FR1522197A - Procédé pour former un contact ohmique sur de l'arséniure de gallium du type n - Google Patents

Procédé pour former un contact ohmique sur de l'arséniure de gallium du type n

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    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
    • C30B19/061—Tipping system, e.g. by rotation

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2106380A1 (fr) * 1970-09-08 1972-05-05 Philips Nv
FR2430090A1 (fr) * 1978-06-27 1980-01-25 Western Electric Co Contacts ohmiques non allies sur des semi-conducteurs de type n du groupe iii(a)-v(a)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2106380A1 (fr) * 1970-09-08 1972-05-05 Philips Nv
FR2430090A1 (fr) * 1978-06-27 1980-01-25 Western Electric Co Contacts ohmiques non allies sur des semi-conducteurs de type n du groupe iii(a)-v(a)

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