FR1204436A - Dispositif automatique pour l'addition d'impuretés pendant le tirage des transistrons à jonctions - Google Patents

Dispositif automatique pour l'addition d'impuretés pendant le tirage des transistrons à jonctions

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FR1204436A
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    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/02Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0798403A1 (fr) * 1996-03-27 1997-10-01 Shin-Etsu Handotai Company Limited Méthode czochralski à rechargement continu pour la production de monocristaux de silicium et appareillage pour l'alimentation de dopant

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0798403A1 (fr) * 1996-03-27 1997-10-01 Shin-Etsu Handotai Company Limited Méthode czochralski à rechargement continu pour la production de monocristaux de silicium et appareillage pour l'alimentation de dopant
US5900055A (en) * 1996-03-27 1999-05-04 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of manufacturing silicon monocrystal by continuously charged Czochralski method

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