FI64008C - ZONROER FOER PROJEKTILER - Google Patents
ZONROER FOER PROJEKTILER Download PDFInfo
- Publication number
- FI64008C FI64008C FI820724A FI820724A FI64008C FI 64008 C FI64008 C FI 64008C FI 820724 A FI820724 A FI 820724A FI 820724 A FI820724 A FI 820724A FI 64008 C FI64008 C FI 64008C
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- proximity
- dielectric resonator
- proximity excitation
- frequency
- excitation according
- Prior art date
Links
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
! 64008! 64008
Ammuksiin tarkoitettu läheisyysheräte Zonrör för projektilerProximity excitation for munitions Zonrör för projektiler
Keksinnön kohteena on ammuksiin tarkoitettu läheisyysheräte, johon kuuluu aktiivinen komponentti, kuten FET-transistori tai bipolaari-transistori tai muu vastaava aktiivinen elin sekä dielektrinen resonaattori, joka on sovitettu toimimaan oskilloinnin synnyttäjänä 5 takaisinkytkentää käyttäen.The invention relates to a proximity excitation for ammunition, comprising an active component such as an FET transistor or a bipolar transistor or other similar active member and a dielectric resonator adapted to act as an oscillator generator 5 using feedback.
Tähän asti tunnetut Doppler-herätteet toimivat noin 50 MHz - 200 MHz taajuuksilla. Taajuus on kaliiberista riippuvainen siten, että pitkät ammukset edustavat toimintataajusrajojen alareunaa ja vastaavasti 10 lyhyet ammukset yläreunaa. Tämä johtuu siitä, että ammuksen, ts. ilmassa lentävän osan pituus on suuruudeltaan noin neljännesaallon luokkaa, jotta se toimisi puoliaaltodipoliantennin toisena puoliskona.Hitherto known Doppler stimuli operate at frequencies of about 50 MHz to 200 MHz. The frequency is caliber dependent, with long munitions representing the lower edge of the operating frequency limits and 10 short munitions representing the upper edge, respectively. This is because the length of the projectile, i.e., the part flying in the air, is about the order of a quarter wave to function as the second half of a half-wave dipole antenna.
Antennirakenteen toisena puoliskona on elektronisen oskillaattoripiirin 15 induktanssikela, joka edustaa sähköisesti lyhyttä, ts. aallonpituuteen nähden lyhyttä antennia.The second half of the antenna structure is an inductance coil of the electronic oscillator circuit 15, which represents an electrically short, i.e. short, wavelength antenna.
Doppler-herätteen toiminta perustuu siihen, että estettä lähestyttäessä heijastuu lähetetty aalto takaisin siten, että keskinäisen liikkeen 20 johdosta se kohtaa välillä lähettimen samassa vaiheessa uuden lähtettä-vän aallon kanssa ja välillä vastavaiheessa. Tästä seuraa, että antenni kuormittuu jaksottaisesti ns. Doppler-taajuudella. Tämä taajuus saadaan esiin sopivasti kytketyllä ilmaisijalla, esimerkiksi diodilla. Ammus voidaan siis saattaa räjähtäväksi sopivalla elektroniikkapiirillä, 25 kun haluttu ilmaisimen signaalin taso ylitetään.The operation of the Doppler excitation is based on the fact that when the obstacle is approached, the transmitted wave is reflected back so that due to the mutual movement 20 it encounters the transmitter in the same phase with the new transmitted wave and sometimes in the opposite phase. It follows that the antenna is periodically loaded so-called. The Doppler frequency. This frequency is indicated by a suitably connected detector, for example a diode. The projectile can thus be detonated by a suitable electronic circuit when the desired level of the detector signal is exceeded.
Tavallisesti Doppler-herätteessä on sama lähetys- ja vastaanottoantenni. Kohdatessaan liikkuvan esteen heijastuu osa lähetetystä taajuudesta takaisin Doppler-taajuuden verran muuttuneella taajuudella. Näiden 30 kahden taajuuden erotuksen, joka on tyypillisesti pienillä (audio) taajuuksilla, muodostaa ns. sekoittaja-elementti, joka on tyypillisesti diodi, kuten esim. Schottky-diodi. Tällainen erotustaajuus on haluttu siksi, että sitä on helppo käsitellä tavallisilla pientaajuus-elektroniikkapiireillä.Usually, the Doppler excitation has the same transmit and receive antenna. When it encounters a moving obstacle, part of the transmitted frequency is reflected back at a frequency changed by the Doppler frequency. The difference between these two frequencies, which is typically at low (audio) frequencies, is formed by the so-called a mixer element, which is typically a diode, such as a Schottky diode. Such a separation frequency is desired because it is easy to handle with conventional low frequency electronic circuits.
2 640082 64008
Tekniikan tason osalta viitataan esim. US-patenttiin n:o 3 833 905, jossa on esitetty läheisyysheräte, joka käyttää oskilloinnin synnyttämiseen bipolaaritransistoreita, keloja sekä kondensaattoreita. Tämän tunnetun läheisyysherätteen toimintataajuus on suhteellisen pieni ja 5 toimintataajuuden yläraja on suuruusluokkaa 300 MHz.With regard to the prior art, reference is made, for example, to U.S. Patent No. 3,833,905, which discloses a proximity excitation that uses bipolar transistors, coils, and capacitors to generate oscillation. The operating frequency of this known proximity stimulus is relatively low and the upper limit of the operating frequency is of the order of 300 MHz.
Tekniikan tason osalta viitataan lisäksi US-patenttiin n:o 4 079 341, DOS-julkaisuun n:o 3 007 580 sekä Euroopan patenttihakemukseen n:o 0013174. Näissä viitejulkaisuissa on käsitelty dielektrisellä 10 resonaattorilla takaisinkytkettyjä oskillaattoreita, jotka eivät ole luonteeltaan itseoskilloivia sekoittajia.With regard to the state of the art, reference is further made to U.S. Patent No. 4,079,341, DOS Publication No. 3,007,580 and European Patent Application No. 0013174. These references deal with dielectric resonator feedback oscillators which are not self-oscillating mixers.
Keksinnön päämääränä on aikaansaada parannus nykyisin tunnettuihin lä-heisyysherätteisiin. Keksinnön yksityiskohtaisempana päämääränä on ai-15 kaansaada läheisyysheräte, jossa ei tarvita erillistä antennia. Eräänä keksinnön yksityiskohtaisempana päämääränä on aikaansaada läheisyys-heräte, joka toimii huomattavasti korkeammilla taajuuksilla. Vielä eräänä keksinnön päämääränä on aikaansaada läheisyysheräte, jossa on mahdollisimman vähän komponentteja, minkä johdosta läheisyysherätteestä 20 tulee tilavuudeltaan pieni sekä painoltaan kevyt.It is an object of the invention to provide an improvement over the currently known proximity stimuli. It is a more detailed object of the invention to provide a proximity excitation without the need for a separate antenna. It is a more detailed object of the invention to provide a proximity stimulus that operates at significantly higher frequencies. Yet another object of the invention is to provide a proximity stimulus with as few components as possible, as a result of which the proximity stimulus 20 becomes small in volume and light in weight.
Keksinnön päämäärät saavutetaan läheisyysherätteellä, jolle on pääasiallisesti tunnusomaista se, että dielektrinen resonaattori on sovitettu toimimaan sekä säteilyn lähetysantennina että vastaanottoanten-25 nina, jolloin säteilyenergiaa viedään ja tuodaan läheisyysherätteeseen dielektrisen resonaattorin kautta ilman lähtöjohdinta.The objects of the invention are achieved by a proximity exciter, which is mainly characterized in that the dielectric resonator is adapted to act as both a radiation transmitting antenna and a receiving antenna, whereby radiant energy is introduced and introduced into the proximity exciter via a dielectric resonator without an output conductor.
Keksinnön mukaisen läheisyysherätteen muut tunnuspiirteet on esitetty patenttivaatimuksissa 2-10.Other features of the proximity stimulus according to the invention are set out in claims 2-10.
3030
Keksinnön mukaisella läheisyysherätteellä saavutetaan lukuisia merkittäviä etuja. Komponenttien vähyys tekee keksinnön mukaisesta Doppler-modulista tilavuudeltaan pienen sekä painoltaan kevyen, jonka johdosta sitä voidaan käyttää mitä erilaisimmissa näitä ominaisuuksia kaipaavissa 35 ammussovellutuksissa. Keksinnön mukaisessa Doppler-modulissa tarvitaan ainoastaan kaksi komponenttia, ts. FET-transistori tai bipolaari-transistori tai muu vastaava aktiivinen elin sekä dielektrinen reso- 3 64CC8 naattori. Tämä mahdollistaa sen, että keksinnön mukaisen Doppler-modulin valmistuskustannukset vähenevät ja luotettavuus kasvaa sekä hinta halpenee huomattavasti.Numerous significant advantages are achieved with the proximity stimulus according to the invention. The scarcity of components makes the Doppler module according to the invention small in volume and light in weight, as a result of which it can be used in a wide variety of ammunition applications requiring these properties. In the Doppler module according to the invention, only two components are required, i.e. an FET transistor or a bipolar transistor or other similar active element and a dielectric resonator. This makes it possible to reduce the manufacturing costs and increase the reliability of the Doppler module according to the invention and to reduce the price considerably.
5 Keksintöä selitetään yksityiskohtaisesti viittaamalla oheisien piirustuksien kuvioissa esitettyihin keksinnön eräisiin edullisiin suoritusmuotoihin, joihin keksintöä ei kuitenkaan ole tarkoitus yksinomaan rajoittaa.The invention will be explained in detail with reference to some preferred embodiments of the invention shown in the figures of the accompanying drawings, to which, however, the invention is not intended to be exclusively limited.
10 Kuvio 1 esittää kaaviomaisesti ammusta, jossa on käytetty keksinnön mukaista läheisyysherätettä.Figure 1 schematically shows an ammunition using a proximity stimulus according to the invention.
Kuvio 2 esittää Doppler-tutkan toimintaa lohkokaaviona.Figure 2 shows the operation of a Doppler radar as a block diagram.
15 Kuvio 3A esittää erästä tapaa, jolla oskilloinnin synnyttämiseen tarvittava dielektrisellä napilla suoritettu takaisinkytkentä voidaan aikaansaada.Figure 3A shows one way in which the dielectric feedback required to generate oscillation can be provided.
Kuvio 3B esittää erästä toista tapaa, jolla oskilloinnin synnyttämiseen 20 tarvittava dielektrisellä napilla suoritettu takaisinkytkentä voidaan aikaansaada.Figure 3B shows another way in which the feedback performed by the dielectric button required to generate the oscillation 20 can be provided.
Kuvio 3C esittää erästä kolmatta tapaa, jolla oskilloinnin synnyttämiseen tarvittava dielektrisellä napilla suoritettu takaisinkytkentä voi-25 daan aikaansaada.Figure 3C shows a third way in which the dielectric feedback required to generate oscillation can be provided.
Kuviot 4A ja 4B esittävät kaaviomaista yleiskuvaa keksinnön mukaisesta läheisyysherätteestä.Figures 4A and 4B show a schematic overview of a proximity stimulus according to the invention.
30 Kuvio 5 esittää tutkan sähköistä ekvivalenttikytkentää.Figure 5 shows the electrical equivalent connection of the radar.
Kuviossa 1 ammusta on merkitty yleisesti viitenumerolla 10. Ammus 10 käsittää sähkömagneettisia aaltoja läpäisevän kuvun 11, jonka sisälle on sijoitettu keksinnön mukainen Doppler-moduli 12. Ammukseen 10 kuuluu 35 lisäksi elektroniikkaosa 14, teholähde 15, sytytinketju 16 sekä räjähde-tila 17. Viitenumerolla 13 on merkitty keksinnön mukaisen Doppler-modulin 12 synnyttämää erästä säteilykeilaa yhdessä tasossa.In Figure 1, the projectile is generally indicated by reference numeral 10. The projectile 10 comprises an electromagnetic wave-transmitting dome 11 containing a Doppler module 12 according to the invention. is marked in one plane of a beam of radiation generated by the Doppler module 12 according to the invention.
4 64CC 84 64CC 8
Kuviossa 2 on lohkolla 18 merkitty lähetys/vastaanotto sekä sekoitus lohkoa sekä lohkolla 19 logiikkapiiriä. Itseoskilloivassa sekoittajassa synnytetään värähtely seuraavasti. Dielektrisellä resonaattorilla 22, joka on sopivasti kytketty transistoripiiriin, kuten kuvioissa 3A-3C 5 on esitetty, aiheutetaan positiivinen takaisinkytkentä FET-transistorin 21 drain- ja gate-elektrodien välillä, jolloin transistoripiiri joutuu epästabiiliin tilaan ja alkaa värähdellä. Värähtelyn taajuus riippuu dielektrisen resonaattorin 22 mitoista sekä ympäristöstä, jossa se on. On huomattava, että dielektrinen resonaattori 22 aiheuttaa te-10 hon takaisinkytkeytymistä ainoastaan omalla resonanssitaajudellaan.In Figure 2, block 18 shows the transmission / reception as well as the mixing block and block 19 the logic circuit. In the self-oscillating mixer, vibration is generated as follows. A dielectric resonator 22 suitably coupled to the transistor circuit, as shown in Figures 3A-3C 5, causes a positive feedback between the drain and gate electrodes of the FET transistor 21, causing the transistor circuit to become unstable and begin to oscillate. The frequency of the oscillation depends on the dimensions of the dielectric resonator 22 and the environment in which it is located. It should be noted that the dielectric resonator 22 causes the te-10 to feedback only at its own resonant frequency.
Tämä on myös se taajuus, jolla dielektrinen resonaattori 22 säteilee. Säteily johtuu siitä, että resonaattori on luonteeltaan avoin rakenne.This is also the frequency at which the dielectric resonator 22 radiates. The radiation is due to the fact that the resonator is an open structure in nature.
15 Kuvioissa 3A-3C on dielektrinen resonaattori 22 kytketty esimerkinomaisesti drain- ja gate-elektrodin väliin. Kuitenkin voidaan resonaattori 22 asettaa myös kahteen muuhun paikkaan, nimittäin drain- ja source-elektrodin väliin tai gate- ja source-elektrodin väliin.In Figures 3A-3C, a dielectric resonator 22 is connected by way of example between a drain and a gate electrode. However, the resonator 22 can also be placed in two other places, namely between the drain and source electrodes or between the gate and source electrodes.
20 Kytkentätavoissa (kuviot 3A-3C) tuodaan kannelle negatiivinen jännite ja drainille positiivinen jännite. Nämä tuodaan sellaisten suodatin-ten 32 (kuvio 5) kautta, joita mikroaaltoteho ei läpäise. Asia voidaan toteuttaa esim. tavallisella mikroliuska-alipäästösuodattimella tai hyvin ohuesta johdelangasta käämityllä kuristimella 29 (kuvio 4A) tai 25 näiden yhdistelmällä.20 In the connection methods (Figures 3A-3C), a negative voltage is applied to the deck and a positive voltage to the drain. These are introduced through filters 32 (Figure 5) which are not permeated by microwave power. This can be done, for example, with a standard microstrip low-pass filter or a choke 29 (Fig. 4A) wound from a very thin conductor wire, or a combination of these.
Kun lähetetty sähkömagneettinen säteily, jonka taajuus on f, kohtaa heijastavan esineen, palaa osa lähetetystä tehosta takaisin keskinäisen liikkeen vuoksi Doppler-taajuuden verran muuttuneella taajuudella, 30 joka on yhtä suuri kuin f ± f^. Taajuus f + tarkoittaa sitä, että ammus 10 ja kohde liikkuvat toisiaan kohti ja vastaavasti taajuus f - fj tarkoittaa sitä, että ammus 10 ja kohde liikkuvat toisistaan poispäin. 1 FET-transistorin 21 toimintapiste on asetettu siten, että alkuperäinen taajuus f sekä palaava taajuus f t sekoittuvat keskenään, ts. aktiivinen elementti eli FET-transistori 21 muodostaa taajuuksien erotuk- 640C8 s sen, joka juuri on Doppler-taajuus f^. Syntynyt Doppler-taajuus vahvistetaan ja viedään päätöksentekopiirien kautta sytyttimeen, joka suorittaa sytytyksen. Kuviossa 2 logiikkapiiristä 19 saatavaa ohjaussignaalia on merkitty viitenumerolla 20.When the transmitted electromagnetic radiation of frequency f encounters a reflecting object, part of the transmitted power returns due to mutual motion at a frequency changed by a Doppler frequency equal to f ± f ^. The frequency f + means that the projectile 10 and the target move towards each other and the frequency f - fj, respectively, means that the projectile 10 and the target move away from each other. The operating point of the FET transistor 21 is set so that the initial frequency f and the return frequency f t are mixed with each other, i.e. the active element, i.e. the FET transistor 21, forms the frequency difference, which is exactly the Doppler frequency f ^. The resulting Doppler frequency is amplified and passed through decision circuits to an igniter that performs ignition. In Fig. 2, the control signal from the logic circuit 19 is denoted by reference numeral 20.
55
Vaikkakin sylinterimäinen muoto dielektrisessä resonaattorissa 22 on tavanomaisin, voidaan käyttää myös suuntaissärmiön tai elliptisen sylinterin muotoisia dielektrisiä resonaattoreita.Although the cylindrical shape in the dielectric resonator 22 is the most conventional, parallelepiped or elliptical cylindrical dielectric resonators can also be used.
10 Kuten kuviossa 4A on esitetty sekoitustuloksen ulosotto OUT/IF tapahtuu drain-vastukeen R, avulla tässä suoritusesimerkissä. Käyttämällä d erilaisia transistorin kytkentöjä voidaan sekoitustulos ottaa ulos toisesta elektrodista, jolloin myös resonaattorin 22 paikka voi muuttua eo. mukaan. Mahdollisia kytkentötapoja ova.t: 15 CE = yhteisemitterikytkentä CB * yhteiskantakytkentä CC = yhteiskollektorikytkentäAs shown in Fig. 4A, the output of the mixing result OUT / IF takes place by means of the drain resistor R, in this embodiment. By using d different transistor connections, the mixing result can be taken out of the second electrode, whereby the position of the resonator 22 can also change eo. by. Possible connection methods ova.t: 15 CE = common emitter connection CB * common base connection CC = common collector connection
Self-biaskytkentä (gaten ja suourcen välillä vastus, joka voi 20 olla siirtojohtojen yhteydessä, jolloin suurtaajuusteho menee sen kautta tai sitten se voi olla ulkoinen, jolloin suurtaajuusteho ei mene sen kautta).Self-bias switching (the resistance between the gate and the high, which may be in connection with the transmission lines, in which case the high-frequency power passes through it, or it may be external, in which case the high-frequency power does not pass through it).
Käytettäessä self- iaskytkentää (CE:ssä) ei gate-elektrodilla tarvita 25 lainkaan ulkoista jännitettä. Ainoastaan käyttöjännite on oltava.When using self-coupling (in CE), no external voltage is required at the gate electrode. Only the supply voltage must be.
Kuviossa 4A on biasointivastus (source-vastus) 31 siirtojohtojen yhteydessä.Figure 4A shows a bias resistor 31 in connection with transmission lines.
Drain-vastus R, (tai muun elektrodin vastus eo. mukaan) voi olla eril-α 30 linen komponentti, tai sitten se voidaan valmistaa ohutkalvo- tai paksukalvotekniikalla suoraan biaspiiriin, jolloin se myös parantaa biassuodattimen toimintaa. Samaten source-vastus R voidaan valmis- s taa ohut- tai paksukalvotekniikalla tai sitten se voi olla erillinen komponentti.The drain resistor R 1 (or the resistance of the other electrode, depending on the eo.) Can be a separate α 30 component, or it can be manufactured by thin-film or thick-film technology directly on the bias circuit, thus also improving the performance of the bias filter. Likewise, the source resistor R can be manufactured by thin or thick film technology or it can be a separate component.
Mikroliuskajohtimet 26 voivat olla avoimet, oikosuljetut tai resistii-visellä kuormalla 27 päätetyt. Resistiivinen kuorma 27 voidaan tehdä 35 6 6 4 O C 8 diskreetillä vastuksella tai sitten ohut- tai paksukalvotekniikalla suoraan johtimien 26 jatkoksi, kuten kuviossa 4A on esitetty. Viitenumerolla 28 on merkitty suotokondensaattoria ja viitenumerolla 29 kuristinta.The microstrip conductors 26 may be open, shorted, or terminated by a resistive load 27. The resistive load 27 can be made by 35 6 6 4 O C 8 discrete resistor or by thin or thick film technology directly as an extension of the conductors 26, as shown in Fig. 4A. Reference numeral 28 denotes a filter capacitor and reference numeral 29 denotes a choke.
55
Kuviossa 5 on FET-transistoria merkitty viitenumerolla 21, suodatin-rakennetta (kuristin, mikroaaltosuodatin ja kondensaattori) viitenumerolla 32, dielektrisen resonaattorin ekvivalenttikomponentteja R*, L* ja C* viitenumeroilla 33,34 ja 35, kannan pääteimpedanssia Z^ vii-10 tenumerolla 36 ja drain-impedanssia viitenumerolla 37. Ekvivalentti-piirissä on siirtojohdot 26 piirretty osina, joilla kullakin on oma aaltoimpedanssinsa ja pituutensa (i = 1...5). Käytännössä Z^ on 50 Ω (i 1...5) ja (i = 1...5) vaihtelee halutusta oskillointi-taajuudesta riippuen ollen esimerkiksi 0-30 mm. Source-vastusta on 15 merkitty viitenumerolla 31.In Fig. 5, the FET transistor is denoted by reference numeral 21, the filter structure (choke, microwave filter, and capacitor) is denoted by reference numeral 32, the dielectric resonator equivalent components R *, L *, and C * are denoted by reference numerals 33, 34, and 35, the base end impedance Z and drain impedance by reference numeral 37. In the equivalent circuit, the transmission lines 26 are drawn in sections each having its own wave impedance and length (i = 1 ... 5). In practice, Z 1 is 50 Ω (i 1 ... 5) and (i = 1 ... 5) varies depending on the desired oscillation frequency, being, for example, 0-30 mm. Source resistor 15 is denoted by reference numeral 31.
Dielektrinen nappi 22 esim. bariumnonatitanaatti Ba2^9®20 °n ^uontee^·” taan kapeakaistainen resonaattorisuodatin, joka kytkee tehoa drainilta D gatelle G vain omalla resonanssitaajuudellaan, joka riippuu mm. napin 20 korkeudesta, halkaisijasta sekä mikroliuskasubstraatin dielektrisyys-vakiosta ja paksuudesta.A dielectric button 22, e.g. barium nonatitanate Ba2 ^ 9®20 ° n ^ groove, is a narrowband resonator filter which switches the power from the drain D to the gate G only at its own resonant frequency, which depends e.g. the height, diameter, and dielectric constant and thickness of the microstrip substrate.
Piiri alkaa värähdellä juuri em. resonanssitaajuudella. Sen lisäksi, että nappi 22 aikaansaa värähtelyn, toimii se myös antennina. Kaik-25 kea sähkömagneettista tehoa se ei siis ohjaa drainilta gatelle, vaan Maxwellin yhtälöiden mukaan avonaisen rakenteen vuoksi nappi 22 säteilee em. resonanssitaajudellaan osan tehosta.The circuit starts to oscillate at the above-mentioned resonant frequency. In addition to providing vibration, the button 22 also acts as an antenna. Thus, it does not direct all the electromagnetic power from the drain to the gate, but according to Maxwell's equations, due to the open structure, the button 22 radiates part of the power at its above-mentioned resonant frequency.
Kun säteily (taajuus f) kohtaa liikkuvan esteen, heijastuu siitä osa 30 takaisin Doppler-taajuuden verran muuttuneella taajuudella f ± ja saavuttaa napin. Nappi 22 toimii siis myös vastaanottoantennina.When the radiation (frequency f) encounters a moving obstacle, part 30 is reflected back at a frequency f ± changed by the Doppler frequency and reaches the button. The button 22 thus also acts as a receiving antenna.
Uusi taajuus kiertää piirissä nyt entisen lisäksi, kun paluuaalto on otettu vastaan. Tällöin tapahtuu sekoittuminen. Transistori muodostaa 35 taajuuksien erotuksen f^, joka on Doppler-taajuus ja joka saadaan piiristä ulos sopivalla suodattimena, joka ei päästä läpi mikroaalto-tehoa. Doppler-taajuus on tässä sovellutuksessa tyypillisesti muutamia kilohertzejä.The new frequency now orbits the circuit when the return wave is received. This causes mixing. The transistor forms a frequency difference λ, which is a Doppler frequency and is obtained out of the circuit as a suitable filter which does not pass microwave power. The Doppler frequency in this application is typically a few kilohertz.
Claims (10)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI820724A FI64008C (en) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | ZONROER FOER PROJEKTILER |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI820724A FI64008C (en) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | ZONROER FOER PROJEKTILER |
FI820724 | 1982-03-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FI64008B FI64008B (en) | 1983-05-31 |
FI64008C true FI64008C (en) | 1983-09-12 |
Family
ID=8515159
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FI820724A FI64008C (en) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | ZONROER FOER PROJEKTILER |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
FI (1) | FI64008C (en) |
-
1982
- 1982-03-01 FI FI820724A patent/FI64008C/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FI64008B (en) | 1983-05-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3394373A (en) | Combined oscillator and folded slot antenna for fuze useful in small projectiles | |
US4573212A (en) | Integrated receiver antenna device | |
US4541120A (en) | Transmitter-receiver module | |
JPS59111407A (en) | Tunable waveguide oscillator | |
US3085205A (en) | Semiconductor harmonic generators | |
US20070229197A1 (en) | Dielectric Resonance Apparatus, Oscillation Apparatus, and Transmission/Reception Apparatus | |
US6242987B1 (en) | Oscillator structure having resonator disposed below oscillator circuit | |
US4405925A (en) | Microwave transceiver, particularly for a doppler radar system | |
US3300729A (en) | Non-linear element mounted high dielectric resonator used in parametric and tunnel diode amplifiers, harmonic generators, mixers and oscillators | |
US4426628A (en) | Millimeter wave oscillator with enhanced dielectric coupler | |
FI64008C (en) | ZONROER FOER PROJEKTILER | |
US6144264A (en) | High Q-factor oscillator circuit | |
US3601723A (en) | Electronic tuning apparatus for microwave circuits | |
US3212018A (en) | Waveguide parametric amplifier employing variable reactance device and thin septa iris to resonate fixed reactance of the device | |
US6630870B1 (en) | High-frequency diode oscillator and millimeter-wave transmitting/receiving apparatus | |
US3271698A (en) | Oscillator with resonant circuit connected to transistor housing | |
US3393357A (en) | Miniaturized package containing a solid state oscillator and a frequency multiplier | |
JP3086883B2 (en) | Frequency modulator | |
US3803514A (en) | Microwave oscillator | |
JP2003087053A (en) | Oscillator, transmission and reception module, and radar device | |
KR20060080213A (en) | Dielectric resonator, oscillator and transmitter/receiver | |
US3111629A (en) | Reactance or parametric amplifier | |
JP3117020B2 (en) | Waveguide oscillator | |
RU2127477C1 (en) | Active transceiver antenna | |
US4636751A (en) | Coaxial cavity Gunn oscillator using probe coupled microstrip |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM | Patent lapsed |
Owner name: SAKO-VALMET OY |