FR1444258A - Procédé pour la fabrication d'une matière semi-conductrice - Google Patents

Procédé pour la fabrication d'une matière semi-conductrice

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    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
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    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
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