FR2476944A1 - Relais optoelectronique integre utilisant un semiconducteur a photoconductivite persistante et matrice de tels relais - Google Patents
Relais optoelectronique integre utilisant un semiconducteur a photoconductivite persistante et matrice de tels relais Download PDFInfo
- Publication number
- FR2476944A1 FR2476944A1 FR8003814A FR8003814A FR2476944A1 FR 2476944 A1 FR2476944 A1 FR 2476944A1 FR 8003814 A FR8003814 A FR 8003814A FR 8003814 A FR8003814 A FR 8003814A FR 2476944 A1 FR2476944 A1 FR 2476944A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- relay
- diode
- constituted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000002085 persistent effect Effects 0.000 title claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims description 7
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims description 3
- 238000004353 relayed correlation spectroscopy Methods 0.000 title abstract 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 claims description 2
- LVEULQCPJDDSLD-UHFFFAOYSA-L cadmium fluoride Chemical compound F[Cd]F LVEULQCPJDDSLD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 241000408917 Anatrytone logan Species 0.000 description 1
- 241001086826 Branta bernicla Species 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005274 electronic transitions Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04Q—SELECTING
- H04Q3/00—Selecting arrangements
- H04Q3/42—Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker
- H04Q3/52—Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker using static devices in switching stages, e.g. electronic switching arrangements
- H04Q3/526—Optical switching systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/161—Semiconductor device sensitive to radiation without a potential-jump or surface barrier, e.g. photoresistors
- H01L31/162—Semiconductor device sensitive to radiation without a potential-jump or surface barrier, e.g. photoresistors the light source being a semiconductor device with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. a light emitting diode
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
CE RELAIS COMPREND UNE COUCHE 10 A PHOTOCONDUCTIVITE PERSISTANTE, UN SUBSTRAT 12, UNE DIODE 14 CAPABLE D'EMETTRE UN RAYONNEMENT OPTIQUE 15 OU THERMIQUE 16 POUR PROVOQUER OU EFFACER LA CONDUCTIVITE DE LA COUCHE 10. APPLICATION EN COMMUTATION DE SIGNAUX ELECTRIQUES.
Description
La présente invention a pour objet un relais op-
toélectronique intégré utilisant un semiconducteur à pho-
toconductivité persistante et une matrice de tels relais.
Elle trouve une application en commutation de signaux électriques.
La fonction de commutation est en général rem-
plie par des relais électromécaniques ou électromagnéti-
ques. Ces dispositifs ne donnent pas entièrement satisfac-
tion car ils sont encombrants et nécessitent des énergies
d'alimentation non négligeables.
La présente invention a justement pour objet un élément de commutation qui évite ces inconvénients. A cette fin, l'invention fait appel à la technologie des semiconducteurs qui permet des intégrations poussées et ne
requiert que de faibles énergies de commande et de main-
tien. L'élément essentiel du relais de l'invention est
une couche d'un matériau présentant le phénomène de photo-
conductivité persistante. Ce phénomène est décrit, dans
ses aspects théoriques, notamment dans les articles sui-
vants: - R.J. HELSON, Appl. Phys. Lett. 31, 5, 351, 1977; - D.V. LANG, R. A. LOGAN, Phys. Rev. Lett. 39, 10,
635, 1977;
- U. PIEKARA, J.M. LANGER, Sol. -Stat. Comm. 23,
583, 1977;
- R. LEGROS, Y. MARFAING, R. TRIBOULET, J. phys. Chem. So-
lids, 39, 179, 1978; - B. BALLAND, G. VINCENT, D. BOIS, Appl. Phys. Lett. 34,
108, 1979.
L'utilisation d'un corps présentant de la photo-
conductivité persistante pour réaliser un dispositif opto-
électronique n'est pas nouvelle en soi. La demande de bre-
vet français 2 396 420 déposée le 29 juin 1977 et intitu-
lée "Matériau transparent photoconducteur, son procédé de fabrication et des dispositifs d'application" décrit par exemple un "dispositif à mémoire" utilisant comme matériau photoconducteur un oxyde amorphe sousstoechiométrique
d'un métal appartenant au groupe VI et plus particulière-
ment un oxyde de tungstène.
Un tel dispositif présente de nombreux inconvé-
nients du fait de l'utilisation de ce type d'oxyde comme matériau photoconducteur: tout d'abord il ne se prête pas
à une intégration de ses éléments et il est donc encom-
brant; ensuite, le rayonnement d'excitation est nécessai-
rement situé dans l'ultraviolet, ce qui rend la source d'excitation délicate à mettre en oeuvre; enfin, l'échauffement de la couche photoconductrice, grâce auquel on peut effacer la conductivité du matériau, ne peut être
obtenu que par un moyen distinct de ladite source d'ultra-
violet.
Tous ces inconvénients sont évités dans le dis-
positif de l'invention grâce à l'utilisation d'une part de
matériaux semiconducteurs pour réaliser la couche photo-
conductrice, le- substrat et les sources d'excitation, (ce qui permet l'intégration de tous ces éléments à l'aide de
techniques connues, comme I'épitaxie, l'implantation io-
nique, le dopage, etc...), et d'autre part d'une diode
électroluminescente à semiconducteur qui remplit simulta-
nément les deux rôles de source d'excitation photonique provoquant l'apparition d'une conductivité persistante
dans la couche semiconductrice et de source thermique per-
mettant d'effacer ladite conductivité.
De façon plus précise, l'invention a pour objet un relais optoélectronique intégré qui est du genre de
ceux qui comprennent: une couche de matériau à photocon-
ductivité persistante, cette couche étant déposée sur un substrat et étant munie de deux contacts électriques, une
source de rayonnement optique dirigé sur ladite couche,.
une enceinte apte à porter ladite couche à une température o a lieu le phénomène de photoconductivité persistante, et une source de rayonnement thermique apte à échauffer ladite couche pour en supprimer la conductivité, ce relais étant caractérisé en ce que le substrat est en un premier matériau semiconducteur rendu isolant, ladite couche est en un second matériau semiconducteur et est déposée sur le substrat et en ce que lesdites sources sont constituées par une même diode à base d'un troisième semiconducteur, cette diode étant intégrée audit substrat en regard de
ladite couche et étant apte à émettre un rayonnement opti-
que lorsqu'elle est polarisée en direct et un rayonnement
thermique lorsqu'elle est polarisée en inverse.
De toute façon, les caractéristiques et avanta-
ges de l'invention apparaîtront mieux après la description
qui suit, d'exemples de réalisation donnés à titre expli-
catif et nullement limitatif. Cette description se réfère
à des dessins sur lesquels: -
- la figure 1 représente en coupe et de façon schématique un relais conforme à l'invention; - la figure 2 représente, en coupe, un mode de réalisation particulier des contacts déposés sur la couche photoconductrice;
- la figure 3 représente, en coupe, un mode par-
ticulier de réalisation d'une pluralité de relais déposés sur un même substrat; - la figure 4 représente en vue de dessus, une
matrice de relais conformes à l'invention.
Le relais représenté sur la figure 1 comprend une couche 10 d'un matériau semiconducteur présentant le phénomène de photoconductivité persistante; ce matériau est par exemple Al xGa 1XAs, GaAs _XPX, Cal-xZ x t (
est inférieur à 1), CdTe, CdF2, GaSb, CdS, etc... ces se-
miconducteurs étant dopés par des impuretés telles que Te,
Se..., In. La couche 10 est reliée à chacune de ses extré-
mités à des contacts électriques 20-22 reliés à des bornes d'accès 24 et 26. La couche photoconductrice est déposée sur l'une des faces d'un substrat 12 qui est constitué par
un matériau semiconducteur rendu isolant (GaAs par exem-
ple). L'autre face de ce substrat est pourvue, juste en
regard de la couche 10, d'une diode 14 susceptible d'émet-
tre un rayonnement électromagnétique 15 ou un flux de phonons 16, selon les conditions de commande délivrées par
un circuit 18. Plus précisément, lorsque la diode est po-
larisée en direct elle se comporte en diode électrolumi-
nescente et lorsqu'élle est polarisée en inverse, elle constitue une source thermique. Un tel type de diode peut
être obtenu avec des composés ternaires comme Ga nl y As.
L'ensemble de ces moyens est placé dans une-enceinte 25 maintenue à une température suffisamment basse pour que le phénomène de photoconductivité persistante puisse avoir
lieu.
Le fonctionnement de ce dispositif- est le sui-
vant. A basse température le matériau de la couche 10 est
isolant, les électrons étant tous piégés dans les impure-
tés servant de dopant au matériau (Te, Se,... par-exemple dans le cas de Ga 1XAlxAs). L'impédance entre les contacts
et 22 est donc grande: le relais est ouvert et l'impé-
dance -est infinie entre les bornes 24 et 26. Lorsque la diode 14 est commandée en régime d'émission de rayonnement électromagnétique, le flux de photons émis qui, après avoir traversé le substrat, atteint la couche 10, induit
dans celle-ci des transitions électroniques: les élec-
trons piégés-sont alors portés dans la bande de- conduction du matériau o ils occupent un état métastable. La durée de vie de cet état est grande à la température considérée (plusieurs jours au-dessous de 500K). La conductivité du matériau de la couche 10 se maintient après que la diode 14 a été arrêtée. L'impédance entre les bornes-24 et 26
est et demeure faible: le relais est donc fermé.
Il peut être ouvert à nouveau sous l'effet d'un-
échauffement momentané du matériau de la couche 10, car la
durée de vie dudit état métastable décroît exponentielle-
24 76944
ment avec la température. Cet échauffement est obtenu en polarisant en inverse la diode 14 pour lui faire émettre
un flux de chaleur.
A titre explicatif, les caractéristiques d'un relais conforme à l'invention peuvent être les suivantes: - photoconducteur persistant: Ga xAI xAs avec x = 0,35, dopé n par Te à une concentration de 1017cm3; contacts 20 et 22: alliés par diffusion et soudure à l'étain; préparation de la couche photoconductrice: par épitaxie
liquide ou par épitaxie vapeur par la technique des or-
ganométalliques; - substrat 12: monocristal de GaAs dopé au chrome et donc semi-isolant (résistivité supérieure à 109Q/cm a 300 K) +
- diode 14: jonction p -n de Ga(ly) InyAs avec y< 1 obte-
nue par épitaxie liquide (ou gazeuse). Le côté p est dopé jusqu'à dégénérescence (> 1017cm-3) par diffusion de zinc à travers un masque dans la couche n. La teneur (y) en indium est choisie pour que le maximum du spectre d'-émission colncide avec le maximum de la bande d'absorption de l'impureté Te dans Ga lxAlxAs. L'énergie
des photons est d'environ 1,1 eV pour y = 0,3. L'émis-
sion thermique est obtenue en polarisant la diode en inverse pour déclencher un processus d'avalanche; - température de fonctionnement requise: 50 K; pour des raisons de facilité d'emploi un cryogénérateur à 15 K peut être utilisé; - dimensions latérales moyennes de chaque relais: selon
les besoins, entre quelques microns et quelques centai-
nes de microns.
La figure 2 illustre un mode particulier de réa-
lisation des contacts électriques dans lequel des couches et 32 conductrices sont déposées sur la couche 10, dans des directions rectangulaires, une couche isolante 34 les
isolant l'une de l'autre.
La figure 3 illustre un mode de réalisation d'un support comprenant une rangée de relais. Sur cette figure, chaque couche photoconductrice 10 est en contact sur sa face supérieure avec une bande métallique 40 et, sur sa face inférieure, avec une bande conductrice 42 obtenue par
implantation ionique dans le substrat de GaAs pour le ren-
dre conducteur.
Le dispositif à relais des figures 2 et 3 peut être étendu à deux dimensions pour constituer une matrice
de relais qui se présente, en vue de dessus, comme illus-
tré sur la figure 4. Cette matrice comprend n bandes ver-
ticales de connexion 50 et m bandes horizontales de con-
nexion 52 et nxm relais 54 disposés à l'intersection de ces bandes. L'un des réseaux de bandes conductrices 42-52 peut être obtenu par implantation ionique dans le substrat avant croissance épitaxiale de la couche photoconductrice.,
C'est l'utilisation de semiconducteurs qui permet de sim-
plifier la réalisation d'une telle matrice.
Claims (7)
1. Relais optoélectronique intégré comprenant:
une couche (10) d'un matériau à photoconductivité persis-
tante, cette couche étant déposée sur un substrat (12) et étant munie de deux contacts électriques (20, 22), une source de rayonnement optique dirigée sur ladite couche,
une enceinte (25) apte à porter ladite couche à une tempé-
rature o a lieu le phénomène de photoconductivité persis-
tante, et une source de rayonnement thermique apte à échauffer ladite couche pour en supprimer la conductivité, caractérisé en ce que le substrat (12) est en un premier matériau semiconducteur rendu isolant, ladite couche (10) est en un second matériau semiconducteur et est déposée
sur le substrat et en ce que lesdites sources sont consti-
tuées par une même diode (14) à base d'un troisième semi-
conducteur, cette diode. étant intégrée audit substrat en
regard de ladite couche et étant apte à émettre un rayon-
nement optique (15) lorsqu'elle est polarisée en direct et un rayonnement thermique (16) lorsqu'elle est polarisée en inverse.
2. Relais selon.la revendication 1, caractérisé
en ce que le semiconducteur constituant la couche à photo-
conductivité persistante est pris dans le groupe qui con-
tient Al xGaxAs, s-xZn Te, (avec x<),
CdTe, CdF2, GaSb, CdS.
3. Relais selon la revendication 1, caractérisé
en ce que le substrat est en GaAs semi-isolant.
4. Relais selon la revendication 1, caractérisé en ce que la diode est une jonction p±n de Ga1 In As
avec y < 1.
5. Relais selon la revendication 1, caractérisé en ce que les contacts électriques sont constitués par deux bandes conductrices croisées (30 et 32) déposées sur le substrat et la couche 10, ces bandes étant isolées
l'une de l'autre par une couche isolante (34).
6. Relais selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'un des contacts est constitué par une zone conductrice (42) obtenue par implantation dans le substrat et l'autre contact par une couche conductrice obtenue par dépôt (couche métallique ou équivalente) (40).
7. Matrice de commutation, caractérisée en ce qu'elle comprend nm relais (54) selon la revendication 1, les contacts étant constitués par n bandes conductrices parallèles (50) croisées avec m autres bandes conductrices
parallèles (52).
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8003814A FR2476944A1 (fr) | 1980-02-21 | 1980-02-21 | Relais optoelectronique integre utilisant un semiconducteur a photoconductivite persistante et matrice de tels relais |
| US06/234,005 US4412235A (en) | 1980-02-21 | 1981-02-12 | Integrated opto-electronic relay using a semiconductor with persistent photoconductivity and a matrix of such relays |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8003814A FR2476944A1 (fr) | 1980-02-21 | 1980-02-21 | Relais optoelectronique integre utilisant un semiconducteur a photoconductivite persistante et matrice de tels relais |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2476944A1 true FR2476944A1 (fr) | 1981-08-28 |
| FR2476944B1 FR2476944B1 (fr) | 1982-01-15 |
Family
ID=9238814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8003814A Granted FR2476944A1 (fr) | 1980-02-21 | 1980-02-21 | Relais optoelectronique integre utilisant un semiconducteur a photoconductivite persistante et matrice de tels relais |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4412235A (fr) |
| FR (1) | FR2476944A1 (fr) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0678923A2 (fr) * | 1994-04-08 | 1995-10-25 | Nec Corporation | Dispositifs électroniques utilisant la photoconductivité persistante |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3713067A1 (de) * | 1986-09-30 | 1988-03-31 | Siemens Ag | Optoelektronisches koppelelement und verfahren zu dessen herstellung |
| US5072122A (en) * | 1990-10-15 | 1991-12-10 | Kansas State University Research Foundation | Charge storage image device using persistent photoconductivity crystals |
| US6363097B1 (en) * | 1998-09-18 | 2002-03-26 | Nec Corporation | Semiconductor laser with a rewritable wavelength stabilizer |
| DE29911575U1 (de) * | 1999-07-02 | 1999-10-07 | Cosmo Elelctronics Corp., Taipeh/T'ai-Pei | Optoelektrisches integriertes Schaltkreisrelais |
| GB2400506A (en) * | 2003-03-03 | 2004-10-13 | Gareth Monkman | A binary or analogue opto-isolator using an undoped GaAs photoconductor |
| US7085667B2 (en) * | 2003-05-19 | 2006-08-01 | Analog Microelectronics, Inc. | System and method of heating up a semiconductor device in a standard test environment |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3748480A (en) * | 1970-11-02 | 1973-07-24 | Motorola Inc | Monolithic coupling device including light emitter and light sensor |
| FR2399740A1 (fr) * | 1977-08-02 | 1979-03-02 | Thomson Csf | Diode a avalanche a hetero-jonction, et oscillateur en mode dit " a temps de transit " utilisant une telle diode |
| US4167791A (en) * | 1978-01-25 | 1979-09-11 | Banavar Jayanth R | Non-volatile information storage arrays of cryogenic pin diodes |
-
1980
- 1980-02-21 FR FR8003814A patent/FR2476944A1/fr active Granted
-
1981
- 1981-02-12 US US06/234,005 patent/US4412235A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0678923A2 (fr) * | 1994-04-08 | 1995-10-25 | Nec Corporation | Dispositifs électroniques utilisant la photoconductivité persistante |
| EP0678923A3 (fr) * | 1994-04-08 | 1996-02-28 | Nec Corp | Dispositifs électroniques utilisant la photoconductivité persistante. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2476944B1 (fr) | 1982-01-15 |
| US4412235A (en) | 1983-10-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6452220B1 (en) | Current isolating epitaxial buffer layers for high voltage photodiode array | |
| JP3183296B2 (ja) | 転倒型透明基板光電子装置とその製造 | |
| US6252221B1 (en) | Photo-conductive switch having an improved semiconductor structure | |
| FR2662304A1 (fr) | Procede de fabrication d'une structure integree guide-detecteur de lumiere en materiau semi-conducteur. | |
| EP0350351A1 (fr) | Photodiode et matrice de photodiodes sur matériau II-VI et leurs procédés de fabrication | |
| FR2479569A1 (fr) | Dispositif de conversion de rayonnement electromagnetique en courant electrique | |
| EP2149919B1 (fr) | Diode électroluminescente en matériau semiconducteur et son procédé de fabrication | |
| US20140182668A1 (en) | High efficiency silicon-compatible photodetectors based on ge quantum dots and ge/si hetero-nanowires | |
| FR2512286A1 (fr) | Laser a semi-conducteur | |
| FR2546665A1 (fr) | Cellules solaires multichromatiques ternaires iii-v | |
| Gao et al. | In0. 53Ga0. 47As metal‐semiconductor‐metal photodiodes with transparent cadmium tin oxide Schottky contacts | |
| US7781853B2 (en) | Plasmon-enhanced electromagnetic-radiation-emitting devices and methods for fabricating the same | |
| FR2476944A1 (fr) | Relais optoelectronique integre utilisant un semiconducteur a photoconductivite persistante et matrice de tels relais | |
| US6362483B1 (en) | Visible-blind UV detectors | |
| EP0001728A1 (fr) | Diode émettrice et réceptrice de lumière notamment pour télécommunications optiques | |
| EP0232662B1 (fr) | Structure semi-conductrice monolithique d'un laser et d'un transistor à effet de champ et son procédé de fabrication | |
| FR3004000A1 (fr) | Dispositif electroluminescent avec capteur integre et procede de controle de l'emission du dispositif | |
| EP3240030A1 (fr) | Dispositif de photo-détection à réseau inter-diodes sur-dopé et procédé de fabrication | |
| KR100422294B1 (ko) | Ｃｄ/Ｈｇ 분위기에서 열처리에 의한 ＨｇＣｄＴｅ 접합다이오드의 패시배이션 방법 | |
| FR2569056A1 (fr) | Transistor a induction statique du type a injection par effet tunnel et circuit integre comprenant un tel transistor | |
| FR2661566A1 (fr) | Laser compact a semi-conducteur du type a pompage electronique. | |
| Focht et al. | High resistivity in p‐type InP by deuteron bombardment | |
| FR2666175A1 (fr) | Transistor a effet de champ a supraconducteur. | |
| FR2684237A1 (fr) | Circuit integre de lasers semiconducteurs et procede de realisation de ce circuit. | |
| Rogalski et al. | Theoretical modeling of long wavelength n+‐on‐p HgCdTe photodiodes |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |