FR1529175A - Procédé pour introduire par diffusion de l'arsenic dans des corps de silicium - Google Patents

Procédé pour introduire par diffusion de l'arsenic dans des corps de silicium

Info

Publication number
FR1529175A
FR1529175A FR111855A FR111855A FR1529175A FR 1529175 A FR1529175 A FR 1529175A FR 111855 A FR111855 A FR 111855A FR 111855 A FR111855 A FR 111855A FR 1529175 A FR1529175 A FR 1529175A
Authority
FR
France
Prior art keywords
silicon bodies
diffusing arsenic
arsenic
diffusing
bodies
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
FR111855A
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from GB2829866A external-priority patent/GB1146738A/en
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority to FR111855A priority Critical patent/FR1529175A/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR1529175A publication Critical patent/FR1529175A/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/02—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion materials in the solid state
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/223—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
FR111855A 1966-06-24 1967-06-26 Procédé pour introduire par diffusion de l'arsenic dans des corps de silicium Expired FR1529175A (fr)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR111855A FR1529175A (fr) 1966-06-24 1967-06-26 Procédé pour introduire par diffusion de l'arsenic dans des corps de silicium

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB2829866A GB1146738A (en) 1966-06-24 1966-06-24 Arsenic diffusion in silicon bodies
FR111855A FR1529175A (fr) 1966-06-24 1967-06-26 Procédé pour introduire par diffusion de l'arsenic dans des corps de silicium

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR1529175A true FR1529175A (fr) 1968-06-14

Family

ID=26177618

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR111855A Expired FR1529175A (fr) 1966-06-24 1967-06-26 Procédé pour introduire par diffusion de l'arsenic dans des corps de silicium

Country Status (1)

Country Link
FR (1) FR1529175A (fr)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2105174A1 (fr) * 1970-09-03 1972-04-28 Ibm
FR2172099A1 (fr) * 1972-02-14 1973-09-28 Ibm

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2105174A1 (fr) * 1970-09-03 1972-04-28 Ibm
FR2172099A1 (fr) * 1972-02-14 1973-09-28 Ibm

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR1511998A (fr) Dispositif pour faire pénétrer par diffusion des substances étrangères dans des corps semiconducteurs
CH481199A (de) Procédé de préparation d'une composition adhésive d'acrylate/acrylamide
FR1470913A (fr) Perfectionnements apportés aux procédés de préparation de l'acide méthacrylique
FR1529175A (fr) Procédé pour introduire par diffusion de l'arsenic dans des corps de silicium
FR1501416A (fr) Procédé pour supprimer la nitrification de l'azote ammoniacal dans le sol
FR1363317A (fr) Procédé et dispositif pour l'obturation de tubes et tubes ainsi obtenus
FR1514754A (fr) Procédé pour la préparation de phtalannes amino-alcoyl-substitués
FR1494344A (fr) Procédé et dispositif pour l'assainissement de l'air
FR2284982A1 (fr) Procede de diffusion d'impuretes dans des corps semiconducteurs
FR1524659A (fr) Procédé de diffusion d'impuretés dans des semiconducteurs
FR1395224A (fr) Procédé de diffusion d'impuretés dans un corps semi-conducteur
FR1373822A (fr) Procédé de réalisation de diffusion localisée d'une impureté dans un semiconducteur
CH488642A (fr) Procédé de préparation de l'a-sinensal
OA00001A (fr) Perfectionnements apportés aux dispositifs pour la culture intensive dans des régions arides et ensoleillées.
FR1459294A (fr) Procédé de diffusion d'impuretés dans des corps semiconducteurs applicable notamment pour fabriquer des circuits intégrés
FR1365497A (fr) Procédé et dispositif pour l'étude de la réentrée des engins dans l'atmosphère
FR1532457A (fr) Perfectionnements aux procédés de diffusion de l'or dans des corps semiconducteurs
FR1487719A (fr) Procédé de diffusion de phosphate d'ammonium à forte concentration dans du silicium
FR1536842A (fr) Cristaux de carbure de silicium et procédé pour leur préparation
CA759919A (en) Method of diffusing boron into semi-conductor bodies
FR1537360A (fr) Procédé pour faire diffuser l'or dans un matériau semi-conducteur
FR1508966A (fr) Procédé de traitement d'ulexite
CH459583A (fr) Procédé de préparation d'alliage germanium-silicium
FR1298711A (fr) Procédé d'alliage pour la formation de jonctions dans des corps de carbure de silicium
FR1510849A (fr) Procédé de préparation d'alliages de silicium et de terres rares et alliages obtenus par ce procédé