FR1267807A - Procédé d'alliage d'une matière d'électrode à un cristal semi-conducteur - Google Patents

Procédé d'alliage d'une matière d'électrode à un cristal semi-conducteur

Info

Publication number
FR1267807A
FR1267807A FR824581A FR824581A FR1267807A FR 1267807 A FR1267807 A FR 1267807A FR 824581 A FR824581 A FR 824581A FR 824581 A FR824581 A FR 824581A FR 1267807 A FR1267807 A FR 1267807A
Authority
FR
France
Prior art keywords
alloying
electrode material
semiconductor crystal
crystal
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
FR824581A
Other languages
English (en)
French (fr)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Application granted granted Critical
Publication of FR1267807A publication Critical patent/FR1267807A/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/24Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
FR824581A 1959-04-17 1960-04-15 Procédé d'alliage d'une matière d'électrode à un cristal semi-conducteur Expired FR1267807A (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL238257 1959-04-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR1267807A true FR1267807A (fr) 1961-07-28

Family

ID=19751673

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR824581A Expired FR1267807A (fr) 1959-04-17 1960-04-15 Procédé d'alliage d'une matière d'électrode à un cristal semi-conducteur

Country Status (5)

Country Link
CH (1) CH385350A (de)
DE (1) DE1113033B (de)
FR (1) FR1267807A (de)
GB (1) GB925743A (de)
NL (1) NL238257A (de)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2796562A (en) * 1952-06-02 1957-06-18 Rca Corp Semiconductive device and method of fabricating same

Also Published As

Publication number Publication date
CH385350A (de) 1964-12-15
NL238257A (de)
GB925743A (en) 1963-05-08
DE1113033B (de) 1961-08-24
DE1113033C2 (de) 1962-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR1235367A (fr) Procédé d'introduction d'impuretés dans une matière semi-conductrice
BE604422A (fr) Procédé de déposition d'un matériau semi-conducteur
FR1235801A (fr) Perfectionnement à l'équipement de manutention
CH430445A (fr) Procédé de fabrication d'une matière photographique
BE607916A (fr) Procédé et appareil pour la fabrication d'adiponitrile
FR1245902A (fr) Procédé de fabrication d'une matière filamenteuse
CH402425A (fr) Procédé de cristallisation d'une matière semi-conductrice
FR1182009A (fr) Fabrication de nu-alkyl- et nu-cycloalkyl bis (2-benzothiazolesulfen) amides
FR1267807A (fr) Procédé d'alliage d'une matière d'électrode à un cristal semi-conducteur
BE589793A (fr) Procédé d'alliage d'une matière d'électrode à un cristal semi-conducteur
BE586230A (fr) Procédé pour la fabrication d'eupolyoxyméthylènes
FR1184282A (fr) Fabrication d'amides cycliques
FR1218902A (fr) Procédé pour la fabrication d'explosifs peu sensibles à l'humidité
FR1244085A (fr) Procédé perfectionné pour la fabrication d'élastomères oléfiniques
FR1239648A (fr) Procédé de préparation d'une matière destinée à réaliser des électrodes sur des corps semi-conducteurs
BE593270A (fr) Procédé d'addition intermittente d'une substance à une autre
FR1363136A (fr) Procédé de fabrication d'agents propulsifs
BE594914A (fr) Procédé d'alliage d'une électrode à un corps semi-conducteur
FR1219056A (fr) Procédé perfectionné pour la fabrication d'électrodes pour batteries électriques et électrodes nouvelles obtenues par ce procédé
FR1201164A (fr) Procédé de fabrication d'électrodes de soudure stabilisées
FR1284405A (fr) Procédé d'hydrofluoruration d'un alcyne
FR1225621A (fr) Procédé de fabrication d'amides hydrogénées d'acides n-alcoyl-alcoyl-pipéridine- et -pyrrolidine-alpha-monocarboxyliques
FR1164102A (fr) Procédé de soudure d'éléments métalliques
BE595276A (fr) Procédé pour la fabrication d'acides fluorophtaliques
FR1258509A (fr) Procédé pour la production d'un matériel photographique