FR1417761A - Procédé pour le traitement d'un corps semi-conducteur par la méthode de fusion par zone et dispositif pour la mise en oeuvre du procédé - Google Patents

Procédé pour le traitement d'un corps semi-conducteur par la méthode de fusion par zone et dispositif pour la mise en oeuvre du procédé

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    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/28—Controlling or regulating

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3210833A1 (de) * 1981-03-30 1982-10-07 Mobil Tyco Solar Energy Corp., Waltham, Mass. Verfahren und vorrichtung zum ziehen eines bandfoermigen kristallkoerpers aus einer schmelze

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DE3210833A1 (de) * 1981-03-30 1982-10-07 Mobil Tyco Solar Energy Corp., Waltham, Mass. Verfahren und vorrichtung zum ziehen eines bandfoermigen kristallkoerpers aus einer schmelze

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