FR2481521A1 - Photo detector target for electron beam or optical relay read=out - has high resistivity amorphous layer on silicon crystal substrate defining sensitive layer without recourse to a mosaic - Google Patents
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Abstract
Description
L'invention concerne une rétine photosensible à retat solide. The invention relates to a photosensitive retina with a solid retat.
Une telle rétine ou cible est de celles utilisées dans les tubes de prise de vues, les caméras de télévision en parficulier
Dans de tels tubes, elle est généralement associée à un faisceau délections qui en assure la lecture, c9est-à-dire celle du relief de charges crêté à sa surface par la lumière incidente. C'est notamment le cas des vidicons.Such a retina or target is one used in picture tubes, television cameras in particular
In such tubes, it is generally associated with a beam of selections which ensures its reading, that is to say that of the relief of charges crested on its surface by the incident light. This is particularly the case with vidicons.
Différents types de rétines sont connus de Part On peut citer les rétines en nnatériaux amorphes ou polycristallins, comme certains sels de sélénium, tellure et arsenic, séléniure ou tellurure de cadmium, tellurure ou séléniure de zinc, ou l'oxyde de aplomb. Different types of retinas are known in the art. Mention may be made of retinas made of amorphous or polycrystalline materials, such as certain selenium, tellurium and arsenic salts, selenide or cadmium telluride, zinc telluride or selenide, or lead oxide.
D'autres rétines utilisent comme matériau constitutif des matériaux monocristallins, tels le silicium ou l'arseniure de gallium. Other retinas use monocrystalline materials as constituent material, such as silicon or gallium arsenide.
Les matériaux amorphes ou polycristallins sont déposes en couches minces, avec une épaisseur de l'ordre de quelques microns, sur des substrats transparents qui constituent les faces avant des tubes de prise de vues Les couches sont continues, ce qui est favorable, toutes choses égales par ailleurs, à une bonne résolution. Amorphous or polycrystalline materials are deposited in thin layers, with a thickness of the order of a few microns, on transparent substrates which constitute the front faces of the shooting tubes The layers are continuous, which is favorable, all things being equal moreover, at a good resolution.
Les matériaux monocristallins sont utilises, eux, en tranches, ou plaquettes, d'une epaisseur atteignant couramment la dizaine de microns au moins, sur lesquelles sont réalisées des mosaïques de contacts redresseurs. Ces derniers matériaux sont souvent préférés aux matériaux amorphes ou polycristallins cites précédement, car il est aisé avec eux de réaliser des détecteurs de haute sensibilité. De plus, de telles plaquettes conduisent å des cibles auto-supportées de manipulation facile. Mais la structure en mosaïque des contacts redresseurs nuit à leur résolution. Monocrystalline materials are used, them, in slices, or wafers, of a thickness commonly reaching at least ten microns, on which are made mosaics of rectifier contacts. The latter materials are often preferred to the amorphous or polycrystalline materials mentioned above, because it is easy with them to produce detectors of high sensitivity. In addition, such plates lead to self-supporting targets of easy handling. However, the mosaic structure of the rectifier contacts hinders their resolution.
La rétine de l'invention a une structure composite résultant de l'association de deux éléments à l'état solide, appliques l'un contre l'autre. L'un d'eux est une plaquette d'ion monocristal de silicium, l'autre consiste en une couche mince amorphe recouvrant la plaquette sur l'une de ses faces. Ainsi se trouvent réunies dans la rétine de l'invention une bonne résolution et une bonne sensibilité, d'où il résulte une amélioration des résultats d'ensemble par rapport aux rétines de l'art antérieur. The retina of the invention has a composite structure resulting from the association of two elements in the solid state, applied one against the other. One of them is a single crystal silicon wafer, the other consists of a thin amorphous layer covering the wafer on one of its faces. Thus are found in the retina of the invention a good resolution and a good sensitivity, which results in an improvement of the overall results compared to the retinas of the prior art.
L'invention concerne une rétine photosensible à l'état solide, comprenant une plaquette de silicium monocristallin sur l'une des faces de laquelle a lieu l'impact des photons incidents en provenance d'une image, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre, appliquée sur la face opposée de la plaquette, une couche de silicium amorphe hydrogéné. The invention relates to a photosensitive retina in the solid state, comprising a monocrystalline silicon wafer on one of the faces of which the impact of the incident photons from an image takes place, characterized in that it comprises in addition, applied to the opposite face of the wafer, a layer of hydrogenated amorphous silicon.
L'invention sera mieux comprise en se reportant à la description qui suit et aux figures jointes qui montrent, les mêmes repères désignant les mêmes éléments:
- Figures 1 et 2: des représentations schématiques de la rétine de l'invention;
- Figure 3 : un exemple de dispositif optique utilisant une rétine photosensible selon l'art connu;
- Figure 4 : une adaptation du dispositif optique de la figure précédente au moyen d'une cible selon l'invention.The invention will be better understood by referring to the description which follows and to the appended figures which show, the same references designating the same elements:
- Figures 1 and 2: schematic representations of the retina of the invention;
- Figure 3: an example of an optical device using a photosensitive retina according to known art;
- Figure 4: an adaptation of the optical device of the previous figure by means of a target according to the invention.
Il est connu que le silicium monocristallin dans lequel on a développé une zone désertée de ses porteurs libres est un détecteur de lumière. I1 est connu également que le silicium amorphe allié à l'hydrogène, de type n ou p selon la nature des impuretés employées pour le dopage, peut avoir une très forte résistivité, supérieure à îo9fl x cm, pouvant aller jusqu'à 1013ex cm, pour certaines concentrations en impuretés. It is known that monocrystalline silicon in which an area deserted by its free carriers has been developed is a light detector. It is also known that amorphous silicon alloyed with hydrogen, of type n or p depending on the nature of the impurities used for the doping, can have a very high resistivity, greater than 10 9 x 10 cm, being able to go up to 10 13 × cm, for certain concentrations of impurities.
L'association d'une plaquette de silicium monocritallin de type n et d'une couche mince de silicum amorphe hydrogéné de type opposé, déposée sur l'une des faces de la plaquette, donne naissance à une hétérojonction à l'interface des deux matériaux. The combination of a n-type monocrystalline silicon wafer and a thin layer of opposite type hydrogenated amorphous silicon, deposited on one of the faces of the wafer, gives rise to a heterojunction at the interface of the two materials. .
La polarisation en inverse de cette hétérojonction, à l'aide d'une source de tension extérieure, entraîne l'apparition au sein du matériau monocritallin d'une zone désertée par les porteurs libres dans laquelle règne un champ électrique. The reverse polarization of this heterojunction, using an external voltage source, causes the appearance within the monocrystalline material of an area deserted by free carriers in which an electric field prevails.
En fonctionnement les paires électrons-trous, créées dans cette zone désertée par les photons d'une image incidente, sont séparées par le champ électrique. Les trous sont draines vers le silicium amorphe hydrogéné, tandis que les électrons gagnent la surface du silicium monocristallin exposée au flux de photons incidents . Un relief de charge correspondant aux différences d'intensité lumineuse des points de l'image est créé au sein de la rétine sur la face opposée. In operation, the electron-hole pairs, created in this area deserted by the photons of an incident image, are separated by the electric field. The holes are directed towards the hydrogenated amorphous silicon, while the electrons reach the surface of the monocrystalline silicon exposed to the flux of incident photons. A charge relief corresponding to the differences in light intensity of the points of the image is created within the retina on the opposite face.
Une telle rétine est représentée schématiquement sur la figure 1, dans laquelle le repère 1 désigne la plaquette de silicium monocristallin, de type n dans l'exemple, le repère 2, la couche de silicium amorphe hydrogéné, de type p, et 3 Phétérojonction à l'interface entre ces deux éléments, étant entendu que l'invention s'applique aussi au cas ou ces deux types, choisis pour fixer les idées, seraient intervertis.Sur la figure, les flèches L désignent le flux de photons incidents en provenance de l'image; les signes + et - cerclés représentent les porteurs libres, trous et électrons respectivement, créés dans la rétine par ces photons, et les petites flèches le sens dans lequel ils se déplacent dans la zone désertée lorsque l'hétérot jonction 3 est polarisée comme indiqué par la source de tension V. Such a retina is shown diagrammatically in FIG. 1, in which the reference 1 designates the monocrystalline silicon wafer, of type n in the example, the reference 2, the layer of hydrogenated amorphous silicon, of type p, and 3 the interface between these two elements, it being understood that the invention also applies to the case where these two types, chosen to fix ideas, are interchanged. In the figure, the arrows L denote the flow of incident photons coming from the image; the signs + and - circled represent the free carriers, holes and electrons respectively, created in the retina by these photons, and the small arrows the direction in which they move in the deserted area when the heterot junction 3 is polarized as indicated by the voltage source V.
La ligne en pointillés marque la limite au-dessous de laquelle s'étend la zone désertée dans le silicium monocristallin dans lequel est taillée la plaquette 1 cette limite dépend notamment de la valeur de la tension V.The dotted line marks the limit below which extends the area deserted in the monocrystalline silicon in which the wafer 1 is cut. This limit depends in particular on the value of the voltage V.
L'ensemble décrit forme la cible 10 de l'invention. The assembly described forms the target 10 of the invention.
Celle-ci est représentée plus en détail sur la figure 2, dans le cas d'une lecture par faisceau d'électrons comme celui cité plus haut; comme usuellement pratiqué dans la technique de l'état solide une zone 4, plus fortement dopée (n+) que le reste de la plaquette I, assure le contact de celle avec la source de tension V. En plus, sur la face opposée de la cible, celle qui reçoit le faisceau d'électrons de lecture F, une couche, dite couche d'acceptance, est prévue pour améliorer cette lecture. Cette couche, qui porte le repère 5 sur la figure consiste en un film d'un matériau semiconducteur,le trisulfure d'antimoine Sb2 S3, par exemple d'une épaisseur de 5 nanomètres à 1 micromètre. This is shown in more detail in Figure 2, in the case of an electron beam reading like the one mentioned above; as usually practiced in the solid state technique, a zone 4, more heavily doped (n +) than the rest of the wafer I, ensures contact of that with the voltage source V. In addition, on the opposite face of the target, that which receives the reading electron beam F, a layer, called the acceptance layer, is provided to improve this reading. This layer, which bears the mark 5 in the figure consists of a film of a semiconductor material, antimony trisulfide Sb2 S3, for example with a thickness of 5 nanometers to 1 micrometer.
Elle a pour rôle, notamment, d'interdire l'émission d'électrons secondaires par la couche de silicium amorphe hydrogéné 2, sous l'impact des électrons du faisceau F, et de freiner ces derniers. Its role, in particular, is to prohibit the emission of secondary electrons by the layer of hydrogenated amorphous silicon 2, under the impact of the electrons of the beam F, and to slow them down.
D'autres dispositions, connues de l'art, sont également possibles qui utilisent la rétine photosensible de l'invention. Parmi elles, celle où la rétine reçoit; sur la face tournée vers l'image, ou la scène, objet de la prise de vues, un autre faisceau d'électrons engendré par une photocathode placée sur le trajet des photons incidents. Cette photocathode est celle d'un tube intensificateur d'image. Un système optique électronique concentre le faisceau sur les différents points de la cible où il inscrit un relief électrique correspondant à l'image.Dans ce cas, la face de la cible qui reçoit ce faisceau est recouverte d'une couche de métal de très faible épaisseur, généralement inférieure à 1000 angstroms, comme celle des écrans cathodoluminescents. Ces exemples montrent certaines des adaptations à faire subir aux rétines photosensibles suivant l'application qui en est faite. Toutes ces adaptations sont réalisables sur la rétine de l'invention, dont les applications sont les mêmes que celles des rétines de l'art antérieur. Other arrangements, known in the art, are also possible which use the photosensitive retina of the invention. Among them, that where the retina receives; on the face facing the image, or the scene, the object of the shooting, another electron beam generated by a photocathode placed on the path of the incident photons. This photocathode is that of an image intensifier tube. An electronic optical system concentrates the beam on the different points of the target where it registers an electrical relief corresponding to the image. In this case, the face of the target which receives this beam is covered with a layer of very weak metal. thickness, generally less than 1000 angstroms, like that of cathodoluminescent screens. These examples show some of the adaptations to be made to the photosensitive retinas depending on the application made of them. All these adaptations can be made on the retina of the invention, the applications of which are the same as those of the retinas of the prior art.
L'intérêt de la struture composite de l'invention tient dans le fait que la présence de la couche amorphe de silicium hydrogéné, par sa grande résistivité, empêche la diffusion latérale des charges porteuses du signal engendrées par la lumière incidente ; les points de limage se trouvent ainsi bien séparés, et la résolution améliorée, sans qu'il soit nécessaire d'avoir recours à une monarque, comme dans le cas de rétines en silicium monocristallin. Cette amélioration se répercute, toutes choses égales par ailleùrs, sur les caractéristiques du dispositif auquel est incorporée la rétine. The advantage of the composite structure of the invention lies in the fact that the presence of the amorphous layer of hydrogenated silicon, by its high resistivity, prevents the lateral diffusion of the charges carrying the signal generated by the incident light; the image points are thus well separated, and the resolution improved, without it being necessary to have recourse to a monarch, as in the case of monocrystalline silicon retinas. This improvement has repercussions, all other things being equal, on the characteristics of the device in which the retina is incorporated.
On donne ci-dessous, à titre indicatif, un procédé de préparation, selon les techniques connues de l'état solide, de la rétine de l'invention, telle que représentée sur la figure 2. A method of preparation, according to known solid state techniques, of the retina of the invention is given below, by way of indication, as shown in FIG. 2.
On découpe et l'on polit un disque de silicium monocristallin, de type n dans l'exemple, dune épaisseur de l'ordre de 100 micro mètres et, de préférence, supérieure à cette valeur. A monocrystalline silicon disc, of type n in the example, is cut and polished with a thickness of the order of 100 microns and, preferably, greater than this value.
On procède ensuite à l'amincissement de la partie centrale du disque, jusqu'à une épaisseur comprise entre 5 et 20 micromètres ; cette partie constitue la zone utile de la cible, ou la rétine proprement dite, bordée d'un anneau plus épais qui-assure la rigidité mécanique de la pièce et en fait un ensemble auto-supporté. L'une des faces reçoit ensuite un fort dopage de type n, obtenu par implantation d'ions et recuit, ou diffusion: partie repèré 4 sur la figure 2. Puis l'on dépose sur la face opposée du disque la couche, 2 de silicium amorphe hydrogéné, sur une épaisseur comprise entre 5 nanomètres et 5 micromètres.Ce déport a lieu, par exemple, par pulvérisation cathodique de silicium en présence d'hydrogène ou par décomposition de silane, composé hydrogéné de silicium de formule SiH4, dans un réacteur à plasma; n dans le réacteur sont ajoutés les éléments assurant la conductivité de type p requise. Enfin, on dépose sur la couche 2 ainsi Normée du sulfure d'antimoine pour former la couche dite d'acceptance 5, sur une épaisseur de 5 nanomètres à 1 micromètre. La cible ainsi préparée est prête pour l'incorporation au tube ou au dispositif auquel elle est destinée. The central part of the disc is then thinned to a thickness of between 5 and 20 micrometers; this part constitutes the useful zone of the target, or the retina proper, bordered by a thicker ring which ensures the mechanical rigidity of the part and makes it a self-supporting assembly. One of the faces then receives a strong n-type doping, obtained by implantation of ions and annealing, or diffusion: part marked 4 in FIG. 2. Then the layer, 2 of hydrogenated amorphous silicon, between 5 nanometers and 5 micrometers thick. This offset takes place, for example, by sputtering of silicon in the presence of hydrogen or by decomposition of silane, hydrogenated silicon compound of formula SiH4, in a reactor plasma; n in the reactor are added the elements ensuring the required p-type conductivity. Finally, antimony sulfide is deposited on layer 2 thus normalized to form the so-called acceptance layer 5, over a thickness of 5 nanometers to 1 micrometer. The target thus prepared is ready for incorporation into the tube or device for which it is intended.
On décrit ci-dessous un autre exemple d'application de la rétine de l'invention. Another example of application of the retina of the invention is described below.
Cet exemple est celui d'un relais optique représenté schérnatiquement sur la figure 3. I1 s'agit d'un relais à cristaux liquides, dans lequel le contraste d'une lame de cristal liquide est commandé par un photosenseur placé devant la lame, sur le trajet de la lumière incidente venant de l'image.Une lumière auxiliaire, ou de lecture, arrivant de l'autre coté de la lame utilise ce contraste pour la formation d'une image correspondant à limage incidente. This example is that of an optical relay shown schematically in FIG. 3. It is a liquid crystal relay, in which the contrast of a liquid crystal slide is controlled by a photosensor placed in front of the slide, on the path of incident light coming from the image. An auxiliary light, or reading light, arriving on the other side of the slide uses this contrast to form an image corresponding to the incident image.
Dans le relais en question, le photosenseur est constitué par une rétine telle que celles auxquelles se rapporte l'invention. Un séparateur est nécessaire pour soustraire celui-ci à la lumière de lecture ; les signaux du photosenseur sont transmis au cristal liquide dans les conditions connues de l'art. In the relay in question, the photosensor consists of a retina such as those to which the invention relates. A separator is necessary to remove it from the reading light; the photosensor signals are transmitted to the liquid crystal under the conditions known in the art.
Sur la figure 3, on retrouve, avec ses repères, la rétine photosensible 10 ; la lame de cristal liquide et le séparateur optique portent respectivement les repères 20 et 30;le tout est pris entre deux dalles de verre 40 et 42 exposées l'une à la lumière incidente L, et l'autre à la lumière de lecture L1. Une électrode 50, transparente à la lumière de lecture, est appliquée sur la face extrème de la lame 20 pour les besoins de la polarisation appliquée, comme indiqué sur la figure, entre la rétine 10 et la lame 20. In Figure 3, there are, with its references, the photosensitive retina 10; the liquid crystal slide and the optical separator carry the marks 20 and 30 respectively; the whole is taken between two glass slabs 40 and 42 exposed one to the incident light L, and the other to the reading light L1. An electrode 50, transparent to the reading light, is applied to the end face of the blade 20 for the needs of the applied polarization, as indicated in the figure, between the retina 10 and the blade 20.
On a admis, dans la représentation de la figure 3, que la rétine 10 était conforme à l'invention, alors que toute autre rétine du même genre de l'art antérieur pourrait aussi bien convenir à la réalisation d'un tel dispositif. It has been admitted, in the representation of FIG. 3, that the retina 10 is in accordance with the invention, while any other retina of the same kind of the prior art could just as well be suitable for the production of such a device.
Par contre la rétine de l'invention, dans une de ses variantes qui va être décrite, permet la réalisation aisée de relais optiques de ce genre fonctionnant en alternatif et, non plus avec une tension de polarisation V continue, comme dans le cas de la figure 3 précédente. On the other hand, the retina of the invention, in one of its variants which will be described, allows the easy production of optical relays of this kind operating in alternating mode, and no longer with a DC bias voltage V, as in the case of the previous figure 3.
La figure 4 représente un tel relais. La rétine de l'invention comporte alors deux hétérojonctions résultant de la présence sur les deux faces de la plaquette de monocristal 1 de couches 2 et 12 de silicium amorphe hydrogéné ; l'ensemble forme la cible 11 ; les hétérojonctions sont représentés en 3 et 13. Le dispositif comporte une seconde électrode transparente 51 du côté de la dalle 40, pour l'application de la tension alternative V ; quant à la couche 12 elle est réalisée avec une épaisseur suffisament faible pour qu'elle présente une bonne transparence à la lumière d'inscription L. Figure 4 shows such a relay. The retina of the invention then comprises two heterojunctions resulting from the presence on both sides of the plate of single crystal 1 of layers 2 and 12 of hydrogenated amorphous silicon; the whole forms the target 11; the heterojunctions are shown in 3 and 13. The device comprises a second transparent electrode 51 on the side of the panel 40, for the application of the alternating voltage V; as for layer 12, it is produced with a thickness that is sufficiently small for it to exhibit good transparency in the light of inscription L.
On obtient ainsi, pour en rester aux conditions des exemples précédents (plaquette 1, de type n), une structure p- n- p dont l'une ou l'autre des jonctions p - n se trouve polarisée en inverse à chaque alternance de la tension V. One thus obtains, to remain under the conditions of the preceding examples (plate 1, of type n), a structure p- n- p of which one or the other of the junctions p - n is polarized in reverse with each alternation of the voltage V.
En outre, le séparateur 30 de la figure précédente est ici remplacé par un miroir diélectrique 31 qui arrête la lumière de lecture L1. Un tel miroir est constitué, comme on sait, de plusieurs couches superposées de deux diélectriques différents, comme la silice et l'alumine par exemple, d'épaisseurs choisies de manière a arrêter les différentes composantes du spectre de L1. Son épaisseur totale est de l'ordre du micromètre. Un tel miroir assure en fonctionnement un couplage capacitif entre la rétine 11 et la lame de cristal liquide 20 et évite, de ce fait, l'emploi de plots ou points matérialisés pour l'application du signal de la rétine sur la lame de cristal liquide. Ces points sont répartis habituellement dans les dispositifs connus suivant une mosaique. I1 n'y a donc plus de trace d'une telle mosaïque dans l'image. In addition, the separator 30 of the previous figure is here replaced by a dielectric mirror 31 which stops the reading light L1. Such a mirror consists, as we know, of several superimposed layers of two different dielectrics, such as silica and alumina for example, of thicknesses chosen so as to stop the different components of the spectrum of L1. Its total thickness is of the order of a micrometer. Such a mirror ensures in operation a capacitive coupling between the retina 11 and the liquid crystal blade 20 and therefore avoids the use of studs or points materialized for the application of the signal of the retina on the liquid crystal blade . These points are usually distributed in the known devices according to a mosaic. There is therefore no longer any trace of such a mosaic in the image.
On décrit dRessuss à l'aide de la figure 5, une application particulière de l'une des variantes de la rétine de l'invention. De façon générale, celle-ci , dans l'une ou l'autre de ses variantes, convient aux applications habituelles des rétines photosensibles de l'art antérieur, les tubes du type vidicon en particulier. We describe dRessuss using FIG. 5, a particular application of one of the variants of the retina of the invention. In general, this, in one or other of its variants, is suitable for the usual applications of photosensitive retinas of the prior art, tubes of the vidicon type in particular.
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| FR2481521B1 FR2481521B1 (en) | 1983-10-07 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0288910A2 (en) * | 1987-05-01 | 1988-11-02 | Electrohome Limited | Liquid crystal light valve utilizing hydrogenated amorphous silicon photodiode |
| EP0503570A2 (en) * | 1991-03-12 | 1992-09-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photoconductor coupled liquid crystal light valve |
| US6573640B1 (en) * | 1997-11-19 | 2003-06-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodetecting device and image sensing apparatus using the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4032954A (en) * | 1976-06-01 | 1977-06-28 | Hughes Aircraft Company | Silicon single crystal charge storage diode |
| EP0005543A1 (en) * | 1978-05-19 | 1979-11-28 | Hitachi, Ltd. | Photosensor |
| FR2441264A1 (en) * | 1978-11-08 | 1980-06-06 | Hitachi Ltd | RADIATION SENSITIVE SCREEN |
-
1980
- 1980-04-25 FR FR8009388A patent/FR2481521A1/en active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4032954A (en) * | 1976-06-01 | 1977-06-28 | Hughes Aircraft Company | Silicon single crystal charge storage diode |
| EP0005543A1 (en) * | 1978-05-19 | 1979-11-28 | Hitachi, Ltd. | Photosensor |
| FR2441264A1 (en) * | 1978-11-08 | 1980-06-06 | Hitachi Ltd | RADIATION SENSITIVE SCREEN |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| EXBK/79 * |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0288910A2 (en) * | 1987-05-01 | 1988-11-02 | Electrohome Limited | Liquid crystal light valve utilizing hydrogenated amorphous silicon photodiode |
| EP0288910A3 (en) * | 1987-05-01 | 1990-01-31 | Electrohome Limited | Liquid crystal light valve utilizing hydrogenated amorphous silicon photodiode |
| EP0503570A2 (en) * | 1991-03-12 | 1992-09-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photoconductor coupled liquid crystal light valve |
| EP0503570A3 (en) * | 1991-03-12 | 1993-01-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photoconductor coupled liquid crystal light valve |
| US5338582A (en) * | 1991-03-12 | 1994-08-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photoconductor coupled liquid crystal light valve |
| US6573640B1 (en) * | 1997-11-19 | 2003-06-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodetecting device and image sensing apparatus using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2481521B1 (en) | 1983-10-07 |
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