FR1440227A - Procédé de production de couches de carbure de silicium de grande pureté pour des semi-conducteurs - Google Patents
Procédé de production de couches de carbure de silicium de grande pureté pour des semi-conducteursInfo
- Publication number
- FR1440227A FR1440227A FR16957A FR16957A FR1440227A FR 1440227 A FR1440227 A FR 1440227A FR 16957 A FR16957 A FR 16957A FR 16957 A FR16957 A FR 16957A FR 1440227 A FR1440227 A FR 1440227A
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- semiconductors
- silicon carbide
- high purity
- producing high
- purity silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/90—Carbides
- C01B32/914—Carbides of single elements
- C01B32/956—Silicon carbide
- C01B32/963—Preparation from compounds containing silicon
- C01B32/984—Preparation from elemental silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5053—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials non-oxide ceramics
- C04B41/5057—Carbides
- C04B41/5059—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
- C04B41/87—Ceramics
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL6504325A NL6504325A (enrdf_load_html_response) | 1965-04-05 | 1965-04-05 | |
FR16957A FR1440227A (fr) | 1965-04-05 | 1965-05-13 | Procédé de production de couches de carbure de silicium de grande pureté pour des semi-conducteurs |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL6504325A NL6504325A (enrdf_load_html_response) | 1965-04-05 | 1965-04-05 | |
FR16957A FR1440227A (fr) | 1965-04-05 | 1965-05-13 | Procédé de production de couches de carbure de silicium de grande pureté pour des semi-conducteurs |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR1440227A true FR1440227A (fr) | 1966-05-27 |
Family
ID=26163827
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR16957A Expired FR1440227A (fr) | 1965-04-05 | 1965-05-13 | Procédé de production de couches de carbure de silicium de grande pureté pour des semi-conducteurs |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
FR (1) | FR1440227A (enrdf_load_html_response) |
NL (1) | NL6504325A (enrdf_load_html_response) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2357067A1 (fr) * | 1976-06-30 | 1978-01-27 | Ibm | Procede de formation de regions de carbure de silicium monocristallin sur des substrats en silicium et dispositifs semi-conducteurs en resultant |
-
1965
- 1965-04-05 NL NL6504325A patent/NL6504325A/xx unknown
- 1965-05-13 FR FR16957A patent/FR1440227A/fr not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2357067A1 (fr) * | 1976-06-30 | 1978-01-27 | Ibm | Procede de formation de regions de carbure de silicium monocristallin sur des substrats en silicium et dispositifs semi-conducteurs en resultant |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL6504325A (enrdf_load_html_response) | 1966-10-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FR1547963A (fr) | Procédé de fabrication de cristaux filiformes de carbure de silicium et objets constitués au moins partiellement par ces cristaux | |
CH444832A (fr) | Procédé de fabrication du carbure de silicium en fines particules | |
BE585390A (fr) | Procédé de fabrication de silicium de très grande pureté. | |
FR1461092A (fr) | Procédé de préparation du silicium par électrolyse | |
FR1440227A (fr) | Procédé de production de couches de carbure de silicium de grande pureté pour des semi-conducteurs | |
FR1395946A (fr) | Procédé de fabrication de carbure de silicium pigmentaire | |
FR1456437A (fr) | Procédé de fabrication de silicium de grande pureté | |
FR1346748A (fr) | Procédé de fabrication continue du carbure de silicium | |
FR1365330A (fr) | Procédé de fabrication continue du carbure de silicium | |
FR1454259A (fr) | Procédé pour la fabrication de silicium d'une grande pureté | |
BE593058A (fr) | Procédé de préparation de carbure de silicium de grande pureté | |
FR1460778A (fr) | Procédé de fabrication de carbure de silicium | |
FR1457105A (fr) | Procédé de fabrication de couches superficielles ou feuilles pour diazotypie | |
FR1467423A (fr) | Procédé pour réaliser des couches épitaxiales régulières notamment pour la fabrication de composants à semi-conducteurs | |
FR1530752A (fr) | Procédé de production de corps en carbure de silicium très denses | |
FR1365904A (fr) | Procédé pour déposer des couches cristallines d'une substance cassante très pure | |
FR1384986A (fr) | Procédé de production du tétrafluorure de silicium | |
CA657304A (en) | Process for the production of substantially pure bonding agent free silicon carbide shapes | |
CA695133A (en) | Process for the production of submicron silicon carbide | |
FR1539823A (fr) | Procédé de production de silicium cristallin | |
FR1488038A (fr) | Procédé de fabrication de couches épitaxiales à partir de composés semi-conducteurs | |
FR1307108A (fr) | Procédé pour fabriquer des couches semi-conductrices monocristallines | |
FR1345226A (fr) | Procédé pour réaliser des couches épitaxiales sur des monocristaux semiconducteurs | |
FR1313750A (fr) | Procédé de fabrication de carbure de silicium très pur | |
CA741034A (en) | Process for the production of a highly doped p-conducting zone in a semiconductor body, in particular from silicon |