ES2393881A1 - Narrow band filters centered in the extreme ultraviolet. (Machine-translation by Google Translate, not legally binding) - Google Patents
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Abstract
Description
Filtros de banda estrecha centrados en el ultravioleta extremo. Narrow band filters centered on the extreme ultraviolet.
El objeto de la invención es proporcionar un filtro de banda estrecha para aplicaciones tales como instrumentación para formación de imágenes en el intervalo ultravioleta extremo, en donde dicho filtro se define como una estructura multicapa. The object of the invention is to provide a narrow band filter for applications such as instrumentation for imaging in the extreme ultraviolet range, wherein said filter is defined as a multilayer structure.
Las propiedades ópticas de los materiales en el ultravioleta extremo (UVE) están caracterizadas por el hecho de que la mayoría de los materiales en la naturaleza absorben fuertemente la radiación. Aquí nos referiremos al UVE como el intervalo espectral de longitudes de onda entre 50 y 105 nm, mientras que ultravioleta lejano (UVL) se refiere al intervalo entre 105 y 200 nm. La limitada transparencia de los materiales cerca del borde de corte del LiF (~105 nm) implica que el comportamiento de los recubrimientos ópticos es menos eficiente de lo que lo es muy por encima de este borde, en donde hay una gran cantidad de materiales transparentes con índices de refracción casi a elegir. Asimismo, por debajo de una longitud de onda de ~50 nm hay de nuevo en la naturaleza materiales poco absorbentes que pueden ser depositados en multicapas bien sintonizadas en la longitud de onda deseada. La dificultad por tanto para disponer de recubrimientos ópticos eficientes es máxima en el intervalo aquí denominado como UVE. The optical properties of materials in the extreme ultraviolet (UVE) are characterized by the fact that most materials in nature strongly absorb radiation. Here we will refer to the UVE as the spectral range of wavelengths between 50 and 105 nm, while far ultraviolet (UVL) refers to the range between 105 and 200 nm. The limited transparency of the materials near the cutting edge of the LiF (~ 105 nm) implies that the behavior of the optical coatings is less efficient than it is well above this edge, where there is a large amount of transparent materials with refractive indexes almost to choose. Also, below a wavelength of ~ 50 nm there is again in nature little absorbent materials that can be deposited in multilayers well tuned to the desired wavelength. The difficulty therefore of having efficient optical coatings is maximum in the range here referred to as UVE.
La necesidad de recubrimientos ópticos en el UVE para instrumentación aplicada a la formación de imágenes de la atmósfera, el sistema solar o la galaxia, es bien conocido en la especialidad. Esta clase de recubrimientos se necesita para la toma de imágenes de la radiación emitida, por ejemplo, por los iones OII desde las capas más altas de la atmósfera, que es un indicador de la densidad electrónica, un importante parámetro usado para explicar la dinámica de la ionosfera y la magnetosfera. The need for optical coatings in the UVE for instrumentation applied to the imaging of the atmosphere, the solar system or the galaxy, is well known in the art. This kind of coatings is needed for imaging of the radiation emitted, for example, by OII ions from the upper layers of the atmosphere, which is an indicator of electronic density, an important parameter used to explain the dynamics of the ionosphere and the magnetosphere.
El principal problema que aparece al intentar realizar estas medidas es que las emisiones de los iones OII vienen acompañadas de otras contribuciones de otras especies en estado gaseoso, tales como líneas de emisión del HeII en 30,4 nm, Hel en 58.4 nm, OI en 98.9 nm, Hl en 102.6 nm, y, por encima de todo, la línea Lyman-alfa del H, cuya intensidad puede ser mucho mayor que la de la línea del OII en 83,4 nm. The main problem that appears when trying to carry out these measures is that the emissions of OII ions are accompanied by other contributions of other species in the gaseous state, such as emission lines of HeII at 30.4 nm, Hel at 58.4 nm, OI at 98.9 nm, Hl at 102.6 nm, and, above all, the Lyman-alpha line of H, whose intensity may be much greater than that of the OII line at 83.4 nm.
Hasta la fecha, se han propuesto y desarrollado varios diseños, en particular para hacer frente al caso anterior. Dichos diseños intentaban obtener una alta reflectancia en la línea del OII en 83,4 nm y una baja reflectancia en la línea Lyman-alfa del H en 121,6 nm, sin tener en cuenta la dependencia de dicha reflectancia con las longitudes de onda del resto del intervalo UVL/UVE. To date, several designs have been proposed and developed, in particular to address the previous case. These designs tried to obtain a high reflectance in the OII line at 83.4 nm and a low reflectance in the Lyman-alpha line of H at 121.6 nm, without taking into account the dependence of said reflectance on the wavelengths of the rest of the UVL / UVE interval.
Los recubrimientos anteriores consistían en multicapas, típicamente con 3 láminas, cada una de un material diferente (ordenadas desde el sustrato a la capa exterior). Así, Chakrabarti-1994 (S. Chakrabarti, J. Edelstein, R. A. M. Keski-Kuha, and F. T. Threat, “Reflective coating of 834 Å for imaging O1 ions,” Opt. Eng. 33, 409–413 (1994)), diseñó y también desarrolló un filtro basado en un diseño de tres capas; la lista de dichas capas era Al, In y SiO2. The above coatings consisted of multilayers, typically with 3 sheets, each of a different material (ordered from the substrate to the outer layer). Thus, Chakrabarti-1994 (S. Chakrabarti, J. Edelstein, RAM Keski-Kuha, and FT Threat, "Reflective coating of 834 Å for imaging O1 ions," Opt. Eng. 33, 409-413 (1994)), designed and also developed a filter based on a three layer design; the list of these layers was Al, In and SiO2.
Edelstein-1989 (J. Edelstein, “Reflection suppression coatings for the 900–1200 Å radiation,” in X-ray/EUV Optics for Astronomy and Microscopy, R. B. Hoover, ed., Proc. SPIE 1160, 19–25 (1989)), diseñó también varios recubrimientos, cuyo objetivo era similar al de los anteriormente referidos, citados en estudios previos, excepto en el hecho de que la longitud de onda del máximo de reflectancia era la de la línea 102,6 nm del HI. Dichos recubrimientos consistían en una capa interior de Al, una segunda capa de LiF y una capa exterior de SiO2, Al2O3 u Au. El autor también propuso un filtro de cinco capas, dichas capas hechas de Al, LiF, Si, LiF y SiO2, pero este filtro nunca fue desarrollado. Edelstein-1989 (J. Edelstein, “Reflection suppression coatings for the 900–1200 Å radiation,” in X-ray / EUV Optics for Astronomy and Microscopy, RB Hoover, ed., Proc. SPIE 1160, 19–25 (1989) ), also designed several coatings, whose objective was similar to those mentioned above, cited in previous studies, except that the wavelength of the maximum reflectance was that of the HI line 102.6 nm. Said coatings consisted of an inner layer of Al, a second layer of LiF and an outer layer of SiO2, Al2O3 or Au. The author also proposed a five-layer filter, such layers made of Al, LiF, Si, LiF and SiO2, but this filter was never developed.
Seely-1991, (J. F. Seely and W. R. Hunter, “Thin film interference optics for imaging the O II 834-Å airglow,” Appl. Opt. 30, 2788–2794 (1991)), propuso recubrimientos similares. Dichos recubrimientos presentaban una banda estrecha alrededor de 83,4 nm, cuando se combinaban con un filtro de transmisión y un fotocátodo interferencial. Este trabajo estaba dirigido hacia recubrimientos que, sin embargo, nunca fueron desarrollados. El filtro de reflectancia propuesto se componía de tres capas: Al, MgF2 y Si o SiC. Seely-1991, (J. F. Seely and W. R. Hunter, "Thin film interference optics for imaging the O II 834-Å airglow," Appl. Opt. 30, 2788-2794 (1991)), proposed similar coatings. These coatings had a narrow band around 83.4 nm, when combined with a transmission filter and an interferential photocathode. This work was directed towards coatings that, however, were never developed. The proposed reflectance filter consisted of three layers: Al, MgF2 and Si or SiC.
Larruquert-1997, (J. I. Larruquert, R. A. M. Keski-Kuha, “Multilayer coatings for narrowband imaging in the extreme ultraviolet”, in EUV, X-Ray, and Gamma-Ray Instrumentation for Astronomy VIII, O. H. W. Siegmund, M. A. Gummin, eds., Proc. SPIE 3114, 608-616 (1997)) y Larruquert-2001, (J. I. Larruquert, R. A. M. Keski-Kuha, “Multilayer coatings for narrowband imaging in the extreme ultraviolet”, Appl. Opt. 40, 1126-1131 (2001)), prepararon recubrimientos con el objetivo de tener la mayor reflectancia posible en la línea espectral del OII en 83.4 nm y simultáneamente una baja reflectancia en la línea Lyman-alfa del H en 121.6 nm; dichos recubrimientos consistían en sendas capas de Al, MgF2 y Mo, en algunas ocasiones también con una cuarta lámina de C. Estos recubrimientos no producían una respuesta en banda estrecha, excepto en lo que significa una baja reflectancia en la línea 121.6 nm. Larruquert-1997, (JI Larruquert, RAM Keski-Kuha, “Multilayer coatings for narrowband imaging in the extreme ultraviolet”, in EUV, X-Ray, and Gamma-Ray Instrumentation for Astronomy VIII, OHW Siegmund, MA Gummin, eds., Proc. SPIE 3114, 608-616 (1997)) and Larruquert-2001, (JI Larruquert, RAM Keski-Kuha, "Multilayer coatings for narrowband imaging in the extreme ultraviolet", Appl. Opt. 40, 1126-1131 (2001) ), prepared coatings with the objective of having the highest possible reflectance in the spectral line of the OII at 83.4 nm and simultaneously a low reflectance in the Lyman-alpha line of H at 121.6 nm; these coatings consisted of two layers of Al, MgF2 and Mo, sometimes also with a fourth sheet of C. These coatings did not produce a narrow band response, except in what means a low reflectance in the 121.6 nm line.
Los filtros de banda estrecha por reflexión que operen en el intervalo espectral entre 50 y 105 nm no son comunes. Windt-2005, (D. L. Windt, J. F. Seely, B. Kjornrattanawanich, and Y. A. Uspenskii, “Terbium-based extreme ultraviolet multilayers,” Opt. Lett. 30, 3186–3188 (2005)), diseñaron y prepararon filtros basados en multicapas. Los filtros estaban formados por varias láminas bien de Tb y Si o bien de Tb y SiC; los filtros se optimizaron para obtener una banda con reflectancia máxima en una longitud de onda de en torno a 60 nm. Seely-2006, (J. F. Seely, Yu. A. Uspenskii, B. Kjornrattanawanich, and D. L. Windt, “Coated photodiode technique for the determination of the optical constants of reactive elements: La and Tb,” Proc. SPIE 6317, 63170T (2006)), y Kjornrattanawanich-2006, (B. Kjornrattanawanich, D. L. Windt, J. F. Seely, and Y. A. Uspenskii, “SiC/Tb and Si/Tb multilayer coatings for extreme ultraviolet solar imaging,” Appl. Opt. 45, 1765–1772 (2006)), prepararon estructuras multicapa basadas en B4C/La y en Si/Tb y SiC/Tb, que estaban centradas en 92.5 nm para el primer caso, y en torno a 60 nm para los dos últimos casos. Las multicapas centradas en 92.5 nm mostraron una reflectancia en el pico de alrededor del 12%, mientras que el ancho de banda no se mostraba de manera completa, ya que sólo se daba la caída de reflectancia hacia longitudes de onda más cortas, donde la reflectancia decrecía hasta la mitad del máximo en una longitud de onda de aproximadamente 74 nm. Narrow-band reflective filters operating in the spectral range between 50 and 105 nm are not common. Windt-2005, (D. L. Windt, J. F. Seely, B. Kjornrattanawanich, and Y. A. Uspenskii, “Terbium-based extreme ultraviolet multilayers,” Opt. Lett. 30, 3186–3188 (2005)), designed and prepared filters based on multilayers. The filters were formed by several sheets of either Tb and Si or Tb and SiC; The filters were optimized to obtain a band with maximum reflectance at a wavelength of around 60 nm. Seely-2006, (JF Seely, Yu. A. Uspenskii, B. Kjornrattanawanich, and DL Windt, “Coated photodiode technique for the determination of the optical constants of reactive elements: La and Tb,” Proc. SPIE 6317, 63170T (2006 )), and Kjornrattanawanich-2006, (B. Kjornrattanawanich, DL Windt, JF Seely, and YA Uspenskii, “SiC / Tb and Si / Tb multilayer coatings for extreme ultraviolet solar imaging,” Appl. Opt. 45, 1765–1772 ( 2006)), prepared multilayer structures based on B4C / La and Si / Tb and SiC / Tb, which were centered at 92.5 nm for the first case, and around 60 nm for the last two cases. The multilayers centered at 92.5 nm showed a reflectance at the peak of about 12%, while the bandwidth was not shown completely, since only the reflectance drop towards shorter wavelengths occurred, where the reflectance decreased to half the maximum over a wavelength of approximately 74 nm.
Kjornrattanawanich-2008, (B. Kjornrattanawanich, D. L. Windt, J. F. Seely, “Normal-incidence silicon–gadolinium multilayers for imaging at 63 nm wavelength”, Opt. Lett. 33, 965-967 (2008)), prepararon estructuras multicapa basadas en Si/Nd y Si/Gd, que también estaban centradas en una longitud de onda de en torno a 60 nm. Además, depositaron láminas de barrera para mantener separados los dos materiales de la multicapa; estas láminas barrera estaban constituidas por Si3N4 o bien B4C, con espesores de 0.5 y 1.5 nm, cuyo fin era impedir la difusión de materiales a su través. Kjornrattanawanich-2008, (B. Kjornrattanawanich, DL Windt, JF Seely, "Normal-incidence silicon-gadolinium multilayers for imaging at 63 nm wavelength", Opt. Lett. 33, 965-967 (2008)), prepared multilayer structures based on Si / Nd and Si / Gd, which were also centered on a wavelength of around 60 nm. In addition, they deposited barrier sheets to keep the two multilayer materials separate; These barrier sheets were constituted by Si3N4 or B4C, with thicknesses of 0.5 and 1.5 nm, whose purpose was to prevent the diffusion of materials therethrough.
Vidal-Dasilva-2009, (M. Vidal-Dasilva, M. Fernández-Perea, J. A. Méndez, J. A. Aznárez, J. I. Larruquert, “Narrowband multilayer coatings for the extreme ultraviolet range of 50-92 nm”, Optics Express 17, 22773-22784 (2009)), prepararon estructuras multicapa basadas en Yb, Al, y SiO, con una banda estrecha en reflectancia cuyo máximo podía situarse en el intervalo espectral entre 50 y 92 nm, con una reflectancia en el máximo de 10-20%. Depositaron láminas de Yb y Al separadas mediante láminas barrera de SiO con el fin de evitar la difusión de material a su través. También depositaron láminas protectoras de SiO sobre la multicapa. Vidal-Dasilva-2009, (M. Vidal-Dasilva, M. Fernández-Perea, JA Méndez, JA Aznárez, JI Larruquert, “Narrowband multilayer coatings for the extreme ultraviolet range of 50-92 nm”, Optics Express 17, 22773- 22784 (2009)), prepared multilayer structures based on Yb, Al, and SiO, with a narrow band in reflectance whose maximum could be in the spectral range between 50 and 92 nm, with a reflectance in the maximum of 10-20%. They deposited Yb and Al sheets separated by SiO barrier sheets in order to prevent the diffusion of material therethrough. They also deposited SiO protective sheets on the multilayer.
El objeto de la presente invención es el desarrollo de un nuevo tipo de filtro de banda estrecha; dicho filtro cubre las longitudes de onda de la región espectral del ultravioleta extremo (UVE) entre aproximadamente 50 y 100 nm. Además, el objeto de la presente invención es descubrir un recubrimiento con una nueva composición que puede reflejar una banda estrecha con mayor reflectancia en el máximo de la banda que cualquier otro filtro encontrado en estudios previos en la región espectral comprendida entre aproximadamente 70 y 100 nm. The object of the present invention is the development of a new type of narrow band filter; said filter covers the wavelengths of the spectral region of the extreme ultraviolet (UVE) between approximately 50 and 100 nm. Furthermore, the object of the present invention is to discover a coating with a new composition that can reflect a narrow band with greater reflectance at the maximum of the band than any other filter found in previous studies in the spectral region between approximately 70 and 100 nm .
El recubrimiento referido anteriormente consta de láminas de tres materiales diferentes que se depositan sucesivamente sobre un substrato estable mediante evaporación con fuente térmica en condiciones de ultra-alto vacío. Dichos materiales fueron elegidos de entre los posibles materiales teniendo en cuenta sus propiedades ópticas y químicas. Además, el filtro descubierto en esta invención utiliza la combinación de recubrimientos de tres materiales diferentes, Eu, Al y SiO, para así crear una estructura multicapa que determine el filtro de banda estrecha. The coating referred to above consists of sheets of three different materials that are successively deposited on a stable substrate by evaporation with thermal source under ultra-high vacuum conditions. These materials were chosen from among the possible materials taking into account their optical and chemical properties. In addition, the filter discovered in this invention uses the combination of coatings of three different materials, Eu, Al and SiO, in order to create a multilayer structure that determines the narrowband filter.
En relación con los materiales de la multicapa, debe decirse que las láminas de Eu no habían sido utilizadas anteriormente para filtros de banda estrecha. Las láminas de Eu han sido introducidas en filtros de banda estrecha en esta invención, dado que hasta el presente sólo se habían utilizado otros materiales en este género de filtros. De acuerdo con los resultados obtenidos, las presentes multicapas, basadas en láminas de Eu, proporcionan una alta eficiencia como filtros de banda estrecha en el UVE cuando varias láminas de Eu se combinan con láminas de Al. Para construir el filtro, las láminas de Eu y Al en la multicapa se separan entre sí mediante láminas de SiO, formando de esa manera una estructura multicapa sobre un substrato. Las capas de SiO actúan como fronteras o barreras, ya que el Eu y el Al son materiales bastante reactivos; la razón por la que debemos poner una capa de separación o barrera es evitar interacciones o transferencias atómicas entre capas. In relation to multilayer materials, it should be said that Eu sheets had not previously been used for narrow band filters. Eu sheets have been introduced into narrowband filters in this invention, since until now only other materials in this kind of filters had been used. According to the results obtained, the present multilayers, based on sheets of Eu, provide high efficiency as narrowband filters in the UVE when several sheets of Eu are combined with sheets of Al. To construct the filter, the sheets of Eu and Al in the multilayer are separated from each other by SiO sheets, thereby forming a multilayer structure on a substrate. SiO layers act as borders or barriers, since Eu and Al are quite reactive materials; The reason why we should put a separation layer or barrier is to avoid interactions or atomic transfers between layers.
Se usan las mencionadas barreras para aislar los materiales que forman las capas, que, ahora, están separados por las barreras, evitando así la interacción de ambos materiales. The mentioned barriers are used to isolate the materials that form the layers, which, now, are separated by the barriers, thus avoiding the interaction of both materials.
La estructura de multicapa comprende varias capas de material, dichas capas tienen diferentes espesores, y dichos espesores fueron determinados mediante modelos de cálculo por ordenador tales como simulaciones de Monte Carlo. En primer lugar se hace la simulación para cada capa y las capas se depositan y crecen de acuerdo con los parámetros obtenidos por simulación. Una vez terminado el diseño del filtro, se hacen experimentos reales para validar los valores obtenidos de la simulación. The multilayer structure comprises several layers of material, said layers have different thicknesses, and said thicknesses were determined by computer calculation models such as Monte Carlo simulations. In the first place the simulation is done for each layer and the layers are deposited and grown according to the parameters obtained by simulation. Once the filter design is finished, real experiments are done to validate the values obtained from the simulation.
La multicapa entera se cubre con una capa de SiO, esta capa externa realmente evita que el filtro sufra daños por agentes externos. The entire multilayer is covered with a layer of SiO, this outer layer really prevents the filter from being damaged by external agents.
Se puede hacer el filtro con el pico de reflectancia en cualquier longitud de onda entre 50 y 100 nm sobre todo, variando el espesor de la capa exterior de Eu entre 7 y 50 nm y el espesor de la capa exterior de Al entre 12 y 120 nm. El espesor de las capas internas de Eu y o Al se puede diseñar, simultáneamente, para mejorar la reflectancia en el pico y el rechazo fuera de banda. Dependiendo de los citados valores del parámetro de espesor, el filtro puede dar valores del orden de 20 nm de anchura a media altura y entre 0.15 y 0.30 de reflectancia en el máximo. La Fig. 1 muestra la reflectancia medida de un filtro con el pico en la longitud de onda de 83.5 nm. The filter can be made with the reflectance peak at any wavelength between 50 and 100 nm above all, varying the thickness of the outer layer of Eu between 7 and 50 nm and the thickness of the outer layer of Al between 12 and 120 nm. The thickness of the inner layers of Eu and Al can be designed simultaneously to improve reflectance at the peak and out-of-band rejection. Depending on the aforementioned values of the thickness parameter, the filter can give values of the order of 20 nm width at half height and between 0.15 and 0.30 maximum reflectance. Fig. 1 shows the measured reflectance of a filter with the peak in the wavelength of 83.5 nm.
El proceso preferente de desarrollo del presente invento describe cómo se ha desarrollado el filtro objeto de este invento. En primer lugar el proceso de desarrollo requiere que las capas de Eu, Al y SiO se formen por deposición en vacío, dicha deposición se hace mediante técnicas de Deposición Física en fase de Vapor (PVD). Utilizando dichas técnicas, los materiales se depositan secuencialmente sobre el substrato, formando así capas y formando la estructura de multicapa. De entre todas las técnicas de PVD seleccionamos la Evaporación Térmica. En la Evaporación Térmica el material que se va a evaporar se pone en una cestilla de evaporación u otra fuente de evaporación a la que se suministra una corriente eléctrica. Debido al paso de esta corriente eléctrica a través de la fuente, se genera calor por efecto Joule y ambos cestilla y material se calientan hasta la temperatura deseada. La temperatura se regula mediante el control del voltaje de la corriente eléctrica. The preferred development process of the present invention describes how the filter object of this invention has been developed. First, the development process requires that the layers of Eu, Al and SiO be formed by vacuum deposition, said deposition is done by Vapor Phase Physical Deposition (PVD) techniques. Using said techniques, the materials are deposited sequentially on the substrate, thus forming layers and forming the multilayer structure. Among all PVD techniques we select Thermal Evaporation. In Thermal Evaporation the material to be evaporated is placed in an evaporation basket or other evaporation source to which an electric current is supplied. Due to the passage of this electric current through the source, heat is generated by Joule effect and both basket and material are heated to the desired temperature. The temperature is regulated by controlling the voltage of the electric current.
Considerando que la multicapa está formada por capas con tres materiales diferentes, se hace necesaria una o varias bridas con un total de tres pasajes eléctricos para alimentar tres fuentes de evaporación. Dicha brida o bridas se colocan en la cámara de evaporación. Considering that the multilayer is formed by layers with three different materials, one or several flanges with a total of three electrical passages is necessary to feed three evaporation sources. Said flange or flanges are placed in the evaporation chamber.
El siguiente paso es poner una fuente de evaporación en cada pasaje individual, una fuente de evaporación para cada material. Para la capa de Al, la fuente se hizo con varios hilos de W, dichos hilos se interconectaron con una pequeña cantidad de Al fundido. Para el resto de materiales, se utilizó una fuente de Ta en forma de caja. Se utilizaron materiales para evaporación de gran pureza, tales como 99.999% en el caso del Al, 99.99% para el Eu y 99.97% para el SiO. The next step is to put an evaporation source in each individual passage, an evaporation source for each material. For the Al layer, the source was made with several W wires, said wires were interconnected with a small amount of molten Al. For the rest of the materials, a box-shaped source of Ta was used. High purity evaporation materials were used, such as 99.999% in the case of Al, 99.99% for the Eu and 99.97% for the SiO.
Como ejemplo de la preparación de un recubrimiento, durante el proceso de deposición la distancia entre las fuentes y los substratos era de 38 cm; y la velocidad de evaporación osciló entre 0.3 y 0.4 nm/s para el Al, entre 0.05 y As an example of the preparation of a coating, during the deposition process the distance between the sources and the substrates was 38 cm; and the evaporation rate ranged between 0.3 and 0.4 nm / s for Al, between 0.05 and
0.14 nm/s para el Eu y entre 0.02 y 0.09 nm/s para el SiO. Los niveles de presión alcanzados durante el proceso de evaporación fueron los siguientes: en la deposición de Al se alcanzó un nivel de presión de entre 10-8 y 6x10-8 mbar, en la deposición de Eu se alcanzó un nivel de presión de entre 1×10-7 y 5×10-7 mbar y en la deposición de SiO se alcanzó un nivel de presión de entre 3x10-9 y 1.5x10-8 mbar. 0.14 nm / s for the Eu and between 0.02 and 0.09 nm / s for the SiO. The pressure levels reached during the evaporation process were as follows: in the deposition of Al a pressure level of between 10-8 and 6x10-8 mbar was reached, in the deposition of Eu a pressure level of between 1 was reached × 10-7 and 5 × 10-7 mbar and in the deposition of SiO a pressure level of between 3x10-9 and 1.5x10-8 mbar was reached.
Una de las características principales del invento reside en el espesor de cada lámina de la estructura multicapa formada mediante los procesos citados anteriormente; durante la preparación de las muestras, cada espesor se determinó mediante un control de espesores utilizando microbalanzas de cuarzo. Dicho control dio un pronóstico del valor real final del espesor de la lámina, el cual se comprobaría después de cada deposición. One of the main features of the invention resides in the thickness of each sheet of the multilayer structure formed by the processes mentioned above; During sample preparation, each thickness was determined by thickness control using quartz microbalances. This control gave a prognosis of the final real value of the thickness of the sheet, which would be checked after each deposition.
Dicho control del espesor de cada lámina se llevó a cabo extrayendo cada muestra de la cámara de vacío y utilizando la técnica interferométrica desarrollada por Tolansky. Dicha técnica interferométrica también se utilizó para calibrar las microbalanzas de cuarzo. Said thickness control of each sheet was carried out by extracting each sample from the vacuum chamber and using the interferometric technique developed by Tolansky. Such interferometric technique was also used to calibrate quartz microbalances.
Claims (6)
- 10 3. Filtros de banda estrecha según la reivindicación 1 donde las láminas barrera consisten en SiO. 3. Narrowband filters according to claim 1 wherein the barrier sheets consist of SiO.
- 15 5. Filtros de banda estrecha según la reivindicación 3 donde el espesor de las láminas barrera de SiO es de al menos 0.7 nm. 5. Narrow band filters according to claim 3 wherein the thickness of the SiO barrier sheets is at least 0.7 nm.
- Categoría Category
- 56 Documentos citados Reivindicaciones afectadas 56 Documents cited Claims Affected
- Y Y
- US 20100271693 A1 (VIDAL DASILVA, M. et al.) 28.10.2010, resumen; párrafos [0011]-[0019]; reivindicaciones. 1-7 US 20100271693 A1 (VIDAL DASILVA, M. et al.) 28.10.2010, summary; paragraphs [0011] - [0019]; claims. 1-7
- Y Y
- US 4106857 A (SNITZER, E.) 15.08.1978, resumen; columna 1, línea 34 – columna 2, línea 47; columna 2, línea 62 – columna 3, línea 16; columna 3, líneas 45-65; columna 4, líneas 51-56; columna 5, líneas 36-47. 1-7 US 4106857 A (SNITZER, E.) 15.08.1978, summary; column 1, line 34 - column 2, line 47; column 2, line 62 - column 3, line 16; column 3, lines 45-65; column 4, lines 51-56; column 5, lines 36-47. 1-7
- A TO
- FERNÁNDEZ-PEREA, M et al.: "Narrowband filters and broadband mirrors for the spectral range from 50 to 200 nm". Proc. of SPIE, Vol. 7018, 70182W, 2008, págs. 1-9. 1-7 FERNÁNDEZ-PEREA, M et al .: "Narrowband filters and broadband mirrors for the spectral range from 50 to 200 nm". Proc. of SPIE, Vol. 7018, 70182W, 2008, p. 1-9. 1-7
- A TO
- US 5270854 A (LEE, J. et al.) 14.12.1993 US 5270854 A (LEE, J. et al.) 14.12.1993
- A TO
- EP 1069444 A2 (JOHNSON & JOHNSON VISION CARE, INC.) 17.01.2001 EP 1069444 A2 (JOHNSON & JOHNSON VISION CARE, INC.) 17.01.2001
- Categoría de los documentos citados X: de particular relevancia Y: de particular relevancia combinado con otro/s de la misma categoría A: refleja el estado de la técnica O: referido a divulgación no escrita P: publicado entre la fecha de prioridad y la de presentación de la solicitud E: documento anterior, pero publicado después de la fecha de presentación de la solicitud Category of the documents cited X: of particular relevance Y: of particular relevance combined with other / s of the same category A: reflects the state of the art O: refers to unwritten disclosure P: published between the priority date and the date of priority submission of the application E: previous document, but published after the date of submission of the application
- El presente informe ha sido realizado • para todas las reivindicaciones • para las reivindicaciones nº: This report has been prepared • for all claims • for claims no:
- Fecha de realización del informe 10.12.2012 Date of completion of the report 10.12.2012
- Examinador Ó. González Peñalba Página 1/4 Examiner Ó. González Peñalba Page 1/4
- Novedad (Art. 6.1 LP 11/1986) Novelty (Art. 6.1 LP 11/1986)
- Reivindicaciones Reivindicaciones 1-7 SI NO Claims Claims 1-7 IF NOT
- Actividad inventiva (Art. 8.1 LP11/1986) Inventive activity (Art. 8.1 LP11 / 1986)
- Reivindicaciones Reivindicaciones 1-7 SI NO Claims Claims 1-7 IF NOT
- Documento Document
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- US 20100271693 A1 (VIDAL DASILVA, M. et al.) 28.10.2010 US 20100271693 A1 (VIDAL DASILVA, M. et al.) 10/28/2010
- D02 D02
- US 4106857 A (SNITZER, E.) 15.08.1978 US 4106857 A (SNITZER, E.) 15.08.1978
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