ES2713191T3 - Improved parametric transducer and related methods - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title description 14
- 239000011104 metalized film Substances 0.000 claims description 13
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 42
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 36
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 30
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 7
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 6
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000282412 Homo Species 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011981 development test Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000000411 inducer Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000026683 transduction Effects 0.000 description 1
- 238000010361 transduction Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R19/00—Electrostatic transducers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R2217/00—Details of magnetostrictive, piezoelectric, or electrostrictive transducers covered by H04R15/00 or H04R17/00 but not provided for in any of their subgroups
- H04R2217/03—Parametric transducers where sound is generated or captured by the acoustic demodulation of amplitude modulated ultrasonic waves
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- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Abstract
Un altavoz de audio ultrasónico (6) que comprende: una contraplaca (104) que comprende una primera superficie principal y una zona conductora, comprendiendo además la contraplaca una pluralidad de elementos texturales dispuestos sobre la primera superficie principal; y una capa flexible (46) dispuesta contigua a la primera superficie principal de la contraplaca, comprendiendo la capa flexible una zona conductora (46a) y una zona aislante (46b), en donde la capa flexible está dispuesta contigua a la contraplaca de modo que la zona aislante esté posicionada entre la contraplaca y la zona conductora de la capa flexible, y de modo que haya un volumen de aire entre la capa flexible y las superficies de los elementos texturales; en donde la contraplaca y la capa flexible están configuradas para ser acoplados eléctricamente a una respectiva de un par de líneas de señal que transportan una portadora ultrasónica de audio modulada, y además en donde tras la aplicación de la señal de la portadora ultrasónica modulada la capa flexible es configurada para lanzar una representación de la onda de presión de la señal de la portadora ultrasónica modulada al aire; en donde los elementos texturales comprenden una pluralidad de crestas (120) dispuestas sobre la primera superficie principal de la contraplaca, estando las crestas posicionadas paralelas entre sí yendo a través de toda o parte de la contraplaca con un valle correspondiente dispuesto entre cada par contiguo de crestas paralelas; en donde cada cresta de la pluralidad de crestas comprende dos superficies que se extienden desde los valles contiguos y una porción aplanada que va a lo largo de un pico de la cresta; y en donde una superficie superior (121) de cada cresta de la pluralidad de crestas (121) comprende una pluralidad de puntos altos (125) y depresiones (127) que proporcionan un contorno a la superficie superior.An ultrasonic audio speaker (6) comprising: a counterplate (104) comprising a first main surface and a conductive zone, the counterplate further comprising a plurality of textural elements disposed on the first main surface; and a flexible layer (46) disposed contiguous with the first main surface of the counterplate, the flexible layer comprising a conductive zone (46a) and an insulating zone (46b), wherein the flexible layer is disposed adjacent the counterplate so that the insulating zone is positioned between the counterplate and the conductive zone of the flexible layer, and so that there is a volume of air between the flexible layer and the surfaces of the textural elements; wherein the counterplate and the flexible layer are configured to be electrically coupled to a respective one of a pair of signal lines carrying an ultrasonic modulated audio carrier, and further where after application of the ultrasonic carrier signal modulated the layer flexible is configured to release a waveform representation of the signal from the ultrasonic carrier modulated to the air; wherein the textural elements comprise a plurality of ridges (120) disposed on the first main surface of the counterplate, the ridges being positioned parallel to each other going through all or part of the counterplate with a corresponding valley disposed between each adjacent pair of parallel ridges; wherein each ridge of the plurality of ridges comprises two surfaces extending from the adjacent valleys and a flattened portion running along a peak of the ridge; and wherein an upper surface (121) of each ridge of the plurality of ridges (121) comprises a plurality of high points (125) and depressions (127) that provide a contour to the upper surface.
Description
DESCRIPCIONDESCRIPTION
Transductor parametrico mejorado y metodos relacionadosImproved parametric transducer and related methods
Campo tecnicoTechnical field
La presente descripcion se refiere generalmente a altavoces parametricos. Mas particularmente, algunas realizaciones se refieren a un emisor ultrasonico.The present description generally refers to parametric loudspeakers. More particularly, some embodiments refer to an ultrasonic emitter.
Antecedentes de la invencionBackground of the invention
La transduccion no lineal resulta de la introduccion de senales ultrasonicas audiomoduladas de intensidad suficiente en una columna de aire. La autodemodulacion, o conversion descendente, ocurre a lo largo de la columna de aire que tiene como resultado la produccion de una senal acustica audible. Este proceso ocurre debido al conocido principio ffsico de que cuando dos ondas acusticas con diferentes frecuencias son radiadas simultaneamente en el mismo medio, una forma de onda modulada que incluye la suma y la diferencia de las dos frecuencias es producida por la interaccion no lineal (parametrica) de las dos ondas acusticas. Cuando las dos ondas acusticas originales son ondas ultrasonicas y la diferencia entre ellas se selecciona para ser una frecuencia de audio, se puede generar un sonido audible por la interaccion parametrica.The non-linear transduction results from the introduction of audiomodulated ultrasonic signals of sufficient intensity in an air column. Self-modulation, or downward conversion, occurs along the air column that results in the production of an audible acoustic signal. This process occurs due to the well-known physical principle that when two acoustic waves with different frequencies are radiated simultaneously in the same medium, a modulated waveform that includes the sum and difference of the two frequencies is produced by the non-linear interaction (parametric ) of the two acoustic waves. When the two original acoustic waves are ultrasonic waves and the difference between them is selected to be an audio frequency, an audible sound can be generated by the parametric interaction.
Los sistemas parametricos de reproduccion de audio producen sonido a traves de la heterodinacion de dos senales acusticas en un proceso no lineal que ocurre en un medio tal como el aire. Las senales acusticas estan tipicamente en el intervalo de frecuencia de ultrasonidos. La no linealidad del medio da como resultado unas senales acusticas producidas por el medio que son la suma y la diferencia de las senales acusticas. De este modo, dos senales de ultrasonidos que estan separadas en frecuencia pueden resultar en un tono diferencial que esta dentro del intervalo de 60 Hz a 20.000 Hz de la audicion humana.The parametric systems of audio reproduction produce sound through the heterodinacion of two acoustic signals in a non-linear process that occurs in a medium such as air. The acoustic signals are typically in the frequency range of ultrasound. The non-linearity of the medium results in acoustic signals produced by the medium that are the sum and difference of the acoustic signals. In this way, two ultrasonic signals that are separated in frequency can result in a differential tone that is within the range of 60 Hz to 20,000 Hz of human hearing.
El documento US 2005/244016 describe un altavoz de audio ultrasonico que tiene una contraplaca con elementos texturales, y una capa que tiene una zona conductora, en la que los elementos texturales son crestas y valles.US 2005/244016 discloses an ultrasonic audio speaker having a counterplate with textural elements, and a layer having a conductive zone, in which the textural elements are ridges and valleys.
ResumenSummary
La invencion proporciona unos altavoces ultrasonicos definidos por las reivindicaciones 1, 6 y 10.The invention provides ultrasonic speakers defined by claims 1, 6 and 10.
Las realizaciones preferidas estan definidas en las reivindicaciones dependientes.Preferred embodiments are defined in the dependent claims.
Otras caractensticas y aspectos de la invencion seran evidentes a partir de la siguiente descripcion detallada, tomadas en conjuncion con los dibujos que se acompanan, los cuales ilustran a modo de ejemplo las caractensticas de acuerdo con realizaciones de la invencion. El resumen no pretende limitar el alcance de la invencion, el cual esta definido solamente por las reivindicaciones anejas.Other features and aspects of the invention will become apparent from the following detailed description, taken in conjunction with the accompanying drawings, which illustrate by way of example the features according to embodiments of the invention. The summary is not intended to limit the scope of the invention, which is defined solely by the appended claims.
Breve descripcion de los dibujosBrief description of the drawings
La presente invencion, de acuerdo con una o mas realizaciones diferentes, se describe en detalle con referencia a las figuras anejas. Los dibujos se dan con fines de ilustracion solamente y simplemente representan realizaciones tfpicas o ejemplo de la invencion. Estos dibujos se proporcionan para facilitar la comprension del lector de los sistemas y metodos aqrn descritos, y no deberan ser considerados limitativos de la amplitud, alcance, o aplicabilidad de la invencion reivindicada.The present invention, according to one or more other embodiments, is described in detail with reference to the appended figures. The drawings are given for purposes of illustration only and simply represent typical embodiments or example of the invention. These drawings are provided to facilitate reader understanding of the systems and methods described herein, and should not be construed as limiting the scope, scope, or applicability of the claimed invention.
Algunas de las figuras aqrn incluidas ilustran diversas reivindicaciones de la invencion desde diferentes angulos de vision. Aunque el texto descriptivo que se acompana puede referirse a elementos representados en el mismo como siendo en la “parte superior”, “parte inferior” o “parte lateral” de un aparato, tales referencias son solamente descriptivas y no implican o requieren que la invencion sea puesta en practica o usada en una particular orientacion espacial a menos que explfcitamente se indique de otro modo.Some of the enclosed figures illustrate various claims of the invention from different viewing angles. Although the accompanying descriptive text may refer to elements represented therein as being in the "upper part", "lower part" or "side part" of an apparatus, such references are only descriptive and do not imply or require that the invention be put into practice or used in a particular spatial orientation unless explicitly stated otherwise.
La Figura 1 es un diagrama que ilustra un sistema de sonido ultrasonico adecuado para uso con la tecnologfa del emisor aqrn descrita.Figure 1 is a diagram illustrating an ultrasonic sound system suitable for use with the aforementioned emitter technology.
La Figura 2 es un diagrama que ilustra otro ejemplo de un sistema de procesamiento de senales que es adecuado para uso con la tecnologfa del emisor aqrn descrita.Figure 2 is a diagram illustrating another example of a signal processing system that is suitable for use with the aforementioned emitter technology.
La Figura 3 es un diagrama ampliad que ilustra un emisor de ejemplo de acuerdo con un ejemplo de la tecnologfa descrita en el mismo.Figure 3 is an enlarged diagram illustrating an exemplary emitter according to an example of the technology described therein.
La Figura 4 es un diagrama que ilustra una vista de la seccion transversal de un emisor montado de acuerdo con el ejemplo ilustrado en la Figura 3.Figure 4 is a diagram illustrating a cross-sectional view of an emitter mounted according to the example illustrated in Figure 3.
La Figura 5 es un diagrama que ilustra otra configuracion de ejemplo de un emisor ultrasonico. Figure 5 is a diagram illustrating another exemplary configuration of an ultrasonic emitter.
La Figura 6A es un diagrama que ilustra un ejemplo de un circuito excitador simple que puede ser usado para excitar los emisores aqrn descritos.Figure 6A is a diagram illustrating an example of a simple driver circuit that can be used to drive the aforementioned emitters.
La Figura 6B es un diagrama que ilustra un ejemplo de un circuito simple para generar un voltaje de polarizacion en el emisor que extrae el voltaje necesario de la senal propiamente dicha. En este ejemplo el circuito esta disenado para polarizar a 300 V aunque otros voltajes son posibles cambiando el diodo ZD1.Figure 6B is a diagram illustrating an example of a simple circuit for generating a polarization voltage in the emitter that extracts the necessary voltage from the signal itself. In this example the circuit is designed to polarize at 300 V although other voltages are possible by changing the diode ZD1.
La Figura 6C es un diagrama que ilustra una vista en seccion de un ejemplo de un nucleo de recipiente que puede ser usado para formar un inductor de nucleo de recipiente.Figure 6C is a diagram illustrating a sectional view of an example of a container core that can be used to form a container core inducer.
La Figura 7 es un diagrama que ilustra otra configuracion de emisor de ejemplo de acuerdo con un ejemplo de la tecnologfa aqrn descrita.Figure 7 is a diagram illustrating another exemplary emitter configuration according to an example of the aforementioned technology.
La Figura 8 es un diagrama que ilustra otra configuracion de emisor de ejemplo de acuerdo con un ejemplo de la tecnologfa aqrn descrita.Figure 8 is a diagram illustrating another exemplary emitter configuration according to an example of the aforementioned technology.
La Figura 9A es un diagrama que ilustra una vista de la seccion transversal de una porcion de una superficie irregular que comprende unas crestas de acuerdo con un ejemplo de la tecnologfa aqrn descrita.Figure 9A is a diagram illustrating a cross-sectional view of a portion of an irregular surface comprising ridges according to an example of the afore-described technology.
La Figura 9B es un diagrama que ilustra una vista en perspectiva de una pluralidad de filas de la superficie de un ejemplo de la contraplaca 104 mostrada en la Figura 9A.Figure 9B is a diagram illustrating a perspective view of a plurality of rows of the surface of an example of the counterplate 104 shown in Figure 9A.
La Figura 9C es un diagrama que ilustra una vista en perspectiva de las irregularidades formadas en forma de picos (en lugar de crestas alargadas) usadas para formar una superficie irregular.Figure 9C is a diagram illustrating a perspective view of the irregularities formed in the form of peaks (instead of elongated ridges) used to form an irregular surface.
La Figura 10 es un diagrama que ilustra una vista de una seccion transversal de una porcion de otra realizacion que tiene una superficie irregular que comprende crestas.Figure 10 is a diagram illustrating a view of a cross section of a portion of another embodiment having an irregular surface comprising ridges.
La Figura 11A ilustra una dimension de ejemplo de una superficie texturada de acuerdo con las realizaciones descritas anteriormente con referencia a las Figuras 9 y 10.Figure 11A illustrates an exemplary dimension of a textured surface according to the embodiments described above with reference to Figures 9 and 10.
La Figura 11B ilustra otra dimension de ejemplo de una superficie texturada de acuerdo con las realizaciones descritas anteriormente con referencia a las Figuras 9 y 10.Figure 11B illustrates another exemplary dimension of a textured surface according to the embodiments described above with reference to Figures 9 and 10.
La Figura 12A ilustra una vista de la seccion transversal de un elemento textural de acuerdo con una realizacion de la tecnologfa aqrn descrita.Figure 12A illustrates a cross-sectional view of a textural element according to an embodiment of the aforementioned technology.
La Figura 12B ilustra una vista en perspectiva del elemento textural representado en la Figura 12A.Figure 12B illustrates a perspective view of the textural element shown in Figure 12A.
La Figura 13 es un diagrama que ilustra un ejemplo de un contorno que tiene una pluralidad de elementos texturales tales como los ilustrados en la Figura 12.Figure 13 is a diagram illustrating an example of an outline having a plurality of textural elements such as those illustrated in Figure 12.
La Figura 14 es un diagrama que ilustra un ejemplo de un contorno en el que una superficie radiada esta dispuesta entre cada una de las crestas contiguas.Figure 14 is a diagram illustrating an example of an outline in which a radiated surface is disposed between each of the contiguous ridges.
La Figura 15 es un diagrama que ilustra unas dimensiones de ejemplo de una superficie texturada de acuerdo con las realizaciones anteriormente descritas con referencia a las Figuras 12-14.Figure 15 is a diagram illustrating exemplary dimensions of a textured surface according to the embodiments described above with reference to Figures 12-14.
La Figura 16A ilustra una vista de la seccion transversal de una superficie texturada de ejemplo de acuerdo con las realizaciones aqrn descritas.Figure 16A illustrates a cross sectional view of an exemplary textured surface according to the aforementioned embodiments.
La Figura 16B ilustra una vista en perspectiva de una superficie texturada de ejemplo de acuerdo con las realizaciones aqrn descritas.Figure 16B illustrates a perspective view of an exemplary textured surface according to the aforementioned embodiments.
La Figura 17A es un diagrama que ilustra una vista de arriba abajo de un emisor de ejemplo formado en una configuracion arqueada.Figure 17A is a diagram illustrating a top-down view of an exemplary emitter formed in an arcuate configuration.
La Figura 17B ilustra una vista de arriba abajo de un emisor de ejemplo formado en una configuracion cilmdrica. La Figura 18A ilustra una vista en perspectiva de un emisor de ejemplo en una configuracion arqueada.Figure 17B illustrates a top-down view of an exemplary emitter formed in a cylindrical configuration. Figure 18A illustrates a perspective view of an exemplary emitter in an arcuate configuration.
La Figura 18B ilustra una vista en perspectiva de un emisor de ejemplo en una configuracion cilmdrica.Figure 18B illustrates a perspective view of an exemplary emitter in a cylindrical configuration.
No se pretende que las figuras sean exhaustivas o para limitar la invencion a la forma precisa descrita. Se debena comprender que la invencion puede ser puesta en practica con modificaciones y alteraciones, y que la invencion esta limitada solamente por las reivindicaciones. The figures are not intended to be exhaustive or to limit the invention to the precise form described. It should be understood that the invention can be implemented with modifications and alterations, and that the invention is limited only by the claims.
DescripcionDescription
Las realizaciones de los sistemas y metodos aqrn descritos proporcionan un sistema de audio HyperSonic Sound (HSS) u otro sistema de audio ultrasonico para una variedad de aplicaciones diferentes. Ciertas realizaciones proporcionan un emisor ultrasonico de pelfcula delgada para aplicaciones de portador de audio ultrasonico.Embodiments of the aforementioned systems and methods provide a HyperSonic Sound (HSS) audio system or other ultrasonic audio system for a variety of different applications. Certain embodiments provide a thin film ultrasonic emitter for ultrasonic audio carrier applications.
La Figura 1 es un diagrama que ilustra un sistema de sonido ultrasonico apropiado para uso con los sistemas y metodos aqrn descritos. En este sistema ultrasonico 1 como ejemplo, se recibe el contenido de audio procedente de una fuente de audio 2, tal como, por ejemplo, un microfono, memoria, un dispositivo de almacenaje de datos, fuente de medios de flujo unidireccional, CD, DVD, u otra fuente de audio. El contenido de audio puede ser decodificado y convertido de forma digital a analogica, dependiendo de la fuente. El contenido de audio recibido por el sistema de audio 1 es modulado en una portadora ultrasonica de frecuencia f1 usando un modulador. El modulador tfpicamente incluye un oscilador local 3 para generar la senal portadora ultrasonica, y un multiplicador 4 para modular la senal de audio en la senal portadora. La senal resultante es una senal de doble o simple banda lateral con una portadora a la frecuencia f1. En algunas realizaciones la senal es una onda ultrasonica parametrica o una senal HSS. En la mayona de los casos el esquema de modulacion usado es la amplitud de modulacion, o AM. La AM puede ser conseguida multiplicando la portadora ultrasonica por la senal de transporte de informacion, que en este caso es la senal de audio. El espectro de la senal modulada tiene dos bandas laterales, una banda lateral superior y una inferior, que son simetricas con respecto a la frecuencia de la portadora, y la propia portadora.Figure 1 is a diagram illustrating an ultrasonic sound system suitable for use with the systems and methods described herein. In this ultrasonic system 1 as an example, the audio content from an audio source 2 is received, such as, for example, a microphone, memory, a data storage device, unidirectional flow media source, CD, DVD , or another audio source. The audio content can be decoded and converted digitally to analogically, depending on the source. The audio content received by the audio system 1 is modulated in an ultrasonic carrier of frequency f1 using a modulator. The modulator typically includes a local oscillator 3 for generating the ultrasonic carrier signal, and a multiplier 4 for modulating the audio signal on the carrier signal. The resulting signal is a double or single sideband signal with a carrier at the frequency f1. In some embodiments, the signal is a parametric ultrasonic wave or an HSS signal. In most cases the modulation scheme used is the amplitude of modulation, or AM. AM can be achieved by multiplying the ultrasonic carrier by the information transport signal, which in this case is the audio signal. The spectrum of the modulated signal has two sidebands, one upper and one lower sideband, which are symmetric with respect to the frequency of the carrier, and the carrier itself.
La senal ultrasonica modulada es proporcionada al transductor 6, el cual lanza la onda ultrasonica al aire creando la onda ultrasonica 7. Cuando se reproduce a traves del transductor a un nivel de presion acustica suficientemente alta, debido al comportamiento no lineal del aire a traves del cual es “reproducido” o transmitido, la portadora en la senal se mezcla con la o las bandas laterales para demodular la senal y reproducir el contenido de audio. Esto a veces se conoce como una autodemodulacion. Por lo tanto, incluso para aplicaciones de una unica banda lateral, la portadora es incluida con la senal lanzada de modo que tenga lugar la autodemodulacion. Aunque el sistema ilustrado en la Figura 3 usa un unico transductor para lanzar un unico canal de contenido de audio, una persona de experiencia ordinaria en la tecnica despues de leer esta descripcion comprendera como muchos mezcladores, amplificadores y transductores pueden ser usados para transmitir multiples canales de audio usando portadoras ultrasonicas.The modulated ultrasonic signal is provided to the transducer 6, which sends the ultrasonic wave to the air creating the ultrasonic wave 7. When it is reproduced through the transducer at a sufficiently high acoustic pressure level, due to the non-linear behavior of the air through the which is "reproduced" or transmitted, the signal carrier is mixed with the sideband (s) to demodulate the signal and reproduce the audio content. This is sometimes called a self-demodulation. Therefore, even for single-sideband applications, the carrier is included with the signal sent so that self-demodulation takes place. Although the system illustrated in Figure 3 uses a single transducer to launch a single channel of audio content, a person of ordinary skill in the art after reading this description will understand how many mixers, amplifiers and transducers can be used to transmit multiple channels. of audio using ultrasonic carriers.
Un ejemplo de un sistema 10 de procesamiento de senales que es apropiado para uso con la tecnologfa aqrn descrita esta ilustrado esquematicamente en la Figura 2. En esta realizacion diversos circuitos o componentes de procesamiento estan ilustrados en el orden (relativo al camino de procesamiento de la senal) en la que estan dispuestos de acuerdo con una puesta en practica. Se ha de comprender que los componentes del circuito de procesamiento pueden variar, como lo puede el orden en el que la senal de entrada es procesada por cada circuito o componente. Tambien, dependiendo de la realizacion, el sistema 10 de procesamiento puede incluir mas o menos componentes o circuitos que los mostrados.An example of a signal processing system 10 that is suitable for use with the aforementioned technology is illustrated schematically in Figure 2. In this embodiment various circuits or processing components are illustrated in the order (relative to the processing path of the signal). signal) in which they are arranged according to an implementation. It is to be understood that the components of the processing circuit may vary, as may the order in which the input signal is processed by each circuit or component. Also, depending on the embodiment, the processing system 10 may include more or fewer components or circuits than shown.
Tambien, el ejemplo mostrado en la Figura 1 es optimizado para uso en el procesamiento de dos canales de entrada y salida (por ejemplo, una senal “estereo”), con diversos componentes o circuitos que incluyen componentes de adaptacion para cada canal de la senal. Una persona de experiencia ordinaria en la tecnica comprendera despues de leer esta descripcion que el sistema de audio puede ser puesto en practica usando un unico canal (por ejemplo, una senal “monoaural” o “mono”), dos canales (como esta ilustrado en la Figura 2), o un mayor numero de canales. Con referencia ahora a la Figura 2, el sistema 10 de procesamiento de la senal de ejemplo puede incluir entradas de audio que pueden corresponder a los canales izquierdo 12a y derecho 12b de una senal de entrada de audio. Las redes de ecualizacion 14a, 14b pueden ser incluidas para proporcionar la ecualizacion de la senal. Las redes de ecualizacion pueden, por ejemplo, impulsar o suprimir unas frecuencias predeterminadas o intervalos de frecuencia para aumentar la ventaja proporcionada naturalmente por la combinacion emisor/inductor del conjunto emisor parametrico.Also, the example shown in Figure 1 is optimized for use in the processing of two input and output channels (eg, a "stereo" signal), with various components or circuits including adaptation components for each signal channel. . A person of ordinary skill in the art will understand after reading this description that the audio system can be implemented using a single channel (eg, a "monaural" or "mono" signal), two channels (as illustrated in FIG. Figure 2), or a greater number of channels. Referring now to Figure 2, the example signal processing system 10 may include audio inputs that may correspond to the left channels 12a and right 12b of an audio input signal. The equalization networks 14a, 14b can be included to provide the equalization of the signal. The equalization networks may, for example, boost or suppress predetermined frequencies or frequency ranges to increase the advantage naturally provided by the emitter / inductor combination of the parametric emitter set.
Despues de que las senales de audio son comprimidas, los circuitos del compresor 16a, 16b pueden ser incluidos para comprimir el intervalo dinamico de la senal entrante, que efectivamente eleva la amplitud de ciertas porciones de las senales entrantes y baja la amplitud de ciertas otras porciones de las senales entrantes. Mas particularmente, los circuitos 16a, 16b del compresor pueden ser incluidos para estrechar el intervalo de las amplitudes de audio. En un aspecto, los compresores disminuyen la amplitud de pico a pico de las senales de entrada en una relacion no menor de aproximadamente 2:1. El ajuste de las senales de entrada a un intervalo de amplitud mas estrecho puede ser hecho para minimizar la distorsion, la cual es caractenstica del intervalo dinamico limitado de esta clase de sistemas de modulacion. En otras realizaciones las redes de ecualizacion 14a, 14b pueden ser proporcionadas antes de los compresores 16a, 16b para ecualizar las senales despues de la compresion. En realizaciones alternativas la compresion puede tener lugar antes de la ecualizacion.After the audio signals are compressed, the compressor circuits 16a, 16b can be included to compress the dynamic range of the incoming signal, which effectively raises the amplitude of certain portions of the incoming signals and lowers the amplitude of certain other portions. of the incoming signals. More particularly, compressor circuits 16a, 16b can be included to narrow the range of audio amplitudes. In one aspect, the compressors decrease the peak-to-peak amplitude of the input signals at a ratio of not less than about 2: 1. The adjustment of the input signals to a narrower amplitude range can be made to minimize the distortion, which is characteristic of the limited dynamic range of this class of modulation systems. In other embodiments the equalization networks 14a, 14b may be provided before the compressors 16a, 16b to equalize the signals after compression. In alternative embodiments the compression may take place before the equalization.
Los circuitos de filtro de paso bajo 18a, 18b pueden ser incluidos para proporcionar un corte de porciones altas de la senal, y de circuitos de filtro de paso alto 20a, 20b que proporcionan un corte de porciones bajas de las senales de audio. En la realizacion de ejemplo, los filtros de paso bajo 18a, 18b se usan para cortar senales mas altas de aproximadamente 15-20 kHz, y los filtros de paso alto 20a, 20b se usan para cortar senales inferiores de aproximadamente 20-200 Hz.The low pass filter circuits 18a, 18b may be included to provide a cut of high portions of the signal, and of high pass filter circuits 20a, 20b that provide a cut of low portions of the audio signals. In the exemplary embodiment, the low pass filters 18a, 18b are used to cut higher signals from about 15-20 kHz, and the high pass filters 20a, 20b are used to cut lower signals of about 20-200 Hz.
Los filtros de paso alto 20a, 20b pueden ser configurados para eliminar frecuencias bajas que, despues de la modulacion, danan como resultado la desviacion de la frecuencia de la portadora (por ejemplo, las porciones de la senal modulada de la Figura 6 que son las que estan mas cerca de la frecuencia de la portadora). Tambien algunas frecuencias bajas son diffciles para el sistema para reproducir eficientemente y como resultado, se puede gastar mucha energfa tratando de reproducir estas frecuencias. Por lo tanto, los filtros de paso alto 20a, 20b pueden ser configurados para cortar estas frecuencias.The high pass filters 20a, 20b can be configured to eliminate low frequencies which, after modulation, result in the deviation of the carrier frequency (e.g., the portions of the modulated signal of Figure 6 which are the that are closer to the frequency of the carrier). Also some low frequencies are difficult for the system to reproduce efficiently and as a result, a lot of energy can be spent trying to reproduce these frequencies. Therefore, high-pass filters 20a, 20b can be configured to cut these frequencies.
Los filtros de paso bajo 18a, 18b pueden ser configurados para eliminar frecuencias mas altas que, despues de la modulacion, resultanan en la creacion de una senal de pulsaciones audible con la portadora. A modo de ejemplo, si un filtro de paso bajo corta las frecuencias superiores a 15 Hz, y la frecuencia de la portadora es aproximadamente 44 kHz, la senal de diferencia no sera inferior de aproximadamente 29 kHz, la cual esta todavfa fuera del intervalo audible para los humanos. No obstante, si se permitiera que las frecuencias tan altas como 25 kHz pasaran el circuito de filtro, la senal de diferencia generada podna estar en el intervalo de 19 kHz, que esta dentro del intervalo de la audicion humana.The low pass filters 18a, 18b can be configured to eliminate higher frequencies which, after modulation, result in the creation of an audible pulse signal with the carrier. As an example, if a low-pass filter cuts frequencies above 15 Hz, and the carrier frequency is approximately 44 kHz, the difference signal will not be less than approximately 29 kHz, which is still outside the audible range. for humans. However, if frequencies as high as 25 kHz were allowed to pass the filter circuit, the generated difference signal could be in the 19 kHz range, which is within the range of human hearing.
En el sistema de ejemplo 10, despues de pasar a traves de los filtros de paso bajo y de paso alto, las senales de audio son moduladas por los moduladores 22a, 22b. Los moduladores 22a, 22b, mezclan o combinan las senales de audio con una senal portadora generada por el oscilador 23. Por ejemplo, en algunas realizaciones un unico oscilador (que en una realizacion es impulsado a una frecuencia seleccionada de 40 kHz a 50 kHz, cuyo intervalo corresponde a cristales facilmente disponibles que pueden ser usados en el oscilador) se usa para excitar ambos moduladores 22a, 22b. Utilizando un unico oscilador para moduladores multiples, una frecuencia portadora identica se proporciona a canales multiples siendo la salida en 24a, 24b desde los moduladores. Usando la misma frecuencia portadora para cada canal se disminuye el riesgo de que puedan ocurrir cualesquiera frecuencias de pulsaciones. Los filtros de paso alto 27a, 27b pueden tambien ser incluidos despues de la etapa de modulacion. Los filtros de paso alto 27a, 27b pueden ser usados para pasar la senal portadora ultrasonica modulada y asegurar que no entran frecuencias de audio en el amplificador a traves de las salidas 24a, 24b. En consecuencia, en algunas realizaciones, los filtros de paso alto 27a, 27b pueden ser configurados para filtrar senales por debajo de aproximadamente 25 kHz.In the example system 10, after passing through the low-pass and high-pass filters, the audio signals are modulated by the modulators 22a, 22b. The modulators 22a, 22b, mix or match the audio signals with a carrier signal generated by the oscillator 23. For example, in some embodiments a single oscillator (which in one embodiment is driven at a selected frequency of 40 kHz to 50 kHz, whose interval corresponds to readily available crystals that can be used in the oscillator) is used to excite both modulators 22a, 22b. Using a single oscillator for multiple modulators, an identical carrier frequency is provided to multiple channels with the output at 24a, 24b from the modulators. Using the same carrier frequency for each channel decreases the risk that any pulse frequencies can occur. The high pass filters 27a, 27b may also be included after the modulation step. The high-pass filters 27a, 27b can be used to pass the modulated ultrasonic carrier signal and ensure that audio frequencies do not enter the amplifier through the outputs 24a, 24b. Accordingly, in some embodiments, the high pass filters 27a, 27b may be configured to filter signals below about 25 kHz.
La Figura 3 es un diagrama ampliado que ilustra un emisor de ejemplo de acuerdo con un ejemplo de la tecnologfa aqrn descrita que no forma parte de la presente invencion. El emisor de ejemplo mostrado en la Figura 3 incluye una superficie conductora 45, otra superficie conductora 46, una capa aislante 47 y una rejilla 48. En el ejemplo ilustrado, la capa conductora 45 esta dispuesta sobre una contraplaca 49. En diversas realizaciones la contraplaca 49 es una contraplaca no conductora y sirve para aislar la superficie conductora 45 sobre el lado trasero. Por ejemplo, la superficie conductora 45 y la contraplaca 49 pueden ser puestas en practica como una capa metalizada depositada sobre un sustrato no conductor, o de relativamente baja conductividad.Figure 3 is an enlarged diagram illustrating an exemplary emitter according to an example of the aforementioned technology that is not part of the present invention. The exemplary emitter shown in Figure 3 includes a conductive surface 45, another conductive surface 46, an insulating layer 47 and a grid 48. In the illustrated example, the conductive layer 45 is disposed on a counterplate 49. In various embodiments the counterplate 49 is a non-conductive counter plate and serves to isolate the conductive surface 45 on the back side. For example, the conductive surface 45 and the counterplate 49 can be implemented as a metallized layer deposited on a non-conductive substrate, or of relatively low conductivity.
Como un ejemplo adicional, la superficie conductora 45 y la contraplaca 49 pueden ser puestas en practica como una placa de circuito impreso (u otro material similar) con una capa metalizada depositada sobre ella. Como otro ejemplo, la superficie conductora 45 puede ser laminada o metalizada por bombardeo ionico sobre la contraplaca 49, o aplicada en la contraplaca 49 usando diversas tecnicas de deposicion, que incluyen la deposicion por vapor o evaporativa, y la pulverizacion termica, para nombrar unos pocos. Como otro ejemplo mas, la capa conductora 45 puede ser una pelfcula metalizada.As a further example, the conductive surface 45 and counter plate 49 can be implemented as a printed circuit board (or other similar material) with a metallized layer deposited thereon. As another example, the conductive surface 45 can be laminated or metallized by ion bombardment on the counterplate 49, or applied to the counterplate 49 using various deposition techniques, including vapor deposition or evaporation, and thermal spraying, to name a few. few. As another example, the conductive layer 45 can be a metallized film.
La superficie conductora 45 puede ser una superficie continua o puede tener ranuras, agujeros, recortes de diversas formas, u otras areas no conductoras. Adicionalmente, la superficie conductora 45 puede ser una superficie suave o sustancialmente suave, o puede ser aspera o picada. Por ejemplo, la superficie conductora 45 puede ser en relieve, estampada, lijada, tratada con chorro de arena, formada con picos o irregularidades en la superficie, depositada con un grado deseado de “piel de naranja” o de otro modo provista con una textura.The conductive surface 45 may be a continuous surface or may have slots, holes, cutouts of various shapes, or other non-conductive areas. Additionally, the conductive surface 45 may be a smooth or substantially smooth surface, or it may be rough or pitted. For example, the conductive surface 45 may be embossed, embossed, sanded, sandblasted, formed with peaks or irregularities in the surface, deposited with a desired degree of "orange peel" or otherwise provided with a texture .
La superficie conductora 45 no necesita estar dispuesta en una contraplaca 49 especializada. En vez de ello, en algunas realizaciones la superficie conductora 45 puede ser depositada sobre un miembro que proporciona otra funcion, tal como un miembro que es parte de un alojamiento del altavoz. La superficie conductora 45 puede tambien ser depositada directamente sobre una pared u otro lugar en donde el emisor vaya a ser montado, y asf sucesivamente.The conductive surface 45 need not be disposed on a specialized counterplate 49. Instead, in some embodiments the conductive surface 45 may be deposited on a member providing another function, such as a member that is part of a speaker housing. The conductive surface 45 can also be deposited directly on a wall or other place where the emitter is to be mounted, and so on.
La superficie conductora 46 proporciona otro polo del emisor. La superficie conductora puede ser puesta en practica como una pelfcula metalizada, en donde una capa metalizada se deposita sobre un sustrato de la pelfcula (no ilustrado separadamente). El sustrato puede ser, por ejemplo, polipropileno, poliimida, tereftalato de polietileno (PET), tereftalato de polietileno orientado biaxialmente (por ejemplo, Mylar, Melinex o Hostaphan), Kapton, u otro sustrato. En algunas realizaciones el sustrato tiene una baja conductividad y, cuando esta situado de modo que el sustrato esta entre las superficies conductoras de las capas 45 y 46, actua como un aislante entre la superficie conductora 45 y la superficie conductora 46. The conductive surface 46 provides another pole of the emitter. The conductive surface can be implemented as a metallized film, wherein a metallized layer is deposited on a substrate of the film (not illustrated separately). The substrate can be, for example, polypropylene, polyimide, polyethylene terephthalate (PET), biaxially oriented polyethylene terephthalate (for example, Mylar, Melinex or Hostaphan), Kapton, or other substrate. In some embodiments the substrate has a low conductivity and, when positioned so that the substrate is between the conductive surfaces of the layers 45 and 46, acts as an insulator between the conductive surface 45 and the conductive surface 46.
Ademas, en algunas realizaciones la superficie conductora 46 (y su sustrato aislante donde esta incluida) esta separada de la superficie conductora 45 por una capa aislante 47. La capa aislante 47 puede estar hecha, por ejemplo, usando PET, tereftalato de polietileno orientado axialmente o biaxialmente, polipropileno, poliimida, u otra pelfcula o material aislante.Furthermore, in some embodiments the conductive surface 46 (and its insulating substrate where it is included) is separated from the conductive surface 45 by an insulating layer 47. The insulating layer 47 can be made, for example, using PET, axially oriented polyethylene terephthalate. or biaxially, polypropylene, polyimide, or other film or insulating material.
Para impulsar el emisor con suficiente potencia para conseguir un nivel suficiente de presion ultrasonica, puede ocurrir la produccion de chispas en donde la separacion entre la superficie conductora 46 y la superficie conductora 45 sea demasiado pequena. No obstante, en donde la separacion es demasiado grande, el emisor no lograra una resonancia. En una realizacion, la capa aislante 47 es una capa de aproximadamente 0,92 mil de espesor. En algunas realizaciones la capa aislante 47 es una capa de aproximadamente 0,90 a aproximadamente 1 mil de espesor. En posteriores realizaciones la capa aislante 47 es una capa desde aproximadamente 0,75 hasta aproximadamente 1,2 mil de espesor. En otras realizaciones la capa aislante 47 es tan delgada como aproximadamente 0,33 o 0,25 mil de espesor. Otros espesores pueden ser usados, y en algunas realizaciones una capa aislante 47 separada no esta dispuesta. Por ejemplo, algunas realizaciones dependen de un sustrato aislante de la capa conductora 46 (por ejemplo, como en el caso de una pelfcula metalizada) para proporcionar un aislamiento entre las superficies conductoras 45 y 46. Una ventaja de incluir una capa aislante 47 es que puede permitir la aplicacion de un mayor nivel de voltaje de polarizacion a traves de las superficies conductoras primera y segunda 45, 46 sin produccion de chispas. Cuando se consideran las propiedades aislantes de los materiales entre las dos superficies conductoras 45, 46, uno debena considerar el valor aislante de la capa 47, si esta incluida, y el valor aislante del sustrato, si hay alguno, sobre el cual esta depositada la capa 46.To drive the emitter with sufficient power to achieve a sufficient level of ultrasonic pressure, sparking may occur where the separation between the conductive surface 46 and the conductive surface 45 is too small. However, where the separation is too large, the issuer will not achieve a resonance. In one embodiment, the insulating layer 47 is a layer of approximately 0.92 mil thick. In some embodiments, the insulating layer 47 is a layer of about 0.90 to about 1 mil thick. In subsequent embodiments the insulating layer 47 is a layer from about 0.75 to about 1.2 mil thick. In other embodiments, insulating layer 47 is as thin as about 0.33 or 0.25 mil thick. Other thicknesses may be used, and in some embodiments a separate insulating layer 47 is not disposed. For example, some embodiments rely on an insulating substrate of the conductive layer 46 (e.g., as in the case of a foil film) to provide insulation between the conductive surfaces 45 and 46. One advantage of including an insulating layer 47 is that it may allow the application of a higher level of polarization voltage across the first and second conductive surfaces 45, 46 without producing sparks. When considering the insulating properties of the materials between the two conductive surfaces 45, 46, one should consider the insulating value of layer 47, if included, and the insulating value of the substrate, if any, on which the deposited layer is placed. layer 46.
Una rejilla 48 puede ser incluida en la parte superior de la pila. La rejilla 48 puede estar hecha de un material conductor o no conductor. En algunas realizaciones la rejilla 48 puede ser la rejilla que forma la rejilla externa del altavoz. Debido a que la rejilla 48 esta en contacto en algunas realizaciones con la superficie conductora 46, la rejilla 48 puede ser hecha usando un material no conductor para proteger a los usuarios del voltaje de polarizacion presente en la superficie conductora 46. La rejilla 48 puede incluir unos agujeros 51, ranuras u otras aberturas. Estas aberturas pueden ser uniformes, o pueden variar a lo largo del area, y pueden ser unas aberturas pasantes que se extienden desde una superficie de la rejilla 48 a la otra. La rejilla 48 puede ser de varios espesores. Por ejemplo, la rejilla 48 puede ser aproximadamente de 60 mils, aunque se pueden usar otros espesores.A grid 48 can be included in the upper part of the stack. The grid 48 can be made of a conductive or non-conductive material. In some embodiments the grid 48 may be the grid that forms the external grid of the speaker. Because the grid 48 is in contact in some embodiments with the conductive surface 46, the grid 48 can be made using a non-conductive material to protect the users from the bias voltage present on the conductive surface 46. The grid 48 can include holes 51, grooves or other openings. These openings may be uniform, or may vary throughout the area, and may be through openings extending from one surface of the grid 48 to the other. The grid 48 can be of various thicknesses. For example, the grid 48 may be approximately 60 mils, although other thicknesses may be used.
Los contactos electricos 52a, 52b se usan para acoplar la senal portadora modulada en el emisor. A continuacion se describe un ejemplo de un circuito excitador para el emisor.The electrical contacts 52a, 52b are used to couple the modulated carrier signal in the transmitter. An example of a driver circuit for the transmitter is described below.
La Figura 4 es un diagrama que ilustra una vista de la seccion transversal de un emisor montado de acuerdo con el ejemplo ilustrado en la Figura 3. Como esta ilustrado, esta realizacion incluye la contraplaca 49, la superficie conductora 45, la superficie conductora 46 (que comprende una superficie conductora 46a depositada sobre un sustrato 46b), la capa aislante 47 entre la superficie conductora 45 y la superficie conductora 46a, y la rejilla 48. Las dimensiones en estas y otras figuras, y particularmente los espesores de las capas, no estan dibujados a escala. El emisor se puede hacer para casi cualquier dimension. En una aplicacion el emisor es de longitud l, 10 pulgadas y su anchura o es 5 pulgadas aunque son posibles otras dimensiones, tanto mayores como menores. Los intervalos practicos de longitud y anchura pueden ser unas longitudes y anchuras similares de altavoces de estantenas. Un area mayor del emisor puede llevar a una mayor salida de sonido, aunque puede tambien requerir unas mayores voltajes de polarizacion.Figure 4 is a diagram illustrating a cross-sectional view of an emitter mounted in accordance with the example illustrated in Figure 3. As illustrated, this embodiment includes the counterplate 49, the conductive surface 45, the conductive surface 46 ( comprising a conductive surface 46a deposited on a substrate 46b), the insulating layer 47 between the conductive surface 45 and the conductive surface 46a, and the grid 48. The dimensions in these and other figures, and particularly the thicknesses of the layers, do not They are drawn to scale. The emitter can be made for almost any dimension. In an application the emitter is of length l, 10 inches and its width or is 5 inches although other dimensions are possible, both major and minor. The practical length and width ranges can be similar lengths and widths of shelf speakers. A larger area of the emitter can lead to a greater sound output, although it may also require higher polarization voltages.
La Tabla 1 describe unos ejemplos de pelfculas metalizadas que pueden ser usadas para proporcionar una superficie conductora 46. Una resistencia laminar baja o unos Ohmios/Cuadrado bajos son preferidos para la superficie conductora 46. En consecuencia, las pelfculas en la Tabla 1 que tienen <5 y <1 Ohmios/Cuadrado mostraron un mejor funcionamiento que las pelfculas con una resistencia Ohmios/Cuadrado mayor. Las pelfculas que mostraron 2k o mas Ohmios/Cuadrado no proporcionaron niveles de salida altos en las pruebas de desarrollo. El Kapton puede ser un material deseable debido a que es relativamente no sensible a la temperatura en los intervalos de temperatura previstos para la operacion del emisor. El Polipropileno puede ser menos deseable debido a su relativamente baja capacitancia. Una capacitancia inferior en el emisor significa que una inductancia mayor (y por lo tanto un inductor ffsicamente mayor) es necesaria para formar un circuito de resonancia. Como ilustra la Tabla 1, las pelfculas usadas para proporcionar una superficie conductora 46 puede variar desde aproximadamente 0,25 mil a 3 mils, incluido el sustrato.Table 1 describes examples of metallized films that can be used to provide a conductive surface 46. A low laminar strength or low Ohms / Square are preferred for the conductive surface 46. Accordingly, the films in Table 1 that have < 5 and <1 Ohm / Square showed better performance than films with a greater Ohm / Square resistor. Movies that showed 2k or more Ohms / Square did not provide high output levels in the development tests. Kapton can be a desirable material because it is relatively non-sensitive to temperature in the temperature ranges foreseen for the operation of the emitter. Polypropylene may be less desirable because of its relatively low capacitance. A lower capacitance in the emitter means that a greater inductance (and therefore a physically greater inductor) is necessary to form a resonance circuit. As illustrated in Table 1, the films used to provide a conductive surface 46 can vary from about 0.25 mil to 3 mils, including the substrate.
Tabla 1Table 1
Aunque no mostrado en la Tabla 1, otra pekcula que puede ser usada para proporcionar la superficie conductora 46 es la pekcula de Aluminio/Poliimida DE 320 disponible en Dunmore Corporation. Esta pekcula es un producto basado en poliimida aluminizado en los dos lados. Tiene aproximadamente un espesor de 1 mil y proporciona <1 Ohmios/Cuadrado. Como ilustran estos ejemplos, cualquiera de un numero de pelfculas metalizadas diferentes puede ser provista como las superficies conductoras 45, 46. La metalizacion es tipicamente realizada usando una pulverizacion catodica o un proceso ffsico de deposicion de vapor. El aluminio, mquel, cromo, cobre u otros materiales conductivos pueden ser usados como capa metalica, teniendo en cuenta la preferencia de un material de Ohmios/Cuadrado bajo.Although not shown in Table 1, another pecula that can be used to provide the conductive surface 46 is the Aluminum / Polyimide DE 320 available from Dunmore Corporation. This pekcula is a product based on aluminized polyimide on both sides. It has approximately a thickness of 1 thousand and provides <1 Ohm / Square. As these examples illustrate, any of a number of different metallized films can be provided as the conductive surfaces 45, 46. The metallization is typically performed using a cathode spray or a physical vapor deposition process. Aluminum, nickel, chrome, copper or other conductive materials can be used as a metallic layer, taking into account the preference of a low Ohm / Square material.
Las pelfculas metalizadas junto con la contraplaca tfpicamente tienen una frecuencia de resonancia natural a la que resonaran. Para algunas combinaciones pelfcula/contraplaca, su frecuencia de resonancia natural puede estar en el intervalo de aproximadamente 30-150 kHz. Por ejemplo, con una contraplaca como la descrita antes, algunas pelfculas de Kapton de 0,33 mil resuenan a aproximadamente 54 kHz, mientras que algunas pelfculas de Kapton de 1,0 mil resuenan a aproximadamente 34 kHz. En consecuencia, la pelfcula y la frecuencia de la portadora de la portadora ultrasonica pueden ser elegidas de modo que la frecuencia de la portadora coincida con la frecuencia de resonancia de la combinacion pelfcula/contraplaca. La seleccion de una frecuencia de portadora en la frecuencia de resonancia de la combinacion pelfcula/contraplaca puede aumentar la salida del emisor.Metallized films together with the counterplate typically have a natural resonance frequency to which they will resonate. For some film / counterplate combinations, their natural resonance frequency may be in the range of approximately 30-150 kHz. For example, with a counterplate as described above, some 0.33 mil Kapton films resonate at approximately 54 kHz, while some 1.0 mil Kapton films resonate at approximately 34 kHz. Consequently, the film and the frequency of the carrier of the ultrasonic carrier can be chosen so that the frequency of the carrier coincides with the resonance frequency of the film / counterplate combination. Selecting a carrier frequency at the resonance frequency of the film / counterplate combination can increase the emitter output.
La Figura 5 es un diagrama que ilustra un emisor ultrasonico de acuerdo con un ejemplo de la tecnologfa aqrn descrita y que no forma parte de la presente invencion. El ejemplo de la Figura 5 incluye las superficies conductoras 45 y 46 y la rejilla 48. La diferencia entre el ejemplo mostrado en la Figura 5 y el mostrado en las Figuras 3 y 4 es que el ejemplo mostrado en la Figura 5 no incluye una capa aislante separada 47. Las capas 45, 46 y 48 pueden ser puestas en practica usando los mismos materiales antes descritos con referencia a las Figuras 3 y 4. Particularmente, para evitar la formacion de cortocircuitos o la produccion de chispas entre las superficies conductoras 45, 46, la superficie conductora 46 es depositada sobre un sustrato con propiedades aislantes. Por ejemplo, las pelfculas de Mylar o Kapton metalizadas como las pelfculas mostradas en la Tabla 1 pueden ser usadas para ejecutar la superficie conductora 46, con la pelfcula orientada de modo que el sustrato aislante este posicionado entre las superficies conductoras 45, 46.Figure 5 is a diagram illustrating an ultrasonic emitter according to an example of the aforementioned technology and not forming part of the present invention. The example of Figure 5 includes the conductive surfaces 45 and 46 and the grid 48. The difference between the example shown in Figure 5 and that shown in Figures 3 and 4 is that the example shown in Figure 5 does not include a layer separate insulator 47. Layers 45, 46 and 48 can be implemented using the same materials as described above with reference to Figures 3 and 4. Particularly, to avoid the formation of short circuits or the production of sparks between conductive surfaces 45, 46, the conductive surface 46 is deposited on a substrate with insulating properties. For example, the metallized Mylar or Kapton films as the films shown in Table 1 can be used to execute the conductive surface 46, with the film oriented so that the insulating substrate is positioned between the conductive surfaces 45, 46.
La Figura 6A es un diagrama que ilustra un ejemplo de un simple circuito excitador que puede ser usado para excitar los emisores aqrn descritos. Como sena apreciado por una persona de experiencia ordinaria en la tecnica, en donde se usan emisores multiples (por ejemplo, para aplicaciones estereo), un circuito excitador 50 puede ser proporcionado para cada emisor. En algunas realizaciones el circuito excitador 50 esta dispuesto en el mismo alojamiento o conjunto que el emisor. En otras realizaciones el circuito excitador 50 esta dispuesto en un alojamiento separado. Este circuito excitador es solamente un ejemplo, y una persona de experiencia ordinaria en la tecnica apreciara que otros circuitos excitadores pueden ser usados con la tecnologfa del emisor aqrn descrita.Figure 6A is a diagram illustrating an example of a simple driver circuit that can be used to drive the aforementioned transmitters. As appreciated by a person of ordinary skill in the art, where multiple emitters are used (eg, for stereo applications), a driver circuit 50 may be provided for each emitter. In some embodiments the driver circuit 50 is disposed in the same housing or assembly as the emitter. In other embodiments the driver circuit 50 is disposed in a separate housing. This driver circuit is only an example, and a person of ordinary skill in the art will appreciate that other driver circuits may be used with the aforementioned emitter technology.
Tfpicamente, la senal modulada procedente del sistema 10 de procesamiento de senales esta acoplada electronicamente a un amplificador (no mostrado). El amplificador puede ser parte de, y en el mismo alojamiento o recinto que el circuito excitador 50. Alternativamente, el amplificador puede estar alojado separadamente. Despues de la amplificacion, la senal es entregada a las entradas A1, A2 del circuito excitador 50. En las realizaciones aqrn descritas el conjunto del emisor incluye un emisor que puede ser operable a frecuencias ultrasonicas. El emisor (no mostrado en la Figura 6) esta conectado al circuito excitador 50 en los contactos D1, D2. Un inductor 54 forma un circuito de resonancia paralelo con el emisor. Configurando el inductor 54 en paralelo con el emisor la corriente circula a traves del inductor y el emisor y puede conseguirse un circuito de resonancia paralelo. Por lo tanto, la capacitancia del emisor se hace importante, debido a que los valores bajos de la capacitancia del emisor requieren una mayor inductancia para conseguir la resonancia a una frecuencia deseada. Por consiguiente, los valores de la capacitancia de las capas, y del emisor como un conjunto pueden ser una consideracion importante en el diseno del emisor.Typically, the modulated signal from the signal processing system 10 is electronically coupled to an amplifier (not shown). The amplifier may be part of, and in the same housing or enclosure as the driver circuit 50. Alternatively, the amplifier may be housed separately. After amplification, the signal is delivered to the inputs A1, A2 of the exciter circuit 50. In the above-described embodiments, the emitter assembly includes an emitter that may be operable at ultrasonic frequencies. The emitter (not shown in Figure 6) is connected to the driver circuit 50 at the contacts D1, D2. An inductor 54 forms a resonance circuit parallel with the emitter. By configuring the inductor 54 in parallel with the emitter, the current flows through the inductor and the emitter and a parallel resonance circuit can be achieved. Therefore, the capacitance of the emitter becomes important, because the low values of the capacitance of the emitter require a greater inductance to achieve the resonance at a desired frequency. Therefore, the values of the capacitance of the layers, and of the emitter as a whole, can be an important consideration in the design of the emitter.
Un voltaje de polarizacion se aplica a traves de los terminales B1, B2 para proporcionar una polarizacion al emisor. El rectificador de onda completa 57 y el condensador de filtro 58 proporcionan una polarizacion en CC al circuito a traves de las entradas del emisor D1, D2. Idealmente, el voltaje de polarizacion usado es aproximadamente dos veces (o mayor que) la polarizacion inversa que se espera que tome el emisor. Esto es para asegurar que el voltaje de polarizacion es suficiente para sacar el emisor de un estado de polarizacion inversa. En una realizacion el voltaje de polarizacion es del orden de 300-450 Voltios, aunque se pueden usar voltajes en otros intervalos. Por ejemplo, se puede usar 350 Voltios. Para emisores ultrasonicos los voltajes de polarizacion estan tfpicamente en el intervalo de unos pocos cientos a varios cientos de Voltios.A polarization voltage is applied across terminals B1, B2 to provide polarization to the emitter. The full-wave rectifier 57 and the filter capacitor 58 provide a DC bias to the circuit through the inputs of the emitter D1, D2. Ideally, the polarization voltage used is approximately twice (or greater than) the inverse polarization that the emitter is expected to take. This is to ensure that the polarization voltage is sufficient to take the emitter out of a reverse polarization state. In one embodiment the bias voltage is in the order of 300-450 Volts, although voltages can be used in other ranges. For example, 350 Volts can be used. For ultrasonic emitters the polarization voltages are typically in the range of a few hundred to several hundred Volts.
Aunque se pueden usar las disposiciones en serie, disponiendo el inductor 54 en paralelo con el emisor se pueden obtener ventajas sobre la disposicion en serie. Por ejemplo, en esta configuracion, la resonancia puede conseguirse en el circuito inductor-emisor sin la presencia directa del amplificador en el camino de la corriente. Esto puede dar como resultado un funcionamiento mas estable y predecible del emisor, y que gasta menos energfa en comparacion con la configuracion en serie.Although the series arrangements can be used, by arranging the inductor 54 in parallel with the emitter, advantages can be obtained over the series arrangement. For example, in this configuration, resonance can be achieved in the inductor-emitter circuit without the direct presence of the amplifier in the current path. This can result in a more stable and predictable operation of the transmitter, and it expends less energy compared to the serial configuration.
La obtencion de la resonancia en un funcionamiento optimo del sistema puede mejorar la eficiencia del sistema (esto es, reduce la energfa consumida por el sistema) y reduce el calor producido por el sistema.The obtaining of the resonance in an optimal operation of the system can improve the efficiency of the system (that is, reduces the energy consumed by the system) and reduces the heat produced by the system.
Con una disposicion en serie, el circuito hace que la corriente gastada fluya a traves del inductor. Como es conocido en la tecnica, el emisor funcionara mejor en (o proximo al) punto en el que la resonancia electrica es conseguida en el circuito. No obstante, el amplificador introduce cambios en el circuito, el cual puede variar segun la temperatura, variacion de la senal, funcionamiento del sistema, etc. De este modo, puede ser mas diffcil obtener (y mantener) una resonancia estable en el circuito cuando el inductor 54 esta orientado en serie con el emisor (y el amplificador). La Figura 6B es un diagrama que ilustra un ejemplo de un circuito excitador simple que puede ser usado con los emisores aqrn descritos. Como sena apreciado por una persona de experiencia ordinaria en la tecnica, en donde se usan emisores multiples (por ejemplo, para aplicaciones estereo), un circuito de polarizacion 53 puede ser proporcionado para cada emisor. En algunas realizaciones el circuito de polarizacion 53 esta dispuesto en el mismo alojamiento o conjunto que el emisor. En otras realizaciones el circuito polarizador 53 esta dispuesto en un alojamiento separado. Este circuito excitador es solo un ejemplo, y una persona de una experiencia ordinaria en la tecnica apreciara que se pueden usar otros circuitos excitadores con la tecnologfa del emisor aqrn descrita.With a series arrangement, the circuit causes the spent current to flow through the inductor. As is known in the art, the emitter will work best at (or close to) the point at which the electrical resonance is achieved in the circuit. However, the amplifier introduces changes in the circuit, which may vary depending on the temperature, signal variation, system operation, etc. In this way, it may be more difficult to obtain (and maintain) a stable resonance in the circuit when the inductor 54 is oriented in series with the emitter (and the amplifier). Figure 6B is a diagram illustrating an example of a simple driver circuit that can be used with the described transmitters aqrn. As noted by a person of ordinary skill in the art, where multiple emitters are used (eg, for stereo applications), a polarization circuit 53 may be provided for each emitter. In some embodiments, the polarization circuit 53 is disposed in the same housing or assembly as the emitter. In other embodiments, the polarizer circuit 53 is disposed in a separate housing. This exciter circuit is only an example, and a person of ordinary skill in the art will appreciate that other exciter circuits can be used with the aforementioned emitter technology.
Tfpicamente, la senal modulada procedente del sistema 10 de procesamiento de senales esta acoplada electronicamente a un amplificador (no mostrado). El amplificador puede ser parte de, y en el mismo alojamiento o recinto que el circuito excitador 53. Alternativamente, el amplificador puede ser alojado separadamente. Despues de la amplificacion, la senal es entregada a las entradas A1, A2 del circuito 53. En las realizaciones aqrn descritas el conjunto del emisor incluye un emisor que puede ser operable en frecuencias ultrasonicas. El emisor esta conectado al circuito excitador 53 en los contactos E1, E2. Una ventaja del circuito mostrado en la Figura 5B es que la polarizacion puede ser generada a partir de la senal de la portadora ultrasonica y no es necesario un suministro de polarizacion separado. En operacion los diodos D1-D4 en combinacion con los condensadores C1-C4 estan configurados para operar como rectificador y multiplicador de voltaje. Particularmente, los diodos D1-D4 y los condensadores C1-C4 estan configurados como un rectificador y cuadruplicador del voltaje, que da como resultado un voltaje de polarizacion en CC de hasta aproximadamente cuatro veces la amplitud de voltaje de la portadora a traves de los nodos E1, E2. Otros niveles de multiplicacion del voltaje pueden ser proporcionados usando tecnicas similares conocidas de multiplicacion del voltaje.Typically, the modulated signal from the signal processing system 10 is electronically coupled to an amplifier (not shown). The amplifier may be part of, and in the same housing or enclosure as the driver circuit 53. Alternatively, the amplifier may be housed separately. After the amplification, the signal is delivered to the inputs A1, A2 of the circuit 53. In the above-described embodiments, the transmitter assembly includes an emitter that may be operable at ultrasonic frequencies. The emitter is connected to the exciter circuit 53 at the contacts E1, E2. An advantage of the circuit shown in Figure 5B is that the polarization can be generated from the signal of the ultrasonic carrier and a separate polarization supply is not necessary. In operation the diodes D1-D4 in combination with the capacitors C1-C4 are configured to operate as a rectifier and voltage multiplier. Particularly, diodes D1-D4 and capacitors C1-C4 are configured as a rectifier and quadrupling voltage, which results in a DC bias voltage of up to about four times the carrier's voltage amplitude across the nodes. E1, E2. Other levels of voltage multiplication can be provided using similar known techniques of voltage multiplication.
El condensador C5 se elige lo suficiente amplio para mantener la polarizacion y presentar un circuito abierto al voltaje de CC en E1 (es decir, para impedir que la CC se cortocircuite a tierra), pero lo suficiente pequeno para permitir que la portadora ultrasonica modulada pase al emisor. Las resistencias R1, R2 forman un divisor de voltaje, y en combinacion con el diodo Zener ZD1 limitan el voltaje de polarizacion al nivel deseado, el cual en el ejemplo ilustrado es 300 Voltios.Capacitor C5 is chosen wide enough to maintain polarization and present an open circuit to the DC voltage at E1 (ie, to prevent the DC from shorting to ground), but small enough to allow the modulated ultrasonic carrier to pass to the emitter. The resistors R1, R2 form a voltage divider, and in combination with the Zener diode ZD1 limit the bias voltage to the desired level, which in the illustrated example is 300 Volts.
El inductor 54 puede ser de una variedad de tipos conocidos por las personas de una experiencia ordinaria en la tecnica. No obstante, los inductores generan un campo magnético que puede “filtrarse” mas alla de los confines del inductor. Este campo puede interferir con la operacion y/o respuesta del emisor. Tambien, muchos pares inductor/emisor usados en aplicaciones de sonido ultrasonico operan a voltajes que generan grandes cantidades de energfa termica. El calor puede tambien afectar negativamente al funcionamiento de un emisor parametrico.The inductor 54 may be of a variety of types known to persons of ordinary skill in the art. However, the inductors generate a magnetic field that can "leak" beyond the confines of the inductor. This field may interfere with the operation and / or response of the issuer. Also, many inductor / emitter pairs used in ultrasonic sound applications operate at voltages that generate large amounts of thermal energy. The heat can also adversely affect the operation of a parametric transmitter.
Por al menos estos motivos, en la mayor parte de los sistemas de sonido parametricos convencionales el inductor esta ffsicamente situado a una distancia considerable del emisor. En tanto que esta solucion aborda los temas antes mencionados, anade otra complicacion. La senal transportada desde el inductor al emisor puede ser un voltaje relativamente alto (del orden de 160 V pico a pico o mayor). Como tal, los cables que conectan el inductor al emisor tienen que estar calificados para aplicaciones de alto voltaje. Tambien, en ciertas instalaciones pueden ser necesarios largos recorridos de los cables, lo cual puede ser caro y peligroso, y puede tambien interferir con sistemas de comunicacion no relacionados con el sistema emisor parametrico.For at least these reasons, in most conventional parametric sound systems the inductor is physically located at a considerable distance from the emitter. While this solution addresses the aforementioned issues, it adds another complication. The signal carried from the inductor to the emitter can be a relatively high voltage (of the order of 160 V peak to peak or greater). As such, the cables that connect the inductor to the emitter must be qualified for high voltage applications. Also, in certain installations long cable runs may be necessary, which can be expensive and dangerous, and may also interfere with communication systems not related to the parametric transmitter system.
El inductor 54 (que se incluye como un componente tal como se ha mostrado en las configuraciones de las Figuras 6A y 6B) puede ser puesto en practica usando un inductor de nucleo del recipiente. Un inductor del nucleo del recipiente esta alojado dentro de un nucleo del recipiente que esta tfpicamente formado por un material de ferrita. Esto limita los devanados del inductor y el campo magnético generado por el inductor. Tfpicamente el nucleo del recipiente incluye dos mitades de ferrita 59a, 59b que definen una cavidad 60 dentro de la cual pueden estar dispuestos los devanados del inductor. Vease la Figura 6C. Un espacio de aire G puede ser incluido para aumentar la permeabilidad del nucleo del recipiente sin afectar a la capacidad de proteccion del nucleo. Por lo tanto, aumentando el tamano del espacio de aire G, se puede aumentar la permeabilidad del nucleo del recipiente. No obstante, el aumento del espacio de aire G requiere tambien un aumento del numero de vueltas en el o los inductores mantenidos dentro del nucleo del recipiente con el fin de conseguir una cantidad de inductancia deseada. Por lo tanto, un espacio de aire puede aumentar la permeabilidad y al mismo tiempo reducir el calor generado por el inductor del nucleo del recipiente sin comprometer las propiedades de proteccion del nucleo.The inductor 54 (which is included as a component as shown in the configurations of Figures 6A and 6B) can be implemented using a core inductor of the container. An inductor of the core of the container is housed within a core of the container that is typically formed of a ferrite material. This limits the windings of the inductor and the magnetic field generated by the inductor. Typically the core of the vessel includes two ferrite halves 59a, 59b that define a cavity 60 within which the windings of the inductor may be disposed. See Figure 6C. An air space G can be included to increase the permeability of the core of the container without affecting the protection capacity of the core. Therefore, by increasing the size of the air space G, the permeability of the core of the container can be increased. However, the increase in air gap G also requires an increase in the number of turns in the inductor (s) maintained within the core of the container in order to achieve a desired amount of inductance. Therefore, an air space can increase the permeability and at the same time reduce the heat generated by the core inductor of the container without compromising the protective properties of the core.
En los ejemplos ilustrados en las Figuras 6A y 6B se usa un transformador elevador de bobinado dual. No obstante, los bobinados primario 55 y secundario 56 pueden ser combinados en lo que comunmente se denomina una configuracion de autotransformador. Cualquiera o los dos bobinados primario y secundario pueden estar contenidos dentro del nucleo del recipiente.In the examples illustrated in Figures 6A and 6B, a dual winding riser transformer is used. However, the primary 55 and secondary windings 56 can be combined in what is commonly referred to as an autotransformer configuration. Either or both of the primary and secondary windings may be contained within the core of the container.
Como se ha discutido antes, es deseable conseguir un circuito de resonancia paralelo con el inductor 54 y el emisor. Tambien es deseable hacer coincidir la impedancia del par inductor/emisor con la impedancia esperada por el amplificador. Esto generalmente requiere aumentar la impedancia del par inductor/emisor. Tambien puede ser deseable conseguir estos objetivos siempre que se coloque el inductor ffsicamente cerca del emisor. Por lo tanto, en algunas realizaciones el espacio de aire del nucleo del recipiente se selecciona de modo que el numero de vueltas en el bobinado primario 55 presente la carga de impedancia esperada por el amplificador. De este modo, cada bucle del circuito puede ser sintonizado para operar a un nivel de eficiencia aumentado. El aumento del espacio de aire en el nucleo del recipiente proporciona la capacidad de aumentar el numero de vueltas en el elemento inductor 55 sin cambiar la inductancia deseada del elemento inductor 56 (que de otro modo afectana a la resonancia en el bucle del emisor). A su vez, este proporciona la capacidad de ajustar el numero de vueltas en el elemento inductor 55 para igualar la carga de impedancia esperada por el amplificador.As discussed above, it is desirable to achieve a parallel resonance circuit with the inductor 54 and the emitter. It is also desirable to match the impedance of the inductor / emitter pair with the impedance expected by the amplifier. This generally requires increasing the impedance of the inductor / emitter pair. It may also be desirable to achieve these objectives as long as the inductor is physically located near the emitter. Therefore, in some embodiments the air gap of the core of the container is selected such that the number of turns in the primary winding 55 presents the impedance load expected by the amplifier. In this way, each circuit loop can be tuned to operate at an increased efficiency level. Increasing the air gap in the container core provides the ability to increase the number of turns in the inductor element 55 without changing the desired inductance of the inductor element 56 (which would otherwise affect the resonance in the emitter loop). In turn, this provides the ability to adjust the number of turns in the inductor element 55 to equalize the impedance load expected by the amplifier.
Una ventaja adicional del aumento del tamano del espacio de aire es que el tamano ffsico del nucleo del recipiente puede ser reducido. Por lo tanto, un transformador de nucleo del recipiente menor puede ser usado en tanto que proporcione la misma inductancia para crear una resonancia con el emisor.A further advantage of the increase in the size of the air space is that the physical size of the container core can be reduced. Therefore, a core transformer of the smaller vessel can be used insofar as it provides the same inductance to create a resonance with the emitter.
El uso de un transformador elevador proporciona unas ventajas adicionales al presente sistema. Debido a que el transformador “asciende” desde la direccion del amplificador al emisor, necesariamente “desciende” desde la direccion del emisor al amplificador. De este modo, cualquier realimentacion negativa que pudiera de otro modo viajar desde el par inductor/emisor al amplificador es reducido por el proceso de descenso, minimizando asf el efecto de cualquier suceso en el amplificador y el sistema en general (en particular, se reducen los cambios en el par inductor/emisor que podnan afectar a la carga de impedancia experimentada por el amplificador).The use of a step-up transformer provides additional advantages to the present system. Because the transformer "rises" from the direction of the amplifier to the emitter, it necessarily "descends" from the direction of the emitter to the amplifier. In this way, any negative feedback that could otherwise travel from the inductor / emitter pair to the amplifier is reduced by the descent process, thus minimizing the effect of any event on the amplifier and the system in general (in particular, they are reduced the changes in the inductor / emitter pair that could affect the impedance load experienced by the amplifier).
En una realizacion se usa un hilo metalico esmaltado Litz 30/46 para los bobinados primario y secundario. El hilo metalico Litz comprende muchos cordones de hilo metalico delgados, aislados individualmente y retorcidos o tejidos conjuntamente. El hilo metalico Litz usa una pluralidad de conductores aislados individualmente en paralelo. El diametro de los conductores individuales se elige que sea menor que una profundidad de penetracion en la frecuencia operativa, de modo que los cordones no sufran una apreciable perdida de efecto pelicular. Por lo tanto, el hilo metalico Litz puede permitir un mejor funcionamiento a frecuencias mas altas. In one embodiment a Litz 30/46 enameled metal wire is used for the primary and secondary windings. The Litz metal thread comprises many thin metal strands, individually insulated and twisted or woven together. The Litz metal wire uses a plurality of individually insulated conductors in parallel. The diameter of the individual conductors is chosen to be less than a depth of penetration in the operating frequency, so that the cords do not suffer an appreciable loss of film effect. Therefore, the Litz metal thread can allow better operation at higher frequencies.
Se aplica un voltaje de polarizacion a traves de los terminales B1, B2 para proporcionar una polarizacion al emisor. El rectificador de onda completa 57 y el condensador de filtro 58 proporcionan una polarizacion de CC al circuito a traves de las entradas del emisor D1, D2. Idealmente, el voltaje de polarizacion usado es aproximadamente el doble (o mas) que la polarizacion inversa que se espera que tome el emisor. Esto es para asegurar que el voltaje de polarizacion es suficiente para sacar el emisor de un estado de polarizacion inversa. En una realizacion el voltaje de polarizacion es del orden de 350-420 Voltios. En otras realizaciones se pueden usar otros voltajes de polarizacion. Para emisores ultrasonicos los voltajes de polarizacion estan tipicamente en el intervalo desde unos pocos cientos a varios cientos de voltios.A polarization voltage is applied across terminals B1, B2 to provide polarization to the emitter. The full wave rectifier 57 and the filter capacitor 58 provide a DC bias to the circuit through the inputs of the emitter D1, D2. Ideally, the polarization voltage used is approximately twice (or more) than the inverse polarization that the emitter is expected to take. This is to ensure that the polarization voltage is sufficient to take the emitter out of a reverse polarization state. In one embodiment the polarization voltage is in the order of 350-420 Volts. In other embodiments, other polarization voltages may be used. For ultrasonic emitters, the polarization voltages are typically in the range of a few hundred to several hundred volts.
Aunque no esta mostrado en las figuras, cuando el voltaje de polarizacion es lo suficientemente alto, la produccion de chispas puede ocurrir entre las capas conductoras 45, 46. Esta produccion de chispas puede ocurrir a traves de las capas de aislamiento intermedias asf como en los bordes del emisor (alrededor de los bordes exteriores de las capas aislantes). Por lo tanto, la capa aislante 47 puede ser hecha mayor en longitud y anchura que las superficies conductoras 45, 46, para impedir la produccion de chispas en el borde. Igualmente, en donde la capa conductora 46 es una pelfcula metalizada sobre un sustrato aislante, la capa conductora 46 puede ser hecha mayor en longitud y anchura que la capa conductora 45 para aumentar la distancia desde los bordes de la capa conductora 46 a los bordes de la capa conductora 45.Although not shown in the figures, when the polarization voltage is high enough, the sparking may occur between the conductive layers 45, 46. This sparking may occur through the intermediate insulation layers as well as in the edges of the emitter (around the outer edges of the insulating layers). Therefore, the insulating layer 47 can be made larger in length and width than the conductive surfaces 45, 46, to prevent sparking at the edge. Also, where the conductive layer 46 is a metallized film on an insulating substrate, the conductive layer 46 can be made greater in length and width than the conductive layer 45 to increase the distance from the edges of the conductive layer 46 to the edges of the conductive layer 46. the conductive layer 45.
La resistencia R1 puede ser incluida para disminuir o aplanar el factor Q del circuito de resonancia. La resistencia R1 no es necesaria en todos los casos y el aire como una carga disminuira naturalmente Q. Igualmente, un hilo metalico Litz mas delgado en el inductor 54 puede tambien disminuir Q de modo que el pico no sea demasiado agudo.The resistor R1 can be included to decrease or flatten the Q factor of the resonance circuit. The resistance R1 is not necessary in all cases and the air as a charge will naturally decrease Q. Similarly, a thinner metal wire Litz in the inductor 54 can also decrease Q so that the peak is not too sharp.
La Figura 7 es un diagrama que ilustra otro ejemplo de configuracion del emisor que no forma parte de la presente invencion. El emisor en esta configuracion incluye una rejilla conductora 65 como la capa inferior, una capa media aislante 47 y una capa conductora superior 46. Las capas 46 y 47 pueden ser puestas en practica usando los ejemplos para las capas 46 y 47 antes descritos con referencia a las Figuras 3 y 4. La rejilla conductora 65 puede ser hecha utilizando un material conductor, o un material con una superficie o revestimiento conductor. Debido a que la rejilla conductora 65 forma uno de los electrodos del emisor, un cable de entrada 52b esta conectado a la rejilla conductora 65.Figure 7 is a diagram illustrating another exemplary configuration of the emitter that is not part of the present invention. The emitter in this configuration includes a conductive grid 65 as the lower layer, an insulating middle layer 47 and an upper conductive layer 46. The layers 46 and 47 can be implemented using the examples for layers 46 and 47 described above with reference to Figures 3 and 4. The conductive grid 65 can be made using a conductive material, or a material with a conductive surface or coating. Because the conductive grid 65 forms one of the emitter electrodes, an input cable 52b is connected to the conductive grid 65.
La rejilla conductora 65 puede tener un patron de agujeros, ranuras u otras aberturas. En algunas realizaciones las aberturas son aproximadamente el 50% del area de la rejilla conductora 65. En otras realizaciones las aberturas pueden ser un porcentaje mayor o menor del area de la rejilla conductora 65. La rejilla conductora 65 puede tener aproximadamente un espesor de 60 mils. En otras realizaciones la rejilla conductora 65 puede tener unos espesores diferentes.The conductive grid 65 may have a pattern of holes, slots or other openings. In some embodiments the openings are approximately 50% of the area of the conductive grid 65. In other embodiments the openings may be a greater or lesser percentage of the area of the conductive grid 65. The conductive grid 65 may have approximately a thickness of 60 mils . In other embodiments, the conductive grid 65 may have different thicknesses.
La Figura 8 es un diagrama que ilustra otro ejemplo de configuracion de emisor que no forma parte de la presente invencion. El emisor en esta configuracion incluye una rejilla conductora 65 como la capa inferior, una capa media aislante 47 y una capa conductora superior 46 y una rejilla superior 48. El emisor ilustrado en la Figura 8 es similar al ejemplo ilustrado en la Figura 7, con la adicion de la rejilla 48.Figure 8 is a diagram illustrating another example of emitter configuration that does not form part of the present invention. The emitter in this configuration includes a conductive grid 65 as the lower layer, an insulating middle layer 47 and an upper conductive layer 46 and an upper grid 48. The emitter illustrated in Figure 8 is similar to the example illustrated in Figure 7, with the addition of the grid 48.
Las capas que forman los emisores aqrn descritos pueden unirse conjuntamente usando varias tecnicas diferentes. Por ejemplo, marcos, pinzas, presillas, adhesivos u otros mecanismos de union pueden ser usados para unir las capas conjuntamente. Las capas pueden ser unidas conjuntamente en los bordes para impedir la interferencia con resonancia de las pelfculas del emisor.The layers forming the aforementioned emitters can be joined together using several different techniques. For example, frames, clamps, clips, adhesives or other joining mechanisms can be used to join the layers together. The layers can be joined together at the edges to prevent interference with resonance of the emitter films.
Como se ha observado antes, en varias realizaciones la superficie conductora 45 esta provista de una superficie irregular. Para crear una superficie irregular, en las realizaciones antes discutidas la superficie puede ser en relieve, estampada, lijada, tratada con chorro de arena, formada con picos o irregularidades en la superficie, depositada con un grado deseado de “piel de naranja” o de otro modo provista con una textura. En otras realizaciones la superficie conductora 45 puede comprender una placa conductora u otro miembro que este formado o provisto de crestas u otros elementos texturales iguales para presentar una superficie irregular a la pelfcula emisora conductora 46.As noted above, in various embodiments the conductive surface 45 is provided with an irregular surface. To create an uneven surface, in the above discussed embodiments the surface may be embossed, embossed, sanded, sandblasted, formed with peaks or irregularities on the surface, deposited with a desired degree of "orange peel" or "orange peel". another mode provided with a texture. In other embodiments, the conductive surface 45 may comprise a conductive plate or other member that is formed or provided with ridges or other similar textural elements to present an uneven surface to the conductive emitting film 46.
La Figura 9A es un diagrama que ilustra una vista de la seccion transversal de una porcion de una superficie irregular que comprende crestas de acuerdo con un ejemplo de la tecnologfa aqrn descrita y que no forma parte de la presente invencion. En el ejemplo ilustrado en la Figura 9A una contraplaca conductora 104 esta provista de una superficie 105 con crestas. Los picos de la superficie 105 con crestas soportan la capa conductora 46. Aunque la capa conductora 46 se muestra como separada de los picos de la superficie 105 con crestas, la capa conductora 46 puede descansar sobre o estar en contacto con los picos de la superficie 105 con crestas. En algunas realizaciones la capa conductora 46 comprende una capa conductora 46a y una capa aislante 46b que separa la capa conductora 46a de los picos. Aunque no esta ilustrado, cuando un voltaje de polarizacion se aplica a traves del emisor, la capa conductora 46 sera llevada a un contacto mas estable con la superficie 105, haciendo que la capa 46 haga contacto con los picos y, con una polarizacion suficiente, sea llevada al menos parcialmente en los valles. Preferiblemente, la polarizacion no es lo suficiente fuerte para llevar la capa 46 a un contacto completo con la totalidad de la superficie 105, ya que se desea que un volumen de aire permita que la capa 46 se mueva en respuesta a la aplicacion de la serial ultrasonica modulada de audio. Figure 9A is a diagram illustrating a cross-sectional view of a portion of an irregular surface comprising ridges according to an example of the afore-described technology and not forming part of the present invention. In the example illustrated in Figure 9A a conductive counterplate 104 is provided with a ridged surface 105. The peaks of the ridged surface 105 support the conductive layer 46. Although the conductive layer 46 is shown as being spaced from the peaks of the ridged surface 105, the conductive layer 46 can rest on or be in contact with the peaks of the surface. 105 with ridges. In some embodiments, the conductive layer 46 comprises a conductive layer 46a and an insulating layer 46b that separates the conductive layer 46a from the peaks. Although not illustrated, when a bias voltage is applied across the emitter, the conductive layer 46 will be brought into more stable contact with the surface 105, causing the layer 46 to make contact with the peaks and, with sufficient polarization, be carried at least partially in the valleys. Preferably, the polarization is not strong enough to bring the layer 46 into full contact with the entire surface 105, since it is desired that a volume of air allow the layer 46 to move in response to the application of the serial modulated audio ultrasonic.
La Figura 9B es un diagrama que ilustra una vista en perspectiva de una pluralidad de filas de la superficie de un ejemplo de la contraplaca 104 mostrada en la Figura 9A. En el ejemplo ilustrado los picos de la superficie 105 con crestas se extienden longitudinalmente a lo largo de toda o una porcion de la contraplaca 104. Las secciones de la contraplaca 104 pueden ser fabricadas con elementos texturales alargados 107 (en este ejemplo, unas crestas sustancialmente uniformes) que se extienden aproximadamente en paralelo a traves de toda o de secciones de la contraplaca 104. En otras realizaciones las irregularidades 107 en la superficie 105 son de longitudes mas cortas. La Figura 9C es un diagrama que ilustra una vista en perspectiva de las irregularidades formadas en forma de picos (mas bien que crestas alargadas) usadas para formar una superficie irregular. En el ejemplo ilustrado en la Figura 9C las irregularidades de la superficie tienen la forma de piramides cuadradas (con un pico truncado, aplanado), aunque tambien podnan usarse piramides rectangulares. Aunque los bordes de las irregularidades de la superficie (por ejemplo, las crestas 107 de la Figura 9B y las piramides 108 de la Figura 9C) se muestran como teniendo bordes agudos, algunos o todos los bordes de las irregularidades de la superficie pueden tener unos radios mayores (es decir, se pueden suavizar o ser menos agudos).Figure 9B is a diagram illustrating a perspective view of a plurality of rows of the surface of an example of the counterplate 104 shown in Figure 9A. In the illustrated example the peaks of the crested surface 105 extend longitudinally along all or a portion of the counter plate 104. The sections of the counter plate 104 can be fabricated with elongated textural elements 107 (in this example, crests substantially uniforms) extending approximately parallel through all or sections of the counter plate 104. In other embodiments the irregularities 107 in the surface 105 are of shorter lengths. Figure 9C is a diagram illustrating a perspective view of irregularities formed in the form of peaks (rather than elongated ridges) used to form an irregular surface. In the example illustrated in Figure 9C the irregularities of the surface are in the form of square pyramids (with a truncated, flattened peak), although rectangular pyramids could also be used. Although the edges of the irregularities of the surface (e.g., ridges 107 of Figure 9B and pyramids 108 of Figure 9C) are shown as having sharp edges, some or all of the edges of the surface irregularities may have major radios (that is, they can be softened or less acute).
En el ejemplo mostrado en la Figura 9 la altura de cada uno de los picos es sustancialmente uniforme, o sustancialmente de la misma altura. En realizaciones alternativas la altura de los picos de las crestas puede variar de fila a fila o de pico a pico. La Figura 10 es un diagrama que ilustra una vista de la seccion transversal de una porcion de una realizacion que tiene una superficie irregular que comprende crestas. En la realizacion ilustrada en la Figura 10 los picos de la superficie 111 con crestas son de alturas diferentes. En particular, hay una pluralidad de picos mas cortos 114 limitados por picos mas altos 112. En este ejemplo los picos 112 son picos cargados ya que soportan la capa 46 del emisor. Los picos mas cortos 114 son picos no cargados y pueden estar dispuestos a una altura elegida para proporcionar un volumen de aire deseado entre la capa 46 del emisor y la contraplaca 104. Al igual que la realizacion ilustrada y descrita con referencia a la Figura 9B, la superficie 111 puede comprender una pluralidad de crestas alargadas que se extienden a traves de toda o de secciones de la contraplaca 104. Alternativamente, al igual que la realizacion ilustrada y descrita anteriormente con referencia a la Figura 9C, la superficie 111 puede comprender una pluralidad de piramides cuadradas o rectangulares dispuestas sobre o formando la superficie de la contraplaca 104. En este caso, las piramides cargadas pueden estar dispuestas en filas de modo que haya filas de piramides cargadas contiguas a multiples filas de piramides no cargadas. Alternativamente, las piramides cargadas pueden estar dispuestas de modo que esten rodeadas por piramides no cargadas.In the example shown in Figure 9 the height of each of the peaks is substantially uniform, or substantially of the same height. In alternative embodiments the peak height of the ridges may vary from row to row or from peak to peak. Figure 10 is a diagram illustrating a cross-sectional view of a portion of an embodiment having an irregular surface comprising ridges. In the embodiment illustrated in Figure 10 the peaks of the surface 111 with ridges are of different heights. In particular, there is a plurality of shorter peaks 114 limited by higher peaks 112. In this example peaks 112 are charged peaks since they support layer 46 of the emitter. The shorter peaks 114 are non-loaded peaks and can be arranged at a chosen height to provide a desired volume of air between the layer 46 of the emitter and the counter plate 104. As with the embodiment illustrated and described with reference to Figure 9B, the surface 111 may comprise a plurality of elongated ridges extending through all or sections of the counter plate 104. Alternatively, as with the embodiment illustrated and described above with reference to FIG. 9C, the surface 111 may comprise a plurality of square or rectangular pyramids arranged on or forming the surface of the counter plate 104. In this case, the loaded pyramids may be arranged in rows so that there are rows of pyramids loaded adjacent to multiple rows of non-loaded pyramids. Alternatively, the loaded pyramids may be arranged so that they are surrounded by non-loaded pyramids.
Las alturas de los elementos texturales (por ejemplo, piramides) pueden variar, pero preferiblemente son relativamente pequenas. Las Figuras 11A y 11b son diagramas que ilustran unas dimensiones ejemplares para una superficie texturada de acuerdo con las realizaciones antes descritas con referencia a las Figuras 9 y 10. En el ejemplo de la Figura 11A las crestas o piramides tienen una altura de 8 milesimas y estan dispuestas con una separacion de 19 milesimas. La anchura de la mesa aplanada en la parte superior de las piramides es 3 milesimas. El angulo en la interseccion formado entre las paredes laterales de las piramides contiguas es preferiblemente un angulo recto, aunque se pueden usar otros angulos. Similarmente, en el ejemplo de la Figura 11B las piramides o crestas pueden estar dispuestas con unas dimensiones similares que tienen una separacion de 19 milesimas, una altura de las piramides cargadas es 8 milesimas, y una anchura del pico es 3 milesimas. En la realizacion de ejemplo de la Figura 11B la diferencia de altura entre las piramides cargadas y las piramides no cargadas puede ser relativamente pequena, del orden de 0,25-4 milesimas. Estas dimensiones son como ejemplo y sin embargo pueden ser variadas de aplicacion a aplicacion, estos ejemplos ilustran que la textura proporcionada por los elementos texturales puede ser una textura fina. Por ejemplo, la altura de las crestas donde son piramides puede ir de 5 milesimas a 15 milesimas, y la separacion puede ir de 12 milesimas hasta 100 milesimas, aunque en ambos casos se pueden usar unas dimensiones menores o mayores.The heights of textural elements (eg, pyramids) may vary, but are preferably relatively small. Figures 11A and 11b are diagrams illustrating exemplary dimensions for a textured surface according to the embodiments described above with reference to Figures 9 and 10. In the example of Figure 11A the crests or pyramids have a height of 8 miles and they are arranged with a separation of 19 milesimas. The width of the flattened table at the top of the pyramids is 3 milesimas. The angle at the intersection formed between the side walls of the adjacent pyramids is preferably a right angle, although other angles may be used. Similarly, in the example of Figure 11B the pyramids or ridges may be arranged with similar dimensions having a distance of 19 miles, a height of the loaded pyramids is 8 miles, and a peak width is 3 miles. In the exemplary embodiment of Figure 11B the difference in height between the loaded pyramids and the uncharged pyramids can be relatively small, in the order of 0.25-4 thousandths. These dimensions are as examples and however they can be varied from application to application, these examples illustrate that the texture provided by the textural elements can be a fine texture. For example, the height of the ridges where they are pyramids can range from 5 miles to 15 miles, and the separation can range from 12 thousand miles to 100 thousand miles, although in both cases smaller or larger dimensions can be used.
La Figura 12, que comprende las Figuras 12A y 12B, proporciona ademas otra realizacion alternativa para los elementos texturales de la contraplaca. La Figura 12A es una vista de una seccion transversal de un elemento textural de acuerdo con una realizacion de la tecnologfa aqrn descrita, mientras que la Figura 12B presenta una vista en perspectiva. Haciendo referencia ahora a las Figuras 12A y 12B, en este ejemplo, una cresta 120 esta provista con una superficie superior recortada 121. La superficie 121 incluye una pluralidad de puntos altos 125 y unas depresiones 127 que proporcionan un contorno a la parte superior del elemento textural (por ejemplo, cresta 120). Figure 12, which comprises Figures 12A and 12B, further provides another alternative embodiment for the textural elements of the counterplate. Figure 12A is a cross sectional view of a textural element according to an embodiment of the aforementioned technology, while Figure 12B presents a perspective view. Referring now to Figures 12A and 12B, in this example, a ridge 120 is provided with a cutout top surface 121. The surface 121 includes a plurality of high points 125 and depressions 127 that provide a contour to the top of the element. textural (for example, crest 120).
Tambien esta ilustrada en la Figura 12A una capa conductora 46 posicionada encima de la contraplaca 104. Aunque la capa conductora 46 se muestra como separada de los picos de las crestas 120, la capa conductora 46 puede descansar sobre o hacer contacto con los picos de la superficie con crestas 120 siempre que la capa conductora 46 comprenda una capa aislante 46b entre la capa conductora 46a y la contraplaca 104. Aunque no esta ilustrado, cuando se aplica un voltaje de polarizacion a traves del emisor, la capa conductora 46 sera llevada a un contacto mas estable con la superficie superior recortada 121, haciendo que la placa 46 haga contacto con los puntos altos 125 y, con una polarizacion suficiente, sea bajada al menos parcialmente a las depresiones 127 y valles entre las crestas. Preferiblemente, la polarizacion no es suficientemente fuerte para llevar la capa 46 a un contacto completo con toda la superficie de la contraplaca 104, ya que se desea que un volumen de aire permita que la capa 46 se mueva en respuesta a la aplicacion de la senal ultrasonica modulada de audio.Also shown in Figure 12A is a conductive layer 46 positioned above the counterplate 104. Although the conductive layer 46 is shown as separate from the peaks of the peaks 120, the conductive layer 46 can rest on or contact the peaks of the pedestal. crested surface 120 provided that the conductive layer 46 comprises an insulating layer 46b between the conductive layer 46a and the counterplate 104. Although not illustrated, when a bias voltage is applied across the emitter, the conductive layer 46 will be brought to a more stable contact with the trimmed top surface 121, causing the plate 46 to contact the high points 125 and, with sufficient polarization, be lowered at least partially to the depressions 127 and valleys between the ridges. Preferably, the polarization is not strong enough to bring the layer 46 into full contact with the entire surface of the counterplate 104, since it is desired that a volume of air allow the layer 46 to move in response to the application of the signal. modulated audio ultrasonic.
La Figura 13 es un diagrama que ilustra un ejemplo de un contorno que tiene una pluralidad de elementos texturales tales como los ilustrados en la Figura 12. En este ejemplo los elementos texturales estan dispuestos en forma de crestas posicionadas paralelas entre sf yendo a traves de toda o parte de la contraplaca 104. Como se muestra en este ejemplo, los elementos texturales se encuentran formando una V en la base de cada cresta textural. El angulo de la V en la interseccion formada entre las paredes laterales de las piramides contiguas es preferiblemente un angulo recto, aunque se pueden usar otros angulos.Figure 13 is a diagram illustrating an example of an outline having a plurality of textural elements such as those illustrated in Figure 12. In this example the textural elements are arranged in the form of crests positioned parallel to each other going through all or part of the counterplate 104. As shown in this example, the textural elements are forming a V at the base of each textural crest. The angle of the V at the intersection formed between the side walls of the adjacent pyramids is preferably a right angle, although other angles may be used.
En realizaciones alternativas los elementos texturales no se encuentran en una configuracion en forma de V en los valles entre las crestas. Por ejemplo, en una alternativa la superficie entre las crestas contiguas 120 es una superficie de radio (por ejemplo, una configuracion en forma de U). Un ejemplo de esto se muestra en la Figura 14 en la que una superficie radiada 122 esta dispuesta entre cada una de las crestas contiguas 120. Como otro ejemplo, en otra alternativa, la superficie entre las crestas contiguas 121 tiene un fondo plano o piso 123. Un ejemplo de esto se muestra en la Figura 15, en la que las crestas 121 estan en pendiente hacia abajo desde sus respectivos picos (una pendiente constante en este ejemplo, aunque tambien se puede usar una superficie curva) y se encuentran en un piso 123 sustancialmente plano del valle. La transicion desde la pendiente de la cresta al piso del valle puede ser brusco, o puede ser radiada.In alternative embodiments the textural elements are not in a V-shaped configuration in the valleys between the crests. For example, in an alternative the surface between contiguous ridges 120 is a radius surface (eg, a U-shaped configuration). An example of this is shown in Figure 14 in which a radiated surface 122 is disposed between each of the contiguous ridges 120. As another example, in another alternative, the surface between the contiguous ridges 121 has a flat or flat bottom 123 An example of this is shown in Figure 15, in which the crests 121 are sloping downward from their respective peaks (a constant slope in this example, although a curved surface can also be used) and are on a floor 123 substantially flat of the valley. The transition from the slope of the ridge to the valley floor can be abrupt, or it can be radiated.
Las alturas de los elementos texturales (por ejemplo, las crestas 120) pueden variar, pero son preferiblemente relativamente pequenas. La Figura 16 es un diagrama que ilustra unas dimensiones como ejemplo de una superficie texturada de acuerdo con las realizaciones antes descritas con referencia a las Figuras 12-15. La Figura 16A presenta una vista de la seccion transversal mirando abajo a lo largo de las filas de crestas 120, mientras que la Figura 16B presenta una vista en perspectiva que mira a una unica cresta 120 con una pluralidad de puntos altos 125 y depresiones 127. En el ejemplo de la Figura 16 las crestas 120 tienen una altura de 8 milesimas, y estan separadas una distancia de 35 milesimas. Los picos de cada cresta estan dispuestos a una distancia de 35 milesimas; siendo la longitud y la anchura de la mesa aplanada en la parte superior de los puntos altos 125 de 3 milesimas y 30 milesimas, respectivamente, y la profundidad de las depresiones 127 es 0,0008”.The heights of the textural elements (for example, ridges 120) may vary, but are preferably relatively small. Figure 16 is a diagram illustrating exemplary dimensions of a textured surface according to the embodiments described above with reference to Figures 12-15. Figure 16A presents a view of the cross section looking down along the rows of ridges 120, while Figure 16B presents a perspective view looking at a single ridge 120 with a plurality of high points 125 and depressions 127. In the example of Figure 16 the crests 120 have a height of 8 miles, and a distance of 35 miles are separated. The peaks of each ridge are arranged at a distance of 35 miles; the length and width of the table being flattened at the top of the high points 125 of 3 thousands and 30 milesimas, respectively, and the depth of the depressions 127 being 0.0008 ".
Estas dimensiones son como ejemplo y pueden ser variadas de aplicacion en aplicacion sin embargo, estos ejemplos ilustran que la textura proporcionada por los elementos texturales puede ser una textura fina. Por ejemplo, la altura de las crestas o piramides puede ir de 5 milesimas a 15 milesimas, y la distancia puede ir de 12 milesimas a 100 milesimas, aunque en ambos casos se pueden usar unas dimensiones menores o mayores.These dimensions are as examples and may be varied from application to application however, these examples illustrate that the texture provided by the textural elements may be a fine texture. For example, the height of the ridges or pyramids can range from 5 miles to 15 miles, and the distance can go from 12 miles to 100 miles, although in both cases smaller or larger dimensions can be used.
En estas y otras realizaciones la profundidad del canal entre las crestas o piramides puede ser un factor importante en la determinacion de la resonancia del sistema emisor pelfcula/contraplaca. Preferiblemente, la frecuencia de la portadora de la senal ultrasonica modulada es elegida para estar en o cerca de la frecuencia de resonancia del sistema emisor para una operacion eficiente. En diversas realizaciones la frecuencia de resonancia preferiblemente es mayor de 35 kHz. En otras realizaciones la frecuencia de resonancia es preferiblemente mayor de 50 kHz. En algunas realizaciones la capa 46 del emisor puede tener una frecuencia de resonancia natural de cualquiera en el intervalo de 30 a 150 kHz, aunque son posibles alternativas por encima y por debajo de este intervalo. En una realizacion se usa un emisor pelfcula/contraplaca con una frecuencia de resonancia de 80 kHz.In these and other embodiments, the depth of the channel between the ridges or pyramids may be an important factor in determining the resonance of the film / counterplate emitter system. Preferably, the frequency of the carrier of the modulated ultrasonic signal is chosen to be at or near the resonance frequency of the emitting system for efficient operation. In various embodiments, the resonant frequency preferably is greater than 35 kHz. In other embodiments, the resonance frequency is preferably greater than 50 kHz. In some embodiments the emitter layer 46 may have a natural resonance frequency of any in the range of 30 to 150 kHz, although alternatives above and below this range are possible. In one embodiment, a film / counterplate emitter with a resonance frequency of 80 kHz is used.
Igualmente, el volumen de aire entre la pelfcula 46 y la contraplaca 104 puede ser ajustado para formar un sistema de resonancia en el intervalo de 30 a 150 kHz, aunque son posibles otras frecuencias superiores e inferiores de este intervalo. En una realizacion se usa una frecuencia de la portadora de 80 kHz y el volumen de aire esta configurado para dar la frecuencia de resonancia del sistema de 80 kHz. En diversas aplicaciones el volumen de aire sera el factor dominante en la determinacion de la frecuencia de resonancia. En otras configuraciones dominara la rigidez de la pelfcula y el volumen de aire puede ser elegido arbitrariamente. En otras configuraciones ambos contribuyen en cantidades casi iguales. Por consiguiente, se pueden considerar unas concesiones en el diseno y ser utilizadas coincidencias de frecuencia menos que ideales.Similarly, the volume of air between the film 46 and the counter plate 104 can be adjusted to form a resonance system in the range of 30 to 150 kHz, although other higher and lower frequencies of this range are possible. In one embodiment, a carrier frequency of 80 kHz is used and the air volume is set to give the resonance frequency of the 80 kHz system. In various applications, the volume of air will be the dominant factor in the determination of the resonance frequency. In other configurations the stiffness of the film will dominate and the volume of air can be chosen arbitrarily. In other configurations both contribute in almost equal amounts. Therefore, concessions may be considered in the design and less than ideal frequency matches may be used.
En la realizacion antes descrita con referencia a las Figuras 9 a 16, asf como en otras realizaciones iguales, la contraplaca 104 puede estar hecha de aluminio u otro material conductor. El aluminio es deseable debido a su peso ligero y su resistencia a la corrosion. El aluminio u otro material conductor puede ser mecanizado (por ejemplo, molido), fundido, estampado, o de otra manera fabricado para formar el patron de superficie deseado para la contraplaca 104. Adicionalmente, la contraplaca puede estar hecha de plastico u otro material no conductor y despues revestida con un material conductor tal como mquel o aluminio. Esta contraplaca no conductora puede ser moldeada por inyeccion, fundida, estampada o de otro modo fabricada para formar el patron de la superficie deseado.In the embodiment described above with reference to Figures 9 to 16, as well as in other similar embodiments, the counter plate 104 may be made of aluminum or other conductive material. Aluminum is desirable because of its light weight and corrosion resistance. The aluminum or other conductive material can be machined (e.g., ground), cast, stamped, or otherwise fabricated to form the desired surface pattern for the counterplate 104. Additionally, the counterplate can be made of plastic or other non-plastic material. conductor and then coated with a conductive material such as nickel or aluminum. This non-conductive counterplate may be injection molded, cast, stamped or otherwise manufactured to form the pattern of the desired surface.
El emisor puede ser fabricado usando varias tecnicas de fabricacion diferentes para unir la capa 46 a la contraplaca 104. Por ejemplo, en una realizacion la capa 46 es tensionada a lo largo de su longitud y anchura y unida de forma fija a la contraplaca 104 usando adhesivos, fijadores mecanicos, u otras tecnicas de fijacion. Por medio de otro ejemplo, se puede disponer un area relativamente plana alrededor de la periferia de la contraplaca 104 para presentar un area plana a la que la pelfcula 46 se puede pegar o de otro modo fijar a la contraplaca 104. La pelfcula 46 puede ser pegada o de otro modo asegurada a la contraplaca 104 a lo largo de toda la periferia de la contraplaca 104 o en unos lugares seleccionados. Adicionalmente, la pelfcula 46 puede ser pegada o de otro modo asegurada a la contraplaca 104 en puntos o lugares seleccionados dentro de la periferia. La tension aplicada a la pelfcula durante la fabricacion es preferiblemente una tension suficiente para suavizar la pelfcula para impedir arrugas o un material innecesariamente en exceso. Es deseable una tension suficiente para permitir que la pelfcula sea llevada a la placa tras la aplicacion uniforme de un voltaje de polarizacion a traves del area de la contraplaca. En algunas aplicaciones la cantidad de tension puede ser del orden de 10 PSI, aunque se pueden usar otras tensiones.The emitter can be manufactured using several different fabrication techniques to join the layer 46 to the counter plate 104. For example, in one embodiment the layer 46 is tensioned along its length and width and fixedly attached to the counter plate 104 using adhesives, mechanical fasteners, or other fixation techniques. By way of another example, a relatively flat area may be arranged around the periphery of the counterplate 104 to present a flat area to which the film 46 may be glued or otherwise secured to the counterplate 104. The film 46 may be glued or otherwise secured to the counter plate 104 along the entire periphery of the counter plate 104 or at selected locations. Additionally, the film 46 can be glued or otherwise secured to the counter plate 104 at selected points or locations within the periphery. The tension applied to the film during manufacture is preferably sufficient tension to soften the film to prevent wrinkles or unnecessarily excess material. Sufficient tension is desirable to allow the film to be brought to the plate after the uniform application of a polarization voltage across the area of the counterplate. In some applications the amount of tension can be of the order of 10 PSI, although other voltages can be used.
Para impedir la entrada no deseada de aire entre la pelfcula 46 y la contraplaca 104 durante las operaciones de union, se pueden disponer uno o mas agujeros para el aire en la parte trasera de la contraplaca 104 para permitir que el aire escape. Esto puede evitar la formacion de una presion no deseada en la cavidad de aire y evitar el “hinchamiento” de la pelfcula tras el montaje.To prevent unwanted entry of air between the film 46 and the counterplate 104 during joining operations, one or more air holes may be provided on the back of the counterplate 104 to allow the air to escape. This can prevent the formation of unwanted pressure in the air cavity and prevent "swelling" of the film after assembly.
Adicionalmente, en algunas realizaciones la superficie conductora texturada de la contraplaca puede ser anodizada o de otro modo provista de un revestimiento delgado de material aislante en la superficie superior. Como se ha observado antes, en algunas realizaciones la pelfcula 46 puede ser una pelfcula de mylar metalizado o de kapton con una superficie conductora aplicada a un polfmero u otra pelfcula aislante. Cuando la superficie de la contraplaca 104 esta anodizada no se requiere una pelfcula bicapa (por ejemplo, las capas 46a, 46b) para aislar la pelfcula 46 de la contraplaca 104, y se puede utilizar una pelfcula conductora (sin una capa aislante).Additionally, in some embodiments the textured conductive surface of the counterplate may be anodized or otherwise provided with a thin coating of insulating material on the upper surface. As noted above, in some embodiments the film 46 may be a metalized or kapton mylar film with a conductive surface applied to a polymer or other insulating film. When the surface of the counterplate 104 is anodized, a bilayer film (eg, the layers 46a, 46b) is not required to insulate the film 46 from the counterplate 104, and a conductive film (without an insulating layer) can be used.
Las capas conductora y no conductora que forman los diversos emisores aqrn descritos pueden estar hechas usando materiales flexibles. Por ejemplo, las realizaciones aqrn descritas usan pelfculas metalizadas flexibles para formar capas conductoras, y pelfculas no metalizadas para formar capas resistivas. Debido a la naturaleza flexible de estos materiales, pueden ser moldeados para formar configuraciones y formas deseadas. En otras realizaciones las capas que pueden integrar los emisores pueden estar formadas usando materiales moldeados o modelados para llegar a la configuracion o forma deseadas.The conductive and non-conductive layers forming the various aforementioned emitters can be made using flexible materials. For example, the above-described embodiments use flexible metallized films to form conductive layers, and non-metallized films to form resistive layers. Due to the flexible nature of these materials, they can be molded to form desired shapes and shapes. In other embodiments, the layers that can integrate the emitters can be formed using molded or patterned materials to arrive at the desired shape or shape.
Por ejemplo, como esta ilustrado en la Figura 17A, las capas pueden ser aplicadas a un sustrato 74 en una configuracion arqueada. La Figura 18A proporciona una vista en perspectiva de un emisor formado en una configuracion arqueada. En este ejemplo un material de respaldo 71 es moldeado o formado con una forma arqueada y las capas 72 del emisor fijadas a el. Otros ejemplos incluyen cilmdricas (Figuras 17b y 18b) y esfericas. Como sena evidente a una persona de una experiencia ordinaria en la tecnica despues de leer esta descripcion, se pueden usar otras formas de materiales de respaldo sobre los que formar emisores ultrasonicos de acuerdo con la tecnologfa aqrn descrita.For example, as illustrated in Figure 17A, the layers may be applied to a substrate 74 in an arcuate configuration. Figure 18A provides a perspective view of an emitter formed in an arcuate configuration. In this example a backing material 71 is molded or formed with an arched shape and the layers 72 of the emitter attached thereto. Other examples include cylindrical (Figures 17b and 18b) and spherical. As will be apparent to a person of ordinary skill in the art after reading this description, other forms of backup materials can be used on which to form ultrasonic emitters in accordance with the aforementioned technology.
El mylar, kapton y otras pelfculas metalizadas pueden ser tensionadas o estiradas en alguna medida. El estiramiento de la pelfcula, y el uso de la pelfcula en una configuracion estirada pueden proporcionar un mayor grado de direccionalidad al emisor. Las senales ultrasonicas por su naturaleza tienden a ser direccionales por naturaleza. No obstante, el estiramiento de las pelfculas da un mayor nivel de direccionalidad.Mylar, kapton and other metallic films can be tensioned or stretched to some extent. The stretching of the film, and the use of the film in a stretched configuration can provide a greater degree of directionality to the emitter. Ultrasonic signals by their nature tend to be directional in nature. However, the stretching of the films gives a higher level of directionality.
Igualmente, las capas conductoras pueden estar hechas usando cualquiera de varios materiales conductores. Entre los materiales conductores comunes que pueden ser usados estan el aluminio, mquel, cromo, oro, germanio, cobre, plata, titanio, tungsteno, platino, y tantalio. Tambien se pueden usar las aleaciones de metales conductores.Similarly, the conductive layers can be made using any of several conductive materials. Among the common conductive materials that can be used are aluminum, nickel, chromium, gold, germanium, copper, silver, titanium, tungsten, platinum, and tantalum. Alloys of conductive metals can also be used.
Como se ha observado anteriormente, las capas conductoras 45, 46 pueden ser hechas usando pelfculas metalizadas. Estas incluyen Mylar, Kapton y otras pelfculas similares. Tales pelfculas metalizadas son disponibles variando los grados de transparencia desde sustancialmente totalmente transparente a opaco. Igualmente, la capa aislante 47 puede ser hecha usando una pelfcula transparente. Por consiguiente, los emisores aqrn descritos pueden ser hechos de materiales transparentes dando como resultado un emisor transparente. Tal emisor puede ser configurado para ser colocado sobre diversos objetos para formar un altavoz ultrasonico. Por ejemplo, uno o un par (o mas) de emisores transparentes pueden ser colocados como una pelfcula transparente sobre una pantalla de television. Esto puede ser ventajoso debido a que como las televisiones se hacen cada vez mas delgadas hay menos espacio disponible para grandes altavoces. Colocando el o los emisores sobre la pantalla de television se pueden colocar los altavoces sin requerir un espacio de caja adicional. Como otro ejemplo, un emisor puede ser colocado sobre un marco de cuadro, convirtiendo un cuadro en un emisor ultrasonico. Tambien, debido a que las pelfculas metalizadas pueden tambien ser altamente reflectantes, el emisor ultrasonico puede ser hecho en un espejo.As noted above, the conductive layers 45, 46 can be made using metallized films. These include Mylar, Kapton and other similar movies. Such metallized films are available by varying the degrees of transparency from substantially completely transparent to opaque. Similarly, the insulating layer 47 can be made using a transparent film. Accordingly, the aforementioned emitters can be made of transparent materials resulting in a transparent emitter. Such an emitter can be configured to be placed on various objects to form an ultrasonic speaker. For example, one or a pair (or more) of transparent emitters can be placed as a transparent film on a television screen. This can be advantageous because as televisions become thinner there is less space available for large speakers. By placing the emitter (s) on the television screen, the speakers can be placed without requiring additional box space. As another example, an emitter can be placed on a frame of frame, converting a frame into an ultrasonic emitter. Also, because the metallized films can also be highly reflective, the ultrasonic emitter can be made in a mirror.
Mientras que antes han sido descritas diversas realizaciones de la presente invencion debena comprenderse que han sido presentadas a modo de ejemplo solamente, y no de limitacion. Igualmente, los diversos diagramas pueden representar un ejemplo arquitectonico u otra configuracion para la invencion, la cual esta hecha para ayudar a entender las caractensticas y la funcionalidad que pueden estar incluidas en la invencion. La invencion no esta limitada a las arquitecturas o configuraciones de ejemplo ilustradas, pero las caractensticas deseadas pueden ser puestas en practica usando una variedad de arquitecturas y configuraciones alternativas. En efecto, sera evidente a una persona con experiencia en la tecnica como particionamiento y configuraciones funcionales, logicas o ffsicas alternativas pueden ser puestos en practica para poner en practica las caractensticas deseadas de la presente invencion. Tambien, una multitud de diferentes nombres de los modulos constituyentes de la presente invencion. Tambien una multitud de nombres de los modulos constituyentes distintos de los aqrn representados puede ser aplicada a las diversas particiones. Adicionalmente, con respecto a los diagramas de flujo, las descripciones operativas y las reivindicaciones del metodo, el orden en el que aqrn son presentados los pasos no obligara que diversas realizaciones sean puestas en practica para realizar la funcionalidad citada en el mismo orden a menos que el contexto lo exija de otra forma. While various embodiments of the present invention have been described above, it should be understood that they have been presented by way of example only, and not of limitation. Likewise, the various diagrams may represent an architectural example or other configuration for the invention, which is made to help understand the features and functionality that may be included in the invention. The invention is not limited to the example architectures or configurations illustrated, but the desired features can be implemented using a variety of alternative architectures and configurations. Indeed, it will be apparent to a person skilled in the art as partitioning and alternative functional, logical or physical configurations can be put into practice to put into practice the desired features of the present invention. Also, a multitude of different names of the constituent modules of the present invention. Also a multitude of names of the constituent modules other than the represented aqrn can be applied to the various partitions. Additionally, with respect to the flow charts, the operative descriptions and the method claims, the order in which the steps are presented will not require that various embodiments be put into practice to perform the aforementioned functionality in the same order unless the context demands it in another way.
Aunque la invencion esta descrita antes en terminos de diversas realizaciones y puestas en practica como ejemplo se debena entender que las diversas caractensticas, aspectos y funcionalidad descritos en una o mas de las realizaciones individuals no estan limitados en su aplicabilidad a la realizacion particular con la cual estan descritos, pero en cambio se puede aplicar, solo o en diversas combinaciones, a una o mas de las otras realizaciones de la invencion, si o no tales realizaciones esten descritas y si o no tales caractensticas son presentadas como siendo una parte de una realizacion descrita. De este modo, la amplitud y el alcance de la presente invencion no estanan limitados por cualquiera de las realizaciones como ejemplo antes descritas.Although the invention is described above in terms of various embodiments and implementations as an example, it should be understood that the various features, aspects and functionality described in one or more of the individual embodiments are not limited in their applicability to the particular embodiment with which are described, but instead can be applied, alone or in various combinations, to one or more of the other embodiments of the invention, whether or not such embodiments are described and whether or not such features are presented as being a part of an embodiment. described. In this way, the amplitude and scope of the present invention are not limited by any of the exemplary embodiments described above.
Los terminos y frases usados en este documento, y las variaciones de ellos, a menos que de otro modo sean expresamente declarados, debenan ser interpretados como abiertos al contrario que limitativos. Como ejemplos de lo anterior: el termino “incluyendo” debena ser interpretado como significando “incluyendo, sin limitacion” o similar; el termino “ejemplo” se usa para proporcionar casos como ejemplo del tema en discusion, no una lista exhaustiva o limitativa de los mismos; los terminos “un” debenan ser interpretados como significando “al menos uno”, “uno o mas” o similar; y los adjetivos tales como “convencional”, “tradicional”, “normal”, “patron”, “conocido” y terminos de significado similar no debenan ser interpretados como limitando el tema descrito a un penodo de tiempo dado o a un tema disponible como de un tiempo dado, sino que en lugar de ello debena interpretarse para abarcar tecnologfas convencionales, tradicionales, normales, o tipo que pueden ser disponibles o conocidas ahora o en cualquier momento en el futuro. Igualmente, cuando este documento se refiere a tecnologfas que senan evidentes o conocidas a una persona de una experiencia ordinaria en la tecnica, tales tecnologfas abarcan las evidentes o conocidas por el artesano experto ahora o en cualquier momento en el futuro.The terms and phrases used in this document, and the variations thereof, unless otherwise expressly stated, should be construed as open to the contrary as limiting. As examples of the above: the term "including" must be interpreted as meaning "including, without limitation" or similar; the term "example" is used to provide cases as an example of the subject under discussion, not an exhaustive or limiting list thereof; the terms "a" must be interpreted as meaning "at least one", "one or more" or similar; and adjectives such as "conventional", "traditional", "normal", "patron", "known" and terms of similar meaning should not be construed as limiting the subject described to a given period of time or to a subject available as a given time, but instead should be interpreted to encompass conventional, traditional, normal, or type technologies that may be available or known now or at any time in the future. Likewise, when this document refers to technologies that are obvious or known to a person of ordinary skill in the art, such technologies encompass those that are obvious or known to the skilled artisan now or at any time in the future.
La presencia de palabras y frases ampliadas tales como “uno o mas”, “al menos”, “pero no limitado a” u otras frases similares en algunos casos no debe ser interpretada como significando que el caso mas limitado es pretendido o requerido en casos en los que tales frases ampliadas pueden estar ausentes. El uso del termino “modulo” no implica que los componentes o la funcionalidad descritos o reivindicados como parte del modulo esten todos configurados en un conjunto comun. En efecto, cualquiera o todos de los diversos componentes de un modulo, ya sea la logica de control u otros componentes, pueden ser combinados en un unico conjunto o separadamente mantenidos, y pueden ademas ser distribuidos en multiples grupos o conjuntos o a traves de multiples ubicaciones.The presence of extended words and phrases such as "one or more", "at least", "but not limited to" or other similar phrases in some cases should not be construed as meaning that the more limited case is intended or required in cases in which such extended phrases may be absent. The use of the term "module" does not imply that the components or functionality described or claimed as part of the module are all configured in a common set. In effect, any or all of the various components of a module, whether the control logic or other components, can be combined in a single set or separately maintained, and can also be distributed in multiple groups or sets or through multiple locations .
Adicionalmente, las diversas realizaciones aqrn expuestas estan descritas en terminos de diagramas de bloques, diagramas de flujo y otras ilustraciones como ejemplo. Como sera evidente a una persona de una experiencia ordinaria en la tecnica despues de leer este documento, las realizaciones ilustradas y sus diversas alternativas pueden ser puestas en practica sin limitacion a los ejemplos ilustrados. Por ejemplo, los diagramas de bloques y su descripcion aneja no debenan ser interpretados como exigiendo una particular arquitectura o configuracion. Additionally, the various embodiments disclosed herein are described in terms of block diagrams, flowcharts and other illustrations as an example. As will be apparent to a person of ordinary skill in the art after reading this document, the illustrated embodiments and their various alternatives may be put into practice without limitation to the illustrated examples. For example, block diagrams and their accompanying description should not be interpreted as requiring a particular architecture or configuration.
Claims (12)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/079,399 US9002043B2 (en) | 2013-02-20 | 2013-11-13 | Parametric transducer and related methods |
PCT/US2014/062736 WO2015073204A1 (en) | 2013-11-13 | 2014-10-28 | Improved parametric transducer and related methods |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
ES2713191T3 true ES2713191T3 (en) | 2019-05-20 |
Family
ID=51897464
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
ES14796971T Active ES2713191T3 (en) | 2013-11-13 | 2014-10-28 | Improved parametric transducer and related methods |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP3069529B1 (en) |
JP (1) | JP2017501616A (en) |
CN (1) | CN105917667B (en) |
ES (1) | ES2713191T3 (en) |
WO (1) | WO2015073204A1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11735155B2 (en) * | 2018-08-03 | 2023-08-22 | Uab Neurotechnology | Method for generating parametric sound and means for carying out said method |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4246449A (en) * | 1979-04-24 | 1981-01-20 | Polaroid Corporation | Electrostatic transducer having optimum sensitivity and damping |
CA1277415C (en) * | 1986-04-11 | 1990-12-04 | Lorne A. Whitehead | Elastomer membrane enhanced electrostatic transducer |
US20050244016A1 (en) * | 1997-03-17 | 2005-11-03 | American Technology Corporation | Parametric loudspeaker with electro-acoustical diaphragm transducer |
US20060233404A1 (en) * | 2000-03-28 | 2006-10-19 | American Technology Corporation. | Horn array emitter |
CN103004234B (en) * | 2010-07-22 | 2017-01-18 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | Driving of parametric loudspeakers |
-
2014
- 2014-10-28 WO PCT/US2014/062736 patent/WO2015073204A1/en active Application Filing
- 2014-10-28 EP EP14796971.1A patent/EP3069529B1/en active Active
- 2014-10-28 ES ES14796971T patent/ES2713191T3/en active Active
- 2014-10-28 CN CN201480073022.9A patent/CN105917667B/en active Active
- 2014-10-28 JP JP2016530192A patent/JP2017501616A/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3069529B1 (en) | 2019-01-02 |
CN105917667B (en) | 2019-06-07 |
EP3069529A1 (en) | 2016-09-21 |
CN105917667A (en) | 2016-08-31 |
WO2015073204A1 (en) | 2015-05-21 |
JP2017501616A (en) | 2017-01-12 |
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