disdispositif M ou N en série et chaque condensateur i9 ESURE phase et le point commun des bobinages. Le courant induit å fréquence maximale est également prélevé sur le dernier dispositif
M ou N.
Cependant les dispositifs M et N peuvent être branchés différemment et d'une manière analogue aux dispositif G et H. Par exemple pour le dispositif H avec des condensateurs en série avec chaque fil de phase de 1' alimentation, ensuite en parallèle deux dispositifs M à nombre de spires différents entre les solenoides de base du premier dispositif M et les solenoides de base de 1' autre dispositif M et en branchant un condensateur entre chaque fil de phase du deuxième dispositif M et le point commun général de ces sorties de condensateurs et des fils de sortie des trois fils de phase du premier dispositif M.
Les circuits magnétiques monophasés à 2 colonnes portent sur une colonne, l'un des groupes dd solénoïdes du premier dispositif M et sur l'autre colonne l'un des groupes de solénoldes du deuxième dispositif M. Pour l'analogue du dispositif G, il n'y a pas de condensateurs au départ de l'alimentation et les condensateurs restants sont ramenés en parallèle sur le dispositif M ayant les solenoides à plus grand nombre de spires.
Les enroulements induits sont concentriques aux solenoldes des deux dispositifs F
Les courants à fréquence multipliee peuvent être prélevés comme dans le dispositif H en autotransformateur aux bornes des solenoldes du dispositif
M ayant les condensateurs en série et également aux bornes deseenroulements induits.
La fréquence maximale de vibration magnétique des dispositifs objet de ce deuxième certificat d'addition est bien souvent égale à fréquence maximale de vibration mécanique des tôles ou des matériaux employés.
Lorsque la forme du courant induit à fréquence triple des dispositifs M ou N n'est pas bien sinusoldale il faut intervertir les fils de phase deux par deux à l'arrivée de 1 'alimentation et jusqu'à ce que la forme idéale soit obtenue.
Le maximum de permutations nécessaires étant au maux ruz de cinq, et le nombre de positions possibles étant au nombre de six.
La tension induite à fréquence triple n'est pas affectée par ces permutations gui prennent en compte seulement l'équilibrage défectueux des phases en amont du dispositif tripleur.
lorsque les noyaux droits ou toriques sont peu magnétiques et sont relative
ment longs, la fréquence du courant augmente et le nombre de spire des sole
noides inducteurs diminue. Pour renforcer leur action, les solenoldes
produisant le flux -'différentiel sont bobinés par petits groupes de spires
tantôt dans un sens et tantôt de l'autre, par exemple : 2 ou 3 ou 4 spires
dans un sens et suivant ce premier choix, 1 ou 2 ou 3 spires en sens inverse;
ou un multiple de ces nombres; par exemple 4 ou 6 ou B spires dans un sens
et 2 ou 4 ou 6 spires en sens inverse.
Au lieu de bobiner successivement les spires tantôt dans un sens et tantôt
dans l'autre; dans une autre varianteJon bobine d'abord tous les groupes
de spires de même sens en laissant entre les groupes la place nécessaire
pour bobiner ensuite tous les groupes de spires de sens inverse.
Le deuxième avantage de ce fractionnement des enroulements à flux différen
tiel est de réaliser dans les noyaux solides, et surtout dans les tubes et
tores contenant un gaz ionisé, un plasma ou tout simplement un courant d'é
lectrons, un onduleur différentiel. En effet les condensateurs d'accord sont
placés en parallèle sur les enroulements ayant le plus grand nombre de spires
d'une manière globale ou fractionnée, c'est à direJdans le cas de dispositif
type G par exemples qu'il y a une capacité en parallèle sur les groupes de bobinage ayant le plus grand nombre de spires et lorsque ces s groupes de
bobinage sont bobinés en série.Si les bobinages à grand et petit nombre de spires sont faits suc successrvenrslt,un bobinage à grand nombre de spires
en série avec un bobinage à petit nombre de spires, les condensateurs sont
placés en parallèle sur chaque bobinage à plus grand nombre de spires. Dans
le cas de dispositif type H, les condensateurs sont placés en série et les
groupes de bobinage à grand et petit nombre de spires sont branchés deux à
deux en parallèle et tous les groupes de double bobinages inverses en série EIG # Et 4 6 .
Le phénomène onduleur des flux différentiels est obtenu par construction pul sque le champs magnétique s' inverse localement en passant des spires un sens au
spires bobinées en sens inverse. La vibration magnétique est amplifiée d'une
part par les caractéristiques en fréquence et en grandeur du flux différentiel
et d'autre part par le fait qu'un courant électrique traverse le noyau dans
le sens de sa longueur.
Le courant électrique à pour effet,dans les matériaux peu magnétiques, les matériaux gazeux, liquides ou amorohes,de se substitue à la structure oohésive cristalline inexistante et de Permettre ainsi l'amorçage des vibrations magnétiques cohérentes. Lorsqu'il n'y a plus que des électrons dans le tube ou le tore, la vibration magnétique s'exerce dans le courant électronique en perturbant oe courant et en facilitant ainsi la production de faisceaux laser à partir d'électrons libres.
Le courant électrique de polarisation ou d'excitation est amené dans le tube ou le tore par des électrodes désignées par les repères 71 et 72 sur la FIC-41 qui représente un tore en coupe parallele au plan du tore. les enrou leents dont on ne voit que la section des spires coupées sont représentés par des cercles, foncés pour ceux dont les spires sont les plus nombreuse, et ces premiers bobinages sont désignés par la référence 57. Les enroulements a plus faible nombre de spires sont désignés par la référence 58 et représentés par des cercles clairs.
Les parois du tore sont désignées par la référence 93 qui est commune pour les parois isolantes des tores et des tubes renfermant des électrons, des plasmas ou d'autres matériaux non rigides mais pouvant être magnétiquement actifs. La référence 90 représente le courant électrique ou plasma qui est crée par la tension V18 présente entre les électrodes 71 et 72 mais qui peut aussi bien être créée sans électrode et par induction transversale, à partir d'un noyau magnétique magnétisé alternativement, représenté en coupe parallèle ment à la section et désigné par la référence 91. Sur la FIG..48 qui est coupée perpendiculaire à l'axe d'un tube d'un dispositif L et qui peut être avec fil central 71 ou courant électronique 90, sont représentées con concentriquement au tube des écrues mEtalliques 92 et qui sont des cylindres fendus ou des coquilles assemblées deux par deux avec interposition d'isolant 94 pour éviter la production de courants électriques transverses. En effet dans ces dispositifs à flux différentiels à enroule mentis multiples opposés deux par deux et appelés de ce fait dispositifs S, ce qui est recherché, c'est la production de rayonnements ou d'oscillations à l'intérieur d'un tube ou d'un tore et non pas des courants induits dans un cylindre métallique creux ou un noyau massif.C'est d'ailleurs la raison pour laquelle le fil 71 du noyau magnétique est le plus fin possible. Dans ces dispositifs S il y a surtout interaction entre le flux différentiel et le courant parallèle électronique ou plasmatique à la surface d'un conducteur ou à l'intérieur d'un tube ou d'un tore. Lorsque ce fil 71 est déjà radioactif et émet un rayonnement /3, ce rayonnement n'est pas entièrement redressé par le flux différentiel et les rayons fi les énergétiques quittent le tube et sont arrêtes par les écrans 92 qui sont à leur tour le siège d'une émissions secondaire. C'est ce que montre la flèche initiale de la FIG 4a.
et qui donne naissance à plusieurs autres flèches à l'extérieur du premier écran.
Le rayonnement/5 secondaire permet de créer un circuit électrique extérieur qui ajoute en parallèle son énergie à l'énergie du circuit électrique dont l'origine est le noyau radioactif ventral.
Avec certains noyaux atomiques et du fait du flux différentiel et d'un courant électrique ayant le zSme sens que le flux différentiel, la perturbation des orbites électroniques est telle que pour des valeurs élevées de la fréquence et du flux inducteurs dans quelques atomes, un électron satellite peut être projeté sur un proton du noyau.Le noyau devient radio actif car par le fait qui vient d'être decritCsi le nombre de neutrons était un nombre pair de même que le membre de protons9,ce nombre devient un nombre impair dans les deux cas, puisqu'il y a un neutron de plus et un proton de moins. L'électron incident est rapidement réemis avec une anergie fonction de la force centrifuge du proton qu'il avait momentanement trans- formé en neutron.
Dans le cas de tore avec plasma et flux différentiels, les rayonnements laser sont réfléchis par les parois du tore optiquement traitées etc par émission et réemissions successives, agissent au passage à travers les noyaux ionisés du plasma pour produire in situ les fissions ou fusions nucléaires redier- chiées.
Quelques flèches à double sens et représentant ce rayonnement laser sont représentées sur la FIG 47 Et ce dernier résultat, s'il est systématiquement recherche permet d'obtenir des rayonnement: artificiels, des fusions et des fissions atomiques avec beaucoup moins d'énergie que les méthodes connues et qui ne font pas appel aux flux différentiels.

Claims (37)

REVENDICATIONS
1) DispositifSstatiquesà flux différentiel et résonance électro magnétique générant et amplifiant d'une manière cohérente des vibrations atomiques magnétiques à une fréquence supérieure à la fréquence du courant inducteur et suivant revendication N) 14 du brevet principal
Caractérisé par l'utilisation
En courant alternatif monophasé;
Soit d'un condensateur en série avec un solénoïde ( dispositif A Fig 2
Soit d'un condensateur en série avec un solenoide ; ce deuxième ense'- ble ( dispositif H Fig 20 ) étant en parallèle aux bornes du solénoïde de l'en semble condensateur avec solénoïde en série ; si les nombres de spires
des deux solénoïdes des deux ensembles sont inégaux.
Soit de deux solénoïdes ayant des nombres de spires inégaux et branchés en série avec sens d'enroulement inversé d'un solénoïde au suivant et avec un condensateur connecté aux bornes d'un des deux solénoïdes ( dispositif L FIG 17
Soit de deux solénoïdes ayant des nombres de spires inégaux et branchés en série avec sens d'enroulement inversé d'un solénoïde au suivant et avec un condensateur connecté aux bornes d'un des deux solénoïdes.; un deuxième condensateur et une charge électrioue étant ajoutés entre les deux solenoides ( dispositif G FIG 15
En courant alternatif triphasé: soit de trois dispositifs monophasés Soit de trois groupes au moins de trois solénoïdes con concentriques avec des condensateurs en parallèle sur les groupes si leur nombre dépasse trois tous les solénoïdes ayant en triphasé le I7me nombre de spires ( dispositifs
M et W, Fig 22 et 43
Soit d'au moins trois groupes de deux solénoldes concentriques associés à trois solénoïdes disposés chacun sur la partie opposée d'un circuit magnétique ou se trouve déjà un groupe de deux solénoïde concentriques ( dispositif N,
Fig 35 ).
Chacun des solenoldes de tous les montages précédents en courant alternatif monophasé ou triphasé étant connectés aux autres de manière à produire, suivant les rapports entre selfs et capacités des ensembles et suivant la fréquez ce et le nombre de phases du courant d'alimentation, un déphasage de moins de 180 entre deux courants électriques alternatifs circulant localement et afin de créer ainsi périodiquement à l'intérieur des solénoïdes ou entre solénoïdes rapDrochés, des oppositions de flux magnétiques inégaux.
2) Discositifssuivant la revendication 1
Caractérisé par le fait que les champs magnétiques différentiels qui résultent des oppositions de flux dans les solénoïdes interconnectés sont formés de fortes impulsions inagnétiques périodiques dans un sens ou dans l'autre ; impulsions suivies chaque fois d'un temps de relaxation ou de moindre intensité magnétique ; cette variation d'intensité magnétique périodique appelée flux différentiel, est non sinusoïdale et permet ainsi de générer, amplifier et d'entretenir à l'intérieur d'un noyau matériel, non neutre ragnétiquement et qui se trouve lui même à l'intérieur des solénoïdes, des oscillations inagnétiques cohérentes et des inversions périodiques du sens magnétique des arou ements electroniques concernés ; ces inversions de sens magnétiques, qui sont des vibrations liées à la structure même du matériau se faisant à une vitesse diftérentiellement plus rapide que la vitesse de variation du champ inagnétique inducteur,
3) Dispositifs suivant les revendications 1 et 2
Caractérisé par le fait que les vibrations nagnétiques cohérentes à l'echelle atomique générent par' induction electrorinagnétique dans des solenoldes concentriques ou voisins des solenoides inducteurs, des courants electriques à fréquence supérieure à la fréquence du ou des courants electriques inducteurs.
4) Dispositifs suivants les revendications i,2 et 3
Caractérisé par le fait que les courants induits à fréquence supérieure sont automatiquement limités lorsque le circuit electrique d'utilisation est en court circuit à une intensité égale ou supérieure, de 200 ou 300%, à l'intensité en charge, au minent de la mise en court circuit ; mais qui devient ensuite presque aussitôt inférieure à l'intensité en charge, tant que dure le court circuit, dans quelques dispositifs alors que dans d'autres dispositifs, elle se maintient en court circuit à cette valeur relativement peu élevée et qui est seulement le double ou le triple de 1 'intensité de charge anormale.
5) Dispositifs suivant les revendications 1,2 et 3
Caractérisé par le fait que lorsque la fréquence du courant alternatif inducteur est ajustee pour être un sous multiple exact des fréquences de vibration des structures atcmiques des noyaux des dispositifs à flux différentiel et lorsque, également, l'intensité est suffisante ces dispositifs à flux différentiel deviennent des dispositifs à pompage magnétique et les oscillations magnetiaues à 1 'in- térieur de certains groupements atomiques constituant ces noyaux de solénoïdes, se transforment en inversion de population électronique ; réalisant ainsi des émissions de lumière cohérente 6) Dispositifs suivant
Figure img00400001
rudes revendications 1,2,3 et 5.
Caractérisés par le fait que les dispositifs à flux différentiels à haute fréquence, haute intensité et à NOYAUX magnétiques appropriés réalisent une excitation à l'échelle atomique telle qu'il y a une véritable ionisation avec libération d'électrons peu liés au noyau, d'une part, ou projection sur ce nene noyau d'electrons fortement accélérés, le résultat étant, dans tout les cas, une perturbation d'orbites électronique superposée à l'oscillation magnétique et générant ainsi à l'intérieur et aux extrêmités du noyau, lorsqu'il n'est pas fermé sur lui-même, une tension électrique alternative ; cette tension électrique alter native étant également présente aux bornes du noyau droit lorsque ce dernier possède déjà une radio-activité du type .
7) Dispositifs suivant la revendication 2.
Caractérisé par le fait que les matériaux magnétiques les plus appropriés sont sélectionnés par un montage à flux différentiel dénommé dispositif A, et consistant en un condensateur en série avec un solénoïde contenant le inatériau à tester. et avec un oscilloscope pour observer la forme des tensions ( Fig
8) Dispositifs suivant la revendication 7.
Caractérisé par le fait que lorsque le matériau magnétique à tester et constit le circuit magnétique du solénoïde, est un matériau fragile ou mou, une poussi re, un liquide ou un gaz, il est enfermé dans un tube électriquement isolant e les parois de ce tube ont une sus Susceptibilite magnetique beaucoup plus faible
que celle du matériau se trouvant a l'intérieur,
g ) Dispositifs suivant les revendications 7 ex 8
Caractérisé par le fait que l'ensemble: condensateur plus solénoïde
en serie, est alimenté par un courant alternatif de fréquence en
rapport avec la nature et l'état plus ou moins feuilleté du matériau
à tester; c'est-à-dire, 50 ou 6G périodes et jusqu'à plusieurs mil
liers de Hz pour les matériaux ferro-magnétiques courants; au-delà
et sans limitation de fréquence pour les matériaux ferri-magnétiques,
et toutes les combinaisons de matériaux ayant une perméabilité ma
magnétique non nulle ou présentant des réactions secondaires non ma
gnétiques lorsqu'ils sont parcourus par un champ machétique à flux
différentiel. les reactances de self' et de capacité ont des valeurs presque gales dans certains montages alors que dans d autres montages la valeur d'une
reactance peut etre le double de la valeur de l/autre-
1Q) Dispositifs suivant les revendications 7,8,9,
Caractérisés par le fait, qu'en faisant croître à partir d'une va
leur zéro, la tension alternative d'alimentation de l'ensemble, et
pour une certaine valeur de cette tension d'alimentation, une sur
tension se produit aux bornes de la self et de la capacité; cette
surtension aux bornes de la self est une tension de résonance qui
ne variera plus que de 10 ou 20 %, meme si la tension d'alimentation
atteint 1e double de la valeur qu'elle avait au moment de l'établis-
moment de la surtension aux bornes de la self; le rapport entre la
tension de cyclo-résonance aux bornes de la self et la tension d'a
limentation au moment ou établit cette surtension, est un coef
ficient de surtension d'autant plu grand que le matériau a une
plus grande tendance à la "vibration" magnétique.
ll ) Dispositifs suivant la revendication 10
Caractérisé par le fait que lorsque des solénoïdes secondaires sont bobinés...
concentriquement, ou très près de la self principale du montage A, la tension à leurs bornes possède les mimes propriétés de stabilité, et que le dispositif A, avec ou sans secondaire, est ainsi un montage stabilisateur de tension pouvant débiter, dans une charge d'u tilisation, -une intensité presque égale à la moitié de l'intensité d'alimentation absorbée par le montage.
12) Dispositifs suivant la revendication .
Caractérisé par le fait que Si la tension d'alimentation baisse au lieu d'augmenter après l'établissement de la surtension de résonance aux bornes de la self; pour une certaine valeur relativement basse, de cette tension d'alimentation, la tension de résonance,ou mieux, de cyclo-résonance qui avait très peu baissé aux bornes de la self, diminue brusquement d'une valeur très importante, et de telle manière que le rapport entre la tension de cyclo-résonance aux bornes de la self et la tension d'alimentation V1, juste avant l'annulation de la tension de résonance, est utilisé pour mesurer la plus ou moins grande aptitude du noyau de la self à produire des oscillation magnétiques rapides et cohérentes puisque, s'il a fallu une certaine tension V1 pour les amorcer, elles se poursuivent parfois, avec certains matériaux, jusqu'à l'annulation presque totale de 1 'inten- sité magnétisante.
13) Dispositifs suivant les revendications 10,11 ET 12
Caractérisé par le fait que le dispositif A, étant à la fois un dispositif multiplicateur de tension, avec coefficient de surtension aux bornes de la self, variable suivant la nature du matériau du noyau et un stabilisateur de tension presque insensible aux variations de la tension du réseau d'alimentation; il est aussi un dispositif pour ces deux fonctions puisque l'intensité débitée baisse automatiquement aussi bien lorsque l'appel de courant dans la charge augmente trop, que lorsque la tension d'alimentation diminue audessous d'une valeur qui peut être volontairement choisie par construction, faisant ainsi de ce montage un dispositif privilégié pour l'alimentation des tubes électriques fluorescents et d'autant plus que le tube fluorescent est ainsi mis en série avec le condensateur et permet, en supprimant le "ballast", de réduire de 20 % la consommation d'énergie et tout en conservant la même luminosité.
14)DispositiL suivant l'ensemble des revendications 7,8,9,10, 11,12 et 13
Caractérisés par le fait que la surtension de résonance du dispo positif A, se maintient encore mieux aux bornes du montage malgré l'augmentation de la tension d'alimentation, lorsque deux capacités de réactance totale voisine de la réactance de self, sont placées, de part et d'autre de la self, et que ce nouveau montage est un dispositif B qui facilite encore mieux la transformation de l'intensité magnétisante en pointes de tension, de plus grande valeur, mais de moins grande durée, ce qui constitue, avec relevés d'oscilloscope à l'-appui, la raison de la quasi invariance de tension moyenne aux bornes de la self et un moyen supplémentaire de comparer, entre elles, à tension déterminée, la plus ou soins grande rapidité d'inversion magnétique différentielle des matériaux testés.
15) Dispositifs suivant l'ensemble des rel7encdiaations -7,8,9/10,11,12,13g14
Caractérisés par le fait qu'un montage stabilisateur de tension1 ou multiplicateur de tension, utilisant des courants alternatifs triphasés est réalisé en associant trois dispositifs A, ou trois dispositifs B, la tension stabilisée et/ou multipliée étant prélevée en parallèle sur les selfs primaires, ou au bornes des selfs secondaires, montées en étoile ou en triangle, l'ensemble des trois dispositifs A ou B, étant appelé dispositif C(Fiq.6
16) Dispositifs suivant l'ensemble des revendications 11,12,13,14 et 15
Caractérisés par le fait que les tensions obtenues par cyclo-résdnance avec 3 disposi tifs A,B ou C, dans la variante tripleur dé fréquence, sont des tensions monoDha- sés qui sont redressées avec un filtre spécial à condensateur (10), en parallèle sur la sortie continue, ce condensateur étant connecté entre le plus et le moins par l'intermédiaire de deux thyristors montés en anti-parallèle et de manière qu'un dispositif à seuil de tension (7), empêche, par le jeu normal des charges et des décharges, de maintenir ces thyristors en conduction lorsque la tension baisse brusquement et par suite d'un appel d'intensité trOt important ; la tension ainsi redressée alimentant un oscillateur à semi-conducteurs,
17) Dispositifs suivant la revendication 16
Caractérisé par le fait que les dispositifs oscillateurs hybrides, c'est-a-dire à générateur à flux différentiel et semi-conducteurs ont, suivant le type d'oscillateur, un ou deux condenstateurs de contrôle de l'oscillation ( 19vil5 et 17), et une self à deux voies de sortie ( 28 et 29 ), avec un thyristor ( 11,12,13 et 14 ), et un transistor ( 26,46,27 et 33 ), en série sur chaque voie de sortie, de manière à ne déclencher la charge ou la décharge du condensateur de 1 'oscillateur que lorsqu'il n'y a plus d'intensité dans la self principale et quel que soit le sens du courant 1' ayant traverse ; le raisonnement étant le I-rleme lorsqu'il y a un condensateur qui se décharge en rnme temps qu'un autre condensateur de char g < Fig.11).
18) Dispositifs suivant les revendications 16 et 17
Caractérisé par le fait que la self principale (28 et 29 ), dans chaque dispc sitif oscillateur, a deux condensateurs auxiliaires (36,38,37 et 39 )en par le . chacun de ces condensateurs auxiliaires, servant d'abord, avec un circuit de charge rapide et de décharge lente, à absorber l'extra courant de rupture d'alimentation de la self, un condensateur auxiliaire étant affecté à la self principale, en fonction du sens du courant de cette self par l'intermédiaire d'une diode convenablement placée en série à la fois avec le condensateur aux liaire et son circuit de décharge et connectant la sortie de cette diode entr le thyristor (11,12,13 et 14 ) et le transistor ( 26,46,27 et 33 ) de manière que, malgré le blocage du transistor, l'extra courant de rupture de la self puisse se refermer dans le thyristor ; dans les dispositifs F, cette sortie étant faite après le premier transistor se trouvant en série avec la self et, le raisonnement corme le fonctionnement demeurant le r'êmet Fig.12),
19) Dispositifs sulbvant la revendication 18.
Caractérisé par le fait que chaque condensateur auxiliaire, rapidement chargé par l'extra courant de la self principale, se décharge lentement dans le pries re d'un transformateur, dont la tension secondaire redressée est mise en oFpLr sition avec la tension redressée d'un des deux secondaires du transformateur dont le primaire est traverse par le courant de la self principale et permet ainsi, par l'intermédiaire de dispositifs classiques d'opposition de tension de ne délivrer d'inpulsion d'ouverture du thyristor et du transistor de l'autr voie que lorsqu'il n'y a plus de courant dans la self principale.
l'ensemble
20) Dispositifs suivantiles revendications 16,17,18 et 19
Caractérisé par le fait que le différé des impulsions de commande de passage d'un courant de charge du condensateur principal d'oscillateur à un courant de décharge, pour éviter de court-circuiter ce condensateur en maintenant les deu voies ouvertes en reme tempos, constitue la principale sécurité d'automatisme d dispositifs hybrides D,E et F, alors que la commande de blocage des transistor: en série avec chaque thyristor pour les basses fréquences, ou des transistors en série entre eux pour les hautes fréquences, est réalisée sans différé par des dispositifs à seuil de tension branchés aux bornes du ou des condensateurs principaux d'oscillation.
21) Dispositifs suivant l'ensemble des revendications 16,17,18,19 et 2(
Caractérisé par le fait que les dispositifs à seuil de tension (21,24 et 31 connectés aux bornes des condensateurs d'oscillation (19,15 et 17 ) bloguent, le ou les transistors en série se trouvant sur la voie de charge du condensatet d'oscillation, lorsque la tension aux bornes du condensateur d'oscillation est suffisamment élevée et que la vitesse d'accroissement de cette tension n'est pas devenue trop lente ; inversement, un autre dispositif à seuil de tension (22) bloque le ou les transistors en série se trouvant sur la voie de décharge du condensateur d'oscillation, lorsque la tension du condensateur comique d'oscillation est devienne suffisamment basse et avant que la vitesse de perte de charge ne soit devenue trop lente ; un troisième dispositif (20,23, et 33 ) dit d'extrême tension, amorce la décharge du condensateur principal, lorsqu'après un incident de fonctionnement, ce condensateur s'est rechargé par l'inter nediaire d'une résistance de très grande valeur en parallèle sur la self oscillatrice.
22) Dispositifs suivant la revendication 21.
Caractérisé par le fait que la commande de blocage du ou des transistors se trouvant sur les voies de charge et de décharge du condensateur d'oscillation n'a lieu, pour la charge, que lorsque la différence de tension entre la tension d'alimentation et la tension aux bornes du condersateur d'oscillation est très faible, où, pour la décharge, que lorsque le condensateur d'oscillation déchargé n'a plus qu'une tension résiduelle très basse ; ce qui permet d'utiliser des transistors de puissance ayant un VCFO très faible et qui sont de ce fait bon marché,
23) Dispositifs suivant l'ensemble des revendications
1,2,3,4,5,6,7,8,9 et 10
Caractérisé par le fait que pour transformer en oscillations magnétiques plus libres, les vibrations magnétiques décelées dans certains matériaux par le dispositif A (Fig,2 ), qui procède par construction comme un dispositif à " échantillonnage ", puisqu'il n'y a qu'une n impulsion " magnétique, nEme si elle dure très peu de temps, pendant toute une demi-periode du courant inducteur ; il faut utiliser le dispositif G ( Fig, 15 ) qui consiste à placer deux solénoï- des ( 57 et 58 ) ayant chacun un nombre de spires différent du nombre de spires de l'autre sur un même circuit matériel magnétique homogène et fermé (56), l'un des solénoïdes sur la moitié de la longueur du circuit magnétique, l'autre solé noïde sur l'autre moitié, et à placer également un condensateur aux bornes du solénoïde ayant le plus grand nombre de spires (57) et à connecter, entre eux ces solénoïdes de tanière que lorsqu'ils sont parcourus par un accourant alternatif monophasé, le flux magnétique produit par le premier solénoïde (57) s'oppose au flux magnétique produit par le deuxième solénoïde (58) ; ce branchement en série des deux solénoïdes, qui amène cependant une apposition des flux dans le noyau, étant appelé : branchement série " soustractif "(Fig. 15).
24) pisrositifs suivant la revendication 23
Caractérisé par le fait que le circuit magnétique du dispositif G, est constitué de tôles magnétique à grain orienté et, lorsque l'un des solénoïdes (58) a, au point de yue nombre de spires, les deux tiers du notre de spires de l'autre, les courants alternatifs, produits par induction dans deux enroulements secondaires (61 et62), équilibrés au point de vue nombre de spires et concentriques, l'un au premier solénoïde inducteur (57), et l'autre au deuxième solé noSde inducteur (58) > ont une fréquence de trois à vingt et une fois plus grande que la fréquence du courant inducteur, et quel que soit le rode de branchement série " additif " ou n soustractif " des tensions entre solénoides induits
25) Dispositifs suivant les revendications 23 et 24
Caractérisé par le fait que la fréquence des courants induits dans le dispositif
G est fonction, d'abord, des valeurs relatives des réactances de self des deux solénoïdes inducteurs inégaux, mais, ceux-ci étant établis à la constructian, c 'est la valeur de la caca cite placée aux bornes de l'un seulement des deux solénoïdes, qui règle en dernier lieu, cette fréquence qui doit être un multiple entier de la fréquence du courant inducteur pour éviter les interférences et la production de battements qui rendraient instable l'oscillation électrce'nagné tique induite par le flux differentielyleauel oscille périodiquement à la ndna fréquence que la fréquence du courant alternatif d'alimentation du dispositif.
26) Dispositifs suivant la revendication 23, 24 et 25
Caractérisé par le fait que la cyclo-surtension et la cyclo-résonance, dans le dispositif G, n'est pas détruite lorsque les enroulements secondaires (61 et 62) branchés en série " soustractive " sont en court-circuit et qu'il y a seulement une baisse du coefficient de multiplication de la fréquence induite ; elle n'est pas détruite non plus lorsque l'utilisation est intercalée entre les deux solénoïdes primaires il y a au contraire, une surtension aux bornes de cette utilisation " interne " lorsque des condensateurs convenables (64) sont placées en parallèles sur l'utilisation (5,63 et 64) et en série avec les solénoïdes inducteurs (57 et 58)
27) Dispositifs suivant 1 'ensemble des revendications
1,2,3,4,5,6,7,8,9,23,24,25 et 26
Caractérisé par le fait que dans le dispositif L Fia.17, le noyau magnétique fermé du dispositif G devient un noyau droit, le circuit matériel magnétique
(81) est ouvert, mais le noyau magnétique est long par rapport à sa section et.
il en est de :'hme des solénoïdes inducteurs qui sont l'un à la suite de i'autre et dont les rapports inégaux entre nombre de spires changent en fonction du matériau magnétique et de la la fréquence inductrice, qui est nécessairenent très élevée pour obtenir, par induction dans certains noyaux, des émissions de lumière cohérente ; les condensateurs d'accord (59) étant placés aux bornes du solénoïde ayant le plus grand nombre de spires et aussi en parallèle
(66) sur un petit nombre de spires d'entrée du solénoïde à flux prêdminant.
28) Distositifs suivant l'ensemble des revendications
1,2,3,4,5,6,7,8,9,23,24,25,26 et 27
Caractérisé par le fait que pour diminuer les pertes dans les dispositifs à flux différentiel utilisant des noyaux nagnétiques bons conducteurs de 1 'elec- tricité, ces noyaux sont feuilletés non sous forme de tôles minces mais sous forme de fils de faible section car dans les dispositifs à flux différentiels à l'intérieur d'un même noyau ragnétique, les flux opposés s'épanouissent dans toutes les directions et beaucoup de lignes de force traversent les tôles perpendiculairement à leur plan,
29) Dispositifs suivant l'ensemble des revendications
1,2,3,4,5,7,8,9,10,11,12,13,2324,25,26,27 et 28
Caractérisé par le fait que dans le dispositif H, (Fig.2O), l'isochronisme des oscillations nagnétiques du noyau est amélioré et qu'il consiste à reprendre un dispositif G mais, en déplaçant le consensateur (69) pour le mettre en série avec le solénoïde ayant le plus grand nombre de spires (57) et en connectant la sortie de ce condensateur avec l'entrée du solénoïde (58) ayant le plus petit nombre de sbires ;; llalinentation de ce nouveau dispositif se fait aux bornes du solénoïde (58) ayant le plus petit nombre de spires avec un courant alternafif monophasé et, comme dans le dispositif A, avec un condensateur en série(3), côté point commun des deux solénoïdes,
30) Dispositifs suivant la revendication 29
Caractérisé par le fait que dans le dispositif H, les solénoïdes induits (68) concentriques aux solénoïdes inducteurs sont branchés, en série ou indePendam- ment, aux bornes d'un condensateur d'accord, pour renforcer et stabiliser l'oscillation magnétique et l'utilisation des courants à fréquence multipliée, se fait aux bornes de la self ayant le plus grand nombres de spires (57), conne dans le dispositif A, ce oui le destine donc aussi aux montages en cascade et quel que soit le nombre de montages, à l'alimentation des panneaux électro-luminescent où, par groupe de trois dispositifs, a l'alimentation de moteurs électriques à induction triphasés sans limitation de possibilités diverses et, d'autant plus, que ce dispositif a une tension de sortie relativement bien stabilisée et un bon facteur de puissance.
31) Dispositifs suivant l'ensemble des revendications 1,2,3,4,5,6,7,8,
9,10,11,12,13,23,24,25,26,27,28,29 et 30
Caractérisé par le fait que le noyau magnétique a une forme toroïdale constituée d'un fil isolé et enroulé sur luimnême, avec une entrée et une sortie, et que ce dispositif appelé J, (Fig.21), est utilisé avec des solénoïdes (57 et 58) bd nés sur le tore et des condensateurs interconnectés comme dans les dispositif
G ou H, afin d'étudier et d'utiliser tous les effets du flux différentiel avK cette forme de noyau et, en particulier, la production de courants électrique d'origine atomique en remplaçant le tore massif par un tore creux rerpli de plasma, où en envoyant dans les fils isolés du noyau magnétique un courant élec- trique de polarisation (Tension V1).
32) Dispositifs suivant l'ensemble des revendications
1,2,3,4 et 7
Caractérisé par le fait que pour produire des courants induits à fréquence tr ple de la fréquence de courants alternatifs triphasés, trois groupes de trois solénoïdes (74) sont bobinés concentriquement et placés sur trois noyaux magné- tiques à grain orienté de transformateurs (1) de forme quelconque mais à bondi seulement que le noyau (1) soit de structure halogène et continue et que chaque noyau magnétique traverse par l'intérieur chaque groupe de trois solénoIdes concentriques ; les neuf solénoïdes (74) ont tous le rêve nombre de spires (Fig,22)
33) Dispositifs suivant la revendication 32
Caractérisé par le fait que ce dispositif a trois solénoïdes concentriques in@ teurs est appelé dispositif M (Fig,22) et que le fil de sortie de chaque solder de (74) du premier groupe, est raccordé à un fil d'entrée d'un solénoïde (74) de l'autre groupe et, de nEme tanière , pour la sortie de chaque solénoïde (74) du deuxième groupe qui est raccordé au fil d'entrée d'un solénoïde (74) du troisième groupe, suivant des règles de branchement représentées sur la Fig.28 les fils de sortie des solénoïdes (74), du troisième grouse sont raccordés ens ble.
34) Dispositifs suivant les revendications 32 et 33.
Caractérisé par le fait que la circulation des courants triphasés dans ces en lements inducteurs (74), branchés en étoile, produit) suivant les règles de ocobinaison du flux différentiel et suivant les représentations des Fig.29,30,: 32,33 et 34, et dans au moins trois enroulements induits (75) branchés en serie
concentricues chacun a chaque groupe de solenoides inducteurs ( 74 ); des courants alternatifs monophasés à fréquence triple de la fréquence du courant inducteur alternatif triphasé ; généralement du 150 ou 180 Hz, pour un courant inducteur à 50 ou 60 Hz.
35) Dispositifs suivant les revendications 32,33 et 34
Caractérisé par le fait que cette disposition des enoulements inducteurs 174) équilibre parfaitement les phases, c'est-à-dire, que l'intensité est la même partout dans les trois phases du primaire ( I,TI.III ) dans tous les cas, c'est dire, que le secondaire soit à circuit ouvert oe.en court-circuit ; le facteur de puissance étant d'autant meilleur que les tôles magnétiques sont plus fines et que le matériau magnétiques (1) présente un cycle d'hystérésis le plus rectangulaire possible ; le cosinus T est lui aussi amélioré par des condensateurs placés en parallèle sur les bornes d'alimentation triphasée du dispositif ( I.
II et III Fig.22 ).
36) Dispositifs suivant les revendications 32,33,34,et 35.
Caractérisé par le fait que la tension induite à fréquence triple dans les dispositifs M (Fig.22) est renforcée par des condensateurs (80) placés en parallè- le, sur l'utilisation, à demeure où au fur et à mesure que l'intensité débitée augmente, mais, même sans condensateur, le courant induit à fréquence triple, et produit par les dispositifs M, amorce facilement l'arc électrique et s'oppose, d'une manière remarquable, à son extinction tout en limitant automatiquement l'intensité de court-circuit à une valeur non dangereuse pour l'appareillage, ce qui permet d'utiliser les dispositifs M et N pour soudure, four, éclairage, et toutes les utilisations de l'arc électrique.
37) Dispositifs suivant l'enseeble des revendications 1,2,3,4,7,32,33, 34,35, et 36,
Caractérisé par le fait que le dispositif M, alimente des moteurs à induction diphasés pour tripler leur vitesse, en choisissant un condensateur à mettre en série entre le secondaire du dispositif M et la deuxième phase du moteur et ce, afin de créer une phase auxiliaire ; le dispositif M, alimente également les oscillateurs hybrides à semi-conducteurs, déjà décrits, puisque le courant secondaire à fréquence triple du dispositif M est un courant monophasé et qu'il permet, en même tapis, un équilibrage parfait des phases de l'alimentation pri maire,
38) Disnositifs suivant l'ensemble des revendications 1,2,3,4,7
Caractérisé par le fait que le dispositif N (Fig.35), consiste à placer d'abord deux solénoïdes con concentriques (76) sur un côté d'un circuit magnétique à grain orienté en C coupé et ensuite, un seul solénoïde (77) sur l'autre côté et à recommencer cette opération sur trois circuits magnétiques à grain orienté en
C coupés ; tous les solénoïdes ayant même nombre de spires et etant bobines dans le même sens
39) Dispositifs suivant la revendication 38.
Caractérisé par le fait que le dispositif N, est alimenté en courant triphasé
et lorsque les six solénoïdes, inter-connectés entre-eux, suivant les indica
fions de la Fig.35, sont traversés par des courants triphasés, ils induisent
dans six solénoïdes secondaires,
bobinés concentriquement aux solénoïdes primaires, des courants mono
phasés à fréquence triple, analogues aux courants à fréquence triples induits
dans le dispositif M et obtenus, eux aussi, par un jeu de flux différentiels,
explicités par les diagrammes des Fig. 37,38, 39,40, 41, et 42 ; et ils ont
les memes utilisations.
40) Dispositifs suivant l'ensemble des revendications 1,2,3,4,7,
32,33,34,35,36,37,38,39 et 40.
Caractérisé par le fait que les dispositifs M et N sont utilisés avec trois
circuits magnétiques de tranformateurs-monoshasés et qu'en mettant en série
deux dispositifs M ou N, les trois fils a'alimentation triphasée n'étant réunis
ensemble qu'après le sixième circuit magnétique, et en branchant une capacité
entre chaque fil de l'alimentation triphasée, au milieu des groupes de solénoïc
en série c'est-à-dire, après le premier dispositif M ou N, et le point commun
des bobinages, les noyaux magnétiques du deuxième groupe M ou N vibrent forte
ment, et, dans les enroulements induits de ce deuxième groupe M ou N,les courant
résultants des flux différentiels, ont une fréquence neuf fois plus grande que
la fréquence à 50 Hz du courant triphasé d'alimentation ( Fig.43 ),et lorsque
les noyaux sont des tôles ou fils ferrovmasnétiques à grain orienté.
41) Dispositif suivant l'ensemble des revendication 1,2,3,5,6,27 et 31
Caractérisé par le fait que pour faciliter la vibration magnétique et le rayon
nent laser ou encore les rayonnements de plus courte longueur d'onde
dans les noyaux droits ou les tubes et tores creux à vide ou à gaz, les enroule
nents type G ou H sont bobinés en opposition multiple pour réaliser un disposi
fif onduleur, c 'est-à-dire qu'il y a autant de fois que le permet la section dec
fils et la longueur du noyau, du tube ou du tore : 2 ou 3 ou 4 spires et suivant
ce premier choix, 1 ou 2 ou 3 spires en sens inverse ( Fig. 44 et 46 ) ou un
multiple de ces s nombres ; par exemple 4 ou 6 ou 8 spires dans un sens et 2 ou 4
ou 6 spires en sens inverse ; les bobinages dans une variante étant fait succes
sivement dans un sens et dans l'autre ( Fig, 44 et 46 ) ou, dans une autre varic
te (Fig.45) en bobinant tous les groupes de spires de meme sens et en laissant
entre ces pre:niers groupes, la place nécessaire pour bobiner tous les autres
groupes de spires de sens inverse , les condensateurs étant connectés, suivant
la variante soit avec les fractions d'enroulements ayant le plus de spires (Fig 44 et 46 ) soit avec la totalite des enroulements ayant le plus de spires (Fig 45 ); le guotient/ entre les nombres de spires majoritaires un sens et minori
taires de sens oDnosé,etant toujours compris entre 1,1 et 10;' suivant nature du noyau
42) Dispositif suivant l'ensemble des revendications 1,2,3,5,6,27 et 31
Caractérisé par le fait que le courant de polarisation ou d'excitation (90)
dans les noyaux matériels (71,73 et 90) solides, liquides ou dans les tubes
ou tores à vide ou à gaz, pour un flux différentiel à caractéristiques définies,
crée une structure et une cohésion électronique qui n'existerait pas sans lui,
dans le vide, dans les gaz, dans les matériaux amorphes, et d'une manière géne-
rale, amplifie d'autant plus les vibrations magnétiques que l'ionisation gazeuse
est plus poussée ou que la densité et la vitesse des électrons libres est plus
importante et ce courant de polarisation ou d'excitation qui est amené, parallè
lement au flux différentiel, dans le noyau, le tube ou le tore, par des électro
des (71 et 72 ) disposées dans le tore ou le tube ou en ce qui concerne le tore
et en variante par induction secondaire à partir d'un flux auxiliaire (91) per
pendiculaire au flux différentiel, perturbe les orbites électroniques de telle
manière qu'en plus du rayonnement lumineux cohérent sur de très courtes longueurs
d'onde, et en fonction de la nature des noyaux atomiques des atomes exités, une
radioactivité artificielle et des fissions ou des fusions atomiques sont produites
avec une dépense réduite d'énergie.
43) Dispositif suivant l'ensemble des revendications 1,2,3,5,6,27 et 31
Caractérisé par le fait que dans un tore ou un noyau droit ayant dejà ou ayant
acquis par le jeu conjugué du flux différentiel et du courant électrique d'ex
citation, une radioectivité de Type'3, et se trouvant à l'intérieur de solénoï-
des d'un dispositif à flux différentiel type G,H,L cu S,le courant électrique alternatif à haute tension et qui prend naissance par émission différentielle
de particules p dans un sens alternativement privilégié le long du noyau ou du
tube, n'entraîne pas toutes les particules émises car cet entrainement est
variable suivant les caractéristiques en grandeur et en fréquence du flux diffé
rentiel comme il est variable aussi suivant l'intensité du courant électrique
d'excitation du noyau, et les particules p les plus énergétiques qui tentent de
fuir, à l'extérieur, sont capturées et ramenées à tension réduite par le Fhénome-
de l'émission secondaire vers le circuit électrique d'utilisation par 1' intermé-
diaire d'un ou plusieurs " tubes écrants " (92) rétalliques, minces, concentriques
au noyau long excité et générant à 1' extérieur d'eux nême une émission secondai
re. les dispositifs inducteurs types G H ou L étant appeles S lorsqu1 ils
Sont multiples
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FR1293198A (fr) * 1961-04-25 1962-05-11 Moteur-générateur électrique à simples culasses

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