ES2776127T3 - Método y sistema para la desactivación de etiquetas EAS/RFID en combinación - Google Patents

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Abstract

Un dispositivo de vigilancia electrónica de artículos/identificación por radiofrecuencia ("EAS/RFID"), en combinación (8), que comprende: un dispositivo semiconductor (14), que tiene un circuito EAS y un circuito RFID; un circuito de antena (10), en comunicación eléctrica con el dispositivo semiconductor (14); y un condensador (64), incluyendo el condensador una capa de aislamiento (70), en donde la aplicación de una tensión predeterminada al condensador (64) da como resultado una ruptura eléctrica de la capa de aislamiento (70), que resulta en la desactivación permanente del dispositivo EAS/RFID (8), de modo que el condensador (64) es un condensador MOS no lineal y es parte del circuito de antena (10) o parte del dispositivo semiconductor (14), caracterizado por que el condensador MOS funciona irreversiblemente como un condensador lineal con un valor de capacitancia más bajo después de un fallo.

Description

DESCRIPCIÓN
Método y sistema para la desactivación de etiquetas EAS/RFID en combinación
Referencia cruzada a solicitud relacionada
Esta solicitud es una continuación en parte de la patente n.° de serie 12/331.604, presentada el 10 de diciembre de 2008, titulada METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE FOR USE IN UHF ELECTRONIC ARTICLE SURVEILLANCE SYSTEMS, y reivindica prioridad para la Solicitud de Patente de Etapa Nacional de U.S. n.° de serie 11/791.089, presentada el 28 de abril de 2008 que reclama el beneficio del de la solicitud PCT n.° de serie PCT/US05/041679, presentada el 18 de noviembre de 2005, que reivindica la prioridad de la solicitud provisional n.° de serie 60/630.351, presentada el 23 de noviembre de 2004.
Campo de la invención
La presente invención se refiere en general a sistemas de interrogación de artículos y más específicamente a un método y sistema para desactivar un dispositivo combinado de vigilancia electrónica de artículos (EAS) e identificación por radiofrecuencia (RFID) en Ultra Alta Frecuencia ("UHF") u otros tipos de sistemas de interrogación sin la necesidad de contactar físicamente la etiqueta con un dispositivo de desactivación.
Antecedentes de la invención
Las marcas de mezcla o las etiquetas de mezcla se utilizan en los sistemas de interrogación de vigilancia electrónica de artículos ("EAS") de frecuencia ultra alta ("UHF") y se basan en un principio de mezcla de frecuencia. Normalmente, las etiquetas de mezcla incluyen un diodo conectado a una antena dipolo. La etiqueta se sintoniza a una frecuencia de microondas específica (fuhf), tal como, por ejemplo, 915 MHz. El rango de frecuencia se puede elegir entre cientos de megahercios hasta varios gigahercios ajustando la longitud del dipolo de la antena y la capacitancia de unión del diodo. Cuanto menor sea la frecuencia de funcionamiento de microondas, cuanto mayor sea la longitud del dipolo requerida, y mayor será la capacitancia resultante.
Sin embargo, existen limitaciones inherentes a los dispositivos de desactivación cuando se tiene que desactivar etiquetas que tienen diodos. Por ejemplo, las patentes U.S. n.° 4.318.090 y 4.574.274 proporcionan etiquetas de mezcla UHF que usan elementos y medios no lineales de diodo para contacto directo o contacto no directo, pero con un rango limitado. Las características de ruptura del diodo requieren que una corriente sustancial sea conducida a través del diodo para lograr la desactivación, resultando así en el contacto directo con la etiqueta para suministrar suficiente energía eléctrica al diodo para causar su destrucción, desactivando así la etiqueta. Esto da como resultado un sistema de desactivación poco práctico, ya que no siempre es posible o económicamente viable limitarse a este tipo de desactivación por "contacto". De este modo, los diseños de etiquetas de este tipo no son efectivos en situaciones donde la desactivación de la etiqueta se lleva a cabo desde la distancia, es decir, donde el dispositivo de desactivación no está en contacto con la etiqueta. Otros sistemas de desactivación de la técnica anterior (tales como el sistema descrito en la Patente U.S. n.° 5.608.379) han intentado evitar este problema agregando interruptores y otros dispositivos de hardware al sistema de desactivación. Esto demuestra ser costoso y engorroso y da como resultado distancias de desactivación relativamente bajas para una fuente de campo magnético considerablemente grande.
Ninguna de las soluciones intentadas antes mencionadas resuelve el problema de cómo desactivar eficazmente las etiquetas EAS combinadas a una distancia considerable sin la necesidad de que el dispositivo de desactivación esté en contacto directo con la etiqueta EAS/RFID y sin la necesidad de proporcionar elementos de desactivación adicionales a la etiqueta EAS. Las características inherentes de los diodos con su comportamiento no lineal predecible hacen que los sistemas de desactivación EAS que utilizan este tipo de etiquetas sean ineficaces cuando se trata de desactivar etiquetas a distancia.
La figura 1 ilustra un diseño de la técnica anterior de un marcador de mezcla 2 o etiqueta de mezcla utilizada a menudo en sistemas de vigilancia electrónica de artículos ("EAS"). Los marcadores de mezcla de este tipo son inherentemente deficientes en los sistemas de desactivación de etiquetas debido a la cantidad de energía necesaria para destruir el diodo, que generalmente está diseñado para ser robusto y rectificar y controlar tensiones. La no linealidad de la capacitancia intrínseca y las características de ruptura de tensión relativamente bajas del condensador MOS son más deseables que el diodo en este aspecto. En la figura 1, el diodo 4 aparece entre dos partes de la antena 6. Los diseños de etiquetas de este tipo no son efectivos en situaciones donde la desactivación de la etiqueta se lleva a cabo desde la distancia, es decir, donde el dispositivo de desactivación no está en contacto con la etiqueta.
Los métodos inadecuados para desactivar las etiquetas EAS descritas anteriormente también pueden aplicarse a las etiquetas combinadas EAS/RFID. Con el advenimiento de la tecnología RFID, muchos minoristas están considerando etiquetar mercancías (por ejemplo, por artículo, por caja, por palet) con etiquetas RFID. Al mismo tiempo, la tecnología y los dispositivos de vigilancia electrónica de artículos (EAS) han demostrado ser críticos para la reducción del robo y la llamada "contracción". Se prevé que los dispositivos RFID también pueden proporcionar muchas de las mismas ventajas conocidas por la tecnología EAS, junto con ventajas o capacidades adicionales como el control de inventario, lectura de estante, lectura sin línea de vista, etc.
El documento U.S. 7.286.053 B1 muestra un dispositivo EAS/RFID combinado con un inductor interno y un inductor externo. Uno de los inductores está acoplado a un condensador lineal y el otro inductor está acoplado a una placa de condensador no lineal. El condensador no lineal comprende un componente semiconductor. Para la desactivación del bit de memoria, los umbrales pueden cambiarse de forma no volátil.
Por lo tanto, lo que se necesita es un método para desactivar una etiqueta combinada EAS/RFID donde la etiqueta combinada incorpora un elemento no lineal que exhibe características de descomposición de nivel muy bajo para que se logre una desactivación confiable a una distancia considerable.
Sumario de la invención
De acuerdo con la presente invención, se proporciona un dispositivo combinado de vigilancia electrónica de artículos/identificación por radiofrecuencia ("EAS/RFID") de acuerdo con la reivindicación 1.
De acuerdo con la presente invención, se proporciona un sistema combinado de desactivación de vigilancia electrónica de artículos/identificación por radiofrecuencia ("EAS/RFID") de acuerdo con la reivindicación 10.
De acuerdo con la presente invención, se proporciona un método para desactivar una etiqueta combinada de vigilancia electrónica de artículos/identificación por radiofrecuencia ("EAS/RFID") sin contactar físicamente con la etiqueta de acuerdo con la reivindicación 14.
Las realizaciones preferidas se definen por las reivindicaciones dependientes 2-9, 11-13.
Breve descripción de los dibujos
Una comprensión más completa de la presente invención, y las ventajas y características que la acompañan, se entenderá más fácilmente con referencia a la siguiente descripción detallada cuando se considere junto con los dibujos adjuntos en los que:
La figura 1 es un diseño de una etiqueta de mezcla UHF que ilustra un diseño de etiqueta de la técnica anterior que utiliza un diodo y una antena dipolo;
La figura 2 es un diagrama de bloques de un dispositivo EAS/RFID integrado que incorpora los principios de la presente invención;
La figura 3 es un diagrama de un dispositivo EAS/RFID integrado que tiene circuitos frontales integrados conectados a una antena dipolo UHF con un condensador resonante y construido de acuerdo con los principios de la presente invención;
La figura 4 es un diagrama de un dispositivo EAS/RFI D integrado que tiene circuitos frontales integrados conectados a una antena dipolo UHF con un condensador de baja tensión de ruptura y construido de acuerdo con los principios de la presente invención; y
La figura 5 es una vista lateral de un condensador MOS no lineal utilizado con una etiqueta combinada EAS/RFID y construido de acuerdo con los principios de la presente invención.
Descripción detallada de la invención
Antes de describir en detalle realizaciones a modo de ejemplo que están de acuerdo con la presente invención, se observa que las realizaciones residen principalmente en combinaciones de componentes de aparatos y etapas de procesamiento relacionadas con la implementación de un sistema, dispositivo y método para facilitar la desactivación de etiquetas EAS/RFID en combinación en un entorno de desactivación de proximidad al incluirlas dentro de la etiqueta, un dispositivo no lineal que es adecuado para la ruptura con una tensión baja. Tal y como se utiliza en el presente documento, el término "tensión baja" generalmente se refiere a tensiones menores de aproximadamente 10 voltios. Se entiende, sin embargo, que la invención no se limita únicamente a dispositivos que deben tener dicho valor cuando se usan en el contexto de tensiones de ruptura. Dependiendo del diseño de la etiqueta, se pueden utilizar valores superiores a 10 voltios. El dispositivo EAS/RFID en combinación de la presente descripción es capaz de realizar funciones duales EAS/RFID, es decir, la función RFID proporciona información extensa sobre el elemento etiquetado, mientras que la función EAS adjunta proporciona información limitada sobre el elemento (activado/desactivado).
Por consiguiente, los componentes del sistema y del método se han representado, según corresponda, mediante símbolos convencionales en los dibujos, que muestran solo los detalles específicos que son pertinentes para comprender las realizaciones de la presente invención para no ocultar la divulgación con detalles que serán fácilmente aparentes para los expertos en la técnica que tienen el beneficio de la descripción en este documento.
Tal y como se utiliza en el presente documento, términos relacionales, como "primero" y "segundo", "arriba y abajo", y similares, se pueden utilizar únicamente para distinguir una entidad o elemento de otra entidad o elemento sin requerir necesariamente o implicar cualquier relación física o lógica u orden entre tales entidades o elementos.
Con referencia ahora en detalle a los dibujos en los que partes similares pueden designarse con números de referencia similares en todas partes, tal como se ilustra en la figura 2, los componentes de una etiqueta EAS/RFID en combinación o marcador 8 de la presente descripción incluyen una antena 10 que es un dispositivo de acoplamiento de energía diseñado para recibir y retransmitir la energía y la señal 12 desde un dispositivo semiconductor inteligente 14. La antena 10 puede estar dedicada a recibir y retrodispersar la transmisión de energía y señales relacionadas con la etiqueta o marcador 8. La antena 10 puede ser una antena dipolo para aplicaciones de frecuencia ultra alta (UHF) y puede ser una antena de bobina para aplicaciones de alta frecuencia (HF). Las realizaciones no están limitadas a este contexto. El semiconductor 14 está diseñado para realizar funciones analíticas y computacionales. La antena 10 está operativamente acoplada al dispositivo semiconductor 14 a través de la señal 12 y sirve como dispositivo transceptor para las funciones EAS y RFID. Aunque la antena 10 se muestra separada del dispositivo semiconductor 14, en una realización, la antena 10 también puede formarse en el dispositivo semiconductor 14 como una unidad integrada. Las realizaciones no están limitadas a este contexto.
El dispositivo semiconductor 14 incluye circuitos incorporados, de doble función, para controlar las funciones EAS y RFID, respectivamente. Es posible que la circuitería que controla las funciones EAS/RFID pueda compartir la misma (o porciones de la misma) circuitería o estar acoplada a un componente común, por ejemplo, antena 10. Un lector también puede estar diseñado para cooperar con (o ambos) los dispositivos/funciones EAS o RFID. Tal lector se revela en la Solicitud de patente japonesa de propiedad común no examinada publicada n.° 60/629.571, presentada el 18 de noviembre de 2004, titulado "INTEg Ra TED 13.56 MHz EAS/RFID DEVICE", ahora presenta simultáneamente la Solicitud de Patente PCT n.° PCT/US2005/041680, presentada el 18 de noviembre de 2005 y titulada "EAS READER DETECTING EAS FUNCTION FROM RFID DEVICE".
El dispositivo semiconductor 14 debe estar completamente alimentado para ejecutar las operaciones lógicas requeridas para diversas aplicaciones RFID, como el control de acceso, seguimiento de documentos, seguimiento de ganado, autenticación de producto, tareas minoristas y tareas de la cadena de suministro. La función principal de un dispositivo EAS es crear una firma única en respuesta a una consulta del sistema (preferiblemente realizada sin activar por completo las funciones lógicas RFID de una etiqueta o marcador RFID en las proximidades). Como resultado, el rango efectivo de lectura EAS es mayor que el rango efectivo de lectura RFID y los dispositivos/funciones EAS tienden a ser más resistentes a los efectos de blindaje y desintonización.
Las figuras 3 y 4 ilustran una arquitectura típica de un dispositivo integrado EAS/RFID 8 que actúa también como un marcador EAS debido a su circuito frontal no lineal. la circuitería frontal del dispositivo 8 incluye diodos rectificadores 16 y 18 para la recolección de energía, y un dispositivo de impedancia controlable 20 que causa el comportamiento de mezcla de microondas para la funcionalidad EAS.
El dispositivo EAS/RFID 8 incluye una porción frontal de recepción de energía 22, que también puede servir como una porción frontal de rectificación de tensión del dispositivo EAS/RFID 8. La porción frontal 22 está acoplada a la antena 10 en los terminales T1 y T2. El terminal T1 acopla la antena 10 al electrodo fuente 24 mientras que el terminal T2 acopla la antena 10 al electrodo de drenaje 26. El dispositivo de impedancia controlable 20 está acoplado en paralelo a los electrodos 24 y 26 en las uniones 28 y 30, respectivamente. El diodo 16 está acoplado en paralelo a los electrodos 24 y 26 en las uniones 32 y 34, respectivamente. De manera similar, los condensadores 36 y 38 están acoplados en paralelo a los electrodos 24 y 26 en las uniones 40 y 42, y 44 y 46, respectivamente. La tensión de fuente Vss en la unión 40 y la tensión de drenaje Vdd en la unión 42 proporcionan energía para el almacenamiento por el condensador 36.
En una realización, la porción de extremo frontal 22 del dispositivo 8 mezcla una señal UHF (frecuencia ultra alta) con un campo eléctrico de radiofrecuencia (RF) basado en la no linealidad del extremo frontal 22 del dispositivo integrado EAS/RFID 8. Más particularmente, tal realización se describe en detalle en la Solicitud de Patente de U.S. de propiedad común en tramitación con número de serie 11/144.883 presentada el 3 de junio de 2005 titulada "TECHNIQUES FOR DETECTING RFID TAGS IN ELECTRONIC ARTICLE SURVEILLANCE SYSTEMS USING FREQUENCY MIXING".
Las funciones de programación del dispositivo 8 son proporcionadas por la porción de extremo posterior RFID 48 a través de un controlador de potencia 50 que incluye al menos una máquina de estado 52, que es un dispositivo de conmutación que ejecuta operaciones lógicas, memoria 54, modulador 56 y demodulador 58. La memoria 54 puede comprender, por ejemplo, memoria de programa, memoria de datos, o cualquier combinación de los mismos. La memoria 54 también puede comprender, por ejemplo, memoria de acceso aleatorio (RAM), memoria de solo lectura (ROM), una memoria de solo lectura (PROM), una memoria solo de lectura programable (EPROM), memoria de solo lectura programable y borrable eléctricamente (EEPROM), o combinaciones de las mismas, y similares. El modulador 56 está acoplado al dispositivo de impedancia de modulación 20. El electrodo de drenaje 26 está acoplado en la unión 60 al demodulador 58. La máquina de estado 52 determina la condición operativa y controla el dispositivo de impedancia de modulación 20. Las condiciones de funcionamiento se almacenan en la memoria 54. La máquina de estado 52 también controla el dispositivo de impedancia de modulación 20 a través del modulador 56. La energía se proporciona al controlador de potencia 50 normalmente a través de los condensadores 36 y 38. Tal y como se ha descrito anteriormente, el dispositivo EAS/RFID 8 está acoplado eléctricamente a la estructura de antena de resonancia 10, es decir, una antena dipolo UHF que tiene un condensador lineal de baja tensión de ruptura 64, para una absorción o reflejo eficiente de la energía de microondas, como se muestra en la figura 3. Al alterar el grosor de la capa dieléctrica del condensador 64 de baja tensión de ruptura, la desactivación del dispositivo 8 se puede lograr a distancia y sin la necesidad de que haya un contacto físico entre el dispositivo de desactivación y el dispositivo 8. En el momento de la desactivación, se puede emitir un aumento de tensión del proceso RFID para romper y acortar la delgada capa dieléctrica. Como alternativa, se puede inducir un alto tensión a través del acoplamiento con una antena adyacente.
En una realización alternativa, el condensador 64 de baja tensión de ruptura es un condensador MOS no lineal de baja tensión de ruptura. Además de los diodos 16 y 18, el uso de un condensador MOS puede mejorar aún más el rendimiento de la mezcla debido a su no linealidad intrínseca. Esto permite la avería y el cortocircuito de la antena 10, lo que da como resultado la desactivación del dispositivo EAS/RFID 8.
En otra realización, elemento modulador 20, que es inherente al circuito RFID y que proporciona retrodispersión, puede ser un transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal ("MOSFET") con una característica de ruptura de tensión baja. Haciendo referencia a la figura 3, la conductividad del MOSFET está controlada por la tensión de la puerta. Al aplicar una tensión de control binario, la resistencia del MOSFET oscila entre un valor alto y uno bajo. El uso de un dispositivo MOSFET que tiene una tensión de ruptura baja como elemento de modulación 20 da como resultado un aislamiento de puerta delgada. Para desactivar el dispositivo EAS/RFID 8, se aplica una tensión de desactivación a la puerta. Con la ruptura de la capa aislada de la puerta, el elemento permanecerá en un estado de alta impedancia, si es un modo mejorado FET. Con un modo de agotamiento FET, el dispositivo tendrá una baja impedancia.
Haciendo referencia a la figura 4, se muestra otra realización de la invención. En esta realización, el condensador de tensión baja 64 reside en el dispositivo semiconductor 8 en lugar de en la estructura de antena 10. El condensador 64 puede estar en paralelo con el condensador 38, como se muestra o, en una realización alternativa, el condensador 64 puede combinarse con el condensador 38. Para frecuencias de HF, el condensador 38 está incluido para sintonizar más fácilmente la antena 10 para resonancia con el dispositivo EAS/RFID 8. Para frecuencias UHF, el condensador 38 generalmente no está presente. En cualquier caso, la ruptura se logra alterando el grosor de la capa dieléctrica del condensador 64 de baja tensión de ruptura como se describe anteriormente y la desactivación del dispositivo 8 se puede lograr a distancia y sin la necesidad de que haya un contacto físico entre el dispositivo de desactivación y el dispositivo 8.
Para facilitar la facilidad de desactivación, la tensión de ruptura del condensador MOS del dispositivo EAS/RFID 8 puede minimizarse aún más. La figura 5 ilustra los componentes de la etiqueta EAS/RFID integrada 8. El diseño representado en la figura 5 es una realización, y está dentro del alcance de la invención modificar este diseño de modo que sea adecuado y compatible con las técnicas de fabricación existentes. El dispositivo 8 incluye una capa de electrodo superior 65, una capa de electrodo inferior 66, una región de semiconductores 68 y una capa de aislamiento 70. Debido a la capa aislada 70 dentro de la estructura, el dispositivo se comporta como un condensador.
De este modo, la desactivación se puede lograr reduciendo el grosor del aislamiento/capa dieléctrica 70. Con una capa más delgada, se puede generar un campo E alto para inducir la descomposición. Como alternativa, es posible elegir diferentes tipos de aisladores con tensiones de ruptura más bajas. En otra realización más, se pueden incluir centros de impurezas o defectos durante la deposición de las capas dieléctricas para favorecer la descomposición.
De este modo, el condensador MOS tiene una característica de tensión de ruptura incorporada que determina las características de desactivación en el dispositivo 8. Un dispositivo desactivador proporciona una fuente de campo E dentro de los límites reglamentarios a una frecuencia operativa determinada. El campo E se acopla al dispositivo 8 para proporcionar la descomposición necesaria de la delgada capa de óxido del condensador del dispositivo MOS. Por debajo de este umbral de desglose, el dispositivo MOS funciona como un condensador no lineal. Sin embargo, después de que se logra el desglose, el dispositivo MOS funciona irreversiblemente como un condensador lineal con un valor de capacitancia algo menor. La ausencia de la característica de no linealidad hace que el dispositivo de mezcla sea indetectable en un sistema de mezcla EAS.
La presente invención es aplicable a sistemas RFID UHF, así como a cualquier dispositivo que funcione a altas frecuencias (HF) (por ejemplo, 13,56 MHz). A altas frecuencias, se utiliza una antena de bucle que tiene aproximadamente 7 a 10 vueltas y que tiene un área de superficie de aproximadamente 4 cm por 7 cm.
La presente invención proporciona la capacidad de desactivar un dispositivo EAS/RFID en combinación 8 sin la necesidad de que un desactivador de etiqueta esté en contacto con el dispositivo 8. Tal y como se ha descrito anteriormente, esto se puede hacer de varias maneras. Cada forma alcanza una impedancia muy baja a través de los terminales de la antena cuando la tensión inducida o aplicada a través de los terminales alcanza un nivel crítico de ruptura de tensión baja. En una realización, el condensador de resonancia 62 se reemplaza con un condensador de tensión baja de ruptura 64. El condensador 64 puede colocarse a través de los terminales de la antena como parte de la estructura de antena 10, como se muestra en la figura 3, o puede colocarse dentro del dispositivo semiconductor 8, ya sea en paralelo o como parte del condensador 38, como se muestra en la figura 4. En una realización, el condensador de tensión baja 64 es un dispositivo MOS de baja ruptura. Además de alterar el condensador en la antena 10, la circuitería del dispositivo 8 también puede modificarse para proporcionar la capacidad de desactivación remota. Por ejemplo, el elemento modulador 20 dentro del dispositivo EAS/r F iD 8 puede ser reemplazado por un MOSFET.
La característica CV del condensador MOS depende de la concentración de dopaje del semiconductor, espesor de la capa de aislamiento 70, y los tipos de materiales utilizados para las capas de electrodos 65 y 66. El diseño de la presente invención puede alterarse de modo que el grado de no linealidad pueda exceder el de un diodo (como se usa en la técnica anterior), mejorando así aún más el rendimiento del sistema UHF. Además, el condensador MOS se puede desactivar a distancias del desactivador más allá de los dispositivos EAS/RFID que usan diodos. Esta disposición es ventajosa cuando se utilizan dispositivos desechables eAs /RFID 8.
Al contrario de un diodo, el condensador del dispositivo MOS puede destruirse aplicando una tensión suficientemente alta (Vg) a través de los electrodos. La capacitancia vs. tensión no es lineal por debajo del umbral de tensión, pero más allá del umbral de tensión de ruptura, el dispositivo funciona irreversiblemente como un condensador lineal, eliminando así permanentemente cualquier señal de mezcla. Como resultado, la función EAS se puede eliminar y/o alterar de manera efectiva, lo que resulta en el cese de producción de la señal de mezcla. Es decir, se produce la desactivación. Con la tensión de ruptura relativamente baja del condensador de tensión de ruptura baja del condensador MOS, es posible crear una distancia de desactivación sin agregar características adicionales al elemento no lineal del dispositivo EAS/RFID 8.
Para facilitar la facilidad de desactivación, la tensión de ruptura del condensador del dispositivo 8 puede minimizarse aún más. Esto se puede lograr mediante, por ejemplo, reducción del espesor del aislamiento/capa dieléctrica 70. Con una capa más delgada, se puede generar un campo E alto para inducir la descomposición. Como alternativa, es posible elegir diferentes tipos de aisladores con tensiones de ruptura más bajas. En otra realización más, se pueden incluir centros de impurezas o defectos durante la deposición de las capas dieléctricas para favorecer la descomposición.
La presente invención proporciona ventajosamente y define un dispositivo, sistema y método utilizados para facilitar la desactivación de etiquetas EAS/RFID en combinación en un entorno de desactivación de proximidad al incluir un condensador de baja tensión de ruptura, como un condensador MOS, o al incluirlo dentro del circuito del chip RFID, un MOSFET que tiene una tensión de ruptura baja.
Además, a menos que se mencione lo contrario, cabe señalar que todos los dibujos adjuntos no están a escala.

Claims (14)

REIVINDICACIONES
1. Un dispositivo de vigilancia electrónica de artículos/identificación por radiofrecuencia ("EAS/RFID"), en combinación (8), que comprende:
un dispositivo semiconductor (14), que tiene un circuito EAS y un circuito RFID;
un circuito de antena (10), en comunicación eléctrica con el dispositivo semiconductor (14); y
un condensador (64), incluyendo el condensador una capa de aislamiento (70), en donde la aplicación de una tensión predeterminada al condensador (64) da como resultado una ruptura eléctrica de la capa de aislamiento (70), que resulta en la desactivación permanente del dispositivo EAS/RFID (8), de modo que
el condensador (64) es un condensador MOS no lineal y es parte del circuito de antena (10) o parte del dispositivo semiconductor (14), caracterizado por que
el condensador MOS funciona irreversiblemente como un condensador lineal con un valor de capacitancia más bajo después de un fallo.
2. El dispositivo EAS/RFID (8) en combinación de la reivindicación 1, en el que la tensión predeterminada no es mayor que sustancialmente 10 voltios.
3. El dispositivo EAS/RFID (8) en combinación de la reivindicación 1, en donde el dispositivo semiconductor (14) incluye un elemento modulador.
4. El dispositivo EAS/RFID (8) en combinación de la reivindicación 3, en el que el elemento modulador es un MOSFET.
5. El dispositivo EAS/RFID (8) en combinación de la reivindicación 4, en el que el MOSFET tiene una capa de aislamiento de compuerta, que se puede romper con la aplicación de la tensión predeterminada.
6. El dispositivo EAS/RFID (8) en combinación de la reivindicación 1, en el que la aplicación de la tensión predeterminada al condensador MOS da como resultado la destrucción del condensador MOS, haciendo que el dispositivo EAS/RFID (8) en combinación sea indetectable por un sistema de interrogación EAS.
7. El dispositivo EAS/RFID en combinación de la reivindicación 1, que comprende además un circuito elevador acoplado eléctricamente al condensador MOS, aumentando el circuito elevador la tensión aplicada al condensador MOS.
8. El dispositivo EAS/RFID (8) en combinación de la reivindicación 7, en el que el circuito elevador incluye un interruptor, que se activa a una tensión predeterminada, haciendo que el aumento de tensión esté disponible para el condensador MOS.
9. El dispositivo EAS/RFID (8) en combinación de la reivindicación 1, en donde el dispositivo EAS/RFID (8) es una etiqueta de mezcla modulada por una combinación de señales de alta frecuencia y de baja frecuencia.
10. Un sistema de desactivación de vigilancia electrónica de artículos/identificación por radiofrecuencia ("EAS/RFID") en combinación, que comprende:
una etiqueta EAS/RFID en combinación (8), comprendiendo la etiqueta (8):
un dispositivo semiconductor (14), que tiene un circuito EAS y un circuito RFID;
un circuito de antena (10), en comunicación eléctrica con el dispositivo semiconductor (14); y
un condensador (64), incluyendo el condensador (64) una capa de aislamiento (70), en donde la aplicación de una tensión predeterminada al condensador (64) da como resultado una ruptura eléctrica de la capa de aislamiento (70), que da como resultado la desactivación permanente del dispositivo EAS/RFID (8); y
un dispositivo de desactivación, adaptado para provocar la aplicación de la tensión predeterminada al condensador, cuando se coloca la etiqueta EAS/RFID en combinación (8), en proximidad sin contacto al dispositivo de desactivación; en donde
el condensador (64) es un condensador MOS no lineal y es parte del circuito de antena (10) o parte del dispositivo semiconductor (14), caracterizado por que
el condensador MOS funciona irreversiblemente como un condensador lineal con un valor de capacitancia más bajo después de un fallo.
11. El sistema EAS/RFID en combinación de la reivindicación 10, en el que la tensión predeterminada es inferior a sustancialmente 10 voltios.
12. El sistema EAS/RFID en combinación de la reivindicación 10, en el que el dispositivo semiconductor incluye un elemento modulador.
13. El sistema EAS/RFID en combinación de la reivindicación 12, en el que el elemento modulador es un MOSFET.
14. Un método para desactivar una etiqueta de vigilancia electrónica de artículos/identificación por radiofrecuencia ("EAS/RFID") en combinación (8), sin contactar físicamente con la etiqueta (8), comprendiendo el método:
proporcionar un dispositivo semiconductor (14), que tiene un circuito EAS y un circuito RFID;
proporcionar un circuito de antena (10) en comunicación eléctrica con el dispositivo semiconductor (14); proporcionar un condensador (64), incluyendo el condensador (64) una capa de aislamiento (70), y
aplicar una tensión predeterminada al condensador (64), que da como resultado una ruptura eléctrica de la capa de aislamiento (70), que da como resultado la desactivación permanente del dispositivo EAS/RFID (8); en donde el condensador (64) es un condensador MOS no lineal y es parte del circuito de antena (10) o parte del dispositivo semiconductor (14), caracterizado por que
el condensador MOS funciona irreversiblemente como un condensador lineal con un valor de capacitancia más bajo después de un fallo.
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